TWI542261B - 電子裝置及其製作方法 - Google Patents

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吳威諺
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Description

電子裝置及其製作方法
本發明係關於一種電子裝置及其製作方法，尤指一種適用於軟性基板之電子裝置及其製作方法。
隨著電子產品薄型化及輕量化之要求，顯示面板之玻璃基板由以往之約0.4mm厚度之玻璃基板朝0.3mm厚度之可撓式基板發展。
然而，當可撓式基板係為一厚度為0.3mm或以下之薄玻璃或塑膠基板時，若直接於其上形成顯示元件以製作顯示面板時，往往因可撓式基板的之剛性不足，而無法直接進行現有的面板製程。
因此，為了符合現有的面板製程，一般解決方法係將可撓式基板負載於另一玻璃載板增加剛性，待製程完成後再以雷射將載板與可撓式基板分離。
然而，使用雷射方式進行分離時，往往面臨雷射機台造價昂貴、雷射波長選擇性少且製程時間長的問題，有時更面臨因雷射功率太強，導致元件被破壞或塑膠可撓式基板黃化甚至是碳化的情形，導致最後做出之電子產品良率不佳。
因此，目前亟需發展出一種新穎的電子裝置之製作方法，其可解決前述問題並達到直接於現有機台上製作之目的。
本發明之主要目的係在提供一種以可撓式基板所製得之電子裝置。
本發明之另一目的係在提供一種前述電子裝置之製作方法，俾能在現有機台上製作出薄型化且輕量化之電子元件。
為達成上述目的，本發明之電子裝置之製作方法包括下列步驟：(A)提供一載板，該載板上形成有一離型層，其中該離型層之材料包括：一包含至少一選自由芳基、硝基及酮基所組成群組之矽氧烷或聚亞醯胺化合物；(B)設置一基板於該離型層上以使該離型層設於該載板與該基板間，其中該基板具有一第一表面及一第二表面，且該第二表面係與該離型層相接觸；(C)於該基板之該第一表面上形成一電子元件層；以及(D)由該載板之一側提供一光照使該離型層之材料反應，以使該載板與該基板分離，以製得一電子裝置，其中一離型殘留層係形成於該基板之該第二表面上，且該離型殘留層之材料係包括：一包含至少一選自由芳基、硝基及酮基所組成之群組之化合物。
透過本發明前述之製作方法，則可製得本發明之電子裝置，包括：一基板，具有一第一表面及一第二表面；一電子元件層，設於該基板之該第一表面上；一離型殘留層， 設於該基板之該第二表面上，其中該離型殘留層之材料包括：一包含至少一選自由芳基、硝基及酮基所組成群組之化合物。
於本發明之電子裝置之製作方法中，該離型層之材料可如下式(I)或(II)所示： 其中，Z1係選自由O、S、N(H)、C(Rc)2、及一鍵所組成之群組；Z2係選自由O、S、及N(H)所組成之群組；Z3係為HPO3或SO3；Ra係選自由以下所組成之群組： 其中，*表示與鍵結位置；每一R1係各自獨立選自由氫、C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基(-OH)、巰基(-SH)、羧基(-COOH)、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、含有至少一雜原子之飽和或不飽和之5-6員雜環基、-N(R5)2及芳基所組成之群組，其中該雜環基及該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R2係各自獨立選自由氫、C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基、羧基、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基、硝基及芳基所組成之群組，其中該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代； 每一R3係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基及芳基所組成之群組，其中該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R4係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基、鹵素及羥基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；X係為O或S；n係為介於0至5之整數；m係為介於0至4之整數；l係為介於0至3之整數；且k係為介於0至2之整數；Rb係為-Si(ORd)3、或；每一Rc係各自獨立為氫或C1-6烷基；每一Rd係各自獨立為氫或C1-6烷基；每一Re係各自獨立為一經一取代基取代或未取代之芳基；p係為介於1至5之整數；以及q係為介於50至500之整數。
藉此，於本發明之所得之電子裝置中，該離型殘留層之材料包括：至少一由前述式(I)或(II)之材料經光照後所形成之衍生物。
於本發明之電子裝置之製作方法中，當可撓式 基板層疊於載板上時，藉由離型層之隔離，並透過光照使離型層之材料進行光裂解反應，而得以將基板從載板上分離。更具體而言，本發明之電子裝置之製作方法中，所使用之離型層材料包括一光吸收基團(Ra)，其受到特定波長光源激發時，會使得離型層材料進行斷鍵反應，而使得基板得以從載板上分離。據此，本發明所製得之電子裝置，將保留有由離型層經由斷鍵後所殘留之離型層副產物。
此外，當使用本發明之製作方法製備電子裝置時，離型層可無須圖案化，故於製程中不會產生離型層與基板或載板分離的問題。再者，相較於以往使用單一波長之雷射分離技術，本發明之製作方法所使用之離型層材料，可依據光吸收基團之種類，而選擇光照之波長，故所使用的光照設備更加多樣化，而不受限於價格昂貴之雷射機台。據此，本發明可於更加簡單且便宜的設備下，以可撓式基板製作出所需之電子裝置。
於本發明中，式(I)或(II)化合物中之Ra較佳係選自由以下所組成之群組：
據此，於本發明之前述實施態樣所製得之電子裝置中，其離型殘留層之材料則較佳包括：至少一選自由以 下所組成之群組之化合物：
其中，每一R1係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基、巰基、羧基、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基、硝基、含有至少一雜原子之飽和或不飽和之5-6員雜環基、-N(R5)2及芳基所組成之群組，其中該雜環基及該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R2係各自獨立選自由氫、C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基、羧基、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基、硝基及芳基所組成之群組，其中該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；n係為介於0至5之整數；1係為介於0至3之整數；且m係為介於0至4之整數。
較佳為，每一R1係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6烷氧基、羥基、巰基、羧基、鹵素、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R2係各自獨立選自由氫、C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、鹵素、及硝基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；n係為介於0至2之整數；1係為介於0至2之整數；且m係為介於0至2之整數。
更佳為，每一R1係各自獨立選自由C1-4烷基、C1-4烷氧基、羥基、巰基、羧基、鹵素、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R2係各自獨立選自由氫、C1-4烷基、C1-4氟烷基、C1-4烷氧基、鹵素、及硝基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-4烷基；n係為介於0至2之整數；1係為介於0至2之整數；且m係為介於0至2之整數。
於本發明中，式(I)或(II)化合物中之Ra之具體例子包括，但不限於：(其中，*表示與鍵結位置)
於本發明之一實施態樣中，式(I)或(II)化合物中之Ra係為：
據此，於此實施態樣所製得之電子裝置中，其離型殘留層則 為：
其中，每一R1係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6烷氧基、羥基、巰基、羧基、鹵素、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；且n係為介於0至2之整數。較佳為，每一R1係各自獨立選自由C1-4烷基、C1-4烷氧基、羥基、羧基、氟、氯、硝基、胺基所組成之群組；且n係為介於0至2之整數。更佳為，每一R1係各自獨立選自由甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、羥基、羧基、氟、氯、硝基、胺基所組成之群組；且n係為0或2。最佳為，式(I)或(II)化合物中之Ra及所製得之電子裝置之離型殘留層分別為：
於本發明之另一實施態樣中，式(I)或(II)化合物中之Ra係為：
據此，於此實施態樣所製得之電子裝置中，其離型殘留層則為：
其中，每一R1係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6烷氧基、羥 基、巰基、羧基、鹵素、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；且1係為介於0至3之整數。較佳為，每一R1係各自獨立選自由C1-4烷基、C1-4烷氧基、羥基、羧基、氯、溴、硝基、胺基所組成之群組；且1係為介於0至2之整數。更佳為，每一R1係各自獨立選自由甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、羥基、羧基、氯、溴、硝基、胺基所組成之群組；且1係為介於0至2之整數。最佳為，式(I)或(II)化合物中之Ra及所製得之電子裝置之離型殘留層分別為： 其中，R1係為溴或硝基。
於本發明之再一實施態樣中，式(I)或(II)化合物中之Ra係為：
據此，於此實施態樣所製得之電子裝置中，其離型殘留層則為：
其中，每一R1係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6烷氧基、羥基、巰基、羧基、鹵素、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；且m係為介於0至4之整數。較佳為，每一R1係各自獨立選自由C1-4烷基、C1-4烷氧基、羥基、羧基、氟、氯、硝基、及-N(R5)2所組成之群組； 每一R5係各自獨立為氫或C1-4烷基；且m係為介於0至2之整數。更佳為，每一R1係各自獨立選自由甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、羥基、羧基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫、甲基、乙基、或丙基；且m係為介於0至2之整數。最佳為，式(I)或(II)化合物中之Ra及所製得之電子裝置之離型殘留層分別為： 其中，R5係同時為氫、甲基、或乙基。
於本發明之再一實施態樣中，式(I)或(II)化合物中之Ra係為：
據此，於此實施態樣所製得之電子裝置中，其離型殘留層則為：
其中，每一R1係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6烷氧基、羥基、巰基、羧基、鹵素、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R2係各自獨立選自由氫、C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基、羧基、鹵素、氰基、及硝基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；且m係為介於0至4之整數。較佳為，每一R1係各自獨立選自由C1-4烷基、C1-4烷氧基、羥基、巰基、羧基、氯、溴、硝基、及-N(R5)2所組成之群組； 每一R2係各自獨立選自由氫、C1-4烷基、C1-4鹵烷基、C1-4烷氧基、羧基、氯、溴、氰基、及硝基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-4烷基；且m係為介於0至2之整數。更佳為，每一R1係各自獨立選自由甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、羥基、羧基、氯、溴、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R2係各自獨立選自由氫、甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、及硝基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫、甲基、乙基、或丙基；且m係為介於0至2之整數。最佳為，式(I)或(II)化合物中之Ra及所製得之電子裝置之離型殘留層分別為：
於本發明之再一實施態樣中，式(I)或(II)化合物中之Ra係為：
據此，於此實施態樣所製得之電子裝置中，其離型殘留層則為：
其中，每一R1係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6烷氧基、羥基、巰基、羧基、鹵素、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；n係為介於0至5之整數； 且m係為介於0至4之整數。較佳為，每一R1係各自獨立選自由C1-4烷基、C1-4烷氧基、羥基、羧基、氟、氯、硝基、胺基所組成之群組；n及m係各自獨立為介於0至2之整數。更佳為，每一R1係各自獨立選自由甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、羥基、羧基、氟、氯、硝基、胺基所組成之群組；且n及m係各自獨立為0或2。最佳為，式(I)或(II)化合物中之Ra及所製得之電子裝置之離型殘留層分別為：
於本發明之更一實施態樣中，式(I)或(II)化合物中之Ra係為：
據此，於此實施態樣所製得之電子裝置中，其離型殘留層則為：
其中，每一R1係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、C2-6烯基、羥基、巰基、羧基、鹵素、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R2係各自獨立選自由氫、C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基、羧基、鹵素、氰基、及硝基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；且m係為 介於0至4之整數。較佳為，每一R1係各自獨立選自由C1-4烷基、C1-4鹵烷基、C1-4烷氧基、羥基、巰基、羧基、鹵素、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R2係各自獨立選自由氫、C1-4烷基、C1-4鹵烷基、C1-4烷氧基、羥基、鹵素、及硝基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-4烷基；且m係為介於0至4之整數。更佳為，每一R1係各自獨立選自由甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、-CH2F、-CHF2、-CF3、-CH2Br、-CHBr2、-CBr3、羥基、羧基、氟、氯、溴、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R2係各自獨立選自由氫、甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、-CH2F、-CHF2、-CF3、-CH2Br、-CHBr2、-CBr3、羥基、氟、氯、溴、及硝基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫、甲基、乙基、或丙基；且m係為介於0至2之整數。最佳為，式(I)或(II)化合物中之Ra及所製得之電子裝置之離型殘留層分別為：
其中，每一R1係各自獨立選自由甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、-CH2F、-CHF2、-CF3、羥基、羧基、氟、氯、溴、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R2係各自獨立選自由氫、甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、-CH2F、-CHF2、-CF3、羥基、氟、氯、溴、及硝基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫、甲基、乙基、或丙基。
於本發明中，式(I)或(II)化合物中之Z1係選自由O、S、N、C(Rc)2、及一鍵所組成之群組；Z2係選自由O、S、 及N所組成之群組；Z3係為-HPO3-(-O-P(=O)(-OH)-)或-SO3-(-O-S(=O)2-)；以及p係為介於1至5之整數。其中，每一Rc係各自獨立為氫或C1-6烷基，較佳為氫或C1-4烷基，且更佳為氫、甲基、乙基、或丙基。
此外，於本發明中，式(I)或(II)化合物中之Rb係為-Si(ORd)3、或如下式(III)之聚亞醯胺鏈。
其中，每一Rd係各自獨立為氫或C1-6烷基；較佳為，每一Rd係各自獨立為氫或C1-4烷基；更佳為，每一Rd係各自獨立為氫、甲基、乙基、或丙基；最佳為，每一Rd均同時為氫、甲基、乙基、或丙基。此外，每一Re係各自獨立為一經一取代基取代或未取代之芳基；較佳為，每一Re係各自獨立為一未經取代之芳基。再者，q係為介於50至500之整數；較佳為，q係為介於50至100之整數。
於本發明之最佳實施例中，離型層之材料係為式(I)所示之化合物。其中，Z1係O；Z2係NH；Rb係為-Si(ORd)3，其中每一Rd係各自獨立為氫或C1-6烷基；p係為介於1至5之整數；且Ra係為： 其中，每一R1係各自獨立選自由甲基、乙基、丙基、甲氧基、 乙氧基、丙氧基、-CH2F、-CHF2、-CF3、羥基、羧基、氟、氯、溴、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；R2係選自由氫、甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、-CH2F、-CHF2、-CF3、羥基、氟、氯、溴、及硝基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫、甲基、乙基、或丙基。較佳為，每一Rd係同時為甲基、乙基、丙基或正丁基；p係為介於1至2之整數；每一R1係各自獨立選自由甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、-CH2F、-CHF2、-CF3、羥基、羧基、氟、氯、溴、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R2係各自獨立選自由氫、甲基、乙基及丙基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫、甲基、或乙基。藉此，於本發明之最佳實施例中，所製得之電子裝置之離型殘留層係為： 其中，每一R1及R2係如前述所定義。
於本發明中，所謂之「經取代或未取代」係指烷基、鹵烷基、烷氧基、烯基、雜環基、或芳基係經一取代基取代或未取代。其中，取代基較佳為可提供疏水性之取代基，如：環氧基、鹵素(如氟、氯)、硫基、巰基、及醯氧基等。此外，於本發明中，所謂之「鹵素」包括氟、氯及溴。所謂之「芳基」包括可由五、六、七、八、九、或超過九個碳原子所形成之芳香環，其具體例子包括，但不限於：苯基或萘基，且較佳為苯基。所謂之「烷基」包括直鏈及支鏈之烷基，其具體例子包括，但不限於：甲基、乙基、丙基、異 丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基。所謂之「鹵素」包括氟、氯、溴、及碘，而於本發明中較佳為氟、氯、或溴，且更佳為氯、或溴。所謂之「雜環基」一詞係指環中具有至少一雜原子之雜芳香環(即，雜芳基)及雜環烷基團，其中環中之每一雜原子係選自由O、S及N，且環系中之每一雜環基團係具有5至6個原子，但任一環並不含有兩相鄰之O或S原子。所謂之「烷氧基」一詞係為本發明中所定義之烷基基團經加上一氧原子所形成之分子基團，其具體例子包括，但不限於：甲氧基、乙氧基、丙氧基、2-丙氧基、丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、及己氧基。所謂之「鹵烷基」包括其中至少一個氫被鹵素原子所取代之烷基、烯基、炔基、及烷氧基；當兩個或以上氫原子被鹵素原子所取代時，此鹵素原子可為彼此相同或不同。
於本發明之製作方法中，載板之材料並不特別限制，只要可使用於現有機台之本技術領域常用之載板即可，例如：一玻璃載板、一石英載板、或一塑膠載板。較佳為，載板之透光率係大於30%，較佳介於80至99%之間，且更佳係介於90%至99%之間。更具體而言，載板於UV光波長下(200-420nm)之透光率較佳係大於30%，較佳介於80至99%之間，且更佳係介於90%至99%之間。
此外，於本發明之製作方法之步驟(A)中，可使用本技術領域已知之任何方法，如：浸沾式塗佈、滾筒式塗佈、印刷塗佈、旋轉式塗佈、或沉積法，以將離型層之材料形成於載板之表面上。其中，離型層之材料較佳係透過共價 鍵形成於載板上。此外，當以塗佈法形成離型層時，離型層材料之濃度係介於0.01wt%至10wt%之間；然而，本發明並不僅限於此濃度，可隨著離型層材料之黏滯性及所使用之溶劑而有所調整，只要可達到均勻塗佈黏著層之目的即可。
此外，當載板係為一塑膠載板時，除了可使用前述方法將離型層之材料形成於載板之表面上外，更可將離型層之材料以鍵結的方式(如，化學修飾法)，透過式(I)或(II)之Rb鍵結於塑膠載板上，以使離型層材料直接修飾於塑膠載板上；此時，塑膠載板與離型層將可直接視為一塑膠板材。再者，離型層之厚度並無特殊限制，只要可達到本發明所需之功效即可，例如：可介於100Å至2000Å之間，但本發明不僅限於此。
於本發明之製作方法之步驟(B)中，基板可透過本技術領域已知之任何方法層疊於形成有離型層之載板上，如：偏貼法或壓合法。或者，亦可直接將用以形成基板之材料以前述之塗佈方法塗佈於形成有離型層之載板上，經固化後，而可得到本發明之基板。無論是以偏貼法、壓合法或塗佈法，離型層均介於基板與載板之間，且基板之第二表面係與離型層接觸。
於本發明之電子裝置及其製作方法中，所使用之基板可為本技術領域已知之任何可撓式基板，特別是，可撓式基板具有形變量大於80mm之特徵。在此，「形變量」係以下述方程式(I)所定義：
其中，ω為形變量，ρ為材料比重，1為長度，ν為泊松比(Poisson's ratio)，t為厚度，而E為楊式模數(Young's modulus)，g為重力加速度。
可用於本發明之可撓式基板之具體例子包括：一薄玻璃基板、一高分子基板、一高分子-金屬複合基板、或一高分子-金屬氧化物複合基板，其中所謂之高分子之材料可為PI、PA、PMMA、或其混合物，而所謂之薄玻璃基板係指厚度介於0.1mm至0.3mm之間之玻璃基板。
於本發明之電子裝置及其製作方法中，電子元件層可為本技術領域已知之任何元件，例如：顯示元件、薄膜電晶體元件、及觸控元件，且可同時層疊一或多個電子元件於基板之第一表面上。其中，顯示元件可包括液晶顯示元件或有機發光二極體顯示元件。
於本發明之電子裝置及其製作方法中，係透過光照以使離型層之材料產生光化學(光裂解)反應，使得基板與載板分離。於本發明中，當離型層材料之光吸收基團(Ra)受到波長介於200nm至420nm之UV光源激發時，離型層材料裂解後所產生之副產物，會殘留於基板之第二表面，而形成一離型殘留層，其中離型殘留層可透過一凡德瓦爾力、一氫鍵、或一π-π作用而附著於基板之第二表面上。
此外，於本發明之製作方法中，係由載板側提供一光照，即從載板背面提供一光照。更具體而言，於本發 明之製作方法中，係由載板之未形成有離型層之一側提供光照，使光線穿過載板而到達離型層，以進行光化學(光裂解)反應。在此，所使用之UV光源之波長、光量及照射時間並無特殊限制，可隨著離型層之材料種類而有所調整，只要可達到使基板與載板分離之目的即可。例如，UV光源之波長可介於200nm至420nm之間，或者UV光源之累積積光量可介於1 J至60 J之間。
11‧‧‧載板
12‧‧‧離型層
121‧‧‧離型殘留層
13‧‧‧基板
131‧‧‧第一表面
132‧‧‧第二表面
14‧‧‧電子元件層
圖1A至圖1E係本發明一較佳實施例之電子元件之製作方法之剖面示意圖。
以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本發明之其他優點與功效。本發明亦可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可針對不同觀點與應用，在不悖離本創作之精神下進行各種修飾與變更。
接下來，將依照圖1A至圖1E詳細說明本發明之一較佳實施例之電子元件及其製作方法。
首先，如圖1A所示，提供一載板11，其可為本技術領域已知之玻璃載板、石英載板、或塑膠載板，且對於UV光之透光率係大於30%。於本實施例中，可使用具有高透光率之玻璃載板、或塑膠基板。
而後，利用浸沾式塗佈、滾筒式塗佈、印刷塗佈、旋轉式塗佈、或沉積法，於載板11上形成一離型層12，其中離型層12之材料包括：一包含至少一選自由芳基、硝基及酮基所組成群組之矽氧烷或聚亞醯胺化合物。其中，離型層12之材料之具體例子係包括：如下式(I)或(II)所示之化合物： 其中，Z1係選自由O、S、N、C(Rc)2、及一鍵所組成之群組；Z2係選自由O、S、及N所組成之群組；Z3係為HPO3或SO3；Ra係選自由以下所組成之群組： 其中，*表示與鍵結位置；每一R1係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基(-OH)、羧基(-COOH)、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、含有至少一雜原子之飽和或不飽和之5-6員雜環基、-N(R5)2及芳基所組成之群組，其中該雜環基及該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R2係各自獨立選自由氫、C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基、巰基、羧基、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基、硝基及芳基所 組成之群組，其中該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R3係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基及芳基所組成之群組，其中該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R4係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基、鹵素及羥基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；X係為O或S；n係為介於0至5之整數；m係為介於0至4之整數；l係為介於0至3之整數；且k係為介於0至2之整數；Rb係為-Si(ORd)3、或；每一Rc係各自獨立為氫或C1-6烷基；每一Rd係各自獨立為氫或C1-6烷基；每一Re係各自獨立為一經一取代基取代或未取代之芳基；p係為介於1至5之整數；以及q係為介於50至500之整數。
在此，無論載板11為玻璃載板、石英載板或塑膠載板，離型層12之材料均可透過共價鍵形成於載板11上。此外，當本實施例之載板11為塑膠基板時，離型層12之材 料更可透過化學修飾法，透過式(I)或(II)中之Rb鍵結於載板11上。
於本實施例中，離型層12之材料可配製成具有介於0.01wt%至10wt%之間之濃度，並以塗佈法形成於載板11上。然而，於其他實施例中，可直接使用沉積法將離型層12之材料形成於載板11上。此外，離型層12之厚度並無特殊限制，可介於100Å至2000Å之間；但於其他實施例中，離型層12之厚度並不限於前述厚度範圍。
此外，於本實施例之離型層12之材料中，式(I)或(II)化合物中之Ra可為選自由以下所組成之群組：
其中，每一R1係各自獨立選自由甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、-CH2F、-CHF2、-CF3、羥基、羧基、氟、氯、溴、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R2係各自獨立選自由氫、甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、-CH2F、-CHF2、-CF3、羥基、氟、氯、溴、及硝基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫、甲基、乙基、或丙基。
特別是，本實施例所使用之離型層12之材料係為： 然而，於本發明之其他實施例中並不僅限於此化合物。
接著，如圖1A及1B所示，將一基板13形成於離型層12上以使離型層12設於載板11與基板13間，其中基板13具有相對應之一第一表面131及一第二表面132，且第二表面132係與離型層12相接觸。在此，基板13可透過本技術領域已知之任何方法層疊於形成有離型層12之載板11上，如：偏貼法或壓合法。或者，亦可直接將用以形成基板13之材料以前述之塗佈方法塗佈於形成有離型層12之載板11上，經固化後，而可得到一基板13。於本實施例中，較佳使用偏貼法將基板13層疊於形成有離型層12之載板11上。
在此，基板13係為本技術領域常用之可撓式基板，其特徵係為形變量大於80mm，例如，可為一厚度介於0.1mm至0.3mm之薄玻璃基板、一高分子基板、一高分子-金屬複合基板、或一高分子-金屬氧化物複合基板，其中高分子之材料係為PI、PA、PMMA、或其混合物。
接著，如圖1C所示，以本技術領域已知之製程，於基板13上形成一電子元件層14。在此，電子元件層 14可包括本技術領域常用之電子元件，如一顯示元件、一薄膜電晶體元件、及一觸控元件，且前述元件可單獨或合併形成電子元件層14。其中，本技術領域已知之顯示元件可為液晶顯示元件或有機發光二極體顯示元件。
而後，如圖1D所示，由載板11側提供一光照使離型層12之材料反應，以使載板11與基板13分離，以製得一電子裝置，如圖1E所示。
更詳細而言，如圖1D所示，係從載板11背面提供一光照。更具體而言，於本實施例中，係由載板11之未形成有離型層12之一側提供光照，使光線穿過載板11而到達離型層12，以使離型層12之材料產生光化學(光裂解)反應，使得基板13與載板分離，如圖1E所示。
於本實施例中，當使用UV光源提供光照時，離型層12材料之光吸收基團(Ra)受到激發而產生裂解反應，且反應後所產生之衍生物，會殘留於基板13之第二表面132，而形成一離型殘留層121，其中離型殘留層121可透過一凡德瓦爾力、一氫鍵、或一π-π作用而附著於基板13之第二表面132上。在此，UV光源之波長及光亮可依據離型層12之材料而有所調整，其波長可介於200nm至420nm之間，而累積積光量可介於1 J至60 J之間。然而，於其他實施例中，並不限於前述範圍。此外，離型殘留層之材料係包括：一包含至少一選自由芳基、硝基及酮基所組成之群組之化合物；且包括：至少一由前述式(I)或(II)之材料經光照後所形成之衍生物。
較佳為，本實施例之離型殘留層121之材料包括：至少一選自由以下所組成之群組之化合物：
其中，每一R1係各自獨立選自由甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、-CH2F、-CHF2、-CF3、羥基、羧基、氟、氯、溴、硝基、及-N(R5)2所組成之群組；每一R2係各自獨立選自由氫、甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、-CH2F、-CHF2、-CF3、羥基、氟、氯、溴、及硝基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫、甲基、乙基、或丙基。
特別是，本實施例所形成之離型殘留層121之係為： 然而，於本發明之其他實施例中並不僅限於此化合物。
經由前述步驟後，則可製得本實施例之電子裝置，如圖1E所示。本實施例之電子裝置包括：一基板13，具有一第一表面131及一第二表面132；一電子元件層14，設於基板13之第一表面131上；一離型殘留層121，設於基板13之第二表面132上，其中離型殘留層121係為由前述式 (I)或(II)之材料經光照後所形成之衍生物。
此外，經由前述步驟所製得之本實施例之電子裝置，同時可應用於各種顯示面板上，如液晶顯示面板(LCD)或有機發光二極體顯示面板上(OLED)；並可將所製得之顯示面板應用於各種電子元件上，如手機、筆記型電腦、攝影機、照相機、音樂播放器、行動導航裝置、電視等。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
121‧‧‧離型殘留層
13‧‧‧基板
131‧‧‧第一表面
132‧‧‧第二表面
14‧‧‧電子元件層

Claims (24)

  1. 一種電子裝置，包括：一基板，具有相對應之一第一表面及一第二表面；一電子元件層，設於該基板之該第一表面上；一離型殘留層，設於該基板之該第二表面上，其中該離型殘留層之材料包括：一包含至少一選自由芳基、硝基及酮基所組成群組之化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該離型殘留層之材料包括：至少一由下式(I)或(II)之材料經光照後所形成之衍生物； 其中，Z1係選自由O、S、N、C(Rc)2、及一鍵所組成之群組；Z2係選自由O、S、及N所組成之群組；Z3係為HPO3或SO3；Ra係選自由以下所組成之群組： 其中，*表示與鍵結位置；每一R1係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基(-OH)、巰基(-SH)、羧基(-COOH)、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、含有至少一雜原子之飽和或不飽和之5-6員雜環基、-N(R5)2及芳基所組成之群組，其中該雜環基及該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代； 每一R2係各自獨立選自由氫、C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基、羧基、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基、硝基及芳基所組成之群組，其中該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R3係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基及芳基所組成之群組，其中該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R4係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基、鹵素及羥基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；X係為O或S；n係為介於0至5之整數；m係為介於0至4之整數；l係為介於0至3之整數；且k係為介於0至2之整數； Rb係為-Si(ORd)3、或；每一Rc係各自獨立為氫或C1-6烷基；每一Rd係各自獨立為氫或C1-6烷基；每一Re係各自獨立為一經一取代基取代或未取代之芳基；p係為介於1至5之整數；以及q係為介於50至500之整數。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該離型殘留層之材料包括：至少一選自由以下所組成之群組之化合物： 其中，每一R1係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基(-OH)、巰基(-SH)、羧基(-COOH)、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、含有至少一雜原子之飽和或不飽和之5-6員雜環基、-N(R5)2及芳基所組成之群組，其中該雜環基及該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R2係各自獨立選自由氫、C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基、羧基、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基、硝基及芳基所組成之群組，其中該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；n係為介於0至5之整數；m係為介於0至4之整數；以及l係為介於0至3之整數。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該基板之形變量係大於80mm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該基板係為一薄玻璃基板、一高分子基板、一高分子-金屬複合基板、或一高分子-金屬氧化物複合基板。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之電子裝置，其中該高分子之材料係為PI、PA、PMMA、或其混合物。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該電子元件層係為一顯示元件、一薄膜電晶體元件、一觸控元件、或其組合。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中該顯示元件係為一液晶顯示元件或一有機發光二極體顯示元件。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該光照係為UV光。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電子裝置，其中該光照之波長係介於200nm至420nm之間。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該離型殘留層係透過一凡德瓦爾力、一氫鍵、或一π-π作用設於該基板之該第二表面上。
  12. 一種電子裝置之製作方法，包括下列步驟：(A)提供一載板，該載板上形成有一離型層，其中該離型層之材料包括：一包含至少一選自由芳基、硝基及酮基所組成群組之矽氧烷或聚亞醯胺化合物；(B)設置一基板於該離型層上以使該離型層設於該載板與該基板間，其中該基板具有一第一表面及一第二表面，且該第二表面係與該離型層相接觸； (C)於該基板之該第一表面上形成一電子元件層；以及(D)由該載板之一側提供一光照使該離型層之材料反應，以使該載板與該基板分離，其中一離型殘留層係形成於該基板之該第二表面上，且該離型殘留層之材料係包括：一包含至少一選自由芳基、硝基及酮基所組成之群組之化合物。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之製作方法，其中該離型層之材料包括：至少一如下式(I)或(II)所示之化合物： 其中，Z1係選自由O、S、N、C(Rc)2、及一鍵所組成之群組；Z2係選自由O、S、及N所組成之群組；Z3係為HPO3或SO3；Ra係選自由以下所組成之群組： 其中，*表示與鍵結位置；每一R1係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基(-OH)、巰基(-SH)、羧基(-COOH)、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、含有至少一雜原子之飽和或不飽和之5-6員雜環基、-N(R5)2及芳基所組成之群組，其中該雜環基及該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R2係各自獨立選自由氫、C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基、羧基、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代 基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基、硝基及芳基所組成之群組，其中該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R3係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基及芳基所組成之群組，其中該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R4係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基、鹵素及羥基所組成之群組；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；X係為O或S；n係為介於0至5之整數；m係為介於0至4之整數；l係為介於0至3之整數；且k係為介於0至2之整數；Rb係為-Si(ORd)3、或；每一Rc係各自獨立為氫或C1-6烷基；每一Rd係各自獨立為氫或C1-6烷基；每一Re係各自獨立為一經一取代基取代或未取代之芳基；p係為介於1至5之整數；以及q係為介於50至500之整數。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之製作方法，其中該離型殘留層之材料包括：至少一選自由以下所組成之群組之化合物： 其中，每一R1係各自獨立選自由C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基(-OH)、巰基(-SH)、羧基(-COOH)、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、含有至少一雜原子之飽和或不飽和之5-6員雜環基、-N(R5)2及芳基所組成之群組，其中該雜環基及該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R2係各自獨立選自由氫、C1-6烷基、C1-6鹵烷基、C1-6烷氧基、羥基、羧基、鹵素、經取代基取代之C1-6烷基、經取代基取代之C1-6烷氧基、C2-6烯基、氰基、硝基及芳基所組成之群組，其中該芳基係選擇性的經一取代基取代或未取代；每一R5係各自獨立為氫或C1-6烷基；n係為介於0至5之整數；m係為介於0至4之整數；以及l係為介於0至3之整數。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之製作方法，其中Ra係選自由以下所組成之群組：
  16. 如申請專利範圍第12項所述之製作方法，其中該基板之形變量係大於80mm。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之製作方法，其中該基板係為一薄玻璃基板、一高分子基板、一高分子-金屬複合基板、或一高分子-金屬氧化物複合基板。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之製作方法，其中該高分子之材料係為PI、PA、PMMA、或其混合物。
  19. 如申請專利範圍第12項所述之製作方法，其中該電子元件層係為一顯示元件、一薄膜電晶體元件、一觸控元件、或其組合。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之製作方法，其中該顯示元件係為一液晶顯示元件或一有機發光二極體顯示元件。
  21. 如申請專利範圍第12項所述之製作方法，其中該光照係為UV光。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之製作方法，其中該光照之波長係介於200nm至420nm之間。
  23. 如申請專利範圍第12項所述之製作方法，其中該載板之透光率係大於30%。
  24. 如申請專利範圍第12項所述之製作方法，其中該載板係為一玻璃載板、一石英載板、或一塑膠載板。
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