TWI514045B - 多層光學片組件 - Google Patents

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TWI514045B TW101146150A TW101146150A TWI514045B TW I514045 B TWI514045 B TW I514045B TW 101146150 A TW101146150 A TW 101146150A TW 101146150 A TW101146150 A TW 101146150A TW I514045 B TWI514045 B TW I514045B
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Joon Hwan Hwang
Sung Min Cho
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Description

多層光學片組件
本發明為關於多層光學片組件，即增加接合面積而提高耐久性與同時提升亮度的多層光學片組件(Multilayer Optical Sheet Module)。
液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display)是使用於筆記型電腦(notebook)、個人電腦(Personal Computer)、智能手機(Smart Phone)還有TV等的顯示裝置(Display Unit)，並跟著液晶顯示裝置之需要其特性每年也會隨之提升。
液晶顯示裝置的液晶面板(Liquid Crystal Panel)為非發光元件來組成，其結構上需要背光單元(Back light Unit)，且背光單元為多樣的光學系列而組成，還有為了提升背光單元亮度則使用週期性排列的光學軟片。
圖1為舊有開發的液晶顯示裝置結構概略性之顯示圖。
如圖1顯示，背光單元(10)包含了發光源(1)、反射板(2)、導光板(3)、擴散薄板(4)、第1光學片(5)及第2光學片(6)。
上述發光源(1)是產生透視光的元素，以如此發光源(1)其可選擇性使用發光二極管(LED-Light Emitting Diode)及冷陰極熒光燈(Cold Cathode Fluorescent Lamp：CCFL)等。
從上述發光源(1)釋放出的光是入射到導光板(3)而導光板(3)內部引起全反射並進行，因以比臨界角角度小的入射角來入射到導光板(3)的光線不會全反射而透過，故由上側與下側放射出來。
此時，上述反射板(2)往下側反射釋放出光，再入射到導光板 (3)來提高發光效率(Luminance Efficiency)。
上述擴散薄板(4)是將通過上述導光板(3)的上邊放射出來的光擴散而亮度均勻且視角變寬，並通過擴散薄板(4)的光以垂直方向亮度下降。
上述第1光學片(5)是以基底部(5a)與結構模式(Structural Patterns)(5b)組成，使從擴散薄板(4)入射的折射光，以垂直入射而釋放出第1回聚光。
並且，上述結構模式(5b)是在基底部(5a)上部分全體形成，為基底部(5a)經過入射的光使其以垂直方向折射之結構完成。
上述結構模式的截面一般形成為三角形形狀，三角形形狀的頂角通常以內外成90度形成。
而且上述第2光學片(6)是與第1光學片(5)具有同一形狀，且為了提高在第1光學片(5)第1回聚光的光之亮度，而於第2回聚光後釋放出來。此時按照情況需求，第1光學片(5)與第2光學片(6)的週期、高度及折射率可不一樣。
在此，為了進一步提高第1光學片(5)與第2光學片(6)的亮度，上述第1光學片(5)結構模式的延長方向與第2光學片(6)結構模式的延長方向彼此以直角交叉配置，上述第1光學片(5)是上述第2光學片(6)的基底部下部分以塗抹的黏結層(6a)為媒介而接合成一體。
如此這般以第2光學片(6)下部分塗抹的黏結層(6a)為媒介與第1光學片(5)上下疊層接合，上述第1光學片(5)的結構模式(5b)如圖1b，在上述黏結層(6a)頂點部(5c)的部分邊填埋接觸邊一體接合。
然而，依據上述頂點部(5c)填埋於上述黏結層(6a)而接合的面積來決定接合強度，填埋於上述黏結層(6a)內部的上述頂點部(5c)面積有所限制，據此接合強度也跟著低下的問題存在著。
上述第1光學片(5)與第2光學片(6)間的接合強度低下，而產 生上述第1光學片(5)與第2光學片(6)相互分離的剝離現象，且出現產品收益率降低的問題。
本發明的目的是為了解決舊有的多層光學片組件之問題，以一對光學片組成接合，使接合面積增加而不僅使接合品質與耐久性提升，且能提供從接合層面通過光的折射亮度減少最小化之多層光學片組件。
為解決上述課題據本發明之一角來看，朝上部突出具有第1結構模式的上部光學片，以在上述上部光學片的下部具備疊層形態，並包括帶著朝上述上部光學片側突出的第2結構模式的下部光學片及上述上部光學片與上述下部光學片間具備的黏結層，且上述第2結構模式是以上部越來越小的橫截面積光傳達部位及在上述光傳達部位的上部連續性連接，在上述黏結層具有已填埋的最少部分填埋部位，上述填埋部位是具有與上述黏結層接合的截面周圍長度的上述光傳達部位連續性坡度(傾斜度)，比起以上部延長形成的虛擬截面軌跡周長更大而形成。
同時，上述第2結構模式是在最下部到最上部間至少具有一個以上截面軌跡不連續點的導函數形成為特徵。再者，上述不連續點是可位於上述填埋部位及上述光傳達部位的截面軌跡的界限點為其特徵。
而且，上述光傳達部位是截面軌跡可以直線形成為特徵。再者，上述填埋部位是與上述黏結層接合的截面軌跡以直線形成為其特徵。
上述填埋部位可包含在上述光傳達部位連接以上部延長的一對延長面積及一對上述延長面間的連接面。還有，上述填埋部位是可具備上述黏結層與擁有至少3個以上的接觸面的多邊截面形。
再則，上述連接面是以可具備上述下部光學片的下邊與平行的水平面為其特徵。又上述連接面具備至少一個凹溝為其特徵。 再又上述連接面具有粗糙的表面處理為其特徵。
同時，上述連接面是從上述下部光學片的下邊與並排的下部水平面垂直延長，且上述下部水平面是可從上述光傳達部位的端部水準延長為其特徵。
而且，上述填埋部位是具備從上述光傳達部位朝上部向上傾斜延長的一對延長面，與上述延長面的上邊端部彼此相觸為其特徵。還有，上述填埋部位的最上部是可在上述上部光學片的下部接合為其特徵。
再又上述第2結構模式具有同一截面形態且跟著橫向延長而形成為其特徵。並且，上述上部光學片及上述下部光學片是上述第1結構模式的延長方向及上述第2結構模式的延長方向可交叉配置為其特徵。
再者，與上述下部光學片或者上述上部光學片以疊層形態配置，跟著自下部傳達光的波長，也可追加選擇光透射反射式偏振片(Reflective Polarizer)。而且，上述黏結層是可在上述上部光學片的下邊或者在此相向的上述下部光學片上邊以點狀為其特徵。
還有上述黏結層是上述下部光學片的上述第2結構模式表面或上述第2結構模式相向的上述上部光學片下邊能以線型形成為其特徵。
並且上述黏結層是在上述下部光學片的上述第2結構模式表面或者與上述第2結構模式相向的上述上部光學片的下邊具有數個開放層面(Open Area)而形成網狀為其特徵。
為了解決上述的課題跟著本發明從另一角度來看，具有朝上部突出的第1結構模式上部光學片，且在上述上部光學片的下部，還包含在以上述上部光學片側突出的第2結構模式的下部光學片及上述上部光學片與上述下部光學片間形成的黏結層，且上述第2結構模式以上部橫截面積越變越小，從最下部到最上部間坡度具有不連續性增加之一個以上不連續點。
再則，上述第2結構模式的折射率(Refractive Index)會比上述黏結層的曲折率大為其特徵。
而且從上述第2結構模式是在下部不被填埋的上述黏結層，且持有一定程度坡度的光傳達部位及以上述光傳達部位朝上部延長，在上述黏結層填埋的最少部分填埋部位為其特徵。
還有上述填埋部位至少由2個以上組成，可具有朝上部延長的延長面為其特徵。同時，上述填埋部位由一對而具有朝上部延長的延長面組成，根據上述延長面截面可以三角形形態形成為其特徵。又上述填埋部位是可與上述黏結層的厚度相同或者以較矮的高度而形成為其特徵。
為了解決上述的課題，跟著本發明以其他角度來看，具有朝上部突出的第1結構模式的上部光學片，並在上述上部光學片的下部，還包含朝上述上部光學片突出的第2結構模式的下部光學片及上述上部光學片與上述下部光學片間形成的黏結層，具有直線形態的截面光傳達部位及具有從上述光傳達部位向上傾斜連接的直線形態填埋部位。
而且上述填埋部位是在上述光傳達部位朝上部向上傾斜延長的一對延長面的上邊端部彼此相觸為其特徵。還有上述填埋部位的截面是可以三角形形態形成為其特徵。
並且上述下部光學片或者與上述上部光學片以疊層形態來配置，跟著從下部傳達光的波長，也可追加選擇光透射反射式偏振片(Reflective Polarizer)為其特徵。
為了解決上述的課題，跟著本發明以另一角度來看，具有朝上部突出的第1結構模式的上部光學片，在上述上部光學片的下部具備疊層形態；包含具備朝上述上部光學片側突出帶著數個模式的第2結構模式的下部光學片及上述上部光學片與上述下部光學片間具備的黏結層，並在上述第2結構模式的數個模式中部分以上部橫截面積越變越小，從最下部到最上部間坡度具有不連續 性增加之一個以上不連續點形成。
而且可從上述第2結構模式的數個模式中部分比起相鄰的模式，從最下部到最上部間距離更長為其特徵。還有上述第2結構模式相互可以其他形狀的模式反覆性配置之特徵。
又上述第2結構模式是部分模式以上部橫截面積越變越小的光傳達部位及在上述光傳達部位的上部連續性連接，在上述黏結層具有填埋最少部分的填埋部位為其特徵。
並且上述填埋部位是與上述黏結層接合的端面突出長度帶著上述光傳達部位連續性坡度，其所形成上部延長形狀比起虛擬截面軌跡突出更大為其特徵。再者上述第2結構模式的折射率比上述黏結層的折射率大為其特徵。
為了解決上述的課題，跟著本發明以另一角度來看與下面效果同。首先，本發明是上部光學片與下部光學片間具備的黏結層以內部填埋的結構模式最優化，使與黏結層的黏結面積增加，上述填埋部位與上述黏結層的黏結面積最大，使黏結品質向上提升，且結果能有使光學片組件耐久性提升之效果。
特別是在本發明的下部光學片具備結構模式做成光傳達部位與填埋部位相互坡度以不連續性形態連接，邊黏結層維持一定厚度邊與黏結層接合，且接合面積能成為極大化。
第二，因上述填埋部位為比上述光傳達部位傾斜還更大的傾斜角，且向上傾斜以三角形形態而形成，在上述黏結層內部，已填埋最少部分於上述填埋部位內部也將入射的光能夠折射到上部而聚集光，所以可增加光學片的亮度之效果。
1‧‧‧發光源
2‧‧‧反射板
3‧‧‧導光板
4‧‧‧擴散薄板
5‧‧‧第1光學片
5a‧‧‧基底部
5b‧‧‧結構模式
5c‧‧‧頂點部
6‧‧‧第2光學片
6a‧‧‧黏結層
10‧‧‧背光單元
100‧‧‧光源
200‧‧‧導光板
300‧‧‧擴散薄板
400‧‧‧光學片組件
410‧‧‧上部光學片
412‧‧‧第1結構模式
420‧‧‧下部光學片
422‧‧‧第2結構模式
422a‧‧‧光傳達部位
422b‧‧‧填埋部位
430‧‧‧黏結層
500‧‧‧反射式偏振片
H‧‧‧凹陷深度
L‧‧‧高度
L1‧‧‧光
L2‧‧‧光
S1‧‧‧延長面
S2‧‧‧連接面
S3‧‧‧凹溝
S4‧‧‧下部水平面
P‧‧‧螺距
P1‧‧‧不連續點
P2‧‧‧不連續點
T‧‧‧虛擬截面軌跡
W‧‧‧寬度
d‧‧‧厚度
1‧‧‧發光源
x‧‧‧長度
y‧‧‧長度
l ‧‧‧長度
θ‧‧‧角度
θ1 ‧‧‧角度
θ2 ‧‧‧角度
θ3 ‧‧‧角度
α‧‧‧角度
β‧‧‧角度
n1‧‧‧折射率
n2‧‧‧折射率
n3‧‧‧折射率
圖1是以概略性顯示舊有開發的液晶顯示裝置的組成之圖；圖2是按照本發明實例顯示多層光學片組件以概略性組成之斜視圖；圖3是在圖2中的光學片組件，顯示第2結構模式的形狀之 圖；圖4是圖2中的上部光學片與下部光學片接合的狀態之截面顯示圖；圖5是圖2中的第2結構模式截面軌跡及截面軌跡的導函數之顯示圖；圖6是在圖2中的第2結構模式，顯示填埋於黏結層內部的填埋部位而比較之圖；圖7是在圖6黏結層內部，跟著第2結構模式與黏結層接合的周圍長度的差異之顯示圖；圖8是在圖2中的第2結構模式，未填埋黏結層內部的光傳達部位來做比較之顯示圖；圖9是跟著圖8中的光傳達部位橫向長度的差異之顯示圖；圖10是圖2中的實例，顯示通過光學片的光折射之圖；圖11是在圖2中的實例，比起填埋部位的高度而以黏結層厚度較厚的狀態來接合的狀態之顯示圖；圖12是跟著圖2中的黏結層厚度，在第2結構模式顯示截面軌跡的導函數不連續點位置之圖；圖13是在圖2中的第2結構模式，顯示截面軌跡直線形態的實例之圖；圖14是在圖2中的第2結構模式，顯示光傳達部位的截面軌跡非直線形態的實例之圖；圖15是在圖2中的第2結構模式，截面軌跡導函數未具有不連續點形態的實例之顯示圖；圖16是在圖2中的光學片組件，對第2結構模式形成不均勻形態的模式組成之顯示圖；圖17是在圖2中的第2結構模式，包含填埋部位延長面及延長面組成形態的實例之顯示圖；圖18是在圖17中的填埋部位，顯示連接面及連接面的已變 形形態之圖；圖19是跟著圖17中的連接面寬度變化，亮度與黏結力間相關關係所示之圖表；圖20是跟著圖17中的連接面高度變化，亮度與黏結力間相關關係所示之圖表；圖21是跟著圖17中的黏結層厚度變化，亮度與黏結力間相關關係所示之圖表；圖22是在圖2中的光學片組件，顯示追加反射式偏振片狀態之分解斜視圖；圖23是依據圖19中的反射式偏振片，透光或者反射的狀態之顯示圖。
根據上述建構的本發明，其實例通過附加的圖來說明多層光學片組件為較理想；然而這並不是將本發明限定為特徵形態，則是通過對本實例更明確瞭解而有所幫助。並且說明本實例中，對於相同組成使用同一名稱及同一符號，對此附加說明省略之。
首先參考圖2及圖3，並按照本發明實例對多層光學片組件概略性組成觀察如下。
圖2是按照本發明實例顯示多層光學片組件概略性組成之斜視圖，圖3是在圖2中的光學片組件，顯示第2結構模式的形狀之圖。
按照本發明的多層光學片組件可適用於為光的管道變化之多樣領域，從本實例中適用於液晶顯示裝置的形態由一例子來做說明。
如圖所示般，組成液晶顯示裝置時務必具備在液晶面板提供光的背光單元(Back light Unit)。上述背光單元一般是由光源(100)、導光板(200)、擴散薄板(300)及多層光學片組件(400)所組成。
上述光源(100)是由一般發光光源的發光體所組成，且在上述 導光板(200)側邊放射光，朝上述導光板(200)方向傳達光源。還有上述導光板(200)是將從上述光源(100)發射的光以反射及散亂方式來傳達於上述擴散薄板(300)方向；上述擴散薄板(300)配置於上述導光板(200)的上部，且從上述導光板(200)傳送過來的光擴散且傳開而傳達到上部。
同時上述多層光學片組件(400)是在上述擴散薄板(300)的上部配置，聚集傳送過來的光移送到上部。一般上述多層光學片組件(400)是由上部光學片(410)及下部光學片(420)的一對而組成。依據如此組成的上述上部光學片(410)及下部光學片(420)形成的結構模式，對於上述多層光學片組件(400)的面以直交的方向聚集光而折射。
對於上述多層光學片組件(400)比起詳細觀察，上述多層光學片組件(400)是以上述上部光學片(410)、上述下部光學片(420)及黏結層(430)組成。上述上部光學片(410)是在上面朝上部方向突出，以上部橫截面積越來越小而形成的第1結構模式(412)形成。
上述上部光學片(410)是依據上述第1結構模式(412)在下部傳達的光折射及使聚集的光往上部放射出。一般來說，上述第1結構模式(412)是三角形形態的稜鏡跟著一方向延長形成，可由數個排列形態形成。
上述黏結層(430)是在上述上部光學片(410)的下部具備，使上述下部光學片(420)與上述上部光學片(410)能接合；此時上述黏結層(430)是為了能夠透射從上述擴散薄板(300)傳送過來的光，光的透射度以高質量原材料來完成較理想。
在此，上述黏結層(430)的厚度可擁有約為0.1μm~50μm左右，可包含丙烯酸系、聚酯系、聚碳酸酯系高分子元素等一種以上之高分子元素形成。
上述下部光學片(420)是在上述上部光學片(410)的下部配置，且在上面具有第2結構模式(422)形成。
上述第2結構模式(422)是以上部橫截面積越來越小的光傳達部位(422a)及與上述光傳達部位(422a)連續性連接，且在上述黏結層(430)包含最少部分填埋填埋部位(422b)而組成。
上述光傳達部位(422a)未填埋於上述黏結層(430)，而是露出於空氣中將從上述擴散薄板(300)傳達過來的光折射後傳達到上部方向。
上述填埋部位(422b)是在上述光傳達部位(422a)的上部連接，與上述黏結層(430)接合的截面軌跡的周長具有上述光傳達部位(422a)連續性坡度，比起延長形成的虛擬截面軌跡(T)的周長更長而形成。
上述填埋部位(422b)可以多樣形態形成，本實例中上述填埋部位(422b)是從上述光傳達部位(422a)朝上部向上傾斜延長的一對延長面(S1)而具備，上述延長面(S1)的上側端部互相相觸而形成。
如圖3所示般，以上述填埋部位(422b)與上述光傳達部位(422a)組成的上述第2結構模式(422)是朝上部方向突出，且往上部橫截面積越來越小，上部傾斜比起下部傾斜向上傾斜而形成。
在此，上述光傳達部位(422a)的截面軌跡可由直線來形成，上述填埋部位(422b)是與上述黏結層(430)接合的截面軌跡可由直線形成。並且上述填埋部位(422b)是可帶著一對上述延長面(S1)的三角形形態；但圖示的上述填埋部位(422b)的形態是不被限制的，按照本發明的實例組成易理解而選擇之。
同此，組成的上述上部光學片(410)及上述下部光學片(420)是具有各自上述第1結構模式(412)及上述第2結構模式(422)同一的橫截面積按照橫向延長而形成，且上述第1結構模式(412)的延長方向及上述第2結構模式(422)的延長方向相互交叉接合。
此時，上述第1結構模式(412)的延長方向及上述第2結構模式(422)的延長方向是可適用於多樣交叉角度，在本實例以90度來接合。其次參考圖4，上述上部光學片(410)及上述下部光學片(420) 依據對上述黏結層(430)接合狀態觀察如下。
圖4是圖2中的上部光學片(410)與下部光學片(420)接合的狀態之截面顯示圖。
如圖所示般，上述下部光學片(420)是在上述上部光學片(410)的下部依據上述黏結層(430)接合，上述填埋部位(422b)是以上述黏結層(430)內部填埋。同時，上述填埋部位(422b)的最上部點可在上述上部光學片(410)的下面接合而形成。
上述填埋部位(422b)的上部點若是在上述上部光學片(410)的下邊接合的話，因為從上述填埋部位(422b)放射的光通過上述黏結層(430)的距離變短，所以可依據上述黏結層(430)亮度減弱現象之最小化。
對於在上述填埋部位(422b)光折射的狀態，在參考圖10後於後面再稍做敘述。一方面如圖所示般，上述填埋部位(422b)以上述黏結層(430)內部填埋，具有與上述黏結層(430)接合的截面周長長度的上述光傳達部位(422a)連續性坡度延長，比建構虛擬截面軌跡(T)的周長更長。
於是上述填埋部位(422b)的周長比起上述光傳達部位(422a)的虛擬截面軌跡(T)的周長變更長，與上述黏結層(430)接合的面積變更大，按照此上述上部光學片(410)與上述下部光學片(420)的接合品質提升。
另一方面，上述黏結層(430)是上述第2結構模式(422)與對應的上述上部光學片(410)下邊全體可由一定厚度形成，但這未被限制可由部分而具備。即，上述黏結層(430)是上述第2結構模式(422)與多樣的上述上部光學片(410)下邊或者在此相向的上述下部光學片(420)上邊由點狀分散塗抹，且由點狀的上述黏結層(430)為媒介，上述下部光學片(420)與上述上部光學片(410)彼此可部分接合。
而且上述黏結層(430)是上述第2結構模式(422)與多樣的上述 上部光學片(410)的下邊或者在此相向的上述下部光學片(420)上邊由線形形成，且由線形黏結層(430)為媒介，上述下部光學片(420)與上述上部光學片(410)彼此可部分接合。
再者上述黏結層(430)具有上述第2結構模式(422)與多樣的上述上部光學片(410)的下邊或者在此相向的上述下部光學片(420)上邊數個的開放領域(Open Area)以網狀而形成，且以網狀形黏結層(430)為媒介，上述下部光學片(420)與上述上部光學片(410)彼此可部分接合。即，同此若是上述黏結層(430)可以多樣的形態，且特別的形態是不被限制。其次參考圖5，對於上述第2結構模式(422)的截面軌跡觀察如同下述。
圖5是圖2中的上述第2結構模式(422)的截面軌跡及截面軌跡的導函數之顯示圖。上述第2結構模式(422)可由多樣的形態形成，在最下部到最上部間截面軌跡的導函數至少也帶著一個以上的不連續點(P1,P2)而形成。
如圖所示般，上述第2結構模式(422)是朝上部方向突出，以上部橫截面積越來越縮小而形成。在此，上述第2結構模式(422)是帶著往上部方向突出所定角度傾斜的坡度，以上部橫截面積越來越小而形成，且上部的傾斜比下部的傾斜向上傾斜而形成。此時，上述第2結構模式(422)的上部及下部傾斜是在不連續點(P1，P2)而變化。上述不連續點(P1,P2)是按照上述第2結構模式(422)的截面軌跡的導函數不連續性點。
在圖5所示，觀察上述第2結構模式(422)的截面軌跡導函數，圖表隨著x軸均勻地不連接，在P1點與P2點可得知發生不連續。同此，上述第2結構模式(422)的截面軌跡導函數以不連續性而形成，上部與下部的坡度及形狀是不同形狀，以上述黏結層(430)內部填埋的上述填埋部位(422b)與上述光傳達部位(422a)的形狀不同。
其次參考圖6及圖7，按照往上述黏結層(430)內部填埋的上 述填埋部位(422b)的形狀，觀察接合點的周長差異如下。
圖6是從圖2中的上述第2結構模式(422)比較以上述黏結層(430)內部填埋的上述填埋部位(422b)之顯示圖，且圖7是在圖6的上述黏結層(430)內部，按照上述第2結構模式(422)與上述黏結層(430)接合的周長長度差異之顯示圖。
圖6(a)是按照本發明的一實例，上述第2結構模式(422)是依上述黏結層(430)接合的狀態之顯示圖，上述第2結構模式(422)的截面軌跡傾斜比上述光傳達部位(422a)的截面軌跡傾斜向上傾斜，並以上述填埋部位(422b)組成的上述填埋部位(422b)往上述黏結層(430)內部填埋。並且圖6(b)中的上述填埋部位(422b)是邊帶著與上述光傳達部位(422a)連續性坡度，邊延長帶著形成虛擬截面軌跡(T)而組成，且上述填埋部位(422b)與上述光傳達部位(422a)的截面軌跡具有均勻坡度而形成，上述填埋部位(422b)由上述黏結層(430)內部填埋。
圖6(a)與(b)比較來看如圖所示，帶著同一厚度d由上述黏結層(430)內部填埋到上述填埋部位(422b)，但上述黏結層(430)與上述填埋部位(422b)接合的截面周長可得知圖6(a)較長。較之與上述黏結層(430)接合的截面周長更長的那種程度增加接合面積，則接合品質提升之意。
更詳細地參考圖7，圖6(a)與圖6(b)其各自上述填埋部位(422b)帶著相同d的厚度，對於與上述黏結層(430)接合的截面周長通過數學公式以具體性觀察如下。
首先，在圖6(a)形態上述填埋部位(422b)與上述黏結層(430)接合點的截面軌跡長度顯示出2x，上述光傳達部位(422a)的傾斜角是θ，上述填埋部位(422b)比上述光傳達部位(422a)向上傾斜α左右而形成，故上述填埋部位(422b)的傾斜角是θ+α。因此上述填埋部位(422b)與上述黏結層(430)接合點長度通過如下數學公式可求解。
如數學公式1顯示般，上述填埋部位(422b)以圖6(a)形態形成之情形，可得知：
依此來看，在圖6(b)形態上述填埋部位(422b)與上述黏結層(430)接合點的截面軌跡長度顯示為2y，上述光傳達部位(422a)及上述填埋部位(422b)的坡度為θ。在此，上述填埋部位(422b)的截面軌跡帶著上述光傳達部位(422a)往上部延長形成的虛擬截面軌跡(T)。所以上述填埋部位(422b)與上述黏結層(430)接合點長度如數學公式2。
如數學公式2顯示般，上述填埋部位(422b)是以上述光傳達部位(422a)的虛擬截面軌跡(T)形成之情形可得知：
根據以上之結果，帶著實際截面軌跡的上述填埋部位(422b)與上述黏結層(430)接合點的長度2x與帶著虛擬截面軌跡(T)，上述填埋部位(422b)與上述黏結層(430)接合點的長度2y做比較如數學公式3。
由此，因為上述填埋部位(422b)的截面軌跡具有的傾斜度為90°以下則cos θ>cos(θ+α)，按照此得知x>y。通過此結果，若 上述填埋部位(422b)與圖6(a)相同的截面軌跡傾斜比上述光傳達部位(422a)截面軌跡傾斜向上傾斜形成的話，得知上述填埋部位(422b)與上述黏結層(430)接合點的周長更長。
同此參考圖6及圖7，按照上述填埋部位(422b)形狀與上述黏結層(430)接合的面積增加，所以上述上部光學片(410)與上述下部光學片(420)接合更之有效果而得知。
在此，實際上上述第1結構模式(412)與上述第2結構模式(422)的截面軌跡非直線形態的曲線形態形成。還有因為上述第1結構模式(412)與上述第2結構模式(422)的下部方向端部、上部方向端部及截面軌跡的導函數不連續點形狀Rounding或者可不完全形成，所以準確其上述第1結構模式(412)及上述第2結構模式(422)的截面軌跡的傾斜角度精確地測定不易。
同此，上述的數個點是上述上部光學片(410)與上述下部光學片(420)接合時形狀會發生變化，所以上述第1結構模式(412)及上述第2結構模式(422)的截面軌跡會變化。
於是上述第1結構模式(412)及上述第2結構模式(422)的截面軌跡傾斜角度精確地測定不易，決定平均傾斜角計算出上述第1結構模式(412)及上述第2結構模式(422)的截面軌跡傾斜角度。
上述第1結構模式(412)及上述第2結構模式(422)的平均傾斜角是在上述第1結構模式(412)及上述第2結構模式(422)的截面軌跡上，利用詳細的點以外的層面之傾斜面，測定使光聚集的平均傾斜角。同此，利用測定的平均傾斜角，調整上述第1結構模式(412)及上述第2結構模式(422)的平均傾斜角。
特別是在於上述第2結構模式(422)，上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)的截面軌跡傾斜角度彼此不同。所以除了上述光傳達部位(422a)的下部方向端部與上述填埋部位(422b)連接的上部方向端部以外的其餘層面測定截面軌跡的平均傾斜角度，且決定上述光傳達部位(422a)的傾斜角度。還有上述填埋部位 (422b)也同樣，測定於上述上部光學片(410)的下面接合的上部方向端部與上述光傳達部位(422a)傳達的下部方向端部除外的截面軌跡的平均傾斜角度，而可決定上述填埋部位(422b)的傾斜角度。
舉例來說，將光傳達部位(422a)3等分後，利用中央部分可計算出平均傾斜角。即，中央部分再以微小長度單位細分化後，計算出已細分化的各微小長度層面的坡度後平均，則可算出平均傾斜角；計算出中央部分的平均傾斜角而可決定以光傳達部位(422a)傾斜面的傾斜角度。此情形，中央部分以多數微小單位未細分化，並由1個層面來看，計算出其層面的坡度可決定平均傾斜角。
經過同此方法，在上述第1結構模式(412)及上述第2結構模式(422)的截面軌跡非直線形態，並測定平均傾斜角，且可調整截面軌跡傾斜角度。其次參考圖8及圖9，上述填埋部位(422b)具有相同橫截面積時，按照從上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)界限點試比較橫向寬度如下。
圖8是在圖2中的第2結構模式(422)，顯示未填埋於黏結層(430)內部的光傳達部位(422a)而比較之圖，且圖9是按照圖8中的光傳達部位(422a)橫向長度差異之顯示圖。
如圖8所示般，上述填埋部位(422b)是填埋於上述黏結層(430)內部，圖8(a)是按照本發明的一實例，第2結構模式(422)是依據上述黏結層(430)接合狀態之顯示圖，上述第2結構模式(422)是光傳達部位(422a)及上述填埋部位(422b)其截面軌跡的傾斜比光傳達部位(422a)的截面軌跡的傾斜向上傾斜而組成，上述填埋部位(422b)填埋於上述黏結層(430)的內部。
而且圖8(b)的上述填埋部位(422b)是具有上述光傳達部位(422a)的連續性坡度，帶著往上部延長形成的虛擬截面軌跡(T)而組成，上述填埋部位(422b)與光傳達部位(422a)的截面軌跡具有均一的坡度而形成，且上述填埋部位(422b)往上述黏結層(430)內部填埋。
由此，圖8(a)與圖8(b)的上述填埋部位(422b)是與上述黏結層(430)接合的截面軌跡相同，且在上述黏結層(430)內部填埋。不過在上述圖8(a)，觀察上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)的界限點，相對於按照橫向的界限點之寬度，在圖8(b)得知上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)的界限點寬度比較窄。
若在上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)的界限按照橫向寬度較窄的話，比從上述擴散薄板(300)傳達聚集的光來的多，可由上部再傳達的面積將變寬。同此，若可聚集的光之面積變寬的話，如此程度的光均勻度與亮度增加，多層光學片組件的效果則增加。
較之詳細地參考圖9，圖8(a)與圖8(b)各自填埋部位(422b)具有同一接合面積，在上述黏結層(430)從填埋的狀態對於上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)的界限點橫向寬度，通過數學公式以具體性觀察如下。
如數學公式4所示般，上述填埋部位(422b)以圖8(a)形態形成之情形，可得知x=lcos(θ+β)。由此在圖8(b)形態，上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)的界限點橫向寬度顯示為2y，上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)的坡度是θ。
在此，上述填埋部位(422b)的截面軌跡是帶著由上述光傳達部位(422a)上部延長形成的虛擬截面軌跡(T)。同此條件，在上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)的界限點橫向寬度如數學公式5。
如數學公式5所示般，上述填埋部位(422b)是具有上述光傳達部位(422a)的虛擬截面軌跡(T)之形態而形成的情形得知y=lcos θ。
於是利用數學公式4及數學公式5，具有實際截面軌跡的上述填埋部位(422b)與上述光傳達部位(422a)的界限點橫向寬度的長度2x跟具有的虛擬截面軌跡(T)的上述填埋部位(422b)與上述光傳達部位(422a)的界限點橫向寬度的長度2y做比較，如數學公式6。
數學公式6y -x =l (cosθ -cos(θ +β ))>0,y >x
由此，因具有上述填埋部位(422b)的截面軌跡之傾斜在90°以下，故依據cos θ>cos(θ+β)而得知y>x。經過同此結果，上述填埋部位(422b)在上述黏結層(430)接合的面積相同時，如圖8若上述填埋部位(422b)截面軌跡的傾斜比上述光傳達部位(422a)截面軌跡向上傾斜形成，按照在上述填埋部位(422b)與上述光傳達部位(422a)的界限點得知橫向寬度更小。
其次參考圖10，上述填埋部位(422b)對於上述黏結層(430)內部填埋從上述擴散薄板(300)傳達聚集的光之狀態觀察如下。
圖10是圖2中之實例，顯示通過上述下部光學片(420)的光折射之圖；如圖所示般，從上述擴散薄板(300)傳達入射的光，經過上述光傳達部位(422a)後以上部傳達時，在上述光傳達部位(422a)的截面軌跡發生折射。由此，從上述光傳達部位(422a)截面軌跡折射的光(L1)是在法線以中心θ1 的角度上述光傳達部位(422a)截面軌跡入射，以角度θ2 來折射。
此時，從上述光傳達部位(422a)截面軌跡折射的光(L1)是以空氣方向折射，因空氣的折射率(n2)比上述光傳達部位(422a)折射率(n1)小，故折射角度θ1 較角度θ2 更大。依此原理得知數學公式7。
由數學公式7，上述光傳達部位(422a)折射率(n1)與空氣折射率(n2)，根據數學公式7得知θ1 <θ2 。一方面，在上述黏結層(430)填埋的上述填埋部位(422b)使從上述擴散薄板(300)入射的光折射可由上部來傳達。
由此，上述黏結層(430)是可使光透射，上述填埋部位(422b)質地形成的折射率(n1)比上述黏結層(430)的折射率(n3)大。如圖所示，往上述填埋部位(422b)截面軌跡入射的折射光若是往上述填埋部位(422b)截面軌跡法線中心角度θ3 ，在上述填埋部位(422b)截面軌跡入射，則以角度θ4 折射。
由此，因上述填埋部位(422b)的折射率(n1)比上述黏結層(430)的折射率(n3)大，故根據數學公式7得知θ3 <θ4 。同此，可在上述填埋部位(422b)入射的光朝上部方向折射傳達而組成，依據上述上部光學片(410)與上述下部光學片(420)的接合，縮小光的均一度與亮度減少。
另一方面，根據上述光傳達部位(422a)傾斜角度對應上述填埋部位(422b)向上傾斜角度，在上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)折射的光進行方向類似可調整。
其次參考圖11，上述填埋部位(422b)在上述黏結層(430)填埋時，對於上述上部光學片(410)下面未接合的狀態觀察如下。
圖11是圖2中之實例，比起上述填埋部位(422b)的高度，黏結層(430)的厚度以厚的狀態接合之顯示圖。
在上述填埋部位(422b)的高度比上述黏結層(430)的厚度小之狀態，上述上部光學片(410)與上述下部光學片(420)接合時，上述填埋部位(422b)的最上部點在上述上部光學片(410)不可接合。
如圖所示，即使上述填埋部位(422b)的最上部點在上述上部光學片(410)下面未接合也可，若在上述第2結構模式(422)的最下部到最上部間截面軌跡的導函數不連續點是在上述光傳達部位(422a) 與上述填埋部位(422b)的界限點位置的話，如上述，可在上述填埋部位(422b)截面軌跡折射的光與從上述光傳達部位(422a)截面軌跡的光進行方向類似。
當然，雖然上述黏結層(430)的厚度厚而亮度會減少，但是上述填埋部位(422b)截面軌跡的傾斜比上述光傳達部位(422a)的截面軌跡傾斜向上傾斜而形成，即使根據數學公式7上述填埋部(422b)的最上部點是可在上述上部光學片(410)下面未接合也出現類似效果。
其次參考圖12，對於在上述第2結構模式(422)截面軌跡的導函數不連續點位置說明如下。
圖12是跟著圖2中的黏結層(430)厚度在第2結構模式(422)的截面軌跡導函數不連續點的位置之顯示圖。如圖所示般，跟著上述黏結層(430)的厚度，以上述黏結層(430)內部填埋的上述填埋部位(422b)與上述光傳達部位(422a)大小變不一樣。
如圖12(a)般，不僅將上述填埋部位(422b)往上述黏結層(430)內部填埋，而且上述光傳達部位(422a)部分也被填埋。同此，若上述光傳達部位(422a)的部分往上述黏結層(430)內部填埋的話，上述不連續點(P1,P2)也一起被填埋。
並且如圖12(b)，將上述填埋部位(422b)的部分與未將上述光傳達部位(422a)往上述黏結層(430)內部填埋，同此，上述黏結層(430)內部上述填埋部位(422b)部分填埋之情形，以上述不連續點(P1,P2)外部位置狀態可與上述上部光學片(410)接合。
同此，不僅上述不連續點(P1,P2)位於上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)的界限點，而且可位於上述黏結層(430)的外部或者內部。
參考圖11及圖12而說明，跟著上述第2結構模式(422)的高度及上述黏結層(430)的厚度，由多樣的形態可與上述黏結層(430)接合。
然後參考圖13或圖15，對於上述第2結構模式(422)多樣形態的實例觀察如下。
圖13是在圖2中的第2結構模式(422)，上述光傳達部位(422a)截面軌跡是直線形態的實例之顯示圖；且圖14是在圖2中的第2結構模式(422)，上述光傳達部位(422a)截面軌跡不是直線形態的實例之顯示圖；圖15是圖2中的第2結構模式(422)截面軌跡的導函數未帶著不連續點(P1,P2)的形態實例之顯示圖。
首先觀察圖13，得知上述光傳達部位(422a)截面軌跡是以直線形態而形成；上述光傳達部位(422a)以直線形態形成，從上述擴散薄板(300)傳達聚集的光及使折射往上部傳達。
圖13(a)是在上述第2結構模式(422)，上述填埋部位(422b)截面軌跡由四角形態形成，且得知上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)界限點的截面軌跡之導函數是不連續的。
由圖13(a)，上述填埋部位(422b)是包括在上述光傳達部位(422a)往上部延長的一對延長面(S1)及連接一對上述延長面間的連接面(S2)而組成。同此，組成的上述填埋部位(422b)得知比起上述光傳達部位(422a)虛擬截面軌跡周長，上述填埋部位(422b)更長。上述第2結構模式(422)對於帶著如圖13(a)般的形狀組成的參考圖18具體後述之。
並且圖13(b)是在上述第2結構模式(422)，上述填埋部位(422b)截面軌跡以球狀形成，且在上述光傳達部位(422a)的上部配置。再則如圖13般，得知在上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)的界限點截面軌跡的導函數不連續。上述填埋部位(422b)截面軌跡以球狀形成，與上述填埋部位(422b)接合的面積增加。
由此，圖14上述光傳達部位(422a)截面軌跡不是直線形態而是由曲線形態形成。實際上，製造上述光傳達部位(422a)時，截面軌跡多以直線形態製造，但上述上部光學片(410)與上述下部光學片(420)接合時，依據壓力變彎的情形發生，可由曲線形態形成。
如圖14所示之一例，圖14(a)中上述填埋部位(422b)截面軌跡由曲線形態形成，得知上述填埋部位(422b)截面軌跡周長具有上述光傳達部位(422a)延續性的坡度比往上部延長形成虛擬截面軌跡(T)更大。再者試觀察圖表所示，在上述填埋部位(422b)部分與上述光傳達部位(422a)的界限點截面軌跡的導函數是位於不連續的不連續點(P1,P2)。
而且圖14(b)及圖14(c)的上述光傳達部位(422a)截面軌跡是由曲線形態形成，但上述填埋部位(422b)截面軌跡是以直線形成的三角形形態形成。由此如圖14(a)般，在上述填埋部位(422b)部分與上述光傳達部位(422a)的界限點得知位於不連續點(P1,P2)。
同此，上述第2結構模式(422)的上述光傳達部位(422a)截面軌跡可以不是直線形態形成。接下來試觀察圖15，上述填埋部位(422b)部分及上述光傳達部位(422a)的截面軌跡皆形成曲線。
上述填埋部位(422b)的截面軌跡周長也帶著上述光傳達部位(422a)連續性坡度，得知比往上部延長形成的虛擬截面軌跡(T)的周長更大。觀察圖表所示，在上述光傳達部位(422a)與上述填埋部位(422b)界限點，截面軌跡的導函數得知為連續的。
同此，從上述第2結構模式(422)的最下部到最上部間截面軌跡的導函數也未帶著不連續性的上述不連續點(P1,P2)，上述填埋部位(422b)截面軌跡周長會比上述光傳達部位(422a)的虛擬截面軌跡(T)周長更大而形成。
即，在上述填埋部位(422b)部分與上述光傳達部位(422a)的界限點之截面軌跡未被弄彎，且即使變成彎曲則上述填埋部位(422b)截面軌跡周長增加，且與上述黏結層(430)接合的面積增加，具有上述不連續點(P1,P2)的形態和類似效果可出現，故未違背本發明的宗旨。
其次參考圖16，對於上述第2結構模式以不均一的形態模式形成之狀態，觀察如下。
圖16是在圖2中的光學片組件，對於第2結構模式為不均一的形態模式形成而組成之顯示圖。
如圖16所示般，上述第2結構模式(422)與上述不同不以均一模式形成，且彼此以不同形狀形成的數個模式連續性配置的形態而組成。
上述第2結構模式(422)是上述光傳達部位(422a)及上述填埋部位(422b)形成的模式與僅以上述光傳達部位(422a)組成的模式混合而組成，並在上述第2結構模式形成的各自模式中，部分往上述黏結層(430)內部未被填埋。
即，上述第2結構模式(422)由兩種形狀組成，一部分模式往上述黏結層(430)內部填埋，且其餘未填埋。由此，上述黏結層(430)內部填埋的模式是包含上述光傳達部位(422a)及上述填埋部位(422b)而組成，上述黏結層(430)內部未被填埋的模式可僅以上述光傳達部位(422a)形成。當然，根據上述下部光學片(420)的厚度及上述上部光學片(410)的黏結厚度兩種模式的所有上部也可往上述黏結層(430)內部填埋。
上述填埋部位(422b)可由多樣形態形成，如圖16所示般上述填埋部位(422b)在是上述光傳達部位(422a)往上部向上傾斜延長的一對延長面(S1)組成，上述延長面(S1)的上側端部彼此相觸而形成。
此時，僅上述光傳達部位(422a)形成的模式比從最上部點到最下部點的距離以上述光傳達部位(422a)及上述填埋部位(422b)形成的模式更短而形成。於是上述光傳達部位(422a)往上述黏結層(430)內部填埋使上述上部光學片(410)與上述下部光學片(420)接合。
一方面，如圖面所示般在上述第2結構模式(422)數個模式中包含以上述光傳達部位(422a)形成的模式與上述填埋部位(422b)及上述光傳達部位(422a)的模式可各自連續性反覆配置。
固然，別於圖面所示般分別彼此不同形狀的模式各自未均勻反覆，且可以不規則性而配置。還有別於圖面所示般，包括在上述填埋部位(422b)及上述光傳達部位(422a)的模式間形成僅以上述光傳達部位(422a)形成的模式數量無一定，且可多樣調整。
並且如圖面所示般若上述填埋部位(422b)的最上部可在上述上部光學片(410)下面接合而未接合，也可在上述黏結層(430)內部填埋位置。
其次參考圖17及圖18按照本發明的實例，在光學片組件對於上述填埋部位(422b)的已變形的形態觀察如下。
圖17是在圖2中上述第2結構模式，填埋部位延長面及包括延長面而組成的實例之顯示圖，且圖18是圖17在填埋部位延長面及延長面已變形的形態之顯示圖。
如圖17所示般，上述填埋部位(422b)是從上述第2結構模式(422)的左右兩側，上述光傳達部位(422a)大約一定高度垂直延長的左右一對延長面(S1)，且包括上述一對延長面(S1)間彼此連接的連接面(S2)。
在此，上述延長面(S1)可具有以上述下部光學片的下邊與大約垂直的垂直面，且上述連接面(S2)可具有與上述下部光學片(420)的下部面並排平行的垂直面。由此，上述黏結層(430)跟左右一對的上述延長面(S1)一起，包括插入上述連接面(S2)的上述填埋部位(422b)，與上述黏結層(430)直接性接觸。
因之，上述填埋部位(422b)與上述黏結層(430)一邊接觸面積寬大，一邊以相互間接觸能量變大，而可得到大的黏著力接合強度。
並且上述填埋部位(422b)如圖18(a)所示般，與上述黏結層(430)的接觸面積寬大，使接觸能量增大，因此能使接合強度提高，可至少具有一個凹溝(S3)於上述上部光學片(410)下面與並排的連接面(S2)透入而黏結層(430)的長度方向長。
由此上述填埋部位(422b)以上述凹溝(S3)而具備，與上述黏結層(430)接觸的面積增加。還有上述填埋部位(422b)如圖18(b)所示般，與上述黏結層(430)的接觸面積寬大，且能使接合強度提高，對於上述延長面(S1)由上述光傳達部位(422a)可與上述下部光學片(420)的下邊並排延長的下部水平面(S4)大約一定高度垂直延長。
而且上述填埋部位(422b)如圖18(c)所示般，與上述黏結層(430)的接觸面積寬大，且接合強度高，在上述上部光學片(410)的下邊與並排的上述連接面(S2)具有粗糙面，刮傷(Scratch)可表面處理。
如此表面處理是在下部光學片(420)上部形成具有上述填埋部位(422b)的第2結構模式(422)，其次上述連接面(S2)根據等離子體(Plasma)或者反應濺射法(Sputtering)方式具有粗糙表面稱之為Rubbing處理。
又上述填埋部位(422b)是上述黏結層(430)與至少3個以上的接觸面形成，可與上述黏結層(430)如三角形、四角形或者五角形般以多邊截面形具備。並且，上述填埋部位(422b)可具有與上述黏結層(430)的厚度相同或者尺寸小的高度，可以上述第2結構模式(422)的長度方向連續或者非連續而具備。
其次參考圖19至圖21，按照帶著圖17形狀的填埋部位之變化對於其變化觀察如下。
圖19是圖17中按照連接面的寬度變化，亮度與黏著力間的相關關係所示之圖表。
即，上述填埋部位(422b)的高度(L)及凹陷深度(H)是在維持一定形態填埋部位寬度(W)對於螺距(Pitch)(P)變寬之情形，圖19跟下列表1所示般，上述填埋部位(422b)與上述黏結層(430)邊接觸面積變寬邊黏著力慢慢地增加，可得知與其相反亮度則反而下降。
在此，上述螺距(P)對照寬度(W)邊得到比率80至97%的穩定亮度，能防止薄板剝離現象邊可得到14至30g/inch 2 的黏著力，具有以10至30%比率為最好；邊得到90%的最佳亮度，邊可得到25g/inch 2 最佳黏著力，以便能以20%比率組成為最好。
圖20是按照圖17的延長面高度變化，依圖表所示亮度與黏著力間的相關關係。
上述填埋部位(422b)的寬度(W)與螺距(P)在維持一定的狀態，上述填埋部位(422b)的高度(L)對凹陷深度(H)變大之情形，圖20如下列表2所示般，上述填埋部位(422b)插入到上述黏結層(430)的插入深度變大，接觸面積邊變寬，黏著力邊慢慢地增加，可得知與其相反亮度則反而下降。
在此，上述凹陷深度(H)對照高度(L)邊得到比率80至98%的穩定亮度，能防止薄板剝離現象邊可得到13至30的黏著力，具有以20至40%比率為最好；邊得到90%的最佳亮度，邊可得到25最佳黏著力，以便能以30%比率組成為最好。
圖21是按照圖17中黏結層厚度變化的亮度與黏著力間的相關關係之圖表所示。
介在上述下部光學片(420)與上述上部光學片(410)間的黏結層(430)厚度變化之情形，圖21如下列表3所示般，上述黏結層(430) 厚度邊變厚，黏著力邊慢慢地增加，可得知與其相反亮度則反而下降。
在此，上述黏結層(430)的厚度一邊80至95%的穩定亮度，能防止薄板剝離現象一邊可得到13至33g/inch 2 的黏著力，具有以2至5μm為最好；邊得到90%的最佳亮度，邊可得到25g/inch 2 最佳黏著力，以便能以3.0μm的比率組成為最好。
其次參考圖22及圖23，按照本發明的實例在光學片組件對於追加其他反射式偏振片觀察如下。
圖22是在圖2中的光學片組件追加反射式偏振片(Reflective Polarizer)的狀態顯示之分解斜視圖，且圖23是根據圖22的反射式偏振片光的透射或者反射狀態之顯示圖。
試觀察圖面所示，在上述上部光學片(410)的上部追加其他反射式偏振片(500)具有以疊層形態而組成，根據上述上部光學片(410)及上述下部光學片(420)使聚集的光選擇性透射。
所謂上述反射式偏振片(Reflective Polarizer：500)是跟著光的偏光狀態選擇性使光透射或者以上述導光板(200)重返的作用；以如此的薄板為例之雙亮度增強膜(DBEF：Dual Brightness Enhancement Film)。
未通過DBEF且反射的光是經過BLU下端的上述導光板(200)再反射後朝向上部。DBEF是前述中僅通過偏光狀態合適的光後，其餘反射的光繼續反復作用。同此而經過反復的過程，僅偏光狀態的光才朝上部放出，故使放出的光減少消散且組件(Module)亮度顯示(Display)提升。
再具體觀察，如圖18所示般，上述反射式偏振片(500)是在上述上部光學片(410)的上部以疊層配置形態，經過上述下部光學片(420)及上述上部光學片(410)聚集的光朝向上述反射式偏振片(500)。由此，朝向上述反射式偏振片(500)的光彼此不一致的偏光狀態之光混合狀態，上述反射式偏振片(500)具有使透射的偏光狀態之光P1與上述反射式偏振片(500)不使透射的偏光狀態之光P2而組成。
如圖所示，通過上述上部光學片(410)及上述下部光學片(420)的光是P1及P2之混合狀態，但是上述反射式偏振片(500)僅透射光P1，且使光P2再次往下部方向反射。
所以光P1是往外部放出，但是根據光P2反射朝下部返回，且上述導光板(200)反射再次往上部移動。經過此過程，通過光P2偏光狀態變化且同此反復進行，在上述反射式偏振片(500)透射以適宜的狀態變化。
同此，以具備上述反射式偏振片(500)，與減少光的消散同時希望折射角度及具有偏光狀態朝光的上部放射，組件(Module)亮度顯示(Display)提升。
一方面，上述反射式偏振片(500)是不僅在上述上部光學片(410)的上部疊層配置，而且也可在上述上部光學片(410)與上述下部光學片(420)間疊層配置。
同上文對本發明較理想的實例來觀察，除前述所說明的實例外，在毫無違背本發明宗旨或者範疇下可以另外形態而具體化。因此本實例不以特徵形態來限制，而該被認為是舉例說明，由此不限於本發明詳細敘述說明，並在附加申請專利範圍的範疇及其同等範圍內可加以變更。
422a‧‧‧光傳達部分
422b‧‧‧填埋部分
P1‧‧‧不連續點
P2‧‧‧不連續點
T‧‧‧虛擬截面軌跡

Claims (34)

  1. 一種多層光學片組件，包括：一上部光學片，具有朝上部突出的第1結構模式；一下部光學片，在上述上部光學片的下部以疊層形態具備，具有往上述上部光學片側突出的第2結構模式；以及一黏結層，位於上述上部光學片與上述下部光學片間；其中，上述第2結構模式是具有往上部橫截面積越來越小的光傳達部位，及在上述光傳達部位的上部以連續性連接而上述黏結層最少部分填埋的填埋部位；上述填埋部位與上述黏結層接合的截面周長長度的上述光傳達部位具有連續性坡度，以上部延長比形成虛擬截面軌跡周長更長而形成；其中上述上部光學片及上述下部光學片是上述第1結構模式的延長方向及上述第2結構模式的延長方向交叉配置，且上述填埋部位具有比上述光傳達部位傾斜更大的傾斜角。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之多層光學片組件，其中，上述第2結構模式是從最下部到最上部間至少具有一個以上截面軌跡不連續點的導函數形成。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之多層光學片組件，其中，上述不連續點是上述填埋部位及在上述光傳達部位位於截面軌跡界限點。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之多層光學片組件，其中，上述光傳達部位是截面軌跡以直線形成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之多層光學片組件，其中，上述填埋部位是與上述黏結層接合的截面軌跡以直線形成。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之多層光學片組件，其中，上述填埋部位是包含從上述光傳達部位朝上部延長的一對延長面以及一對上述延長面間連接的連接面。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之多層光學片組件，其中，上述填 埋部位是至少具有上述黏結層與三個以上接觸面的多邊截面形。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之多層光學片組件，其中，上述連接面是上述下部光學片的下邊與平行的水平面。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之多層光學片組件，其中，上述連接面至少具有一個凹溝為其特徵的多層光學片組件。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之多層光學片組件，其中，上述連接面是具有粗糙的表面處理。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之多層光學片組件，其中，上述連接面是從上述下部光學片的下邊與並排的下部水平面垂直延長，上述下部水平面是從上述光傳達部位的端部水準延長。
  12. 如申請專利範圍第5項所述之多層光學片組件，其中，上述填埋部位是具有從上述光傳達部位往上部向上傾斜延長的一對延長面，且上側端部彼此相觸。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之多層光學片組件，其中，上述填埋部位是最上部接合上述上部光學片的下部。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之多層光學片組件，上述第2結構模式是具有同一截面形態，且跟著橫向延長而形成。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之多層光學片組件，其中，上述下部光學片或者與上述上部光學片以疊層形態配置，具有跟著從下部傳達的光波長以選擇性使光透射的反射式偏振片。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之多層光學片組件，其中，上述黏結層是上述上部光學片的下邊或者在此相向的上述下部光學片的上邊以點狀形成。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之多層光學片組件，其中，上述黏結層是上述下部光學片的上述第2結構模式的表面或者與上述第2結構模式相向的上述上部光學片的下邊以線形形成。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之多層光學片組件，其中，上述黏 結層是上述下部光學片的上述第2結構模式的表面或者與上述第2結構模式相向的上述上部光學片的下邊具有數個開放領域(Open Area)，以網狀形成。
  19. 一種多層光學片組件，包括：一上部光學片，具有朝上部突出的上述第1結構模式；一下部光學片，位於上述上部光學片的下部，具有朝上述上部光學片側突出的第2結構模式；及一黏結層，形成於上述上部光學片與上述下部光學片間；其中，上述第2結構模式是具有往上部橫截面積越來越小，且從最下部到最上部間坡度具有以不連續性增加之一個以上的不連續點；其中上述上部光學片及上述下部光學片是上述第1結構模式的延長方向及上述第2結構模式的延長方向交叉配置，且上述填埋部位具有比上述光傳達部位傾斜更大的傾斜角。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之多層光學片組件，其中，上述第2結構模式的折射率比上述黏結層的折射率大。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之多層光學片組件，其中，上述第2結構模式是具有自下部在上述黏結層未填埋的所定坡度的光傳達部位及以上述光傳達部位的上部延長，包括在上述黏結層最少部分填埋的填埋部位。
  22. 如申請專利範圍第19項所述之多層光學片組件，其中，上述填埋部位是具有至少2個以上，具備以上部延長的延長面。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之多層光學片組件，其中，上述填埋部位是由一對組成而具有以上部延長的延長面，依據延長面其截面是三角形形成。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之多層光學片組件，其中，上述埋填部位部位是由上述黏結層的厚度與同一或者低的高度形成。
  25. 一種多層光學片組件，包括：一上部光學片，具有往上部突出的上述第1結構模式；一下部光學片，位於上述上部光學片的下部，具有朝上述上部光學片側突出的第2結構模式；及一黏結層，形成於上述上部光學片與上述下部光學片間；其中，上述第2結構模式是具有往上部橫截面積越來越小而形成，具有直線形態的截面的光傳達部位及從上述光傳達部位向上傾斜，具有連接直線形態的填埋部位；其中上述上部光學片及上述下部光學片是上述第1結構模式的延長方向及上述第2結構模式的延長方向交叉配置，且上述填埋部位具有比上述光傳達部位傾斜更大的傾斜角。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之多層光學片組件，其中，上述填埋部位是從上述光傳達部位朝上部向上傾斜延長的一對延長面而具備，上述延長面的上側端部彼此相觸。
  27. 如申請專利範圍第25項所述之多層光學片組件，其中，上述填埋部位是截面由三角形形態形成。
  28. 如申請專利範圍第25項所述之多層光學片組件，其中，上述下部光學片或者與上述上部光學片接合的形態而配置，具有從下部傳達跟著光波長以選擇性使光透射的反射式偏振片。
  29. 一種多層光學片組件，包括：一上部光學片，具有朝上部突出的第2結構模式；一下部光學片，位於上述上部光學片的下部以疊層形態，具有朝上述上部光學片側突出數個模式組成的第2結構模式；及一黏結層，位於上述上部光學片與上述下部光學片間；其中，從上述第2結構模式數個模式中部分往上部橫截面積越來越小，從最下部到最上部間坡度具有以不連續性增加一個以上的不連續點而形成； 其中上述上部光學片及上述下部光學片是上述第1結構模式的延長方向及上述第2結構模式的延長方向交叉配置，且上述填埋部位具有比上述光傳達部位傾斜更大的傾斜角。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之多層光學片組件，其中，上述第2結構模式是數個模式中部分，比起相鄰的模式從最上部到最下部距離更長。
  31. 如申請專利範圍第29項所述之多層光學片組件，其中，上述第2結構模式是彼此由不同形狀的模式反覆性配置。
  32. 如申請專利範圍第29項所述之多層光學片組件，其中，上述第2結構模式是部分模式往上部橫截面積越來越小的光傳達部位及在上述光傳達部位的上部以連續性連接，具有在上述黏結層最少部分填埋的填埋部位。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之多層光學片組件，其中，上述填埋部位是與上述黏結層接合的截面周長長度上述光傳達部位具有連續性坡度，比往上部延長形成虛擬截面軌跡的周長更長而形成。
  34. 如申請專利範圍第29項所述之多層光學片組件，其中，上述第2結構模式的折射率比上述黏結層折射率大。
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