TWI538086B - 用於基板處理器真空室中抑制氧化物生長的系統及方法 - Google Patents

用於基板處理器真空室中抑制氧化物生長的系統及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI538086B
TWI538086B TW101110172A TW101110172A TWI538086B TW I538086 B TWI538086 B TW I538086B TW 101110172 A TW101110172 A TW 101110172A TW 101110172 A TW101110172 A TW 101110172A TW I538086 B TWI538086 B TW I538086B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
gas
air outlet
baffles
outer casing
Prior art date
Application number
TW101110172A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201246438A (en
Inventor
穆庫爾 柯斯拉
羅納德 波威爾
阿倫 凱夏維木穆斯
理查 布蘭克
Original Assignee
諾發系統有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 諾發系統有限公司 filed Critical 諾發系統有限公司
Publication of TW201246438A publication Critical patent/TW201246438A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI538086B publication Critical patent/TWI538086B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

用於基板處理器真空室中抑制氧化物生長的系統及方法
本發明係關於一種基板處理系統。
本說明書所提供的先前技術說明係對本發明背景作一般性說明為目的。在某種程度上，本先前技術章節中所描述的發明人的構思及說明書中關於某些尚未成為本發明申請日之前的現有技術內容，無論是以明確或隱含的方式呈現，均不應被視為本發明的現有技術。
基板處理系統如半導體處理系統可用於沉積薄膜層、金屬層、或其他類型層至基板(例如半導體晶片)上。基板處理系統可包括一或多個處理站。目前在微電子產品中使用的半導體晶片具有大約150mm至300mm的直徑，下一代設備預計能處理450mm晶片。類似設計的基板處理系統也用於處理例如太陽能光伏(photovoltaics)、平板顯示器、及電致變色窗的大型矩形玻璃板之應用。
一種與真空移轉室(vacuum transfer chamber)有關的基板搬運機械臂，可用於從負載鎖(load lock)至該處理室的其中之一處理站及/或在該處理室的各處理站之間搬運該基板。該真空移轉室允許在真空下進行搬運。通過連接至該真空移轉室的氣體輸送管或氣體擴散器，將氣體引入該真空移轉室。該氣體輸送管或該氣體擴散器的位置相對於該真空移轉室的位置不變。
在移轉期間，要避免該基板薄膜層的劣化(degradation)，例如：一個處理站可沉積一介電層至一晶片上，當通過該真空移轉室輸送該晶片至另一處理站時，可能發生該介電層的劣化。例如：另一處理站可沉積一金屬層例如銅至該晶片上，當通過該真空移轉室輸送該晶片時，可能發生該金屬層的氧化。在運輸期間，有害污染物例如該真空移轉室的殘餘氣體中的碳氫化合物及顆粒也可能沉積在該晶片表面上。
抑制該基板上氧化物形成或介電層劣化的當前技術通常涉及利用高氣流流量以稀釋氧氣或水蒸氣的含量。在該真空移轉室內的壓力通常設定為一固定值，其係基於晶片處理模組內的處理方式(如沉積或蝕刻)。該高氣 流流量通常需要大容量真空泵來維持腔室內的壓力在一固定壓力值。大容量泵通常較為昂貴且具有相對較大的佔用空間，從而易於增加一生產設備內每單位面積的成本。
此部分提供本發明的簡要綜述，並非其全部範圍或所有特徵的綜合公開。
一種基板搬運機械臂包括一臂部分以及連接至該臂部分的一腕部分。一末端執行器連接至該腕部分並配置以支持一基板。一外殼排列鄰近該末端執行器並包括一出氣口，在移轉期間，該出氣口引導氣體至該基板的曝露表面上。
另一方面，該外殼包括一入口、一出口、一上表面、一下表面以及複數個側壁，其中該出口包括該出氣口。該外殼包含複數個擋板，該等擋板排列在複數個側壁、上表面和下表面之間並鄰近該出氣口。複數個擋板的至少其中之一大致平行於側壁而排列。並且該等擋板的至少其中之另一個相對於該等擋板的該至少其中之一以一非零角度而排列。
再一方面，該出氣口包含一狹縫。該氣體包含惰性氣體、非反應性氣體、反應性氣體和活性化氣體的其中之一。
又一方面，一可撓軟管排列在臂部分的內部並將外殼的入口連接至一氣體源。其中在該基板移轉期間，氣體在下列至少其中之一的中間被引導至該基板之上：一基板盒和一處理室；該處理室的一第一站和一第二站；以及一負載鎖和該處理室的一站。
一種方法，包括將一基板載入至一基板搬運機械臂的一末端執行器上；以及當將基板從該末端執行器上一第一位置移轉至一第二位置時，將氣體從該末端執行器引導至該基板的一曝露表面上。
另一方面，該方法包括排列一外殼至以下其中之一上：該末端執行器；以及一腕部分，其位於該基板搬運機械臂的一臂部分和該末端執行器之間；以及將該外殼的一出氣口引導至該基板上。
再一方面，該外殼包括一入口、一出口、一上表面、一下表面以及複數個側壁，其中該出口包括該出氣口。該方法包括將該外殼的複數個擋板 排列在該等側壁、該上表面和該下表面之間並鄰近於該出氣口。
又一方面，該方法包括大致平行於該等側壁排列該等擋板的至少其中之一；以及相對於該等擋板的至少其中之一以一非零角度排列該等擋板的至少其中之另一個。
另一方面，該氣體包含惰性氣體、非反應性氣體、反應性氣體和活性化氣體的其中之一。該方法包括使用排列在一臂部分內側的一可撓軟管連接一氣體源至該外殼的該入口。該方法包括在移轉期間，在下列至少其中之一的中間引導氣體至該基板之上：一基板盒和一處理室；該處理室的一第一站和一第二站；以及一負載鎖和該處理室的一站。
適用性的進一步領域將自此次提供的描述中是顯而易見的。本發明內容中的描述及具體實例僅旨在說明之目的，並不旨在限制本發明的範圍。
以下說明在本質上僅是說明性的且不旨在顯示公開、應用或使用。為了清晰起見，圖式中將使用相同的元件符號代表相似的元件。此處所用的用語A、B和C的至少其中之一應解釋為利用非排他性的邏輯或表示邏輯(A或B或C)。應理解的是，在不脫離本發明的原則內可以不同順序執行方法內的步驟。
本發明描述了一種系統及方法，其在移轉期間提供此處的氣體至基板的曝露表面。例如，該移轉可經由真空移轉室從處理室的處理站至另一處理站或者通過真空移轉室從負載鎖(load lock)至該處理室。
現參見第1圖，基板8如半導體晶片顯示位於腔室10內。基板搬運機械臂(第1圖未顯示)的末端執行器12包括外殼13，該外殼13具有出氣口14。例如，該外殼13可排列在基板搬運機械臂的腕部分。
外殼13的出氣口14釋放氣體穿過基板8的曝露表面。外殼13和出氣口14位於基板8的直徑外側。在一些實例中，該氣體可包含淨化氣體，其用於稀釋自基板8的曝露表面的氧氣及水含量，從而抑制了氧化物形成。第1圖顯示了穿過基板8的氣體的流動路線16的實例。可意識到的是，在移轉期間，該氣體在基板8的曝露表面上形成一保護層。該氣流還用於防 止顆粒落在晶片表面上並可通過氣流流動的夾帶而移走顆粒及移除該等顆粒。
以實例說明，該氣體可用於減少如銅的金屬上之氧化物生成。該氣體還可與基板的其他金屬層使用，受到氧化及表面污染的如但不限於鋁(Al)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、釕(Ru)、鈷(Co)或鎢(W)以及合金及金屬化合物，如氮化鉭(TaN)和氮化鈦(TiN)。以實例說明，於高溫(~300℃)中，在短運輸間隔(如機械運輸的10秒)，其中，背景環境中的百萬分之一(ppm)位準的氧化劑可在晶片上形成一單層(monolayer)的銅氧化物(Cu2O)，此時保護銅係具挑戰性的。
在基板運輸期間，本發明產生了一可控、保護的大氣環境。此處的氣體還可防止曝露層的介電常數(k)的劣化，從而幫助各種曝露的金屬和中間層介電質，以及微電子製造中使用的導電或絕緣位障(barrier)、襯墊(liner)和蓋層(capping layer)。
該淨化氣體可為惰性氣體如氬氣或者非反應性氣體如分子態氮(N2)，其用於降低基板上氧氣或水蒸氣的分壓。在另一實例中，該淨化氣體可為一反應性氣體，如氫氣(H2)或氨氣(NH3)或三氟化氮(NF3)。在這種情況下，該淨化氣體同時稀釋不需要的環境氣體的濃度及增加晶片表面上所需活性種類的濃度。但仍可使用其他類型的氣體或氣體混合物。
還可使用活性化氣體或氣體混合物。在氣體種類被引至基板表面之前，一氣體激發器如遠程電漿產生器、紫外(UV)光及/或熱源可用於啟動氣體種類。作為一非限制實例，藉由使分子態氮、氨氣、NF3或三氟化氯(ClF3)流過電漿源或者藉由將該等氣體曝光至具有適當選定波長的紫外線燈下以產生所需活性分子，可產生活性氮原子。反應性原子氧原子或臭氧(O3)可以相似的方式產生。這開啟了機械運輸期間主動處理晶片的可能性，從而提高了所選處理步驟的生產量。作為另一非限制實例，在機械移轉期間，藉由於基板上使用合適的矽烷化劑，可修復對低介電係數材料的破壞。
現參見第2圖至第4圖，進一步詳細顯示該出氣口。在第2圖中，外殼13包括第一末端24、出氣口14、上表面25、下表面27以及側壁30和32。外殼13包括入口33，該入口33連接至一氣體源。例如，外殼13包括 一外螺紋管接頭(未顯示)，該外螺紋管接頭與軟管匹配，儘管可使用其他類型的接頭。在第3圖中，外殼13的出氣口14包括小擴散型集氣室26。在一些實例中，出氣口14的上部分40包含一壁，並且出氣口14的下部分42是開放的以允許氣體的流動。
在一些實例中，複數個擋板44可相鄰下部分42排列並可用於引導氣體的流動。在其他實例中，可省略擋板44。如果使用擋板44，一個或多個中心擋板44可隨著氣體的流動排成一線，並且一個或多個其他擋板44以隨著自中心擋板44的距離逐漸變大的角度排列，用以協助排氣。如第1圖所示，擋板44產生了穿過基板8的氣體的流動路線16。
可以理解的是，該氣體在基板8的曝露表面上形成一保護層。擋板44的具體排列如第4圖所示，可使用其他擋板排列。例如，在第2圖至第3圖中，D1可等於約6.5英吋，D2可為0.5英吋，以及D3可為0.1英吋，儘管可使用其他尺寸。
現參見第5圖至第7圖，氣體源的位置可影響基板上的分壓。在第5圖中，外殼13鄰近末端執行器12排列，以及排氣裝置50排列在腔室10的下表面上。在第6圖中，氣體源54排列在腔室10的上表面上，以及排氣裝置50排列在腔室10的下表面上。在第7圖中，顯示了O2的分壓分別與第5圖和第6圖的氣體配置的氣體流速的函數。可以理解的是，將氣體源置於鄰近末端執行器易於降低基板上氧氣的分壓。
現參見第8圖，基板處理系統100的實例包括處理室110，該處理室110具有一個或多個站114。真空移轉室118經由閥(未顯示)與處理室110連通，並且真空移轉室118包括基板搬運機械臂122。負載鎖124經由閥(未顯示)如狹縫閥與真空移轉室118連通。一清潔室(未顯示)也可被使用。如果使用，該清潔室可排列在真空移轉室118的閒置的側邊上。
基板處理器126包括基板搬運機械臂128和基板盒130。該基板搬運機械臂128將基板自基板盒130的其中之一載入至負載鎖124用以清潔。可在或近似大氣壓力下操作該基板搬運機械臂128。當負載鎖124準備完畢時，基板搬運機械臂122將基板移轉至處理室110的站114的其中之一。當基板搬運機械臂122移動基板時，如此次所述，氣體被供給至基板上。
現參見第9A圖至第9B圖，顯示了具有第一和第二臂148-1和148-2的基板搬運機械臂122的實例。基板搬運機械臂122的第一和第二臂148-1和148-2分別包括第一和第二末端執行器152-1和152-2。與第一臂148-1有關的腕部分154-1包括外殼156，如上所述。可撓軟管160位於基板搬運機械臂122的內部並用於將氣體供給至連接至末端執行器的腕部分154。可撓軟管160包括撓性聚氨酯管或其他類似材料。通過聚氨酯的撓曲或等效線，可處理通過彎管和腕部分的旋轉運動。或者，可通過磁流體密封元件的中心軸進行氣體的傳送。
在第9A圖中，氣體源170提供氣體至可撓軟管160。一泵(未顯示)可用於增加氣體的壓力。在第9B圖中，氣體源170提供氣體至氣體激發器174，其將啟動的氣體輸出至可撓軟管160。該氣體激發器174可包含一遠程電漿產生器、紫外(UV)光及/或熱源，用於啟動氣體種類。控制器180可用於控制該氣體激發器174、氣體源170以及臂驅動器182。相似的排列可用在第9A圖中。
現參見第10A圖，顯示了方法200的實例。在步驟204，控制確定是否有基板移轉。在步驟208，控制開始氣體流動至基板上並移動該基板。在步驟212，控制確定是否完成基板的移轉。如果沒有，控制返回至步驟208。如果完成，則在步驟216控制結束氣體流動。
現參見第10B圖，顯示了方法220的實例。在步驟224，控制確定是否有基板移轉。在步驟228，利用氣體激發器控制啟動氣體。在步驟232，控制開始氣體流動至基板上並移動該基板至所需位置。在步驟236，控制確定是否完成基板的移轉。如果沒有，控制返回至步驟228。如果完成，則在步驟238控制結束氣體流動及氣體啟動。
控制器180可提供程式指令用以完成上述過程。該等程式指令可控制各種處理參數，如功率位準、偏置功率位準、壓力、氣流、臂位置、溫度等。
上述裝置/過程可結合蝕刻工具或過程使用，例如，用於半導體裝置、顯示器、LED、光伏面板等的製造或生產。通常，雖然不是必需，可使用該等工具/過程或連同常見生產設備一起使用。薄膜的蝕刻通常包括部分或所有以下操作，每個操作提供有一些可能的工具：(1)如基板的工件上光 刻膠的應用，利用旋塗或噴射工具；(2)利用熱板或熔爐或UV固化工件，光刻膠的固化；(3)使用如晶片步進器的工具，將該光刻膠曝光於可見或UV或X-射線光下；(4)顯影該抗蝕劑，用以選擇性地移除該抗蝕劑藉以利用如濕式清洗台的工具來將其圖案化；(5)藉由利用乾燥或等離子體輔助蝕刻工具，將抗蝕圖移轉至下層薄膜或工件內；(6)利用如射頻頻率或微波等離子體抗蝕體去除裝置的工具，移除該抗蝕劑。
本發明的廣義學說可以各種形式實施。因此，當本發明包括特定實例時，本發明的實際範圍不應受限，因為在所附圖式、說明書及以下申請專利範圍上，其他修飾對於熟悉本領域的人員來說將是顯而易見的。
本申請主張2011年3月25日提交之美國專利申請第61/467,652號的權益及優先權，該申請案的全部內容併此作為參考。
8‧‧‧基板
10‧‧‧腔室
12‧‧‧末端執行器
13‧‧‧外殼
14‧‧‧出氣口
16‧‧‧氣體的流動路線
24‧‧‧第一末端
25‧‧‧上表面
26‧‧‧小擴散型集氣室
27‧‧‧下表面
30‧‧‧側壁
32‧‧‧側壁
33‧‧‧入口
40‧‧‧上部分
42‧‧‧下部分
44‧‧‧擋板
50‧‧‧排氣裝置
54‧‧‧氣體源
100‧‧‧基板處理系統
110‧‧‧處理室
114‧‧‧站
118‧‧‧真空移轉室
122‧‧‧基板搬運機械臂
124‧‧‧負載鎖
126‧‧‧基板處理器
128‧‧‧基板搬運機械臂
130‧‧‧基板盒
148-1‧‧‧第一臂
148-2‧‧‧第二臂
152-1‧‧‧第一末端執行器
152-2‧‧‧第二末端執行器
154-1‧‧‧腕部分
156‧‧‧外殼
160‧‧‧可撓軟管
170‧‧‧氣體源
174‧‧‧氣體激發器
180‧‧‧控制器
182‧‧‧臂驅動器
200、220‧‧‧方法
204、208、212、216‧‧‧步驟
224、228、232、236、238‧‧‧步驟
從詳細描述及所附圖式中將更全面理解本發明，其中：第1圖為根據本發明基板搬運機械臂的末端執行器的平面圖，其中該基板搬運機械臂包括具有出氣口的外殼；第2圖為該外殼實例的平面圖；第3圖為該外殼的端視圖；第4圖為沿著第3圖的線4-4之該外殼的剖視圖；第5圖說明鄰近該末端執行器排列的外殼及腔室的排氣裝置；第6圖說明具有排列在腔室的上壁上的氣體源的模型；第7圖說明O2的分壓與第5圖和第6圖的氣體配置的氣體流速的函數；第8圖說明具有處理室和真空移轉室的半導體處理系統的實例；第9A圖和第9B圖為具有鄰近該末端執行器排列之外殼的基板搬運機械臂實例的透視圖；以及第10A圖和第10B圖說明根據本發明用於抑制氧化物生成的方法的實例。
14‧‧‧出氣口
24‧‧‧第一末端
26‧‧‧小擴散型集氣室
30‧‧‧側壁
32‧‧‧側壁

Claims (17)

  1. 一種基板搬運機械臂，包括：一臂部分；一腕部分，其連接至該臂部分；一末端執行器，其連接至該腕部分並配置以支持一基板；以及一外殼，其固定至該末端執行器並且包括一出氣口，並且在移轉時，該出氣口引導氧化物抑制氣體越過該基板的一曝露上表面，其中當從上方觀察時，該外殼和該出氣口皆未延伸於該曝露上表面之上。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的基板搬運機械臂，其中該外殼包括一入口、一出口、一上表面、一下表面以及複數個側壁，其中該出口包括該出氣口。
  3. 依據申請專利範圍第2項所述的基板搬運機械臂，其中：該外殼包含複數個擋板，該等擋板排列在該等側壁、該上表面和該下表面之間並鄰近於該出氣口；以及該等擋板的至少其中之一大致平行於該等側壁而排列，並且其中該等擋板的至少其中之另一個相對於該等擋板的該至少其中之一以一非零角度而排列。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述的基板搬運機械臂，其中該氧化物抑制氣體包含一惰性氣體和一非反應性氣體的其中之一。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述的基板搬運機械臂，其中該氧化物抑制氣體包含一反應性氣體。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述的基板搬運機械臂，其中該氧化物抑制氣體包含一活性化氣體。
  7. 依據申請專利範圍第2項所述的基板搬運機械臂，進一步包括一可撓軟管，該軟管排列在該臂部分的內側並將該外殼的該入口連接至一氣體源。
  8. 依據申請專利範圍第1項所述的基板搬運機械臂，其中在該基板移轉於下列至少一組之間期間，氣體被引導至該基板之上：一基板盒和一處理室；一處理室的一第一站和一第二站；以及一負載鎖和一處理室的一站。
  9. 一種基板搬運方法，包括：將一基板載入至一基板搬運機械臂的一末端執行器上；以及當將該基板在該末端執行器上移轉時，使用固定於該末端執行器之一外殼的一出氣口，將氧化物抑制氣體從該末端執行器引導越過該基板的一曝露上表面，其中當從上方觀察時，該外殼和該出氣口皆未延伸於該曝露上表面之上。
  10. 依據申請專利範圍第9項所述的方法，其中該外殼包括一入口、一出口、一上表面、一下表面以及複數個側壁，其中該出口包括該出氣口。
  11. 依據申請專利範圍第10項所述的方法，進一步包括將該外殼的複數個擋板排列在該等側壁、該上表面和該下表面之間並鄰近於該出氣口。
  12. 依據申請專利範圍第11項所述的方法，進一步包括：大致平行於該等側壁排列該等擋板的至少其中之一；以及相對於該等擋板的該至少其中之一以一非零角度排列該等擋板的至少其中之另一個。
  13. 依據申請專利範圍第9項所述的方法，其中該氧化物抑制氣體包含一惰性氣體和一非反應性氣體的其中之一。
  14. 依據申請專利範圍第9項所述的方法，其中該氧化物抑制氣體包含一反應性氣體。
  15. 依據申請專利範圍第9項所述的方法，其中該氧化物抑制氣體包含一活性化氣體。
  16. 依據申請專利範圍第10項所述的方法，進一步包括使用排列在一臂部分內側的一可撓軟管連接一氣體源至該外殼的該入口。
  17. 依據申請專利範圍第9項所述的方法，進一步包括在該基板移轉於下列至少其中一組之間期間，引導該氧化物抑制氣體越過該基板的曝露上表面：一基板盒和一處理室；一處理室的一第一站和一第二站；以及一負載鎖和一處理室的一站。
TW101110172A 2011-03-25 2012-03-23 用於基板處理器真空室中抑制氧化物生長的系統及方法 TWI538086B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161467652P 2011-03-25 2011-03-25
US13/419,625 US9275884B2 (en) 2011-03-25 2012-03-14 Systems and methods for inhibiting oxide growth in substrate handler vacuum chambers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201246438A TW201246438A (en) 2012-11-16
TWI538086B true TWI538086B (zh) 2016-06-11

Family

ID=46927484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101110172A TWI538086B (zh) 2011-03-25 2012-03-23 用於基板處理器真空室中抑制氧化物生長的系統及方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9275884B2 (zh)
KR (1) KR101956879B1 (zh)
TW (1) TWI538086B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI750501B (zh) * 2018-09-21 2021-12-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置以及基板處理方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI629744B (zh) * 2013-11-11 2018-07-11 昕芙旎雅股份有限公司 Surrounding gas replacement device, substrate transfer device, substrate transfer system, and EFEM
CN113206032A (zh) * 2021-05-08 2021-08-03 长鑫存储技术有限公司 晶圆加工装置、晶圆传送组件及其工作方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0955418A (ja) * 1995-08-11 1997-02-25 Toshiba Microelectron Corp ウェーハ搬送装置
US6293749B1 (en) * 1997-11-21 2001-09-25 Asm America, Inc. Substrate transfer system for semiconductor processing equipment
US6095582A (en) * 1998-03-11 2000-08-01 Trusi Technologies, Llc Article holders and holding methods
US6322116B1 (en) * 1999-07-23 2001-11-27 Asm America, Inc. Non-contact end effector
SG106599A1 (en) * 2000-02-01 2004-10-29 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3955592B2 (ja) * 2004-11-19 2007-08-08 住友重機械工業株式会社 処理装置及び処理方法
JP4301456B2 (ja) * 2005-11-30 2009-07-22 Ｔｄｋ株式会社 密閉容器の蓋開閉システム
JP4642787B2 (ja) * 2006-05-09 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP2009170740A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Rorze Corp 搬送装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI750501B (zh) * 2018-09-21 2021-12-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置以及基板處理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9275884B2 (en) 2016-03-01
TW201246438A (en) 2012-11-16
KR101956879B1 (ko) 2019-03-11
US20120251271A1 (en) 2012-10-04
KR20120109421A (ko) 2012-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9385318B1 (en) Method to integrate a halide-containing ALD film on sensitive materials
TWI298901B (en) Method and apparatus for in-situ film stack processing
CN110112053B (zh) 组合处理腔室和处置腔室
JP4833512B2 (ja) 被処理体処理装置、被処理体処理方法及び被処理体搬送方法
US8492287B2 (en) Substrate processing method
US8093158B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus
US20220344136A1 (en) Dry chamber clean of photoresist films
JP2881371B2 (ja) 真空処理装置及び真空処理装置集合体のクリーニング方法
TW201635334A (zh) 用於高深寬比圓筒狀物蝕刻的側壁鈍化層之沉積技術
US20180308687A1 (en) Euv photopatterning and selective deposition for negative pattern mask
JP2013033965A (ja) 基板処理装置、基板処理設備、及び基板処理方法
KR20140048989A (ko) 세정 방법, 처리 장치 및 기억 매체
JPH02146744A (ja) 処理装置及び方法
US20230230811A1 (en) Surface modification for metal-containing photoresist deposition
TW202215570A (zh) 光阻的乾式背側及斜角緣部清潔
TW202234180A (zh) 光阻乾式移除用的處理工具
TWI538086B (zh) 用於基板處理器真空室中抑制氧化物生長的系統及方法
JP5248652B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2741156B2 (ja) マルチチャンバー処理装置のクリーニング方法
JP3066691B2 (ja) マルチチャンバー処理装置及びそのクリーニング方法
JP3125121B2 (ja) 枚葉式ホットウォール処理装置のクリーニング方法
JP2007227804A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5001388B2 (ja) 被処理体処理装置の圧力制御方法
WO2024076679A1 (en) Dry chamber clean using thermal and plasma processes
WO2022212681A1 (en) Control of metallic contamination from metal-containing photoresist