TWI553769B - 以真空延伸室儲放遮盤之傳輸室 - Google Patents

以真空延伸室儲放遮盤之傳輸室 Download PDF

Info

Publication number
TWI553769B
TWI553769B TW104100785A TW104100785A TWI553769B TW I553769 B TWI553769 B TW I553769B TW 104100785 A TW104100785 A TW 104100785A TW 104100785 A TW104100785 A TW 104100785A TW I553769 B TWI553769 B TW I553769B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chamber
extension
transfer
volume
transfer chamber
Prior art date
Application number
TW104100785A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201515141A (zh
Inventor
雪勒傑森
Original Assignee
應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 應用材料股份有限公司 filed Critical 應用材料股份有限公司
Publication of TW201515141A publication Critical patent/TW201515141A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI553769B publication Critical patent/TWI553769B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

以真空延伸室儲放遮盤之傳輸室
本發明之實施例大體上是關於用來處理半導體基板的整合式處理系統。更特別地，本發明是關於具主框架之群集式工具(cluster tool)，該主框架包括傳輸室和用以儲放遮盤(shutter disk)之延伸室。
形成半導體元件的製程常施行於多室處理系統(如群集式工具)，其可在受控之處理環境下處理基板(如半導體晶圓)。典型的受控處理環境包括具主框架之系統，主框架容納基板傳輸機械手(robot)，以傳輸基板於負載鎖定室與多個連接主框架的真空處理室之間。受控之處理環境有多項優點，例如減少傳輸基板期間和完成各基板處理步驟時基板表面的污染。故在受控之處理環境下進行處理可減少缺陷生成數量及提高元件產率。
群集式工具的主框架一般包括中央傳輸室，其內容納機械手，用以來回移動一或多個基板。處理室和負載鎖定室係裝設在中央傳輸室上。在進行處理時，中央傳輸室的內部空間一般維持呈真空狀態而構成中間區域，以供基板從一 處理室移到另一處理室及/或位於群集式工具前端的負載鎖定室。
部分如物理氣相沉積(PVD)室之處理室包含遮盤，其係用以在調理(conditioning)操作時保護基板支撐件。PVD處理通常是在密封室進行，密封室具有用於將基板支撐於其上的臺座。臺座一般包括基板支撐件，其中設有電極，以於處理時靜電托住基板使之抵著基板支撐件。靶材通常含有待沉積至基板之材料，並支托在基板上方且一般固定於腔室頂端。諸如氬氣之氣體組成的電漿係供應在基板與靶材之間。靶材經偏壓而加速電漿中的離子移往靶材。衝擊靶材的離子會逐出靶材材料。逐出的材料被吸引朝向基板而沉積材料層於基板上。
諸如老化(burn-in)製程、黏貼(pasting)及/或清潔操作等調理操作乃定期施行以確保PVD室的處理性能。調理操作期間，仿製基板(dummy substrate)或遮盤係設置在臺座上，以防基板支撐件遭任一沉積物或微粒污染。習知PVD室一般包括遮盤儲存空間，以於處理時儲放遮盤，PVD室更包括機械臂，以將遮盤傳輸到遮盤儲存空間與基板支撐件間以進行調理操作。沉積時，遮盤留在PVD室的遮盤儲存空間內，並於調理操作時覆蓋基板支撐件。遮盤儲存空間和用來傳輸遮盤的機械臂將增加PVD室的複雜度和體積。
第1A圖繪示先前技術之PVD處理室10。PVD處理室10包括腔室主體2和蓋組件6，其定義可排空的製程容積。腔室主體2一般包括側壁和底面54。側壁通常設有複數個穿 孔，包括接取口、泵送口和遮盤口56(未繪示接取口與泵送口)。可密封之接取口供基板12進出PVD處理室10。泵送口耦接幫浦系統(亦未繪示)，以排空及控制製程容積的壓力。當遮盤14處於清除位置時，遮盤口56容許至少一部分的遮盤14通過。外殼16通常覆蓋遮盤口56，以維持製程容積的真空度。
主體2的蓋組件6一般支撐由此懸掛的環狀護罩62，以支撐遮蔽環58。遮蔽環58通常用來限制沉積物形成於露出遮蔽環58中央的部分基板12。
蓋組件6更包括靶材64和磁電管66。靶材64提供PVD處理時待沉積至基板12上的材料，磁電管66則於處理時提高靶材材料的消耗均勻度。功率源84係相對地偏壓靶材64和基板支撐件4。氣源82供應氣體(如氬氣)至製程容積60。氣體構成之電漿形成在基板12與靶材64間。電漿中的離子加速移向靶材64，促使材料逐出靶材64。逐出之靶材材料被吸引至基板12而沉積材料層於基板12上。
基板支撐件4一般設在腔室主體2的底面54，以於處理時支撐基板12。遮盤構件8通常設置鄰近基板支撐件4。遮盤構件8一般包括支撐遮盤14用的葉片18和由軸桿20連接至葉片18的致動器26。葉片18一般在第1A圖清除位置以及遮盤14實質上與基板支撐件4同心放置之第二位置間移動。處於第二位置時，在靶材老化和腔室黏貼處理期間，遮盤14可傳輸到基板支撐件4(利用舉升銷)。靶材老化和腔室黏貼處理時，葉片18通常返回清除位置。致動器26可為 任一裝置，只要其能旋轉軸桿20，進而移動葉片18於清除位置與第二位置之間。
第1B圖為PVD處理室的頂部截面圖。第1B圖繪示對應遮盤14、葉片18和基板支撐件4的外殼16。
故具有內建遮盤儲存器與傳輸構件的習知PVD處理室不但複雜，而且體積龐大。群集式工具的多個處理室通常需使用遮盤來進行一或多個步驟。然，多個腔室裝設遮盤儲存器與傳輸構件將大幅增加群集式工具的佔地面積(footprint)和成本。
因此，群集式工具需裝設高效率的遮盤儲存器與傳輸構件。
本發明大體上提出一種用於處理半導體基板的設備和方法。特別地，本發明提出之群集式工具具有連接至傳輸室的延伸室，其中延伸室包含遮盤架，用以儲放待用於連接至傳輸室之處理室中的遮盤。
本發明之一實施例提出用於群集式工具之主框架，包含：內設有基板傳輸機械手的傳輸室，基板傳輸機械手係配置以將基板來回移動於一或多個直接或間接連接至傳輸室的處理室之間；以及遮盤架，用以儲放待用於一或多個處理室的一或多個遮盤，其中基板傳輸機械手可進入遮盤架，藉此，基板傳輸機械手得以傳輸一或多個遮盤於遮盤架與一或多個直接或間接連接至傳輸室的處理室之間。
本發明之另一實施例提出一種用於群集式工具之傳 輸室組件，包含：內設有中央機械手的主腔室，其中主腔室係配置以連接複數個腔室，且中央機械手將一或多個基板來回移動於連接主腔室的複數個腔室之間；以及連接至主腔室的延伸室和置於延伸室中的遮盤架，其中遮盤架係配置以在其中支撐一或多個遮盤，且中央機械手可進入遮盤架。
本發明之又一實施例提出一種配置以處理半導體基板的群集式工具，包含：內設有第一中央機械手的第一傳輸室；連接第一傳輸室的第一延伸室，第一延伸室內設有第一遮盤架，其中第一遮盤架支撐一或多個遮盤，且第一中央機械手可進入第一遮盤架；連接至第一傳輸室的一或多個處理室；以及連接至第一延伸室的負載鎖定室。
2、261、301、371、501、601‧‧‧主體
4、131、132、246、247、661‧‧‧支撐件
6‧‧‧蓋組件
8‧‧‧遮盤構件
10、111、112、113、211、213、235、236、237、390、406‧‧‧處理室
12、114、214、331、622‧‧‧基板
14、123、223、411、523、621‧‧‧遮盤
16‧‧‧外殼
18、329、330、552、553、652、653‧‧‧葉片
20、532‧‧‧軸桿
26‧‧‧致動器
314、353、391、529、530、531、534、605、615、620‧‧‧側壁
54‧‧‧底面
56‧‧‧遮盤口
58‧‧‧遮蔽環
60、119、120、134、219、220、248、249、312、402、512、617、654‧‧‧容積
62‧‧‧護罩
64‧‧‧靶材
66‧‧‧磁電管
82‧‧‧氣源
84‧‧‧功率源
100、100a、200、400‧‧‧群集式工具
101、201‧‧‧盒件
102、202‧‧‧前端環境
103、109、203、209、234、316、403、651‧‧‧機械手
104、104a、104b、130、204、204a、204b、410、555、556、660‧‧‧負載鎖定室
105、106、116、117、118‧‧‧狹縫
105a、105b、106a、106b、205、206、216、217、218、238、239、240、241、506、507、609‧‧‧狹縫閥
107、133、207、232、350、408‧‧‧延伸室
108、208、233、300、401、551、650‧‧‧傳輸室
110、110a‧‧‧主框架
115、322、354、514、607‧‧‧調壓埠
122、135、222、243、503、616‧‧‧架
124、224、505‧‧‧指示器
125、225、242、612‧‧‧真空系統
126、226、245‧‧‧機械構件
127、1271-4、227、360、509‧‧‧支撐腳
127a‧‧‧鋼管主體
127b‧‧‧足部
128、128a、228、244、262、303、305、351、372、373、392、510、511、513、515、519、520、554、603、604、608、614、655‧‧‧開口
160‧‧‧中央結構
161、162、309、533‧‧‧凹口
210、230‧‧‧傳輸室組件
231‧‧‧通過室
260‧‧‧支架
263‧‧‧接孔
302‧‧‧室蓋
304‧‧‧機械埠
306、377‧‧‧密封管
307、352、361、374、393‧‧‧螺栓
308‧‧‧把手
310、311‧‧‧虛線
313、527‧‧‧頂壁
315、355、528、606‧‧‧底壁
317、356、378、394‧‧‧密封環
318、319‧‧‧螺孔
320‧‧‧加熱器埠
321‧‧‧計錶埠
323‧‧‧排氣孔
324、325‧‧‧圓圈
326、327、328‧‧‧空隙
370、407‧‧‧腔室埠組件
375‧‧‧光接收器
376‧‧‧光源
380、409‧‧‧狹縫閥組件
381‧‧‧啟動構件
382、525、526、610‧‧‧門
404、405‧‧‧臂
500、600‧‧‧延伸室組件
502、602‧‧‧頂板
504‧‧‧架蓋
508‧‧‧幫浦
516、517、611‧‧‧視窗
521、585、618‧‧‧支柱
522、522a、522b、619‧‧‧指狀物件
557‧‧‧孔洞
580‧‧‧底盤
581‧‧‧架橋
613‧‧‧感測器
為讓本發明之上述特徵更明顯易懂，可配合參考實施例說明，其部分乃繪示如附圖式。須注意的是，雖然所附圖式揭露本發明特定實施例，但其並非用以限定本發明之精神與範圍，任何熟習此技藝者，當可作各種之更動與潤飾而得等效實施例。
第1A圖為先前技術之PVD處理室的截面側視圖。
第1B圖為先前技術之PVD處理室的上視圖。
第2圖為根據本發明一實施例之群集式工具的平面圖。
第3A圖為根據本發明一實施例之群集式工具的截面側視圖，其具有真空延伸室，其包括用來儲放遮盤的可移動之架。
第3B圖為根據本發明一實施例之群集式工具的截面側視圖，具有真空延伸室，其包括用來儲放遮盤的固定架。
第3C圖為第3A圖群集式工具之一支撐腳實施例的局部底部立體示意圖。
第3D圖為第3A圖群集式工具之另一支撐腳實施例的局部底部立體示意圖。
第4A圖為根據本發明一實施例之傳輸室的底部立體示意圖。
第4B圖為第4A圖傳輸室的上視圖。
第4C圖為第4A圖傳輸室的截面側視圖。
第4D圖為第4A圖傳輸室的底部示意圖。
第4E圖為第4A圖傳輸室的立面圖，其具有旋轉模式的中央機械手。
第4F圖為第4A圖傳輸室的立面圖，其連接本發明之真空延伸室。
第5A圖為根據本發明一實施例之群集式工具的平面圖，其具有傳輸室。
第5B圖為第5A圖群集式工具的平面圖，其中傳輸室內的中央機械手處於旋轉模式。
第5C圖為第5A圖群集式工具的平面圖，其中傳輸室內的中央機械手接近連接傳輸室的延伸室。
第5D圖為第5A圖群集式工具的平面圖，其中傳輸室內的中央機械手進入連接傳輸室的負載鎖定室。
第5E圖為第5A圖群集式工具的平面圖，其中傳輸 室內的中央機械手接近連接傳輸室的處理室。
第6A圖為根據本發明一實施例之真空延伸室的分解示意圖，真空延伸室具有可移動的架。
第6B圖為第6A圖真空延伸室的截面側視圖。
第6C圖為第6A圖真空延伸室的截面側視圖，其可移動的架位於下方位置。
第7A圖為第6A圖之可移動的架的立體視圖。
第7B圖繪示根據本發明一實施例的支撐指狀物件。
第7C圖繪示根據本發明另一實施例的支撐指狀物件。
第8A圖為根據本發明一實施例之真空延伸室的立面圖，其具有固定架。
第8B圖為設有第8A圖真空延伸室之主框架的截面側視圖。
第8C圖為第8B圖主框架的截面側視圖，其中機械手接取真空延伸室的遮盤。
第9圖為根據本發明一實施例之群集式工具的平面圖。
第10圖為第9圖群集式工具的截面側視圖。
第11A圖為第9圖群集式工具的立體視圖，設有傳輸支架。
第11B圖繪示根據本發明一實施例的傳輸支架。
為便於了解，圖式中相同的元件符號表示相仿的元件。某一實施例採用的元件當不需特別詳述而可應用到其他 實施例。
本發明大體上提出利用多室處理系統處理基板的設備和方法。本發明之實施例包括主框架，主框架包含主控基板傳輸機械手的傳輸室和提供主框架低壓環境的延伸室。根據本發明實施例之延伸室還包含架，用以儲放及支撐待用於連接主框架之處理室的遮盤。
第2圖為根據本發明一實施例之群集式工具100的平面圖。群集式工具100包含耦接單一主框架的多個處理室。
群集式工具100包含前端環境102(亦稱為工作介面或FI)，其選擇性連接負載鎖定室104。一或多個盒件101耦接前端環境102。一或多個盒件(pod)101用來儲放及傳輸基板。工作介面機械手103設在前端環境102。工作介面機械手103用來傳輸基板於盒件101與負載鎖定室104間。
負載鎖定室104做為前端環境102與主框架110間的真空介面。主框架110的內部區域一般維持呈真空狀態而構成中間區域，供基板從一處理室移到另一處理室及/或負載鎖定室。
在一實施例中，主框架110分成兩部分以縮減群集式工具100的佔地面積。在本發明之一實施例中，主框架110包含傳輸室108和真空延伸室107。傳輸室108和真空延伸室107互相耦接連通，且在主框架110內構成內容積。處理時，主框架110的內容積一般維持呈低壓或真空狀態。負載鎖定室104分別透過狹縫閥(slit valve)105、106連接至前端環 境102和真空延伸室107。
傳輸室108用來容納中央機械手109且做為複數個處理室及/或通過室(pass through chamber)的介面，以連接額外的主框架及擴張群集式工具100。在一實施例中，傳輸室108為具複數個側壁、一底面與一蓋子的多邊形結構。複數個側壁內設穿孔，並且連接處理室、真空延伸室及/或通過室。第2圖傳輸室108的水平輪廓為方形，其並耦接處理室111、112、113和真空延伸室107。在一實施例中，傳輸室108分別透過狹縫閥116、117、118選擇性連接處理室111、112、113。在一實施例中，中央機械手109固定在傳輸室108底部的機械埠上。
中央機械手109設在傳輸室108的內容積，且以實質水平定向來回移動基板114於處理室111、112、113之間及經由真空延伸室107進出負載鎖定室104。適合的機械手更詳述於：美國專利證書號5,469,035、名稱「二軸磁耦合機械手(Two-axis magnetically coupled robot)」、西元1994年8月30日申請之申請案；美國專利證書號5,447,409、名稱「機械手組件(Robot assembly)」、西元1994年4月11日申請之申請案；和美國專利證書號6,379,095、名稱「用於搬運半導體基板的機械手(Robot for handling semiconductor substrates)」、西元2000年4月14日申請之申請案，其一併引用於此供作參考。在一實施例中，中央機械手109包含用來托住基板的二葉片，葉片各裝設在獨立控制且耦接同一機械手基底的機械臂上。在另一實施例中，中央機械手109用 來控制葉片的垂直高度。
真空延伸室107做為真空系統與傳輸室108的介面。在一實施例中，真空延伸室107包含一底面、一蓋子與多個側壁。調壓埠115設於真空延伸室107的底面，用以轉接真空幫浦系統，例如低溫幫浦，其可用來維持傳輸室108的高真空度。若只需較小的真空幫浦，則可省略設置調壓埠115。較小的真空幫浦可經由傳輸室108底面的較小埠口耦接傳輸室108。
應注意真空延伸室107只需夠寬讓基板通過，故真空延伸室107遠比傳輸室108小/窄。
開口可設於側壁，使真空延伸室107連通傳輸室108，進而選擇性連接與之相連的腔室，例如負載鎖定室、通過室及/或處理室。
在一實施例中，群集式工具100利用物理氣相沉積(PVD)製程來沉積膜層至半導體基板上。
PVD製程通常是在密封室進行，密封室具有支撐基板於其上的臺座。臺座一般包括基板支撐件，其設有電極，以於處理時靜電托住基板使之抵著基板支撐件。靶材通常含有待沉積至基板之材料，並支托在基板上方且一般固定於腔室頂端。諸如氬氣之氣體組成的電漿形成在基板與靶材之間。靶材經偏壓而加速電漿中的離子移往靶材。衝擊靶材的離子將逐出靶材材料。逐出材料被吸引至基板而沉積材料層於基板上。
諸如老化製程、黏貼及/或清潔操作等調理操作乃定 期施行以確保PVD室的處理性能。調理操作期間，仿製基板或遮盤係設置在臺座上，以防基板支撐件遭任一沉積物或微粒污染。習知PVD室一般包括一整個遮盤儲存空間，以於PVD處理時儲放遮盤，及包括機械臂，以將遮盤傳輸到遮盤儲存空間與基板支撐件間進行調理操作。沉積時，遮盤留在PVD室的遮盤儲存空間內，並於調理操作時覆蓋基板支撐件。遮盤儲存空間和用來傳輸遮盤的機械臂將增加PVD室的複雜度和體積。
在本發明之一實施例中，真空延伸室107包含用來儲放一或多個遮盤的遮盤架，其更描述於第3A-B圖。連接傳輸室108的PVD室將其遮盤放在遮盤架，並利用中央機械手109傳輸遮盤。亦當理解PVD室可共用一或多個遮盤。在一實施例中，遮盤架用來儲放一遮盤，以供連接傳輸室108的各處理室使用。
置於真空延伸室的遮盤架還可用來儲放、佇列、及/或容納其他用於系統的圓盤。此外，遮盤架可用來儲放及協助快速接取任一基板類型之元件，例如可重複用於系統的300毫米(mm)圓盤。本發明之真空延伸室在處理期間還提供空間做為檢查站或冷卻/加熱站。
在一實施例中，遮盤架可做為充電站以供視覺(vision)校準基板使用。視覺校準基板為可重複使用的元件，其上設有一或多個無線攝影機。視覺校準基板可用來測量、檢查及校準中央機械手可進入的群集式工具內容積，包括傳輸室、延伸室、負載鎖定室、通過室和處理室。視覺校 準基板亦可用來校準中央機械手。視覺校準基板的細節可參見美國專利證書號7,085,622、名稱為「視覺系統(Vision system)」之申請案，其在此併入以供作參考。
視覺校準基板包含一或多個無線攝影機，其具可充電電源使攝影機得以在群集式工具內容積中無線運作。目前，無線攝影機的電源是在群集式工具外面充電及再充電。已充電之視覺校準基板一般從前端環境送入群集式工具，同時停止進行處理。完成任務或耗盡電源後，取出群集式工具的視覺校準基板。在本發明之一實施例中，電氣觸點設於遮盤架的一或多個狹縫，以對視覺校準基板進行充電。一或多個視覺校準基板放在遮盤架，且備好隨時可用。使用視覺校準基板進行測量較不會中斷群集式工具的處理製程。
將遮盤放置在群集式工具之主框架內而消除配置處理室中特定用於遮盤的區域和用來傳輸及/或監測遮盤的元件，可簡化需使用遮盤的處理室及降低處理室成本。將遮盤放置在群集式工具之主框架內尚可改善氣流和電性，進而加強處理。另外，因處理室較小，群集式工具的整體體積亦縮小，故所有成本費用較低。
在一實施例中，群集式工具100包含預清潔室、PVD室和除氣室，其連接位於處理室111、112、113的傳輸室108。
第3A圖為第2圖群集式工具100的截面側視圖。真空延伸室107包含可移動的遮盤架122，該架122可用以支撐至少一遮盤123。
在本發明之一實施例中，負載鎖定室104包含堆疊 在下負載鎖定室104b上面的上負載鎖定室104a。上負載鎖定室104a和下負載鎖定室104b可個別獨立操作，如此可同時雙向傳輸基板於前端環境102與主框架110間。
負載鎖定室104a、104b分別透過狹縫閥105a、106a、105b、106b做為前端環境102與主框架110間的第一真空介面。在一實施例中，二負載鎖定室104a、104b藉由輪流連通主框架110和前端環境102而增加產量。當一負載鎖定室104a或104b連通主框架110時，另一負載鎖定室104a或104b可連通前端環境102。
在一實施例中，負載鎖定室104a或104b可當作處理室，例如除氣室、檢查站、預熱室、冷卻室或固化室。例如，可使用固定性的阻擋件代替狹縫閥105b，使得下負載鎖定室104b只能打開主框架110。在除氣前後，中央機械手109可利用狹縫閥106b來回移動基板進出下負載鎖定室104b。
參照第3A圖，主框架110的內容積由真空延伸室107的內容積119界定，內容積119則連接傳輸室108的內容積120。開口128設於傳輸室108與真空延伸室107之間。開口128連通真空延伸室107和傳輸室108，且大小足以讓中央機械手109來回移動基板進出負載鎖定室104。
真空系統125耦接真空延伸室107，並提供內容積119與內容積120兩者低壓環境。機械構件126耦接傳輸室108。傳輸室108和真空延伸室107經建構以減小群集式工具100的佔地面積。
對群集式工具來說，當真空系統(如低溫幫浦)需保 持傳輸室的真空度(通常為高真空度)時，傳輸室通常設有大真空埠。是以傳輸室兼具適用機械傳輸構件的機械埠和用於真空系統的真空埠。機械埠一般設在傳輸室中心附近，真空埠則設在輔助機械埠的衛星位置，而留下足夠的空間給機械傳輸構件和真空幫浦。如此，傳輸室具有大佔地面積和大內容積。由於處理室、負載鎖定室及/或通過室配置在傳輸室周圍，因此傳輸室的大佔地面積將大幅增加群集式工具的總體佔地面積。
本發明之實施例提出將真空系統連接至傳輸室以獲得高真空度，且不會大幅增加傳輸室和群集式工具的佔地面積。藉由使分開的延伸室”外包(outsourcing)”調壓埠，可使傳輸室的尺寸最小化而成為可恰置入中央機械手的空間大小。延伸室尺寸依所需的真空系統尺寸而定。僅具機械埠之傳輸室和其具機械埠之延伸室的佔地面積總和遠比習知具真空埠與機械埠的傳輸室小。當延伸室設在傳輸室周圍的負載鎖定室內時，由於群集式工具配置在縮小的傳輸室周圍，故群集式工具的佔地面積縮減更為顯著。
應注意延伸室尺寸通常遠小於傳輸室尺寸，此乃因延伸室的大小只需讓基板通過即可，但傳輸室一般需容納中央機械手。
此外，相較於習知傳輸室，本發明之傳輸室和延伸室的內容積較小。如此可快速進行泵抽且只需利用較少的能量及使用較小、較便宜的幫浦來維持真空度。
在一實施例中，指示器124耦接至可移動的遮盤架 122，並用以垂直移動遮盤架122。當中央機械手109經由內容積119下部傳輸基板進出負載鎖定室104時，可移動的遮盤架122可設置在真空延伸室107的內容積119上部。指示器124可使遮盤架122降低移動至內容積119下部，讓中央機械手109拾起可移動的遮盤架122上的遮盤或放下遮盤到可移動的架122上。
第3B圖為根據本發明一實施例之群集式工具100a的截面側視圖，其具有主框架110a。主框架110a包含真空延伸室133，其設有用來儲放一或多個遮盤的固定架135。
負載鎖定室130做為前端環境102與主框架110a間的第一真空介面。在一實施例中，負載鎖定室130包含堆疊在負載鎖定室130內的上基板支撐件131和下基板支撐件132。上基板支撐件131和下基板支撐件132用來支撐基板。在一實施例中，上基板支撐件131和下基板支撐件132分別用來支撐進入與移出的基板。上基板支撐件131和下基板支撐件132包含如內建的加熱器或冷卻器之控溫特徵結構，以於傳輸時加熱或冷卻基板。
主框架110a的內容積由真空延伸室133的內容積134界定，內容積134則連接傳輸室108的內容積120。開口128a設置於傳輸室108與真空延伸室133之間。開口128a連通真空延伸室133和傳輸室108，且大小足以讓中央機械手109來回移動基板進出負載鎖定室130及接取真空延伸室133的固定架135。
在一實施例中，當中央機械手109經由內容積134 上部傳輸基板進出負載鎖定室130時，固定架135可設在真空延伸室133的內容積134下部。
在一實施例中，固定架135包含自內容積134對側之支柱延伸的支撐指狀物件。
應注意機械手109可懸掛在傳輸室108的頂壁。本發明之實施例可包括能垂直移動或z方向移動的機械手。
回溯第3A圖，支撐腳127支撐群集式工具100的主框架110。支撐腳127縱向及側向支撐主框架110以及與主框架110相連的腔室。每一支撐腳127支撐主框架110至少一部分的重量，包括傳輸室108、真空延伸室107及視情況包括與之相連的處理室。可垂直調整各支撐腳127，以調整主框架110和其相連腔室的水平。支撐腳127耦接主框架110及/或連接主框架110之腔室的側壁，藉以側向支撐群集式工具100。
在一實施例中，每一支撐腳127包含連接鋼管主體127a的足部127b。鋼管主體127a耦接主框架110。足部127b用來接觸地面且可相應鋼管主體127a加以調整。藉由改變足部127b可調整支撐腳127的垂直尺寸，進而提供支撐群集式工具100的容限。
在一實施例中，如第2圖及第3C-3D圖所示，主框架110由四個個別裝設在主框架110對側的支撐腳127所支撐。二支撐腳127個別固定於傳輸室108的側壁，二支撐腳127則個別固定於真空延伸室107的側壁。在另一實施例中，二支撐腳127設置靠近真空延伸室107與負載鎖定室104的 接合區域。在一實施例中，主框架110之側壁設有凹口，用以嚙合支撐腳127。
螺栓可用來固定各支撐腳127至主框架110的對應位置。第4E圖繪示之螺孔318、319設於腔室主體301，用以將支撐腳固定於凹口309。
第3C圖為第3A圖群集式工具100之一支撐腳實施例的局部底部立體示意圖。如第3C圖所示，群集式工具100由四個獨立的支撐腳1271-4支撐。支撐腳1271-4各自獨立裝設在群集式工具100上。第3C圖繪示一中央結構160，包括傳輸室108與真空延伸室107、和一起耦接的負載鎖定室104。其他諸如處理室、通過室和前端介面等部件可自中央結構160延伸。支撐腳1271-4耦接中央結構160而一同支撐群集式工具100。一對凹口161設在負載鎖定室104與真空延伸室107之接合區域附近的底壁。凹口161用來側向支撐內設的支撐腳127。一對凹口162設於傳輸室108，並且接合支撐腳1273-4。凹口162亦側向支撐內設的支撐腳127。凹口161、162可設置而使支撐腳1271-4可均衡支撐群集式工具100，包括中央結構160及/或連接中央結構160的腔室。
第3D圖為第3A圖群集式工具100之另一支撐腳實施例的局部底部立體示意圖。在此實施例中，支撐腳1271-4裝設在負載鎖定室104或真空延伸室107的側壁上。
相對於一般包括做為隆起支撐件之整體基底的傳統群集式工具支撐件，獨立的支撐腳設計具有數個優點。傳統基底一般為一整塊，且用來支撐群集式工具的多個部件。傳 統基底要達到半導體製程要求的高精確度所費不貲。另外，傳統基底連接至群集式工具的多個部件，因此也很難組裝。傳統基底通常會引起群集式工具之其他部件的清除問題，以致日常使用或移開基底之腔室部件時無法連續利用。
相較於傳統基底，本發明之獨立的支撐腳大大地降低成本。因支撐腳可個別製造，故可降低高精確度結構的製造成本。各支撐腳通常耦接至一部件，如此更易調整水平或進行其他調整。支撐腳不限定用於特定的群集式工具構造。當改變一或多個部件(如負載鎖定室)時，不需更換支撐腳。再者，本發明之支撐腳更易運送。
第4A圖為根據本發明一實施例之傳輸室300的分解側視圖。傳輸室300可做為第2圖及第3A-B圖的傳輸室108。傳輸室300包含具一頂壁313、複數個側壁314和一底壁315的腔室主體301。腔室主體301定義內容積312(第4C圖)，以容納基板傳輸裝置，例如機械手。在一實施例中，中央機械手設在傳輸室300底壁315上的機械埠304。
傳輸室300更包含室蓋302，用以密封腔室主體301頂壁313上的開口303。開口303有助於安裝及/或維修基板傳輸裝置。在一實施例中，室蓋302利用密封環317和複數個螺栓307耦接至腔室主體301。室蓋302可設置一組把手308。
在一實施例中，腔室主體301具有矩形剖面且包含四個側壁314。每一側壁314設有開口305。開口305選擇性連接內容積312和耦接傳輸室300的處理室、負載鎖定室及/ 或真空延伸室。密封管306設在開口305周圍，其容納密封環(未繪示)，以於內容積312周圍維持壓力阻障界線。
第4A圖繪示根據本發明一實施例之處理室390，其利用腔室埠組件370設於傳輸室300。腔室埠組件370做為傳輸室300與處理室390的介面。在一實施例中，腔室埠組件370遮蓋狹縫閥組件380，以打開及關閉貫穿處理室390側壁391的基板開口392。基板開口392提供通道讓基板進出處理室390。此外，腔室埠組件370容許傳輸室300之開口305與處理室390之基板開口392不相配(mismatch)。
腔室埠組件370包含主體371，具有朝主體371一側敞開的傳輸室開口372。傳輸室開口372係配置以覆蓋住傳輸室300之開口305。傳輸室開口372連接主體371另一側的腔室開口373，以定義基板經過腔室埠組件370的通道。腔室開口373對準處理室390之基板開口392。密封管377設在基板開口392外側，用以容納密封環(未繪示)而防止腔室埠組件370和處理室390洩漏。
狹縫閥組件380一般包含狹縫閥門382，其由啟動構件381啟動，以將狹縫閥門382移到打開位置和關閉位置。狹縫閥組件380的狹縫閥門382位於腔室開口373內側，並選擇性連接及脫離傳輸室開口372和腔室開口373，且選擇性連接傳輸室300和處理室390。
在一實施例中，複數個螺栓374用來固定腔室埠組件370與傳輸室300。在一實施例中，密封環378置於環繞傳輸室300與腔室埠組件370間之開口305的密封管306，以流 體地隔開腔室埠組件370的內部區域與傳輸室300的外界環境。複數個螺栓373和密封環394用來裝設處理室390與腔室埠組件370。
另外，傳輸室開口372提供額外空間，當葉片沿水平面轉動時，其容納傳輸室300內的機械手尖端(此將進一步描述於第4B圖)。腔室埠組件370的額外空間更能減小傳輸室300尺寸，進而縮減系統佔地面積。在一實施例中，腔室埠組件370包含一或多個感測器，用以偵測傳輸室開口372內的基板及/或機械零件。第4A圖繪示光源376和光接收器375，其當作感測器來偵測基板及/或機械零件。
應注意負載鎖定室可直接或透過類似腔室埠組件370之腔室埠組件耦接至傳輸室300的側壁314。
在一實施例中，二凹口309設在底壁315的轉角附近。凹口309用來容納支撐腳360。支撐腳360承受傳輸室300和其架設元件至少一部分的重量。支撐腳360可由螺栓361固定於傳輸室300。凹口309提供二平面來側向托住支撐腳360。
第4B圖為第4A圖傳輸室300的平面圖。第4C圖為第4A圖傳輸室300的截面側視圖。參照第4C圖，腔室主體301可由鑄鋁構成，並界定內容積312以供內設的中央機械手移動。在一實施例中，內容積312的大小可最小化成為恰符合置入機械手的移動空間。
第4E圖為第4A圖傳輸室300的立面圖，其具有旋轉模式的中央機械手316。中央機械手316包含個別獨立傳輸 基板331的上葉片329和下葉片330。中央機械手316可繞著z軸旋轉、沿著z軸移動及平行x-y平面轉移。傳輸室300也可採用其他合適的機械手。中央機械手316亦可對應其他結構變化而懸掛在傳輸室300的頂壁313。
處理時，中央機械手316伸出上葉片329或下葉片330通過傳輸室300側壁314上的開口305，以取回連接傳輸室300之處理室/負載鎖定室內的基板、或連接傳輸室300之真空延伸室內儲放的遮盤。中央機械手316可垂直移動(即沿著z軸)，使上葉片329或下葉片330對準目標基板或遮盤。一旦拾起基板/遮盤，中央機械手316縮回上葉片329或下葉片330到傳輸室300的內容積312，並在內容積312內轉動上葉片329或下葉片330，使上葉片329或下葉片330對準開口305，藉以連接目標基板/遮盤的腔室。中央機械手316接著延伸上葉片329或下葉片330進入目標腔室及放下基板/遮盤。
係期望將傳輸室300的內容積312減至最小以縮減系統佔地面積及減小控制環境體積。在一實施例中，傳輸室300的內容積312定義與第4B及4C圖之圓圈324、325界定的移動封套相配，以供中央機械手316執行所需功能。圓柱形移動封套包括大中央部(圓圈325之半徑範圍)和較小的上部與下部(圓圈324之半徑範圍)。內容積312和腔室埠組件370之額外空間與連接傳輸室300之真空延伸室350的大中間部(虛線311標示半徑範圍)部分涵蓋移動封套的大中央部。
在一實施例中，移動封套包括中央機械手316轉動及垂直移動所需的空間。移動封套實質上為圓柱形，且具擴 大中間部(以圓圈325標示)供葉片329、330尖端在內部旋轉。故內容積312實質上為圓柱形，其半徑範圍以虛線310標示且具擴大中間部(半徑範圍以虛線311標示)。為進一步縮小傳輸室300尺寸，一部分的擴大中間部(以圓圈325標示)可置於傳輸室300外面，並且延伸到真空延伸室及/或連接傳輸室300的腔室埠組件370，例如腔室埠組件370的傳輸室開口372。
在一實施例中，如第4C圖所示，內容積312與移動封套之間的徑向空隙327為約0.25英吋，垂直空隙326、328為約0.338英吋。
在一實施例中，軟體限制(software constraint)可用於控制系統，以令中央機械手316留在移動封套內。
第4D圖為第4A圖傳輸室300的底部示意圖。一或多個加熱器埠320設於底壁315來連接卡式加熱器，以於處理時加熱腔室主體301。計錶埠321可設於底壁315。計錶埠321用來轉接感測器，例如壓力感測器。非必要之調壓埠322和排氣孔323亦可設於底壁315而連接合適的幫浦裝置。計錶埠321、調壓埠322和排氣孔323不使用時，可加以密閉。
第4F圖繪示真空延伸室350之一實施例，其耦接傳輸室300的側壁314。在一實施例中，真空延伸室350提供傳輸室300額外的空間來連接真空系統，以於處理時維持傳輸室300之內容積312的真空狀態，同時減小傳輸室300的體積和主框架的整體內容積。真空延伸室350還供傳輸室300內的機械手經由負載鎖定室進入工作介面、或經由通過室進入另一傳輸室。
用來轉接真空幫浦(低溫幫浦)的調壓埠354設置於真空延伸室350的底壁355。連接傳輸室300的開口351設於真空延伸室350的側壁353。當真空延伸室350裝設在傳輸室300時，真空延伸室350的側壁353例如由複數個螺栓352固定至傳輸室300的側壁314。開口351對準開口305，以協助傳輸室300與真空延伸室350之間的流體連通及/或基板通行。在一實施例中，密封環356置於環繞開口305的密封管306，以流體地隔開真空延伸室350的內部區域與傳輸室300的外界環境。
第5A圖為根據本發明一實施例之群集式工具400的平面圖，其具有傳輸室。群集式工具400包含傳輸室401，其類似第4A圖傳輸室300。傳輸室401連接真空延伸室408，其更利用狹縫閥組件409連接至負載鎖定室410。三處理室406透過腔室埠組件407(其類似第4A圖腔室埠組件370)連接傳輸室401。傳輸室401定義內容積402，且於處理時，由耦接真空延伸室408的幫浦系統維持其真空狀態。真空延伸室408可用來儲放待用於處理室406的一或多個遮盤。
中央機械手403設在傳輸室401的內容積402。中央機械手403用來傳輸基板及/或遮盤於處理室406、真空延伸室408與負載鎖定室410之間。中央機械手403包含上臂405和下臂404，其各具葉片來運載基板或遮盤411。如第5A圖所示，上臂405和下臂404均位於傳輸室401。
第5B圖為第5A圖群集式工具400的平面圖，其中傳輸室401內的中央機械手403從第5A圖顯示的中央機械手 403位置旋轉一角度。中央機械手403可在內容積402內一起或個別轉動二臂404、405。
第5C圖為第5A圖群集式工具400的平面圖，其中中央機械手403的下臂404接近連接傳輸室401的真空延伸室408。
第5D圖為第5A圖群集式工具400的平面圖，其中中央機械手403的下臂404經過真空延伸室408進入連接傳輸室401的負載鎖定室410。
第5E圖為第5A圖群集式工具400的平面圖，其中中央機械手403的上臂405接近連接傳輸室401的處理室406。
第6A圖為根據本發明一實施例之真空延伸室組件500的分解示意圖。真空延伸室組件500連接如第4A圖傳輸室300之傳輸室，並做為傳輸室與負載鎖定室的介面，且連通傳輸室和真空系統。
真空延伸室組件500包含界定內容積512(第6B圖)的主體501、置於主體501頂壁527的頂板502、和設於頂板502的架蓋504。
調壓埠514設在主體501的底壁528上。調壓埠514連接真空幫浦508，以提供內容積512以及與內容積512為流體相通之體積一個低壓環境。在一實施例中，開口513設於主體501的頂壁527。安裝及/或維修真空幫浦508時，可從開口513進入內容積512。
如第6A圖所示，頂板502覆蓋頂壁527上的開口 513。頂板502設有狹縫閥開口519和架開口520。狹縫閥開口519用來安裝狹縫閥506。架開口520則使可移動的架503放在內容積512內的預定高度。
在一實施例中，腔室開口510設於側壁529上以耦接傳輸室，例如第4A圖之傳輸室300。腔室開口510連通傳輸室，並提供通道讓傳輸室內之機械手的機械葉片傳輸基板及/或遮盤。故腔室開口510的寬度通常略大於群集式工具所處理的最大基板直徑。腔室開口510的高度視機械葉片的移動範圍而定。
在一實施例中，負載鎖定室開口511設在側壁529對面的側壁530上。負載鎖定室開口511選擇性連接內容積512和一或多個耦接側壁529的負載鎖定室。在一實施例中，一或多個狹縫閥選擇性密封負載鎖定室開口511。如第6A圖所示，狹縫閥開口515設於底壁528上，使狹縫閥507得以置入內容積512，並且選擇性密封負載鎖定室開口511。在一實施例中，二狹縫閥506、507分別利用負載鎖定室開口511選擇性連通內容積512和二負載鎖定室。
在一實施例中，架蓋504置於頂板502上方而密封架開口520。架蓋504提供連接內容積512的空間來儲放可移動的架503。可移動的架503係用來支撐一或多個遮盤。遮盤可用於連接傳輸室的處理室，傳輸室則連接真空延伸室組件500。在一實施例中，可移動的架503包含二相對支柱521，其各具一或多個由此延伸的支撐指狀物件522。支撐指狀物件522支撐遮盤邊緣。
在一實施例中，可移動的架503連接指示器505。指示器505置於架蓋504上方。軸桿532從指示器505延伸穿過架蓋504的孔洞557而連接可移動的架503。軸桿532經垂直移動以垂直移動該可移動的架503，進而調整可移動的架503之高度。
在一實施例中，凹口533設在底壁528，以容納獨立的支撐腳509。在一實施例中，視窗516、517設於主體501的側壁531、534，用以觀察真空延伸室組件500的內部空間。諸如石英等透明材料可用來密封視窗516、517。
第6B圖為第6A圖真空延伸室組件500的截面側視圖。局部繪示之傳輸室551連接真空延伸室組件500。傳輸室551經由真空延伸室組件500的腔室開口510和傳輸室551的開口554而與真空延伸室組件500的內容積512為流體連通。負載鎖定室555、556連接傳輸室551對側的真空延伸室組件500。負載鎖定室555、556分別利用狹縫閥門525、526連接內容積512。傳輸室551內的機械葉片552、553經由真空延伸室組件500的內容積512進入負載鎖定室555、556。
如第6B圖所示，可移動的架503縮回到內容積512的上部，以清空通道讓機械葉片552、553延伸經過可移動的架503而達負載鎖定室555、556。
第6C圖為真空延伸室組件500的截面側視圖，其中可移動的架503係位於下方位置。可移動的架503由位於內容積512下部的指示器505定位，如此機械葉片552、553可拾起及放下遮盤523至支撐指狀物件522。藉由垂直移動該可 移動的架503或機械葉片552、553至少其一，可完成機械葉片552、553和可移動的架503之傳遞動作。
主體501、頂板502、架蓋504和可移動的架503可由適當材料製作。在一實施例中，主體501、頂板502、架蓋504和可移動的架503由鑄鋁構成。
應注意指示器505可設在真空延伸室組件500下部，真空幫浦508則裝設於上部。
第7A圖為根據本發明一實施例之可移動的架503之立體視圖。可移動的架503包含底盤580和自底盤580延伸的二支柱521。二支柱521可設在底盤580對側。一或多個支撐指狀物件522自支柱521延伸。從相對支柱521延伸的各組支撐指狀物件522用來支撐遮盤邊緣附近。在一實施例中，相鄰支撐指狀物件522的垂直間距可加以調整，使機械葉片拾起或放下遮盤至各組支撐指狀物件522。架橋581設在支柱521之間。架橋581耦接指示器以轉移可移動的架503。
第7B圖繪示根據本發明一實施例的支撐指狀物件522a。支撐指狀物件522a直接支撐遮盤邊緣附近。
第7C圖繪示根據本發明一實施例的支撐指狀物件522b。支撐指狀物件522b的上表面設有二接觸支柱585。接觸支柱585用來接觸遮盤及提供尖端支撐，如此可減少微粒污染。在一實施例中，接觸支柱585(包括基板支撐滾軸)可由非金屬材料構成，例如氮化矽(SiN)。
第8A圖為根據本發明一實施例之真空延伸室組件600的立面圖，其具有固定架。真空延伸室組件600連接如第 4A圖傳輸室300之傳輸室，並做為傳輸室與負載鎖定室的介面，且連通傳輸室和真空系統。
真空延伸室組件600包含界定內容積617(第8B圖)的主體601和頂板602。調壓埠607設在主體601的底壁606。調壓埠607連接真空系統612，以提供內容積617以及與內容積617為流體連通之體積一個低壓環境。在一實施例中，感測器613設在主體601外面的真空系統612，用以監測真空系統612的狀態。在一實施例中，開口614設於主體601的頂壁。安裝及/或維修真空系統612時，可從開口614進入內容積617。頂板602用來密封開口614。
在一實施例中，腔室開口603設於真空延伸室組件600之側壁615上以耦接傳輸室，例如第4A圖之傳輸室300。腔室開口603係設置以提供與傳輸室之流體連通，並提供通道讓機械手(一般設在傳輸室內)的機械葉片傳輸基板及/或遮盤。故腔室開口603的寬度通常略大於群集式工具所處理的最大基板直徑。腔室開口603的高度視機械手在架與機械葉片間交換基板及/或遮盤的操作範圍而定。
在一實施例中，負載鎖定室開口604設在側壁615對面的側壁605上。負載鎖定室開口604選擇性連接內容積617和一或多個耦接側壁605的負載鎖定室。狹縫閥開口608貫穿底壁606，以將狹縫閥609置入內容積617。狹縫閥609選擇性密封負載鎖定室開口604。
在一實施例中，遮盤架616設在真空延伸室組件600的內容積617內。遮盤架616用來支撐一或多個遮盤。遮盤 可用於透過傳輸室連接真空延伸室組件600的處理室。遮盤架616位於部分的內容積617中，如此腔室開口603與負載鎖定室開口604間的通道能保持清空讓機械手進入真空延伸室組件600。在一實施例中，如第8B圖所示，遮盤架616設於內容積617下部，而負載鎖定室開口604對應設在內容積617上部。腔室開口603的高度足以供機械葉片垂直移動而進入腔室開口603和遮盤架616。
在一實施例中，遮盤架616包含二相對支柱618，其各具一或多個由此延伸的支撐指狀物件619。支撐指狀物件619支撐遮盤邊緣附近。本實施例之支撐指狀物件619類似第7B-C圖。在一實施例中，指狀物件619包括滾軸接觸件，用以支撐遮盤。
在一實施例中，視窗611設置穿過主體601的側壁620，用以觀察真空延伸室組件600的內部空間。諸如石英等透明材料可用來密封視窗611。
主體601、頂板602和遮盤架616可以適當材料製作。在一實施例中，主體601、頂板602和遮盤架616由鑄鋁構成。
第8B圖為設有第8A圖真空延伸室組件600之主框架的截面側視圖。傳輸室650連接真空延伸室組件600。傳輸室650的內容積654係經由真空延伸室組件600的腔室開口603和傳輸室650的開口655而與真空延伸室組件600的內容積617為流體連通。負載鎖定室660連接傳輸室650對側的真空延伸室組件600。負載鎖定室660包含基板支撐件661， 用以支撐一或多個基板。負載鎖定室660利用狹縫閥門610而選擇性連接內容積617。中央機械手651設於傳輸室650的內容積654內。中央機械手651包含二機械葉片652、653。中央機械手651經配置操作，使機械葉片652、653經由真空延伸室組件600的內容積617上部進入負載鎖定室660及接取位於真空延伸室組件600之內容積617下部的遮盤架616。
如第8B圖所示，機械葉片652、653係經致動而越過架616，並往負載鎖定室660移動而拾起基板622。狹縫閥門610移到打開位置，讓機械葉片652、653進入負載鎖定室660。
第8C圖為第8B圖主框架的截面側視圖，其中，中央機械手651將機械葉片652、653定位成下方位置，以接取真空延伸室組件600之遮盤架616上的遮盤621。
第9圖為根據本發明一實施例之群集式工具200的平面圖。第10圖為第9圖群集式工具200的截面側視圖。群集式工具200包含多個處理室，其耦接含有二傳輸室的主框架。
群集式工具200包含前端環境202，其選擇性連接負載鎖定室204。一或多個盒件201耦接前端環境202。一或多個盒件201用來儲放基板。工作介面機械手203設在前端環境202。工作介面機械手203用來傳輸基板於盒件201與負載鎖定室204間。
負載鎖定室204做為前端環境202與第一傳輸室組件210間的真空介面。第一傳輸室組件210的內容積一般維 持呈真空狀態而構成中間區域，供基板從一腔室移到另一腔室及/或負載鎖定室。
在一實施例中，第一傳輸室組件210分成兩部分。在本發明之一實施例中，第一傳輸室組件210包含傳輸室208和真空延伸室207。傳輸室208和真空延伸室207互相耦接連通。處理時，第一傳輸室組件210的內容積一般維持呈低壓或真空狀態。負載鎖定室204分別透過狹縫閥205、206連接至前端環境202和真空延伸室207。
在一實施例中，傳輸室208為具有複數個側壁、一底面與一蓋子的多邊形結構。複數個側壁內設穿孔，並且連接處理室、真空延伸室及/或通過室。第9圖之傳輸室208呈方形或矩形，其並耦接處理室211、213、通過室231和真空延伸室207。傳輸室208分別可透過狹縫閥216、218、217選擇性連接處理室211、213和通過室231。
在一實施例中，中央機械手209設在傳輸室208底面的機械埠上。中央機械手209設在傳輸室208的內容積220，且來回移動基板214於處理室211、213、通過室231和負載鎖定室204之間。在一實施例中，中央機械手209包括用來托住基板的二葉片，葉片各裝設在獨立控制且耦接同一機械手基底的機械臂上。在另一實施例中，中央機械手209可垂直移動葉片。
真空延伸室207做為真空系統與第一傳輸室組件210的介面。在一實施例中，真空延伸室207包含一底面、一蓋子與多個側壁。調壓埠設於真空延伸室207的底面，用以 轉接真空幫浦系統。開口可設於側壁，使真空延伸室207連通傳輸室208，進而選擇性連接負載鎖定室204。
在一實施例中，群集式工具200利用物理氣相沉積(PVD)製程來沉積膜層至半導體基板上。調理操作期間，仿製基板或遮盤放在臺座上，以防基板支撐件遭沉積物污染。
在本發明之一實施例中，真空延伸室207包含用來儲放一或多個遮盤223的遮盤架222(如第10圖所示)。直接或間接連接傳輸室208的處理室將其遮盤放在遮盤架222，並利用中央機械手209傳輸遮盤。
群集式工具200更包含第二傳輸室組件230，其經由通過室231連接第一傳輸室組件210。在一實施例中，通過室231類似負載鎖定室而做為二製程環境的介面。在此例子中，通過室231做為第一傳輸室組件210與第二傳輸室組件230間的真空介面。
在一實施例中，第二傳輸室組件230分成兩部分以縮減群集式工具200的佔地面積。在本發明之一實施例中，第二傳輸室組件230包含互相耦接連通的傳輸室233和真空延伸室232。處理時，第二傳輸室組件230的內容積一般維持呈低壓或真空狀態。通過室231分別透過狹縫閥217、238連接至傳輸室208和真空延伸室232，以將傳輸室208內的壓力保持成不同的真空度。
在一實施例中，傳輸室233為具複數個側壁、一底面與一蓋子的多邊形結構。複數個側壁內設穿孔，並且連接處理室、真空延伸室及/或通過室。第9圖之傳輸室233呈方 形或矩形，其並耦接處理室235、236、237和真空延伸室232。傳輸室233分別可透過狹縫閥241、240、239選擇性連接處理室235、236、237。
中央機械手234設在傳輸室233底面的機械埠上。中央機械手234設在傳輸室233的內容積249，且來回移動基板214於處理室235、236、237和通過室231之間。在一實施例中，中央機械手234包括用來托住基板的二葉片，葉片各裝設在獨立控制且耦接同一機械手基底的機械臂上。在另一實施例中，中央機械手234可垂直移動葉片。
在一實施例中，真空延伸室232做為真空系統與第二傳輸室組件230的介面。在一實施例中，真空延伸室232包含一底面、一蓋子與多個側壁。調壓埠設於真空延伸室232的底面，用以轉接真空系統。開口可設於側壁，使真空延伸室232連通傳輸室233，進而選擇性連接通過室231。
在本發明之一實施例中，真空延伸室232包含用來儲放一或多個遮盤223的遮盤架243(如第10圖所示)。直接或間接連接傳輸室233的處理室將其遮盤放在遮盤架243，並利用中央機械手234傳輸遮盤。
在一實施例中，群集式工具200用來施行PVD製程。處理室211可為預清潔室，以於PVD處理前進行清潔製程。處理室235、236、237可為PVD室，其利用物理氣相沉積製程來沉積薄膜至基板上。處理室213可為除氣室，以於PVD室實施沉積製程後進行除氣及清潔基板。
在一實施例中，傳輸室208、233的設計類似第4A-4F 圖。傳輸室208、233的配置可減小群集式工具200的佔地面積，並個別透過獨立的真空延伸室連接真空系統。
真空延伸室207、232的設計類似第6A-6C圖及第8A-8C圖的真空延伸室組件500、600。
如第10圖所示，負載鎖定室204包含堆疊在下負載鎖定室204b上面的上負載鎖定室204a。上負載鎖定室204a和下負載鎖定室204b可個別獨立操作，如此可同時雙向傳輸基板於前端環境202與第一傳輸室組件210間。
負載鎖定室204a、204b做為前端環境202與第一傳輸室組件210間的第一真空介面。在一實施例中，二負載鎖定室204a、204b藉由輪流連通第一傳輸室組件210和前端環境202而增加產量。當一負載鎖定室204a或204b連通第一傳輸室組件210時，另一負載鎖定室204a或204b可連通前端環境202。
在一實施例中，負載鎖定室204a、204b為批式負載鎖定室，其能自工作介面接收二或多個基板、於腔室密封時留住基板、接著排放成夠低的真空度以傳輸基板至第一傳輸室組件210。
第一傳輸室組件210的內容積由真空延伸室207的內容積219界定，內容積219則連接傳輸室208的內容積220。開口228設於傳輸室208與真空延伸室207之間。開口228連通真空延伸室207和傳輸室208，且大小足以讓中央機械手209來回移動基板進出負載鎖定室204。
真空系統225耦接真空延伸室207，並提供內容積 219與內容積220一個低壓環境。機械構件226耦接傳輸室208。傳輸室208和真空延伸室207經建構以減小群集式工具200的佔地面積。
一方面，雙負載鎖定室可雙向同時傳輸基板而提高了系統產量。另一方面，堆疊之負載鎖定室需要更大的垂直接近空間。為使諸如中央機械手209之機械手能進入負載鎖定室204a、204b和遮盤架222，故將真空延伸室207的遮盤架222製作成能垂直移動的型式。指示器224耦接遮盤架222，以將遮盤架222垂直移動到讓機械手無障礙地移動通過真空延伸室207的位置。指示器224可降低遮盤架222至內容積219下部，使連接遮盤架222的中央機械手209拾起遮盤架222上的遮盤或放下遮盤到遮盤架222上。
如第10圖所示，通過室231做為第一傳輸室組件210與第二傳輸室組件230的介面，使第一和第二傳輸室組件210、230具有不同的真空度。在一實施例中，通過室231包含控溫基板支撐件246、247，以準備好基板以供後續處理步驟使用。在一實施例中，可加熱基板支撐件246，同時冷卻基板支撐件247。
第二傳輸室組件230的內容積由真空延伸室232的內容積248界定，內容積248則連接傳輸室233的內容積249。開口244設於傳輸室233與真空延伸室232之間。開口244提供真空延伸室232和傳輸室233之間的流體連通，且大小足以讓中央機械手234來回移動基板進出通過室231。
真空系統242耦接真空延伸室，並提供內容積248 與內容積249一個低壓環境。機械構件245耦接傳輸室233。傳輸室233和真空延伸室232經建構以減小群集式工具200的佔地面積。倘若傳輸室皆保持在相同的真空度，則可視情況只使用其中一個真空系統。
如第10圖所示，真空延伸室232的遮盤架243為固定不動。遮盤架243設在真空延伸室232的內容積248下部，而中央機械手234經由內容積248上部來傳輸基板進出通過室231。
應注意任一連接傳輸室的處理室可以通過室及/或延伸室代替之，如此群集式工具可增設另一傳輸室。
如第10圖所示，支撐腳227支撐群集式工具200。支撐腳227縱向及側向支撐主框架和群集式工具200的腔室。各支撐腳227皆可調整垂直高度。支撐腳227耦接傳輸室208、233、真空延伸室207、232、及/或負載鎖定室204和通過室231的側壁，藉以側向支撐群集式工具200。
在一實施例中，四對支撐腳227用來支撐群集式工具200。一對支撐腳227耦接傳輸室208、233的後端(遠離前端環境202)。傳輸室208、233的後端設有凹口，用以側向托住支撐腳227。一對支撐腳227耦接靠近負載鎖定室204與真空延伸室207的接合區域。另一對支撐腳227耦接靠近通過室231與真空延伸室232的接合區域。
相較於支撐框架，本發明之獨立的支撐腳不僅大幅降低了成本，其還提供了系統更大的彈性。本發明之群集式工具尚可依需求和組裝的獨立支撐腳一起運送。
第11A圖為第9圖群集式工具200的立體視圖，其設有傳輸支架260來接合支撐腳227和運送工具(如叉狀舉升件)，以運送整個或部分組裝的群集式工具200。一或多個傳輸支架260耦接群集式工具200，以運送整個或部分組裝的群集式工具200。在一實施例中，各傳輸支架260耦接一對獨立的支撐腳227。
第11B圖繪示根據本發明一實施例的傳輸支架260。傳輸支架260的細長主體261由剛硬材料構成，例如鋼和鋁。為減輕重量，主體261可為矩形或方形管。二舉升開口262設在主體261兩端附近。舉升開口262做為舉升工具(如叉狀舉升件)的介面。傳輸支架260的二舉升開口262間距適合舉升工具，例如符合叉狀舉升件的分叉間距。在一實施例中，獨立的支撐腳227栓進主體261之一或多個接孔263而插入傳輸支架260。接孔263可拉長以提供一對支撐腳227之間距變化的容限。
回溯第11A圖，一或多個傳輸支架260耦接群集式工具200的獨立支撐腳227且高度實質上接近實質對準的舉升開口262。舉升工具可穿過二或多個傳輸支架260的舉升開口262，藉以抬起及運送群集式工具200。
傳輸時，本發明之傳輸支架提供支撐組件(如獨立支撐腳)介面和堅固的結構。傳輸支架可輕易裝到群集式工具及拆下供運送及處理之用。傳輸支架容許群集式工具使用獨立的支撐腳，使群集式工具得以設置簡單、無障礙的支撐組件和堅固的結構來進行運送。
雖然本發明是以PVD製程應用為例加以說明，但本發明之群集式工具可用於其他適合製程。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
500‧‧‧延伸室組件
501‧‧‧主體
502‧‧‧頂板
503‧‧‧架
504‧‧‧架蓋
505‧‧‧指示器
506、507‧‧‧狹縫閥
508‧‧‧幫浦
509‧‧‧支撐腳
510、511、515、519、520、554‧‧‧開口
512‧‧‧容積
514‧‧‧調壓埠
521‧‧‧支柱
522‧‧‧指狀物件
523‧‧‧遮盤
525、526‧‧‧狹縫閥門
527‧‧‧頂壁
528‧‧‧底壁
532‧‧‧軸桿
551‧‧‧傳輸室
552、553‧‧‧葉片
555、556‧‧‧負載鎖定室
557‧‧‧孔洞

Claims (20)

  1. 一種傳輸室，包括：一主腔室主體，包括界定一主容積之一頂端、一底端及複數個側壁，其中一開口穿過該複數個側壁之每一個側壁而形成；一延伸室主體，包括界定一延伸容積之一頂端、一底端及至少一第一側壁及一第二側壁，其中該延伸室主體係分別連接至形成在該主腔室主體的該些側壁之一者中的該開口，且該主容積和該延伸容積係通過該些側壁之一者中的該開口而直接連接；一傳輸機械手，安裝於該主腔室主體中，其中繞在一完全縮回位置中之該傳輸機械手之一旋轉中心線的旋轉界定由該旋轉中心線到該傳輸機械手之一端的一最小半徑，該傳輸機械手支撐一基板，其中該最小半徑係大於從該旋轉中心線至穿過該複數個側壁而形成之該開口的距離；及一真空泵，安裝於該延伸室主體上。
  2. 如請求項第1項所述之傳輸室，進一步包括多個腔室埠組件，係安裝於該主腔室主體的多個剩餘側壁上。
  3. 如請求項第2項所述之傳輸室，其中每一腔室埠組件允許在該主容積外側之該傳輸機械手的旋轉。
  4. 如請求項第1項所述之傳輸室，其中該主腔室主體和該延 伸室主體形成由該真空泵所控制的一單一泵外殼。
  5. 如請求項第1項所述之傳輸室，進一步包括設置在該延伸室之該延伸容積中的一遮盤架，該遮盤架係配置以儲存待由一或多個處理室所使用的一或多個遮盤，該一或多個處理室係耦接至該主腔室主體，且該遮盤架係可由該傳輸機械手所存取。
  6. 如請求項第5項所述之傳輸室，其中該遮盤架係設置於該延伸室主體的該延伸容積的一第一部分中，且該延伸室主體的該延伸容積的一第二部分係配置以提供用於該傳輸機械手存取一負載鎖定室或連接至該延伸室主體之一通過室的一通道。
  7. 如請求項第6項所述之傳輸室，其中該遮盤架係設置於該延伸容積的一下部分中。
  8. 如請求項第6項所述之傳輸室，其中該遮盤架係可移動地設置於該延伸容積中。
  9. 如請求項第8項所述之傳輸室，進一步包括一指示器，係連接至該遮盤架，其中該指示器係配置以在該延伸室主體中垂直傳輸該遮盤架，使得該遮盤架係可由該傳輸機械手存取。
  10. 一種群集式工具，係配置以處理一或多個基板，包括：一第一傳輸室，包括：一主腔室主體，包括界定一主容積之一頂端、一底端及複數個側壁，其中一開口穿過該些側壁之每一者而形成；一延伸室主體，包括界定一延伸容積之一頂端、一底端及至少一第一側壁及一第二側壁，其中該延伸室主體係分別連接至該主腔室主體的該些側壁之一者，且該主容積和該延伸容積係通過該些側壁之一者中的該開口而直接連接；一傳輸機械手，安裝於該主腔室主體中，其中繞在一完全縮回位置中之該傳輸機械手之一旋轉中心線的旋轉界定由該旋轉中心線到該傳輸機械手之一端的一最小半徑，該傳輸機械手支撐該些基板，其中該最小半徑係大於從該旋轉中心線至穿過該複數個側壁而形成之每一開口的距離；及一真空泵，安裝於該延伸室主體上；一或多個處理室，連接至該第一傳輸室的該主腔室主體的一或多個側壁；及一負載鎖定室，連接至該第一傳輸室的該延伸室主體。
  11. 如請求項第10項所述之群集式工具，進一步包括：一第二傳輸室，包括：一主腔室主體，包括界定一主容積之一頂端、一底端及複數個側壁，其中一開口穿過該些側壁之每一者而形成； 一延伸室主體，包括界定一延伸容積之一頂端、一底端及至少一第一側壁及一第二側壁，其中該延伸室主體係分別連接至該主腔室主體的該些側壁之一者，且該主容積和該延伸容積係通過該些側壁之一者中的該開口而直接連接；一傳輸機械手，安裝於該主腔室主體中，其中該傳輸機械手的旋轉必須界定用於一圓柱容積的一最小半徑，該圓柱容積從該主容積延伸至該延伸容積中，及通過該複數個側壁而形成之每一開口；及一真空泵，安裝於該延伸室主體上；及一通過室，耦接在該第一傳輸室和該第二傳輸室之間。
  12. 如請求項第11項所述之群集式工具，進一步包括一或多個處理室，連接至該第二傳輸室。
  13. 如請求項第10項所述之群集式工具，其中該第一傳輸室的該主腔室主體和該延伸室主體形成由真空泵所控制的一單一泵外殼。
  14. 如請求項第10項所述之群集式工具，其中該第一傳輸室進一步包括設置在該延伸室之該延伸容積中的一遮盤架，該遮盤架係配置以儲存待由一或多個處理室所使用的一或多個遮盤，該一或多個處理室係耦接至該主腔室主體，且該遮盤架係可由該傳輸機械手所存取。
  15. 如請求項第14項所述之群集式工具，其中該遮盤架係設置於該延伸室主體的該延伸容積的一第一部分中，且該延伸室主體的該延伸容積的一第二部分係配置以提供用於該傳輸機械手存取連接至該延伸室主體之該負載鎖定室的一通道。
  16. 如請求項第15項所述之群集式工具，其中該遮盤架係設置於該延伸容積的一下部分中。
  17. 如請求項第15項所述之群集式工具，其中該遮盤架係可移動地設置於該延伸容積中。
  18. 如請求項第17項所述之群集式工具，其中該第一傳輸室進一步包括一指示器，係連接至該遮盤架，且該指示器係配置以在該延伸室主體中垂直傳輸該遮盤架，使得該遮盤架係可由該傳輸機械手存取。
  19. 如請求項第14項所述之群集式工具，其中該遮盤架包括：一第一支柱；一第二支柱，與該第一支柱為相對設置；及一或多對支撐指狀物件(finger)，係從該第一支柱和該第二支柱之各者延伸，其中該一或多對支撐指狀物件形成一或多個狹縫，且每一狹縫係配置以在每一狹縫上支撐一個遮盤。
  20. 如請求項第19項所述之群集式工具，其中該些支撐指狀物件之每一者包括二接觸球體，該些接觸球體係配置以接觸一遮盤的一後側。
TW104100785A 2007-05-09 2008-05-09 以真空延伸室儲放遮盤之傳輸室 TWI553769B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US91692107P 2007-05-09 2007-05-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201515141A TW201515141A (zh) 2015-04-16
TWI553769B true TWI553769B (zh) 2016-10-11

Family

ID=40002598

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW97117268A TWI474426B (zh) 2007-05-09 2008-05-09 以真空延伸室儲放遮盤之傳輸室
TW104100785A TWI553769B (zh) 2007-05-09 2008-05-09 以真空延伸室儲放遮盤之傳輸室

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW97117268A TWI474426B (zh) 2007-05-09 2008-05-09 以真空延伸室儲放遮盤之傳輸室

Country Status (3)

Country Link
CN (1) CN101674893B (zh)
TW (2) TWI474426B (zh)
WO (1) WO2008141106A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9435025B2 (en) * 2013-09-25 2016-09-06 Applied Materials, Inc. Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports
JP6937549B2 (ja) * 2016-06-10 2021-09-22 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子の製造装置
CN107488832B (zh) * 2016-06-12 2019-11-29 北京北方华创微电子装备有限公司 沉积设备以及物理气相沉积腔室
CN114908329B (zh) * 2021-02-08 2024-03-08 台湾积体电路制造股份有限公司 校正方法及半导体制造设备
CN113451188A (zh) * 2021-06-25 2021-09-28 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室、半导体工艺设备及半导体工艺方法
CN116695086B (zh) * 2023-06-30 2024-04-16 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室、半导体工艺设备和薄膜沉积方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US5620578A (en) * 1994-12-08 1997-04-15 Sony Corporation Sputtering apparatus having an on board service module
US5628828A (en) * 1994-03-04 1997-05-13 Hitachi , Ltd. Processing method and equipment for processing a semiconductor device having holder/carrier with flattened surface
US5788447A (en) * 1995-08-05 1998-08-04 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US20010017192A1 (en) * 2000-02-28 2001-08-30 Jusung Engineering Co., Ltd. Cluster tool for fabricating semiconductor device
US20010021486A1 (en) * 2000-03-08 2001-09-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20050006230A1 (en) * 2001-08-31 2005-01-13 Masaki Narushima Semiconductor processing system
US20060156979A1 (en) * 2004-11-22 2006-07-20 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus using a batch processing chamber
US20070020903A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Applied Materials, Inc. Hybrid PVD-CVD system

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI295816B (en) * 2005-07-19 2008-04-11 Applied Materials Inc Hybrid pvd-cvd system

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US5628828A (en) * 1994-03-04 1997-05-13 Hitachi , Ltd. Processing method and equipment for processing a semiconductor device having holder/carrier with flattened surface
US5620578A (en) * 1994-12-08 1997-04-15 Sony Corporation Sputtering apparatus having an on board service module
US5788447A (en) * 1995-08-05 1998-08-04 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6066210A (en) * 1995-08-05 2000-05-23 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate processing apparatus with a processing chamber, transfer chamber, intermediate holding chamber, and an atmospheric pressure section
US20010017192A1 (en) * 2000-02-28 2001-08-30 Jusung Engineering Co., Ltd. Cluster tool for fabricating semiconductor device
US20010021486A1 (en) * 2000-03-08 2001-09-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20050006230A1 (en) * 2001-08-31 2005-01-13 Masaki Narushima Semiconductor processing system
US20060156979A1 (en) * 2004-11-22 2006-07-20 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus using a batch processing chamber
US20070020903A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Applied Materials, Inc. Hybrid PVD-CVD system

Also Published As

Publication number Publication date
TW201515141A (zh) 2015-04-16
CN101674893B (zh) 2012-08-08
TW200913115A (en) 2009-03-16
TWI474426B (zh) 2015-02-21
CN101674893A (zh) 2010-03-17
WO2008141106A1 (en) 2008-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8945308B2 (en) Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks
TWI553769B (zh) 以真空延伸室儲放遮盤之傳輸室
JP7383665B2 (ja) 正面開口式リングポッド
US20220230857A1 (en) Substrate processing apparatus
US7419346B2 (en) Integrated system for tool front-end workpiece handling
TWI784283B (zh) 用於確定處理套件環損耗的檢測器及設備及其操作方法
US20220246408A1 (en) Automated transfer of edge ring requiring rotational alignment
TW202215916A (zh) 具有耐高真空和耐高溫的功率源的診斷盤
JP2024038113A (ja) 処理システムのアライナステーションの較正
TW202213564A (zh) 具有耐高真空和溫度的功率源的診斷盤
KR102267964B1 (ko) 12각형 이송 챔버 및 이를 갖는 프로세싱 시스템
JP2007528615A (ja) 改良型の基板状無線センサ
US20070180676A1 (en) Method of and tool for calibrating transfer apparatus
US7717661B1 (en) Compact multiple diameters wafer handling system with on-chuck wafer calibration and integrated cassette-chuck transfer
CN117897801A (zh) 用于改变晶片的温度的设备
US20210292104A1 (en) Substrate processing system carrier
CN116964723A (zh) 外壳系统结构
US20030154002A1 (en) Method and apparatus for aligning a cassette handler
US6786935B1 (en) Vacuum processing system for producing components
KR102139616B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
JP2003347393A (ja) 基板保持装置、及びその基板保持装置を用いた真空処理装置
JP2001077172A (ja) 基板の処理装置、基板の搬送体、並びに電子部品の製造方法
JP2010238878A (ja) 搬送室
KR20220064090A (ko) 이동유닛 및 이를 가지는 반도체 제조설비
JPH11195691A (ja) 枚葉式真空処理装置