TWI550130B

TWI550130B - Polyethylene or polypropylene as acetamide wet metallization process monitoring and control system terephthalate substrate

Info

Publication number: TWI550130B
Application number: TW104118336A
Authority: TW
Inventors: xin-min Fu; Pin-Chun Huang; Chun-Fan Zhang; qing-yong Li; Yu-Zhen Liu; Han-Ni Liang; Hui-Zhou Li; yuan-pei Xu
Original assignee: Triumphant Gate Ltd
Priority date: 2015-06-05
Filing date: 2015-06-05
Publication date: 2016-09-21
Also published as: TW201643272A

Description

聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材的濕式金屬化處理監測控制系統

本發明係有關於一種聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材的濕式金屬化處理監測控制系統，尤其是利用具線上即時負載因素偵測特性的補充裝置而控制連續操作時所需溶液的穩定性，以保持穩定及固定的鎳沉積速率並完成金屬化處理，且在奈米分子結構層內形成無電鍍鎳、鈀催化劑、矽甲烷、高分子的多層狀複合結構，適合實現對聚乙醯胺(PI)或聚對苯二甲酸乙二酯(PET)銅箔(Copper Foil，FC)滾輪式基材的濕式金屬化。

目前的可攜式電子產品隨著製作工藝的不斷精進，已能達到使用者對輕、薄、短、小的要求，比如手機、數位相機、隨身型多媒體播放器。這類電子產品都需要在內部配置電路板，用以安置各種電子元件，並實現電氣連接，而在有限空間中，一般傳統上利用環氧樹脂當作基材的硬質電路板已很難滿足上述功能的需求，因為無法配合實際應用而隨意彎曲或摺疊。

為解決上述問題，業者已開發出軟性電路板的薄膜基扳，一般稱作軟板。傳統的軟性銅核心積層體(flexible copper clad laminate FCCL)包含銅箔(Copper Foil，FC)、柔性基材的聚乙醯胺(PI)、黏接劑銅箔的結構，而FC的要求主要有二種趨勢，其中之一是更為低成本，另一個具有更小的線寬蝕刻能力。在之後的要求中，對於細線寬的電路製作，需要(鉻鎳銅)濺鍍及電解銅，藉以獲得較高銅導電性，一般稱作FC(銅箔)滾輪式濺鍍電鍍銅方法。基本上，是先利用濺鍍製程以高能電子束轟擊特定靶材，使得靶材中的元素脫離靶材，並藉所獲得的動能而沉積到柔性基材上，因而形成所需的中間層，因為銅層無法直接附著在柔性基材上，需要中間層以柔性基材及銅層。

在濺鍍-電鍍銅方法中，連續式真空蒸鍍處理室系統需要非常昂貴的投資，而且金屬靶材也相當昂貴，因而造成很大的障礙。

然而，在濺鍍-電鍍銅方法中，連續式真空蒸鍍處理室系統需要非常昂貴的投資，而且金屬靶材也相當昂貴，因而造成很大的障礙。濺鍍方法的技術問題在於很難進行圖案蝕刻。近來，很重要的是要先電鍍一層大約400Å的鎳(及鉻)，以及約400至600Å的銅，以獲得高黏貼強度及高導電性。

同時已經發現到，在濺鍍的銅電鍍FC滾輪式薄膜上進行電路圖案蝕刻是很困難，而其理由者要是來自於鎳及鉻的微小結晶化。鎳的沉積對於防止銅遷移到PI高分子是很有必要，而濺鍍的鉻是為了獲得黏貼強度。不過近年，已可成功移除鉻以改善金屬曝光能量及/或靶材的傾斜角度。

由鎳沉積層的厚度、成長速率及品質對於整體的性能影響很大，因此，很需要一種新式的聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材的濕式金屬化處理監測控制系統，利用具線上即時負載因素偵測特性的補充裝置而控制連續操作時所需溶液的穩定性，而在奈米分子結構層內形成無電鍍鎳、鈀催化劑、矽甲烷、高分子的多層狀複合結構，尤其是能保持穩定及固定的鎳沉積速率而完成金屬化處理，藉以解決上述習用技術的問題。

本發明之主要目的在提供一種聚乙醯胺(PI)或聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基材的濕式金屬化處理監測控制系統，包括矽甲烷耦合單元、催化處理單元以及無電鍍鎳處理單元，用以對藉滾輪至滾輪傳送單元帶動長條帶狀膜的聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材進行濕式金屬化處理。

聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材經由矽甲烷耦合單元以進行矽甲烷耦合處理，而在聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材上形成矽甲烷層。矽甲烷層經由催化處理單元進行催化處理，而在矽甲烷層上形成催化層。催化層經由無電鍍鎳處理單元進行無電鍍鎳處理，而在催化層上形成無電鍍鎳層。因此，在聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材上形成由矽甲烷層、催化層及無電鍍鎳層依序堆疊的多層複合結構，且藉電鍍銅處理而在無電鍍鎳層上形高品質的金屬銅層，具有不易剝落的優點。

矽甲烷耦合單元包含矽甲烷耦合槽及矽甲烷耦合液，且矽甲烷耦合液為含有矽甲烷(Silane)的溶液，是容置於矽甲烷耦合槽中。催化處理單元包含催化處理槽及催化處理液，且催化處理液為含有鈀離子的溶液。

無電鍍鎳處理單元包含至少一無電鍍鎳處理槽、無電鍍鎳處理液、無電鍍鎳處理液調配儲存筒及無電鍍鎳控制單元，其中無電鍍鎳處理液為含有鎳離子的溶液，是容置於無電鍍鎳處理槽中，而無電鍍鎳處理液調配儲存筒是連結至無電鍍鎳處理槽，用以調配並儲存無電鍍鎳處理，且由無電鍍鎳控制單元控制並維持無電鍍鎳處理液的鎳含量。

進一步而言，無電鍍鎳控制單元可包括操作介面、PLC控制器、鎳含量偵測器、pH感測器以及溫度感測器，其中操作介面提供操作者以操作PLC控制器的功能，鎳含量偵測器可偵測無電鍍鎳處理液的鎳含量，並產生對應於鎳含量的鎳含量信號，pH感測器可感測無電鍍鎳處理液的pH值，亦即酸鹼值，並產生對應於pH值的pH感測信號，溫度感測器可感測無電鍍鎳處理液的溫度，並產生對應於該溫度的溫度感測信號。

較佳的，鎳含量偵測器可利用光學色度計(colorimeter photocell)而實現。

PLC控制器可接收並依據鎳含量信號、pH感測信號以及溫度感測信號，藉以判斷無電鍍鎳處理液的鎳含量、pH值及溫度是否維持在預設範圍內。如果無電鍍鎳處理液的鎳含量、pH值及溫度超出預設範圍時，PLC控制器會起動幫浦，將無電鍍鎳處理液調配儲存筒中所儲存的無電鍍鎳處理液抽送到無電鍍鎳處理槽，直到無電鍍鎳處理液的鎳含量、pH值及溫度達到預設範圍。因此，可維持無電鍍鎳處理液在預設範圍內，用以精確控制無電鍍鎳層的厚度及品質。

此外，滾輪至滾輪傳送單元是利用螺球馬達或唧筒的拉升滾輪機構而使得基材在矽甲烷耦合單元、催化處理單元、無電鍍鎳控制單元中是以V形波浪狀升降的滾輪至滾輪傳送(roll to roll transfer)方式前進，藉以控制相對應的浸泡時間，進而控制矽甲烷層、催化層及無電鍍鎳層的厚度及結構，尤其是無電鍍鎳層的較佳厚度可為900-1000nm，而 900-1000nm的最小厚度及導電度可獲得銅電鍍的電解液流通，但不會在比如4安培每dm2下燒毀。

本發明的濕式金屬化處理監測控制系統還可進一步包括烘乾單元、清洗單元、多個洗滌器。烘乾單元可蒸發、烘乾而去除基材、矽甲烷層、催化層、無電鍍鎳層的外部上或內部中任何殘餘的液體，其中烘乾單元可藉能投射熱紅外線(thermal infrared)的紅外線烘乾器而實現，而由於熱紅外線可深入表層的內部，達到徹底烘乾的目的，而任何殘留液體對後續的加工處理或應用都是非常不利。清洗單元可在矽甲烷耦合單元之前，先對聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材進行清洗處理，並可包含清洗槽、清洗液及清洗液調配儲存筒，其中清洗液為鹼性溶液，是容置於清洗槽中，而洗液調配儲存筒連結至清洗槽，可調配並儲存清洗液。此外，每個洗滌器是配置於清洗單元、矽甲烷耦合單元、催化處理單元及無電鍍鎳處理單元之間，用以去除任何殘液。

因此，本發明濕式金屬化處理監測控制系統可利用聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯當作基材，藉矽甲烷耦合單元而在基材上形成矽甲烷層，並藉催化處理單元而形成催化層於矽甲烷層上，再藉無電鍍鎳處理單元形成無電鍍鎳層於催化層上，因而形成貼附佳而結合穩固的金屬化多層堆疊，使得無電鍍鎳層具有較佳的厚度及結構，很適合形成銅層，以當作電路層。

尤其是，無電鍍鎳控制單元可精確控制無電鍍鎳處理液的鎳含量、pH值及溫度在較佳的預設範圍內，確保無電鍍鎳層的成長速率、厚度及品質。

10‧‧‧基材

20‧‧‧矽甲烷耦合單元

21‧‧‧矽甲烷耦合槽

22‧‧‧矽甲烷耦合液

23‧‧‧矽甲烷耦合液調配儲存筒

30‧‧‧催化處理單元

31‧‧‧催化處理槽

32‧‧‧催化處理液

33‧‧‧催化處理液調配儲存筒

40‧‧‧無電鍍鎳處理單元

41‧‧‧無電鍍鎳處理槽

42‧‧‧無電鍍鎳處理液

43‧‧‧無電鍍鎳處理液調配儲存筒

44‧‧‧無電鍍鎳控制單元

45‧‧‧操作介面

46‧‧‧PLC控制器

47‧‧‧鎳含量偵測器

48‧‧‧pH感測器

49‧‧‧溫度感測器

50‧‧‧滾輪至滾輪傳送單元

P‧‧‧幫浦

第一圖顯示本發明實施例聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材的濕式金屬化處理監測控制系統的示意圖。

第二圖顯示第一圖中本發明無電鍍鎳控制單元的功能示意圖。

以下配合圖式及元件符號對本發明之實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。

參閱第一圖，本發明聚乙醯胺(Polyimide，PI)或聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)基材的濕式金屬化處理監測控制系統的示意圖。如第一圖所示，本發明聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材的濕式金屬化處理監測控制系統可在長條帶狀膜的聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材10上進行濕式金屬化處理，尤其是，本發明的濕式金屬化處理監測控制系統主要是包括矽甲烷耦合單元20、催化處理單元30以及無電鍍鎳處理單元40，且聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材10是由滾輪至滾輪傳送單元50所帶動而依序進入矽甲烷耦合單元20、催化處理單元30以及無電鍍鎳處理單元40，用以分別進行矽甲烷耦合處理、催化處理以及無電鍍鎳處理。

具體而言，長條帶狀膜的聚乙醯胺(Polyimide，PI)或聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)基材10被帶入矽甲烷耦合單元20中，經矽甲烷耦合處理而在聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材10上形成矽甲烷層，在催化處理單元中，經由進行催化處理而在矽甲烷層上形成催化層，催化層在經由無電鍍鎳控制單元的無電鍍鎳處理後形成無電鍍鎳層而堆疊在催化層上。

因此，本發明可在聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材10上形成由矽甲烷層、催化層及無電鍍鎳層依序堆疊的多層複合結構，且藉電鍍銅處理而在無電鍍鎳層上形高品質的金屬銅層，具有不易剝落的優點。

進一步而言，矽甲烷耦合單元20包含矽甲烷耦合槽21、矽甲烷耦合液22及矽甲烷耦合液調配儲存筒23，且矽甲烷耦合液22為含有矽甲烷(Silane)的溶液，是容置於矽甲烷耦合槽21中，而矽甲烷耦合液調配儲存筒23是用以調配並儲存新鮮的矽甲烷耦合液22以供應至矽甲烷耦合槽21，以維持矽甲烷耦合槽21中矽甲烷耦合液22的濃度在預設範圍內。

催化處理單元30包含催化處理槽31、催化處理液32及催化處理液調配儲存筒33，且催化處理液32為含有鈀離子的溶液，並容置於催化處理槽31中，而催化處理液調配儲存筒33是用以調配並儲存新鮮的催化處理液22以供應至催化處理槽31，使得催化處理槽31中催化處理液32 的濃度在整個金屬化處理過程中都能保持在預設範圍內。

無電鍍鎳處理單元40包含至少一無電鍍鎳處理槽41、無電鍍鎳處理液42、無電鍍鎳處理液調配儲存筒43及無電鍍鎳控制單元44。要注意的是，圖中是顯示二個無電鍍鎳處理槽41以方便說明本發明的特點，並非用以限定本發明的範圍，亦即，本發明實上是可使用任意數目的無電鍍鎳處理槽41。無電鍍鎳處理液42為含有鎳離子的溶液，是容置於無電鍍鎳處理槽41中，而無電鍍鎳處理液調配儲存筒43是連結至無電鍍鎳處理槽41，用以調配並儲存無電鍍鎳處理液42，且由無電鍍鎳控制單元44控制並維持無電鍍鎳處理液42的鎳含量、pH值。

此外，無電鍍鎳處理單元40還可進一步設置輸入液切換器(圖中未顯示)，用以將無電鍍鎳處理液調配儲存筒43所調配的無電鍍鎳處理液42切換輸入到其中一無電鍍鎳處理槽41中，以改善整體無電鍍鎳處理的效率。再者，無電鍍鎳控制單元40可在無電鍍鎳處理槽41及無電鍍鎳處理液調配儲存筒43之間配置過濾器，用以濾除無電鍍鎳處理槽41內無電鍍鎳處理液42因無電鍍鎳處理過程所產生的固態副產物，避免固態副產物輸送到無電鍍鎳處理液調配儲存筒43而影響所調配的無電鍍鎳處理液42的品質。

更加具體而言，無電鍍鎳控制單元44可偵測矽甲烷耦合槽21中矽甲烷耦合液22的矽甲烷濃度，並在矽甲烷耦合槽21的矽甲烷耦合液22的矽甲烷濃度低於預設範圍時，將矽甲烷耦合液調配儲存筒23是所調配的矽甲烷耦合液22補充到矽甲烷耦合槽21。此外，無電鍍鎳控制單元44還可進一步偵測催化處理槽31中催化處理液32的鈀離子濃度，並在催化處理槽31的催化處理液32的鈀離子濃度低於預設範圍時，將催化處理液調配儲存筒33是所調配的催化處理液32補充到催化處理槽31。

因此，本發明的無電鍍鎳控制單元44實質上可同時監測並控制矽甲烷耦合液2、催化處理液32及無電鍍鎳處理液42，以確保矽甲烷層、催化層及無電鍍鎳層的品質，達到長時間連續操作的目的。

為進一步清楚說明本發明的技術特徵及特點，請參考第二圖，顯示第一圖中本發明無電鍍鎳控制單元的功能示意圖。具體而言，無電鍍鎳控制單元44可包括操作介面45、PLC控制器46、鎳含量偵測器47、pH感測器48以及溫度感測器49。操作介面45可提供操作者以操作PLC控制器46的功能，而鎳含量偵測器47可偵測無電鍍鎳處理液42的鎳含量，並產生對應於鎳含量的鎳含量信號，pH感測器48可感測無電鍍鎳處理液42的pH值，亦即酸鹼值，並產生對應於pH值的pH感測信號，溫度感測器49可感測無電鍍鎳處理液42的溫度，並產生對應於該溫度的溫度感測信號。較佳的，鎳含量偵測器可利用光學色度計(colorimeter photocell)而實現。

PLC控制器46可接收並依據鎳含量信號、pH感測信號以及溫度感測信號，藉以判斷無電鍍鎳處理液42的鎳含量、pH值及溫度是否維持在預設範圍內。如果無電鍍鎳處理液42的鎳含量、pH值及溫度超出預設範圍時，PLC控制器46會起動幫浦，將無電鍍鎳處理液調配儲存筒43中所儲存的無電鍍鎳處理液抽送到無電鍍鎳處理槽41，直到無電鍍鎳處理槽41內無電鍍鎳處理液42的鎳含量、pH值及溫度達到預設範圍。

因此，無電鍍鎳控制單元44可維持無電鍍鎳處理液42在預設範圍內，用以精確控制無電鍍鎳層的厚度、成長速率及品質，尤其是無電鍍鎳層的較佳厚度可為900-1000nm。

此外，無電鍍鎳控制單元44可進一步包括矽甲烷偵測器(圖中未顯示)及鈀離子偵測器(圖中未顯示)，用以分別偵測矽甲烷耦合單元的矽甲烷濃度以及催化處理單元的鈀離子濃度。

再者，上述的滾輪至滾輪傳送單元50是利用螺球馬達或唧筒的拉升滾輪機構而使得基材10在矽甲烷耦合單元20、催化處理單元30、無電鍍鎳處理單元40中是以V形波浪狀升降的滾輪至滾輪傳送(roll to roll transfer)方式前進，藉以控制相對應的浸泡時間，進而控制矽甲烷層、催化層及無電鍍鎳層的厚度及結構。本發明的滾輪至滾輪傳送單元50可在連續處理下完成200m長的基材10，以確保品質及性能的穩定性及均一性。

此外，在無電鍍鎳層的厚度達到900-1000nm的最小厚度以及導電度下，可獲得銅電鍍的電解液流通，但不會在比如4安培每dm2下燒毀。

另外，本發明的濕式金屬化處理監測控制系統可進一步包括烘乾單元(圖中未顯示)，用以蒸發、烘乾而去除基材、矽甲烷層、催化層、無電鍍鎳層的外部上或內部中任何殘餘的液體，其中烘乾單元可藉能投射熱紅外線(thermal infrared，TIR)的紅外線烘乾器而實現，而由於熱紅外線可深入表層的內部，所以能達到徹底烘乾的目的，而任何殘留液體對後續的加工處理或應用都是非常不利。尤其是，烘乾單元所投射的熱紅外線可加熱目標物的表面到約200℃，並可穿透到具奈米分子空隙的Ni、Pd、Si-PI分子鍵結層狀結構中深入約2~3微米。

本發明的濕式金屬化處理監測控制系統也可包括清洗單元(圖中未顯示)，用以在矽甲烷耦合單元之前，先對聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯基材10進行清洗處理，並可包含清洗槽、清洗液及清洗液調配儲存筒(圖中未顯示)，其中清洗液為鹼性溶液，是容置於清洗槽中，而洗液調配儲存筒連結至清洗槽，可調配並儲存清洗液。

此外，本發明的濕式金屬化處理監測控制系統還可進一步包括多個洗滌器(圖中未顯示)，且每個洗滌器是配置於清洗單元、矽甲烷耦合單元20、催化處理單元30及無電鍍鎳處理單元40之間，用以去除任何殘液。

由於基材10、矽甲烷層、催化層以及無電鍍鎳層相互間的結合性較強，所以整體的強度可大幅提高，能改善耐用性，使得具有矽甲烷層、催化層以及無電鍍鎳層的基材10很適合提供後續鍍銅製程而在無電鍍鎳層上形成優質的銅層，當作軟性電路基板用，比如可進一步藉銅蝕刻處理而製作出所需的軟性電路板。

此外，本發明的濕式金屬化處理監測控制系統，比起傳統的系統，比如濺鍍，更具有以下優點：1. 就經濟觀點，可省下對濃鍍機具的昂貴資本投資；2. 應用於濕式金屬化的滾輪至滾輪傳輸設備，其產量效能對投資的比率是比濺鍍機具更高；3. 濕式金屬化可連結到電解液酸銅處理，即所謂的濕式_濕式製程連結，降低製程整合的風險；4. 濕式_濕式連結能帶來洗去在金屬化的預先處理中薄膜基材上脫膜劑的優點，而脫膜劑會造成最終表面上的有機結瘤；以及5. FC銅膜是經蝕刻程序的處理而用於電路線，但是在蝕刻處理中，金屬化的沉積特性-鎳，比起濃鍍的金屬，是非常不易剝離，具有較佳的貼附性。

再者，本發明的系統可提供獨特的化學處理，其中矽甲烷_無機與有機分子的耦合-從頂層的-Ni=Pd=Si=及底層的PI高分子的分子鏈結，尤其本發明的重點是在於Si-Pd-Ni為奈米材料尺寸大小，且為確保黏合強度，我們加入投射熱紅外線的處理，其中波長為80~15微米，而能量80~150meV，藉以完全去除水分子。

本發明所使用的滾輪至滾輪傳送單元50是意指能帶動基材10而以V形波浪狀的薄膜姿勢而在水平方向上傳送，具體實現可長時間且連續操作的無電鍍鎳處理。尤其是，滾輪至滾輪傳送單元50更具有以下特點：是包含自動抬升裝置，對應於金屬使用消耗翻次(MTO，Metal Turn Over)，可延長基材浸泡的距離，亦即可延長浸泡時間，因而是控制穩定且固定的鎳沉積厚度的最適當方法；屬於連續操作方式，可同時交換最終的無電鍍鎳溶液成新的結構，包含運送及半自動加料裝置；以及為適應中空結構-高爾夫球表面-滾輪(自由移動)，藉以保持液流空間是朝向滾輪表面，可避免無電鍍鎳(ENi)不規則的沉積到滾輪而影響品質

更加具體而言，本發明系統中非常重要的一點是如何保證或確保滾輪FC膜(約200m)能在長時間連續操作下的高品質及/或高良率。另一方面，藉本發明系統所實現的金屬化處理包括精密化學溶液處理，含有耦合劑、催化劑以及無電鍍鎳。這些都需要適當的溶液即時分析以及化學物補充，亦即所謂的量測及控制連結系統。因此本發明所使用之處理單元的要點是尤其需要FC滾輪至滾輪、水平傳送機構，特別是能達成V形及波浪狀的薄膜姿勢(滾輪至滾輪水平傳送)機構。

由於無電鍍鎳處理具有一定的使用壽命，所以其中的次磷酸鹽的還原劑會在進行鎳沉積時被氧化而形成正磷酸鹽，而且這種副產物會降低沉積比率。因此，就連續性滾輪至滾輪的自動操作而言，交換使用槽中及待命槽(硝酸鈍化及浴槽結構)是很重要，而本發明所揭露的技術內容能確實達成上述的要求。

此外，本發明的濕式金屬化處理監測控制系統是屬於滾輪式的連續處理製程所需，可提高產量，適合連續式生產，優於一般的批次式生產模式。另一特點是，可輕易結合其他適式製程的設備，比如形成電鍍銅層的濕式鍍銅製程設備，可降低整合的成本及相關技術風險。

綜上所述，本發明濕式金屬化處理監測控制系統的主要特點在於利用具線上即時負載因素偵測特性的補充裝置而控制連續操作時所需溶液的穩定性，並利用聚乙醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯當作基材，藉矽甲烷耦合處理單元而在基材上形成矽甲烷層，並藉催化處理單元而形成催化層於矽甲烷層上，再藉無電鍍鎳控制單元形成無電鍍鎳層於催化層上，因而形成貼附佳而結合穩固的金屬化多層堆疊，尤其是，無電鍍鎳層具有較佳的厚度及結構，很適合形成銅層，當作電路層用，比起傳統的濃鍍製程具有較低的製作成本，能提高經濟誘因及產業利用性。

本發明的另一特點在於針對矽甲烷耦合、催化處理、無電鍍鎳處理之浴槽溶液，提供即時監控負載因數及/或浴槽壽命的裝置，並且配置適當的量測裝置，用於無電鍍鎳處理槽及PLC之浴槽控制鏈結系統的化學參數。上述的浴槽控制鏈結系統是指浴槽化學物補充系統、浴槽壽命監控及顯示器操作者介面系統，藉以維持排程。

在實際的滾輪至滾輪連續操作中，是無法中斷自動化的化學處理程序。藉由維持工具，可進行很長的操作時間，比如100分鐘，並且處理最少200公尺長的滾筒捲繞，而維持工具是包括硝酸及無電鍍鎳的儲存筒或儲存筒鈍化、無電鍍鎳處理槽的新組成、催化處理槽的流出及流入 (BLEED & FEED，B&F)交換，以及矽甲烷處理槽的B&F交換。維持工具必須在滾輪交換期間時運作。此時，即時操作、浴槽壽命監控系統及中斷維持時的排程預先通知都是相當重要。

當然，在100分鐘內，必須經由精確的化控制系統，以確保化學處理程序的品質。

無電鍍鎳控制單元可精確控制無電鍍鎳處理液的鎳含量、pH值及溫度在較佳的預設範圍內，以確保無電鍍鎳層的成長速率、厚度及品質。尤其是，本發明系統是利用獨特的化學參數量測及分析裝置，並且以PLC為主的化學試劑的補充系統是配置有滾輪到滾輪傳送設備，並且同步運作進行。所以，本發明是屬於一種具線上量測單元的自動PLC處理系統，亦即具有，，線上即時的負載因素偵測”的特性，是由光學色度計(鎳偵測器)、電極感測器(pH偵測器)、熱感測器所構成，且化學物補充單元是控制成連結到量測單元，可針對所有的濕式處理，清洗器-矽甲烷耦合處理-催化劑，以及無電鍍鎳控制單元，可確保金屬化處理中適當的化學成份。

再者，在本發明系統的這種嚴格的處理槽或浴槽(Bath Solution)條件控制中，無電鍍鎳胞(ENi Cell)中鎳的即時偵測值是等同於鎳消耗量的標記，可對應於沉積速率，主要是會影響金屬使用消耗翻次(metal turn over，MTO)-浴槽(bath solution)壽命(Bath Life)。MTO是定義成在原始浴槽中鎳消耗速率的翻轉次數。在濕式製程中，我們使用次磷酸鹽還原劑(約28g/L)，鎳約8g/L，20g/L的酸(chelate錯塩)液以及鉍錫(化合物)的抗催化劑。使用在約70度的溫度下。沉積速率約0.14微米/分。此時，1MTO是8g/L鎳消耗量的標記。我們使用浴槽高達2.5MTO，並構成新的浴槽。

鎳沉積速率在約1.2MTO後，是以每個MTO(deposit speed slow down corresponding to MTO increasing)緩慢下降2%而以S形適當下降，導致次磷酸鹽被氧化成正(亜)磷酸鹽，且正(亜)磷酸鹽(及硫酸鈉)(屬於副產物)是依據MTO而累積。這絕對會影響到陰極表面上次磷酸鹽及/或正磷酸鹽(無還原劑)比率的分佈。本發明可確保鎳沉積厚度，約900Å，並可藉自動延伸浸泡時間而達成。

ENi浴槽中鎳偵測值的參數是等效於矽甲烷調節浴槽中及鈀催化劑浴槽中一般的負載因素，而負載因素是等效於浴槽壽命，並定義成浴負荷面積，亦即”dm²每分鐘”。如果ENi能好好控制到固定沉積速率，則Ni消耗量(每分鐘)的偵測能決定β[dm²每分鐘]=α x Ni消耗量(/dm²)/沉積比(/dm²)，其中α是MTO的參數。β[dm²每分鐘]將會隨著薄膜的直線速率及寬度而不同。

矽甲烷及鈀消耗量是對應於表面大小(dm²)的吸附速率，所以能統計上的決定，每個負載因素[dm²每分鐘]的補充X ml/L。因此，補充能藉β(分)X每分鐘而控制。

浴槽方法是意指有一半體積的消耗浴槽溶液流出，並同時流入相同體積的新鮮溶液，亦即B & F交換方法，其中B & F交換方法對於者類的浴槽是相當重要，因為需要1~2g/L規律密度的良好分散，且必須花費時間。流出及流入處理的時間是取決於浴槽負載因素，以及每個浴槽的基準。矽甲烷耦合浴槽中一半體積的B & F交換壽命大約10天，其中每天操作16小時，且在完全的浴槽交換基礎下每分鐘的處理速度為2公尺。在相同操作條件下，催化處理是7天。實際上，B & F交換的時序是藉負載因素的累積而自動量測，並與基準比較。

在實際的滾輪至滾輪連續操作中，是無法中斷自動化的化學處理程序。藉由維持工具，可進行很長的操作時間，比如100分鐘，並且處理最少200公尺長的滾筒捲繞，而維持工具是包括硝酸及無電鍍鎳的儲存筒或儲存筒鈍化、無電鍍鎳處理槽的新組成、催化處理槽的流出及流入(BLEED & FEED，B&F)交換，以及矽甲烷處理槽的B&F交換。維持工具必須在滾輪交換期間時運作。此時，即時操作、浴槽壽命監控系統及中斷維持時的排程預先通知都是相當重要。

以上所述者僅為用以解釋本發明之較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上之限制，是以，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。