TWI549822B - 抗反射膜製造方法及溶液回收方法 - Google Patents

Description

抗反射膜製造方法及溶液回收方法

本發明是有關於一種抗反射膜製造方法及溶液回收方法，特別是有關於一種可用於大面積基板與減少溶液用量的抗反射膜製造方法及溶液回收方法。

光線在不同介質間傳遞時，在界面處會發生部份穿透與部份反射的現象，藉由抗反射處理可減少反射、增加穿透率。將抗反射處理應用於光學成像系統，可提高影像清晰度、減少雜散光與消除鬼影。將抗反射處理應用於太陽能電池，可避免因反射所造成的能量損失。

習用抗反射處理係在基材形成一抗反射膜，藉由控制抗反射膜的光學厚度(抗反射膜折射率與抗反射膜厚度的乘積)為入射波波長λ/4的奇數倍，使反射波產生破壞性干涉，以降低反射率。然而，此種抗反射膜對於其他波長光源的抗反射效果較差，此外，當以玻璃或塑膠為基材時，需使用折射率為1.2至1.3的材質作為抗反射膜，方能有效降低反射率，要取得到折射率如此低的材質並不容易。

另有使用多孔材質形成為多孔抗反射膜，前述多孔材質係指具有均勻分佈的孔洞，且孔徑遠小於光的波長，藉此有助於防止光由孔洞中散射而出，此外，孔洞中所佈滿空氣有助於降低多孔抗反射膜的折射率，故被廣泛使用。

目前製造多孔抗反射膜的方法包含蝕刻製程(etching process)、溶膠凝膠法(sol-gel)、旋轉塗佈法等，然而，前述方法皆不適用於大面積的基板。

本發明之一目的是在提供一種抗反射膜製造方法，其適用於大面積的基板，並可減少溶液用量、降低成本與提高良率。

本發明之另一目的是在提供一種溶液回收方法，其可將抗反射膜製造方法中所使用的溶液回收再利用，而可節省成本並可降低環境污染。

依據本發明之一態樣之一實施方式是在提供一種抗反射膜製造方法，依序包含以下步驟：提供一透明基板與一溶液套組、沉積一聚電解質層、進行一酸浴步驟、進行一成孔步驟、進行一乾燥步驟與進行一熱處理步驟。

溶液套組包含第一聚電解質溶液、第二聚電解質溶液與緩衝用第二聚電解質溶液，第一聚電解質溶液為聚烯丙胺氯化氫(poly(allylamine hydrochloride)，PAH)溶液或聚丙烯酸(poly(acrylic acid)，PAA)溶液，當第一聚電解質溶液為PAH溶液時，第二聚電解質溶液為PAA溶液，當第一 聚電解質溶液為PAA溶液時，第二聚電解質溶液為PAH溶液。緩衝用第二聚電解質溶液與第二聚電解質溶液的成份相同。第一聚電解質溶液具有第一初始pH值，第二聚電解質溶液具有第二初始pH值，第一聚電解質溶液、第二聚電解質溶液與緩衝用第二聚電解質溶液分別盛裝於一盤狀容器並於各盤狀容器具有一覆蓋高度，使第一聚電解質溶液、第二聚電解質溶液與緩衝用第二聚電解質溶液覆蓋透明基板。

沉積聚電解質層的步驟依序包含以下步驟：(i)將透明基板浸泡於第一聚電解質溶液5分鐘至15分鐘，以形成第一聚電解質薄膜，(ii)進行至少一第一清洗步驟，係將透明基板浸泡於去離子水中10秒至90秒，(iii)將透明基板浸泡於緩衝用第二聚電解質溶液30秒至2分鐘，(iv)將透明基板浸泡於第二聚電解質溶液5分鐘至15分鐘，以形成一第二聚電解質薄膜，其中，聚電解質層係包含第一聚電解質薄膜與第二聚電解質薄膜。

進行酸浴步驟係將透明基板浸泡於酸性溶液中，以使聚電解質層產生崩塌。進行成孔步驟係將透明基板浸泡於另一去離子水中，使聚電解質層產生複數個孔洞以形成多孔層。進行乾燥步驟係以壓縮空氣吹乾透明基板。進行熱處理步驟係將透明基板以200℃至240℃加熱1小時至3小時，以形成抗反射膜。

依據前述之抗反射膜製造方法，其中溶液套組可更包含緩衝用第一聚電解質溶液，此緩衝用第一聚電解質溶 液與第一聚電解質溶液的成份相同。沉積聚電解質層的步驟可更依序包含以下步驟：(v)進行至少一第二清洗步驟，係於(iv)步驟後，將透明基板浸泡於另一去離子水中10秒至90秒，(vi)將透明基板浸泡於緩衝用第一聚電解質溶液30秒至2分鐘，(vii)重複(i)步驟至(iv)步驟。

依據前述之抗反射膜製造方法，沉積聚電解質層的步驟可更包含於(vii)步驟後，重複(v)步驟至(vii)步驟。

依據前述之抗反射膜製造方法，其中第一清洗步驟可進行三次，第二清洗步驟可進行三次。

依據前述之抗反射膜製造方法，可更包含形成一保護膜，使保護膜覆蓋抗反射膜，保護膜的成份為1H,1H,2H,2H-全氟十七烷三甲基氧矽烷。前述形成保護膜的步驟可依序包含以下步驟：提供一保護膜溶液、塗佈保護膜溶液於抗反射膜上、進行一第一階段烘乾，使抗反射膜上的保護膜溶液乾燥、進行一第二階段烘乾，係以100℃至200℃進行0.5小時至2.5小時。

依據前述之抗反射膜製造方法，其中聚烯丙胺氯化氫溶液的濃度可為0.01M，且pH可等於8.5。聚丙烯酸的濃度可為0.01M，且pH可等於3.5。前述進行酸浴步驟之酸性溶液的pH可等於1.8。前述進行乾燥步驟可於2分鐘內完成。透明基板可為強化玻璃。

依據本發明之另一態樣之一實施方式是在提供一種溶液回收方法，用於回收前述抗反射膜製造方法中的溶液，包含進行一pH調整步驟，與進行一溶液高度調整步 驟。進行pH調整步驟係添加酸或鹼使第一聚電解質溶液回復至第一初始pH值，並添加酸或鹼使第二聚電解質溶液回復至第二初始pH值。進行溶液高度調整步驟係添加另一第一聚電解質溶液，使前述的第一聚電解質溶液回復至第一聚電解質溶液的覆蓋高度，並添加另一第二聚電解質溶液，使前述的第二聚電解質溶液回復至第二聚電解質溶液的覆蓋高度。

依據前述之溶液回收方法，其中酸可為鹽酸，鹽酸的濃度可為1M，鹼可為氫氧化鈉，氫氧化鈉的濃度可為1M。

110、120、130、140、150、160、170‧‧‧步驟

121、122、123、124、125、126、127、128‧‧‧步驟

171、172、173、174‧‧‧步驟

610、620‧‧‧步驟

700‧‧‧透明基板

710、721、722、723、730、740、751、752、753、760‧‧‧盤狀容器

711‧‧‧第一聚電解質溶液

761‧‧‧緩衝用第一聚電解質溶液

741‧‧‧第二聚電解質溶液

731‧‧‧緩衝用第二聚電解質溶液

721a、722a、723a、751a、752a、753a‧‧‧去離子水

770‧‧‧墊高物

第1圖為依照本發明一實施方式之抗反射膜製造方法的步驟流程圖。

第2圖為第1圖之沉積一聚電解質層的步驟流程圖。

第3圖為依照本發明另一實施方式之沉積一聚電解質層的步驟流程圖。

第4圖為依照本發明另一實施方式之抗反射膜製造方法的步驟流程圖。

第5圖為第4圖之形成一保護膜的步驟流程圖。

第6圖為依照本發明一實施方式之溶液回收方法的步驟流程圖。

第7圖為依照本發明一實施例之沉積一聚電解質層的步驟 示意圖。

請參照第1圖，其為依照本發明一實施方式之抗反射膜製造方法的步驟流程圖，依序包含步驟110、步驟120、步驟130、步驟140、步驟150與步驟160。

步驟110為提供一透明基板與一溶液套組。透明基板可為強化玻璃。溶液套組包含第一聚電解質溶液、第二聚電解質溶液與緩衝用第二聚電解質溶液，第一聚電解質溶液為PAH溶液或PAA溶液，當第一聚電解質溶液為PAH溶液時，第二聚電解質溶液為PAA溶液，當第一聚電解質溶液為PAA溶液時，第二聚電解質溶液為PAH溶液，換言之，第一聚電解質溶液與第二電解質溶液中，其中一者是PAH溶液，另一者為PAA溶液，藉此，可形成PAH/PAA聚電解質層。依據本發明一實施例，PAH溶液的濃度為0.01M、pH=8.5，PAA溶液的濃度為0.01M、pH=3.5。

緩衝用第二聚電解質溶液與第二聚電解質溶液的成份相同。溶液套組可更包含緩衝用第一聚電解質溶液，緩衝用第一聚電解質溶液與第一聚電解質溶液的成份相同。

第一聚電解質溶液具有第一初始pH值，第二聚電解質溶液具有第二初始pH值，第一聚電解質溶液、第二聚電解質溶液與緩衝用第二聚電解質溶液分別盛裝於一盤狀容器，並於各自的盤狀容器具有一覆蓋高度，使第一聚電 解質溶液、第二聚電解質溶液與緩衝用第二聚電解質溶液可覆蓋透明基板。較佳地，第一聚電解質溶液、第二聚電解質溶液與緩衝用第二聚電解質溶液的覆蓋高度僅需略淹過透明基板，以減少PAH溶液與PAA溶液的使用量，PAH溶液的價格極為昂貴，藉此，可有效降低成本。

步驟120為沉積一聚電解質層，具體言之，此聚電解質層為PAH/PAA聚電解質層。請同時參照第2圖，其為第1圖之沉積聚電解質層步驟120的步驟流程圖，依序包含步驟121、步驟122、步驟123與步驟124。

步驟121為將透明基板浸泡於第一聚電解質溶液5分鐘至15分鐘，以形成一第一聚電解質薄膜。

步驟122為進行至少一第一清洗步驟，係將透明基板浸泡於去離子水中10秒至90秒。藉此，可避免透明基板上所殘留的第一聚電解質溶液污染緩衝用第二聚電解質溶液及第二聚電解質溶液，可延長緩衝用第二聚電解質溶液及第二聚電解質溶液的使用壽命，並可提高抗反射膜的製造良率。依據本發明一實施例，第一清洗步驟可進行三次，每次進行40秒，並以乾淨的去離子水為佳。

步驟123為將透明基板浸泡於緩衝用第二聚電解質溶液30秒至2分鐘，藉此，可避免透明基板上所殘留的去離子水稀釋第二聚電解質溶液，可延長第二聚電解質溶液的使用壽命，並可提高抗反射膜的製造良率。依據本發明一實施例，將透明基板浸泡於緩衝用第二聚電解質溶液的時間為1分鐘。

步驟124為將透明基板浸泡於第二聚電解質溶液5分鐘至15分鐘，以形成一第二聚電解質薄膜。

經上述步驟後，可於透明基板上沉積單層PAH/PAA聚電解質層，前述『單層』是指PAH/PAA聚電解質層中第一聚電解質薄膜與第二聚電解質薄膜的數量皆為一。本發明之抗反射膜製造方法可製備多層PAH/PAA聚電解質層，例如：2層PAH/PAA聚電解質層，係指第一聚電解質薄膜與第二聚電解質薄膜的數量皆為二，且第一聚電解質薄膜與第二聚電解質薄膜彼此交疊。又例如：2.5層PAH/PAA聚電解質層，係指第一聚電解質薄膜的數量為三，第二聚電解質薄膜的數量為二，且第一聚電解質薄膜與第二聚電解質薄膜彼此交疊。本發明之抗反射膜製造方法可依實際需求，製備不同層數的PAH/PAA聚電解質層，關於多層PAH/PAA聚電解質層的製備方法，請參見下文中相關段落。

請復參見第1圖，步驟130為進行一酸浴步驟，係將透明基板浸泡於酸性溶液中，以使聚電解質層產生崩塌。依據本發明一實施例，酸性溶液的pH等於1.8，且酸性溶液可使用鹽酸。

步驟140為進行一成孔步驟，係將透明基板浸泡於另一去離子水中，使聚電解質層產生複數個孔洞以形成一多孔層，藉此，所生成孔洞的孔徑小於100奈米，且孔洞呈均勻分佈狀態，有助於降低反射率與降低最終產物抗反射膜的折射率。

步驟150為進行一乾燥步驟，係以壓縮空氣吹乾透 明基板。較佳地，乾燥步驟係於2分鐘內完成，更佳地，乾燥步驟係於1分鐘內完成，藉由於短時間內完成乾燥步驟，有助於提高抗反射膜的製造良率。依據本發明一實施例，係使用兩個以上壓縮空氣的吹管，同步吹乾透明基板中面積最大的兩表面。

步驟160為進行一熱處理步驟，係將透明基板以200℃至240℃加熱1小時至3小時，以形成一抗反射膜，藉由加熱步驟，可加強抗反射膜與透明基板之間的附著力，降低抗反射膜由透明基板上脫落的不良率。依據本發明一實施例，係以220℃加熱2小時。

請參照第3圖，其為依照本發明另一實施方式之沉積一聚電解質層的步驟流程圖。在本實施方式中，在步驟124後，更包含進行步驟125、步驟126、步驟127與步驟128，以於透明基板上沉積多層PAH/PAA聚電解質層。

步驟121至步驟124係於透明基板上沉積單層PAH/PAA聚電解質層，亦即透明基板上沉積有一層第一聚電解質薄膜與一層第二聚電解質薄膜。

步驟125係進行至少一第二清洗步驟，係將透明基板浸泡於去離子水中10秒至90秒。藉此，可避免透明基板上所殘留的第二聚電解質溶液污染緩衝用第一聚電解質溶液及第一聚電解質溶液，可延長緩衝用第一聚電解質溶液及第一聚電解質溶液的使用壽命，並可提高抗反射膜的製造良率。依據本發明一實施例，第二清洗步驟可進行三次，每次進行40秒，並以乾淨的去離子水為佳。

步驟126係將透明基板浸泡於緩衝用第一聚電解質溶液30秒至2分鐘，藉此，可避免透明基板上所殘留的去離子水稀釋第一聚電解質溶液，可延長第一聚電解質溶液的使用壽命，並可提高抗反射膜的製造良率。依據本發明一實施例，將透明基板浸泡於緩衝用第一聚電解質溶液的時間為1分鐘。

步驟127係重複步驟121至步驟124，經前述步驟後，透明基板上沉積有2層PAH/PAA聚電解質層，由透明基板往外依次為第一聚電解質薄膜、第二聚電解質薄膜、第一聚電解質薄膜與第二聚電解質薄膜。若僅欲沉積2層PAH/PAA聚電解質層，可直接進行第1圖中的步驟130至步驟160。

步驟128係重複步驟125至步驟127，藉此，使透明基板上PAH/PAA聚電解質層的層數由2層變3層，可重複步驟128，使透明基板上PAH/PAA聚電解質層的層數達到所需的層數。

若欲得到1.5層的PAH/PAA聚電解質層，則於前述步驟127中，僅重複步驟121即可。

由上述實施方式可知，本發明之抗反射膜製造方法可依實際需求，製備不同層數的PAH/PAA聚電解質層。

第4圖為依照本發明一實施方式之抗反射膜製造方法的步驟流程圖。在本實施方式中，在步驟160後，再進行步驟170。

步驟170為形成一保護膜，使保護膜覆蓋抗反射 膜，保護膜的成份為1H,1H,2H,2H-全氟十七烷三甲基氧矽烷，其具有如式(I)所示之一結構： 藉由保護膜，可保護抗反射膜，避免抗反射膜受外力影響而被刮除或脫落。

請參照第5圖，其為第4圖之形成一保護膜的步驟流程圖。依序包含步驟171、步驟172、步驟173與步驟174。

步驟171為提供一保護膜溶液。依據本發明一實施例，係將濃度2.8wt%的1H,1H,2H,2H-全氟十七烷三甲基氧矽烷以400倍體積的水稀釋，以形成保護膜溶液。

步驟172為塗佈保護膜溶液於抗反射膜上。依據本發明一實施例，係使用滴管將保護膜溶液均勻塗佈於抗反射膜上。

步驟173為進行一第一階段烘乾，使抗反射膜上的保護膜溶液乾燥。前述『乾燥』係指於抗反射膜上幾乎看不到保護膜溶液的液滴。依據本發明一實施例，第一階段烘乾溫度約為90℃。

步驟174為進行一第二階段烘乾，係以100℃至200℃進行0.5小時至2.5小時。依據本發明一實施例，第二階段烘乾係以150℃進行1.5小時。

在步驟173與步驟174之間，可更包含一檢測步 驟，以確定保護膜均勻塗佈於抗反射膜上。檢測步驟如下：於塗佈有保護膜的抗反射膜上滴去離子水，若去離子水形成完整液滴，表示有保護膜，若去離子水散開，則表示無保護膜，此檢驗步驟是基於保護膜為疏水性，而PAH與PAA為親水性。若保護膜塗佈不均勻，可進行一補充步驟。補充步驟如下，首先，提供一補充溶液，依據本發明一實施例，係將濃度2.8wt%的1H,1H,2H,2H-全氟十七烷三甲基氧矽烷以500倍體積的水稀釋，以形成補充溶液，並將補充溶液以滴管塗佈於抗反射膜上無保護膜之處。藉由檢測步驟與補充步驟，有助於提升保護膜的均勻性，進而提升保護膜對抗反射膜的保護。

請參照第6圖，其為依照本發明一實施方式之溶液回收方法的步驟流程圖，包含步驟610與步驟620。將進行過前述抗反射膜製造方法的第一聚電解質溶液與第二聚電解質溶液經過步驟610與步驟620的處理，可將處理過的第一聚電解質溶液與第二聚電解質溶液再度應用於抗反射膜製造方法，而不需倒掉，故可節省成本並降低環境污染。

步驟610為進行一pH調整步驟，係添加酸或鹼使第一聚電解質溶液回復至第一初始pH值，並添加酸或鹼使第二聚電解質溶液回復至第二初始pH值。依據本發明一實施例，酸可使用濃度為1M的鹽酸，鹼可使用濃度為1M的氫氧化鈉。

步驟620為進行一溶液高度調整步驟，係添加另一第一聚電解質溶液，使第一聚電解質溶液回復至第一聚電 解質溶液的覆蓋高度，並添加另一第二聚電解質溶液，使第二聚電解質溶液回復至第二聚電解質溶液的覆蓋高度。前述另一第一聚電解質溶液可與抗反射膜製造方法中第一聚電解質溶液一開始(即尚未進行反應)的濃度與成份相同。前述另一第二聚電解質溶液可與抗反射膜製造方法中第二聚電解質溶液一開始(即尚未進行反應)的濃度與成份相同。

實施例1

請參照第7圖，其為依照本發明一實施例之沉積一聚電解質層的步驟示意圖。首先，提供透明基板700、盛裝有第一聚電解質溶液711的盤狀容器710、盛裝去離子水721a的盤狀容器721、盛裝有去離子水722a的盤狀容器722、盛裝有去離子水723a的盤狀容器723、盛裝有緩衝用第二聚電解質溶液731的盤狀容器730、盛裝有第二聚電解質溶液741的盤狀容器740、盛裝有去離子水751a的盤狀容器751、盛裝有去離子水752a的盤狀容器752、盛裝有去離子水753a的盤狀容器753，與盛裝有緩衝用第一聚電解質溶液761的盤狀容器760，前述盤狀容器(710、721、722、723、730、740、751、752、753、760)的形狀可為但不限於圓形，亦可為長方形、正方形或其它形狀，以與透明基板700的形狀對應為佳。

第一聚電解質溶液711與緩衝用第一聚電解質溶液761為濃度為0.01M、pH=8.5的PAH溶液，第二聚電解質溶液741與緩衝用第二聚電解質溶液731為濃度為 0.01M、pH=3.5的PAA溶液。

為簡化敘述，下文中以『液體』作為第一聚電解質溶液711、去離子水721a、去離子水722a、去離子水723a、緩衝用第二聚電解質溶液731、第二聚電解質溶液741、去離子水751a、去離子水752a、去離子水753a或緩衝用第一聚電解質溶液761的簡稱。

透明基板700為一強化玻璃。並於前述各個盤狀容器中的底部放置墊高物770，用以墊高透明基板700，以利透明基板700的上、下表面皆可充份接觸各個盤狀容器中的液體。在本實施例中，墊高物770可使用載玻片。前述各盤狀容器中的液體高度以可覆蓋過透明基板700為基準，當各盤狀容器中的液體的高度越接近透明基板700，所需的液體越少。藉此，可有效減少PAH溶液與PAA溶液的用量，以有效降低成本，當透明基板700的面積越大，效益越明顯。

接著，於透明基板700上沉積5.5層的PAH/PAA聚電解質層，意即PAH/PAA聚電解質層中第一聚電解質薄膜的數量為六，第二聚電解質薄膜的數量為五，方法如下：將透明基板700依以下順序浸泡：第一聚電解質溶液711中5分鐘~15分鐘，去離子水721a中40秒，去離子水722a中40秒，去離子水723a中40秒，緩衝用第二聚電解質溶液731中1分鐘，第二聚電解質溶液741中5分鐘~15分鐘，去離子水751a中40秒，去離子水752a中40秒，去離子水753a中40秒，緩衝用第一聚電解質溶液761中1分鐘， 重複前述浸泡的步驟，直到PAH/PAA聚電解質層的層數為5.5層。

每次將透明基板700由液體中取出時，應儘量將殘留於透明基板700的液體抖乾，避免不同液體之間互相污染，且前述各去離子水以使用一次為限，藉由使用乾淨的去離子水可降低透明基板700霧化的情形，進而提升抗反射膜的製造良率。

接著，將透明基板700浸泡於pH=1.8的酸性溶液中約65秒，以使PAH/PAA聚電解質層產生崩塌。再將透明基板700浸泡於另一去離子水中，使PAH/PAA聚電解質層產生複數個孔洞以形成一多孔層。

接著，進行一乾燥步驟，係以壓縮空氣同步吹乾透明基板的上、下表面，並於1分鐘內完成。在進行熱處理步驟，係將透明基板以220℃加熱2小時，以形成抗反射膜。

最後，於抗反射膜上形成保護膜。具體言之，先將重量百分比2.8%的1H,1H,2H,2H-全氟十七烷三甲基氧矽烷以400倍體積的水稀釋，以形成保護膜溶液。再使用滴管將保護膜溶液均勻塗佈於抗反射膜上。接著，以90℃進行第一階段烘乾，使抗反射膜上幾乎看不到保護膜溶液的液滴。再進行檢測步驟與補充步驟，係將去離子水滴到塗佈過保護膜的抗反射膜上，於去離子水散開處，以滴管塗佈補充溶液，補充溶液係將濃度2.8wt%的1H,1H,2H,2H-全氟十七烷三甲基氧矽烷以500倍體積的水稀釋。待確定保護膜均勻塗佈於抗反射膜上後，進行第二階段烘乾，係以 150℃進行1.5小時。

抗反射性質檢測

將實施例1之沉積有抗反射膜與保護膜的透明基板700放置到太陽能板上，在使用最大功率追蹤器的情況下，測量太陽能板所收集到的電能A，共進行三次實驗。

另將素面的強化玻璃(未沉積有抗反射膜)放置到太陽能板上，在使用最大功率追蹤器的情況下，測量太陽能板所收集到的電能B。

將上述結果代入以下公式：((實施例的電能A-素面的強化玻璃的電能B)/(素面的強化玻璃的電能B))×100%-100%，得到數據如表一。

由表一數據可知，將實施例1沉積有抗反射膜與保護膜的透明基板700用於太陽能板，可有效增加太陽能板的集電效率，顯見具有良好的抗反射效果。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

110‧‧‧步驟

120‧‧‧步驟

130‧‧‧步驟

140‧‧‧步驟

150‧‧‧步驟

160‧‧‧步驟

Claims (14)

1. 一種抗反射膜製造方法，依序包含：提供一透明基板與一溶液套組，該溶液套組包含：一第一聚電解質溶液，該第一聚電解質溶液為聚烯丙胺氯化氫(poly(allylamine hydrochloride)，PAH)溶液或聚丙烯酸(poly(acrylic acid)，PAA)溶液；一第二聚電解質溶液，當該第一聚電解質溶液為該聚烯丙胺氯化氫溶液時，該第二聚電解質溶液為該聚丙烯酸溶液，當該第一聚電解質溶液為該聚丙烯酸溶液時，該第二聚電解質溶液為該聚烯丙胺氯化氫溶液；及一緩衝用第二聚電解質溶液，該緩衝用第二聚電解質溶液與該第二聚電解質溶液的成份相同；其中該第一聚電解質溶液具有一第一初始pH值，該第二聚電解質溶液具有一第二初始pH值，該第一聚電解質溶液、該第二聚電解質溶液與該緩衝用第二聚電解質溶液分別盛裝於一盤狀容器，並於各該盤狀容器具有一覆蓋高度，使該第一聚電解質溶液、該第二聚電解質溶液與該緩衝用第二聚電解質溶液覆蓋該透明基板；沉積一聚電解質層，依序包含：(i)將該透明基板浸泡於該第一聚電解質溶液5分鐘至15分鐘，以形成一第一聚電解質薄膜；(ii)進行至少一第一清洗步驟，係將該透明基板浸 泡於一去離子水中10秒至90秒；(iii)將該透明基板浸泡於該緩衝用第二聚電解質溶液30秒至2分鐘；及(iv)將該透明基板浸泡於該第二聚電解質溶液5分鐘至15分鐘，以形成一第二聚電解質薄膜；其中，該聚電解質層係包含該第一聚電解質薄膜與該第二聚電解質薄膜；進行一酸浴步驟，係將該透明基板浸泡於一酸性溶液中，以使該聚電解質層產生崩塌；進行一成孔步驟，係將該透明基板浸泡於另一去離子水中，使該聚電解質層產生複數個孔洞以形成一多孔層；進行一乾燥步驟，係以壓縮空氣吹乾該透明基板；進行一熱處理步驟，係將該透明基板以200℃至240℃加熱1小時至3小時，以形成一抗反射膜；以及形成一保護膜，使該保護膜覆蓋該抗反射膜，該保護膜的成份為1H,1H,2H,2H-全氟十七烷三甲基氧矽烷。
2. 如請求項1所述之抗反射膜製造方法，其中該溶液套組更包含：一緩衝用第一聚電解質溶液，該緩衝用第一聚電解質溶液與該第一聚電解質溶液的成份相同；以及該沉積該聚電解質層的步驟更依序包含：(v)進行至少一第二清洗步驟，係於該(iv)步驟後，將該透明基板浸泡於另一去離子水中10秒至90秒； (vi)將該透明基板浸泡於該緩衝用第一聚電解質溶液30秒至2分鐘；及(vii)重複該(i)步驟至該(iv)步驟。
3. 如請求項2所述之抗反射膜製造方法，其中該沉積該聚電解質層的步驟更包含：於該(vii)步驟後，重複該(v)步驟至該(vii)步驟。
4. 如請求項2所述之抗反射膜製造方法，其中該第二清洗步驟係進行三次。
5. 如請求項1所述之抗反射膜製造方法，其中該第一清洗步驟係進行三次。
6. 如請求項1所述之抗反射膜製造方法，其中該形成該保護膜的步驟依序包含：提供一保護膜溶液；塗佈該保護膜溶液於該抗反射膜上；進行一第一階段烘乾，使該抗反射膜上的該保護膜溶液乾燥；以及進行一第二階段烘乾，係以100℃至200℃進行0.5小時至2.5小時。
7. 如請求項1所述之抗反射膜製造方法，其中該聚烯 丙胺氯化氫溶液的濃度為0.01M，且pH=8.5。
8. 如請求項1所述之抗反射膜製造方法，其中該聚丙烯酸的濃度為0.01M，且pH=3.5。
9. 如請求項1所述之抗反射膜製造方法，其中該進行該酸浴步驟之該酸性溶液的pH=1.8。
10. 如請求項1所述之抗反射膜製造方法，其中該進行該乾燥步驟係於2分鐘內完成。
11. 如請求項1所述之抗反射膜製造方法，其中該透明基板為強化玻璃。
12. 一種如請求項1所述之抗反射膜製造方法之溶液回收方法，包含：進行一pH調整步驟，係添加酸或鹼使該第一聚電解質溶液回復至該第一初始pH值，並添加酸或鹼使該第二聚電解質溶液回復至該第二初始pH值；以及進行一溶液高度調整步驟，係添加另一第一聚電解質溶液，使該第一聚電解質溶液回復至該第一聚電解質溶液的該覆蓋高度，並添加另一第二聚電解質溶液，使該第二聚電解質溶液回復至該第二聚電解質溶液的該覆蓋高度。
13. 如請求項12所述之溶液回收方法，其中該酸為鹽酸，該鹼為氫氧化鈉。
14. 如請求項13所述之溶液回收方法，其中該鹽酸的濃度為1M，該氫氧化鈉的濃度為1M。