CN103135644B - 起始电压产生电路和起始电压产生的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种起始电压产生电路和起始电压产生的方法。起始电压产生电路包含一参考电压产生器、一参考电压选择器、至少一起始电压电位调节器及多个稳压电容。该参考电压产生器产生多组参考电压候选值。该参考电压选择器包含多组选择开关与多个开关控制电路。每一组选择开关包含多个并联开关；每一开关控制电路对应于一组选择开关，用以产生一开关信号以控制该组选择开关输出一组参考电压候选值中的一参考电压候选值。每一起始电压电位调节器调节是根据一起电信号，产生一内部参考电压，且对应于该起始电压电位调节器的一稳压电容用以稳定该内部参考电压。

Description

起始电压产生电路和起始电压产生的方法
技术领域
本发明涉及一种起始电压产生电路和起始电压产生的方法，尤指一种利用起始电压电位调节器，快速调节起始电压产生电路输出的内部参考电压的电位的起始电压产生电路和起始电压产生的方法。
背景技术
请参照图1，图1是为现有技术说明起始电压产生电路100的示意图。起始电压产生电路100包含一参考电压产生器102、一参考电压选择器104及N个稳压电容C1-CN，其中参考电压选择器104包含N组选择开关S1-SN与N个开关控制电路SC1-SCN，且N是为一正整数。如图1所示，参考电压产生器102产生N组参考电压候选值，每一组参考电压候选值是对应于一组选择开关，其中一组选择开关包含M个并联开关，且M为一正整数。然后，每一开关控制电路可产生一开关信号以控制一组选择开关输出一组参考电压候选值中的一参考电压候选值。例如，N组参考电压候选值中的第一组参考电压候选值VR11-VR1M是对应于第一组选择开关S1，其中第一组选择开关S1包含M个并联开关S11-S1M。然后，开关控制电路SC1可产生一开关信号SS1以控制第一组选择开关S1输出第一组参考电压候选值VR11-VR1M中的一参考电压候选值(例如VR11)。另外，稳压电容C1用以稳定参考电压候选值VR11。
请参照图2，图2是为说明参考电压候选值VR11在一段时间T内的变化的示意图。如图1和图2所示，因为参考电压候选值VR11被输出之前必须通过第一组选择开关S1，所以当输出参考电压候选值VR11时，参考电压候选值VR11经过一段时间T之后才会达到一目标值VRT。因此，在一系统起电过程中，系统内的一些电路有可能因为参考电压候选值VR11必须经过一段时间T之后才会达到目标值VRT而起电太慢以致失败。另外，当第一组选择开关S1是耦接一大负载时，大负载可能因为参考电压候选值VR11必须经过一段较长时间之后才会达到目标值VRT而耗费太多起电时间。因此，起始电压产生电路100对于系统而言，并非是一个好的起始电压产生电路。
发明内容
本发明的一实施例提供一种起始电压产生电路。该起始电压产生电路包含一参考电压产生器、一参考电压选择器、至少一起始电压电位调节器及多个稳压电容。该参考电压产生器用以产生多组参考电压候选值。该参考电压选择器用以接收该多组参考电压候选值，该参考电压选择器包含多组选择开关与多个开关控制电路。每一组选择开关对应于该多组参考电压候选值中的一组参考电压候选值，且该组选择开关包含多个并联开关；每一开关控制电路是对应于该多组选择开关中的一组选择开关，用以产生一开关信号，以控制该组选择开关输出相对应的一组参考电压候选值中的一参考电压候选值。该至少一起始电压电位调节器中的每一起始电压电位调节器与该多个稳压电容中的一相对应的稳压电容是耦接于该组选择开关中的一组选择开关，其中该起始电压电位调节器用以根据一起电信号，产生一内部参考电压，和该稳压电容用以稳定该内部参考电压。
本发明的另一实施例提供一种起始电压产生电路。该起始电压产生电路包含一第一参考电压产生器、一参考电压选择器、一起始电压电位调节器、至少一稳压电容、一低压差稳压单元及一第二参考电压产生器。该第一参考电压产生器用以产生多组参考电压候选值。该参考电压选择器包含至少一组选择开关与至少一开关控制电路，用以接收该多组参考电压候选值中的至少一组参考电压候选值，其中每一组选择开关对应于该至少一组参考电压候选值中的一组参考电压候选值以及一开关控制电路，其中该开关控制电路用以产生一开关信号，以控制该组选择开关输出相对应的一组参考电压候选值中的一参考电压候选值。该起始电压电位调节器与该至少一稳压电容中的一稳压电容耦接于该至少一组选择开关中的一组选择开关，其中该起始电压电位调节器用以根据一起电信号，产生一内部参考电压，和该稳压电容用以稳定该内部参考电压。该低压差稳压单元用以根据该内部参考电压，产生一第一电压。该第二参考电压产生器用以根据该起电信号与该第一电压、该起电信号与该内部参考电压或该起电信号与一参考电压候选值，产生多个第二参考电压。
本发明的另一实施例提供一种起始电压产生的方法，其中一起始电压产生电路包含一参考电压产生器、一参考电压选择器、至少一起始电压电位调节器及多个稳压电容，该参考电压选择器包含多组选择开关与多个开关控制电路，该方法包含该参考电压产生器产生多组参考电压候选值；该参考电压选择器接收该多组参考电压候选值；该多个开关控制电路中的每一开关控制电路产生一开关信号，以控制一组选择开关输出相对应的一组参考电压候选值中的一参考电压候选值；该至少一起始电压电位调节器中的每一起始电压电位调节器根据一起电信号，产生一内部参考电压。
本发明的另一实施例提供一种起始电压产生的方法，其中一起始电压产生电路包含一第一参考电压产生器、一参考电压选择器、一起始电压电位调节器、至少一稳压电容、一低压差稳压单元及一第二参考电压产生器，该参考电压选择器包含至少一组选择开关与至少一开关控制电路，该方法包含该第一参考电压产生器产生多组参考电压候选值；该至少一组选择开关中的每一组选择开关产生一开关信号，以控制一组选择开关输出相对应的一组参考电压候选值中的一参考电压候选值；该起始电压电位调节器根据一起电信号，产生一内部参考电压；该低压差稳压单元根据该内部参考电压，产生一第一电压；该第二参考电压产生器根据该起电信号与该第一电压、该起电信号与该内部参考电压或该起电信号与一参考电压候选值，产生多个第二参考电压。
本发明提供一种起始电压产生电路和起始电压产生的方法。该起始电压产生电路和该方法是利用一起始电压电位调节器根据一起电信号，产生一适当的内部参考电压的电位，以加速一系统起电的过程。相较于现有技术，因为该内部参考电压不会经过一段较长时间之后才会达到一目标值，所以该系统内的一些电路并不会起电失败。因此，本发明可正常应用在任何工艺、电压及温度变异(process,voltage and temperature(PVT)variation)的情况。
附图说明
图1为现有技术说明起始电压产生电路的示意图；
图2为说明参考电压候选值在一段时间内的变化的示意图；
图3是为本发明的一实施例说明一种起始电压产生电路的示意图；
图4是为本发明的另一实施例说明一种起始电压产生电路的示意图；
图5是为本发明的另一实施例说明一种起始电压产生电路的示意图；
图6是为本发明的另一实施例说明一种起始电压产生电路的示意图；
图7是为本发明的另一实施例说明一种起始电压产生的方法的流程图；
图8是为本发明的另一实施例说明一种起始电压产生的方法的流程图。
其中，附图标记
100、300、400、500、600 起始电压产生电路
102、302 参考电压产生器
104、304、504 参考电压选择器
306、406、506 起始电压电位调节器
502 第一参考电压产生器
508 低压差稳压单元
510、610 第二参考电压产生器
3022第一P 型金属氧化物半导体晶体管
3024 放大器
3062、4062 第二P型金属氧化物半导体晶体管
3064、4064 第一电阻
3066 第二电阻
3068、4068 反相器
3070、T1-TL N型金属氧化物半导体晶体管
4070 第一N型金属氧化物半导体晶体管
5102、6102 第一放大器
5104、6104 第三P型金属氧化物半导体晶体管
5106、6106 第四P型金属氧化物半导体晶体管
5108、6108 第二N型金属氧化物半导体晶体管
5110、6110 第三N型金属氧化物半导体晶体管
5082 第六P型金属氧化物半导体晶体管
5084 第二放大器
5086 第三电阻
5088 第四电阻
6112 第五P型金属氧化物半导体晶体管
C1-CN 稳压电容
C21-C2K 第二稳压电容
CS1 第一稳压电容
GND 地端
PU 起电信号
R1-RN、R21-R2K 电阻
S1-SN 选择开关
SC1-SCN 开关控制电路
SS1、SSN 开关信号
S11-S1M、S11-S14、SN1-SN4 开关
T 时间
VR11-VR1M、VR11-VR14、VRN1-VRN4 参考电压候选值
VINTREF1、VINTREFN 内部参考电压
VRT 目标值
VEXT 外部电压
VB 带隙参考电压
V1 第一电压
VINTREF21-VINTREF2K 第二参考电压
700-708、800-812 步骤
具体实施方式
请参照图3，图3是为本发明的一实施例说明一种起始电压产生电路300的示意图。起始电压产生电路300包含一参考电压产生器302、一参考电压选择器304、一起始电压电位调节器306及N个稳压电容C1-CN，其中N为一正整数。但本发明并不受限于起始电压产生电路300仅包含一个起始电压电位调节器306，亦即起始电压产生电路300可包含至少一个起始电压电位调节器。参考电压产生器302用以产生N组参考电压候选值。参考电压选择器304用以接收N组参考电压候选值，参考电压选择器304包含N组选择开关S1-SN与N个开关控制电路SC1-SCN。每一组选择开关是对应于参考电压产生器302所产生的N组参考电压候选值中的一组参考电压候选值，且每一组选择开关包含多个并联开关(例如4个)。但本发明并不受限于每一组选择开关包含4个并联开关。每一开关控制电路对应于N组选择开关S1-SN中的一组选择开关，用以产生一开关信号，以控制N组选择开关S1-SN中的一组选择开关输出相对应的一组参考电压候选值中的一参考电压候选值。例如，N组参考电压候选值中的第一组参考电压候选值VR11-VR14是对应于第一组选择开关S1，以及第N组参考电压候选值VRN1-VRN4是对应于第N组选择开关SN，其中第一组选择开关S1包含4个并联开关S11-S14以及第N组选择开关SN包含4个并联开关SN1-SN4。如图3所示，开关控制电路SC1是对应于第一组选择开关S1，用以产生一开关信号SS1，以控制第一组选择开关S1输出第一组参考电压候选值VR11-VR14中的一参考电压候选值(例如VR11)。亦即如图3所示，第一组选择开关S1根据开关信号SS1，关闭开关S12-S14以及开启开关S11，所以第一组选择开关S1可输出参考电压候选值VR11。另外，N组选择开关S1-SN中其他组选择开关S2-SN的操作原理皆和第一组选择开关S1相同，在此不再赘述。
如图3所示，参考电压产生器302包含一第一P型金属氧化物半导体晶体管3022、一放大器3024及多个串联电阻R1-RN，其中N是为一正整数。第一P型金属氧化物半导体晶体管3022具有一第一端，用以接收一外部电压VEXT，一第二端，及一第三端；放大器3024具有一第一端，用以接收外部电压VEXT，一第二端，耦接于第一P型金属氧化物半导体晶体管3022的第二端，一第三端，耦接于一地端GND，一第四端，用以接收一带隙参考电压VB，及一第五端；多个串联电阻R1-RN是耦接于第一P型金属氧化物半导体晶体管3022的第三端、放大器3024的第五端及地端GND，用以根据带隙参考电压VB和电阻R1-RN的阻值，输出N组参考电压候选值。
如图3所示，起始电压电位调节器306与稳压电容C1是耦接于第一组选择开关S1，其中起始电压电位调节器306用以根据一个起电信号PU，产生一内部参考电压VINTREF1，和稳压电容C1用以稳定内部参考电压VINTREF1。起始电压电位调节器306包含一第二P型金属氧化物半导体晶体管3062、一第一电阻3064、一第二电阻3066、一反相器3068及一N型金属氧化物半导体晶体管3070。第二P型金属氧化物半导体晶体管3062具有一第一端，用以接收外部电压VEXT，一第二端，用以接收起电信号PU，及一第三端；第一电阻3064具有一第一端，耦接于第二P型金属氧化物半导体晶体管3062的第三端，及一第二端，耦接于第一组选择开关S1，用以输出内部参考电压VINTREF1；第二电阻3066具有一第一端，耦接于第一电阻3064的第二端，及一第二端；反相器3068具有一第一端，耦接于第二P型金属氧化物半导体晶体管3062的第二端，用以接收起电信号PU，及一第二端；N型金属氧化物半导体晶体管3070具有一第一端，耦接于第二电阻3066的第二端，一第二端，耦接于反相器3068的第二端，及一第三端，耦接于地端GND。起电信号PU由应用起始电压产生电路300的一系统中的起电单元所产生。当起电信号PU是为一低电位时，因为第二P型金属氧化物半导体晶体管3062以及N型金属氧化物半导体晶体管3070都开启，所以内部参考电压VINTREF1是根据式(1)所决定：
VINTREF1=VEXT(r2/(r1+r2))      (1)
如式(1)所示，r1是为第一电阻3064的阻值与r2是为第二电阻3066的阻值。当起电信号PU是为一高电位时，因为第二P型金属氧化物半导体晶体管3062以及N型金属氧化物半导体晶体管3070都关闭，所以内部参考电压VINTREF1等于第一组选择开关S1输出的参考电压候选值(例如VR11)。电压VEXT(r2/(r1+r2))可低于第一组选择开关S1输出的参考电压候选值(例如VR11)，因此，内部参考电压VINTREF1并不会经过一段时间之后才会达到一目标值。亦即当起电信号PU是为低电位时，内部参考电压VINTREF1可先通过外部电压VEXT、第一电阻3064与第二电阻3066，立刻达到一较高电压VEXT(r2/(r1+r2))。因此，在系统起电过程中因为内部参考电压VINTREF1并不须要经过一段时间之后才会达到目标值，所以系统内的一些电路并不会起电失败。另外，如图3所示，在系统起电过程中，如果系统内的一些电路(例如存储器单元)并不需要快速反应的启动电压，则其他组选择开关S2-SN所输出的参考电压候选值VINTREF2-VINTREFN就不需要额外的起始电压电位调节器调节。
请参照图4，图4是为本发明的另一实施例说明一种起始电压产生电路400的示意图。如图4所示，起始电压产生电路400和起始电压产生电路300的差别在于起始电压产生电路400的一起始电压电位调节器406包含一第二P型金属氧化物半导体晶体管4062、一第一电阻4064、L个串联二极管形式N型金属氧化物半导体晶体管T1-TL、一反相器4068及一第一N型金属氧化物半导体晶体管4070，其中L是为一正整数。第二P型金属氧化物半导体晶体管4062具有一第一端，用以接收一外部电压VEXT，一第二端，用以接收一起电信号PU，及一第三端；第一电阻4064具有一第一端，耦接于第二P型金属氧化物半导体晶体管4062的第三端，及一第二端，耦接于第一组选择开关S1，用以输出一内部参考电压VINTREF1；反相器4068具有一第一端，耦接于第二P型金属氧化物半导体晶体管4062的第二端，用以接收起电信号PU，及一第二端；第一N型金属氧化物半导体晶体管4070具有一第一端，一第二端，耦接于反相器4068的第二端，及一第三端，耦接于一地端GND；L个串联二极管形式N型金属氧化物半导体晶体管T1-TL是耦接于第一N型金属氧化物半导体晶体管4070的第一端及第一电阻4064的第二端之间。另外，在本发明的另一实施例，二极管、二极管形式双载子晶体管或二极管形式P型金属氧化物半导体晶体管可被用以取代二极管形式N型金属氧化物半导体晶体管。
如图4所示，当起电信号PU是为一低电位时，因为第二P型金属氧化物半导体晶体管4062以及第一N型金属氧化物半导体晶体管4070都开启，所以内部参考电压VINTREF1是根据式(2)所决定：
VINTREF1=VTH*C      (2)
如式(2)所示，VTH是为N型金属氧化物半导体晶体管T1-TL中每一N型金属氧化物半导体晶体管的临界电压，C是为一常数。因此，当起电信号PU是为低电位时，内部参考电压VINTREF1是等于L个串联二极管形式N型金属氧化物半导体晶体管T1-TL的临界电压加上一本体效应(Body Effect)总和。当起电信号PU是为一高电位时，因为第二P型金属氧化物半导体晶体管4062以及第一N型金属氧化物半导体晶体管4070都关闭，所以内部参考电压VINTREF1等于第一组选择开关S1输出的参考电压候选值(例如VR11)。电压VTH*C是可低于第一组选择开关S1输出的参考电压候选值(例如VR11)，因此，内部参考电压VINTREF1并不会经过一段时间之后才会达到一目标值。亦即当起电信号PU是为低电位时，内部参考电压VINTREF1可先通过外部电压VEXT、第一电阻4064与L个串联二极管形式N型金属氧化物半导体晶体管T1-TL，立刻达到一较高电压VTH*C。因此，在一系统起电过程中因为内部参考电压VINTREF1并不须要经过一段时间之后才会达到目标值，所以系统内的一些电路并不会起电失败。另外，起始电压产生电路400的其余操作原理皆和起始电压产生电路300相同，在此不再赘述。
请参照图5，图5是为本发明的另一实施例说明一种起始电压产生电路500的示意图。起始电压产生电路500包含一第一参考电压产生器502、一参考电压选择器504、一起始电压电位调节器506、一稳压电容C1、一低压差稳压单元508及一第二参考电压产生器510。第一参考电压产生器502、参考电压选择器504和起始电压电位调节器506的操作原理和参考电压产生器302、参考电压选择器304和起始电压电位调节器306相同，在此不再赘述。另外，如图5所示，参考电压选择器504包含一个第一组选择开关S1与一开关控制电路SC1。但本发明并不受限于参考电压选择器504仅包含一个第一组选择开关S1与一开关控制电路SC1，亦即参考电压选择器504可包含至少一组选择开关与至少一开关控制电路。如图5所示，起始电压电位调节器506根据一起电信号PU，产生一内部参考电压VINTREF1，和稳压电容C1用以稳定内部参考电压VINTREF1。低差稳压单元508用以根据内部参考电压VINTREF1，产生一第一电压V1；第二参考电压产生器510用以根据第一电压V1及内部参考电压VINTREF1，产生K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K，其中K是为一正整数。但在本发明的另一实施例中，如果参考电压选择器504包含多组选择开关与多个开关控制电路，则第二参考电压产生器510可根据第一电压V1及一参考电压候选值(非第一组选择开关S1所产生)，产生K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K。另外，如果参考电压选择器504包含多组选择开关与多个开关控制电路，则每一组选择开关是对应一个稳压电容。另外，在本发明的另一实施例中，起始电压电位调节器506和起始电压电位调节器406相同。
如图5所示，第二参考电压产生器510包含一第一放大器5102、一第三P型金属氧化物半导体晶体管5104、一第四P型金属氧化物半导体晶体管5106、一第二N型金属氧化物半导体晶体管5108、一第三N型金属氧化物半导体晶体管5110、K个串联电阻R21-R2K及K个第二稳压电容C21-C2K。在本发明的另一实施例中，第二N型金属氧化物半导体晶体管5108可被一P型金属氧化物半导体晶体管取代。第一放大器5102具有一第一端，用以接收一外部电压VEXT，一第二端，一第三端，一第四端，用以接收内部参考电压VINTREF1(如果参考电压选择器504包含多组选择开关与多个开关控制电路，则第一放大器5102的第四端可接收一参考电压候选值(非第一组选择开关S1所产生))，及一第五端；第三P型金属氧化物半导体晶体管5104具有一第一端，用以接收外部电压VEXT，一第二端，用以接收起电信号PU，及一第三端，耦接于第一放大器5102的第二端；第四P型金属氧化物半导体晶体管5106具有一第一端，用以接收外部电压VEXT，一第二端，耦接于第一放大器5102的第二端，及一第三端；第二N型金属氧化物半导体晶体管5108具有一第一端，耦接于低压差稳压单元508，一第二端，耦接于第二N型金属氧化物半导体晶体管5108的第一端，及一第三端，耦接于第四P型金属氧化物半导体晶体管5106的第三端；第三N型金属氧化物半导体晶体管5110具有一第一端，耦接于第一放大器5102的第三端，一第二端，耦接于第三P型金属氧化物半导体晶体管5104的第二端，及一第三端，耦接于一地端GND；K个串联电阻R21-R2K是耦接于第四P型金属氧化物半导体晶体管5106的第三端、第一放大器5102的第五端及地端GND，用以根据内部参考电压VINTREF1或第一电压V1，产生K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K；K个第二稳压电容C21-C2K中的每一第二稳压电容用以稳定K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K中的一第二参考电压。在本发明的另一实施例中，参考电压选择器504包含多组选择开关与多个开关控制电路，以及K个串联电阻R21-R2K可根据一参考电压候选值(非第一组选择开关S1所产生)，输出K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K。
如图5所示，低压差稳压单元508包含一第六P型金属氧化物半导体晶体管5082、一第二放大器5084、一第三电阻5086及一第四电阻5088。第六P型金属氧化物半导体晶体管5082具有一第一端，用以接收外部电压VEXT，一第二端，及一第三端，用以输出第一电压V1；第二放大器5084具有一第一端，用以接收外部电压VEXT，一第二端，耦接于第六P型金属氧化物半导体晶体管5082的第二端，一第三端，耦接于地端GND，一第四端，耦接于第一组选择开关S1，用以接收内部参考电压VINTREF1，及一第五端；第三电阻5086具有一第一端，耦接于第六P型金属氧化物半导体晶体管5082的第三端，及一第二端，耦接于第二放大器5084的第五端；第四电阻5088具有一第一端，耦接于第二放大器5084的第五端，及一第二端，耦接于地端GND。另外，如图5所示，起始电压产生电路500另包含一第一稳压电容CS1，耦接于低压差稳压单元508与地端GND，用以稳定第一电压V1。
如图5所示，当第六P型金属氧化物半导体晶体管5082操作在饱和区时，第一电压V1是根据式(3)所产生：
V1=VINTREF1((r3+r4)/r4)      (3)
如式(3)所示，r3是为第三电阻5086的阻值与r4是为第四电阻5088的阻值。
如图5所示，当起电信号PU是为一低电位时，第三P型金属氧化物半导体晶体管5104开启，以及第四P型金属氧化物半导体晶体管5106、第三N型金属氧化物半导体晶体管5110和第一放大器5102关闭，所以K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K是为第一电压V1减去第二N型金属氧化物半导体晶体管5108的临界电压所得到的电压V2的分压。亦即K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K是电压V2通过K个串联电阻R21-R2K分压所产生。
当起电信号PU是为一高电位时，第三P型金属氧化物半导体晶体管5104关闭，以及第四P型金属氧化物半导体晶体管5106、第三N型金属氧化物半导体晶体管5110和第一放大器5102开启，所以K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K是为内部参考电压VINTREF1的分压。亦即K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K是内部参考电压VINTREF1通过K个串联电阻R21-R2K分压所产生，且K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K和内部参考电压VINTREF1成比例，其中比例是由K个串联电阻R21-R2K决定。另外，在本发明的另一实施例中，参考电压选择器504包含多组选择开关与多个开关控制电路，以及K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K是由一参考电压候选值(非第一组选择开关S1所产生)通过K个串联电阻R21-R2K分压所产生。
另外，如图5所示，内部参考电压VINTREF1产生之后，K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K才产生，亦即系统起电结束后，K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K才产生。另外，K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K亦可通过另一参考电压选择器输出至一系统。
请参照图6，图6是为本发明的另一实施例说明一种起始电压产生电路600的示意图。起始电压产生电路600包含一第一参考电压产生器502、一参考电压选择器504、一起始电压电位调节器506、一稳压电容C1、一低压差稳压单元508及一第二参考电压产生器610。但在本发明的另一实施例中，起始电压电位调节器506是和起始电压电位调节器406相同。如图6所示，第二参考电压产生器610包含一第一放大器6102、一第三P型金属氧化物半导体晶体管6104、一第四P型金属氧化物半导体晶体管6106、一第二N型金属氧化物半导体晶体管6108、一第三N型金属氧化物半导体晶体管6110、一第五P型金属氧化物半导体晶体管6112、K个串联电阻R21-R2K及K个第二稳压电容C21-C2K，其中K是为一正整数。在本发明的另一实施例中，第二N型金属氧化物半导体晶体管6108可被一P型金属氧化物半导体晶体管取代，以及第五P型金属氧化物半导体晶体管6112可被一N型金属氧化物半导体晶体管取代。第一放大器6102具有一第一端，用以接收一外部电压VEXT，一第二端，一第三端，一第四端，用以接收一内部参考电压VINTREF1(如果参考电压选择器504包含多组选择开关与多个开关控制电路，则第一放大器6102的第四端可接收一参考电压候选值(非第一组选择开关S1所产生))，及一第五端；第三P型金属氧化物半导体晶体管6104具有一第一端，用以接收外部电压VEXT，一第二端，用以接收一起电信号PU，及一第三端，耦接于第一放大器6102的第二端；第四P型金属氧化物半导体晶体管6106具有一第一端，用以接收外部电压VEXT，一第二端，耦接于第一放大器6102的第二端，及一第三端；第二N型金属氧化物半导体晶体管6108具有一第一端，耦接于低压差稳压单元508，一第二端，耦接于第二N型金属氧化物半导体晶体管6108的第一端，及一第三端；第三N型金属氧化物半导体晶体管6110具有一第一端，耦接于第一放大器6102的第三端，一第二端，耦接于第三P型金属氧化物半导体晶体管6104的第二端，及一第三端，耦接于一地端GND；第五P型金属氧化物半导体晶体管6112具有一第一端，耦接于第二N型金属氧化物半导体晶体管6108的第三端，一第二端，耦接于第三P型金属氧化物半导体晶体管6104的第二端，及一第三端，耦接于第四P型金属氧化物半导体晶体管6106的第三端；K个串联电阻R21-R2K是耦接于第四P型金属氧化物半导体晶体管6106的第三端、第一放大器6102的第五端及地端GND，用以根据内部参考电压VINTREF1或第一电压V1，产生K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K；K个第二稳压电容C21-C2K中的每一第二稳压电容用以稳定K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K中的一第二参考电压。
如图6所示，当起电信号PU是为一低电位时，第三P型金属氧化物半导体晶体管6104和第五P型金属氧化物半导体晶体管6112开启，以及第四P型金属氧化物半导体晶体管6106、第三N型金属氧化物半导体晶体管6110和第一放大器6102关闭，所以K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K为第一电压V1减去第二N型金属氧化物半导体晶体管6108的临界电压所得到的电压V2的分压。亦即K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K是电压V2通过K个串联电阻R21-R2K所产生。
当起电信号PU为一高电位时，第三P型金属氧化物半导体晶体管6104和第五P型金属氧化物半导体晶体管6112关闭，以及第四P型金属氧化物半导体晶体管6106、第三N型金属氧化物半导体晶体管6110和第一放大器6102开启，所以K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K为内部参考电压VINTREF1的分压。亦即K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K是内部参考电压VINTREF1通过K个串联电阻R21-R2K所产生，且K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K和内部参考电压VINTREF1成比例，其中比例是由K个串联电阻R21-R2K决定。另外，在本发明的另一实施例中，参考电压选择器504包含多组选择开关与多个开关控制电路，以及K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K由一参考电压候选值(非第一组选择开关S1所产生)通过K个串联电阻R21-R2K分压所产生。另外，起始电压产生电路600的其余操作原理皆和起始电压产生电路500相同，在此不再赘述。
请参照图3、图4和图7，图7是为本发明的另一实施例说明一种起始电压产生的方法的流程图。图7的方法系利用图3的起始电压产生电路300和图4的起始电压产生电路400说明，详细步骤如下：
步骤700：开始；
步骤702：参考电压产生器302产生N组参考电压候选值；
步骤704：参考电压选择器304接收N组参考电压候选值；
步骤706：N个开关控制电路SC1-SCN中的每一开关控制电路产生一开关信号，以控制一组选择开关输出相对应的一组参考电压候选值中的一参考电压候选值；
步骤708：起始电压电位调节器根据一起电信号PU，产生一内部参考电压VINTREF1。
如图3所示，在步骤702中，参考电压产生器302是根据带隙参考电压VB和电阻R1-RN的阻值，输出N组参考电压候选值。在步骤706中，N个开关控制电路SC1-SCN中的每一开关控制电路是对应于N组选择开关S1-SN中的一组选择开关，用以产生一开关信号，以控制N组选择开关S1-SN中的一组选择开关输出相对应的一组参考电压候选值中的一参考电压候选值。例如，开关控制电路SC1是对应于第一组选择开关S1，用以产生一开关信号SS1，以控制第一组选择开关S1输出第一组参考电压候选值VR11-VR14中的一参考电压候选值(例如VR11)。亦即第一组选择开关S1根据开关信号SS1，关闭开关S12-S14以及开启开关S11，所以第一组选择开关S1可输出参考电压候选值VR11。在步骤708中，如图3所示，当起电信号PU是为一低电位时，因为第二P型金属氧化物半导体晶体管3062以及N型金属氧化物半导体晶体管3070都开启，所以内部参考电压VINTREF1是根据式(1)所产生，亦即内部参考电压VINTREF1是由外部电压VEXT、第一电阻3064与第二电阻3066所决定。在步骤708中，如图4所示，当起电信号PU为低电位时，因为第二P型金属氧化物半导体晶体管4062以及第一N型金属氧化物半导体晶体管4070都开启，所以内部参考电压VINTREF1等于起始电压电位调节器406所包含的L个串联二极管形式N型金属氧化物半导体晶体管的临界电压加上一本体效应(Body Effect)总和。在步骤708中，如图3所示，当起电信号PU为一高电位时，因为第二P型金属氧化物半导体晶体管3062以及N型金属氧化物半导体晶体管3070都关闭，所以内部参考电压VINTREF1等于第一组选择开关S1输出的参考电压候选值(例如VR11)；在步骤708中，如图4所示，当起电信号PU是为一高电位时，因为第二P型金属氧化物半导体晶体管4062以及第一N型金属氧化物半导体晶体管4070都关闭，所以内部参考电压VINTREF1等于第一组选择开关S1输出的参考电压候选值(例如VR11)。另外，起电信号PU由应用起始电压产生电路300的系统中的起电单元所产生。
请参照图5、图6和图8，图8是为本发明的另一实施例说明一种起始电压产生的方法的流程图。图8的方法利用图5的起始电压产生电路500和图6的起始电压产生电路600说明，详细步骤如下：
步骤800：开始；
步骤802：参考电压产生器502产生N组参考电压候选值；
步骤804：参考电压选择器504接收第一组参考电压候选值；
步骤806：第一开关控制电路SC1产生一开关信号SS1，以控制第一组选择开关S1输出第一组参考电压候选值中的一参考电压候选值；
步骤808：起始电压电位调节器506根据一起电信号PU，产生一内部参考电压VINTREF1；
步骤810：低压差稳压单元508根据内部参考电压VINTREF1，产生一第一电压V1；
步骤812：第二参考电压产生器根据第一电压V1、内部参考电压VINTREF1或一参考电压候选值，产生K个第二参考电压。
在步骤808中，当起始电压电位调节器506和起始电压电位调节器306相同时，内部参考电压VINTREF1可根据式(1)所产生；当起始电压电位调节器506和起始电压电位调节器406相同时，内部参考电压VINTREF1可根据式(2)所产生。在步骤810中，第一电压V1可根据式(3)所产生。在步骤812中，如图5所示，当起电信号PU是为一低电位时，第二参考电压产生器510内的第三P型金属氧化物半导体晶体管5104开启，以及第四P型金属氧化物半导体晶体管5106、第三N型金属氧化物半导体晶体管5110和第一放大器5102关闭，所以K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K是为第一电压V1减去第二N型金属氧化物半导体晶体管5108的临界电压所得到的电压V2的分压。在步骤812中，如图5所示，当起电信号PU是为一高电位时，第二参考电压产生器510内的第三P型金属氧化物半导体晶体管5104关闭，以及第四P型金属氧化物半导体晶体管5106、第三N型金属氧化物半导体晶体管5110和第一放大器5102开启，所以K个第二参考电压VINTREF21-VINTREF2K是为内部参考电压VINTREF1的分压。另外，第二参考电压产生器610的操作原理和第二参考电压产生器510相同，在此不再赘述。
综上所述，本发明所提供的起始电压产生电路和起始电压产生的方法，利用起始电压电位调节器根据一起电信号，产生适当的内部参考电压的电位，以加速系统起电的过程。相较于现有技术，因为内部参考电压不会经过一段较长时间之后才会达到目标值，所以系统内的一些电路并不会起电失败。因此，本发明所提供的起始电压产生电路和起始电压产生的方法可正常应用在任何工艺、电压及温度变异(process,voltage and temperature(PVT)variation)的情况。
当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (28)

1.一种起始电压产生电路，其特征在于，包含：一参考电压产生器、一参考电压选择器、至少一起始电压电位调节器以及多个稳压电容；
该参考电压产生器，用以产生多组参考电压候选值；
该参考电压选择器，用以接收该多组参考电压候选值，该参考电压选择器包含：多组选择开关以及多个开关控制电路；
所述多组选择开关的每一组选择开关对应于该多组参考电压候选值中的一组参考电压候选值，且该组选择开关包含多个并联开关；及
所述多个开关控制电路的每一开关控制电路对应于该多组选择开关中的一组选择开关，用以产生一开关信号，以控制该组选择开关输出相对应的一组参考电压候选值中的一参考电压候选值；
其中该至少一起始电压电位调节器中的每一起始电压电位调节器与该多个稳压电容中的一相对应的稳压电容是耦接于该多组选择开关中的一组选择开关，其中该起始电压电位调节器用以根据一起电信号，产生一内部参考电压，和该稳压电容用以稳定该内部参考电压；
其中该起始电压电位调节器包含：
一第二P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收一外部电压，一第二端，用以接收该起电信号，及一第三端；
一第一电阻，具有一第一端，耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，及一第二端，耦接于该组选择开关，用以输出该内部参考电压；
一第二电阻，具有一第一端，耦接于该第一电阻的第二端，及一第二端；
一反相器，具有一第一端，耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，用以接收该起电信号，及一第二端；及
一第一N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该第二电阻的第二端，一第二端，耦接于该反相器的第二端，及一第三端，耦接于一地端。
2.根据权利要求1所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中当该起电信号是为一低电位时，该内部参考电压和该外部电压成一比例，其中该比例由该第一电阻与该第二电阻决定。
3.根据权利要求1所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中当该起电信号为一高电位时，该内部参考电压等于该组选择开关输出的参考电压候选值。
4.根据权利要求1所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中该参考电压产生器包含：
一第一P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收一外部电压，一第二端，及一第三端；
一放大器，具有一第一端，用以接收该外部电压，一第二端，耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，一第三端，耦接于一地端，一第四端，用以接收一带隙参考电压，及一第五端；及
多个串联电阻，该多个串联电阻耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端、该放大器的第五端及该地端，用以根据该带隙参考电压，输出该多组参考电压候选值。
5.一种起始电压产生电路，其特征在于，包含：一参考电压产生器、一参考电压选择器、至少一起始电压电位调节器以及多个稳压电容；
该参考电压产生器，用以产生多组参考电压候选值；
该参考电压选择器，用以接收该多组参考电压候选值，该参考电压选择器包含：多组选择开关以及多个开关控制电路；
所述多组选择开关的每一组选择开关对应于该多组参考电压候选值中的一组参考电压候选值，且该组选择开关包含多个并联开关；及
所述多个开关控制电路的每一开关控制电路对应于该多组选择开关中的一组选择开关，用以产生一开关信号，以控制该组选择开关输出相对应的一组参考电压候选值中的一参考电压候选值；
其中该至少一起始电压电位调节器中的每一起始电压电位调节器与该多个稳压电容中的一相对应的稳压电容是耦接于该多组选择开关中的一组选择开关，其中该起始电压电位调节器用以根据一起电信号，产生一内部参考电压，和该稳压电容用以稳定该内部参考电压；
其中该起始电压电位调节器包含：
一第二P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收一外部电压，一第二端，用以接收一起电信号，及一第三端；
一第一电阻，具有一第一端，耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，及一第二端，耦接于该组选择开关，用以输出该内部参考电压；
一反相器，具有一第一端，耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，用以接收该起电信号，及一第二端；
一第一N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，一第二端，耦接于该反相器的第二端，及一第三端，耦接于一地端；及
多个串联二极管形式N型金属氧化物半导体晶体管，耦接于该第一N型金属氧化物半导体晶体管的第一端及该第一电阻的第二端之间。
6.根据权利要求5所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中当该起电信号为一低电位时，该内部参考电压等于该多个串联二极管形式N型金属氧化物半导体晶体管的临界电压加上一本体效应总和。
7.根据权利要求5所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中当该起电信号是为一高电位时，该内部参考电压等于该组选择开关输出的参考电压候选值。
8.根据权利要求5所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中该参考电压产生器包含：
一第一P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收一外部电压，一第二端，及一第三端；
一放大器，具有一第一端，用以接收该外部电压，一第二端，耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，一第三端，耦接于一地端，一第四端，用以接收一带隙参考电压，及一第五端；及
多个串联电阻，该多个串联电阻耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端、该放大器的第五端及该地端，用以根据该带隙参考电压，输出该多组参考电压候选值。
9.一种起始电压产生电路，其特征在于，包含：一第一参考电压产生器、一参考电压选择器、一起始电压电位调节器、至少一稳压电容、一低压差稳压单元以及一第二参考电压产生器；
该第一参考电压产生器，用以产生多组参考电压候选值；
该参考电压选择器，包含至少一组选择开关与至少一开关控制电路，用以接收该多组参考电压候选值中的至少一组参考电压候选值，其中每一组选择开关对应于该至少一组参考电压候选值中的一组参考电压候选值以及一开关控制电路，其中该开关控制电路用以产生一开关信号，以控制该组选择开关输出相对应的一组参考电压候选值中的一参考电压候选值；
所述至少一稳压电容，其中该起始电压电位调节器与该至少一稳压电容中的一稳压电容耦接于该至少一组选择开关中的一组选择开关，其中该起始电压电位调节器用以根据一起电信号，产生一内部参考电压，和该稳压电容用以稳定该内部参考电压；
该低压差稳压单元，用以根据该内部参考电压，产生一第一电压；及
该第二参考电压产生器，用以根据该起电信号与该第一电压、该起电信号与该内部参考电压或该起电信号与一参考电压候选值，产生多个第二参考电压；
其中该起始电压电位调节器包含：
一第二P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收一外部电压，一第二端，用以接收该起电信号，及一第三端；
一第一电阻，具有一第一端，耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，及一第二端，耦接于该组选择开关，用以输出该内部参考电压；
一第二电阻，具有一第一端，耦接于该第一电阻的第二端，及一第二端；
一反相器，具有一第一端，耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，用以接收该起电信号，及一第二端；及
一第一N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该第二电阻的第二端，一第二端，耦接于该反相器的第二端，及一第三端，耦接于一地端。
10.根据权利要求9所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中该参考电压产生器包含：
一第一P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收一外部电压，一第二端，及一第三端；
一放大器，具有一第一端，用以接收该外部电压，一第二端，耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，一第三端，耦接于一地端，一第四端，用以接收一带隙参考电压，及一第五端；及
多个串联电阻，该多个串联电阻耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端、该放大器的第五端及该地端，用以根据该带隙参考电压，输出该多组参考电压候选值。
11.根据权利要求9所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中当该起电信号是为一低电位时，该内部参考电压和该外部电压成一比例，其中该比例由该第一电阻与该第二电阻决定。
12.根据权利要求9所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中当该起电信号为一高电位时，该内部参考电压等于该组选择开关输出的参考电压候选值。
13.根据权利要求9所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中该第二参考电压产生器包含：
一第一放大器，具有一第一端，用以接收一外部电压，一第二端，一第三端，一第四端，用以接收该内部参考电压或该参考电压候选值，及一第五端；
一第三P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收该外部电压，一第二端，用以接收一起电信号，及一第三端，耦接于该第一放大器的第二端；
一第四P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收该外部电压，一第二端，耦接于该第一放大器的第二端，及一第三端；
一第二N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该低压差稳压单元，一第二端，耦接于该第二N型金属氧化物半导体晶体管的第一端，及一第三端，耦接于该第四P型金属氧化物半导体晶体管的第三端；
一第三N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该第一放大器的第三端，一第二端，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及一第三端，耦接于一地端；
多个串联电阻，该多个串联电阻耦接于该第四P型金属氧化物半导体晶体管的第三端、该第一放大器的第五端及该地端，用以根据该起电信号与该第一电压、该起电信号与该内部参考电压或该起电信号与该参考电压候选值，产生该多个第二参考电压；及
多个第二稳压电容，其中每一第二稳压电容用以稳定该多个第二参考电压中的一第二参考电压。
14.根据权利要求13所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中当该起电信号为一低电位时，该多个第二参考电压为该第一电压减去该第二N型金属氧化物半导体晶体管的临界电压所得到的电压的分压。
15.根据权利要求13所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中当该起电信号为一高电位时，该多个第二参考电压为该内部参考电压的分压，或该多个第二参考电压为该参考电压候选值的分压。
16.根据权利要求9所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中该第二参考电压产生器包含：
一第一放大器，具有一第一端，用以接收一外部电压，一第二端，一第三端，一第四端，用以接收该内部参考电压或该参考电压候选值，及一第五端；
一第三P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收该外部电压，一第二端，用以接收一起电信号，及一第三端，耦接于该第一放大器的第二端；
一第四P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收该外部电压，一第二端，耦接于该第一放大器的第二端，及一第三端；
一第二N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该低压差稳压单元，一第二端，耦接于该第二N型金属氧化物半导体晶体管的第一端，及一第三端；
一第三N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该第一放大器的第三端，一第二端，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及一第三端，耦接于一地端；
一第五P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该第二N型金属氧化物半导体晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及一第三端，耦接于该第四P型金属氧化物半导体晶体管的第三端；
多个串联电阻，该多个串联电阻耦接于该第四P型金属氧化物半导体晶体管的第三端、该第一放大器的第五端及该地端，用以根据该起电信号与该第一电压、该起电信号与该内部参考电压或该起电信号与该参考电压候选值，产生该多个第二参考电压；及
多个第二稳压电容，其中每一第二稳压电容用以稳定该多个第二参考电压中的一第二参考电压。
17.根据权利要求16所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中当该起电信号是为一低电位时，该多个第二参考电压是为该第一电压减去该第二N型金属氧化物半导体晶体管的临界电压所得到的电压的分压。
18.根据权利要求16所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中当该起电信号是为一高电位时，该多个第二参考电压是为该内部参考电压的分压，或该多个第二参考电压是为该参考电压候选值的分压。
19.根据权利要求9所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中该低压差稳压单元包含：
一第六P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收一外部电压，一第二端，及一第三端，用以输出该第一电压；
一第二放大器，具有一第一端，用以接收该外部电压，一第二端，耦接于该第六P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，一第三端，耦接于一地端，一第四端，耦接于该组选择开关，用以接收该内部参考电压，及一第五端；
一第三电阻，具有一第一端，耦接于该第六P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，及一第二端，耦接于该第二放大器的第五端；及
一第四电阻，具有一第一端，耦接于该第二放大器的第五端，及一第二端，耦接于该地端。
20.根据权利要求9所述的起始电压产生电路，其特征在于，另包含：
一第一稳压电容，耦接于该低压差稳压单元与一地端，用以稳定该第一电压。
21.一种起始电压产生电路，其特征在于，包含：一第一参考电压产生器、一参考电压选择器、一起始电压电位调节器、至少一稳压电容、一低压差稳压单元以及一第二参考电压产生器；
该第一参考电压产生器，用以产生多组参考电压候选值；
该参考电压选择器，包含至少一组选择开关与至少一开关控制电路，用以接收该多组参考电压候选值中的至少一组参考电压候选值，其中每一组选择开关对应于该至少一组参考电压候选值中的一组参考电压候选值以及一开关控制电路，其中该开关控制电路用以产生一开关信号，以控制该组选择开关输出相对应的一组参考电压候选值中的一参考电压候选值；
所述至少一稳压电容，其中该起始电压电位调节器与该至少一稳压电容中的一稳压电容耦接于该至少一组选择开关中的一组选择开关，其中该起始电压电位调节器用以根据一起电信号，产生一内部参考电压，和该稳压电容用以稳定该内部参考电压；
该低压差稳压单元，用以根据该内部参考电压，产生一第一电压；及
该第二参考电压产生器，用以根据该起电信号与该第一电压、该起电信号与该内部参考电压或该起电信号与一参考电压候选值，产生多个第二参考电压；
其中该起始电压电位调节器包含：
一第二P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收一外部电压，一第二端，用以接收一起电信号，及一第三端；
一第一电阻，具有一第一端，耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，及一第二端，耦接于该组选择开关，用以输出该内部参考电压；
一反相器，具有一第一端，耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，用以接收该起电信号，及一第二端；
一第一N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，一第二端，耦接于该反相器的第二端，及一第三端，耦接于一地端；及
多个串联二极管形式N型金属氧化物半导体晶体管，耦接于该第一N型金属氧化物半导体晶体管的第一端及该第一电阻的第二端之间。
22.根据权利要求21所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中当该起电信号为一低电位时，该内部参考电压等于该多个串联二极管形式N型金属氧化物半导体晶体管的临界电压加上一本体效应总和。
23.根据权利要求21所述的起始电压产生电路，其特征在于，其中当该起电信号是为一高电位时，该内部参考电压等于该组选择开关输出的参考电压候选值。
24.一种起始电压产生的方法，其特征在于，其中一起始电压产生电路包含一参考电压产生器、一参考电压选择器、至少一起始电压电位调节器及多个稳压电容，该参考电压选择器包含多组选择开关与多个开关控制电路，该方法包含：
该参考电压产生器产生多组参考电压候选值；
该参考电压选择器接收该多组参考电压候选值；及
该多个开关控制电路中的每一开关控制电路产生一开关信号，以控制一组选择开关输出相对应的一组参考电压候选值中的一参考电压候选值；
该至少一起始电压电位调节器中的每一起始电压电位调节器根据一起电信号，产生一内部参考电压；
当该起电信号是为一低电位时，该内部参考电压等于该起始电压电位调节器所包含的多个串联二极管形式N型金属氧化物半导体晶体管的临界电压加上一本体效应总和。
25.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，其中当该起电信号是为一低电位时，该内部参考电压是和一外部电压成一比例，其中该比例由该起始电压电位调节器所包含的一第一电阻与一第二电阻决定。
26.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，其中当该起电信号是为一高电位时，该内部参考电压等于耦接于该起始电压电位调节器的一组选择开关输出的参考电压候选值。
27.一种起始电压产生的方法，其特征在于，其中一起始电压产生电路包含一第一参考电压产生器、一参考电压选择器、一起始电压电位调节器、至少一稳压电容、一低压差稳压单元及一第二参考电压产生器，该参考电压选择器包含至少一组选择开关与至少一开关控制电路，该方法包含：
该第一参考电压产生器产生多组参考电压候选值；
该至少一组选择开关中的每一组选择开关产生一开关信号，以控制一组选择开关输出相对应的一组参考电压候选值中的一参考电压候选值；
该起始电压电位调节器根据一起电信号，产生一内部参考电压；
该低压差稳压单元根据该内部参考电压，产生一第一电压；及
该第二参考电压产生器根据该起电信号与该第一电压、该起电信号与该内部参考电压或该起电信号与一参考电压候选值，产生多个第二参考电压；
其中当该起电信号为一低电位时，该多个第二参考电压为该第一电压减去该第二参考电压产生器所包含的一第二N型金属氧化物半导体晶体管的阈值电压所得到的电压的分压。
28.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，其中当该起电信号是为一高电位时，该多个第二参考电压和该内部参考电压，或该多个第二参考电压和该参考电压候选值成比例，其中该比例由该第二参考电压产生器所包含的多个串联电阻决定。
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