TWI522220B - Method of cutting polycrystalline crystal - Google Patents

Description

多晶晶碇的切割方法

本發明是有關於一種切割方法，特別是指一種多晶晶碇(polycrystalline ingot)的切割方法。

多晶矽(Si)的晶粒尺寸(grain size)及形態影響到太陽能電池(solar cell)的性能。晶粒尺寸適中(如約10 mm)且均一的多晶矽晶片(Si wafer)有助於提高太陽能電池的光電轉化效率(photon-to-current conversion efficiency；PCE)。然而，此技術領域的相關技術人員皆知，欲得到晶粒尺寸適中且均一的晶粒，主要是取決於晶碇在成長過程中，其初始的成核(nucleation)是否控制得當。

就成長一多晶矽晶碇的技術簡單地來說(圖未示)，其主要是先將一矽原料放置在一石英坩堝(quartz crucible)內並高溫加熱該矽原料，使石英坩堝內的矽原料因高溫而融解成一矽熔湯；進一步地，透過該石英坩堝下方所設置的一定向取熱塊來對該矽熔湯進行吸熱，使該矽熔湯自該石英坩堝底部朝上漸漸地凝固以成長出該多晶矽晶碇。

此技術領域的相關技術人員當知，由於晶體的 法向生長速率(normal growth rate，Rn=c．△T)是與熔湯的過冷度(undercooling，△T)呈線性關係。所謂熔湯的過冷度(△T)，指的是晶碇在定向凝固成長的成核期，晶核(nucleus of crystalline)在石英坩堝底部內外的溫度差。一旦石英坩堝底部的厚度相同時，晶核在石英坩堝底部內外的溫度差便相同。因此，多晶矽晶碇在定向凝固成長過程中的成核期，石英坩堝底部便會不均勻地隨機形成出一層雜亂分佈的晶核。也正因為晶核的雜亂分佈以致於晶核在晶粒成長的過程中，往往會受到周圍其他相似晶粒的束縛，因而沒有充分自由的成長空間，使得晶粒的成長受到限制，導致最終得到的晶粒尺寸不均。為解決晶粒尺寸不均的問題，此技術領域的相關技術人員近幾年來也提出了一些解決的方案。

參圖1與圖2，中華民國第M444886證書號新型專利案公開一種用於製造矽晶鑄碇之鑄造模1。該用於製造矽晶鑄碇之鑄造模1，包括：一個底壁11及一個圍繞該底壁11的圍壁12，並由該底壁11與該圍壁12共同界定出一容置矽熔湯(圖未示)的容置空間10。該底壁11形成有多數個自該底壁11之一上表面朝下相間隔地凹陷的弧形凹坑111；其中，各弧形凹坑111的尺寸是介於5 mm至10 mm間，且兩相鄰弧形凹坑111的間距是介於0.1 mm至10 mm間。該用於製造矽晶鑄碇之鑄造模1一方面利用是該底壁11的各弧形凹坑111來改變其底壁11的厚度，以使矽熔湯於定向凝固過程中取得不同的過冷度，並藉此增加矽晶鑄 碇的晶粒尺寸均勻性。另一方面，也利用各弧形凹坑111以避免該底壁11於矽晶鑄碇的製造時誘發出裂縫，進而降低矽熔湯溢流的風險。

然而，該等弧形凹坑111佈滿於該鑄造模1的底壁11；相對地，最終所完成的矽晶鑄碇的底部也會在各弧形凹坑111對應處，形成有多數個外觀互補於各弧形凹坑111的弧形凸塊(圖未示)。因此，此等佈滿於矽晶鑄碇底部的弧形凸塊也導致該矽晶鑄碇在縱向垂直切割(squaring)過程中，因各弧形凸塊所殘存的內應力而導致矽晶鑄碇崩裂。因此，降低了矽晶鑄碇的有效使用率。

經上述說明可知，在解決晶碇晶粒尺寸不均的同時，亦要降低晶碇在縱向切割時所產生之晶碇崩裂等問題以提升晶碇的有效使用率，是此技術領域的相關技術人員所待突破的課題。

因此，本發明之目的，即在提供一種多晶晶碇的切割方法。

本發明之另一目的，即在提供另一種多晶晶碇的切割方法

於是本發明多晶晶碇的切割方法，包含：一步驟(A)、一步驟(B)、一步驟(C)，及一步驟(D)。

該步驟(A)：製備一坩堝，該坩堝具有一個底壁及一個圍繞該底壁的一周緣並與該底壁共同界定出一個容 室的周壁，該底壁具有一個二維的平台區陣列，該二維的平台區陣列具有多數個第一平台區及多數個第二平台區，該等第一平台區與該等第二平台區是沿一第一方向依序輪流設置並沿一第二方向依序輪流設置，每相鄰第一平台區與第二平台區間共同界定出一切割線段，該等切割線段定義出多數條沿該第一方向延伸的第一開方線，及多數條沿該第二方向延伸的第二開方線，且各第一平台區與各第二平台區沿該底壁的一厚度方向分別具有一第一厚度T₁與一第二厚度T₂，T₁>T₂。

該步驟(B)：融熔填入於該容室中的一起始原料使成為一熔湯。

該步驟(C)：定向凝固該熔湯使成為一多晶晶碇，並於該多晶晶碇底部轉寫有該二維的平台區陣列、該等第一開方線及該等第二開方線。

該驟(D)：沿該等第一開方線與第二開方線縱向切割該多晶晶碇以成多數晶磚。

本發明另一種多晶晶碇的切割方法，包含：一步驟(a)、一步驟(b)、一步驟(c)，及一步驟(d)。

該步驟(a)：製備一坩堝，該坩堝具有一個底壁及一個圍繞該底壁的一周緣並與該底壁共同界定出一個容室的周壁，該底壁具有一個二維的平台區陣列，該二維的平台區陣列具有M×N個單元，該等單元是沿一第一方向依序設置並沿一第二方向依序設置，每一單元具有一個第一平台區及一個實質圍繞其所對應之第一平台區的第二平台 區，各單元的第一平台區與第二平台區沿該底壁的一厚度方向，分別具有一第一厚度t₁與一第二厚度t₂，該二維的平台區陣列的各單元的一表面形狀實質為一個矩形，定義每m×n個單元為一個切割區塊，且每相鄰切割區塊間共同界定出一切割線段，該等切割線段定義出多數條沿該第一方向延伸的第一開方線，及多數條沿該第二方向延伸的第二開方線。

該步驟(b)：融熔填入於該容室中的一起始原料使成為一熔湯。

該步驟(c)：定向凝固該熔湯使成為一多晶晶碇，並於該多晶晶碇底部轉寫有該二維的平台區陣列、該等第一開方線及該等第二開方線。

該步驟(d)：沿該等第一開方線與第二開方線縱向切割該多晶晶碇以成多數晶磚。

其中，t₁<t₂，且該二維的平台區陣列的各單元的t₂是實質相等，M是m的整數倍，N是n的整數倍。

本發明之功效，藉該坩堝底壁之二維的平台區陣列的厚度差以令晶核均勻地分佈並解決晶粒尺寸不均的問題，也利用各第一、二平台區的平面配置關係，避免多晶晶碇的第一開方線與第二開方線落在多晶晶碇底部的凸起區，以藉此降低晶碇於垂直切割時的崩裂問題並提升晶碇的有效使用率。

2‧‧‧底壁

71‧‧‧第一開方線

21‧‧‧二維的平台區陣列

72‧‧‧第二開方線

211‧‧‧第一平台區

80‧‧‧切割線段

212‧‧‧第二平台區

81‧‧‧第一開方線

22‧‧‧圍繞區

82‧‧‧第二開方線

20‧‧‧容室

9‧‧‧長晶爐

3‧‧‧周壁

91‧‧‧隔熱單元

4‧‧‧多晶矽晶碇

92‧‧‧側部加熱單元

41‧‧‧矽晶磚

93‧‧‧頂部加熱單元

411‧‧‧矽晶片

94‧‧‧定向取熱塊

5‧‧‧底壁

X‧‧‧第一方向

51‧‧‧二維的平台區陣列

Y‧‧‧第二方向

511‧‧‧單元

Z‧‧‧厚度方向

5111‧‧‧第一平台區

T₁‧‧‧第一厚度

5112‧‧‧第二平台區

T₂‧‧‧第二厚度

52‧‧‧圍繞區

T₃‧‧‧第三厚度

53‧‧‧切割區塊

t₁‧‧‧第一厚度

50‧‧‧容室

t₂‧‧‧第二厚度

6‧‧‧周壁

θ‧‧‧對角

70‧‧‧切割線段

本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的 實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一俯視示意圖，說明中華民國第M444886證書號新型專利案所公開的一種用於製造矽晶鑄碇之鑄造模；圖2是沿圖1之直線II-II所取得的一局部剖視示意圖，說明該用於製造多晶鑄碇之鑄造模內部的弧形凹坑；圖3是一俯視示意圖，說明本發明多晶晶碇的切割方法的一第一較佳實施例於實施一步驟(A)時，所製備的一個坩堝底壁的一個二維的平台區陣列的平面配置關係；圖4是一沿圖3之直線IV-IV所取得的一局部剖視示意圖，說明該第一較佳實施例之坩堝底壁的二維的平台區陣列的厚度關係；圖5是一正視示意圖，說明本發明該第一較佳實施例於實施一步驟(B)與一步驟(C)時，該坩堝與一長晶爐之各細部構件間的配置關係；圖6是一立體圖，說明本發明該第一較佳實施例於實施一步驟(D)與一步驟(E)後，一多晶矽晶碇經縱向垂直切割成多數矽晶磚與橫向切片成多數矽晶片後的態樣；圖7是一俯視示意圖，說明本發明多晶晶碇的切割方法的一第二較佳實施例於實施該步驟(A)時，所製備的坩堝底壁的二維的平台區陣列的平面配置關係；圖8是一俯視示意圖，說明本發明多晶晶碇的切割方法的一第三較佳實施例於實施一步驟(a)時，所製備的一個坩堝底壁的一個二維的平台區陣列的平面配置關係；圖9是一沿圖8之直線IX-IX所取得的一局部剖視示 意圖，說明該第三較佳實施例之坩堝底壁的二維的平台區陣列的厚度關係；圖10是圖8的一局部放大示意圖，說明本發明該第三較佳實施例的坩堝底壁的二維的平台區陣列的各單元的細部結構；圖11是一正視示意圖，說明本發明該第三較佳實施例於實施一步驟(b)與一步驟(c)時，該坩堝與長晶爐之各細部構件間的配置關係；圖12是一局部仰視立體圖，說明本發明該第三較佳實施例於實施一步驟(d)與一步驟(e)後，該多晶矽晶碇經縱向垂直切割成多數矽晶磚與橫向切片成多數矽晶片後的態樣；圖13是一俯視示意圖，說明本發明多晶晶碇的切割方法的一第四較佳實施例於實施該步驟(a)時，所製備的坩堝底壁的二維的平台區陣列的平面配置關係；及圖14是圖13的一局部放大示意圖，說明本發明該第四較佳實施例的坩堝底壁的二維的平台區陣列的各單元的細部結構。

在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

本發明多晶晶碇的切割方法的一第一較佳實施例，包含一步驟(A)、一步驟(B)、一步驟(C)、一步驟(D)，及一步驟(E)。

參閱圖3與圖4，該步驟(A)是製備一坩堝，該坩堝具有一個底壁2及一個圍繞該底壁2的一周緣並與該底壁2共同界定出一個容室20的周壁3。該底壁2具有一個二維的平台區陣列21及一個圍繞該二維的平台區陣列21的圍繞區22。該二維的平台區陣列21具有多數個第一平台區211及多數個第二平台區212。該等第一平台區與211該等第二平台區212是沿一第一方向X依序輪流設置，並沿一第二方向Y依序輪流設置。每相鄰第一平台區211與第二平台區212間共同界定出一切割線段70，該等切割線段70定義出多數條沿該第一方向X延伸的第一開方線71，及多數條沿該第二方向Y延伸的第二開方線72，且各第一平台區211、各第二平台區212與該圍繞區22沿該底壁2的一厚度方向Z，分別具有一第一厚度T₁、一第二厚度T₂與一第三厚度T₃，T₁>T₃>T₂。較佳地，T₁>19 mm，T₂<19 mm。

參閱圖5與圖6，該步驟(B)是融熔填入於該容室20中的一矽原料使成為一矽熔湯。該步驟(C)是定向凝固該矽熔湯使成為一多晶矽晶碇4，並於該多晶矽晶碇4底部轉寫有該二維的平台區陣列21、該等第一開方線71及該等第二開方線72。此處需說明的是，本發明於實施該第一較佳實施例之步驟(B)~(C)時，是將該坩堝設置於一長晶爐9內，使該第一較佳實施例之坩堝由多數隔熱單元91所圈圍，並透過圍設在該等隔熱單元91外圍與上方的多數側部加熱單元92與一頂部加熱單元93來升溫，以熔解該 容室20內的矽原料成矽熔湯；進一步地，透過該坩堝之底壁2下方所設置的一定向取熱塊94來帶走矽熔湯的高熱，使該矽熔湯構成定向凝固成長，並從而成長成該多晶矽晶碇4。

再參圖6，該驟(D)是沿該等第一開方線71與第二開方線72縱向切割該多晶晶碇4以成多數矽晶磚41；該步驟(E)是對該等矽晶磚41橫向切片成多數矽晶片411。

此技術領域的相關技術人員應可了解，本發明該第一較佳實施例之坩堝還具有一氮化矽(Si₃N₄)塗層(圖未示)。該氮化矽塗層是覆蓋於該底壁2的一上表面與該周壁3的一內表面，其主要目的是在於，協助該步驟(D)所完成之多晶矽晶碇4脫模。該氮化矽塗層並非本發明之技術重點，於此不再多加贅述。

此處需補充說明的是，該第一較佳實施例之底壁2上所分布的各第一平台區211與各第二平台區212的形狀與尺寸，主要根據目前常見於各家長晶廠廠內所產出之矽晶片表面的預定形狀與預定尺寸來設計。就目前各家長晶廠廠內所常用的矽晶片表面之預定形狀與預定尺寸而言，是如圖6所顯示的矽晶片411，其較佳是邊長介於155 mm至160 mm的正方形，且該等矽晶磚411是呈5×5的二維陣列正交排列。因此，在本發明該第一較佳實施例中，T₁是介於20 mm至24 mm間；T₂是介於14 mm至18 mm間；該底壁2的圍繞區22使該二維的平台區陣列21至該周壁3間的距離是介於25 mm至28 mm間；該第二方向Y 是實質正交於該第一方向X，該二維的平台區陣列21的該等第一平台區211與該等第二平台區212，是呈5×5的二維陣列輪流地正交排列於該底壁2；且該二維的平台區陣列21的各第一平台區211與各第二平台區212的一表面形狀分別為一正方形，該正方形的一邊長是介於155 mm至160 mm間。

參圖7，本發明之多晶晶碇的切割方法的一第二較佳實施例大致上是相同於該第一較佳實施例，其不同處是在於，該坩堝之底壁2的二維的平台區陣列21的該等第一平台區211與該等第二平台區212，是呈10×10的二維陣列輪流地正交排列於該底壁2；且該二維的平台區陣列21的各第一平台區211與各第二平台區212的表面形狀分別為一正方形，該正方形的一邊長是介於77.5 mm至80.0 mm間。

本發明該第一較佳實施例與第二較佳實施例一方面利用該底壁2的該等第一平台區211與該等第二平台區212的厚度差異，以對成核期的矽晶核提供不同的過冷度(△T)，促使矽晶核均勻地分布形成於該底壁2，令不同晶向(crystallographic direction)的矽晶粒能有不同的成長速率以相互競爭，並藉此提升該多晶矽晶碇4之晶粒尺寸的均勻性。

此外，經前述第一較佳實施例與第二較佳實施例的說明可知，構成該等第一開方線71與該等第二開方線72的切割線段70，是由每相鄰第一平台區(即，凸區)211 與第二平台區(即，凹區)212所界定。於完成定向凝固成長後，該多晶矽晶碇4底部所對應轉寫的外觀，是互補於該底壁2之二維的平台區陣列21的第一平台區(轉寫後為凹區)211與第二平台區(轉寫後為凸區)212。因此，該等第一開方線71與該等第二開方線72是落在該多晶矽晶碇4底部的相鄰凸區與凹區間，於縱向切割該多晶矽晶碇4時，自然可避開該多晶矽晶碇4底部的凸區，並從而減少晶碇崩裂的問題以提升晶碇的有效使用率。

本發明之多晶晶碇的切割方法的一第三較佳實施例，包含：一步驟(a)、一步驟(b)、一步驟(c)、一步驟(d)，及一步驟(e)；此外，本發明該第三較佳實施例之步驟(b)、步驟(c)、步驟(d)與步驟(e)大致上是對應相同於該第一較佳實施例的步驟(B)、步驟(C)、步驟(D)與步驟(E)，其不同處是在於該步驟(a)。

參圖8、圖9與圖10，該步驟(a)是製備一坩堝，該坩堝具有一個底壁5及一個圍繞該底壁5的一周緣並與該底壁5共同界定出一個容室50的周壁6。該底壁5具有一個二維的平台區陣列51，及一個圍繞該二維的平台區陣列51的圍繞區52。該二維的平台區陣列51具有M×N個單元511。該等單元511是沿該第一方向X依序設置並沿該第二方向Y依序設置。每一單元511具有一個第一平台區5111，及一個實質圍繞其所對應之第一平台區5111的第二平台區5112。各單元511的第一平台區5111與第二平台區5112沿該底壁5的厚度方向Z，分別具有一第一厚度t₁與 一第二厚度t₂；其中，t₁<t₂，且該二維的平台區陣列51的各單元511的t₂是實質相等。較佳地，t₁<19 mm，t₂>19 mm。

該二維的平台區陣列51的各單元511的一表面形狀實質為一個矩形(rectangle)，定義每m×n個單元511為一個切割區塊53，且每相鄰切割區塊53間共同界定出一切割線段80。該等切割線段80定義出多數條沿該第一方向X延伸的第一開方線81，及多數條沿該第二方向Y延伸的第二開方線82；其中，M是m的整數倍，N是n的整數倍。此處需補充說明的是，任何具有數理背景的技術人員應當知道，矩形是被定義為四個頂角皆為90度的四邊形；因此，長方形及正方形皆屬於本發明中對於矩形的定義。

參圖11與圖12，本發明該第三較佳實施例之步驟(b)~(e)，是類似於該第一較佳實施例，採用該長晶爐9內的側部加熱單元92與頂部加熱單元93，來融熔填入於該容室50中的矽原料使成為矽熔湯；進一步地，透過該坩堝之底壁5下方所設置的定向取熱塊94來定向凝固該矽熔湯使成為該多晶矽晶碇4，並於該多晶矽晶碇4底部轉寫有該二維的平台區陣列51、該等第一開方線81及該等第二開方線82。接著，沿該等第一開方線81與第二開方線82縱向切割該多晶矽晶碇4以成該等矽晶磚41，並對該等矽晶磚41橫向切片成該等矽晶片411。

如同該第一較佳實施例所述，本發明該底壁5上所分佈的二維的平台區陣列51的各單元511的形狀與尺 寸，主要是根據目前常見於各家長晶廠廠內所產生的矽晶片表面的形狀與尺寸來設計。因此，在本發明該第三較佳實施例中，t₁是介於14 mm至18 mm間，t₂是介於20 mm至24 mm間；再參圖8與圖10，該二維的平台區陣列51的各單元511的第一平台區5111的一表面形狀實質為一個菱形(rhombus)，且各單元511的第一平台5111區沿該第二方向Y具有一對呈90度的對角θ；該二維的平台區陣列51的各單元51的矩形是一個正方形，該二維的平台區陣列51的各切割區塊53是一個邊長是介於155 mm至160 mm間的正方形，各第一平台區5111的兩對角線長是實質等於各單元511之矩形的邊長，且M=5m，N=5n，m=n=5。

首先，經前述第三較佳實施例的說明可知，構成該等第一開方線81與該等第二開方線82的切割線段80，是由每相鄰切割區塊53所界定。進一步地，由前述第三較佳實施例的說明更可以了解，該底壁5的二維的平台區陣列51的各單元511的第一平台區5111，是被其所對應的第二平台區5112所圍繞，各第二平台區5112的第二厚度t₂是實質相等，而t₁<t₂；又，各單元511的表面形狀與各第一平台區5111的表面形狀分別為正方形與菱形，且M=5m，N=5n，m=n=5。換句話說，該二維的平台區陣列51的各單元511的第一平台區5111(各為菱形凹區)周圍，是分別配置有四個菱形凸區(即，各菱形凸區是由相鄰的第二平台區5112所構成)。因此，本發明該第三較佳實施例於完成定向凝固成長後(正如圖12所顯示)，該多晶矽晶碇4底 部所對應轉寫的外觀，是互補於該底壁5之二維的平台區陣列51的第一平台區(轉寫後為菱形凸起區)5111與第二平台區(轉寫後為菱形凹陷區)5112。因此，該等第一開方線81與該等第二開方線82是落在該多晶矽晶碇4底部的各菱形凹陷區，於縱向切割該多晶矽晶碇4時，自然可避開該多晶矽晶碇4底部的菱形凸起區，並從而減少晶碇崩裂的問題以提升晶碇的有效使用率。

參圖13與圖14，本發明多晶晶碇的切割方法的一第四較佳實施例大致上是相同於該第三較佳實施例，其不同處是在於，各單元511的第一平台區5111沿該第二方向Y具有一對呈120度的對角θ。該二維的平台區陣列51的各單元511的矩形是一個長方形，且該二維的平台區陣列51的各切割區塊53是一個長方形。各切割區塊53沿該第一方向X及該第二方向Y分別具有一對第一邊長及一對第二邊長，各切割區塊53的第一邊長與第二邊長，分別是介於155 mm至160 mm間與介於155 mm至160 mm間。各單元511的第一平台5111沿該第一方向X與該第二方向Y，分別具有一第一對角線長與一第二對角線長，各單元511的第一平台5111的第一對角線長是實質等於各單元511沿該第一方向X的邊長，各單元511的第一平台5111的第二對角線長是實質等於各單元511沿該第二方向Y的邊長，且M=5m，N=5n，m=n=5。

此處更值得一提的是，本發明該第四較佳實施例使各第一平台區5111的各對角θ為120度，降低矽晶核 於成核時的自由能差，有利於各晶向的矽晶粒於晶體成長過程中取得均一的成長速率，使各晶向的矽晶粒於晶體成長過程中均勻地相互競爭。因此，更進一步地提升該多晶矽晶碇4的矽晶粒尺寸的均勻性。

綜上所述，本發明多晶晶碇的切割方法，一方面利用各底壁2、5之各第一平台區211、5111與各第二平台區212、5112間的高度差，以提供矽晶核具有不同的過冷度(△T)並促使矽晶核均勻地分布於各底壁2、5，令不同晶向的矽晶粒能有不同的成長速率以相互競爭，並藉此提升該多晶矽晶碇4之晶粒尺寸的均勻性，另一方面，也藉各第一平台區211、5111與各第二平台區212、5112間的平面配置關係，避免該多晶矽晶碇4的第一開方線71、81與第二開方線72、82落在該多晶矽晶碇4底部的凸起區，以藉此降低晶碇於垂直切割時的崩裂問題並提升晶碇的有效使用率，故確實能達成本發明之目的。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

21‧‧‧二維的平台區陣列

4‧‧‧多晶矽晶碇

41‧‧‧矽晶磚

411‧‧‧矽晶片

70‧‧‧切割線段

71‧‧‧第一開方線

72‧‧‧第二開方線

X‧‧‧第一方向

Y‧‧‧第二方向

Z‧‧‧厚度方向

Claims (10)

1. 一種多晶晶碇的切割方法，包含：一步驟(A)：製備一坩堝，該坩堝具有一個底壁及一個圍繞該底壁的一周緣並與該底壁共同界定出一個容室的周壁，該底壁具有一個二維的平台區陣列，該二維的平台區陣列具有多數個第一平台區及多數個第二平台區，該等第一平台區與該等第二平台區是沿一第一方向依序輪流設置並沿一第二方向依序輪流設置，每相鄰第一平台區與第二平台區間共同界定出一切割線段，該等切割線段定義出多數條沿該第一方向延伸的第一開方線，及多數條沿該第二方向延伸的第二開方線，且各第一平台區與各第二平台區沿該底壁的一厚度方向分別具有一第一厚度T₁與一第二厚度T₂，T₁>T₂；一步驟(B)：融熔填入於該容室中的一起始原料使成為一熔湯；一步驟(C)：定向凝固該熔湯使成為一多晶晶碇，並於該多晶晶碇底部轉寫有該二維的平台區陣列、該等第一開方線及該等第二開方線；及一步驟(D)：沿該等第一開方線與第二開方線縱向切割該多晶晶碇以成多數晶磚。
2. 如請求項1所述的多晶晶碇的切割方法，其中，T₁是介於20 mm至24 mm間，T₂是介於14 mm至18 mm間。
3. 如請求項2所述的多晶晶碇的切割方法，其中，該第二方向是實質正交於該第一方向，且該二維的平台區陣列 的各第一平台區與各第二平台區的一表面形狀分別為一正方形，該正方形的一邊長是介於155 mm至160 mm間。
4. 如請求項2所述的多晶晶碇的切割方法，其中，該第二方向是實質正交於該第一方向，且該二維的平台區陣列的各第一平台區與各第二平台區的一表面形狀分別為一正方形，該正方形的一邊長是介於77.5 mm至80.0 mm間。
5. 如請求項1所述的多晶晶碇的切割方法，還包含一步驟(E)，該步驟(E)是對該等晶磚橫向切片成多數晶片。
6. 一種多晶晶碇的切割方法，其包含：一步驟(a)：製備一坩堝，該坩堝具有一個底壁及一個圍繞該底壁的一周緣並與該底壁共同界定出一個容室的周壁，該底壁具有一個二維的平台區陣列，該二維的平台區陣列具有M×N個單元，該等單元是沿一第一方向依序設置並沿一第二方向依序設置，每一單元具有一個第一平台區及一個實質圍繞其所對應之第一平台區的第二平台區，各單元的第一平台區與第二平台區沿該底壁的一厚度方向，分別具有一第一厚度t₁與一第二厚度t₂，該二維的平台區陣列的各單元的一表面形狀實質為一個矩形，定義每m×n個單元為一個切割區塊，且每相鄰切割區塊間共同界定出一切割線段，該等切割線段定義出多數條沿該第一方向延伸的第一開方線，及多數條沿該第二方向延伸的第二開方線； 一步驟(b)：融熔填入於該容室中的一起始原料使成為一熔湯；一步驟(c)：定向凝固該熔湯使成為一多晶晶碇，並於該多晶晶碇底部轉寫有該二維的平台區陣列、該等第一開方線及該等第二開方線；及一步驟(d)：沿該等第一開方線與第二開方線縱向切割該多晶晶碇以成多數晶磚；其中，t₁<t₂，且該二維的平台區陣列的各單元的t₂是實質相等；及其中，M是m的整數倍，N是n的整數倍。
7. 如請求項6所述的多晶晶碇的切割方法，其中，t₁是介於14 mm至18 mm間，t₂是介於20 mm至24 mm間。
8. 如請求項7所述的多晶晶碇的切割方法，其中，該二維的平台區陣列的各單元的第一平台區的一表面形狀實質為一個菱形，且各單元的第一平台區沿該第二方向具有一對呈90度的對角；該二維的平台區陣列的各單元的矩形是一個正方形，該二維的平台區陣列的各切割區塊是一個邊長是介於155 mm至160 mm間的正方形，各第一平台區的兩對角線長是實質等於各單元之矩形的邊長，且M=5m，N=5n，m=n=5。
9. 如請求項7所述的多晶晶碇的切割方法，其中，該二維的平台區陣列的各單元的第一平台區的一表面形狀實質為一個菱形，且各單元的第一平台區沿該第二方向具有一對呈120度的對角，該二維的平台區陣列的各單元 的矩形是一個長方形，且該二維的平台區陣列的各切割區塊是一個長方形，各切割區塊沿該第一方向及該第二方向分別具有一對第一邊長及一對第二邊長，各切割區塊的第一邊長與第二邊長，分別是介於155 mm至160 mm間與介於155 mm至160 mm間，各單元的第一平台沿該第一方向與該第二方向，分別具有一第一對角線長與一第二對角線長，各單元的第一平台的第一對角線長是實質等於各單元沿該第一方向的邊長，各單元的第一平台的第二對角線長是實質等於各單元沿該第二方向的邊長，且M=5m，N=5n，m=n=5。
10. 如請求項6所述的多晶晶碇的切割方法，還包含一步驟(e)，該步驟(e)是對該等晶磚橫向切片成多數晶片。