TWI553148B - 氣流處理裝置 - Google Patents

Description

氣流處理裝置

本發明係關於用於處理一氣流之裝置。本發明發現在自例如半導體、太陽能或平板顯示工業中使用之一加工室之一氣流排放之處理中的特定應用。

半導體器件之製造中之一步驟係藉由汽相前驅體之化學反應形成一薄膜於一半導體基板上。用於沈積一薄膜於一基板上之一已知技術係化學汽相沈積(CVD)，其通常係電漿增強的。在此技術中，將加工氣體供應至放置該基板之一加工室，其中該等加工氣體反應以在該基板之表面上形成一薄膜。供應至該加工室以形成一薄膜之氣體的實例包含但不限於：用於形成氮化矽膜之矽烷及氨；用於形成SiON膜之矽烷、氨及氧化亞氮；用於形成氧化矽膜之TEOS及氧氣及臭氧之一者；及用於形成氧化鋁膜之Al(CH₃)₃及水蒸氣。

使用一電漿減量器件可以高效率並且以一相對低成本處理自一加工室排放之氣體。在該電漿減量加工中，要處理之氣流傳送至主要係加熱源的熱大氣壓力電漿放電(電漿閃焰)。該電漿較佳地係由諸如氮氣之一惰性氣體及電漿形成之後傳遞至該閃焰的加工氣體形成，因為此保護該電漿形成器件不受損壞。該電漿引起該氣流解離為反應性物種，諸如自由基，其等可與氧氣或者氫氣物種(亦傳送至該電漿閃焰)組合以產生相對穩定之副產物。

一反應室位於電漿產生器之下游。該反應室之目的係提供遠離該電漿形成器件之一反應空間，其中自該加工室排放之氣體可藉由該電漿處理，並且與諸如氧氣或者氫氣之額外試劑氣體反應。該反應室可由尺寸可例如直徑係大約30mm至50mm並且長度係90mm至150mm之一管路構成。

該加工室中產生之有害氣體，即未使用之前驅體氣體及該等反應副產物，必須在其等自該加工室排放時處理。其等不經儲存並且接著處理。相應地，該電漿減量器件(有時稱為一電漿噴燈、或者火炬)在加工期間必須可操作。若該噴燈因為任何原因停止運作或者其需要離開生產線以清潔或者修理，該基板加工亦必須停止。此明顯不理想，因為該加工理想上連續運轉一天24小時、一周7天。相應地，已知具有一備用電漿噴燈器件，萬一該主要電漿噴燈因任何原因壞掉或者離開生產線，備用電漿噴燈器件即可連上生產線。然而此係對此問題之一非常昂貴之解決方案，因為一非常昂貴之電漿噴燈很多時間多半保持為不操作。

根據本發明，提供用於處理一加工氣流之裝置，其包括一電漿減量器件，該電漿減量器件具有：一反應室；一電漿火炬，其係用於產生一電漿流以注入該室中來處理該加工氣流；一第一入口，其係用於傳送該加工氣流至該電漿減量器件中來處理；及一第二入口，其在該裝置之一正常 條件中與一試劑源流動連通以傳送試劑至該電漿器件中以改良處理之效率，並且其在該裝置之一備用條件中與該加工氣流源流動連通以傳送一氣流至該器件中來處理。

本發明亦提供一種包括用於處理一加工氣流之一裝置的系統，該裝置進一步包括至少一加工室；一主要氣體管道，其係用於傳送來自該加工室之一加工氣流至該電漿減量器件的該第一入口來處理；及一試劑氣體管道，其連接於一試劑源與該電漿減量器件之該第二入口之間，以在該裝置之正常條件中傳送試劑至該器件中以改良處理效率；一次要氣體管道，其連接於該至少一加工室之一者與該第二入口之間，以在該裝置之一備用條件中傳送一加工氣流至該器件來處理；及一控制，其係用於在正常條件與備用條件之間選擇性地切換。

本發明之其他較佳及/或可選態樣係在隨附申請專利範圍中定義。

為可充分瞭解本發明，現在將參考隨附圖式描述其一些實施例，該等實施例僅藉由實例之方式給出。

圖1及2係形成用於處理一氣流之一裝置之部分的一電漿減量器件10的示意圖。該器件10包括一電漿產生器(或者火炬)12及一反應室14。該火炬提供一電漿閃焰16以處理自一加工室傳送至該器件的一氣流(見圖3、4、7及8)。該電漿器件較佳地係一DC(直流)電漿器件，其包括諸如EP1715937中描述之一DC電漿火炬。該室14具備一第一入 口18及一第二入口20。在圖1中展示之該裝置的一正常條件中，該第一入口18與一加工室流體連通。引起自一加工室發射之加工氣流22經由入口18流動至反應室14及電漿閃焰16中。該第二入口20與通常係氧氣之一試劑24之源流體連通(見圖3、4、7及8)。引起該試劑經由入口20流動至該室14中，其中該試劑與該等加工氣體混合以改良該電漿閃焰16內之處理效率。在圖2中展示之裝置的一備用條件中，來自一加工室之一加工氣體22代替該試劑24傳送至該第二入口20。在該裝置之另一電漿減量器件變得不操作之情況下，或者在傳送加工氣體至另一電漿器件的一管道變得閉塞之情況下，選擇該裝置之備用條件。因此在備用條件中，不同加工氣體可傳送至相同反應室。替代地或者額外地，在傳送加工氣體至該第一入口18之管道變得閉塞之情況下(例如藉由該管道中之固態沈積的堆積)，該加工氣體22可轉向至該第二入口20，而非該第一入口。

本發明認知可免除試劑至反應室之供應，或者至少可供應試劑至該反應室下游之減量加工。例如，試劑可供應至該反應室下游之一噴霧塔(或者濕式洗滌器)中以完成該加工排放氣體的處理。相應地，該氣流藉由該反應室14內側之電漿16加熱，並且接著與該反應器室下游之試劑反應。因為該反應發生於該反應器外側，並且該氣體溫度較低，因此在此操作規範中之系統效率較低。相應地，根據本發明，可反而使用通常用於試劑氣體之入口以注入加工氣體。在例如諸如一電漿噴燈之另一減量器件離開生產線之 情況下，此可係必要的。大體上一加工工具或者系統將包括複數個加工室及各自複數個電漿噴燈。萬一一噴燈離開生產線，來自相關聯加工室之加工氣體朝向另一電漿噴燈之試劑入口引導。該電漿噴燈因此可處理來自多於一個加工室之加工氣體，但是在反應室中無試劑的使用。

現代電漿減量系統的要求之一係具有一可用備用入口。本發明提供具有數個分開氣體入口之一電漿減量器件。

本發明涉及以下瞭解：儘管認為需要試劑以改良反應室中之加工氣體之處理，但加工氣體之不中斷之處理的需求比試劑之需要更重要。相應地，試劑至一器件中之流動可中斷或者注入下游，使得該加工氣體可透過通常用於該試劑之入口轉向至該器件。

圖3中展示在用於處理一氣流之一裝置的一正常條件期間的一加工系統。兩個加工室26、28經配置以加工諸如半導體晶圓或者平板顯示器之產品。該加工係藉由使用在藉由一或多個真空泵(未展示，但是位於該等加工室26、28與減量器件之間)產生之一真空中之用於蝕刻、沈積或者清潔之各種氣體實行。此等氣體係有害的並且不能不處理就釋放。如關於圖1及2描述之複數個電漿減量器件10經配置以處理自該等加工室26、28釋放的加工氣體。

主要氣體管道30經由真空泵傳送來自該等加工室28、26之一加工氣流21、22至該電漿減量器件10之該第一入口18來處理。經處理氣體38自該等電漿減量器件10排放以處置或者儲存。試劑氣體管道32連接於一或多個試劑源34與該 電漿減量器件之該第二入口20之間，以在該裝置之正常操作條件中傳送試劑24至該器件中以改良處理效率。

如圖4中展示，當該裝置在備用條件中時，一次要氣體管道36連接於該加工室26與右側上展示之該電漿減量器件10的該第二入口20之間，以傳送一加工氣流21至該器件來處理。在此實例中，圖4中左側上展示之該電漿減量器件10已經變得不操作，或者主要加工氣體管道已經變得部分或者全部閉塞。在此情況中，加工氣體21經轉向以藉由該圖中右側上展示之該電漿減量器件10處理，並且因此自該等加工室排放之所有氣體的處理不中斷，並且該加工工具26可保持操作。在無試劑之情況下，氣體效率稍微減少，但是與其中斷來自該等加工室26之一者之排放氣體的處理或者中斷該加工室26之操作，此效率稍微減少被考慮為較佳的。該配置有利，因為一適當起作用之電漿減量器件在該裝置中非冗餘的，並且僅在氣體在該裝置中轉向為其他處來處理時不操作。

參考圖3及圖4二者，該處理裝置包括一閥配置以允許在該器件之正常條件中透過該等試劑管道32傳送試劑。當在該等減量器件10之一者中中斷處理時，在該器件之備用條件中透過該次要加工氣體管道36傳送該第二氣流。

圖3及圖4中展示之實例中的閥配置包括第一閥40，其經定位以選擇性地朝向該等第一入口18或者該等第二入口20傳送該等主要管道30中的加工氣體。第二閥42經定位以選擇性地沿該等試劑管道傳送試劑，或者朝向該等第二入口 20傳送加工氣體。在此較佳配置中，閥40及42係三向閥。該主要管道、試劑管道及次要管道共用導管、或者管路之部分，其等在該裝置中傳送氣體。即，該等主要及次要管道在該等第一閥40上游共同延伸，並且該等次要管道及試劑管道在該等第二閥42下游共同延伸。

熟悉此項技術者將明白該等閥可不同於圖3及4中展示之配置而配置，同時仍達到相同理想結果。

一控制44經提供以選擇性地在圖3中展示之正常條件與圖4中展示之備用條件之間切換。該控制44係在圖3中展示並且藉由控制線46(以虛線示意性地展示)連接至該等閥40、42。該控制選擇性地操作該閥配置以在正常條件與備用條件之間切換。切換可藉由一技工手動地啟始或者可為自動。在此後者情況中，一感測器48可經提供以感測一電漿減量器件之一操作條件，並且在該等電漿減量器件之一或多者不操作之情況下輸出一信號至該控制。例如，該感測器可監控該DC電漿火炬之電流，並且在該電流下降低於一預定電流(指示一經減少氣體流動)之情況下，一系統失效信號輸出至該控制44，該控制44可接著啟動一備用條件。相似感測器可提供給該系統之其他電漿減量器件。

在圖3及4中展示之配置中，存在複數個電漿減量器件10，其等具有經配置以與複數個加工室26、28流動連通之各自複數個第一入口18。儘管兩個此等電漿減量器件經展示連接至各自加工室，但可如需要提供多於兩個電漿減量器件。在該裝置之正常條件中，該等第二入口20經配置以 與一試劑源流動連通。在該裝置之備用條件中，至少一第二入口經配置以與該等加工室之一者流動連通以接收來自該加工室的一氣流來處理。因此，在此配置中，一電漿減量器件充當用於另一電漿減量器件的一備用，並且經配置在備用條件中接收來自該等加工室之間之一不同者(其接收來自正常條件中之一氣流)的一氣流。

在圖5及6中展示之一替代配置中，在該裝置之正常條件中，該第一入口18經配置以經由一主要管道30與一加工室26流動連通，以傳送來自該加工室之一氣流21來處理。該第二入口20經配置以沿一試劑管道32接收來自該試劑源34的一試劑24以改良處理效率。此配置類似於圖3及4中展示之配置。但是在圖6中展示之備用條件中，該第二入口20經配置以與相同加工室26流動連通，使得在流動限於沿該主要管道30(即沿該主要管道之一部分48)之第一入口時，來自該加工室之氣流21可經由該次要管道50透過該第二入口20傳送來處理。

閥52及54係可藉由一控制(未展示)以圖3及4中展示之一類似方式操作。

在圖3及4或者圖5及6中先前描述之配置的一修改中，該等電漿減量器件之至少一者包括至少三個入口，並且該等入口之一者在該裝置之備用條件中僅傳送一氣流或者試劑至該電漿減量器件中。以此方式配置之一電漿減量器件60係在圖7及8中展示，並且包括三個額外入口62、64、66。在該裝置之正常條件中，其中存在多個相似電漿減量器件 60，該第一入口18接收來自一第一室之一氣流，該第二入口接收來自該試劑源34之一試劑，並且其他入口62、64、66未使用。在備用條件中，該等其他入口可接收來自各自加工室的一第二氣流68、一第三氣流70或者一第四氣流72。以此方式，在其等各自電漿減量器件變得不操作之情況下，可處理三個其他氣流，同時仍保持一試劑流至該器件中以改良處理效率。視情況，該第二入口20亦可用於處理來自一其他加工室之一氣流，不過在此情況中試劑將不供應至該器件60。

在一較佳配置中，該等電漿減量器件之至少一者、並且更佳地所有者包括如存在加工室之相同數目的入口，使得在該裝置之備用條件中，來自所有加工室之該等氣流可透過各自該等入口傳送至該器件以在該器件中處理。

一該電漿減量器件之該第一入口及該第二入口係經組態以引導流體至反應室14中，使得透過該第一入口或者該第二入口傳送之流體經引導分別遠離該第二入口或者該第一入口，以減少該等流體在該等入口之任一入口中的混合。圖9展示反應器室14、一電漿閃焰16、及第一及第二入口18、20之一視圖。該第一入口18在一方向上導入氣流，該方向大體上與透過第二入口20導入至該反應器之氣流的方向垂直。因此將看見來自一入口之氣體經引導遠離另一入口，使得該兩個氣體之反應大體上不在該等入口之任一入口中發生。反而，該兩個氣體之間的反應發生於該電漿閃焰16中，導致氣流或者諸氣流之更有效處理。

圖9中亦展示兩個雙頭箭頭74、76。箭頭74展示該第一入口較佳地定位、同時仍達到相同效應(即通過該兩個入口之氣體經引導遠離該等其他入口)之位置的範圍。另一方面，該箭頭76展示該第一入口18可定位、將導致來自一入口之氣體經引導朝向該另一入口之不理想位置的範圍。

引導來自一入口之氣體遠離另一入口、特別其中存在多個入口的較佳配置係在圖1及圖7中展示，其中該等入口經組態以在一方向與另一方向大體上平行的方向上傳送流體至該器件中。如將自此等圖中看見，該等入口經配置為一入口垂直地在一鄰近入口之上，並且每一入口與其他入口在機械上分開以分隔開該等入口。

在兩個入口要用於注入加工氣體之情況下，該等入口至該反應室14中之組態更重要。不同加工氣體在注入該電漿閃焰中之前不彼此反應非常重要。因為在備用操作條件中，兩個入口可用於注入加工氣體，該等入口因此不應該如藉由圖9中之位置76的範圍展示般彼此相對定位。該等入口可經定位使得該等氣體以彼此呈一角度注入。然而在該等入口經組態為該等氣體流動在相同方向上全部引導至該反應室中時可得到更好結果。

圖3係根據本發明之一電漿減量器件的一示意圖。

一多個入口配置係在圖10中展示，其可採用於先前討論之實施例之任一者中。該入口配置具有四個入口78、80、82、84藉由間隔片86在機械上彼此分開的一「薄片類型」結構。該「薄片類型」結構允許不同加工氣體在其等不會 該等入口處混合之情況下導入一電漿反應器室中。

如參考圖式描述之該等處理裝置構成作為包括至少一加工室之一加工系統之部分的一改良。該裝置包括一主要氣體管道(即導管)以傳送來自加工室之一加工氣流至電漿減量器件之第一入口來處理；及一試劑氣體管道，其連接於一試劑源與電漿減量器件之第二入口之間，以在裝置之正常條件中傳送試劑至該器件中以改良處理效率。連接於該至少一加工室之一者與第二入口之間的一次要氣體管道在裝置之一備用條件中傳送一加工氣流至器件來處理。一控制構件在正常條件與備用條件之間選擇性地切換。

通常，該系統包括複數個加工室，其中在裝置之正常條件中，複數個加工氣流自該等加工室傳送至各自電漿減量器件之第一入口，並且在備用條件中，一加工氣體之氣流傳送至該等電漿減量器件之一者的第二入口。

在存在僅一加工室之情況下，在裝置之正常條件中，一加工氣流自加工室傳送至一單個電漿減量器件之第一入口，並且在備用條件中，氣流代替試劑轉向至器件之第二入口來處理。

上文已經關於一較佳實施例描述本發明。熟悉此項技術者將瞭解可不脫離如隨附申請專利範圍中列出之本發明之範疇做出改變及修改。

10‧‧‧電漿減量器件

12‧‧‧電漿產生器/火炬

14‧‧‧反應室/反應器室

16‧‧‧電漿閃焰

18‧‧‧第一入口

20‧‧‧第二入口

21‧‧‧加工氣流

22‧‧‧加工氣流

24‧‧‧試劑

26‧‧‧加工室/加工工具

28‧‧‧加工室

30‧‧‧主要氣體管道

32‧‧‧試劑氣體管道

34‧‧‧試劑源

36‧‧‧次要氣體管道

38‧‧‧經處理氣體

40‧‧‧第一閥

42‧‧‧第二閥

44‧‧‧控制

46‧‧‧控制線

48‧‧‧感測器/部分

50‧‧‧次要管道

52‧‧‧閥

54‧‧‧閥

60‧‧‧電漿減量器件

62‧‧‧額外入口

64‧‧‧額外入口

66‧‧‧額外入口

68‧‧‧第二氣流

70‧‧‧第三氣流

72‧‧‧第四氣流

74‧‧‧箭頭

76‧‧‧箭頭/位置

78‧‧‧入口

80‧‧‧入口

82‧‧‧入口

84‧‧‧入口

86‧‧‧間隔片

圖1係在一處理裝置之一正常條件中之一電漿減量器件的一示意圖； 圖2係在該處理裝置之一備用條件中之一電漿減量器件的一示意圖；圖3係包括在一正常條件中之該處理裝置之一加工系統的一示意圖；圖4係包括在一備用條件中之該處理裝置之一加工系統的一示意圖；圖5係在一處理裝置之一正常條件中之另一電漿減量器件的一示意圖；圖6係在該處理裝置之一備用條件中之該另一電漿減量器件的一示意圖；圖7係包括在一正常條件中之另一處理裝置之一加工系統的一示意圖；圖8係包括在一備用條件中之該處理裝置之一加工系統的一示意圖；圖9展示一電漿減量器件之一部分圖；及圖10展示用於一電漿減量器件之一入口配置。

10‧‧‧電漿減量器件

12‧‧‧電漿火炬

14‧‧‧反應室/反應器室

16‧‧‧電漿閃焰

18‧‧‧第一入口

20‧‧‧第二入口

22‧‧‧加工氣流

24‧‧‧試劑

Claims (21)

1. 一種用於處理來自一加工器件(26,28)之一加工排放氣流(22)的裝置(10)，其包括一電漿減量器件，該電漿減量器件具有一反應室(14)；一電漿火炬(12)，其係用於產生一電漿流(16)以注入該室中來處理一加工排放氣流；一第一入口(18)，其係用於傳送該加工排放氣流至該電漿減量器件的反應室中來處理；及一第二入口(20)，其在該裝置之一正常條件中與一試劑源流動連通以傳送試劑至該電漿器件的反應室中以改良處理效率，並且其在該裝置之一備用條件中與一加工排放氣流源(26,28)流動連通以傳送一加工排放氣流至該裝置中來處理。
2. 如請求項1之裝置，其中在該正常條件中，該第一入口(18)與一第一加工室(26)流動連通，以傳送一第一加工排放氣流(21)至該器件中來處理，並且在該備用條件中，該第二入口(20)與一第二加工室(28)流動連通以傳送一第二加工排放氣流(22)至該器件中來處理。
3. 如請求項2之裝置，其包括一第一管道(32)，其經配置以傳送來自該試劑源(34)之試劑至該第二入口(20)；一第二管道(36)，其經配置以傳送來自該第二加工室之該第二加工排放氣流(21)至該第二入口；及一閥配置(40,42)，其係用於允許試劑在該器件之該正常條件中透過該第一管道傳送，並且允許該第二加工排放氣流在該器件之該備用條件中透過該第二管道傳送。
4. 如請求項3之裝置，其中該閥配置包括位於各自第一及 第二管道中之第一及第二閥，該第一閥(42)可操作以允許透過該第一管道之流動連通，並且該第二閥(40)可操作以允許該第二管道中之流動連通。
5. 如請求項1之裝置，其包括複數個該等電漿減量器件(10)，該等電漿減量器件具有經配置以與複數個加工室(26,28)流動連通之各自複數個該等第一入口(18)，並且在該裝置之該正常條件中，該等電漿減量器件之該等反應室具有經配置在該裝置之該正常條件中與一試劑源(34)流動連通之各自複數個該等第二入口(20)，其中在該裝置之該備用條件中，至少一第二入口經配置以與該等加工室之一者流動連通以接收來自該加工室的一加工排放氣流(21,22)來處理。
6. 如請求項5之裝置，其中在該裝置之該備用條件中，該第一入口(18)經配置以與一該加工室(26)流動連通，並且該第二入口(20)經配置以與該等加工室之一不同者(28)流動連通。
7. 如請求項5之裝置，其中在該裝置之該正常條件中，該第一入口(18)經配置以與一該加工室(26,28)流動連通，並且在該備用條件中，該第二入口(20)經配置以與相同該加工室流動連通，使得在流動限於該第一入口之情況下，來自該加工室之該加工排放氣流可透過該第二入口傳送來處理。
8. 如請求項5之裝置，其中該等電漿器件之至少一者包括至少三個入口(18,20,62,64,66)，並且在該裝置之該備 用條件中，該等入口之一者僅傳送一加工排放氣流或者試劑至該電漿減量器件中。
9. 如請求項8之裝置，其中在該裝置之該備用條件中，該等電漿減量器件之至少一者包括一該第一入口(18)，其經配置以與一第一加工室流動連通以傳送一第一加工排放氣流至該器件中來處理；一該第二入口(20)，其經配置以與一第二加工室流動連通以傳送一第二加工排放氣流至該器件中來處理；及一第三入口(62,64,66)，其經配置以與一第三加工室流動連通以傳送一第三加工排放氣流至該器件中來處理。
10. 如請求項9之裝置，其中該等電漿減量器件之至少一者包括如存在加工室之相同數目的入口(18,20,62,64,66)，使得在該裝置之該備用條件中，來自所有該等加工室之該等加工排放氣流可透過各自該等入口傳送至該至少一器件以在該器件中處理。
11. 如請求項10之裝置，其中該等電漿減量器件之每一者包括如存在加工室之相同數目的入口，使得在該裝置之該備用條件中，來自所有該等加工室之該等加工排放氣流可透過各自該等入口傳送至該等器件之任一者以在該任一器件中處理。
12. 如請求項1之裝置，其中一該電漿減量器件之該第一入口及該第二入口經組態以在經選擇之各自方向(74,76)上傳送流體至電漿減量器件中，使得來自透過該第一入口或者該第二入口傳送之流體分別經引導離開該第二入口 或者該第一入口，以減少該等流體在該等入口之任一入口中的混合。
13. 如請求項12之裝置，其中一該電漿減量器件之該等入口經組態以在一方向與另一方向大體上平行之方向上傳送流體至該器件中。
14. 如請求項13之裝置，其中該等入口經配置為一入口垂直地在一鄰近入口之上。
15. 如請求項13之裝置，其中每一入口與其他入口在機械上分開。
16. 如請求項1之裝置，其包括經組態以在該正常條件與該備用條件之間選擇性切換的一控制(44)。
17. 如請求項16之裝置，其中該控制(44)可手動操作以在該正常條件與該備用條件之間切換。
18. 如請求項16之裝置，其包括複數個該等電漿減量器件；及一感測器(48)，其係用於感測藉由該等電漿減量器件之任一者之一氣流之處理中的一減少，並且輸出一信號至該控制(44)，該控制回應而傳送該氣流至該等電漿減量器件之另一者的一第二或者其他入口。
19. 一種包括如請求項1之一裝置的系統，其進一步包括至少一加工室(26,28)；一主要氣體管道(30)，其係用於傳送來自該加工室之一加工排放氣流(21,22)至電漿減量器件的該反應室之該第一入口來處理；及一試劑氣體管道(32)，其連接於一試劑源(34)與該電漿減量器件的該反應室之第二入口之間，以在該裝置之正常條件中傳送試 劑至該器件中以改良處理效率；一次要氣體管道，其連接於該等至少一加工室之一者與該第二入口之間，以在該裝置之一備用條件中傳送一加工排放氣流至該器件來處理；及一控制，其係用於在該正常條件與備用條件之間選擇性地切換。
20. 如請求項19之系統，其包括複數個加工室，其中在該裝置之該正常條件中，複數個加工排放氣流自該等加工室傳送至各自各別反應室之該等第一入口，並且在該備用條件中，來自一該加工室之該加工排放氣流傳送至該等反應室之一者的該第二入口。
21. 如請求項20之系統，其中在該裝置之該正常條件中，一加工排放氣流自該加工室傳送至一該電漿減量器件之該第一入口，並且在該備用條件中，該加工排放氣流轉向至器件之該第二入口來處理。