TWI541389B

TWI541389B - 製造矽晶鑄錠之方法

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Publication number: TWI541389B
Application number: TW102147055A
Authority: TW
Inventors: 姜侑宗; 周鴻昇; 楊瑜民; 蕭明恭; 余文懷; 許松林; 李依晴; 藍崇文; 徐文慶
Original assignee: 中美矽晶製品股份有限公司
Priority date: 2012-12-28
Filing date: 2013-12-19
Publication date: 2016-07-11
Also published as: TW201428145A

Description

製造矽晶鑄錠之方法

本發明係關於一種製造矽晶鑄錠(crystalline silicon ingot)之方法，並且特別地，係關於可以減少製成矽晶鑄錠內之紅區(red zone)與黃區(yellow zone)的製造矽晶鑄錠之方法。

大多的太陽能電池是吸收太陽光，進而產生光伏效應(photovoltaic effect)。目前太陽能電池的材料大部份都是以矽材為主，主要是因矽材為目前地球上最容易取到的第二多元素，並且其具有材料成本低廉、沒有毒性、穩定性高等優點，並且其在半導體的應用上已有深厚的基礎。

以矽材為主的太陽能電池有單晶矽、多晶矽以及非晶矽三大類。以多晶矽做為太陽能電池的原材，主要是基於成本的考量，因為其價格相較於以傳統的拉晶法(Czochralski method,CZ method)以及浮動區域法(floating zone method,FZ method)所製造的單晶矽，價格相對地便宜許多。

使用在製造太陽能電池上的多晶矽，傳統上是利用一般鑄造製程來生產。利用鑄造製程來製備多晶矽，進而應用在太陽能電池上是本技術領域的現有的技術。簡言之，將高純度的矽熔融在模內(例如，石英坩堝)，在控制凝固下被冷卻以形成多晶矽鑄錠。接著，該多晶矽鑄錠被切割成接近太陽能電池尺寸大小的晶圓，進而應用在製造太陽能電池上。以這種方法製造的多晶矽鑄錠為矽結晶晶粒的聚集體，其中在由其製成的晶圓中，晶粒相互之間的晶向實際上是隨機的。

在現有的多晶矽中，因為晶粒的隨機晶向而難以對所製成的晶片表面進行粗紋化(texturing process)。表面粗紋化後可降低光反射並提高通過電池表面的光能吸收，來提高光伏電池的效率。另外，在現有的多晶矽晶粒之間的晶界中形成的"扭/差排/缺陷"，傾向形成成核差排的簇集，或形成多條線差排形式的結構缺陷。這些差排以及它們趨向吸引的雜質，造成了由現有的多晶矽製成的光伏電池中電荷載子的快速復合。這會導致電池的效率降低。由這類多晶矽製成的光伏電池通常比由單晶矽製成的等效光伏電池的效率低，即使考慮了在由現有技術製造的單晶矽中所存在之缺陷的徑向分佈。然而，因為製造現有的多晶矽相對簡單且成本更低，以及在電池加工中有效的缺陷鈍化，多晶矽成了廣泛用於製造光伏電池之矽材料的形式。

現有技術已揭露在坩堝的底部鋪設單晶粒晶種層並基於方向性凝固製成矽晶鑄錠。以這種方法，能夠鑄造具有高性能的單晶矽及/或雙晶(bi-crystal)或類單晶(mono-like crystal)矽塊狀體的鑄錠，後續製成晶圓的少數載子之壽命能被最大化，晶圓用於製造高效太陽能電池。在此，術語"單晶矽"是指單晶矽的主體，其在整個範圍內具有一個一致的晶體晶向。術語"雙晶矽"是指如下的矽的主體，其在大於或等於該主體體積50%的範圍內具有一個一致的晶體晶向，且在主體的剩餘體積內具有另一個一致的晶體晶向。例如，這種雙晶矽可以包含具有一個晶體晶向的單晶矽主體，其緊鄰構成結晶矽剩餘體積的另一種具有不同晶體晶向的單晶矽主體。術語"類單晶矽"是指如下的結晶矽的主體，其在超過主體體積的75%的範圍內具有一個一致的晶體晶向。此外，現有的多晶矽是指具有厘米規模的細微性分佈的結晶矽，且在矽的主體內具有多種隨機晶向的晶體。

現有技術也有在坩堝的底部鋪設多晶矽或單晶矽碎料(granular)構成的成核促進層協助矽晶粒成核並基於方向性凝固，最終成長成底部為小尺寸矽晶粒、整體缺陷密度低之矽晶鑄錠，矽晶鑄錠後續製成的太陽能電池之光電轉換效率也相當高。

一般利用坩堝製造矽晶鑄錠，製成的矽晶鑄錠內不符合標準的區域(即製成太陽能電池的少數載子壽命較低者)以紅區表示之。利用微波光電導衰減(microwave photoconductive decay,μ-PCD)等方法量測矽晶鑄錠所得的少數載子壽命映像(lifetime mapping)，紅區即呈現紅色映像。形成紅區的原因可以區分為下列幾類：a.自坩堝固態擴散進入的雜質區、b.靠近坩堝區域之晶體結構不良區、c.硼-氧富集區以及d.自矽湯內含金屬液態擴散進去晶種、籽晶、成核層內。當中以自坩堝固態擴散進入的雜質區為造成紅區的主要原因，尤其是金屬雜質擴散區域。紅區會造成其製成的太陽能電池之光電轉換效率嚴重衰退及下降。

利用μ-PCD等方法量測矽晶鑄錠所得的少數載子壽命映像，呈現黃色映像的區域稱為黃區，也是雜質汙染區域。黃區的成因為被矽熔湯污染的晶種中的金屬雜質在矽晶鑄錠初期引晶過程中從被汙染的晶種擴散至矽晶鑄錠底部的矽材料。金屬雜質的擴散路徑為藉由晶界擴散以及固體擴散來達成。因此，黃區的部分區域會呈現絲狀型態。黃區為矽晶鑄錠中堪用的區域，但其製成的太陽能電池之光電轉換效率較低。

然而，現有技術在坩堝底部鋪設單晶粒晶種層或多晶粒或單晶粒碎料構成的成核促進層製成矽晶鑄錠的紅區的範圍遠比坩堝未鋪設晶種層或成核促進層製成矽晶鑄錠的大，甚至為兩倍，黃區的範圍也較大。究其成因，是在矽晶鑄錠製造過程中，坩堝內的雜質(以金屬(例如，鐵、鋁，等)雜質為主)溶入矽熔湯，擴散進入單晶粒晶種、多晶粒或單晶粒碎料，隨著矽熔湯在單晶粒晶種、多晶粒或單晶粒碎料成核、長晶，單晶粒晶種、多晶粒或單晶粒碎料內的雜質會回擴入固化的矽晶體內。

因此，本發明所欲解決之一技術問題在於提供一種減少製成矽晶鑄錠內的紅區與黃區之製造矽晶鑄錠的方法。

本發明之一較佳具體實施例之晶種，係用於製造矽晶鑄錠。本發明之晶種包含晶體以及第一雜質擴散阻障層。晶體係由至少一晶粒所構成。第一雜質擴散阻障層係被覆在晶體之外表面上。

於一具體實施例中，至少一晶粒可以由Si、SiC、SiO₂、SiN、石墨或其他熔點高於約1400℃且有助於成核的材料所形成。

於一具體實施例中，第一雜質擴散阻障層可以由BaO、矽酸乙酯(TEOS)、矽粉、BaCO₃/TEOS混合物、BaCO₃/SiO₂混合物、SiN/TEOS混合物、SiN/SiO₂混合物、BaO/SiN混合物、金屬鹽氧化物/SiN混合物、金屬鹽氧化物/SiO₂混合物、金屬鹽氧化物/TEOS混合物、BaO/SiO₂混合物、BaO/TEOS混合物、SiC、SiO₂、石墨、AlN、BN、SiN、GaN、AlP、GaP、Al₂O₃、金屬氟化物(例如，氟化鈣)或其它能有效阻礙矽熔湯中雜質擴散進入晶體且易於被覆在晶體之外表面上的材料所形成。於實際應用中，金屬鹽氧化物中之金屬元素可以是Be、Mg、Sr、Ba，等。

進一步，本發明之晶種並且包含異質成核層。異質成核層係被覆在第一雜質擴散阻障層上，用以協助矽晶粒異質成核。

於一具體實施例中，異質成核層係由SiN或BN所形成。

本發明之一較佳具體實施例之製造矽晶鑄錠的方法，首先係裝成核促進層至坩堝內，其中成核促進層係由多個根據本發明之晶種所構成。接著，本發明之方法係裝矽原料至坩堝內，且放置在成核促進層上。接著，本發明之方法係加熱坩堝，直至矽原料全部熔化成矽熔湯。接著，本發明之方法係基於方向性凝固製程冷卻坩堝，致使多個矽晶粒從矽熔湯中在成核促進層上成核且沿坩堝之垂直方向成長。最後，本發明之方法係繼續基於方向性凝固製程冷卻坩堝，直至矽熔湯完全凝固成矽晶鑄錠。

於一具體實施例中，本發明之坩堝包含中空主體以及脫模層。中空主體可以由石英、氧化矽、氧化鋁或石墨所製成。脫模層係被覆在中空主體之內壁上。

於一具體實施例中，脫模層係由SiN或BN所形成。

進一步，本發明之坩堝包含第二雜質擴散阻障層。第二雜質擴散阻障層係被覆在脫模層上。

於一具體實施例中，第二雜質擴散阻障層可以由BaO、矽酸乙酯(TEOS)、矽粉、BaCO₃/TEOS混合物、BaCO₃/SiO₂混合物、SiN/TEOS混合物、SiN/SiO₂混合物、BaO/SiN混合物、金屬鹽氧化物/SiN混合物、金屬鹽氧化物/SiO₂混合物、金屬鹽氧化物/TEOS混合物、BaO/SiO₂混合物、BaO/TEOS混合物、SiC、SiO₂、石墨、AlN、BN、SiN、GaN、AlP、GaP、Al₂O₃、金屬氟化物(例如，氟化鈣)或其它能有效阻礙坩堝之中空主體的雜質擴散且易於被覆在坩堝之內壁上的材料所形成。於實際應用中，金屬鹽氧化物中之金屬元素可以是Be、Mg、Sr、Ca、Ba，等。

與先前技術不同，本發明之晶種在矽晶鑄錠製造過程中能有效阻礙矽熔湯中之雜質擴散進入晶體，避免雜質再回擴入從矽熔湯固化的晶體內，藉此，能減少製成矽晶鑄錠內之紅區與黃區。

關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。

1、1a、1b、1c‧‧‧晶種

10、10a、10b‧‧‧晶體

102‧‧‧外表面

12‧‧‧第一雜質擴散阻障層

14‧‧‧異質成核層

20‧‧‧坩堝

22‧‧‧中空主體

222‧‧‧內壁

23‧‧‧加熱器

24‧‧‧脫模層

25‧‧‧第二雜質擴散阻障層

26‧‧‧成核促進層

3‧‧‧矽晶鑄錠

30‧‧‧矽原料

32‧‧‧矽熔湯

34a、34b‧‧‧矽晶粒

35‧‧‧固/液相介面

V‧‧‧垂直方向

圖1係本發明之一較佳具體實施例之晶種的截面視圖。

圖2至圖7係本發明之一較佳具體實施例之製造矽晶鑄錠的方法之過程的截面視圖。

請參閱圖1，係以截面視圖示意地繪示本發明之一較佳具體實施例之晶種1。本發明之晶種1係用於製造矽晶鑄錠。

如圖1所示，本發明之晶種1包含晶體10以及第一雜質擴散阻障層12。晶體10係由至少一晶粒所構成。也就是說，本發明之晶種1本質上可以是單晶粒晶種，也可以是多晶粒晶種。第一雜質擴散阻障層12係被覆在晶體10之外表面102上。

於一具體實施例，至少一晶粒可以由Si、SiC、SiO₂、SiN、石墨或其他熔點高於約1400℃且有助於成核的材料形成。於實際應用，不同材料形成的晶種1可以混合使用。

於實際應用中，本發明之晶種1的型態可以是大尺寸(釐米等級)的立方體，且為單晶粒晶種。本發明之晶種1的型態也可以是小尺寸(毫米等級)的球體或不規則形狀的顆粒(即所謂的碎料)，且可為單晶粒晶種或多晶粒晶種。圖1中所示的晶種1係以球體型態晶種1作為說明例。

於一具體實施例中，被覆在晶體10之外表面102上之第一雜質擴散阻障層12為粗糙表面，其表面在矽晶鑄錠製造過程中可以提供矽晶粒的成核點。此外，被覆在晶體10之外表面102上之雜質擴散阻障層12利用本身材料過冷度、高熔點特性，其表面也可以在矽晶鑄錠製造過程中提供矽晶粒的成核點。

於一具體實施例中，第一雜質擴散阻障層12可以由BaO、矽酸乙酯(TEOS)、矽粉、BaCO₃/TEOS混合物、BaCO₃/SiO₂混合物、SiN/TEOS混合物、SiN/SiO₂混合物、BaO/SiN混合物、金屬鹽氧化物/SiN混合物、金屬鹽氧化物/SiO₂混合物、金屬鹽氧化物/TEOS混合物、BaO/SiO₂混合物、BaO/TEOS混合物、SiC、SiO₂、石墨、AlN、BN、SiN、GaN、AlP、GaP、Al₂O₃、金屬氟化物(例如，氟化鈣等)或其它能有效阻礙矽熔湯中雜質擴散進入晶體10且易於被覆在晶體10之外表面102上的材料所形成。上述材料除了矽粉外，雜質在擴散路徑上遇到這些阻障層其擴散能力變差，所以可以有效阻礙矽熔湯中的雜質擴散至晶體10。矽粉可以與鐵、鋁雜質形成FeSi、AlSi化合物，以阻絕Fe、Al等雜質擴散至晶體10。上述材料還具有協助矽晶粒異質成核之功效。

一般在矽晶鑄造準備時，會在坩鍋內壁被覆脫膜層。脫膜層在矽晶鑄造過程中，或多或少阻礙雜質擴散進入矽熔湯，略微降低矽晶鑄錠內的雜質濃度。但是，採用本發明的矽晶種1，第一雜質擴散阻障層12能有效阻礙矽熔湯中雜質擴散進入晶體10，對於降低矽晶鑄錠內雜質濃度有顯著的效果。

於實際應用中，第一雜質擴散阻障層12可以藉由噴塗、刷塗、沈積、濺鍍或蒸鍍等方式被覆在晶體10的外表面102上。以被覆BaO為例，晶體10的外表面102先噴塗氫氧化鋇Ba(OH)₂-8H₂O，或是將晶體10置於具有二氧化碳爐氛的爐中加溫，或是透過外加方式加入二氧化碳，氫氧化鋇會與二氧化碳(CO₂)反應形成碳酸鋇(BaCO₃)。BaCO₃在高溫、二氧化碳爐氛中加熱時，會分解成氧化鋇(BaO)。或是將矽晶體10的外表面102經高溫氧化處理、高溫氮化處理或高溫碳化處理。或是藉由APCVD(常壓化學氣相沈積製程)、LPCVD(低壓化學氣相沈積製程)、ALD(原子層沉積製程)，等沉積製程將第一雜質擴散阻障層12被覆在晶體10的外表面102上。

於實際應用中，金屬鹽氧化物中之金屬元素可以是Be、Mg、Sr、Ca、Ba，等。

上述各種雜質擴散阻障層12在矽晶鑄錠製造過程中，具有避免晶體10提早熔化的功效，可以縮短矽晶鑄錠製造時間、減薄晶種層的厚度。

進一步，如圖1所示，本發明之晶種1並且包含異質成核層14。異質成核層14係被覆在第一雜質擴散阻障層12上，用以協助矽晶粒異質成核。

於一具體實施例中，異質成核層14係由SiN或BN所形成。於實際應用中，在第一雜質擴散阻障層12上噴塗SiN粉末形成異質成核層14為佳。

於一具體實施例中，被覆在第一雜質擴散阻障層12上之異質成核層14為粗糙表面，其表面在矽晶鑄錠製造過程中可以提供矽晶粒的成核點。

請參閱圖2至圖6，該等圖式係以截面視圖示意地繪示本發明之一較佳具體實施例之製造矽晶鑄錠的方法。

如圖2所示，首先，本發明之方法係提供坩堝20。坩堝20係適合用來藉由方向性凝固製程熔化及冷卻矽原料。實務上，坩堝20可以由石英、氧化矽、氧化鋁或石墨所製成。

同樣示於圖2，接著，本發明之方法係裝成核促進層26至坩堝20內。特別地，成核促進層26係由多個根據本發明之晶種(1a、1b)所構成。於圖2中，晶種1a與晶種1b皆為立方體的單晶粒晶種。同圖1所示之晶種1，每一晶種1a之晶體10a的外表面被覆第一雜質擴散阻障層12，進一步，異質成核層14係被覆在第一雜質擴散阻障層12上。每一晶種1b之晶體10b的外表面被覆第一雜質擴散阻障層12，進一步，異質成核層14係被覆在第一雜質擴散阻障層12上。於一具體實施例中，晶種1a之頂表面的晶向與晶種1b之頂表面的晶向相同。於另一具體實施例中，晶種1a之頂表面的晶向與晶種1b之頂表面的晶向並不相同，也就是說，晶種1a做為主要單晶粒晶種，晶種1b為次要單晶粒晶種。

於另一範例中，如圖3所示，成核促進層26係由多個顆粒狀多晶粒(或單晶粒)晶種1c所構成，以兩層以上顆粒狀多晶粒(或單晶粒)晶種1c為佳。同圖1所示之晶種1，每一顆粒狀晶種1c之晶體的外表面被覆第一雜質擴散阻障層(未繪示於圖3中)，進一步，異質成核層(未繪示於圖3中)係被覆在第一雜質擴散阻障層上。

接著，如圖4所示，本發明之方法係裝矽原料30至坩堝20內，且放置在成核促進層26上。圖4中之成核促進層26係以圖2中之成核促進層26作為說明例。

同樣示於圖4，接著，根據本發明之方法係將裝有成核促進層26與矽原料30之坩堝20安置在方向性凝固長晶爐內。圖4僅繪示長晶爐中的加熱器23為代表。

接著，如圖5所示，本發明之方法係加熱坩堝20，直至矽原料30全部熔化成矽熔湯32。晶種1a與晶種1b未熔化或其頂部部份熔化，第一雜質擴散阻障層12可以在矽晶成核前未熔化，或未完全熔化，即讓具有足夠厚度的第一雜質擴散阻障層12能有效阻礙矽熔湯中雜質擴散進入晶體10。

接著，如圖6所示，本發明之方法係基於方向性凝固製程冷卻坩堝20，致使多個矽晶粒(34a、34b)從矽熔湯32中在成核促進層26上成核，也就是由晶種1a與晶種1b引晶，且沿坩堝20之垂直方向V成長。在矽熔湯32的凝固過程中，如圖6所示，矽熔湯32與已凝固的矽晶粒(34a、34b)前緣的固/液相介面35朝向坩堝20的開口方向移動。

最後，如圖7所示，本發明之方法係繼續基於方向性凝固製程冷卻坩堝20，直至矽熔湯32完全凝固成矽晶鑄錠3。矽晶鑄錠3依照成核促進層26之主要單晶粒晶種1a和次要單晶粒晶種1b的安排，最終能夠鑄造具有高性能的類單晶矽或雙晶矽塊狀體的鑄錠。

於一具體實施例中，每一主要單晶粒晶種1a可以是n型態主要單晶粒晶種，每一次要單晶粒晶種1b可以是n型態次要單晶粒晶種，並且矽原料30可以是n型態矽原料，即摻雜VA族元素(例如，磷、砷、銻)的主要單晶粒晶種1a、次要單晶粒晶種1b以及矽原料30。藉此，本發明可獲得n型態矽晶鑄錠3。

於另一具體實施例中，每一主要單晶粒晶種1a可以是p型態主要單晶粒晶種，每一次要單晶粒晶種1b可以是p型態次要單晶粒晶種，並且矽原料30可以是p型態矽原料，即摻雜IIIA族元素(例如，硼)的主要單晶粒晶種1_a、次要單晶粒晶種1b以及矽原料30。藉此，本發明可獲得p型態矽晶鑄錠3。

利用如圖3所示由多個顆粒狀多晶粒(或單晶粒)晶種1c構成的成核促進層26所製成的矽晶鑄錠，此類成核促進層26並且抑制多個矽晶粒於成長過程中缺陷密度的增加。於一範例中，成核促進層26係由多個具不規則形狀的顆粒狀多晶粒(或單晶粒)晶種1c所構成，且每一顆粒狀多晶粒(或單晶粒)晶種1c之顆粒尺寸係小於約50mm，製成的矽晶鑄錠緊鄰成核促進層26的矽晶粒之平均晶粒尺寸小於約10mm。

於一具體實施例中，如圖2至圖7所示，本發明之坩堝20包含中空主體22以及脫模層24。中空主體22可以由石英、氧化矽、氧化鋁或石墨所製成。脫模層24係被覆在中空主體22之內壁222上。藉此，利用坩堝20製成的矽晶鑄錠容易脫模。

於一具體實施例中，脫模層24係由SiN或BN所形成。於實際應用中，在中空主體22之內壁222上噴塗SiN粉末形成脫模層24者為佳。

進一步，如圖2至圖7所示，本發明之坩堝20還包含第二雜質擴散阻障層25。第二雜質擴散阻障層25係被覆在脫模層24上。

於一具體實施例中，第二雜質擴散阻障層25可以由BaO、矽酸乙酯(TEOS)、矽粉、BaCO₃/TEOS混合物、BaCO₃/SiO₂混合物、SiN/TEOS混合物、SiN/SiO₂混合物、BaO/SiN混合物、金屬鹽氧化物/SiN混合物、金屬鹽氧化物/SiO2混合物、金屬鹽氧化物/TEOS混合物、BaO/SiO₂混合物、BaO/TEOS混合物、SiC、SiO2、石墨、AlN、BN、SiN、 GaN、AlP、GaP、Al₂O₃、金屬氟化物(例如，氟化鈣等)或其它能有效阻礙坩堝20之中空主體22的雜質擴散且易於被覆在坩堝20之內壁222上的材料所形成。上述材料除了矽粉外，雜質在擴散路徑上遇到這些阻障層其擴散能力變差，所以可以有效阻礙坩堝20之中空主體22的雜質擴散至矽熔湯32。矽粉可以與鐵、鋁雜質形成FeSi、AlSi化合物，以阻絕Fe、Al等雜質擴散至矽熔湯32。上述材料還具有協助矽晶粒異質成核之功效。

於實際應用中，第二雜質擴散阻障層25可以藉由噴塗、刷塗、沈積、濺鍍或蒸鍍等方式被覆在脫模層24上。以被覆BaO為例，脫模層24先噴塗氫氧化鋇Ba(OH)₂-8H₂O，或是將坩堝20置於具有二氧化碳爐氛的爐中加溫，或是透過外加方式加入二氧化碳，氫氧化鋇會與空氣中的二氧化碳(CO₂)反應形成碳酸鋇(BaCO₃)。BaCO₃在長晶爐中加熱時，會分解成氧化鋇(BaO)。於不同的做法中，第二雜質擴散阻障層25先行包覆形成脫模層24的粉末，再將粉末噴塗在中空主體22之內壁222上，同時形成脫模層24及第二雜質擴散阻障層25。

於一實際案例中，矽晶鑄錠A利用本發明之晶種1與方法。製造矽晶鑄錠A所採用的晶種1被覆雜質擴散阻障層12與異質成核促進層14。做為對照，矽晶鑄錠B利用傳統的晶種且同樣藉由方向性凝固製程製成。製造矽晶鑄錠B所採用的晶種並無被覆雜質擴散阻障層與異質成核促進層。矽晶鑄錠A與矽晶鑄錠B皆利用μ-PCD方法量測以獲得其少數載子壽命映像。少數載子壽命映像的結果證實，矽晶鑄錠A底部少數載子壽命低之紅區的厚度約為40mm，矽晶鑄錠B底部少數載子壽命低之紅區的厚度約為50mm，改善幅度達20%。矽晶鑄錠A的黃區也較矽晶鑄錠B的黃區小。顯見採用本發明之晶種1所製成的矽晶鑄錠具有明顯降低晶碇底部汙染程度及提高晶碇品質的效果。

綜上所述，可以清楚了解本發明之晶種能有效地防止或阻礙矽熔湯中的雜質擴散至晶種本身，再回擴入固化的晶體內。另外，本發明之坩堝在矽晶鑄錠製造過程中能有效阻礙坩堝之雜質擴散入矽熔湯，避免雜質擴散入單晶粒晶種、多晶粒或單晶粒碎料，再回擴入固化的晶體內。藉此，本發明之方法利用本發明之晶種、坩堝所製成的矽晶鑄錠，能減少製成矽晶鑄錠內之紅區與黃區。

藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之面向加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的面向內。因此，本發明所申請之專利範圍的面向應該根據上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。

1a、1b‧‧‧晶種

10a、10b‧‧‧晶體