TWI558450B - 流體二氧化碳之供給裝置及供給方法 - Google Patents
流體二氧化碳之供給裝置及供給方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI558450B TWI558450B TW102104023A TW102104023A TWI558450B TW I558450 B TWI558450 B TW I558450B TW 102104023 A TW102104023 A TW 102104023A TW 102104023 A TW102104023 A TW 102104023A TW I558450 B TWI558450 B TW I558450B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- carbon dioxide
- gas
- unit
- fluid
- pressure
- Prior art date
Links
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 550
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 title claims description 275
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 title claims description 273
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 53
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 36
- 238000007670 refining Methods 0.000 claims description 35
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 9
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000011555 saturated liquid Substances 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/02—Feed or outlet devices therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D5/00—Condensation of vapours; Recovering volatile solvents by condensation
- B01D5/0057—Condensation of vapours; Recovering volatile solvents by condensation in combination with other processes
- B01D5/006—Condensation of vapours; Recovering volatile solvents by condensation in combination with other processes with evaporation or distillation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
- B01D53/75—Multi-step processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/0006—Controlling or regulating processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/50—Carbon dioxide
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C7/00—Methods or apparatus for discharging liquefied, solidified, or compressed gases from pressure vessels, not covered by another subclass
- F17C7/02—Discharging liquefied gases
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C7/00—Methods or apparatus for discharging liquefied, solidified, or compressed gases from pressure vessels, not covered by another subclass
- F17C7/02—Discharging liquefied gases
- F17C7/04—Discharging liquefied gases with change of state, e.g. vaporisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2256/00—Main component in the product gas stream after treatment
- B01D2256/22—Carbon dioxide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/70—Organic compounds not provided for in groups B01D2257/00 - B01D2257/602
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25J—LIQUEFACTION, SOLIDIFICATION OR SEPARATION OF GASES OR GASEOUS OR LIQUEFIED GASEOUS MIXTURES BY PRESSURE AND COLD TREATMENT OR BY BRINGING THEM INTO THE SUPERCRITICAL STATE
- F25J2220/00—Processes or apparatus involving steps for the removal of impurities
- F25J2220/80—Separating impurities from carbon dioxide, e.g. H2O or water-soluble contaminants
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25J—LIQUEFACTION, SOLIDIFICATION OR SEPARATION OF GASES OR GASEOUS OR LIQUEFIED GASEOUS MIXTURES BY PRESSURE AND COLD TREATMENT OR BY BRINGING THEM INTO THE SUPERCRITICAL STATE
- F25J2220/00—Processes or apparatus involving steps for the removal of impurities
- F25J2220/80—Separating impurities from carbon dioxide, e.g. H2O or water-soluble contaminants
- F25J2220/82—Separating low boiling, i.e. more volatile components, e.g. He, H2, CO, Air gases, CH4
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25J—LIQUEFACTION, SOLIDIFICATION OR SEPARATION OF GASES OR GASEOUS OR LIQUEFIED GASEOUS MIXTURES BY PRESSURE AND COLD TREATMENT OR BY BRINGING THEM INTO THE SUPERCRITICAL STATE
- F25J2220/00—Processes or apparatus involving steps for the removal of impurities
- F25J2220/80—Separating impurities from carbon dioxide, e.g. H2O or water-soluble contaminants
- F25J2220/84—Separating high boiling, i.e. less volatile components, e.g. NOx, SOx, H2S
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/0318—Processes
- Y10T137/0402—Cleaning, repairing, or assembling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/794—With means for separating solid material from the fluid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- External Artificial Organs (AREA)
Description
本發明係關於一種可使用於半導體元件製造製程及液晶顯示元件製造製程之供給高潔淨度流體二氧化碳之供給裝置及供給方法。
在半導體元件及液晶顯示元件等製造中,重複進行處理在表面上形成微細構造之晶圓及基板等被處理體的步驟。藉由去除附著於被處理體上的污染物來達成及維持被處理體的高潔淨度,對於最後製品的品質保持與提升製造時的良率,係為重要。
近年來,在半導體元件與液晶顯示元件等製造步驟中,更進行被處理體的高度化、高積體化、微細化等。伴隨此現象,開始探討使用以往的超純水與藥液的洗淨及乾燥等濕式(wet)洗淨處理的極限。為了克服此問題,使用具有低黏性及低表面張力等特徴的超臨界流體,特別是以超臨界二氧化碳進行洗淨及乾燥的處理裝置正受到關注。超臨界流體,其密度接近液體,但其黏性小且擴散性大,顯示出如同氣體的性質。而且,超臨界流體具有浸漬力優良,易擴散污染成分的性質,適合用於洗淨表面具有微細構造的被處理體。另外,在超臨界狀態下,表面張力並無法運作,故可在洗淨後的乾燥步驟中,防止因為殘存於被處理體表面之流體的毛細管力所引起的崩塌現象地進行乾燥。
作為像這樣的超臨界流體所採用的物質,具有:二氧化碳、一氧化二氮(N2O)、二氧化硫(SO2)、乙烷(C2H6)、丙烷(C3H8)及氟氯碳化物(chlorofluorocarbon)等化合物。特別是二氧化碳,具有非可燃性之無害的優點,及臨界溫度約31℃、臨界壓力約7.4MPa之容易處理的優點。藉由將被壓縮至臨界壓力以上的液體二氧化碳(亦稱為液化二氧化碳;liquefied carbon dioxide)加熱,可得到超臨界二氧化碳(亦稱為超臨界二氧化碳氣體)。近年來,討論在半導體元件之製造製程中導入使用超臨界二氧化碳的洗淨及乾燥步驟。因此,必須能夠安定地供給將不純物及粒子(微粒子)數的含量降低至極限的高潔淨度之二氧化碳。
日本特開2006-326429號公報(以下稱為專利文獻1)中揭示,維持高潔淨度並供給超臨界二氧化碳的系統。專利文獻1所記載的系統當中,藉由循環處理進行二氧化碳之精製。此專利文獻1中所記載的系統,具備使已精製的二氧化碳持續循環的循環系統,及相應於需求從循環系統朝向使用點(use point)供給超臨界二氧化碳的供給系統。循環系統包含使氣體二氧化碳液化的凝結器,及使液體二氧化碳氣化的蒸發器/分離器。
【專利文獻1】日本特開2006-326429號公報
在工業上實施專利文獻1所示之系統的情況中,期望一種節能地實施供給二氧化碳的系統或是供給方法。本案發明人,就供給上述之二氧化碳的系統,發現以下新的問題。
意即,在蒸發器中必須使液體二氧化碳氣化,在凝結器中必須使氣體
二氧化碳液化。意即,必須將相當於二氧化碳之潛熱的能源供給至二氧化碳,或是將其從二氧化碳奪取。因此,在凝結器及/或蒸發器中,會產生能源的耗損。特別是,在專利文獻1中所示的系統中,在二氧化碳循環的循環系統內設置了凝結器及蒸發器,故在系統運作時,能源的耗損增大。
於是本發明之目的在於提供一種節能且有效率的流體二氧化碳之供給裝置及供給方法。
本發明之一態樣係關於流體二氧化碳之供給裝置。該供給裝置包含:循環系統;以及二氧化碳導入部,將作為原料或回收氣體的二氧化碳導入循環系統。循環系統包含:精製部,從二氧化碳中去除不純物及污染物;儲存部,具備使經過精製部之氣體二氧化碳變化為液體二氧化碳的凝結器;供給部,具備將儲存部之液體二氧化碳供給至使用點的第1泵浦;以及回送線,將從供給部所供給且未在使用點使用的剩餘二氧化碳送回至儲存部。二氧化碳導入部包含:第2泵浦,其使二氧化碳之壓力增大,並將該二氧化碳導入循環系統。導入儲存部之氣體二氧化碳的壓力,宜為例如,3MPa以上未滿臨界壓力。
本發明之另一態樣,係一種使用流體二氧化碳之供給裝置的流體二氧化碳之供給方法,該流體二氧化碳之供給裝置包含:循環系統,以及二氧化碳導入部,將作為原料或回收氣體的二氧化碳導入循環系統;該循環系統包含:精製部,從二氧化碳中去除不純物及污染物;儲存部,具備使經過精製部之氣體二氧化碳變化為液體二氧化碳的凝結器;供給部,具備將儲存部之液體二氧化碳供給至使用點的第1泵浦;以及回送線,將從供給部所供給且未在使用點使用的剩餘二氧化碳送回至儲存部。該二氧化碳導入部包含:第2泵浦,使作為原料或回收氣體的二氧化碳之壓力增大,並將二氧化碳導入循環系統。該供給方法,係藉由第2泵浦壓送二氧化碳,使導入儲存部之氣體二氧化碳的壓力成為3MPa以上且未滿臨界壓力。
該供給裝置中,藉由二氧化碳導入部之第2泵浦,使二氧化碳升壓以將該二氧化碳導入循環系統內。藉此,至少使凝結器內之二氧化碳的壓力增大。壓力越高,則在將氣體二氧化碳變為液體二氧化碳時的潛熱越小。因此,上述供給裝置及供給方法,可降低凝結器的能源損失。
又,專利文獻1所示的系統中,並未從凝結器中的能源耗損的觀點來考量。此情況下,因為只要從二氧化碳源(鋼瓶)將二氧化碳導入循環系統即可,故不必在導入二氧化碳的導入部中,設置增加二氧化碳壓力的泵浦。而實際上專利文獻1中並未揭示這樣的泵浦。
本發明可提供一種,節能且有效率之流體二氧化碳之供給裝置及供給方法。
在以下的說明中,參照表示本發明之添附圖式,明確揭示了本發明之上述及其他目的、特徵及優點。
100‧‧‧流體二氧化碳之供給裝置
200‧‧‧使用點
10‧‧‧精製部
11‧‧‧二氧化碳導入部
12‧‧‧儲存部
13‧‧‧供給部
14‧‧‧二氧化碳槽
15‧‧‧開閉閥
16‧‧‧泵浦
17、21、29、31、33、67‧‧‧過濾器
19‧‧‧蒸發器
22‧‧‧凝結器
23‧‧‧儲存槽
24‧‧‧過冷卻器
25‧‧‧泵浦
26‧‧‧開閉閥
27、37‧‧‧保壓閥
28‧‧‧回送線
30‧‧‧配管
34‧‧‧加熱器
59‧‧‧冷卻水配管
60‧‧‧第1分流線
61‧‧‧第2分流線
62‧‧‧第3分流線
63、64、65、66‧‧‧閥
68‧‧‧流量調節閥
【圖1】係表示本發明之一實施態樣的高潔淨度之流體二氧化碳之供給裝置的配管系統圖。
【圖2】二氧化碳的焓線圖。
以下,就本發明之實施態樣,參照圖式進行說明。
圖1係表示本發明之一實施態樣中,高潔淨度之流體二氧化碳之供給裝置的配管系統圖。供給裝置100係將精製的流體二氧化碳,特別是液體或是超臨界二氧化碳供給至裝置外的使用點200者。
供給裝置100包含:精製部10,精緻二氧化碳;儲存部12,以液體狀態儲存在精製部10中精製的二氧化碳;供給部13,具備將儲存的液體二氧化碳(液化二氧化碳)送至使用點200的泵浦25;以及二氧化碳導入部11,透過精製部10,將作為原料氣體或從使用點200回收之氣體的二氧化碳,導入儲存部12。
就該供給裝置100之各部位進行更詳細的說明。
作為二氧化碳導入部11,可使用冷蒸發器(CE;Cold Evaporator)或是可搬式形超低溫容器(LGC/ELF)等二氧化碳槽14。當然,導入精製部10者,並不限於作為原料氣體的二氧化碳,亦可為作為在使用點200使用後回收的回收氣體之二氧化碳。
二氧化碳槽14與精製部10透過開閉閥15連接,二氧化碳導入精製部10。亦可在連接於二氧化碳槽14與開閉閥15之間的配管上,設置使二氧化碳升壓的泵浦16。在儲存部12內的二氧化碳儲存量於既定值以上時,停止從二氧化碳槽14對精製部10的二氧化碳的供給。
精製部10可包含:過濾器17,過濾導入之二氧化碳;蒸發器19,將流經過濾器17之二氧化碳加熱;及過濾器21,過濾從蒸發器19流出之氣體二氧化碳。另外,雖將從過濾器21流出的氣體二氧化碳供給至儲存部12,但是亦可設置分流線及切換閥,使從過濾器17出來的氣體二氧化碳不經過蒸發器19或過濾器21等元件而送至儲存部12。
儲存部12可包含:凝結器22,將從精製部10所供給的氣體二氧化碳液化;儲存槽23,暫時儲存凝結器22中所液化之二氧化碳;及過冷卻器24,設置於儲存槽23之出口,並將液體二氧化碳(液化二氧化碳)過冷卻。
供給部13具備泵浦25,其設於儲存部12之出口,意即過冷卻器24的出口。泵浦25,使液化二氧化碳升壓並將其送出。泵浦25,可使用例如,
膜片泵或柱塞泵等正排量泵。供給部13中,亦設置開閉閥26,其用以將在儲存部12之液化二氧化碳升壓後的液化二氧化碳,送至半導體製程用之腔室等使用點200。未於使用點200使用的剩餘的液化二氧化碳,經過保壓閥27,經由具備調節液化二氧化碳之流量的流量調節閥68的回送線28,送至精製部10或是儲存部12。又,從泵浦25之出口到開閉閥26的供給路中,亦可設置物理性地去除不純物的過濾器29。這是為了避免不小心從供給部12之裝置、配管與泵浦25所產生的塵屑(微粒子)混入供給至使用點200的液化二氧化碳中。
本實施例中,更從過濾器29之出口與回送線28之間的供給路徑,分支出複數用於將二氧化碳供給至使用點200的配管30。在該等分支的各配管30上設置了開閉閥26。
開閉閥26的出口,可透過過濾器31與使用點200連接。考慮使用接收高潔淨度之二氧化碳之供給的各種裝置作為使用點200。圖1所示之一例中,使用點200包含:質量流量控制器(MFC;Mass Flow Controller)32,連接於過濾器31之出口;過濾器33,連接於質量流量控制器32的出口;加熱器34,其將流經過濾器33而供給的高潔淨度二氧化碳加熱,以使其成為溫度及壓力在臨界點以上的超臨界二氧化碳;腔室(容器)35,進行對於被供給超臨界二氧化碳之晶圓的洗淨及乾燥等處理;以及保壓閥37,連接於腔室35之出口,並將使用點200內的二氧化碳之壓力保持在定值。在使用點200使用的二氧化碳,從保壓閥37的出口排出。
當然,使用點200本體並非構成本發明之供給裝置100的要素。上述範例中,在使用點200內,將液體二氧化碳加熱至臨界溫度以上的溫度,使其成為超臨界二氧化碳。然而,亦可在供給裝置100之供給部13中設置加熱機構,於供給部13中加熱液體二氧化碳以使其成為超臨界二氧化碳。
圖1中,回送線28包含分支為3個的分流線60、61、62。該等分流線60、61、62構成回送線28的一部分。回送線28,具備閥63、64、65、66,
其選擇是否使流體二氧化碳回送至任一的分流線60、61、62。
通過第1分流線60的流體二氧化碳,被導入精製部10的蒸發器19。通過第2分流線61的流體二氧化碳,被導入精製部10的過濾器21。在任一情況中,皆以儲存部12、供給部13、回送線28及精製部10(或是其一部分),形成使流體二氧化碳循環的循環系統。
通過第3分流線62的流體二氧化碳,被導入儲存部12的儲存槽23。此情況下,儲存部12(或是其一部分),藉由供給部13及回送線28,形成使二氧化碳循環的循環系統。又,亦可在第3分流線62上設置過濾器67。藉此,亦可將未在使用點200使用之剩餘的液化二氧化碳的一部分直接送回儲存部12。
說明上述之供給裝置100的基本動作的一例。
在圖1所示的供給裝置100中,在與使用點200連接的開閉閥26為關閉的狀態下,首先,從二氧化碳槽14透過開閉閥15,將二氧化碳供給至精製部10。供給至精製部10的二氧化碳,依序流經過濾器17、蒸發器19及過濾器21。精製過的氣體二氧化碳,供給至儲存部12,在凝結器22被液化,而暫時儲存於儲存槽23。儲存槽23的液體二氧化碳(液化二氧化碳),以過冷卻器24進行過冷卻,並藉由泵浦25高壓運送,流入過濾器29。未在使用點200使用的剩餘的流體二氧化碳的至少一部分,經由回送線28上的流量調節閥68導入精製部10。以下,主要就流體二氧化碳通過回送線28之第1分流線60的情況進行說明。
通過第1分流線60的流體二氧化碳,供給至精製部10的蒸發器19。蒸發器19中設有加熱器,在蒸發器19內形成了二氧化碳的氣液界面。供給至蒸發器19的液化二氧化碳氣化,而二氧化碳中的難揮發性之不純物及粒子則殘留在液相側。接著,藉由在蒸發器19中氣化而精製的二氧化碳,以氣體狀態的形式,送至用以更加去除粒子類的過濾器21。之後,精製的
氣體二氧化碳,藉由在凝結器22中冷卻而再次液化,並作為液化二氧化碳回到儲存槽23。
如上所述,蒸發器19,宜為在其內部形成二氧化碳之氣液界面的氣液分離器。此情況下,與將所有二氧化碳蒸發的蒸發器相比,可安定且有效的進行精製。氣液分離器以控制液面的方式從加熱器加熱。此時,因為氣液分離器內的二氧化碳為氣液平衡的狀態,故即使以加熱器加熱,溫度/壓力亦無明顯的變化。
在這樣的供給裝置100內,以使二氧化碳多次通過精製部10的方式循環,藉此,可使循環系統內的二氧化碳保持高潔淨度。
在從二氧化碳導入部11將二氧化碳導入循環系統內之後,使二氧化碳多次通過循環系統內的精製部10,藉此進一步減少二氧化碳內的粒子等不純物。接著,二氧化碳的潔淨度達到既定等級後,開啟開閉閥26,對使用點200供給液體二氧化碳(液化二氧化碳)。二氧化碳的潔淨度是否達到既定等級,只要檢測是否進行預先規定之既定時間以上的循環動作,或是使用檢測出潔淨度的感應器即可。
將保存於儲存部12內的二氧化碳量減少後,使開閉閥26關閉,以停止對使用點200供給二氧化碳。接著,從二氧化碳槽14對精製部10進行二氧化碳的供給,以將二氧化碳補給至儲存部12內。宜對於所補給的二氧化碳,進行藉由循環動作之精製處理。
在此之後,在儲存部12內的二氧化碳量達到既定值,且二氧化碳之潔淨度達到既定的等級的時間點,使開閉閥26開啟,以對使用點200供給二氧化碳,而在儲存部12內之二氧化碳量減少後,使開閉閥26關閉,然後將二氧化碳補給至供給裝置100內,並重複上述操作。
如上所述,為了維持二氧化碳的純度,宜將未在使用點200使用的剩
餘的二氧化碳送至精製部10。又,亦可藉由回送線28的第3分流線62,將部分的二氧化碳送回直接儲存部12。此時,剩餘的二氧化碳若為液體的狀態,亦可將剩餘的二氧化碳以該狀態導入儲存槽23。剩餘的二氧化碳若為氣體的狀態,亦可將剩餘的二氧化碳導入凝結器22。
在儲存部12內,將液體二氧化碳與氣體二氧化碳混合,二氧化碳只要在氣液平衡狀態即可。此平衡狀態,亦可藉由二氧化碳之溫度或是壓力來決定(參照圖2)。
圖2係二氧化碳之焓線圖。縱軸係表示二氧化碳之壓力,横軸係表示焓。與縱軸平行的直線為等焓線,與横軸平行的直線為等壓線。圖中,以實線表示飽和液態線、飽和蒸氣線及飽和固態線。而虛線表示等溫線。
在某壓力下,氣液平衡狀態的溫度直接被決定。相反的,在某溫度下,氣液平衡狀態的壓力直接被決定。
在某壓力下將氣體二氧化碳液化的情況中,必須從氣體的二氧化碳奪取相當於該壓力條件下之潛熱的能源。因此,凝結器22中,必須僅以相當於潛熱的能源使二氧化碳冷卻。另外,在某壓力下使液體二氧化碳氣化的情況中,必須給予液體的二氧化碳相當於該壓力條件下之潛熱能源。因此,蒸發器19中,必須僅以相當於潛熱之能源加熱二氧化碳。此處,潛熱係藉由在某壓力(或是溫度)下的飽和蒸氣線上的焓與飽和液態線上的焓之差所規定。例如,2MPa下的二氧化碳之潛熱約為280kJ/kg,4MPa下的二氧化碳之潛熱約為220kJ/kg。如圖2所示,壓力越大則二氧化碳之潛熱越小。
專利文獻1所示的系統中,並未從凝結器中的能源耗損之觀點來考慮。此情況下,只要將二氧化碳從二氧化碳源(鋼瓶)導入循環系統即可,故無需在導入二氧化碳的導入部上,設置使二氧化碳之壓力增大的泵浦。實際上,專利文獻1並未揭示這樣的泵浦。另外,若使供給至循環系統內的二氧化碳之流量增大,亦可設置不使壓力明顯改變的升壓泵浦。若二氧化碳之壓
力較小,可降低配管及容器之耐壓性,而可縮減配管及容器的厚度。因此,系統的初始成本降低。從這樣的觀點來看,以往技術中,在將二氧化碳導入循環系統內的二氧化碳導入部上,並未設置使二氧化碳升壓的泵浦。
然而,二氧化碳之壓力越低,使二氧化碳在液體與氣體間進行狀態變化的潛熱越大(參照圖2)。藉此,本案發明人發現下述之問題:在將低壓的二氧化碳導入循環系統的情況中,在凝結器22及/或蒸發器19的能源耗損變大。特別是,使二氧化碳循環,並在液體與氣體之間反覆進行狀態變化的情況,此能源耗損增大,導致運轉成本增大。
本發明中,藉由設置在二氧化碳導入部11中使二氧化碳之壓力增大的泵浦15,使在凝結器22及/或蒸發器19的壓力增大,可降低伴隨二氧化碳之狀態變化的能源耗損。藉此,可降低供給裝置100的運轉成本。
在工業用之大型供給裝置中,需要大容量的二氧化碳,故使用CE或LGC(ELF)作為供給源的二氧化碳槽14。CE或LGC(ELF)等容器內的二氧化碳之壓力,通常約2MPa左右。此時,氣液混合狀態下的二氧化碳之溫度為-20℃。因此,凝結器22中,需要以更低溫的冷媒來冷卻二氧化碳的冷卻機構。藉此,凝結器22的效率降低,導致能源浪費。
因此,二氧化碳導入部11的泵浦16,宜壓送二氧化碳使導入儲存部12之氣體二氧化碳的壓力成為3MPa以上且未滿超臨界狀態的臨界點(參照圖2中的符號CP)之臨界壓力。藉此,可降低凝結器22及/或蒸發器19中,伴隨二氧化碳之狀態變化的能源耗損。因此可提供節能且有效率的流體二氧化碳之供給裝置及供給方法。
另外,泵浦16更宜壓送二氧化碳,以使導入儲存部12之氣體二氧化碳的壓力成為4MPa以上。藉此,更可降低伴隨使二氧化碳在液體與氣體間進行狀態變化的潛熱,而可降低能源耗損。
另外,4MPa之下,氣液平衡狀態之溫度約為5℃(參照圖2)。因此,具有提高凝結器22之冷卻效率的優點。特別是,因為可使用水作為冷卻二氧化碳的冷媒,更可降低供給裝置100的運轉成本。此情況下,凝結器22係藉由冷卻水冷卻氣體二氧化碳的機構,宜具有例如冷卻水配管59。
另外,高壓的二氧化碳之體積流量比低壓的二氧化碳之體積流量小,故亦具有在過濾器中的空間速度與線速度較小的優點。
又,若二氧化碳的壓力上升,必須提升構成循環系統之配管與容器的耐壓性,而有初始成本提高的情形。若考慮此情況,二氧化碳導入部11的泵浦25,宜壓送二氧化碳以使導入儲存部12之氣體二氧化碳的壓力成為6MPa以下,。
本申請案,主張以2012年2月2日提出申請的日本國專利申請第2012-20798號為基礎的優先權,藉由參考該申請案,將其所揭示之內容完全導入至本發明中。
100‧‧‧流體二氧化碳之供給裝置
200‧‧‧使用點
10‧‧‧精製部
11‧‧‧二氧化碳導入部
12‧‧‧儲存部
13‧‧‧供給部
14‧‧‧二氧化碳槽
15‧‧‧開閉閥
16‧‧‧泵浦
17、21、29、31、33、67‧‧‧過濾器
19‧‧‧蒸發器
22‧‧‧凝結器
23‧‧‧儲存槽
24‧‧‧過冷卻器
25‧‧‧泵浦
26‧‧‧開閉閥
27、37‧‧‧保壓閥
28‧‧‧回送線
30‧‧‧配管
34‧‧‧加熱器
59‧‧‧冷卻水配管
60‧‧‧第1分流線
61‧‧‧第2分流線
62‧‧‧第3分流線
63、64、65、66‧‧‧閥
68‧‧‧流量調節閥
Claims (11)
- 一種流體二氧化碳之供給裝置,包含循環系統及二氧化碳導入部;該循環系統包含:精製部,從二氧化碳中去除不純物及污染物;儲存部,具備使經過該精製部之氣體二氧化碳變化為液體二氧化碳的凝結器;供給部,具備將該儲存部之液體二氧化碳供給至使用點的第1泵浦;以及回送線,將從該供給部所供給且未在該使用點使用的剩餘二氧化碳送回至該儲存部;該二氧化碳導入部,將作為原料或回收氣體的二氧化碳導入該循環系統;該二氧化碳導入部包含:第2泵浦,使作為該原料或回收氣體的二氧化碳之壓力增大,並將該二氧化碳導入該循環系統;該第2泵浦壓送二氧化碳,以使導入該儲存部的氣體二氧化碳之壓力成為3MPa以上且未滿臨界壓力。
- 如申請專利範圍第1項之流體二氧化碳之供給裝置,其中,該第2泵浦壓送二氧化碳,以使導入該儲存部之氣體二氧化碳的壓力成為4MPa以上。
- 如申請專利範圍第2項之流體二氧化碳之供給裝置,其中,該凝結器具有以冷卻水使氣體二氧化碳冷卻的機構。
- 如申請專利範圍第1至3項中任1項之流體二氧化碳之供給裝置,其中,該精製部具備使二氧化碳氣化的蒸發器。
- 如申請專利範圍第4項之流體二氧化碳之供給裝置,其中, 該精製部具備配置於該蒸發器之後段,用於過濾氣相二氧化碳的過濾器。
- 如申請專利範圍第4項之流體二氧化碳之供給裝置,其中,該蒸發器係內部形成二氧化碳之氣液界面的氣液分離器。
- 一種流體二氧化碳之供給方法,使用流體二氧化碳之供給裝置,該流體二氧化碳之供給裝置包含循環系統及二氧化碳導入部;該循環系統包含:精製部,從二氧化碳中去除不純物及污染物;儲存部,具備使經過該精製部之氣體二氧化碳變化為液體二氧化碳的凝結器;供給部,具備將該儲存部之液體二氧化碳供給至使用點的第1泵浦;以及回送線,將從該供給部所供給且未在該使用點使用的剩餘二氧化碳送回至該儲存部;該二氧化碳導入部,將作為原料或回收氣體的二氧化碳導入該循環系統;該二氧化碳導入部包含:第2泵浦,使作為該原料或回收氣體的二氧化碳之壓力增大,並將該二氧化碳導入該循環系統;該流體二氧化碳之供給方法,其特徵為:藉由該第2泵浦壓送二氧化碳,以使導入該儲存部之氣體二氧化碳的壓力成為3MPa以上且未滿臨界壓力。
- 如申請專利範圍第7項之流體二氧化碳之供給方法,其中,更壓送二氧化碳,以使導入該儲存部之氣體二氧化碳的壓力為4MPa以上。
- 如申請專利範圍第8項之流體二氧化碳之供給方法,其中, 該凝結器內,藉由冷卻水使氣體二氧化碳冷卻,以將其變化為液體二氧化碳。
- 如申請專利範圍第7到9項中任1項之流體二氧化碳之供給方法,其中,在該精製部中使二氧化碳氣化。
- 如申請專利範圍第10項之流體二氧化碳之供給方法,其中,在將氣體二氧化碳導入該凝結器之前,於該精製部將經氣化的二氧化碳予以過濾。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012020798A JP5912596B2 (ja) | 2012-02-02 | 2012-02-02 | 流体二酸化炭素の供給装置及び供給方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201345596A TW201345596A (zh) | 2013-11-16 |
TWI558450B true TWI558450B (zh) | 2016-11-21 |
Family
ID=48905193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102104023A TWI558450B (zh) | 2012-02-02 | 2013-02-01 | 流體二氧化碳之供給裝置及供給方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9887079B2 (zh) |
JP (1) | JP5912596B2 (zh) |
KR (1) | KR101619007B1 (zh) |
CN (1) | CN104105540B (zh) |
TW (1) | TWI558450B (zh) |
WO (1) | WO2013115156A1 (zh) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103939733B (zh) * | 2014-04-09 | 2016-08-17 | 陕西师范大学 | 液态二氧化碳流体的连续供给装置 |
WO2018037461A1 (ja) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | フタバ産業株式会社 | 二酸化炭素供給装置 |
WO2018069778A1 (es) * | 2016-09-20 | 2018-04-19 | Universidad Industrial De Santander | Sistema de recirculación de dióxido de carbono supercrítico que usa un dispositivo integrado de licuado y almacenamiento del fluido |
JP6804278B2 (ja) * | 2016-12-06 | 2020-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 超臨界流体製造装置および基板処理装置 |
CN110998802B (zh) * | 2017-08-10 | 2023-08-29 | 株式会社富士金 | 流体供给装置和流体供给方法 |
WO2019035351A1 (ja) * | 2017-08-13 | 2019-02-21 | 株式会社フジキン | 流体供給装置およびこの装置における液体排出方法 |
JP6356328B1 (ja) * | 2017-09-06 | 2018-07-11 | 伸和コントロールズ株式会社 | 超臨界二酸化炭素流体生成用の流体供給装置 |
CN107522201A (zh) * | 2017-10-10 | 2017-12-29 | 华能国际电力股份有限公司 | 超临界二氧化碳系统运行过程中自动提纯装置及提纯方法 |
US20200370710A1 (en) * | 2018-01-12 | 2020-11-26 | Edward Peterson | Thermal Cascade for Cryogenic Storage and Transport of Volatile Gases |
US11835270B1 (en) | 2018-06-22 | 2023-12-05 | Booz Allen Hamilton Inc. | Thermal management systems |
CN109080995B (zh) * | 2018-10-10 | 2024-05-07 | 惠州市华达通气体制造股份有限公司 | 一种液体二氧化碳储罐气相外回收装置 |
US11293673B1 (en) | 2018-11-01 | 2022-04-05 | Booz Allen Hamilton Inc. | Thermal management systems |
US11168925B1 (en) * | 2018-11-01 | 2021-11-09 | Booz Allen Hamilton Inc. | Thermal management systems |
US11052347B2 (en) * | 2018-12-21 | 2021-07-06 | Entegris, Inc. | Bulk process gas purification systems |
JP7197396B2 (ja) * | 2019-02-06 | 2022-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US11835271B1 (en) | 2019-03-05 | 2023-12-05 | Booz Allen Hamilton Inc. | Thermal management systems |
EP3730199A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-28 | Folium Biosciences Europe B.V. | System and method for removal of gaseous contaminants from liquid or supercritical carbon dioxide |
US11796230B1 (en) | 2019-06-18 | 2023-10-24 | Booz Allen Hamilton Inc. | Thermal management systems |
CN112678825A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-20 | 起时超临界高新技术(广州)有限公司 | 一种内置换热式超临界二氧化碳分离方法及设备 |
CN112974412A (zh) * | 2021-02-23 | 2021-06-18 | 中国核动力研究设计院 | 放射性污染超临界二氧化碳化学去污方法及其去污装置 |
WO2023049330A1 (en) * | 2021-09-23 | 2023-03-30 | Booz Allen Hamilton Inc. | Thermal management systems |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1604811A (zh) * | 2001-10-17 | 2005-04-06 | 普莱克斯技术有限公司 | 中心二氧化碳纯化器 |
JP2006326429A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Japan Organo Co Ltd | 流体供給システム |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6612317B2 (en) * | 2000-04-18 | 2003-09-02 | S.C. Fluids, Inc | Supercritical fluid delivery and recovery system for semiconductor wafer processing |
JP2001261320A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Nippon Sanso Corp | 精製液化炭酸ガスの供給方法と装置並びにドライアイススノーによる洗浄方法と装置 |
KR100753493B1 (ko) * | 2006-01-21 | 2007-08-31 | 서강대학교산학협력단 | 세정장치 |
JP5079141B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2012-11-21 | 三井造船株式会社 | 二酸化炭素の分離装置及び二酸化炭素の分離方法 |
JP5694048B2 (ja) * | 2011-05-18 | 2015-04-01 | オルガノ株式会社 | 高純度液化炭酸ガス製造方法及び装置 |
KR102142252B1 (ko) * | 2011-05-18 | 2020-08-07 | 오르가노 가부시키가이샤 | 고순도 액화 탄산 가스 제조 방법 및 장치 |
-
2012
- 2012-02-02 JP JP2012020798A patent/JP5912596B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-29 WO PCT/JP2013/051836 patent/WO2013115156A1/ja active Application Filing
- 2013-01-29 CN CN201380006504.8A patent/CN104105540B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-29 KR KR1020147024275A patent/KR101619007B1/ko active IP Right Grant
- 2013-01-29 US US14/376,102 patent/US9887079B2/en active Active
- 2013-02-01 TW TW102104023A patent/TWI558450B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1604811A (zh) * | 2001-10-17 | 2005-04-06 | 普莱克斯技术有限公司 | 中心二氧化碳纯化器 |
JP2006326429A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Japan Organo Co Ltd | 流体供給システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5912596B2 (ja) | 2016-04-27 |
US9887079B2 (en) | 2018-02-06 |
CN104105540A (zh) | 2014-10-15 |
CN104105540B (zh) | 2016-08-10 |
TW201345596A (zh) | 2013-11-16 |
KR20140122259A (ko) | 2014-10-17 |
WO2013115156A1 (ja) | 2013-08-08 |
US20150075636A1 (en) | 2015-03-19 |
KR101619007B1 (ko) | 2016-05-09 |
JP2013159501A (ja) | 2013-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI558450B (zh) | 流體二氧化碳之供給裝置及供給方法 | |
JP5843638B2 (ja) | 液化炭酸ガス製造装置及びその洗浄方法 | |
KR102142252B1 (ko) | 고순도 액화 탄산 가스 제조 방법 및 장치 | |
US10046370B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, fluid supplying method and storage medium | |
US20190139793A1 (en) | Annealing system and method | |
JP5013567B2 (ja) | 流体供給システム | |
US8974603B2 (en) | Method of purifying filter, and method of cleaning or drying object to be treated | |
JP2014101241A (ja) | 精製二酸化炭素の供給システムおよび方法 | |
JP2008505297A (ja) | 二酸化炭素を供給する方法及びシステム | |
JP2019089009A (ja) | 抽出装置およびその方法 | |
JP5150785B2 (ja) | 純粋液体製造装置 | |
JP2009194092A (ja) | 高圧二酸化炭素による被処理体の処理方法及び処理装置 | |
US9892939B2 (en) | Substrate treating apparatus and chemical recycling method | |
JP5912597B2 (ja) | 流体二酸化炭素の供給装置及び供給方法 | |
TWI497630B (zh) | 基板處理裝置和化學回收之方法 | |
KR101197083B1 (ko) | 초임계 이산화탄소의 순환장치 및 순환방법 | |
JP2001261320A (ja) | 精製液化炭酸ガスの供給方法と装置並びにドライアイススノーによる洗浄方法と装置 | |
TWI501819B (zh) | 過濾器之潔淨化方法及被處理體之清潔或乾燥方法 | |
JP5150584B2 (ja) | フィルターの清浄化方法、及び被処理体の洗浄または乾燥方法 | |
JP2016145121A (ja) | 二酸化炭素精製供給方法及びシステム | |
JP5843639B2 (ja) | 液化炭酸ガス製造装置及びその洗浄方法 | |
JP5694048B2 (ja) | 高純度液化炭酸ガス製造方法及び装置 | |
JP2013032245A (ja) | 二酸化炭素精製供給方法及びシステム | |
TWM510793U (zh) | 電子級氨水製造系統 | |
KR20200000879A (ko) | 조아르곤액 이송장치 및 이를 갖춘 극저온 공기분리설비 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |