TWI520482B - 起始電壓產生電路和起始電壓產生的方法 - Google Patents

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Description

起始電壓產生電路和起始電壓產生的方法
本發明是有關於一種起始電壓產生電路和起始電壓產生的方法，尤指一種利用起始電壓準位調節器，快速調節起始電壓產生電路輸出的內部參考電壓的位準的起始電壓產生電路和起始電壓產生的方法。
請參照第1圖，第1圖是為現有技術說明起始電壓產生電路100的示意圖。起始電壓產生電路100包含一參考電壓產生器102、一參考電壓選擇器104及N個穩壓電容C1-CN，其中參考電壓選擇器104包含N組選擇開關S1-SN與N個開關控制電路SC1-SCN，且N是為一正整數。如第1圖所示，參考電壓產生器102產生N組參考電壓候選值，每一組參考電壓候選值是對應於一組選擇開關，其中一組選擇開關包含M個並聯開關，且M是為一正整數。然後，每一開關控制電路可產生一開關訊號以控制一組選擇開關輸出一組參考電壓候選值中的一參考電壓候選值。例如，N組參考電壓候選值中的第一組參考電壓候選值VR11-VR1M是對應於第一組選擇開關S1，其中第一組選擇開關S1包含M個並聯開關S11-S1M。然後，開關控制電路SC1可產生一開關訊號SS1以控制第一組選擇開關S1輸出第一組參考電壓候選值VR11-VR1M中的一參考電壓候選值(例如VR11)。另外，穩壓電容C1是用以穩定參考電壓候選值VR11。
請參照第2圖，第2圖是為說明參考電壓候選值VR11在一段時間T內的變化的示意圖。如第1圖和第2圖所示，因為參考電壓候選值VR11被輸出之前必須通過第一組選擇開關S1，所以當輸出參考電壓候選值VR11時，參考電壓候選值VR11經過一段時間T之後才會達到一目標值VRT。因此，在一系統起電過程中，系統內的一些電路有可能因為參考電壓候選值VR11必須經過一段時間T之後才會達到目標值VRT而起電太慢以致失敗。另外，當第一組選擇開關S1是耦接一大負載時，大負載可能因為參考電壓候選值VR11必須經過一段較長時間之後才會達到目標值VRT而耗費太多起電時間。因此，起始電壓產生電路100對於系統而言，並非是一個好的起始電壓產生電路。
本發明的一實施例提供一種起始電壓產生電路。該起始電壓產生電路包含一參考電壓產生器、一參考電壓選擇器、至少一起始電壓準位調節器及複數個穩壓電容。該參考電壓產生器是用以產生複數組參考電壓候選值。該參考電壓選擇器是用以接收該複數組參考電壓候選值，該參考電壓選擇器包含複數組選擇開關與複數個開關控制電路。每一組選擇開關是對應於該複數組參考電壓候選值中的一組參考電壓候選值，且該組選擇開關包含複數個並聯開關；每一開關控制電路是對應於該複數組選擇開關中的一組選擇開關，用以產生一開關訊號，以控制該組選擇開關輸出相對應的一組參考電壓 候選值中的一參考電壓候選值。該至少一起始電壓準位調節器中的每一起始電壓準位調節器與該複數個穩壓電容中的一相對應的穩壓電容是耦接於該組選擇開關中的一組選擇開關，其中該起始電壓準位調節器是用以根據一起電訊號，產生一內部參考電壓，和該穩壓電容是用以穩定該內部參考電壓。
本發明的另一實施例提供一種起始電壓產生電路。該起始電壓產生電路包含一第一參考電壓產生器、一參考電壓選擇器、一起始電壓準位調節器、至少一穩壓電容、一低壓差穩壓單元及一第二參考電壓產生器。該第一參考電壓產生器是用以產生複數組參考電壓候選值。該參考電壓選擇器包含至少一組選擇開關與至少一開關控制電路，用以接收該複數組參考電壓候選值中的至少一組參考電壓候選值，其中每一組選擇開關是對應於該至少一組參考電壓候選值中的一組參考電壓候選值以及一開關控制電路，其中該開關控制電路是用以產生一開關訊號，以控制該組選擇開關輸出相對應的一組參考電壓候選值中的一參考電壓候選值。該起始電壓準位調節器與該至少一穩壓電容中的一穩壓電容是耦接於該至少一組選擇開關中的一組選擇開關，其中該起始電壓準位調節器是用以根據一起電訊號，產生一內部參考電壓，和該穩壓電容是用以穩定該內部參考電壓。該低壓差穩壓單元是用以根據該內部參考電壓，產生一第一電壓。該第二參考電壓產生器是用以根據該起電訊號與該第一電壓、該起電訊號與該內部參考電壓或該起電訊號與一參考電壓候選值，產生複數個第二參考電壓。
本發明的另一實施例提供一種起始電壓產生的方法，其中一起始電壓產生電路包含一參考電壓產生器、一參考電壓選擇器、至少一起始電壓準位調節器及複數個穩壓電容，該參考電壓選擇器包含複數組選擇開關與複數個開關控制電路，該方法包含該參考電壓產生器產生複數組參考電壓候選值；該參考電壓選擇器接收該複數組參考電壓候選值；該複數個開關控制電路中的每一開關控制電路產生一開關訊號，以控制一組選擇開關輸出相對應的一組參考電壓候選值中的一參考電壓候選值；該至少一起始電壓準位調節器中的每一起始電壓準位調節器根據一起電訊號，產生一內部參考電壓。
本發明的另一實施例提供一種起始電壓產生的方法，其中一起始電壓產生電路包含一第一參考電壓產生器、一參考電壓選擇器、一起始電壓準位調節器、至少一穩壓電容、一低壓差穩壓單元及一第二參考電壓產生器，該參考電壓選擇器包含至少一組選擇開關與至少一開關控制電路，該方法包含該第一參考電壓產生器產生複數組參考電壓候選值；該至少一組選擇開關中的每一組選擇開關產生一開關訊號，以控制一組選擇開關輸出相對應的一組參考電壓候選值中的一參考電壓候選值；該起始電壓準位調節器根據一起電訊號，產生一內部參考電壓；該低壓差穩壓單元根據該內部參考電壓，產生一第一電壓；該第二參考電壓產生器根據該起電訊號與該第一電壓、該起電訊號與該內部參考電壓或該起電訊號與一參考電壓候選值，產生複數個第二參考電壓。
本發明提供一種起始電壓產生電路和起始電壓產生的方法。該起始電壓產生電路和該方法是利用一起始電壓準位調節器根據一起電訊號，產生一適當的內部參考電壓的位準，以加速一系統起電的過程。相較於現有技術，因為該內部參考電壓不會經過一段較長時間之後才會達到一目標值，所以該系統內的一些電路並不會起電失敗。因此，本發明可正常應用在任何製程、電壓及溫度變異(process,voltage and temperature(PVT)variation)的情況。
請參照第3圖，第3圖是為本發明的一實施例說明一種起始電壓產生電路300的示意圖。起始電壓產生電路300包含一參考電壓產生器302、一參考電壓選擇器304、一起始電壓準位調節器306及N個穩壓電容C1-CN，其中N是為一正整數。但本發明並不受限於起始電壓產生電路300僅包含一起始電壓準位調節器306，亦即起始電壓產生電路300可包含至少一起始電壓準位調節器。參考電壓產生器302是用以產生N組參考電壓候選值。參考電壓選擇器304是用以接收N組參考電壓候選值，參考電壓選擇器304包含N組選擇開關S1-SN與N個開關控制電路SC1-SCN。每一組選擇開關是對應於參考電壓產生器302所產生的N組參考電壓候選值中的一組參考電壓候選值，且每一組選擇開關包含複數個並聯開關(例如4個)。但本發明並不受限於每一組選擇開關包含4個並聯開關。每一開關控制電路是對應於N組選擇開關S1-SN中的一組選擇開關， 用以產生一開關訊號，以控制N組選擇開關S1-SN中的一組選擇開關輸出相對應的一組參考電壓候選值中的一參考電壓候選值。例如，N組參考電壓候選值中的第一組參考電壓候選值VR11-VR14是對應於第一組選擇開關S1，以及第N組參考電壓候選值VRN1-VRN4是對應於第N組選擇開關SN，其中第一組選擇開關S1包含4個並聯開關S11-S14以及第N組選擇開關SN包含4個並聯開關SN1-SN4。如第3圖所示，開關控制電路SC1是對應於第一組選擇開關S1，用以產生一開關訊號SS1，以控制第一組選擇開關S1輸出第一組參考電壓候選值VR11-VR14中的一參考電壓候選值(例如VR11)。亦即如第3圖所示，第一組選擇開關S1根據開關訊號SS1，關閉開關S12-S14以及開啟開關S11，所以第一組選擇開關S1可輸出參考電壓候選值VR11。另外，N組選擇開關S1-SN中其他組選擇開關S2-SN的操作原理皆和第一組選擇開關S1相同，在此不再贅述。
如第3圖所示，參考電壓產生器302包含一第一P型金氧半電晶體3022、一放大器3024及複數個串聯電阻R1-RN，其中N是為一正整數。第一P型金氧半電晶體3022具有一第一端，用以接收一外部電壓VEXT，一第二端，及一第三端；放大器3024具有一第一端，用以接收外部電壓VEXT，一第二端，耦接於第一P型金氧半電晶體3022的第二端，一第三端，耦接於一地端GND，一第四端，用以接收一帶隙參考電壓VB，及一第五端；複數個串聯電阻R1-RN是耦接於第一P型金氧半電晶體3022的第三端、放大器3024的第 五端及地端GND，用以根據帶隙參考電壓VB和電阻R1-RN的阻值，輸出N組參考電壓候選值。
如第3圖所示，起始電壓準位調節器306與穩壓電容C1是耦接於第一組選擇開關S1，其中起始電壓準位調節器306是用以根據一起電訊號PU，產生一內部參考電壓VINTREF1，和穩壓電容C1是用以穩定內部參考電壓VINTREF1。起始電壓準位調節器306包含一第二P型金氧半電晶體3062、一第一電阻3064、一第二電阻3066、一反相器3068及一N型金氧半電晶體3070。第二P型金氧半電晶體3062具有一第一端，用以接收外部電壓VEXT，一第二端，用以接收起電訊號PU，及一第三端；第一電阻3064具有一第一端，耦接於第二P型金氧半電晶體3062的第三端，及一第二端，耦接於第一組選擇開關S1，用以輸出內部參考電壓VINTREF1；第二電阻3066具有一第一端，耦接於第一電阻3064的第二端，及一第二端；反相器3068具有一第一端，耦接於第二P型金氧半電晶體3062的第二端，用以接收起電訊號PU，及一第二端；N型金氧半電晶體3070具有一第一端，耦接於第二電阻3066的第二端，一第二端，耦接於反相器3068的第二端，及一第三端，耦接於地端GND。起電訊號PU是由應用起始電壓產生電路300的一系統中的起電單元所產生。當起電訊號PU是為一低電位時，因為第二P型金氧半電晶體3062以及N型金氧半電晶體3070都開啟，所以內部參考電壓VINTREF1是根據式(1)所決定： VINTREF1=VEXT(r2/(r1+r2)) (1)
如式(1)所示，r1是為第一電阻3064的阻值與r2是為第二電阻3066的阻值。當起電訊號PU是為一高電位時，因為第二P型金氧半電晶體3062以及N型金氧半電晶體3070都關閉，所以內部參考電壓VINTREF1等於第一組選擇開關S1輸出的參考電壓候選值(例如VR11)。電壓VEXT(r2/(r1+r2))是可低於第一組選擇開關S1輸出的參考電壓候選值(例如VR11)，因此，內部參考電壓VINTREF1並不會經過一段時間之後才會達到一目標值。亦即當起電訊號PU是為低電位時，內部參考電壓VINTREF1可先透過外部電壓VEXT、第一電阻3064與第二電阻3066，立刻達到一較高電壓VEXT(r2/(r1+r2))。因此，在系統起電過程中因為內部參考電壓VINTREF1並不須要經過一段時間之後才會達到目標值，所以系統內的一些電路並不會起電失敗。另外，如第3圖所示，在系統起電過程中，如果系統內的一些電路(例如記憶體單元)並不需要快速反應的啟動電壓，則其他組選擇開關S2-SN所輸出的參考電壓候選值VINTREF2-VINTREFN就不需要額外的起始電壓準位調節器調節。
請參照第4圖，第4圖是為本發明的另一實施例說明一種起始電壓產生電路400的示意圖。如第4圖所示，起始電壓產生電路400和起始電壓產生電路300的差別在於起始電壓產生電路400的一起始電壓準位調節器406包含一第二P型金氧半電晶體4062、一第一電阻4064、L個串聯二極體形式N型金氧半電晶體T1-TL、一反相 器4068及一第一N型金氧半電晶體4070，其中L是為一正整數。第二P型金氧半電晶體4062具有一第一端，用以接收一外部電壓VEXT，一第二端，用以接收一起電訊號PU，及一第三端；第一電阻4064具有一第一端，耦接於第二P型金氧半電晶體4062的第三端，及一第二端，耦接於第一組選擇開關S1，用以輸出一內部參考電壓VINTREF1；反相器4068具有一第一端，耦接於第二P型金氧半電晶體4062的第二端，用以接收起電訊號PU，及一第二端；第一N型金氧半電晶體4070具有一第一端，一第二端，耦接於反相器4068的第二端，及一第三端，耦接於一地端GND；L個串聯二極體形式N型金氧半電晶體T1-TL是耦接於第一N型金氧半電晶體4070的第一端及第一電阻4064的第二端之間。另外，在本發明的另一實施例，二極體、二極體形式雙載子電晶體或二極體形式P型金氧半電晶體可被用以取代二極體形式N型金氧半電晶體。
如第4圖所示，當起電訊號PU是為一低電位時，因為第二P型金氧半電晶體4062以及第一N型金氧半電晶體4070都開啟，所以內部參考電壓VINTREF1是根據式(2)所決定：VINTREF1=VTH * C (2)
如式(2)所示，VTH是為N型金氧半電晶體T1-TL中每一N型金氧半電晶體的臨界電壓，C是為一常數。因此，當起電訊號PU是為低電位時，內部參考電壓VINTREF1是等於L個串聯二極體形 式N型金氧半電晶體T1-TL的臨界電壓加上一本體效應(Body Effect)總和。當起電訊號PU是為一高電位時，因為第二P型金氧半電晶體4062以及第一N型金氧半電晶體4070都關閉，所以內部參考電壓VINTREF1等於第一組選擇開關S1輸出的參考電壓候選值(例如VR11)。電壓VTH * C是可低於第一組選擇開關S1輸出的參考電壓候選值(例如VR11)，因此，內部參考電壓VINTREF1並不會經過一段時間之後才會達到一目標值。亦即當起電訊號PU是為低電位時，內部參考電壓VINTREF1可先透過外部電壓VEXT、第一電阻4064與L個串聯二極體形式N型金氧半電晶體T1-TL，立刻達到一較高電壓VTH * C。因此，在一系統起電過程中因為內部參考電壓VINTREF1並不須要經過一段時間之後才會達到目標值，所以系統內的一些電路並不會起電失敗。另外，起始電壓產生電路400的其餘操作原理皆和起始電壓產生電路300相同，在此不再贅述。
請參照第5圖，第5圖是為本發明的另一實施例說明一種起始電壓產生電路500的示意圖。起始電壓產生電路500包含一第一參考電壓產生器502、一參考電壓選擇器504、一起始電壓準位調節器506、一穩壓電容C1、一低壓差穩壓單元508及一第二參考電壓產生器510。第一參考電壓產生器502、參考電壓選擇器504和起始電壓準位調節器506的操作原理和參考電壓產生器302、參考電壓選擇器304和起始電壓準位調節器306相同，在此不再贅述。另外，如第5圖所示，參考電壓選擇器504包含一第一組選擇開關S1與一 開關控制電路SC1。但本發明並不受限於參考電壓選擇器504僅包含一第一組選擇開關S1與一開關控制電路SC1，亦即參考電壓選擇器504可包含至少一組選擇開關與至少一開關控制電路。如第5圖所示，起始電壓準位調節器506根據一起電訊號PU，產生一內部參考電壓VINTREF1，和穩壓電容C1是用以穩定內部參考電壓VINTREF1。低差穩壓單元508是用以根據內部參考電壓VINTREF1，產生一第一電壓V1；第二參考電壓產生器510是用以根據第一電壓V1及內部參考電壓VINTREF1，產生K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K，其中K是為一正整數。但在本發明的另一實施例中，如果參考電壓選擇器504包含複數組選擇開關與複數個開關控制電路，則第二參考電壓產生器510可根據第一電壓V1及一參考電壓候選值(非第一組選擇開關S1所產生)，產生K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K。另外，如果參考電壓選擇器504包含複數組選擇開關與複數個開關控制電路，則每一組選擇開關是對應一個穩壓電容。另外，在本發明的另一實施例中，起始電壓準位調節器506是和起始電壓準位調節器406相同。
如第5圖所示，第二參考電壓產生器510包含一第一放大器5102、一第三P型金氧半電晶體5104、一第四P型金氧半電晶體5106、一第二N型金氧半電晶體5108、一第三N型金氧半電晶體5110、K個串聯電阻R21-R2K及K個第二穩壓電容C21-C2K。在本發明的另一實施例中，第二N型金氧半電晶體5108可被一P型金氧半電晶體取代。第一放大器5102具有一第一端，用以接收一外 部電壓VEXT，一第二端，一第三端，一第四端，用以接收內部參考電壓VINTREF1(如果參考電壓選擇器504包含複數組選擇開關與複數個開關控制電路，則第一放大器5102的第四端可接收一參考電壓候選值(非第一組選擇開關S1所產生))，及一第五端；第三P型金氧半電晶體5104具有一第一端，用以接收外部電壓VEXT，一第二端，用以接收起電訊號PU，及一第三端，耦接於第一放大器5102的第二端；第四P型金氧半電晶體5106具有一第一端，用以接收外部電壓VEXT，一第二端，耦接於第一放大器5102的第二端，及一第三端；第二N型金氧半電晶體5108具有一第一端，耦接於低壓差穩壓單元508，一第二端，耦接於第二N型金氧半電晶體5108的第一端，及一第三端，耦接於第四P型金氧半電晶體5106的第三端；第三N型金氧半電晶體5110具有一第一端，耦接於第一放大器5102的第三端，一第二端，耦接於第三P型金氧半電晶體5104的第二端，及一第三端，耦接於一地端GND；K個串聯電阻R21-R2K是耦接於第四P型金氧半電晶體5106的第三端、第一放大器5102的第五端及地端GND，用以根據內部參考電壓VINTREF1或第一電壓V1，產生K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K；K個第二穩壓電容C21-C2K中的每一第二穩壓電容是用以穩定K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K中的一第二參考電壓。在本發明的另一實施例中，參考電壓選擇器504包含複數組選擇開關與複數個開關控制電路，以及K個串聯電阻R21-R2K可根據一參考電壓候選值(非第一組選擇開關S1所產生)，輸出K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K。
如第5圖所示，低壓差穩壓單元508包含一第六P型金氧半電晶體5082、一第二放大器5084、一第三電阻5086及一第四電阻5088。第六P型金氧半電晶體5082具有一第一端，用以接收外部電壓VEXT，一第二端，及一第三端，用以輸出第一電壓V1；第二放大器5084具有一第一端，用以接收外部電壓VEXT，一第二端，耦接於第六P型金氧半電晶體5082的第二端，一第三端，耦接於地端GND，一第四端，耦接於第一組選擇開關S1，用以接收內部參考電壓VINTREF1，及一第五端；第三電阻5086具有一第一端，耦接於第六P型金氧半電晶體5082的第三端，及一第二端，耦接於第二放大器5084的第五端；第四電阻5088具有一第一端，耦接於第二放大器5084的第五端，及一第二端，耦接於地端GND。另外，如第5圖所示，起始電壓產生電路500另包含一第一穩壓電容CS1，耦接於低壓差穩壓單元508與地端GND，用以穩定第一電壓V1。
如第5圖所示，當第六P型金氧半電晶體5082操作在飽和區時，第一電壓V1是根據式(3)所產生：V1=VINTREF1((r3+r4)/r4) (3)
如式(3)所示，r3是為第三電阻5086的阻值與r4是為第四電阻5088的阻值。
如第5圖所示，當起電訊號PU是為一低電位時，第三P型金氧半電晶體5104開啟，以及第四P型金氧半電晶體5106、第三N型金氧半電晶體5110和第一放大器5102關閉，所以K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K是為第一電壓V1減去第二N型金氧半電晶體5108的臨界電壓所得到的電壓V2的分壓。亦即K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K是電壓V2透過K個串聯電阻R21-R2K分壓所產生。
當起電訊號PU是為一高電位時，第三P型金氧半電晶體5104關閉，以及第四P型金氧半電晶體5106、第三N型金氧半電晶體5110和第一放大器5102開啟，所以K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K是為內部參考電壓VINTREF1的分壓。亦即K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K是內部參考電壓VINTREF1透過K個串聯電阻R21-R2K分壓所產生，且K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K和內部參考電壓VINTREF1成比例，其中比例是由K個串聯電阻R21-R2K決定。另外，在本發明的另一實施例中，參考電壓選擇器504包含複數組選擇開關與複數個開關控制電路，以及K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K是由一參考電壓候選值(非第一組選擇開關S1所產生)透過K個串聯電阻R21-R2K分壓所產生。
另外，如第5圖所示，內部參考電壓VINTREF1產生之後，K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K才產生，亦即系統起電結 束後，K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K才產生。另外，K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K亦可透過另一參考電壓選擇器輸出至一系統。
請參照第6圖，第6圖是為本發明的另一實施例說明一種起始電壓產生電路600的示意圖。起始電壓產生電路600包含一第一參考電壓產生器502、一參考電壓選擇器504、一起始電壓準位調節器506、一穩壓電容C1、一低壓差穩壓單元508及一第二參考電壓產生器610。但在本發明的另一實施例中，起始電壓準位調節器506是和起始電壓準位調節器406相同。如第6圖所示，第二參考電壓產生器610包含一第一放大器6102、一第三P型金氧半電晶體6104、一第四P型金氧半電晶體6106、一第二N型金氧半電晶體6108、一第三N型金氧半電晶體6110、一第五P型金氧半電晶體6112、K個串聯電阻R21-R2K及K個第二穩壓電容C21-C2K，其中K是為一正整數。在本發明的另一實施例中，第二N型金氧半電晶體6108可被一P型金氧半電晶體取代，以及第五P型金氧半電晶體6112可被一N型金氧半電晶體取代。第一放大器6102具有一第一端，用以接收一外部電壓VEXT，一第二端，一第三端，一第四端，用以接收一內部參考電壓VINTREF1(如果參考電壓選擇器504包含複數組選擇開關與複數個開關控制電路，則第一放大器6102的第四端可接收一參考電壓候選值(非第一組選擇開關S1所產生))，及一第五端；第三P型金氧半電晶體6104具有一第一端，用以接收外部電壓VEXT，一第二端，用以接收一起電訊號PU，及一 第三端，耦接於第一放大器6102的第二端；第四P型金氧半電晶體6106具有一第一端，用以接收外部電壓VEXT，一第二端，耦接於第一放大器6102的第二端，及一第三端；第二N型金氧半電晶體6108具有一第一端，耦接於低壓差穩壓單元508，一第二端，耦接於第二N型金氧半電晶體6108的第一端，及一第三端；第三N型金氧半電晶體6110具有一第一端，耦接於第一放大器6102的第三端，一第二端，耦接於第三P型金氧半電晶體6104的第二端，及一第三端，耦接於一地端GND；第五P型金氧半電晶體6112具有一第一端，耦接於第二N型金氧半電晶體6108的第三端，一第二端，耦接於第三P型金氧半電晶體6104的第二端，及一第三端，耦接於第四P型金氧半電晶體6106的第三端；K個串聯電阻R21-R2K是耦接於第四P型金氧半電晶體6106的第三端、第一放大器6102的第五端及地端GND，用以根據內部參考電壓VINTREF1或第一電壓V1，產生K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K；K個第二穩壓電容C21-C2K中的每一第二穩壓電容是用以穩定K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K中的一第二參考電壓。
如第6圖所示，當起電訊號PU是為一低電位時，第三P型金氧半電晶體6104和第五P型金氧半電晶體6112開啟，以及第四P型金氧半電晶體6106、第三N型金氧半電晶體6110和第一放大器6102關閉，所以K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K是為第一電壓V1減去第二N型金氧半電晶體6108的臨界電壓所得到的電壓V2的分壓。亦即K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K 是電壓V2透過K個串聯電阻R21-R2K所產生。
當起電訊號PU是為一高電位時，第三P型金氧半電晶體6104和第五P型金氧半電晶體6112關閉，以及第四P型金氧半電晶體6106、第三N型金氧半電晶體6110和第一放大器6102開啟，所以K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K是為內部參考電壓VINTREF1的分壓。亦即K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K是內部參考電壓VINTREF1透過K個串聯電阻R21-R2K所產生，且K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K和內部參考電壓VINTREF1成比例，其中比例是由K個串聯電阻R21-R2K決定。另外，在本發明的另一實施例中，參考電壓選擇器504包含複數組選擇開關與複數個開關控制電路，以及K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K是由一參考電壓候選值(非第一組選擇開關S1所產生)透過K個串聯電阻R21-R2K分壓所產生。另外，起始電壓產生電路600的其餘操作原理皆和起始電壓產生電路500相同，在此不再贅述。
請參照第3圖、第4圖和第7圖，第7圖是為本發明的另一實施例說明一種起始電壓產生的方法的流程圖。第7圖的方法係利用第3圖的起始電壓產生電路300和第4圖的起始電壓產生電路400說明，詳細步驟如下：步驟700：開始； 步驟702：參考電壓產生器302產生N組參考電壓候選值；步驟704：參考電壓選擇器304接收N組參考電壓候選值；步驟706：N個開關控制電路SC1-SCN中的每一開關控制電路產生一開關訊號，以控制一組選擇開關輸出相對應的一組參考電壓候選值中的一參考電壓候選值；步驟708：起始電壓準位調節器根據一起電訊號PU，產生一內部參考電壓VINTREF1。
如第3圖所示，在步驟702中，參考電壓產生器302是根據帶隙參考電壓VB和電阻R1-RN的阻值，輸出N組參考電壓候選值。在步驟706中，N個開關控制電路SC1-SCN中的每一開關控制電路是對應於N組選擇開關S1-SN中的一組選擇開關，用以產生一開關訊號，以控制N組選擇開關S1-SN中的一組選擇開關輸出相對應的一組參考電壓候選值中的一參考電壓候選值。例如，開關控制電路SC1是對應於第一組選擇開關S1，用以產生一開關訊號SS1，以控制第一組選擇開關S1輸出第一組參考電壓候選值VR11-VR14中的一參考電壓候選值(例如VR11)。亦即第一組選擇開關S1根據開關訊號SS1，關閉開關S12-S14以及開啟開關S11，所以第一組選擇開關S1可輸出參考電壓候選值VR11。在步驟708中，如第3圖所示，當起電訊號PU是為一低電位時，因為第二P型金氧半電晶體3062以及N型金氧半電晶體3070都開啟，所以內部參考電壓VINTREF1是根據式(1)所產生，亦即內部參考電壓VINTREF1是由外部電壓VEXT、第一電阻3064與第二電阻3066所決定。在步驟 708中，如第4圖所示，當起電訊號PU是為低電位時，因為第二P型金氧半電晶體4062以及第一N型金氧半電晶體4070都開啟，所以內部參考電壓VINTREF1是等於起始電壓準位調節器406所包含的L個串聯二極體形式N型金氧半電晶體的臨界電壓加上一本體效應(Body Effect)總和。在步驟708中，如第3圖所示，當起電訊號PU是為一高電位時，因為第二P型金氧半電晶體3062以及N型金氧半電晶體3070都關閉，所以內部參考電壓VINTREF1等於第一組選擇開關S1輸出的參考電壓候選值(例如VR11)；在步驟708中，如第4圖所示，當起電訊號PU是為一高電位時，因為第二P型金氧半電晶體4062以及第一N型金氧半電晶體4070都關閉，所以內部參考電壓VINTREF1等於第一組選擇開關S1輸出的參考電壓候選值(例如VR11)。另外，起電訊號PU是由應用起始電壓產生電路300的系統中的起電單元所產生。
請參照第5圖、第6圖和第8圖，第8圖是為本發明的另一實施例說明一種起始電壓產生的方法的流程圖。第8圖的方法係利用第5圖的起始電壓產生電路500和第6圖的起始電壓產生電路600說明，詳細步驟如下：步驟800：開始；步驟802：參考電壓產生器502產生N組參考電壓候選值；步驟804：參考電壓選擇器504接收第一組參考電壓候選值；步驟806：第一開關控制電路SC1產生一開關訊號SS1，以控制 第一組選擇開關S1輸出第一組參考電壓候選值中的一參考電壓候選值；步驟808：起始電壓準位調節器506根據一起電訊號PU，產生一內部參考電壓VINTREF1；步驟810：低壓差穩壓單元508根據內部參考電壓VINTREF1，產生一第一電壓V1；步驟812：第二參考電壓產生器根據第一電壓V1、內部參考電壓VINTREF1或一參考電壓候選值，產生K個第二參考電壓。
在步驟808中，當起始電壓準位調節器506和起始電壓準位調節器306相同時，內部參考電壓VINTREF1可根據式(1)所產生；當起始電壓準位調節器506和起始電壓準位調節器406相同時，內部參考電壓VINTREF1可根據式(2)所產生。在步驟810中，第一電壓V1可根據式(3)所產生。在步驟812中，如第5圖所示，當起電訊號PU是為一低電位時，第二參考電壓產生器510內的第三P型金氧半電晶體5104開啟，以及第四P型金氧半電晶體5106、第三N型金氧半電晶體5110和第一放大器5102關閉，所以K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K是為第一電壓V1減去第二N型金氧半電晶體5108的臨界電壓所得到的電壓V2的分壓。在步驟812中，如第5圖所示，當起電訊號PU是為一高電位時，第二參考電壓產生器510內的第三P型金氧半電晶體5104關閉，以及第四P型金氧半電晶體5106、第三N型金氧半電晶體5110和第一放大器5102 開啟，所以K個第二參考電壓VINTREF21-VINTREF2K是為內部參考電壓VINTREF1的分壓。另外，第二參考電壓產生器610的操作原理和第二參考電壓產生器510相同，在此不再贅述。
綜上所述，本發明所提供的起始電壓產生電路和起始電壓產生的方法，是利用起始電壓準位調節器根據一起電訊號，產生適當的內部參考電壓的位準，以加速系統起電的過程。相較於現有技術，因為內部參考電壓不會經過一段較長時間之後才會達到目標值，所以系統內的一些電路並不會起電失敗。因此，本發明所提供的起始電壓產生電路和起始電壓產生的方法可正常應用在任何製程、電壓及溫度變異(process,voltage and temperature(PVT)variation)的情況。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100、300、400、500、600‧‧‧起始電壓產生電路
102、302‧‧‧參考電壓產生器
104、304、504‧‧‧參考電壓選擇器
306、406、506‧‧‧起始電壓準位調節器
502‧‧‧第一參考電壓產生器
508‧‧‧低壓差穩壓單元
510、610‧‧‧第二參考電壓產生器
3022‧‧‧第一P型金氧半電晶體
3024‧‧‧放大器
3062、4062‧‧‧第二P型金氧半電晶體
3064、4064‧‧‧第一電阻
3066‧‧‧第二電阻
3068、4068‧‧‧反相器
3070、T1-TL‧‧‧N型金氧半電晶體
4070‧‧‧第一N型金氧半電晶體
5102、6102‧‧‧第一放大器
5104、6104‧‧‧第三P型金氧半電晶體
5106、6106‧‧‧第四P型金氧半電晶體
5108、6108‧‧‧第二N型金氧半電晶體
5110、6110‧‧‧第三N型金氧半電晶體
5082‧‧‧第六P型金氧半電晶體
5084‧‧‧第二放大器
5086‧‧‧第三電阻
5088‧‧‧第四電阻
6112‧‧‧第五P型金氧半電晶體
C1-CN‧‧‧穩壓電容
C21-C2K‧‧‧第二穩壓電容
CS1‧‧‧第一穩壓電容
GND‧‧‧地端
PU‧‧‧起電訊號
R1-RN、R21-R2K‧‧‧電阻
S1-SN‧‧‧選擇開關
SC1-SCN‧‧‧開關控制電路
SS1、SSN‧‧‧開關訊號
S11-S1M、S11-S14、SN1-SN4‧‧‧開關
T‧‧‧時間
VR11-VR1M、VR11-VR14、VRN1-VRN4‧‧‧參考電壓候選值
VINTREF1、VINTREFN‧‧‧內部參考電壓
VRT‧‧‧目標值
VEXT‧‧‧外部電壓
VB‧‧‧帶隙參考電壓
V1‧‧‧第一電壓
VINTREF21-VINTREF2K‧‧‧第二參考電壓
700-708、800-812‧‧‧步驟
第1圖是為現有技術說明起始電壓產生電路的示意圖。
第2圖是為說明參考電壓候選值在一段時間內的變化的示意圖。
第3圖是為本發明的一實施例說明一種起始電壓產生電路的示意圖。
第4圖是為本發明的另一實施例說明一種起始電壓產生電路的示意圖。
第5圖是為本發明的另一實施例說明一種起始電壓產生電路的示意圖。
第6圖是為本發明的另一實施例說明一種起始電壓產生電路的示意圖。
第7圖是為本發明的另一實施例說明一種起始電壓產生的方法的流程圖。
第8圖是為本發明的另一實施例說明一種起始電壓產生的方法的流程圖。
300‧‧‧起始電壓產生電路
302‧‧‧參考電壓產生器
304‧‧‧參考電壓選擇器
306‧‧‧起始電壓準位調節器
3022‧‧‧第一P型金氧半電晶體
3024‧‧‧放大器
3062‧‧‧第二P型金氧半電晶體
3064‧‧‧第一電阻
3066‧‧‧第二電阻
3068‧‧‧反相器
3070‧‧‧N型金氧半電晶體
C1-CN‧‧‧穩壓電容
GND‧‧‧地端
PU‧‧‧起電訊號
R1-RN‧‧‧電阻
S1SN‧‧‧選擇開關
SC1-SCN‧‧‧開關控制電路
SS1、SSN‧‧‧開關訊號
S11-S14、SN1-SN4‧‧‧開關
VR11-VR14、VRN1-VRN4‧‧‧參考電壓候選值
VINTREF1、VINTREFN‧‧‧內部參考電壓
VEXT‧‧‧外部電壓
VB‧‧‧帶隙參考電壓

Claims (27)

  1. 一種起始電壓產生電路，包含：一參考電壓產生器，用以產生複數組參考電壓候選值；一參考電壓選擇器，用以接收該複數組參考電壓候選值，該參考電壓選擇器包含：複數組選擇開關，其中每一組選擇開關是對應於該複數組參考電壓候選值中的一組參考電壓候選值，且該組選擇開關包含複數個並聯開關；及複數個開關控制電路，其中每一開關控制電路是對應於該複數組選擇開關中的一組選擇開關，用以產生一開關訊號，以控制該組選擇開關輸出相對應的一組參考電壓候選值中的一參考電壓候選值；一起始電壓準位調節器；及複數個穩壓電容；其中該起始電壓準位調節器與該複數個穩壓電容中的一相對應的穩壓電容是耦接於該複數組選擇開關中的一組選擇開關，其中該起始電壓準位調節器是用以根據一起電訊號，產生一內部參考電壓，和該相對應的穩壓電容是用以穩定該內部參考電壓；其中當該起始電壓準位調節器根據該起電訊號運作時，該內部參考電壓和該起始電壓準位調節器所耦接的該組選擇開關所輸出的參考電壓候選值無關。
  2. 一種起始電壓產生電路，包含：一第一參考電壓產生器，用以產生複數組參考電壓候選值；一參考電壓選擇器，包含至少一組選擇開關與至少一開關控制電路，用以接收該複數組參考電壓候選值中的至少一組參考電壓候選值，其中每一組選擇開關是對應於該至少一組參考電壓候選值中的一組參考電壓候選值以及一開關控制電路，其中該開關控制電路是用以產生一開關訊號，以控制該組選擇開關輸出相對應的一組參考電壓候選值中的一參考電壓候選值；一起始電壓準位調節器；至少一穩壓電容，其中該起始電壓準位調節器與該至少一穩壓電容中的一穩壓電容是耦接於該至少一組選擇開關中的一組選擇開關，其中該起始電壓準位調節器是用以根據一起電訊號，產生一內部參考電壓，和該穩壓電容是用以穩定該內部參考電壓；一低壓差穩壓單元，用以根據該內部參考電壓，產生一第一電壓；及一第二參考電壓產生器，用以根據該起電訊號與該第一電壓、該起電訊號與該內部參考電壓或該起電訊號與一參考電壓候選值，產生複數個第二參考電壓。
  3. 如請求項1或2所述的起始電壓產生電路，其中該參考電壓產生器包含： 一第一P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收一外部電壓，一第二端，及一第三端；一放大器，具有一第一端，用以接收該外部電壓，一第二端，耦接於該第一P型金氧半電晶體的第二端，一第三端，耦接於一地端，一第四端，用以接收一帶隙參考電壓，及一第五端；及複數個串聯電阻，該複數個串聯電阻耦接於該第一P型金氧半電晶體的第三端、該放大器的第五端及該地端，用以根據該帶隙參考電壓，輸出該複數組參考電壓候選值。
  4. 如請求項1或2所述的起始電壓產生電路，其中該起始電壓準位調節器包含：一第二P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收一外部電壓，一第二端，用以接收該起電訊號，及一第三端；一第一電阻，具有一第一端，耦接於該第二P型金氧半電晶體的第三端，及一第二端，耦接於該組選擇開關，用以輸出該內部參考電壓；一第二電阻，具有一第一端，耦接於該第一電阻的第二端，及一第二端；一反相器，具有一第一端，耦接於該第二P型金氧半電晶體的第二端，用以接收該起電訊號，及一第二端；及一第一N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接於該第二電阻的第二端，一第二端，耦接於該反相器的第二端，及一第 三端，耦接於一地端。
  5. 如請求項4所述的起始電壓產生電路，其中當該起電訊號是為一低電位時，該內部參考電壓是和該外部電壓成一比例，其中該比例是由該第一電阻與該第二電阻決定。
  6. 如請求項4所述的起始電壓產生電路，其中當該起電訊號是為一高電位時，該內部參考電壓是等於耦接於該起始電壓準位調節器的該組選擇開關所輸出的參考電壓候選值。
  7. 如請求項1或2所述的起始電壓產生電路，其中該起始電壓準位調節器包含：一第二P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收一外部電壓，一第二端，用以接收一起電訊號，及一第三端；一第一電阻，具有一第一端，耦接於該第二P型金氧半電晶體的第三端，及一第二端，耦接於該組選擇開關，用以輸出該內部參考電壓；一反相器，具有一第一端，耦接於該第二P型金氧半電晶體的第二端，用以接收該起電訊號，及一第二端；一第一N型金氧半電晶體，具有一第一端，一第二端，耦接於該反相器的第二端，及一第三端，耦接於一地端；及複數個串聯二極體形式N型金氧半電晶體，耦接於該第一N型金氧半電晶體的第一端及該第一電阻的第二端之間。
  8. 如請求項7所述的起始電壓產生電路，其中當該起電訊號是為一低電位時，該內部參考電壓是等於該複數個串聯二極體形式N型金氧半電晶體的臨界電壓加上一本體效應(Body Effect)總和。
  9. 如請求項7所述的起始電壓產生電路，其中當該起電訊號是為一高電位時，該內部參考電壓是等於耦接於該起始電壓準位調節器的該組選擇開關所輸出的參考電壓候選值。
  10. 如請求項2所述的起始電壓產生電路，其中該第二參考電壓產生器包含：一第一放大器，具有一第一端，用以接收一外部電壓，一第二端，一第三端，一第四端，用以接收該內部參考電壓或該參考電壓候選值，及一第五端；一第三P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該外部電壓，一第二端，用以接收一起電訊號，及一第三端，耦接於該第一放大器的第二端；一第四P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該外部電壓，一第二端，耦接於該第一放大器的第二端，及一第三端；一第二N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接於該低壓差穩壓單元，一第二端，耦接於該第二N型金氧半電晶體的第 一端，及一第三端，耦接於該第四P型金氧半電晶體的第三端；一第三N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接於該第一放大器的第三端，一第二端，耦接於該第三P型金氧半電晶體的第二端，及一第三端，耦接於一地端；複數個串聯電阻，該複數個串聯電阻耦接於該第四P型金氧半電晶體的第三端、該第一放大器的第五端及該地端，用以根據該起電訊號與該第一電壓、該起電訊號與該內部參考電壓或該起電訊號與該參考電壓候選值，產生該複數個第二參考電壓；及複數個第二穩壓電容，其中每一第二穩壓電容是用以穩定該複數個第二參考電壓中的一第二參考電壓。
  11. 如請求項10所述的起始電壓產生電路，其中當該起電訊號是為一低電位時，該複數個第二參考電壓是為該第一電壓減去該第二N型金氧半電晶體的臨界電壓所得到的電壓的分壓。
  12. 如請求項10所述的起始電壓產生電路，其中當該起電訊號是為一高電位時，該複數個第二參考電壓是為該內部參考電壓的分壓，或該複數個第二參考電壓是為該參考電壓候選值的分壓。
  13. 如請求項2所述的起始電壓產生電路，其中該第二參考電壓產生器包含： 一第一放大器，具有一第一端，用以接收一外部電壓，一第二端，一第三端，一第四端，用以接收該內部參考電壓或該參考電壓候選值，及一第五端；一第三P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該外部電壓，一第二端，用以接收一起電訊號，及一第三端，耦接於該第一放大器的第二端；一第四P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該外部電壓，一第二端，耦接於該第一放大器的第二端，及一第三端；一第二N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接於該低壓差穩壓單元，一第二端，耦接於該第二N型金氧半電晶體的第一端，及一第三端；一第三N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接於該第一放大器的第三端，一第二端，耦接於該第三P型金氧半電晶體的第二端，及一第三端，耦接於一地端；一第五P型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接於該第二N型金氧半電晶體的第三端，一第二端，耦接於該第三P型金氧半電晶體的第二端，及一第三端，耦接於該第四P型金氧半電晶體的第三端；複數個串聯電阻，該複數個串聯電阻耦接於該第四P型金氧半電晶體的第三端、該第一放大器的第五端及該地端，用以根據該起電訊號與該第一電壓、該起電訊號與該內部參考電壓或該起電訊號與該參考電壓候選值，產生該複數個第 二參考電壓；及複數個第二穩壓電容，其中每一第二穩壓電容是用以穩定該複數個第二參考電壓中的一第二參考電壓。
  14. 如請求項13所述的起始電壓產生電路，其中當該起電訊號是為一低電位時，該複數個第二參考電壓是為該第一電壓減去該第二N型金氧半電晶體的臨界電壓所得到的電壓的分壓。
  15. 如請求項13所述的起始電壓產生電路，其中當該起電訊號是為一高電位時，該複數個第二參考電壓是為該內部參考電壓的分壓，或該複數個第二參考電壓是為該參考電壓候選值的分壓。
  16. 如請求項2所述的起始電壓產生電路，其中該低壓差穩壓單元包含：一第六P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收一外部電壓，一第二端，及一第三端，用以輸出該第一電壓；一第二放大器，具有一第一端，用以接收該外部電壓，一第二端，耦接於該第六P型金氧半電晶體的第二端，一第三端，耦接於一地端，一第四端，耦接於該組選擇開關，用以接收該內部參考電壓，及一第五端；一第三電阻，具有一第一端，耦接於該第六P型金氧半電晶體的第三端，及一第二端，耦接於該第二放大器的第五端；及 一第四電阻，具有一第一端，耦接於該第二放大器的第五端，及一第二端，耦接於該地端。
  17. 如請求項2所述的起始電壓產生電路，另包含：一第一穩壓電容，耦接於該低壓差穩壓單元與一地端，用以穩定該第一電壓。
  18. 一種起始電壓產生的方法，其中一起始電壓產生電路包含一參考電壓產生器、一參考電壓選擇器、一起始電壓準位調節器及複數個穩壓電容，該參考電壓選擇器包含複數組選擇開關與複數個開關控制電路，該方法包含：該參考電壓產生器產生複數組參考電壓候選值；該參考電壓選擇器接收該複數組參考電壓候選值；及該複數個開關控制電路中的每一開關控制電路產生一開關訊號，以控制一組選擇開關輸出相對應的一組參考電壓候選值中的一參考電壓候選值；該起始電壓準位調節器根據一起電訊號，產生一內部參考電壓；其中當該起始電壓準位調節器根據該起電訊號運作時，該內部參考電壓和耦接於該起始電壓準位調節器的一組選擇開關所輸出的參考電壓候選值無關。
  19. 如請求項18所述的方法，其中當該起電訊號是為一低電位時，該內部參考電壓是和該外部電壓成一比例，其中該比例是由該 起始電壓準位調節器所包含的一第一電阻與一第二電阻決定。
  20. 如請求項18所述的方法，其中當該起電訊號是為一高電位時，該內部參考電壓是等於耦接於該起始電壓準位調節器的該組選擇開關所輸出的參考電壓候選值。
  21. 如請求項18所述的方法，其中當該起電訊號是為一低電位時，該內部參考電壓是等於該起始電壓準位調節器所包含的複數個串聯二極體形式N型金氧半電晶體的臨界電壓加上一本體效應(Body Effect)總和。
  22. 一種起始電壓產生的方法，其中一起始電壓產生電路包含一第一參考電壓產生器、一參考電壓選擇器、一起始電壓準位調節器、至少一穩壓電容、一低壓差穩壓單元及一第二參考電壓產生器，該參考電壓選擇器包含至少一組選擇開關與至少一開關控制電路，該方法包含：該第一參考電壓產生器產生複數組參考電壓候選值；該至少一組選擇開關中的每一組選擇開關產生一開關訊號，以控制一組選擇開關輸出相對應的一組參考電壓候選值中的一參考電壓候選值；該起始電壓準位調節器根據一起電訊號，產生一內部參考電壓；該低壓差穩壓單元根據該內部參考電壓，產生一第一電壓；及該第二參考電壓產生器根據該起電訊號與該第一電壓、該起電 訊號與該內部參考電壓或該起電訊號與一參考電壓候選值，產生複數個第二參考電壓。
  23. 如請求項22所述的方法，其中當該起電訊號是為一低電位時，該複數個第二參考電壓是為該第一電壓減去該第二參考電壓產生器所包含的一第二N型金氧半電晶體的閥值電壓所得到的電壓的分壓。
  24. 如請求項22所述的方法，其中當該起電訊號是為一高電位時，該複數個第二參考電壓和該內部參考電壓，或該複數個第二參考電壓和該參考電壓候選值成比例，其中該比例是由該第二參考電壓產生器所包含的複數個串聯電阻決定。
  25. 一種起始電壓產生電路，包含：一參考電壓產生器，用以產生複數組參考電壓候選值；一參考電壓選擇器，用以接收該複數組參考電壓候選值，該參考電壓選擇器包含：複數組選擇開關，其中每一組選擇開關是對應於該複數組參考電壓候選值中的一組參考電壓候選值，且該組選擇開關包含複數個並聯開關；及複數個開關控制電路，其中每一開關控制電路是對應於該複數組選擇開關中的一組選擇開關，用以產生一開關訊號，以控制該組選擇開關輸出相對應的一組參 考電壓候選值中的一參考電壓候選值；一起始電壓準位調節器；及複數個穩壓電容；其中該起始電壓準位調節器與該複數個穩壓電容中的一相對應的穩壓電容是耦接於該複數組選擇開關中的一組選擇開關；其中當該起始電壓準位調節器根據一起電訊號運作時，該起始電壓準位調節器先預充電以產生一預充內部參考電壓，而後產生一內部參考電壓，其中該預充內部參考電壓小於該內部參考電壓。
  26. 如請求項25所述的起始電壓產生電路，其中當該起始電壓準位調節器關閉時，該內部參考電壓等於耦接於該起始電壓準位調節器的該組選擇開關所輸出的參考電壓候選值。
  27. 一種起始電壓產生電路，包含：一參考電壓產生器，用以產生複數組參考電壓候選值；一參考電壓選擇器，用以接收該複數組參考電壓候選值，該參考電壓選擇器包含：複數組選擇開關，其中每一組選擇開關是對應於該複數組參考電壓候選值中的一組參考電壓候選值，且該組選擇開關包含複數個並聯開關；及複數個開關控制電路，其中每一開關控制電路是對應於 該複數組選擇開關中的一組選擇開關，用以產生一開關訊號，以控制該組選擇開關輸出相對應的一組參考電壓候選值中的一參考電壓候選值；一起始電壓準位調節器；及複數個穩壓電容；其中該起始電壓準位調節器與該複數個穩壓電容中的一相對應的穩壓電容是耦接於該複數組選擇開關中的一組選擇開關；其中該起始電壓準位調節器是用以選擇性地先預充電以產生一預充內部參考電壓，而後產生一內部參考電壓，其中該預充內部參考電壓小於該內部參考電壓。
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