TWI529223B - 用於製造導電結構的反應墨水以及製造導電結構的方法 - Google Patents

Description

用於製造導電結構的反應墨水以及製造導電結構的方法

本發明與導電結構的製造有關，特別是指一種搭配雷射直寫技術，用於在基板上製造導電結構的反應墨水，以及製造導電結構的方法。

為了迎合消費性電子產品小型化的趨勢，目前已經發展出許多在基板上形成精密微小的導電圖案(pattern)/結構(structure)以作為導線或是電極的方法，例如光罩蝕刻(photolithography)、網版印刷(screen printing)、噴墨印刷(inkjet printing)、以及雷射直寫技術(laser direct write)等。

在前揭技術中，光罩蝕刻、網版印刷以及噴墨印刷都存有一些問題，比如說，光罩蝕刻的製程複雜、成本較高、不環保、以及無法使用耐化性與耐熱性不佳的聚合物作為製造微電子裝置的基板，致使其無法用於製造撓性電子元件(flexible electronics)；網版印刷具有導電結構與基板之間附著性較差的問題；而噴墨印刷為了增加導電結構的導電度，必須重複多次噴墨製程，導致製程時間長、製程複雜以及成本提高。

相較於前揭技術，由於雷射直寫技術只需先製備含有奈 米金屬粒子的墨水，再將前述墨水塗布於基板上進行軟烘烤(soft bake)，最後再利用雷射進行燒結(sintering)程序，將奈米金屬粒子燒結成金屬原子並沉積於基板表面，就能夠在低溫環境中完成金屬導電圖案/結構的製造，而不需使用光罩及真空設備，因而具有快速、成本低以及能夠大面積製造等優勢。

不過，雖然傳統的雷射直寫技術具有前揭優勢，但是， 含有奈米金屬粒子之墨水的製備程序仍稍繁瑣，且難以控制奈米金屬粒子的粒徑，容易影響後續雷射燒結所製得之金屬導電圖案/結構的緊密度，此外，雷射燒結經過軟烘烤後的墨水，也容易使燒結後的金屬原子之間出現孔隙，而降低金屬導電圖案/結構的導電性。

另一方面，就導電圖案/結構的材質而言，由於銅 (copper)很容易氧化，因此難以藉由光罩蝕刻、網版印刷、噴墨印刷或是傳統的雷射直寫技術製得銅導電圖案/結構。以傳統的雷射直寫技術來說，由於含有銅奈米粒子的墨水經過軟烘烤程序後，原本的銅奈米粒子幾乎都會變成氧化銅奈米粒子，因此最終只能燒結出導電度不佳的氧化銅圖案/結構。

有鑑於此，本發明之一目的在於提供一種反應墨水，其能夠搭配雷射直寫技術在基板上製造具有優良導電度的導電結構。

本發明之另一目的在於提供一種使用該反應墨水在基板上製造導電結構的方法。

本發明提供一種反應墨水，包含有一金屬錯離子(metal complex ion)溶液，以及一具有至少兩個羥基官能基(hydroxyl functional group)的醇類溶劑，該金屬錯離子溶液與該醇類溶劑的體積比(volumetric ratio)範圍最好為9：1~1：9，較佳為5：1~1：5，更佳為1：1。

在本發明所提供之反應墨水中，該金屬錯離子溶液可為 銀氨錯離子(diamminesilver(I)ion,[Ag(NH₃)₂]⁺)溶液或是銅氨錯離子(tetraamminecopper(II)ion,[Cu(NH₃)₄]²⁺)溶液。該銀氨錯離子溶液或是銅氨錯離子溶液可分別透過將一銀鹽(silver salt)或一銅鹽(copper salt)與一錯合劑(complexing agent)以及一短鏈羧酸(short chain carboxylic acid)混合而製得。

前述銀鹽可為(但不限於)醋酸銀(silver acetate)、硝酸 銀(silver nitrate)、甲酸銀(silver formate)、碳酸銀(silver carbonate)、亞硝酸銀(silver nitrite)、氟化銀(silver fluoride)、氯化銀(silver chloride)、溴化銀(silver bromide)、碘化銀(silver iodide)、磷酸銀(silver phosphate)或氧化銀(silver oxide)；前述銅鹽可為(但不限於)醋酸銅(copper acetate)或硝酸銅(copper nitrate)。前述錯合劑可為烷胺(alkyl amine)或是氫氧化銨(ammonium hydroxide)。烷胺的例子可為(但不限於)丙胺、正丁胺、戊胺、二乙胺、三乙胺、異丁胺、異戊胺等。

前述短鏈羧酸可為碳數1~5的羧酸，例如可為(但不限於)甲酸、乙酸、丙酸、丁酸以及戊酸，較佳為甲酸或乙酸。

在本發明所提供之反應墨水中，該醇類溶劑的沸點最好 等於或高於190℃，並且，該醇類溶劑可使用乙二醇(ethylene glycol)、丙三醇(glycerol)、二甘醇(diethylene glycol)以及三甘醇(triethylene glycol)中的一種或多種。此外，前述醇類溶劑可進一步包含一還原劑，例如可為(但不限於)維他命C，以促進金屬錯離子還原成元素態金屬。前述醇類溶劑中之維他命C的含量為0.025g/mL~0.1g/mL。

依據本發明所提供之反應墨水，最好具有於室溫條件下約5cP~17cP的黏度。

另一方面，本發明所提供之製造導電結構的方法，包含有下列步驟：a)使本發明之反應墨水與一基板的表面接觸，該反應墨水與該基板至少其中之一具有透光性；b)將一雷射光束照射至該反應墨水或是該基板，使該反應墨水中的金屬錯離子還原成附著於該基板表面的元素態金屬(elemental metal)，以於該基板表面形成一導電結構；以及c)移除該基板表面剩餘的反應墨水。

在本發明所提供之製造導電結構的方法中，步驟a)中之使該反應墨水與該基板的表面接觸，係可透過下列方式予以完成：將該反應墨水塗布至該基板並覆蓋該基板表面；或是將該基板置放於一充滿該反應墨水的容器頂部，使該反應墨水因毛細作用而與該基板接觸。前述將該反應墨水塗布於該基板表面，最好是使塗布於該基板表面的該反應墨水具有雷射光束能夠有效穿透反應墨水到達基板表面的厚度。例如可為實質上(但不限於)3mm至5mm。

在本發明所提供之製造導電結構的方法中，該基板的材質可為玻璃或是具有玻璃轉移溫度(glass transition temperature,Tg)為 100℃至200℃的聚合物。並且，該聚合物可使用(但不限於)聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)、聚亞醯胺(polyimide)或聚萘二甲酸乙二醇酯(poly(ethylene naphthalate),PEN)。

依據本發明所提供之製造導電結構的方法，於步驟b) 中，該雷射光束的波長範圍最好為400nm至800nm，亦即接近(但不限於)可見光的波長範圍，前述波長範圍以反應墨水或是基板能夠有效吸收的波長為基準。

依據本發明所提供之製造導電結構的方法，於步驟c) 中，清洗該基板係先使用去離子水，之後再用乙醇或丙酮清洗予以完成。

由於本發明之製造導電結構的方法是利用雷射提供能 量給反應墨水中的金屬錯離子，使金屬錯離子能夠還原成元素態金屬進而形成導電結構，而不需進行製備含有奈米金屬粒子的墨水、將墨水塗布於基板、以及軟烘烤等程序，因此相較於傳統的雷射直寫技術，本發明之方法不僅能夠保有傳統雷射直寫技術的優點，還具有能夠簡化製程與縮短製程時間的優勢。此外，由於本發明之方法是在反應墨水維持於液體的狀態下，使金屬錯離子還原成元素態金屬以形成導電結構，因此在導電結構形成的過程中，能夠藉由毛細作用(capillary effect)使反應墨水不斷充填至元素態金屬之間出現的孔隙，以提高導電結構的結構緊實度，進而提升導電度。更且，由於本發明之方法是使用含有至少兩個羥基官能基之醇類溶劑的反應墨水，且不需經過軟烘烤程序，因此在製造銅導電圖案/結構的過程中能夠隔絕氧氣，避免反 應墨水中的銅離子氧化，以製得導電度佳的銅導電圖案/結構。

10‧‧‧反應墨水

20‧‧‧基板

21‧‧‧接觸面

23‧‧‧暴露面

30‧‧‧雷射光束

40‧‧‧導電結構

50‧‧‧容器

60‧‧‧承載台

S1~S3‧‧‧步驟

第1圖為本發明之製造導電結構的方法的流程圖。

第2圖為一示意圖，顯示雷射光束穿過反應墨水而照射於基板表面並形成導電結構的態樣。

第3圖為一示意圖，顯示塗布有反應墨水的基板位於可移動之承載台上，以利用雷射光束製得預定圖樣之導電結構的態樣。

第4圖為一示意圖，顯示雷射光束穿過基板而照射於基板表面並形成導電結構的態樣。

第5圖~第7圖分別為實驗例1~3之反應墨水製得之導電結構的光學顯微鏡影像。

第8圖~第9圖分別為實驗例2以及實驗例7之反應墨水製得之導電結構的SEM影像。

以下進一步說明本發明。

申請人在此首先陳明，為求能清晰說明，圖式中各構件、結構(舉凡雷射光束、基板、承載台等)的比例皆被誇大繪製，因此圖式中各構件的比例僅供參考，本發明並不受限於此。

請參考第1圖，本發明係提供一種製造導電結構的方法，其包含有下列步驟：使一反應墨水10與一基板20的表面接觸，該反應墨水與該基板至少其中之一具有透光性(步驟S1)；將一雷射光束 30照射至該反應墨水10或是該基板20，使該反應墨水中的金屬錯離子(metal complex ion)還原成附著於該基板表面的元素態金屬(elemental metal)，以於該基板20表面形成一導電結構40(步驟S2)；以及移除該基板20表面剩餘的反應墨水10(步驟S3)。

於步驟S1中，使該反應墨水10與該基板20表面接觸的方 法，包括(但不限於)將該反應墨水10塗布至該基板20，並覆蓋於該基板20表面(第2圖參照)，或者是將該基板20置放於一充滿該反應墨水10的容器50頂部，使該反應墨水10因毛細作用而與該基板20接觸(第4圖參照)。如此，該基板20具有一與該反應墨水10接觸的接觸面21，以及一相對該接觸面21的暴露面23。

將該反應墨水10塗布至該基板20的方式並無特定限 制，舉凡本技術領域中常用於將一液體塗布至一物體表面，以達成使該反應墨水10能覆蓋該基板20表面的方式均可使用，當然也可直接將該反應墨水10滴於該基板20表面而形成一液滴(droplet)。為了避免基板20表面之反應墨水10於製造導電結構40的過程中乾涸，同時考慮到雷射光束30能夠有效穿透反應墨水10到達基板20表面，塗布於該基板20表面之該反應墨水10的厚度最好為3mm至5mm。

另外，該反應墨水10與該基板20至少其中之一具有透光 性，是為了使後續步驟S2中的雷射光束30能夠選擇性地如第2圖所示般，穿過反應墨水10而照射至基板20的接觸面21，或是第4圖所示般，自基板20的暴露面23穿過基板20而照射於基板20的接觸面21。前述基板20的材質較佳為玻璃(glass)或是具有玻璃轉移溫度為100℃至200℃ 的聚合物(polymer)，聚合物的具體示例可為聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)、聚亞醯胺(polyimide)、以及聚萘二甲酸乙二醇酯(poly(ethylene naphthalate),PEN)。

本發明之該反應墨水包含有一金屬錯離子(metal complex ion)溶液，以及一具有至少兩個羥基官能基(hydroxyl functional group)的醇類溶劑(alcohol solvent)，該金屬錯離子溶液與該醇類溶劑的體積比範圍最好為9：1~1：9，較佳為5：1~1：5，更佳為1：1。若體積比未於前述範圍內，則在製程中容易產生氣泡，使製得的導電結構出現孔隙，降低導電率，或是會使導電結構的形成速度緩慢，增加製程時間。

前述金屬錯離子溶液可為銀氨錯離子([Ag(NH₃)₂]⁺)溶 液或是銅氨錯離子([Cu(NH₃)₄]²⁺)溶液。於本發明之實驗例中，該銀氨錯離子溶液或是銅氨錯離子溶液可分別透過將一銀鹽(silver salt)或一銅鹽(copper salt)與一錯合劑(complexing agent)以及一短鏈羧酸(short chain carboxylic acid)混合而製得。

前述銀鹽可使用(但不限於)醋酸銀(silver acetate)、硝 酸銀(silver nitrate)、甲酸銀(silver formate)、碳酸銀(silver carbonate)、亞硝酸銀(silver nitrite)、氟化銀(silver fluoride)、氯化銀(silver chloride)、溴化銀(silver bromide)、碘化銀(silver iodide)、磷酸銀(silver phosphate)或氧化銀(silver oxide)；前述銅鹽可使用(但不限於)醋酸銅(copper acetate)或是硝酸銅(copper nitrate)。

前述錯合劑可使用烷胺(alkyl amine)或是氫氧化銨 (ammonium hydroxide)。所述烷胺是指具有至少一個碳數1~8之烷基的胺類化合物，其可為一級、二級或三級烷胺，較佳為一級烷胺，例如可為(但不限於)丙胺、正丁胺、戊胺、二乙胺、三乙胺、異丁胺、異戊胺等；所述烷基可為直鏈烴、支鏈烴、環烴或前述之結合，例如可為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、環己基、環戊基等。

前述短鏈羧酸可為碳數1~5的羧酸，例如可為(但不限於)甲酸、乙酸、丙酸、丁酸以及戊酸，較佳為甲酸或乙酸。

本發明之該反應墨水10中所含有的醇類溶劑，其作用在於：1.增加反應墨水10的黏度(viscosity)，以降低反應墨水10受熱時的對流現象，提高反應墨水10中之金屬錯離子的穩定性，進而形成較佳的導電結構40；2.提高反應墨水10的沸點，避免反應墨水10於製程中產生氣泡；以及3.隔絕氧氣，避免反應墨水10中的金屬錯離子氧化。如此，當進行步驟S2時，該反應墨水10不會因受熱而於基板20的接觸面21處產生氣泡，以提高形成之導電結構40的結構緊密度，進而降低其電阻率。

為了使前述醇類溶劑能夠確實發揮其效用，該醇類溶劑的沸點最好等於或是高於190℃，並且，該醇類溶劑可使用(但不限於)乙二醇(ethylene glycol)、丙三醇(glycerol)、二甘醇(diethylene glycol)或三甘醇(triethylene glycol)。前述醇類溶劑可單獨使用一種或是合併使用兩種以上。包含有前述醇類溶劑的反應墨水10於室溫條件下的黏度範圍最好為5cP~17cP。另外，為進一步促進金屬錯離子還原成元 素態金屬，前述醇類溶劑中還可包含有一還原劑，例如(但不限於)維他命C，且其含量最好為0.025g/mL~0.1g/mL。前述還原劑含量g/mL的定義，係指每毫升(mL)醇類溶劑中所含有之還原劑的克(g)數。

於步驟S2中，係以雷射光束30照射反應墨水10或是基板 20，以提供反應墨水10能量，使金屬錯離子還原成元素態金屬並附著於基板20的接觸面21，而形成導電結構40。前述雷射光束30的波長主要是取決於反應墨水10中之金屬錯離子進行還原反應所需的能量，同時最好挑選反應墨水10或是基板20能夠有效吸收的波長。針對銀氨錯離子([Ag(NH₃)₂]⁺)或是銅氨錯離子([Cu(NH₃)₄]²⁺)，該雷射光束30的波長範圍最好為400nm至800nm。另外，適用於本發明之製造導電結構的方法的雷射種類並無特定限制，其可使用任何傳統雷射直寫技術能夠使用的雷射光束，舉例來說，可使用氬雷射(argon laser beam)、二極體雷射(diode laser beam)或是Nd：YAG雷射。

實際進行步驟S2時，如第3圖所示，可將表面覆蓋有反 應墨水10的基板20，放置於一承載台60上，之後，透過移動該承載台60或是移動該雷射光束30，以於基板20的接觸面21上形成具有預定圖樣的導電結構40。前述承載台60的移動，可透過諸如(但不限於)利用預先撰寫好的LabVIEW(Laboratory Virtual Instrumentation Engineering Workbench)程式，使電腦精確的控制例如(但不限於)伺服馬達，以驅動承載台60移動，並可控制其移動方式與速度；而前述雷射光束30的移動，可透過諸如(但不限於)可程式化二維微鏡面陣列掃描裝置(programmable two-dimensional micromirror array scanner) 予以實現。另外，視實際需求，藉由控制雷射光束20聚焦的直徑、掃描功率、掃描速率、掃描次數等變因，即可控制導電結構40之圖樣的線寬以及厚度。

於步驟S3中，移除該基板20表面剩餘的反應墨水10，係 可透過諸如清洗該基板20的方式予以完成。進行清洗時，是先利用去離子水(deionized water)沖洗基板20表面，去除殘留的反應墨水10，之後再用乙醇(ethanol)或丙酮進行沖洗，以於基板20上製造導電結構。

申請人需補充說明的是，若為了進一步提升元素態金屬 附著於基板表面的附著性，於該基板與反應墨水接觸前，該基板可先進行表面處理，舉例來說(但不限於)可先以甲醇(methanol)、乙醇(ethanol)、異丙醇(isopropanol)、丙酮(actone)等溶劑清洗基板表面，再以10W~20W的氧電漿(oxygen plasma)處理約5~10秒鐘。前述清洗基板表面所使用的溶劑種類並無特定限制，只要是能夠去除基板表面的油汙、髒汙者皆可使用。

為了有助於理解本發明，以下透過具體實驗例進一步詳述本發明，然而下述實驗例只是本發明的示例而已，本發明的保護範圍並不局限於下述實驗例。

反應墨水的製備

[實驗例1]

在室溫下於10秒的時間內將1g的醋酸銀(silver acetate，無水，99%，Alfa Aesar供售)以渦流混合方式(vortex mixed)加到2.5mL的氫氧化銨水溶液(aqueous ammonium hydroxide，濃度約 28%~30%，ACS級試劑，J.T.Baker供售)中，獲得淡黃灰色的溶液。之後，在前述淡黃灰色溶液維持劇烈攪拌的情形下，於大約1分鐘內將0.2mL的甲酸(formic acid，濃度88%，ACS級試劑，J.T.Baker供售)逐滴加入，獲得灰色的銀粒子溶液。將前述灰色的銀粒子溶液靜置12小時使銀粒子沈澱，之後取上層澄清液並使用孔徑為220nm的聚二氟亞乙烯(polyvinylidene fluoride,PVDF)過濾器進行過濾，以獲得銀氨錯離子([Ag(NH₃)₂]⁺)溶液。其後，將前述銀氨錯離子溶液與乙二醇(ethylene glycol，99%，Alfa Aesar供售)以體積比1：9均勻混合，以製得實驗例1的反應墨水。依此所製得之反應墨水的黏度為16.98cP。

[實驗例2]

以與實驗例1相同的方式製備反應墨水，除了銀氨錯離子溶液與乙二醇的體積比為1：1之外。依此所製得之反應墨水的黏度為7.92cP。

[實驗例3]

以與實驗例1相同的方式製備反應墨水，除了銀氨錯離子溶液與乙二醇的體積比為9：1之外。依此所製得之反應墨水的黏度為5.46cP。

[實驗例4]

以與實驗例1相同的方式製備反應墨水，除了將銀氨錯離子溶液與二甘醇以體積比1：1均勻混合之外。依此所製得之反應墨水的黏度為9.90cP。

[實驗例5]

以與實驗例1相同的方式製備反應墨水，除了將銀氨錯 離子溶液與三甘醇以體積比1：1均勻混合之外。依此所製得之反應墨水的黏度為11.10cP。

[實驗例6]

以與實驗例1相同的方式製備反應墨水，除了將銀氨錯 離子溶液與丙三醇以體積比1：1均勻混合之外。依此所製得之反應墨水的黏度為10.74cP。

[實驗例7]

在室溫下於10秒的時間內將1g的醋酸銅(copper acetate，無水，98%，Alfa Aesar供售)以渦流混合方式加到4mL的氫氧化銨水溶液(aqueous ammonium hydroxide，濃度約28%~30%，ACS級試劑，J.T.Baker供售)中，獲得淺藍紫色的溶液。之後，在前述淺藍紫色溶液維持劇烈攪拌的情形下，於大約1分鐘內將0.3mL的甲酸(formic acid，濃度88%，ACS級試劑，J.T.Baker供售)逐滴加入，獲得深藍紫色的銅離子溶液。將前述深藍紫色的銅離子使用孔徑為220nm的聚二氟亞乙烯(PVDF)過濾器進行過濾，以獲得銅氨錯離子([Cu(NH₃)₂]⁺)溶液，顏色為藍紫色。於此同時，將0.4g的維他命C(L-ascorbic acid，ACS級試劑，Sigma Aldrich供售)加入4mL的乙二醇(ethylene glycol，99%，Alfa Aesar供售)中，均勻混合之後得到透明無色之含維他命C的乙二醇。其後，將前述銅氨錯離子溶液與含維他命C的乙二醇以體積比1：1均勻混合，以製得實驗例7的反應墨水，其顏色為半透明淡黃色。依此所製得之反應墨水的黏度為8.22cP。

反應墨水的黏度測試

使用黏度檢測儀(viscometer，Brookfield供售，型號LVDVE115)直接量測實驗例1至7所製得之反應墨水的黏度。

導電結構的製造

使用厚度100μm，面積5cm x 5cm的聚亞醯胺膜片(polyimide film)作為基板。首先，依序以丙酮、乙醇、異丙醇、以及甲醇沖洗基板，再利用大氣常壓式電漿清洗機(Atmospheric Pressure Plasma Cleaner，型號APPC103C，Solar Energy Tech.Inc.供售，輸出電壓10,000~50,000V，輸出頻率4~5MHz)以氧電漿處理基板10秒鐘，以提高基板表面的金屬附著性。將基板固定於一樣品架(sample holder)並維持其表面平整，之後使用移液管(pipet)將實驗例1~7製得的反應墨水滴於該基板表面，形成厚度約2~3mm的液滴。接著利用可程式化檢流計式掃描系統(programmable galvanometer scanner system，SCANLAB hurryScan供售，型號II-7)將波長532nm、功率200mW的連續式二極體極化雷射(continuous wave(CW)diode laser)施予該反應墨水，並以3cm/s的掃描速度重複掃描10次，最後再以去離子水以及丙酮清洗該基板，以於基板表面形成導電結構。前述導電結構隨後以光學顯微鏡觀察以及掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察其結構與結構緊密度。實驗例1~3之反應墨水製得之導電結構的光學顯微鏡影像顯示於第5~7圖，實驗例2以及7之反應墨水製得之導電結構的SEM影像則顯示於第8~9圖。另外，實驗例1~7的反應墨水再利用前述方式製得長度1cm、線寬1mm的導電結構，所得導電結構以下述方式測量其電阻 值。

導電結構的電阻值測試

使用微電阻測試儀(micro resistance meter，Hioki供售，型號RM3544-01，範圍30mΩ~3MΩ，準確度±0.02%)測量以實驗例1~7之反應墨水製得之長度1cm、寬度1mm之導電結構的電阻，並將結果顯示於下表1。

從第5圖~第9圖的光學顯微鏡影像以及SEM影像都可以清楚看出，本發明之反應墨水以及製造方法確實能夠成功地於基板上形成具有導電性的導電結構(銀金屬線、銅金屬線)。

申請人需在此特別說明的是，本發明主要係提供一種利用雷射直寫在基板上製造導電結構的方法，因此，前述實驗例中之可程式化檢流計式掃描系統的各項參數，舉凡雷射光功率、掃描時間、掃描速度、掃描次數等，均可按照實際需求而改變，在未違反本發明精神下所為之各種變化均屬於本發明所請求之範圍。

綜合上述，本發明之反應墨水可成功地用來製造導電結 構，且本發明之使用該反應墨水製造導電結構的方法，不僅能夠保有傳統雷射直寫技術的優點，還能進一步簡化製程以縮短製程時間，更且，還可成功地製得銅導電結構，實用性更高。另外，由於本發明之方法能夠使用撓性聚合物作為基板，因此還可用於製造撓性電子元件，應用範圍更廣泛。

S1~S3‧‧‧步驟

Claims (10)

1. 一種用於利用雷射直寫在基板上製造導電結構的反應墨水，包含有：一金屬錯離子溶液；以及一醇類溶劑，具有至少兩個羥基官能基；該金屬錯離子溶液與該醇類溶劑的體積比範圍為9：1~1：9；其中該金屬錯離子溶液為銅氨錯離子溶液，該醇類溶劑包含有一還原劑。
2. 如請求項1所述之反應墨水，其中該還原劑為維他命C，且其含量為0.025g/mL~0.1g/mL。
3. 如請求項1所述之反應墨水，其中該銅氨錯離子溶液係透過混合一銅鹽、一錯合劑以及一短鏈羧酸而製得，該銅鹽係為醋酸銅或硝酸銅，該錯合劑係為烷胺或氫氧化銨，該短鏈羧酸係選自碳數1~5的羧酸。
4. 如請求項1所述之反應墨水，其中該醇類溶劑的沸點等於或高於190℃。
5. 如請求項4所述之反應墨水，其中該醇類溶劑為選自乙二醇、丙三醇、二甘醇以及三甘醇所構成之族群中的至少一種溶劑。
6. 如請求項1所述之反應墨水，其於室溫條件下具有5cP~17cP的黏度。
7. 一種利用雷射直寫製造導電結構之方法，包含有下列步驟： a)使如請求項1至6中任一項所述之反應墨水與一基板的表面接觸，該反應墨水與該基板至少其中之一具有透光性；b)將一雷射光束照射至該反應墨水或該基板，使該反應墨水中的金屬錯離子還原成附著於該基板表面的元素態金屬，以於該基板表面形成一導電結構；以及c)移除該基板表面剩餘的反應墨水。
8. 如請求項7所述之利用雷射直寫製造導電結構之方法，於步驟a)中，使該反應墨水與該基板的表面接觸，係透過下列方式予以完成：將該反應墨水塗布至該基板並覆蓋該基板表面；或是將該基板置放於一充滿該反應墨水的容器頂部，使該反應墨水因毛細作用而與該基板接觸。
9. 如請求項7所述之利用雷射直寫製造導電結構之方法，其中該基板的材質為玻璃或是具有玻璃轉移溫度為100℃至200℃的聚合物。
10. 如請求項7所述之利用雷射直寫製造導電結構之方法，於步驟b)中，該雷射光束的波長範圍為400nm至800nm。