TWI524590B - 圓極化開槽波導陣列 - Google Patents

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TWI524590B
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Description

圓極化開槽波導陣列 【相關申請案之相互參照】
本申請案主張2011年8月22日提出申請之第61/525,870號美國臨時專利申請案之優先權，該申請案之內容在此以引用之方式併入本文以供各種目的使用。
本發明係關於波導天線。詳言之，本發明係關於圓極化波導天線。
第9圖繪示第一習知圓極化天線陣列900。在此構型中，該圓極化天線陣列使用兩個相位差為90度之線極化天線元件912與914，此一90度相位差通常係由一複式連結器920提供。該陣列設有複數組天線波導元件912/914及隨附之複式連結器920，同時利用一功率分配器930將訊號供應至形成該陣列900之各個複式連結器920。
第10圖則繪示第二習知圓極化開槽波導陣列1000。各陣列元件1010係由一圓極化波導天線及隔板極化器組成，其實例可參見第6,118,412號美國專利。另以一功率分配器1020將訊號饋入該等陣列元件1010。
在第9與10圖所示之習知技藝中，陣列元件之間距(例如第一組元件912/914與第二組元件912/914之間距)不得過大，否則將出現光柵波瓣。舉例而言，相鄰陣列元件之間距若大於λg/2便將產生光柵波瓣(其中λg代表波導內所欲傳遞之訊號之波導波長)。然而，在所需之操作頻率下，此 一間隔λg/2甚小，因此，若欲將相鄰陣列元件之間距保持在此一距離內並非易事。
吾人亟需一種可解決上述問題之圓極化開槽波導陣列之新穎設計。
本發明提供一種可克服前述一或多項習知缺點之圓極化開槽波導陣列。該陣列之一實施例包括第一及第二開槽波導部分。該第一開槽波導部分係沿一縱軸延伸，且包括一可發射或接收一圓極化訊號之天線元件。該第二開槽波導部分係與該第一開槽波導部分並排連結，且沿該縱軸延伸。該第二開槽波導部分包括一可發射或接收該圓極化訊號之天線元件，其中該圓極化訊號被該第二開槽波導部分發射或接收時，其相位大體上係與該圓極化訊號被該第一開槽波導部分發射或接收時之相位互補。較佳者，位於該第一開槽波導部分上之該天線元件與位於該第二開槽波導部分上之該天線元件係沿該縱軸而相對偏置，且相對偏置之距離大體上為一預定波導波長ΛG之二分之一。
在另一實施例中，該圓極化波導包括複數個開槽波導部分，該等開槽波導部分係沿一縱軸延伸且並排連結，其中各波導部分包括複數個可發射或接收一圓極化訊號之天線元件。位於一第一開槽波導部分上之複數個天線元件其中之一與位於一第二開槽波導部分上之複數個天線元件其中之一係沿該縱軸而相對偏置。詳言之，各天線元件包含一沿該縱軸延伸之縱向開槽，以及一大體上正交於該縱向開 槽而延伸之橫向開槽。
在參閱本案示範實施例之圖式及詳細說明後，當可對本發明之其他態樣有更清楚之瞭解。
第1圖繪示本發明用以產生圓極化輻射之一開槽波導天線100，其波導壁上之槽形切口可由該波導內之電磁場激發，進而產生輻射。當吾人將訊號130施加於開槽波導天線100時，狹長之開槽將被開槽波導天線100內之磁場激發。沿縱向延伸之縱向開槽110將被此外加訊號130之縱向磁場Hz激發，因而將Ex場輻射至開槽波導天線100外。沿橫向延伸之橫向開槽120則將被外加訊號130之橫向磁場Hx激發，並將Ez場輻射至開槽波導天線100外。該波導內之磁場Hz與Hx具有90度之相位差，因此，輻射場Ex與Ez亦具有90度之相位差，從而構成開槽波導天線100之圓極化波輻射場型。
開槽110與120(在本文中稱為一「開槽對」)共同形成開槽波導天線100之一天線元件。若令各開槽對沿著開槽波導天線100之間距為一個波長，即可利用一圓極化訊號產生同相激發並形成垂向(broadside)輻射場型。然而，只要開槽對之間距大於半個波長，便將產生吾人所不樂見之光柵波辦。
為克服此一缺點，可設置兩個開槽波導天線200a與200b(在本文中亦分別稱為一開槽波導陣列之一「波導部分」)，使其以並排方式沿著共同之縱軸(圖示為z軸)排 列，因而形成第2A圖所示之開槽波導陣列200。在此構型中，分別位於不同波導部分200a與200b上之開槽對202a與202b係相對偏置，且相對偏置之距離大體上為波導波長之二分之一(λg/2)，至於同一波導天線上之開槽對則大體上相距一個波導波長λg。開槽對202a與202b之間半個波導波長(λg/2)之間隔可產生相位大體上互補之光柵波辦圖型，此等光柵波瓣圖型相互結合後可減少/消除圓極化開槽波導陣列200之整體光柵波辦。
根據本發明，第一及第二波導天線200a與200b可用以發射/接收振幅大體上相等且相位大體上互補之訊號230a與230b。在此一設計中，由於被發射/被接收之訊號230a與230b具有互補之相位，且開槽對202a與202b亦具有互補之相位，因此，可利用一圓極化訊號產生同相之垂向輻射場型，其與第1圖中單一開槽波導天線100所產生者類似，但光柵波辦(若有)則明顯較小。
第2B圖繪示本發明圓極化開槽波導陣列之第二實施例250，其中，凡此前已說明過之特徵均沿用既有之參考標號。第一及第二波導部分200a及200b尚分別包括凸脊205a及205b。各凸脊係位於其對應波導部分之底面(位於圖式後側)，而各波導與此一底面相對之頂面(位於圖式前側)則包括開槽對。若採用此一凸脊波導結構，便可針對同一操作頻率縮小波導部分200a與200b之寬度，進而縮小第一波導部分200a上之一第一開槽對與第二波導部分200b上之一第二開槽對之間隔。而相鄰波導部分上之開槽對之間隔一 旦縮小，亦將改善方位角平面上之輻射場型。此外，同一波導部分上之開槽對之間距亦將縮小，從而提高設計之彈性。
在第2A與2B圖之示範實施例中，位於相鄰波導部分上之開槽對彼此相距λg/2，但熟習此項技藝之人士當可瞭解，為避免形成前述之光柵圖型，此一開槽對間距可為小於或等於λg/2之任一距離。詳言之，相鄰波導部分上之開槽對可彼此相距λg/16、λg/8、λg/4或λg/2。概言之，開槽對之間距可為λg/N，其中λg一如先前之定義，而N則為該開槽波導陣列在每一λg中之波導部分之數量，且為一偶數；換言之，該偶數個開槽對間距相加後等於一個完整之波導波長λg。在第2A與2B圖所示之實施例中均設有兩個波導部分200a及200b，且開槽對間距均為λg/2。應瞭解，陣列200可設置多組波導部分200a及200b，以使該陣列之天線場型更加均勻，此乃習知技術。
第3圖繪示一採用第2圖所示設計之圓極化開槽波導陣列300(以下簡稱「陣列」)。此陣列300除包括主要開槽對202a與202b外，尚包括一或兩個饋入網路312與314，其分別連結於陣列300之相反縱向端。較佳者，各饋入網路312、314包括一波導至同軸接頭，且各接頭係連結至一饋入結構以便為第一與第二開槽波導天線200a與200b進行奇模激發。詳言之，各饋入網路312、314均可用以提供振幅大體上相等且相位大體上互補之訊號至第一與第二開槽波導天線200a與200b。右旋圓極化訊號可由縱向端322上之 饋入網路312發射或接收，而左旋圓極化訊號則可由縱向端324上之饋入網路314發射或接收。若有需要，陣列300可包括尺寸與主要開槽對202不同之控制開槽對302a-302b，俾為陣列300提供振幅控制。較佳者，控制開槽對302a-302b中之I字形開槽因縱向長度較短，故可為控制開槽對302a-302b中之縱向開槽產生共振。
如第3圖所示，陣列300包括一隔牆320，此隔牆320位於開槽波導天線200a與200b之間，但有一小部分已被移除以容納饋入網路312與314。隔牆320上之凹口使饋入網路312及314可分別對開槽波導天線200a及200b施加振幅大體上相等但相位大體上互補之訊號。較佳者，開槽波導天線200a及200b係沿著共同之縱軸並以並排方式一體成形(例如共用單一隔牆320)。開槽波導天線200a及200b之材料可為任一種適用於波導結構之材料，例如鋁、銅、科伐合金，或其他任何一種於所需操作頻率/波長下所產生之介入損失屬於吾人可接受範圍(例如0與3分貝之間)之材料。
較佳者，各個振幅大體上相等且相位大體上互補之訊號包括一Hx磁場分量及一Hz磁場分量，一如前文參照第1圖所說明者。更佳者，該等訊號之振幅匹配度係在±1分貝之範圍內，甚或在±0.5分貝之範圍內。更佳者，該等訊號相位互補(亦即相位差為180度)之誤差係在±10度之範圍內，甚或在±3度之範圍內。更佳者，天線元件202a與202b之間距與所需λg/2間距之誤差係在±λg/10之範圍內，甚或在所需λg/2間距±λg/20之範圍內。
第4圖繪示一操作頻率為2.4-2.5吉赫之陣列300之波導及開槽尺寸。回波損失如第5圖所示，仰角與方位角輻射圖則分別如第6(a)及6(b)圖所示。
第7圖繪示本發明圓極化開槽波導陣列之第二示範實施例700之兩種平面圖。圖中共有四個波導部分200a-200d，唯根據本發明，波導部分之數量可為任一偶數。各波導部分設有對應之天線元件/開槽對202，圖示為每一波導部分設有四個開槽對，但根據本發明實可設置任一數量之開槽對。如圖所示，相鄰之波導部分200係由一共用之波導壁720加以分隔。
在此實施例中，相鄰波導部分200a與200b上之開槽對202a與202b係彼此相距λg/2，此與第2A與2B圖之示範實施例相同。同樣地，開槽對202c與202d亦彼此相距λg/2。因此，波導部分200c與200a基本上完全相同，而波導部分200d與200b基本上亦完全相同。陣列700代表一種為使天線場型更加均勻而設置複數個相同波導部分之實施例。
開槽對202係延伸於一波導部分200之第一與第二縱向端712與714之間。各波導部分200尚包括一位於該第一縱向端712之第一饋入開槽722a-722d，以及一位於該第二縱向端714之第二饋入開槽724a-724d。第一與第二饋入開槽722a-722d與724a-724d係第3圖所繪示及說明之饋入網路312與314之替代饋入結構。分別位於縱向端712及714之饋入波導732及734可分別將右旋及左旋圓極化訊號供應至饋入開槽722a-722d及724a-724d。較佳者，饋入波導732係沿 著第一縱向端712設置且橫跨第一縱向端712，同時連結至每一饋入開槽722a-722d。詳言之，饋入波導732之一縱向端係一截止端(例如形成短路)，而相反之縱向端則可用以發射一第一訊號(例如一右旋圓極化(RHCP)訊號)至各饋入開槽722a-722d，或自各饋入開槽722a-722d接收該第一訊號。同樣地，饋入波導734係沿著第二縱向端714設置且橫跨第二縱向端714，同時連結至每一饋入開槽724a-724d。詳言之，饋入波導734之一縱向端係一截止端(例如形成短路)，而相反之縱向端則可用以發射一第二訊號(例如一左旋圓極化(LHCP)訊號)至各饋入開槽724a-724d，或自各饋入開槽724a-724d接收該第二訊號。
第8圖繪示本發明圓極化開槽波導陣列之第三示範實施例800。圖中共繪示16個波導部分8101-81016。各波導部分設有對應之天線元件/開槽對，圖示為每一波導部分設有五個開槽對，但根據本發明實可設置任一數量之開槽對。較佳者，各波導部分810包括一負載(圖未示，如50歐姆)，其位於波導部分與功率分配器820相連結之一端之相反端。陣列800尚包括一用以將訊號饋入各波導部分810之功率分配器820。
如圖所示，相鄰波導部分上之開槽係相對偏置，且相對偏置之距離大體上為λg/4，此距離係沿該縱軸量測。在此一設計中係由四個波導部分(8101-8104)構成一對應於一完整波導波長λg之陣列，因為其中四個開槽對間距相加後等於一個完整之波導波長λg。開槽波導部分8101及8103代 表相位互補之波導部分，開槽波導部分8102及8104亦同。此種由四個波導部分構成、且其中各波導部分分別提供一開槽對間距λg/4之單元共有四組，俾提高該陣列之天線場型均勻度。熟習此項技藝之人士應可瞭解，在此亦可使用其他相對偏置距離，例如λg/16、λg/8或λg/2。開槽對之間距最好小於或等於λg/2。至於同一波導部分上之開槽對，其沿該縱軸之相對偏置距離大體上為λg，可參見前文之圖示及說明。
根據以上說明，本發明包括以下之創新實施例：一種圓極化開槽波導陣列(其範例如第2A、2B、3及8圖所示)，其包括第一及第二開槽波導部分200a及200b。第一開槽波導部分200a係沿一縱軸延伸，且包括一可發射或接收一圓極化訊號之天線元件202a。第二開槽波導部分200b係與第一開槽波導部分200a並排連結，並沿該縱軸延伸。第二開槽波導部分200b包括一可發射或接收該圓極化訊號之天線元件202b，其中該圓極化訊號被天線元件202b發射或接收時，其相位大體上係與該圓極化訊號被第一開槽波導部分200a之天線元件202a發射或接收時之相位互補。位於第一開槽波導天線200a上之天線元件202a與位於第二開槽波導天線200b上之天線元件202b係沿該縱軸而相對偏置，且相對偏置之距離大體上等於一預定波導波長λg之二分之一。
在一特定實施例中，第一波導200a上之天線元件202a包含一開槽對，此開槽對包含一沿著該縱軸延伸之縱向開槽 以及一大體上正交於該縱向開槽而延伸之橫向開槽。同樣地，第二波導200b上之天線元件202b包含一開槽對，此開槽對包含一沿著該縱軸延伸之縱向開槽以及一大體上正交於該縱向開槽而延伸之橫向開槽。較佳者，位於該第一波導上之該橫向開槽與位於該第二波導上之該橫向開槽係沿該縱軸而相對偏置，且相對偏置之距離大體上為該預定波導波長λg之二分之一。
在另一實施例中，第一與第二開槽波導天線200a與200b包括一第一縱向端322及一第二縱向端324。較佳者，一第一饋入網路312係連結至該第一與第二開槽波導天線之第一縱向端322，且可用以將振幅大體上相等且相位大體上互補之訊號發射至該第一與第二開槽波導天線，或自該第一與第二開槽波導天線接收振幅大體上相等且相位大體上互補之訊號。同樣地，一第二饋入網路314係連結至該第一與第二開槽波導天線之第二縱向端324，且可用以將振幅大體上相等且相位大體上互補之訊號發射至該第一與第二開槽波導天線，或自該第一與第二開槽波導天線接收振幅大體上相等且相位大體上互補之訊號。
在另一實施例中，第一開槽波導天線200a包括複數個沿著該縱軸分布之天線元件202a，該等天線元件沿著該縱軸之間距大體上為一個預定波導波長λg。同樣地，第二開槽波導天線200b包括複數個沿著該縱軸分布之天線元件202b，該等天線元件沿著該縱軸之間距大體上為一個預定波導波長λg。
在又一實施例中(其範例如第8圖所示)，該圓極化開槽波導陣列尚包括一第三與第四波導部分。如第8圖所示，前述之第一與第二波導部分在此分別為波導部分8101及8103，此因該兩者天線元件之間距為λg/2。波導部分8102位於波導部分8101與8103之間並將該兩者加以連結。該第三與第四波導部分分別以波導部分8102及8104表示。第三波導部分8102係(直接)以並排方式連結於第一與第二開槽波導部分8101與8103之間，並沿該縱軸延伸。第三開槽波導部分8102包括一可發射或接收該圓極化訊號之天線元件，其中該圓極化訊號被此天線元件發射或接收時係處於一第三相位，該第三相位與該圓極化訊號被該第一與第二開槽波導部分發射或接收時之相位形成相位差。第四波導部分8104係(透過第二波導部分8103)以並排方式連結於第二開槽波導部分8103，並沿該縱軸延伸。該第四開槽波導部分包括一可發射或接收該圓極化訊號之天線元件，其中該圓極化訊號被此天線元件發射或接收時係處於一第四相位，該第四相位大體上係與該圓極化訊號被該第三開槽波導部分發射或接收時之相位互補。位於該第三開槽波導部分上之該天線元件與位於該第四開槽波導部分上之該天線元件係沿該縱軸而相對偏置，且相對偏置之距離大體上為一預定波導波長λg之二分之一。
在另一實施例中，該圓極化開槽波導陣列包括複數個開槽波導部分，該等開槽波導部分係沿一縱軸延伸並以並排方式連結，各波導部分包括複數個可用以發射或接收一圓 極化訊號之天線元件。較佳者，位於一第一波導部分上之該複數個天線元件其中之一與位於一第二波導部分上之該複數個天線元件其中之一係沿該縱軸而相對偏置。較佳者，各天線元件包含一沿著該縱軸延伸之縱向開槽以及一大體上正交於該縱向開槽而延伸之橫向開槽。較佳者，本實施例中各波導部分之特徵在於具有一預定波導波長λg；該等開槽波導部分包含一偶數N；並且，位於該第一波導部分上之該複數個天線元件其中之一與位於該第二波導部分上之該複數個天線元件其中之一沿著該縱軸而相對偏置之距離為λg/N。
熟習此項技藝之人士當可輕易瞭解，若欲實施上述之方法及操作方式，可以硬體、軟體、韌體或上列各項之組合為之，端視實際需要而定。此外，上述方法及操作方式之一部分或全部可以電腦可讀取之指令碼實施，並將該指令碼存放於一電腦可讀取之媒介中，該指令碼可用以控制一電腦或其他類似之可程式化裝置，以執行所需功能。用以存放該指令碼之電腦可讀取媒介可採用多種形式，例如一可移除式碟片、依電性或非依電性記憶體等。
在本文中，「一」字意指其所修飾之技術特徵為一個或一個以上。此外，「連結」或「連接」一詞係指多個彼此連通之技術特徵(可為電性、機械性或熱能連通，視情況而定)，且其連通方式可為直接連通，或由一或多個中介結構或物質加以連通。至於方法流程圖中之操作步驟與動作，其順序僅供例示之用；該等操作步驟與動作亦可依其 他順序實施，抑或其中兩道或兩道以上之操作步驟與動作可同時進行。申請專利範圍中之參考標號(若有)係指欲尋求專利保護之技術特徵之某一示範實施例，但此一欲尋求專利保護之技術特徵並不限於該參考標號所指之特定實施例。本案欲尋求專利保護之技術特徵範圍，應在不考慮該等參考標號之情況下僅由請求項之用語定義之。本文所引用之所有出版物、專利及其他文件，其全文在此以引用之方式併入本文。若在此等併入本文之文件與本專利說明書之間出現任何用法不一致之情形，則以本說明書之用法為準。
為使熟習此項技藝之人士得以實施本發明，在此已詳盡說明本發明之上開示範用實施例。當然，該等實施例亦可合併實施。之所以選擇上述實施例，係為充分闡釋本發明之原理及其實際應用，以利前述人士以多種方式實施本發明，從而滿足特定用途之需求。本發明之範圍悉由後附之申請專利範圍加以界定。
100‧‧‧開槽波導天線
110‧‧‧縱向開槽
120‧‧‧橫向開槽
130、230a、230b‧‧‧訊號
200‧‧‧開槽波導陣列
200a-200d‧‧‧開槽波導天線(波導部分)
202a-202d‧‧‧開槽對(天線元件)
205a、205b‧‧‧凸脊
250、300、700、800‧‧‧圓極化開槽波導陣列
300‧‧‧開槽波導陣列/陣列
302a‧‧‧控制開槽對
302b‧‧‧控制開槽對
302‧‧‧控制開槽對
312‧‧‧第一饋入網路
314‧‧‧第二饋入網路
320‧‧‧隔牆
322、712‧‧‧第一縱向端
324、714‧‧‧第二縱向端
700‧‧‧開槽波導陣列/陣列
720‧‧‧波導壁
722a-722d‧‧‧第一饋入開槽
724a-724d‧‧‧第二饋入開槽
732、734‧‧‧饋入波導
8101-81016‧‧‧波導部分
820‧‧‧功率分配器
900‧‧‧圓極化天線陣列(先前技藝)
912、914‧‧‧線極化天線元件(先前技藝)
920‧‧‧複式連結器(先前技藝)
930‧‧‧功率分配器(先前技藝)
1000‧‧‧圓極化開槽波導陣列(先前技藝)
1010‧‧‧陣列元件(先前技藝)
1020‧‧‧功率分配器(先前技藝)
第1圖繪示本發明可用以產生圓極化輻射之一開槽波導天線。
第2A圖繪示本發明圓極化開槽波導陣列之第一實施例。
第2B圖繪示本發明圓極化開槽波導陣列之第二實施例。
第3圖繪示本發明之一圓極化開槽波導陣列。
第4圖繪示本發明圓極化波導天線陣列之一範例之波導及開槽尺寸。
第5、6(a)及6(b)圖分別繪示本發明圓極化開槽波導陣列之一範例之回波損失以及仰角與方位角輻射圖。
第7圖繪示本發明圓極化開槽波導陣列之第二示範實施例。
第8圖繪示本發明圓極化開槽波導陣列之第三示範實施例。
第9圖繪示第一習知圓極化天線陣列。
第10圖繪示第二習知圓極化天線陣列。
為免讀者混淆，凡圖式中已出現過之參考標號在後續圖式中均予以沿用。
200‧‧‧開槽波導天線
200a‧‧‧開槽波導天線(波導部分)
200b‧‧‧開槽波導天線(波導部分)
202a‧‧‧開槽對(天線元件)
202b‧‧‧開槽對(天線元件)
230a‧‧‧訊號
230b‧‧‧訊號

Claims (12)

  1. 一種圓極化開槽波導陣列，包含：一第一開槽波導部分，其係沿一縱軸延伸，該第一開槽波導部分包括複數個可發射或接收一圓極化訊號之天線元件；一第二開槽波導部分，其係以並排方式連結於該第一開槽波導部分，並沿該縱軸延伸，該第二開槽波導部分包括複數個可發射或接收該圓極化訊號之天線元件，其中該圓極化訊號被該第二開槽波導部分發射或接收時，其相位大體上係與該圓極化訊號被該第一開槽波導部分發射或接收時之相位互補；其中位於該第一開槽波導部分上之該複數個天線元件中一者與位於該第二開槽波導部分上之該複數個天線元件中對應之一者係沿該縱軸而相對偏置，且相對偏置之距離大體上為一預定波導波長λg之二分之一，其中該第一開槽波導部分上之該複數個天線元件中每一者包含一開槽對，該開槽對包含一沿著該縱軸延伸之縱向開槽以及一大體上正交於該縱向開槽而延伸之橫向開槽，其中該第二開槽波導部分上之該複數個天線元件中每一者包含一開槽對，該開槽對包含一沿著該縱軸延伸之縱向開槽以及一大體上正交於該縱向開槽而延伸之橫向開槽，其中位於該第一開槽波導部分上之該橫向開槽與位於 該第二開槽波導部分上之該橫向開槽係沿該縱軸而相對偏置，且相對偏置之距離大體上為該預定波導波長λg之二分之一，其中該第一開槽波導部分更包含一具有橫向槽及縱向槽的控制開槽對，藉此該橫向槽延伸至兩個相對且縱向定向的槽，及其中該第二開槽波導部分更包含一具有橫向槽及縱向槽的控制開槽對，藉此該橫向槽延伸至兩個相對且縱向定向的槽。
  2. 如申請專利範圍第1項之圓極化開槽波導陣列，尚包含：一第一饋入網路，其係連結至該第一與第二開槽波導部分之一第一縱向端，且可用以將振幅大體上相等且相位大體上互補之訊號發射至該第一與第二開槽波導部分，或自該第一與第二開槽波導部分接收振幅大體上相等且相位大體上互補之訊號；及一第二饋入網路，其係連結至該第一與第二開槽波導部分之一第二縱向端，且可用以將振幅大體上相等且相位大體上互補之訊號發射至該第一與第二開槽波導部分，或自該第一與第二開槽波導部分接收振幅大體上相等且相位大體上互補之訊號。
  3. 如申請專利範圍第1項之圓極化開槽波導陣列，其中該第一開槽波導部分包括複數個沿著該縱軸分布之天線元件，該等天線元件沿著該縱軸之間距大體上為一個所述 之預定波導波長λg。
  4. 如申請專利範圍第1項之圓極化開槽波導陣列，其中該第二開槽波導部分包括複數個沿著該縱軸分布之天線元件，該等天線元件沿著該縱軸之間距大體上為一個所述之預定波導波長λg。
  5. 如申請專利範圍第1項之圓極化開槽波導陣列，尚包含：一第三開槽波導部分，其係以並排方式連結於該第一與第二開槽波導部分之間，並沿該縱軸延伸，該第三開槽波導部分包括一可發射或接收該圓極化訊號之天線元件，其中該圓極化訊號被該第三開槽波導部分發射或接收時係處於一第三相位，該第三相位與該圓極化訊號被該第一與第二開槽波導部分發射或接收時之相位形成相位差；及一第四開槽波導部分，其係以並排方式連結於該第二開槽波導部分，並沿該縱軸延伸，該第四開槽波導部分包括一可發射或接收該圓極化訊號之天線元件，其中該圓極化訊號被該第四開槽波導部分發射或接收時係處於一第四相位，該第四相位大體上係與該圓極化訊號被該第三開槽波導部分發射或接收時之相位互補；其中位於該第三開槽波導部分上之該天線元件與位於該第四開槽波導部分上之該天線元件係沿該縱軸而相對偏置，且相對偏置之距離大體上為一預定波導波長λg之二分之一。
  6. 如申請專利範圍第5項之圓極化開槽波導陣列，其中：該第三開槽波導部分上之該天線元件包含一開槽對，該開槽對包含一沿著該縱軸延伸之縱向開槽以及一大體上正交於該縱向開槽而延伸之橫向開槽；該第四開槽波導部分上之該天線元件包含一開槽對，該開槽對包含一沿著該縱軸延伸之縱向開槽以及一大體上正交於該縱向開槽而延伸之橫向開槽；且位於該第三開槽波導部分上之該橫向開槽與位於該第四開槽波導部分上之該橫向開槽係沿該縱軸而相對偏置，且相對偏置之距離大體上為該預定波導波長λg之二分之一。
  7. 如申請專利範圍第5項之圓極化開槽波導陣列，其中該第三開槽波導部分包括複數個沿著該縱軸分布之天線元件，該等天線元件沿著該縱軸之間距大體上為一個所述預定波導波長λg。
  8. 如申請專利範圍第5項之圓極化開槽波導陣列，其中該第四開槽波導部分包括複數個沿著該縱軸分布之天線元件，該等天線元件沿著該縱軸之間距大體上為一個所述預定波導波長λg。
  9. 一種圓極化開槽波導陣列，包含：複數個開槽波導部分，其係沿一縱軸延伸並以並排方式連結，各該開槽波導部分包含複數個可用以發射或接收一圓極化訊號之天線元件；其中位於一第一開槽波導部分上之該複數個天線元件 (202a、802a)其中之一與位於一第二開槽波導部分上之該複數個天線元件其中之一係沿該縱軸而相對偏置；且其中各該天線元件包含一沿著該縱軸延伸之縱向開槽(110)以及一大體上正交於該縱向開槽而延伸之橫向開槽(120)，其中該第一開槽波導部分更包含一具有橫向槽及縱向槽的控制開槽對，藉此該橫向槽延伸至兩個相對且縱向定向的槽，及其中該第二開槽波導部分更包含一具有橫向槽及縱向槽的控制開槽對，藉此該橫向槽延伸至兩個相對且縱向定向的槽。
  10. 如申請專利範圍第9項之圓極化開槽波導陣列，其中：各該開槽波導部分之特徵在於具有一預定波導波長λg；該等開槽波導部分包含一偶數N；且位於該第一開槽波導部分上之該複數個天線元件其中之一與位於該第二開槽波導部分上之該複數個天線元件其中之一沿著該縱軸而相對偏置之距離為λg/N。
  11. 如申請專利範圍第10項之圓極化開槽波導陣列，其中該等開槽波導部分之數量為二，且其中沿著該縱軸而相對偏置之距離為λg/2。
  12. 如申請專利範圍第10項之圓極化開槽波導陣列，其中該等開槽波導部分之數量為四，且其中沿著該縱軸而相對偏置之距離為λg/4。
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