CN101714048B - 电容式感测装置及感测方法 - Google Patents

Abstract

本发明是有关一种电容式感测装置及感测方法。该电容式感测装置，包含：数条第一导线，彼此电性隔离；数条第二导线，彼此电性隔离，此些第一导线、第二导线彼此电性隔离且相叠，藉此形成数个互耦叠点；以及数个电性导体，彼此电性隔离，并分别对应横跨此些第一导线、第二导线且位于此些互耦叠点周围，其中此些第一导线、第二导线、电性导体是彼此电性隔离；藉此，当任一第一导线加载一电性信号时，此任一第一导线与其相叠的第二导线电容性耦合，且对应位于此任一第一导线互耦叠点周围的电性导体分别与此任一第一导线及与此任一第一导线相叠的第二导线电容性耦合，藉此提供较高的电容复合量。

Description

电容式感测装置及感测方法

技术领域

本发明涉及一种感测装置及方法，特别是涉及一种电容式感测装置及感测方法。

背景技术

请参阅图1，其为一现有习知的电容式感测装置的多指触控操作与电容值影像示意图。一触控面板110是具有数条第一导线112与数条第二导线114，而此些第一导线112与第二导线114是彼此正交相叠且电性隔离。当一感测信号(未绘出)加载于任一第一导线112时，此第一导线112与所有第二导线114互耦叠点将形成数个电容性耦合，据此便可通过所有第二导线114上的电流或电压而判断出各互耦叠点的电性特性。藉此循序地提供感测信号给每一第一导线112，并执行上述的感测程序便可判读出所有互耦叠点的电性特性。

当自然接地的人体以一手指触碰或接近感测处(互耦叠点)上方时，便会影响感测处的电容性耦合，因而造成电流或电压改变，据此便可判读出触碰位置。然而当触控面板110上有两触碰处P₁与P₂时，则不仅在触碰处P₁、P₂会造成电流或电压改变，在另两互耦叠点G1与G2亦会造成电流或电压改变(亦即形成所谓“鬼点”)，因此，两触碰处P1、P2将造成触控面板110上四个互耦叠点(例如：(X₁，Y₄)、(X₃，Y₆)、(X₁，Y₆)、(X3，Y₄))的电流或电压改变，如此在触碰位置上的判读便会造成困扰。再从其等的电容值影像120作进一步说明，触碰处P₁(X₁，Y₄)的电容值影像波P₁W₁与互耦叠点G₁(X₁，Y₆)、G₂(X₃，Y4)的电容值影像波G₁W₁、G₂W₁的差值分别为d₁、d₃；触碰处P₂(X₃，Y₆)的电容值影像波P₂W₁与互耦叠点G₁(X₁，Y₆)、G₂(X₃，Y₄)的电容值影像波G₁W₁、G₂W₁的差值分别为d₄、d₂，然而因为差值d₁、d₂、d₃、d₄并不大且在感测时亦容易受到其他杂讯干扰，因此在多指触控操作的触碰判读上就容易产生误判，且上述的差值d₁、d₂、d₃、d₄内所含的可利用资讯亦因数值太小而无法加以有效利用。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的电容式感测装置及感测方法存在的缺陷，而提供一种新的电容式感测装置及感测方法，所要解决的技术问题是使其可改进现有习知电容式感测装置因多点触控侦测所产生触碰判读的问题，并且能有效利用因触碰所产生电流或电压的差值。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

本发明揭露一种电容式感测装置，其包含：数条第一导线，是彼此电性隔离；数条第二导线，是彼此电性隔离，此些第一导线、第二导线是彼此电性隔离且相叠，藉此形成数个互耦叠点；以及数个电性导体，是彼此电性隔离并分别对应横跨此些第一导线、第二导线且位于此些互耦叠点周围，其中此些第一导线、第二导线与此些电性导体彼此电性隔离；藉此，当任一第一导线加载一电性信号时，此任一第一导线与其相叠的第二导线电容性耦合，且对应位于此任一第一导线互耦叠点周围的电性导体是分别与此任一第一导线及与此任一第一导线相叠的第二导线电容性耦合。

本发明亦揭露一种电容式感测装置，其包含：一信号单元，是提供一电性信号给一第一导线；一第一感测单元，是在数个电性导体其中至少之一与一物件电容式耦合或接触耦合前，从数条第二导线分别对应接收数个第一感测信号，其中此些第二导线彼此电性隔离；一第二感测单元，是在此些电性导体其中至少之一与此物件电容式耦合或接触耦合时，从此些第二导线分别对应接收数个第二感测信号；以及一计算单元，是由此些第一感测信号、第二感测信号计算出至少两被触碰位置；其中，此些电性导体是分别对应位于此第一导线与此些第二导线的互耦叠点周围且分别对应横跨此第一导线与此些第二导线，此些第一感测信号、第二感测信号是分别对应包含耦合前与耦合时的此第一导线、此些第二导线与电性导体电容性耦合的复合量。

本发明另揭露一种电容式感测方法，其包含下列步骤：提供一电性信号给一第一导线；在数个电性导体其中至少之一与一物件电容式耦合或接触耦合前，从数条第二导线分别对应接收数个第一感测信号，其中此些第二导线彼此电性隔离；在此些电性导体其中至少之一与此物件电容式耦合或接触耦合时，从此些第二导线分别对应接收数个第二感测信号；以及由此些第一感测信号、第二感测信号计算出至少两被触碰位置；其中，此些电性导体是分别对应位于此第一导线与此些第二导线的互耦叠点周围且分别对应横跨此第一导线与此些第二导线，此些第一感测信号、第二感测信号是分别对应包含耦合前与耦合时的此第一导线、此些第二导线与电性导体电容性耦合的复合量。

本发明又揭露一种电容式感测装置，其包含：一第一感测单元，是在数个电性导体其中至少之一与一物件电容式耦合或接触耦合前，从数条第一导线与数条第二导线分别对应接收数个第一感测信号，其中此些第一导线、第二导线间彼此电性隔离；一第二感测单元，是在此些电性导体其中至少之一与此物件电容式耦合或接触耦合时，从此些第一导线、第二导线分别对应接收数个第二感测信号；以及一计算单元，是由此些第一感测信号、第二感测信号计算出至少两被触碰位置；其中，此些电性导体分别对应位于此些第一导线、第二导线互耦叠点上方且以一第一介电层与此些第一导线、第二导线电性隔离，此些第一导线、第二导线是以一第二介电层彼此电性隔离，此些第一感测信号、第二感测信号分别对应包含耦合前与耦合时的此些第一导线、第二导线与电性导体电容性耦合的复合量。

本发明更揭露一种电容式感测方法，其包含下列步骤：在数个电性导体其中至少之一与一物件电容式耦合或接触耦合前，从数条第一导线与数条第二导线分别对应接收数个第一感测信号，其中此些第一导线、第二导线间彼此电性隔离；在此些电性导体其中至少之一与此物件电容式耦合或接触耦合时，从此些第一导线、第二导线分别对应接收数个第二感测信号；以及由此些第一感测信号、第二感测信号计算出至少两被触碰位置；其中，此些电性导体分别对应位于此些第一导线、第二导线互耦叠点上方且以一第一介电层与此些第一导线、第二导线电性隔离，此些第一导线、第二导线是以一第二介电层彼此电性隔离，此些第一感测信号、第二感测信号分别对应包含耦合前与耦合时的此些第一导线、第二导线与电性导体电容性耦合的复合量。

本发明再揭露一种电容式感测装置，其包含：一信号单元，是提供一电性信号；一感测单元，是通过一第一导线、一第二导线与数个电性导体其中至少之一电容性耦合至此信号单元，此第一导线、第二导线是电容性耦合，此些电性导体分别对应跨过此第一导线、第二导线且分别对应与此第一导线、第二导线电容性耦合，其中此第一导线是接受此电性信号驱动。

本发明亦另揭露一种电容式感测装置，其包含：数条第一导线，是彼此电性隔离；数条第二导线，是彼此电性隔离，此些第一、第二导线是彼此电性隔离且相叠，藉此形成数个互耦叠点；数个电性导体，是彼此电性隔离并分别对应横跨此些第一导线、第二导线且位于此些互耦叠点周围，其中此些第一导线、第二导线与此些电性导体是彼此电性隔离；一信号单元，是提供一电性信号；以及一感测单元，分别通过此些第一导线、第二导线其中之一与此些电性导体其中至少之一电容性耦合至此信号单元时，此至少之一电性导体是分别与此些第一导线、第二导线之一电容性耦合，其中此些第一导线之一是接受此电性信号驱动。

本发明亦又揭露一种电容式感测装置，其包含：数条第一导线，是彼此电性隔离；数条第二导线，是彼此电性隔离，此些第一导线、第二导线是彼此电性隔离且相叠，藉此形成数个互耦叠点；以及数个电性导体，是彼此电性隔离并分别对应横跨此些第一导线、第二导线且位于此些互耦叠点周围，其中此些第一导线、第二导线与此些电性导体是彼此电性隔离；藉此，当数个物件电容式耦合或接触耦合此些第一导线、第二导线与电性导体其中至少之一时，一感测单元感测此些物件与耦合的第一导线、第二导线与电性导体的电容性耦合的复合量，以提供较高的变化量用以判别并消除此些物件耦合的鬼点座标。

本发明亦更揭露一种电容式感测装置，其包含：数条第一导线；数条第二导线，此些第一、第二导线间构成数个互耦叠点；数个电性导体，些电性导体横跨此些互耦叠点；以及一感测单元，是感测此些互耦叠点的复合信号，各互耦叠点的复合信号受此些电性导体的电容性耦合影响。

本发明亦再揭露一种电容式感测装置，其包含：一信号单元，是驱动一触控面板，此触控面板上包含数条第一导线、第二导线构成的数个互耦叠点，其中数个电性导体横跨此些互耦叠点；一感测单元，是感测此些互耦叠点的复合信号，各互耦叠点的复合信号受此些电性导体的电容性耦合影响；以及一计算单元，是依据此些复合信号的变化量计算出至少两触碰位置。

本发明另又揭露一种电容式感测方法，其包含下列步骤：驱动一触控面板，此触控面板上包含数条第一导线、第二导线构成的数个互耦叠点，其中数个电性导体横跨此些互耦叠点；感测此些互耦叠点的复合信号，各互耦叠点的复合信号受此些电性导体的电容性耦合影响；以及依据此些复合信号的变化量计算出至少两触碰位置。

本发明另更揭露一种电容式感测装置，此电容式感测装置具有数条第一导线、第二导线构成的数个互耦叠点，并且依据此些互耦叠点的互电容性耦合侦测出至少两触碰位置，其中任两触碰位置构成一虚拟平行四边形上对角的一对真实顶点，此虚拟平行四边形的另一对角为一对虚假顶点，其更包含：数个电性导体，是横跨此些互耦叠点，此些电性导体的大小(dimension)决定此对真实顶点的邻近互耦叠点与此对虚假顶点的邻近互耦叠点间的信号差异量。

借由上述技术方案，本发明电容式感测装置及感测方法至少具有下列优点及有益效果：

本发明利用数个电性导体，使得各触碰位置邻近互耦叠点的复合信号与鬼点邻近互耦叠点的复合信号间的差异量明显加大，电性导体的大小影响差异量的大小，电性导体越大，差异量也越大。因此可以利用一预设范围来筛选复合信号或复合信号变化量落在预设范围内的互耦叠点。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1是一现有习知电容式感测装置多指触控操作与电容值影像示意图。

图2是本发明的一较佳实施例多指触控操作与电容值影像示意图。

图3A是本发明的另一较佳实施例操作与电容值影像示意图。

图3B是本发明的又一较佳实施例操作与电容值影像示意图。

图4是本发明的一较佳实施例的结构分解示意图。

图5A至图5D是本发明的多个较佳电性导体的结构示意图。

图6是本发明的一较佳实施例的概略系统方块图。

图7A是本发明的一较佳实施例的动作流程图。

图7B是本发明另一较佳实施例的动作流程图。

图7C是本发明又一较佳实施例的动作流程图。

110、210、400：触控面板        112、212、412：第一导线

114、214、432：第二导线        216、452：电性导体：

120、220、320、370：电容值影像

410：第一导线层                420：第一介电层

430：第二导线层                440：第二介电层

450电性导体层                  460：第三介电层

610：信号单元                  620：触控面板

630：感测单元                  640：计算单元

702、704、706、708：一较佳实施例之流程步骤

712、714、716：另一较佳实施例之流程步骤

722、724、726：又一较佳实施例之流程步骤

X1～X4：对应X座标              Y1～Y8：对应Y座标

P1、P2、TP：触碰处             G1、G2：鬼点

P1W1、P2W1、G1W1、G2W1：电容值影像波

P1W2、P2W2、G1W2、G2W2：电容值影像波

W1～W8：电容值影像波           d1～d8：差值

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的电容式感测装置及感测方法其具体实施方式、步骤、结构、特征及其功效，详细说明如后。

本发明将详细描述一些实施例如下。然而，除了所揭露的实施例外，本发明亦可以广泛地运用在其他的实施例施行。而为提供更清楚的描述及使熟悉该项技术者能理解本发明的发明内容，图示内各部分并没有依照其相对的尺寸而绘图，某些尺寸与其他相关尺度的比例会被突显而显得夸张，且不相关的细节部分亦未完全绘出，以求图示的简洁。

请参阅图2，其为本发明的一较佳实施例的多指触控操作与电容值影像示意图。一触控面板210是具有数条第一导线212与数条第二导线214，而此些第一导线212与第二导线214是彼此相叠且电性隔离。数个电性导体216是分别横跨所对应的第一导线212与第二导线214，且分别位于此些第一导线212与第二导线214的数个互耦叠点周围。详细结构将于的后说明。

当触控面板210上有两触碰处P₁与P₂时，则在触碰处P₁、P₂与另两互耦叠点G₁与G₂将造成电流或电压改变，从其等的电容值影像220作进一步说明，触碰处P₁(X₁，Y₄)的电容值影像波P₁W₂与互耦叠点G₁(X1，Y₆)、G2(X₃，Y₄)的电容值影像波G₁W₂、G₂W₂的差值分别为d₅、d₇；触碰处P₂(X₃，Y₆)的电容值影像波P₂W₂与互耦叠点G₁(X₁，Y₆)、G₂(X₃，Y₄)的电容值影像波G₁W₂、G₂W₂的差值分别为d₈、d₆，然而，在此可明显地看出差值d₅、d₆、d₇、d₈比图1所示的差值d₁、d₂、d₃、d₄大了许多。因为习知的电流或电压改变是藉由第一导线212与第二导线214间的单一相互电容变化量感测所得，而本实施例电流或电压改变是藉由第一导线212与第二导线214、第一导线212与电性导体216以及第二导线214与电性导体216等之间三个相互电容复合变化量感测所得，因此三个相互电容复合变化量明显大于单一相互电容变化量，藉此，可明显区隔出触碰处P₁、P₂与互耦叠点G₁、G₂以消除鬼点。发明人在此要强调的是，本实施例是仅以两触碰处做说明，然而两触碰处以上的状况在熟习此项技术者是可依本实施例的教作而推得，故不再赘述。换言之，任两触碰处可成为一虚拟平行四边形(如矩形或菱形)上对角的一对真实顶点，如P₁、P₂，相反地，虚拟平行四边形的另一对角为一对虚假顶点，如G₁与G₂，电性导体216拉大了真实顶点的邻近互耦叠点与虚假顶点的邻近互耦叠点间的信号差异量。此外，电性导体216的大小决定真实顶点的邻近互耦叠点与虚假顶点的邻近互耦叠点间的信号差异量，例如在导线线程不改变的情形下，电性导体216越大，真实顶点的邻近互耦叠点与虚假顶点的邻近互耦叠点间的信号差异量越大，反之越小。熟习此项技术者可推得，电性导体216的大小相对于真实顶点的邻近互耦叠点与虚假顶点的邻近互耦叠点间的信号差异量不必然为线性关系。此外，基于真实顶点与虚假顶点与邻近互耦叠点间的远近不同，产生互电容复合变化量的互耦叠点数量也会不同，各顶点邻近的互耦叠点可能有一个或多个产生互电容复合变化量。为了简化说明，在图2的范例中，各顶点仅一个邻近的互耦叠点产生互电容复合变化量，并非用以限缩本发明，在本发明的其他范例，各顶点基于与邻近的互耦叠点间的远近不同，产生互电容复合变化量的邻近互耦叠点的数量可能为一个或多个。

请参阅图3A，其为本发明的另一较佳实施例的操作与电容值影像示意图。一触控面板210是具有与图2所示的触控面板210相同的结构，故在此不再赘述。当触控面板210上有一触碰处TP，且TP横跨多个第一导线212与第二导线214的互耦叠点或多个电性导体216时(例如：(X₂，Y₅)、(X₂，Y₆)、(X₃，Y₅)、(X₃，Y₆))，在这些互耦叠点或电性导体216将造成信号(容值、电流值或电压值)改变，而从其等的电容值影像320可得到四个较明显的电容值影像波W₁、W₂、W₃、W₄。这些电容值影像波W₁、W₂、W₃、W₄是从三个相互电容复合变化量感测所得，因此，明显大于单一相互电容变化量，藉此，不仅可以区隔出彼此且亦能以这些复合变化量感测出真实多点，亦即这些点的座标(如上述的P₁(X₁，Y₄₎、P₂(X₃，Y₆))，尤其是同时感测出三点以上的真实多点。

请参阅图3B，其为本发明的又一较佳实施例的操作与电容值影像示意图。一触控面板210是具有与图2所示的触控面板210相同的结构，而两者的不同处在于，图3B的触控面板210是被拉近放大。当触控面板210上有一触碰处TP，而TP并未触碰到任何互耦叠点且仅覆盖到少数电性导体216时(例如：位于(X₁，Y₂)、(X₂，Y₃)的电性导体216的部份)，在触碰处TP周围的互耦叠点或电性导体216将造成电流或电压改变，而从其等的电容值影像370可得到四个电容值影像波W₅、W₆、W₇、W₈，这些电容值影像波W₅、W₆、W₇、W₈是从三个相互电容复合变化量感测所得，因此明显大于单一相互电容变化量，藉此，可用来感测多个相叠点间的座标，而非仅代表是在哪个相叠点附近或靠近哪个相叠点，其座标的量测采用内插法计算质心的方式求得，例如在(X₂，Y₅)、(X₂，Y₆)、(X₃，Y₅)、(X₃，Y₆)四个互耦叠点上的电容值影像波W₁、W₂、W₃、W₄，则X＝(X₂W₁+X₂W₂+X₃W₃+X₃W₄)/(X₂+X₂+X₃+X₃)，并且Y＝(Y₅W₁+Y₆W₂+Y₅W₃+Y₆W₄)/(Y₅+Y₅+Y₆+Y₆)。

发明人在此要说明的是，由于三个相互电容复合变化量的感测是易于(大于、明显于)单一相互电容变化量的感测，因此本发明的所有实施例可用更少的导线来达到与现有习知的技术相近的解析度，亦即具有相近的解析度，但导线量却减少。并且，由于所感测资料并不限用以当成判断触碰与否的数位资料，因此，所感测的类比资料亦可用来推估被触碰处的压力。例如，触碰物为一手指或软性材质，具有弹性的弧面，下压至触控板210的力量越大，触碰物接触到触控板210的面积亦越大，因此相互电容复合变化量越大，在感测出触碰触的同时，还可藉以推估出压力的大小、变化量、变化驱势，亦可以藉以辨识出与压力或压力变化驱势相关的手势，例如藉由判断压力的渐大或渐小来判断手指的驱近或离开，亦可以藉由判断手指一侧渐大与另一侧渐小来判断并追踪手指的移动。

请参阅图4，其为本发明的一较佳实施例400的结构分解示意图。数条第一导线412，是彼此电性隔离且位于一第一轴向层410之上。数条第二导线432，是彼此电性隔离且位于一第二轴向层430之上，此些第一、第二导线412、432是彼此电性隔离且相叠，藉此形成数个互耦叠点。其中，一第一介电层420是穿插于此些第一、第二导线412、432间，此些第一、第二导线412、432是包含彼此正交相叠。数个电性导体452，是彼此电性隔离且位于一电性导体层450上，此些电性导体452分别对应横跨此些第一、第二导线412、432且位于此些互耦叠点周围，其中此些第一、第二导线412、432与电性导体452是彼此电性隔离。其中，一第二介电层440是穿插于此些第二导线432与电性导体452间。一第三介电层460是位于此些第一、第二导线412、432与电性导体452的上方。在本实施例中，此些电性导体452的相对位置亦可调整在此些第一、第二导线412、432之间，或在此些第一、第二导线412、432下方。在本发明的一最佳范例中，此些电性导体452的相对位置亦可调整在此些第一、第二导线412、432之上。此外，熟习此项技术者可推得，上述的第三介电层460并非必然需要，在本发明的另一较佳范例中，仅包含第一、第二导线412、432、电性导体452、第一介电层420与第二介电层440，其中第一介电层420是穿插于此些第一、第二导线412、432间，并且第二介电层420是穿插于此些电性导体452与此些第一、第二导线412、432间，如先前所述，此些电性导体452的相对位置可在此些第一、第二导线412、432之间，或在此些第一、第二导线412、432上方或下方。

请参阅图5A至图5D，其为本发明的多个较佳电性导体的结构示意图。一电性导体(如图5A)是由一实心圆与一环状的两子电性导体复合成一同心圆的电性导体。一电性导体(如图5B)是由两交指状的子电性导体复合成一外矩形的电性导体。一电性导体(如图5C)由两个三角形的子电性导体复合成一外矩形的电性导体。一电性导体(如图5D)由四个三角形的子电性导体复合成一外矩形的电性导体。上述的实施例仅用以说明本发明的电性导体是可包含数个子电性导体的组合，而并非用以限制本发明的电性导体实施，其等亦可以是任何几合形状的个体或复合体。因此，熟习此项技术者可推得，本发明的单一电性导体可以是横跨互耦叠点的单一个体或数个分离个体的复合体。

请参阅图6，其为本发明的一较佳实施例的概略系统方块图，并请同时参阅图2的说明。一信号单元610，提供一电性信号给一触控面板620(图2标示为210)的一第一导线212，藉此，此第一导线212与其相叠的第二导线214是电容性耦合，且对应位于此第一导线212互耦叠点周围的电性导体216是分别与此第一导线212及与此第一导线212相叠的第二导线214电容性耦合。一第一感测单元630，在此些电性导体216其中至少之一与一物件电容式耦合或接触耦合前，从此些第二导线214分别接收数个第一感测信号。一第二感测单元(在本实施例为第一感测单元630)，在此些电性导体216其中至少之一与此物件电容式耦合或接触耦合时，从此些第二导线214分别接收数个第二感测信号。一计算单元640，是由此些第一、第二感测信号计算出至少一被触碰位置，例如：比较每一互耦叠点的第一感测信号与第二感测信号的差值，找出变化量超过一设定值之一或多个群组，并藉由对各群组的判读便可找出触碰位置。其中，此些第一、第二感测信号分别对应包含耦合前与耦合时的此第一导线212、此些第二导线214与电性导体216电容性耦合的复合量。

在本实施例中，信号单元610加载电性信号的方式可以是循序加载一电性信号给此些第一导线212其中之一，或同时加载一电性信号给数条第一导线212、数条第二导线214或数条第一、第二导线212、214的组合。第一、第二感测单元是感测包含此些互耦叠点其中至少之一的电容性耦合(如图3A的说明)以及至少一互耦叠点间的电容性耦合(如图3B的说明)，以提供计算单元640计算至少一座标位置以及至少一座标间的位置。而计算单元640亦可由此些第一、第二感测信号计算出一或多处触碰位置的压力。

而在另一较佳实施例中，一第一感测单元630，在数个电性导体216其中至少之一与一物件电容式耦合或接触耦合之前，从数条第一导线212与数条第二导线214分别接收数个第一感测信号；一第二感测单元(在本实施例中同第一感测单元630)，在此些电性导体216其中至少之一与此物件电容式耦合或接触耦合时，从此些第一、第二导线212、214分别接收数个第二感测信号；以及一计算单元640，由此些第一、第二感测信号计算出至少一被触碰的位置。其中，此些第一、第二感测信号是分别对应包含耦合前与耦合时的此些第一、第二导线212、214与电性导体216电容性耦合的复合量。在本实施例中，信号单元610加载电性信号的方式可以是循序加载一电性信号给此些第一、第二导线212、214，或是同时加载一电性信号给此些第一、第二导线212、214，而上述的第一、第二感测信号是此电性信号加载时所感测。第一、第二感测单元感测包含此些互耦叠点其中至少之一的电容性耦合(如图3A的说明)以及至少一互耦叠点间的电容性耦合(如图3B的说明)，以提供计算单元640计算至少一座标位置以及至少一座标间的位置。而计算单元640是亦可由此些第一、第二感测信号计算出一或多处触碰位置的压力。此外，信号单元610可以分别加载不同相位、波形或频率的电性信号给第一导线212与第二导线214，例如在同一时间，第一导线212与第二导线214分别同时被加载不同相位、波形或频率的电性信号。

请参阅图7A，其为本发明的一较佳实施例的动作流程图，并请参阅图6与图2的说明。在步骤702，由信号单元610提供一电性信号给一第一导线212。在步骤704，在多个电性导体216其中至少之一与一物件电容式耦合或接触耦合前，由感测单元630从数条第二导线214分别对应接收数个第一感测信号。在步骤706，在此些电性导体216其中至少之一与此物件电容式耦合或接触耦合时，感测单元630从此些第二导线214分别对应接收数个第二感测信号。在步骤708，计算单元640由此些第一、第二感测信号计算出至少一被触碰位置。其中，此些第一、第二感测信号是分别对应包含耦合前与耦合时的此第一导线212、此些第二导线214与电性导体216电容性耦合的复合量。在本实施例中，当第一导线212为数条时，信号单元610可以循序方式提供电性信号，而计算单元640更包含计算出一或多处触碰位置的压力。

请参阅图7B，其为本发明的另一较佳实施例的动作流程图，并请同时参阅图6与图2的说明。在步骤712，在数个电性导体216其中至少之一与一物件电容式耦合或接触耦合前，由感测单元630从数条第一导线212与数条第二导线214分别对应接收数个第一感测信号。在步骤714，在此些电性导体216其中至少之一与此物件电容式耦合或接触耦合时，感测单元630从此些第一、第二导线212、214分别对应接收数个第二感测信号。在步骤716，计算单元640由此些第一、第二感测信号计算出至少一被触碰位置。其中，此些第一、第二感测信号分别对应包含耦合前与耦合时的此些第一、第二导线212、214与电性导体216电容性耦合复合量。在本实施例中，此些第一、第二感测信号是信号单元610提供一电性信号给此些第一、第二导线212、214时所感测得到，而信号单元610提供此电性信号的方式是可以是循序提供或同时提供给此些第一、第二导线212、214，而计算单元640更包含计算出一或多处触碰位置的压力。

请再参阅图2与图6，一触控面板210(图6标示为620)是具有数条第一导线212与数条第二导线214，且此些第一、第二导线212、214彼此间构成数个互耦叠点。数个电性导体216，是横跨此些互耦叠点。一感测单元630，是感测此些互耦叠点的复合信号，并且各互耦叠点的复合信号是受此些电性导体216的电容性耦合影响。其中，此些第一、第二导线212、214之间是包含互电容性(mutual-capacitance)耦合，而各电性导体216是分别横跨此些互耦叠点之一，且各互耦叠点的复合信号是各电性导体216与所横跨的第一、第二导线212、214间的电容性耦合信号。一计算单元640，依据此些复合信号的变化量计算出至少一触碰位置。在本发明的一较佳实施例中，当触控面板210上有任两触碰位置(例如：P₁、P₂)构成一虚拟平行四边形P₁G₁P₂G₂上对角的一对真实顶点时，则横跨互耦叠点P₁、P₂、G₁、G₂的电性导体216的大小(dimension)将决定此虚拟平行四边形P₁G₁P₂G₂上真实顶点的邻近互耦叠点(例如：P₁、P₂)与虚假顶点的邻近互耦叠点(例如：G₁、G₂)间的信号差异量，亦即，电性导体216的大小不仅会影响互耦叠点P₁、P₂、G₁、G₂的复合信号大小，且亦会改变互耦叠点P₁、P₂、G₁、G₂的复合信号的差异量。另外，计算单元640是依据此些复合信号的变化量间的集积度(intensity)区分出至少一群相邻的互耦叠点，而每一群互耦叠点是分别相应于上述的至少一触碰位置其中之一。其中，各顶点基于与邻近的互耦叠点间的远近不同，产生互电容复合变化量的邻近互耦叠点的数量可能为一个或多个。

请再参阅图2与图6，一信号单元610，驱动一触控面板620(图2标示为210)，而触控面板620是包含数条第一、第二导线212、214构成的数个互耦叠点，且数个电性导体216横跨此些互耦叠点。一感测单元630，感测此些互耦叠点的复合信号，并且各互耦叠点的复合信号受此些电性导体216的电容性耦合影响。一计算单元640，依据此些复合信号的变化量计算出至少一触碰位置。其中，此些第一、第二导线212、214之间是包含互电容性耦合，而各电性导体216是分别横跨此些互耦叠点之一，且各互耦叠点的复合信号是各电性导体216与所横跨的第一、第二导线212、214间电容性耦合信号。在一较佳实施例中，当触控面板210上有任两触碰位置(例如：P₁、P₂)构成一虚拟平行四边形P₁G₁P₂G₂上对角的一对真实顶点时，则横跨互耦叠点P₁、P₂、G₁、G₂的电性导体216的大小将决定虚拟平行四边形P₁G₁P₂G₂上真实顶点的邻近互耦叠点(例如：P₁、P₂)与虚假顶点的邻近互耦叠点(例如：G₁、G₂)间的信号差异量。另外，计算单元640是依据此些复合信号的变化量间的集积度区分出至少一群相邻的互耦叠点，并且每一群互耦叠点是分别相应于上述的至少一触碰位置其中之一。其中，各顶点基于与邻近的互耦叠点间的远近不同，产生互电容复合变化量的邻近互耦叠点的数量可能为一个或多个。

请参阅图7C，其为本发明的又一较佳实施例的动作流程图，并请同时参阅图6与图2的说明。在步骤722，信号单元610驱动触控面板620，其中触控面板620(图2标示为210)上包含数条第一、第二导线212、214构成的数个互耦叠点，且数个电性导体216横跨此些互耦叠点。在步骤724，感测单元630感测此些互耦叠点的复合信号，而各互耦叠点的复合信号是受此些电性导体216的电容性耦合影响。在步骤726，计算单元640依据此些复合信号的变化量计算出至少一触碰位置。其中，此些第一、第二导线212、214之间为互电容性耦合，而各电性导体216是分别横跨此些互耦叠点之一，且各互耦叠点的复合信号是各电性导体216与其所横跨的第一、第二导线212、214间电容性耦合的信号。此外，当任两触碰位置(如P₁、P₂)构成一虚拟平行四边形P₁G₁P₂G₂上对角的一对真实顶点，则横跨互耦叠点P₁、P₂、G₁、G₂的电性导体216的大小(dimension)会影响虚拟平行四边形P₁G₁P₂G₂上真实顶点的邻近互耦叠点P₁、P₂与虚假顶点的邻近互耦叠点G₁、G₂间的信号差异量。在本实施例中，计算单元640计算出至少一触碰位置的步骤是依据一门槛限值(threshold value)比较各电性导体216的复合信号的变化量，其中各电性导体216的大小决定此门槛限值。在另一较佳实施例中，计算单元640计算出至少一触碰位置的步骤是包含：依据感测单元630感测所得复合信号的变化量间的集积度(intensity)区分出至少一群相邻的互耦叠点；以及依据每一群互耦叠点的信号变化量而分别计算出至少一触碰位置其中之一。其中，各顶点基于与邻近的互耦叠点间的远近不同，产生互电容复合变化量的邻近互耦叠点的数量可能为一个或多个。

请再参阅图2与图6，本发明提供一种电容式感测装置，此电容式感测装置具有数条第一、第二导线212、214构成的数个互耦叠点，并依据此些互耦叠点的互电容性耦合侦测出至少一触碰位置，其中任两触碰位置(例如：P₁与P₂)构成一虚拟平行四边形P₁G₁P₂G₂上对角的一对真实顶点P₁、P₂，则虚拟平行四边形P₁G₁P₂G₂的另一对角为一对虚假顶点G₁、G₂，而本实施例的特征在于更包含：数个电性导体216，是横跨此些互耦叠点，且此些电性导体216的大小(dimension)决定真实顶点的邻近互耦叠点P1、P2与虚假顶点的邻近互耦叠点G₁、G₂间的信号差异量。此外，本实施例更包含一感测单元630，是感测此些互耦叠点的复合信号，而各互耦叠点的复合信号受此些电性导体216的电容性耦合影响，其中各电性导体216分别横跨此些互耦叠点之一，而各互耦叠点的复合信号是各电性导体216与其等所横跨的第一、第二导线212、214之间电容性耦合的信号。再者，本实施例更包含一计算单元640，是依据感测单元630感测所得复合信号变化量间的集积度(intensity)区分出至少一群相邻的互耦叠点，而每一群互耦叠点是分别相应于至少一触碰位置其中之一。其中，各顶点基于与邻近的互耦叠点间的远近不同，产生互电容复合变化量的邻近互耦叠点的数量可能为一个或多个。

本发明所述的实施例，其等的电性信号可为弦波、方波或其他波形，且亦可以定电流或定电压的方式提供给第一导线或第二导线，用以侦测第一导线或第二导线上的电压、电流或电容值，亦即，提供定电压而感测电压或是电流；提供定电流而感测电压或是电流；或是利用上述的任一方式而感测电容，本发明对于第一、第二感测信号或互耦叠点的复合信号的量测方式并不加以限制。

综合上述，本发明利用复数个数个电性导体，使得各触碰位置邻近互耦迭叠点的复合讯号信号与鬼点邻近互耦迭叠点的复合讯号信号间的差异量明显加大，电性导体的大小影响差异量的大小，电性导体越大，差异量也越大。因此可以利用一预设范围来筛选复合讯号信号或复合讯号信号变化量落在预设范围内的互耦迭叠点。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (14)

1.一种电容式感测装置，其特征在于其包含：

数条第一导线；

数条第二导线，所述第一导线、第二导线间构成数个互耦叠点；

数个电性导体，所述电性导体横跨所述互耦叠点；以及

一感测单元，感测所述互耦叠点的复合信号，各互耦叠点的复合信号受所述电性导体的电容性耦合影响；

计算单元，依据所述复合信号的变化量计算出至少两触碰位置；

其中任两触碰位置构成一虚拟平行四边形上对角的一对真实顶点，所述电性导体的大小决定该虚拟平行四边形上该对真实顶点的邻近互耦叠点与另一对虚假顶点的邻近互耦叠点间的信号差异量。

2.根据权利要求1所述的电容式感测装置，其特征在于其中所述第一导线、第二导线间为互电容性耦合。

3.根据权利要求1所述的电容式感测装置，其特征在于其中各电性导体分别横跨所述互耦叠点之一，各互耦叠点的复合信号是各电性导体与所横跨的该第一导线、第二导线间电容性耦合的信号。

4.根据权利要求1所述的电容式感测装置，其特征在于其中所述的计算单元依据所述复合信号的变化量间的集积度区分出至少一群相邻的互耦叠点，每一群互耦叠点分别相应于该至少两触碰位置其中之一。

5.一种电容式感测装置，其特征在于其包含：

一信号单元，驱动一触控面板，该触控面板上包含数条第一导线、第二导线构成的数个互耦叠点，其中数个电性导体横跨所述互耦叠点；

一感测单元，感测所述互耦叠点的复合信号，各互耦叠点的复合信号受所述电性导体的电容性耦合影响；以及

一计算单元，依据所述复合信号的变化量计算出至少两触碰位置；

其中任两触碰位置构成一虚拟平行四边形上对角的一对真实顶点，所述电性导体的大小决定该虚拟平行四边形上该对真实顶点的邻近互耦叠点与另一对虚假顶点的邻近互耦叠点间的信号差异量。

6.根据权利要求5所述的电容式感测装置，其特征在于其中所述第一导线、第二导线间为互电容性耦合。

7.根据权利要求5所述的电容式感测装置，其特征在于其中各电性导体分别横跨所述互耦叠点之一，各互耦叠点的复合信号是各电性导体与所横跨的该第一导线、第二导线间电容性耦合的信号。

8.根据权利要求5所述的电容式感测装置，其特征在于其中所述的计算单元依据所述复合信号的变化量间的集积度区分出至少一群相邻的互耦叠点，每一群互耦叠点分别相应于该至少两触碰位置其中之一。

9.一种电容式感测方法，其特征在于其包括以下步骤：

驱动一触控面板，该触控面板上包含数条第一导线、第二导线构成的数个互耦叠点，其中数个电性导体横跨所述互耦叠点；

感测所述互耦叠点的复合信号，各互耦叠点的复合信号受所述电性导体的电容性耦合影响；以及

依据所述复合信号的变化量计算出至少两触碰位置；

其中任两触碰位置构成一虚拟平行四边形上对角的一对真实顶点，所述电性导体的大小决定该虚拟平行四边形上该对真实顶点的邻近互耦叠点与另一对虚假顶点的邻近互耦叠点间的信号差异量。

10.根据权利要求9所述的电容式感测方法，其特征在于其中所述第一导线、第二导线间为互电容性耦合。

11.根据权利要求9所述的电容式感测方法，其特征在于其中各电性导体分别横跨所述互耦叠点之一，各互耦叠点的复合信号是各电性导体与所横跨的该第一导线、第二导线间电容性耦合的信号。

12.根据权利要求9所述的电容式感测方法，其特征在于其中所述的至少两触碰位置的侦测包含：

依据一门槛限值比较各电性导体的复合信号的变化量，其中各电性导体的大小决定该门槛限值。

13.根据权利要求9所述的电容式感测方法，其特征在于其中所述的至少两触碰位置的侦测包含：

依据所述复合信号的变化量间的集积度区分出至少一群相邻的互耦叠点；以及

依据每一群互耦叠点的信号变化量分别侦测出该至少两触碰位置其中之一。

14.一种电容式感测装置，该电容式感测装置具有数条第一导线、第二导线构成的数个互耦叠点，并且依据所述互耦叠点的互电容性耦合侦测出至少两触碰位置，其中任两触碰位置构成一虚拟平行四边形上对角的一对真实顶点，该虚拟平行四边形的另一对角为一对虚假顶点，其特征在于还包含：

数个电性导体，横跨所述互耦叠点，所述电性导体的大小决定该对真实顶点的邻近互耦叠点与该对虚假顶点的邻近互耦叠点间的信号差异量；

所述的电容式感测装置还包含一感测单元，感测所述互耦叠点的复合信号，各互耦叠点的复合信号受所述电性导体的电容性耦合影响，其中各电性导体分别横跨所述互耦叠点之一，各互耦叠点的复合信号是各电性导体与所横跨的该第一导线、第二导线间电容性耦合的信号；

所述的电容式感测装置还包含一计算单元，依据所述复合信号的变化量间的集积度区分出至少一群相邻的互耦叠点，每一群互耦叠点分别相应于该至少两触碰位置其中之一。

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