TWI533184B - 辨別觸碰之觸控方法及裝置 - Google Patents

Description

辨別觸碰之觸控方法及裝置

本發明係有關於觸控方法及裝置，特別是一種辨別觸碰之觸控方法及裝置。

請參照第一圖，其為一習知觸控面板之多指觸控操作與電容值影像示意圖。一觸控面板110係具有複數條第一導線112與複數條第二導線114，而此些第一導線112與第二導線114係彼此電性隔離且相疊。當一感測信號(未繪出)加載於任一第一導線112時，此第一導線112與所有第二導線114之互耦疊點將形成複數個電容性耦合，據此可透過所有第二導線114上之電流或電壓而判斷出各互耦疊點之電性特性。藉此，循序地提供感測信號給每一第一導線112，並執行上述之感測程序便可判讀出所有互耦疊點之電性特性。

當自然接地之人體以一手指觸碰或接近感測處(即互耦疊點)上方時，便會影響感測處之電容性耦合，因而造成電流或電壓改變，據此便可判讀出觸碰位置。然而當觸控面板110有兩觸碰處P₁與P₂時，則不僅在觸碰處P₁、P₂會造成電流或電壓改變，在另兩互耦疊點G₁與G₂亦會造成電流或電壓改變 (亦即形成所謂之虛假觸碰，或稱“鬼點”)，因此，兩觸碰處P₁、P₂將造成觸控面板110之四個互耦疊點(例如：(X₁,Y₄)、(X₃,Y₆)、(X₁,Y₆)、(X₃,Y₄))以及其等鄰近互耦疊點之電流或電壓改變，如此在觸碰位置上之判讀便會造成困擾。再從其等之電容值影像120作進一步說明，以觸碰處P₁(X₁,Y₄)為重心之電容值影像波P₁W₁與以互耦疊點G₁(X₁,Y₆)、G₂(X₃,Y₄)為重心之電容值影像波G₁W₁、G₂W₁之差值係分別為d₁、d₃；以觸碰處P₂(X₃,Y₆)為重心之電容值影像波P₂W₁與以互耦疊點G₁(X₁,Y₆)、G₂(X₃,Y₄)為重心之電容值影像波G₁W₁、G₂W₁之差值係分別為d₄、d₂，然而因為差值d₁、d₂、d₃、d₄並不大且在感測時亦容易遭受到其他雜訊干擾，因此在多指觸控操作之觸碰判讀上就容易產生誤判。

有鑑於上述之缺點，本發明提供一種觸控方法及裝置，用以辨別真實與虛假觸碰，其等係可改進習知觸控裝置因多點觸控偵測時所產生之觸碰判讀問題。

本發明揭露一種觸控裝置，用以辨別真實與虛假觸碰，此觸控裝置包含：一觸敏單元，具有複數條第一導線與複數條第二導線，此些第一、第二導線係彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點；一驅動單元，係驅動各此些第一導線；以及 一感測單元，係感測複數個物件觸碰或臨近之第一導線，並於此些物件觸碰或臨近之第一導線被驅動時，分別感測此些物件觸碰或臨近之互耦疊點，以辨別此些物件之真實與虛假觸碰。

本發明亦揭露一種觸控裝置，以辨別真實與虛假觸碰，此觸控裝置包含：一觸敏單元，具有複數條第一導線與複數條第二導線，此些第一、第二導線係彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點；一驅動單元，係於一第一階段分別驅動此些第一導線，於一第二階段驅動複數條被選擇之第一導線；以及一感測單元，係感測複數個物件觸碰或臨近之第一導線，此些物件觸碰或臨近之第一導線為此些被選擇之第一導線，其中此感測單元係於此些被選擇之第一導線被分別驅動時，分別感測此些物件觸碰或臨近之互耦疊點，藉此辨別此些物件之真實與虛假觸碰。

本發明另揭露一種觸控裝置，以辨別真實與虛假觸碰，此觸控裝置包含：一觸敏單元，具有複數條第一導線與複數條第二導線，此些第一、第二導線係彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點；一驅動單元，係於一第一階段分別驅動此些第一、第二導線，並且於一第二階段驅動複數條被選擇之第一導線；以及一感測單元，係感測複數個物件觸碰或臨近之第一與第二導線，此些物件觸碰或臨近之第一、第二導線係為此些被選擇之第一導線與複數條被選擇之第二導線，其中，此感測 單元係於此些被選擇之第一導線被驅動時，分別於此些被選擇之第二導線上感測此些物件觸碰或臨近之互耦疊點，藉此辨別此些物件之真實與虛假觸碰。

本發明又揭露一種觸控方法，以辨別真實與虛假觸碰，此觸控方法包含下列步驟：驅動各複數條第一導線，此些第一導線與複數條第二導線係彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點；感測複數個物件觸碰或臨近之第一導線；及在此些物件觸碰或臨近之第一導線被驅動時，同時感測此些物件觸碰或臨近之互耦疊點，以辨別此些物件之真實與虛假觸碰。

本發明更揭露一種觸控方法，以辨別真實與虛假觸碰，此觸控方法包含下列步驟：驅動各複數條第一導線，此些第一導線與複數條第二導線係彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點；感測複數個物件觸碰或臨近之第一導線，此些物件觸碰或臨近之第一導線為複數條被選擇之第一導線；以及分別驅動此些被選擇之第一導線，其中，在驅動此些被選擇之第一導線時，分別感測此些物件觸碰或臨近之互耦疊點，藉此辨別此些物件之真實與虛假觸碰。

本發明再揭露一種觸控方法，以辨別真實與虛假觸碰，此觸控方法包含下列步驟：驅動各複數條第一導線與各複數條第二導線，此些第一、第二導線係彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點；感測複數個物件觸碰或臨近之第一、第二導 線，此些物件觸碰或臨近之第一、第二導線為複數條被選擇之第一導線與第二導線；以及分別驅動此些被選擇之第一導線，並分別感測此些被選擇之第二導線上此些物件觸碰或臨近之互耦疊點，藉此辨別此些物件之真實與虛假觸碰。

本發明將詳細描述一些實施例如下。然而，除了所揭露之實施例外，本發明亦可以廣泛地運用在其他之實施例施行。本發明之範圍並不受該些實施例之限定，乃以其後之申請專利範圍為準。而為提供更清楚之描述及使熟悉該項技藝者能理解本發明之發明內容，圖示內各部分並沒有依照其相對之尺寸而繪圖，某些尺寸與其他相關尺度之比例會被突顯而顯得誇張，且不相關之細節部分亦未完全繪出，以求圖示之簡潔。

請參照第二A圖，其為本發明之一較佳實施例200概略系統方塊圖與其較佳操作流程示意圖。一觸敏單元210，具有複數條第一導線與複數條第二導線，而此些第一、第二導線係彼此電性隔離且相疊，進而形成複數個互耦疊點(coupling intersection)。一驅動單元220，係分別驅動此些第一導線，如步驟221。一感測單元230，係感測複數個物件觸碰或臨近之第一導線，並且於此些物件觸碰或臨近之第一導線被驅動時，分別感測此些物件觸碰或臨近之互耦疊點，如步驟232，藉此 辨別此些物件觸碰或臨近所產生之真實觸碰與虛假觸碰。而在本實施例中，此些物件觸碰或臨近之第一導線之自電容性(self capacitive)耦合變化量係大於一第一門檻限值(threshold)，且此些物件觸碰或臨近之互耦疊點之互電容性(mutual capacitive)耦合變化量係大於一第二門檻限值，其中，上述之第一、第二門檻限值為可依實際應用而預先設定之比較值。

請參照第二B圖，其為第二A圖所示系統與其另一較佳操作流程示意圖。一觸敏單元210，係具有複數條第一、第二導線，此些第一、第二導線彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點。一驅動單元220，於一第一階段分別驅動此些第一導線，如步驟223，並於一第二階段驅動複數條被選擇之第一導線，如步驟225。一感測單元230，係感測複數個物件觸碰或臨近之第一導線，如步驟234，此些物件觸碰或臨近之第一導線為此些被選擇之第一導線，並於各此些被選擇之第一導線被驅動時，分別感測此些物件觸碰或臨近之互耦疊點，如步驟236，藉此辨別此些物件觸碰或臨近所產生之真實觸碰與虛假觸碰。在本實施例中，此些被選擇之第一導線之自電容性耦合變化量係大於一第一門檻限值，且此些物件觸碰或臨近之互耦疊點之互電容性耦合變化量係大於一第二門檻限值，而上述之第一、第二門檻限值為可依實際應用所預先設定之比較值。

請再次參照第二B圖，其為第二A圖所示系統與其又一 較佳操作流程示意圖。一觸敏單元210，係具有複數條第一、第二導線，此些第一、第二導線係彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點。一驅動單元220，係於一第一階段分別驅動此些第一、第二導線，如步驟223所示，並於一第二階段驅動複數條被選擇之第一導線，如步驟225。一感測單元230，係感測複數個物件觸碰或臨近之第一、第二導線，如步驟234，此些物件觸碰或臨近之第一、第二導線為此些被選擇之第一、第二導線，並於各此些被選擇之第一導線被驅動時，分別感測此些被選擇之第二導線上此些物件觸碰或臨近之互耦疊點，如步驟236，藉此辨別此些物件觸碰或臨近所產生之真實觸碰與虛假觸碰。在本實施例中，此些被選擇之第一導線之自電容性耦合變化量係大於一第一門檻限值；此些被選擇之第二導線之自電容性耦合變化量係大於一第三門檻限值；且此些物件觸碰或臨近之互耦疊點之互電容性耦合變化量係大於一第四門檻限值，而上述之第一、第三以及第四門檻限值為可依實際應用而預先設定之比較值。

其中，當此些物件之數量為兩個時，此些被選擇之第一、第二導線係決定兩群真實觸碰處與兩群虛假觸碰處，而此兩群真實、虛假觸碰處係分別位於一虛擬平行四邊形之對角，且此感測單元230係於第二階段(例如步驟225、236)由此兩群真實、虛假觸碰處中至少一群感測出兩物件觸碰或臨近之互耦 疊點。其中，此兩群真實觸碰處之互電容性耦合變化量係大於一第五門檻限值，此兩群虛假觸碰處之互電容性耦合變化量係小於或等於此第五門檻限值。在此實施例中，此第五門檻限值為可依實際應用所預先設定之比較值。

請參照第三A圖，其為本發明之一較佳辨別觸碰實施例之動作流程圖，並同時參照第二A圖。在步驟312，驅動單元220係分別驅動觸敏單元210之複數條第一導線，而此些第一導線與複數條第二導線係彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點。在步驟314，感測單元230係感測複數個物件觸碰或臨近之第一導線。當此些物件觸碰或臨近之第一導線被驅動單元220驅動時，感測單元230同時感測此些物件觸碰或臨近之互耦疊點，如步驟316所示，藉此，辨別此些物件之真實與虛假觸碰。在本實施例中，此些物件觸碰或臨近之第一導線之自電容性耦合變化量大於一第一門檻限值，且此些物件觸碰或臨近之互耦疊點之互電容性耦合變化量大於一第二門檻限值。

請參照第三B圖，其為本發明另一較佳辨別觸碰實施例之動作流程圖，並同時參照第二B圖。在步驟322，驅動單元220係分別驅動觸敏單元210之複數條第一導線，而此些第一導線與複數條第二導線係彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點。在步驟324，感測單元230係感測複數個物件觸碰或臨近之第一導線，此些物件觸碰或臨近之第一導線為複數條 被選擇之第一導線。在步驟326，驅動單元220分別驅動此些被選擇之第一導線，而當此些被選擇之第一導線被驅動單元220分別驅動時，感測單元230分別感測此些物件觸碰或臨近之互耦疊點，藉此，辨別此些物件之真實與虛假觸碰。其中，此些被選擇之第一導線之自電容性耦合變化量係大於一第一門檻限值，且此些物件觸碰或臨近之互耦疊點之互電容性耦合變化量係大於一第二門檻限值。

請參照第三C圖，其為本發明又一較佳辨別觸碰實施例之動作流程圖，並同時參照第二B圖。在步驟332，驅動單元220係分別驅動觸敏單元210之複數條第一、第二導線，此些第一、第二導線係彼此電性隔離且相疊，進而形成複數個互耦疊點。在步驟334，感測單元230感測複數個物件觸碰或臨近之第一、第二導線，此些物件觸碰或臨近之第一、第二導線為複數條被選擇之第一、第二導線。在步驟336，驅動單元220分別驅動此些被選擇之第一導線，而當此些被選擇之第一導線被分別驅動時，感測單元230分別感測此些被選擇之第二導線上此些物件觸碰或臨近之互耦疊點，藉此辨別此些物件之真實與虛假觸碰。本實施例中，此些被選擇之第一導線之自電容性耦合變化量係大於一第一門檻限值，此些被選擇之第二導線之自電容性耦合變化量係大於一第三門檻限值，且此些物件觸碰或臨近之互耦疊點之互電容性耦合變化量係大於一第四門檻 限值。

其中，當此些物件之數量為兩個時，此些被選擇之第一、第二導線係決定兩群真實觸碰處與兩群虛假觸碰處，而此兩群真實、虛假觸碰處係分別位於一虛擬平行四邊形之對角，且此感測單元230係於第二階段(例如步驟336)感測此兩群真實、虛假觸碰處中至少一群此兩物件觸碰或臨近之互耦疊點。其中此兩群真實觸碰處之互電容性耦合變化量係大於一第五門檻限值，此兩群虛假觸碰處之互電容性耦合變化量係小於或等於此第五門檻限值。

請參照第四圖，其為本發明之一較佳實施例之多指觸控操作與電容值影像示意圖。一觸敏單元410係具有複數條第一導線412與複數條第二導線414，而此些第一導線412與第二導線414係彼此相疊且電性隔離。複數個電性導體416係分別橫跨所對應之第一導線412與第二導線414，且分別位於此些第一導線412與第二導線414之複數個互耦疊點周圍。其詳細結構將於之後說明。

當觸敏單元410上有兩觸碰處P₁與P₂時，則在觸碰處P₁、P₂與另兩互耦疊點G₁與G₂造成電流或電壓改變，從其等之電容值影像420作進一步說明，觸碰處P₁(X₁,Y₄)之電容值影像波P₁W₂與另兩互耦疊點G₁(X₁,Y₆)、G₂(X₃,Y₄)之電容值影像波G₁W₂、G₂W₂之差值分別為d₅、d₇；觸碰處P₂(X₃,Y₆) 之電容值影像波P₂W₂與另兩互耦疊點G₁(X₁,Y₆)、G₂(X₃,Y₄)之電容值影像波G₁W₂、G₂W₂之差值分別為d₈、d₆，然而在此可明顯地看出差值d₅、d₆、d₇、d₈比第一圖所示之差值d₁、d₂、d₃、d₄大了許多。因為習知之電流或電壓改變係藉由第一導線412與第二導線414間之單一相互電容變化量感測所得，而在本實施例電流或電壓改變係藉由第一導線412與第二導線414、第一導線412與電性導體416以及第二導線414與電性導體416等之間三個相互電容複合變化量感測所得，因此三個相互電容複合變化量明顯大於單一相互電容變化量，藉此可以明顯區隔出真實觸碰處P₁、P₂與虛假觸碰處G₁、G₂。發明人在此要強調的是，本實施例僅以兩觸碰處說明，然而兩觸碰處以上之狀況在此項技藝具有通常知識者可依本實施例之教作而推得，故不再贅述。換言之，任兩觸碰處可成為一虛擬平行四邊形(如矩形或菱形)上對角之一對真實頂點，如P₁、P₂，相反地，虛擬平行四邊形之另一對角為一對虛假頂點，如G₁與G₂，電性導體416拉大了真實頂點之鄰近互耦疊點與虛假頂點之鄰近互耦疊點間的訊號差異量。此外，電性導體216之大小係決定真實頂點之鄰近互耦疊點與虛假頂點之鄰近互耦疊點間之訊號差異量，例如在導線線程不改變之情形下，電性導體416越大，真實頂點與虛假頂點之鄰近互耦疊點間之訊號差異量越大，反之越小。熟習此項技藝者可推得，電性導體 416之大小相對於真實頂點之鄰近互耦疊點與虛假頂點之鄰近互耦疊點間之訊號差異量不必然為線性關係。此外，基於真實頂點與虛假頂點與鄰近互耦疊點間之遠近不同，所產生互電容複合變化量之互耦疊點數量也會不同，各頂點鄰近之互耦疊點可能有一個或多個產生互電容複合變化量。為了圖示之清晰及簡化說明，在第四圖之範例中，各頂點僅一個鄰近之互耦疊點產生互電容複合變化量，並非用以限縮本發明，而在本發明之其他範例，各頂點基於與鄰近之互耦疊點間之遠近不同，產生互電容複合變化量之鄰近互耦疊點之數量可能為一個或多個。

發明人在此要說明的是，由於三個相互電容複合變化量之感測係易於(大於、明顯於)單一相互電容變化量之感測，因此本發明之所有實施例可用更少之導線來達到與習知技術相近之解析度，亦即，具有相近之解析度，但導線量卻減少。並且，由於所感測之資料並不限用以當成判斷觸碰與否之數位資料，因此所感測之類比資料亦可用來推估被觸碰處之壓力。例如，觸碰物為一手指或軟性材質，具有彈性之弧面，下壓至觸敏單元410之力量越大，觸碰物接觸到觸敏單元410之面積亦越大，因此相互電容複合變化量越大，而在感測出觸碰處的同時，還可藉以推估出壓力之大小、變化量以及變化驅勢，亦可以藉以辨識出與壓力或壓力變化驅勢相關之手勢，例如藉由判斷壓力之漸大或漸小來判斷手指之驅近或離開，亦可以藉由 判斷手指一側漸大與另一側漸小來判斷並追蹤手指之移動。

因此，綜合上述，當觸敏單元210包含複數個電性導體416對應橫跨本身之互耦疊點時，則此些電性導體416之大小將決定所有前述之第二、第四與第五門檻限值。

請參照第五圖，其為本發明之一較佳觸敏單元實施例500之結構分解示意圖。複數條第一導線512，係彼此電性隔離且位於一第一軸向層510之上。複數條第二導線532，彼此電性隔離且位於一第二軸向層530之上，此些第一、第二導線512、532係彼此電性隔離且相疊，藉此形成複數個互耦疊點。其中，一第一介電層520係穿插於此些第一、第二導線512、532間，此些第一、第二導線512、532係包含彼此正交相疊。複數個電性導體552，係彼此電性隔離且位於一電性導體層550上，此些電性導體552分別對應橫跨此些第一、第二導線512、532且位於此些互耦疊點周圍，其中此些第一、第二導線512、532與電性導體552係彼此電性隔離。其中，一第二介電層540係穿插於此些第二導線532與電性導體552間。一第三介電層560係位於此些第一、第二導線512、532與電性導體552之上方。在本實施例中，此些電性導體552之相對位置亦可調整在此些第一、第二導線512、532之間，或在此些第一、第二導線512、532下方。此外，熟習此項技藝者可推得，上述之第三介電層560並非必然需要，在本發明之另一較佳範例中， 僅包含第一、第二導線512、532、電性導體552、第一介電層520與第二介電層540，其中第一介電層520係穿插於此些第一、第二導線512、532間，且第二介電層540係穿插於此些電性導體552與此些第二導線532之間，誠如先前所述，此些電性導體552之相對位置可在此些第一、第二導線512、532之間，或在此些第一、第二導線412、432之上方或下方。

請參照第六圖，其為本發明之多個較佳電性導體之結構示意圖。一電性導體(a)係由一實心圓與一環狀之兩子電性導體複合成一同心圓之電性導體。一電性導體(b)係由兩交指狀之子電性導體複合成一外矩形之電性導體。一電性導體(c)由兩個三角形之子電性導體複合成一外矩形之電性導體。一電性導體(d)由四個三角形之子電性導體複合成一外矩形之電性導體。上述之實施例僅用以說明本發明之電性導體係可包含複數個子電性導體之組合，而並非用以限制本發明之電性導體實施，其等亦可以是任何幾合形狀之個體或複合體。因此，熟習此項技藝者可推得，本發明之單一電性導體可以是橫跨互耦疊點之單一個體或複數個分離個體的複合體。

本發明所述之實施例，驅動單元提供觸敏單元電性信號可為弦波、方波或其他波形，且亦可以定電流或定電壓之方式提供給第一導線或第二導線，用以偵測第一導線或第二導線上之電壓、電流或電容值，亦即，提供定電壓而感測電壓或電流； 提供定電流而感測電壓或電流；或是利用上述之任一方式感測電容，本發明對於感測第一、第二導線或互耦疊點之複合訊號之量測方式並不加以限制。

以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其他為脫離本發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍。

110‧‧‧觸控面板

112、412、512‧‧‧第一導線

114、414、532‧‧‧第二導線

120、420‧‧‧電容值影像

200‧‧‧本發明之一較佳實施例與其操作步驟

210、410、500‧‧‧觸敏單元

220‧‧‧驅動單元

230‧‧‧感測單元

221、232、223、234、225、236‧‧‧操作步驟

312、314、316‧‧‧一較佳實施例之流程步驟

322、324、326‧‧‧另一較佳實施例之流程步驟

332、334、336‧‧‧又一較佳實施例之流程步驟

416、552‧‧‧電性導體

510‧‧‧第一導線層

520‧‧‧第一介電層

530‧‧‧第二導線層

540‧‧‧第二介電層

550‧‧‧電性導體層

560‧‧‧第三介電層

X₁~X₄‧‧‧對應X座標

Y₁~Y₈‧‧‧對應Y座標

P₁、P₂‧‧‧觸碰處

G₁、G₂‧‧‧鬼點

P₁W₁、P₂W₁、G₁W₁、G₂W₁‧‧‧電容值影像波

P₁W₂、P₂W₂、G₁W₂、G₂W₂‧‧‧電容值影像波

d₁~d₈‧‧‧差值

(a)、(b)、(c)、(d)‧‧‧電性導體

第一圖係一習知觸控面板之多指觸控操作與電容值影像示意圖；第二A圖係本發明之一較佳實施例之概略系統方塊圖與其較佳操作流程示意圖；第二B圖係第二A圖所示之系統與其另兩較佳操作流程示意圖；第三A圖係本發明之一較佳實施例之動作流程圖；第三B圖係本發明另一較佳實施例之動作流程圖；第三C圖係本發明又一較佳實施例之動作流程圖；第四圖係本發明之一較佳觸敏單元實施例多指觸控操作與電容值影像示意圖； 第五圖係本發明之一較佳觸敏單元實施例結構示意圖；以及第六圖係本發明之多個較佳電性導體結構示意圖。

410‧‧‧觸敏單元

412‧‧‧第一導線

414‧‧‧第二導線

416‧‧‧電性導體

420‧‧‧電容值影像

Claims (30)

1. 一種辨別觸碰之觸控裝置，包含：一觸敏單元，係包含：複數條第一導線；及複數條第二導線，該些第一、第二導線係彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點；一驅動單元，係驅動各該些第一導線；以及一感測單元，係僅偵測該些第一導線的自電容耦合變化量，藉以感測複數個物件觸碰或臨近之第一導線：在此，該驅動單元更僅驅動該些物件觸碰或臨近之第一導線，而該感測單元更僅偵測介於所有該些第二導線與該些物件觸碰或臨近之第一導線二者之間的互電容耦合變化量，藉此辨別該些物件觸碰或臨近所產生之觸碰。
2. 如申請專利範圍第1項所述之辨別觸碰之觸控裝置，其中該些物件觸碰或臨近之第一導線之自電容性耦合變化量大於一第一門檻限值。
3. 如申請專利範圍第1項所述之辨別觸碰之觸控裝置，其中該些物件觸碰或臨近之互耦疊點之互電容性耦合變化量大於一第二門檻限值。
4. 如申請專利範圍第3項所述之辨別觸碰之觸控裝置，其中該觸敏單元更包含複數個電性導體橫跨該些互耦疊點，其中該些電性 導體之大小決定該第二門檻限值。
5. 一種辨別觸碰之觸控裝置，包含：一觸敏單元，係包含：複數條第一導線；及複數條第二導線，該些第一、第二導線係彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點；一驅動單元，係於一第一階段驅動各該些第一導線；以及一感測單元，係僅偵測該些第一導線的自電容耦合變化量，藉以感測複數個物件觸碰或臨近之第一導線，該些物件觸碰或臨近之第一導線為該些被選擇之第一導線：在此，該驅動單元更在一第二階段僅驅動該些物件觸碰或臨近之第一導線，而該感測單元更感測該些物件所觸碰或臨近的互耦疊點，藉此辨別該些物件觸碰或臨近所產生之觸碰；在此，該感測單元更僅偵介於該些物件觸碰或臨近的至少部份該些第一導線以及所有該些第二導線之間的互電容耦合變化量，藉以在此第二階段偵測該些物件觸碰或臨近的該些互偶疊點。
6. 如申請專利範圍第5項所述之辨別觸碰之觸控裝置，其中該些被選擇之第一導線之自電容性耦合變化量大於一第一門檻限值。
7. 如申請專利範圍第5項所述之辨別觸碰之觸控裝置，其中該些物件觸碰或臨近之互耦疊點之互電容性耦合變化量大於一第二門檻限值。
8. 如申請專利範圍第7項所述之辨別觸碰之觸控裝置，其中該觸敏單元更包含複數個電性導體橫跨該些互耦疊點，其中該些電性導體之大小決定該第二門檻限值。
9. 如申請專利範圍第5項所述之辨別觸碰之觸控裝置，其中該驅動單元更於該第一階段驅動各該些第二導線，並且該感測單元更於該第一階段感測該些物件觸碰或臨近之第二導線，而該些物件觸碰或臨近之第二導線為複數條被選擇之第二導線，其中該感測單元係於各該些被選擇之第一導線被驅動時，分別於該些被選擇之第二導線上感測該些物件觸碰或臨近之互耦疊點。
10. 如申請專利範圍第9項所述之辨別觸碰之觸控裝置，其中該些被選擇之第二導線之自電容性耦合變化量大於一第三門檻限值。
11. 如申請專利範圍第9項所述之辨別觸碰之觸控裝置，其中該些物件觸碰或臨近之互耦疊點之互電容性耦合變化量大於一第四門檻限值。
12. 如申請專利範圍第11項所述之辨別觸碰之觸控裝置，其中該觸敏單元更包含複數個電性導體橫跨該些互耦疊點，其中該些電性導體之大小決定該第四門檻限值。
13. 如申請專利範圍第5項所述之辨別觸碰之觸控裝置，其中該驅動單元更於該第一階段驅動各該些第二導線，並且該感測單元更於該第一階段感測該些物件觸碰或臨近之第二導線，而該些 物件觸碰或臨近之第二導線為複數條被選擇之第二導線，其中當該些物件之數量為兩個時，該些被選擇之第一、第二導線決定兩群真實觸碰處與兩群虛假觸碰處，該兩群真實、虛假觸碰處分別位於一虛擬平行四邊形之對角，且該感測單元係於該第二階段由該兩群真實、虛假觸碰處中至少一群感測出該些物件觸碰或臨近之互耦疊點。
14. 如申請專利範圍第13項所述之辨別觸碰之觸控裝置，其中該兩群真實觸碰處之互電容性耦合變化量大於一第五門檻限值，該兩群虛假觸碰處之互電容性耦合變化量小於或等於該第五門檻限值。
15. 如申請專利範圍第14項所述之辨別觸碰之觸控裝置，其中該觸敏單元更包含複數個電性導體橫跨該些互耦疊點，其中該些電性導體之大小決定該第五門檻限值。
16. 一種辨別觸碰之觸控方法，包含：分別驅動複數條第一導線，該些第一導線與複數條第二導線彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點；感測複數個物件觸碰或臨近之第一導線，在此係藉由僅偵測該些第一導線的自電容耦合變化量；以及感測該些物件觸碰或臨近之互耦疊點，在此係藉由僅驅動該些物件碰觸或臨進的第一導線，以及僅偵測藉於該些物件碰觸或臨進的第一導線以及所有該些第二導線之間的互電容耦合變化 量。
17. 如申請專利範圍第16項所述之辨別觸碰之觸控方法，其中該些物件觸碰或臨近之第一導線之自電容性耦合變化量大於一第一門檻限值。
18. 如申請專利範圍第16項所述之辨別觸碰之觸控方法，其中該些物件觸碰或臨近之互耦疊點之互電容性耦合變化量大於一第二門檻限值。
19. 如申請專利範圍第18項所述之辨別觸碰之觸控方法，更包含使用複數個電性導體橫跨該些互耦疊點，利用該些電性導體之大小決定該第二門檻限值。
20. 一種辨別觸碰之觸控方法，包含：分別驅動複數條第一導線，該些第一導線與複數條第二導線彼此電性隔離且相疊以形成複數個互耦疊點；感測複數個物件觸碰或臨近之第一導線，在此係藉由僅偵測該些第一導線之自電容耦合變化量，該些物件觸碰或臨近之第一導線為複數條被選擇之第一導線；驅動該些物件觸碰或臨近的第一導線：以及辨別該些物件觸碰或臨近的互耦疊點，藉此辨別該些物件觸碰或臨近所產生之觸碰：在此，係僅偵測介於該些物件觸碰或臨近之第一導線與所有該些第二導線之間的互電容耦合變化量，藉以感測該些物件觸碰或 臨近之互耦疊點。
21. 如申請專利範圍第20項所述之辨別觸碰之觸控方法，其中該些被選擇之第一導線之自電容性耦合變化量大於一第一門檻限值。
22. 如申請專利範圍第21項所述之辨別觸碰之觸控方法，其中該些物件觸碰或臨近之互耦疊點之互電容性耦合變化量大於一第二門檻限值。
23. 如申請專利範圍第22項所述之辨別觸碰之觸控方法，更包含使用複數個電性導體橫跨該些互耦疊點，利用該些電性導體之大小決定該第二門檻限值。
24. 如申請專利範圍第20項所述之辨別觸碰之觸控方法，更包含：分別驅動該些第二導線；感測該些物件觸碰或臨近之第二導線，而該些物件觸碰或臨近之第二導線為複數條被選擇之第二導線；及在該些被選擇之第一導線被驅動時，分別感測該些被選擇之第二導線上該些物件觸碰或臨近之互耦疊點。
25. 如申請專利範圍第24項所述之辨別觸碰之觸控方法，其中該些被選擇之第二導線之自電容性耦合變化量大於一第三門檻限值。
26. 如申請專利範圍第24項所述之辨別觸碰之觸控方法，其中該些物件觸碰或臨近之互耦疊點之互電容性耦合變化量大於一第四 門檻限值。
27. 如申請專利範圍第26項所述之辨別觸碰之觸控方法，更包含使用複數個電性導體橫跨該些互耦疊點，利用該些電性導體之大小決定該第四門檻限值。
28. 如申請專利範圍第20項所述之辨別觸碰之觸控方法，更包含：分別驅動該些第二導線；感測該些物件觸碰或臨近之第二導線，而該些物件觸碰或臨近之第二導線為複數條被選擇之第二導線；在該些物件之數量為兩個時，該些被選擇之第一、第二導線決定兩群真實觸碰處與兩群虛假觸碰處，該兩群真實、虛假觸碰處分別位於一虛擬平行四邊形之對角；及感測該兩群真實、虛假觸碰處中至少一群該些物件觸碰或臨近之互耦疊點。
29. 如申請專利範圍第28項所述之辨別觸碰之觸控方法，其中該兩群真實觸碰處之互電容性耦合變化量大於一第五門檻限值，該兩群虛假觸碰處之互電容性耦合變化量小於或等於該第五門檻限值。
30. 如申請專利範圍第29項所述之辨別觸碰之觸控方法，更包含使用複數個電性導體橫跨該些互耦疊點，利用該些電性導體之大小決定該第五門檻限值。