TWI513581B - Light shielding components for optical machines - Google Patents

Description

光學機器用遮光構件

本發明係有關可使用於各種光學機器之快門或光圈構件等之光學機器用遮光構件。

近幾年來，由於對於高性能單眼返式光相機(Single-lens reflex camera)、小型相機、攝錄影機等之各種光學機器之小型化、輕量化之要求，而將由金屬材料所形成之光學機器之快門或光圈構件替代成塑膠材料。作為此種塑膠材料之光圈，已知有在薄膜基材上形成含有碳黑、滑劑、微粒子及黏合劑樹脂之遮光膜所成之遮光性薄膜(專利文獻1、2)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：特開平9-274218號公報

專利文獻2：WO2006/016555號公報

上述遮光性薄膜，由於相較於由金屬材料所構成之遮光構件，其彈性極弱，故使用該遮光性薄膜作為光學機器之快門或光圈構件時，不耐使用，自與其他構件接觸之部位產生歪斜，而發生變形或破損之問題。該等問題對於近年來要求薄型化之現況而言成為大的課題。

為解決此問題，雖考慮有於遮光膜中含有高彈性粒子之設計，但此情況下，構成遮光膜之其他材料之相對含有比例勢必減少，故作為遮光構件之遮光性、滑動性等之性能平衡受到阻礙。

另一方面，雖亦考慮直接將由金屬材料所構成之遮光構件薄型化之方法，但使用該遮光構件作為快門或光圈構件使用時，容易因與其他構件接觸而產生變形。該變形由於無法恢復至金屬材料之原本性質，故該等遮光構件使用情況不良。且金屬材料與塑膠材料相比，畢竟成本較高。

因此，要求有不使用金屬材料且即使薄型化亦具有彈性、難以產生薄膜破損等之光學機器用遮光構件。

本發明人等，針對於此，發現藉由於遮光膜中加上含有作為黏合劑樹脂之羥基價為100(mgKOH/g)以上的黏合劑樹脂與平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子之遮光構件，可作成即使薄型化亦有彈性，與其他構件接觸亦難以產生薄膜破損，因而完成本發明。

亦即，本發明之光學機器用遮光構件為含有由合成樹脂薄膜所成之基材，及於前述基材之至少一面上形成之遮光膜者，其特徵為前述遮光膜含有羥基價為100(mgKOH/g)以上之黏合劑樹脂、碳黑、無機粒子、及平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子。

又，本發明之光學機器用遮光構件，較好樹脂粒子為交聯聚甲基丙烯酸甲酯粒子。

又，本發明之光學機器用遮光構件，較好相對於黏合劑樹脂100重量份，含有樹脂粒子20~150重量份。

依據上述發明，藉由使遮光膜中含有羥基價為100(mgKOH/g)以上的黏合劑樹脂與平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子，可作成即使薄型化亦有彈性，難以產生薄膜破損之遮光構件。

以下，針對本發明之光學機器用遮光構件(以下，亦有稱為「遮光構件」之情況)之實施形態加以說明。

本發明之遮光構件，為包含由合成樹脂薄膜構成之基材，及於前述基材之至少一面上形成之遮光膜者。該遮光膜含有羥基價為100(mgKOH/g)以上之黏合劑樹脂、碳黑、無機粒子、及平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子。

又，本發明中所謂平均粒徑係指以雷射繞射式粒度分布測定裝置(例如島津製作所公司：SALD-7000等)測定之中值粒徑(D50)。

作為由合成樹脂薄膜構成之基材，舉例由聚酯、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)、聚醯亞胺、聚苯乙烯、聚碳酸酯、丙烯酸、聚烯烴、纖維素樹脂、聚碸、聚苯硫醚、聚醚碸、聚醚醚酮等所構成者。其中可較好地使用聚酯薄膜，就機械強度、尺寸安定性優異方面而言，以經延伸加工，尤其是經雙軸延伸加工之聚酯薄膜最佳。

又，作為基材，為透明者當然不用說，且亦可使用發泡聚酯薄膜或含有碳黑等黑色顏料或其他顏料之合成樹脂薄膜。於此情況，上述基材可依據其用途選擇適當者。例如作為遮光構件使用時，由於在構件剖面之合成樹脂薄膜部分中之透鏡等處聚光之光反射會帶來不良影響，故於高遮光性為必要之情況下，可使用含有碳黑等黑色顏料之合成樹脂薄膜，於其他情況中，可使用透明或發泡合成樹脂薄膜。

本實施形態中，由於以遮光膜本身即可獲得作為遮光構件之充分遮光性，故於合成樹脂薄膜中含有黑色顏料時，合成樹脂薄膜以目視看到黑色之程度，亦即使光學濃度成為3左右之方式含有黑色顏料即可。因此，由於並非如以往之在合成樹脂薄膜中含有損及作為基材之物性之界限之黑色顏料者，故合成樹脂薄膜之物性不產生變化，而可廉價地獲得。

作為基材厚度，較好為4~50μm，尤其從薄型化之觀點而言，更好為4~38μm。且，由提高與遮光膜之接著性之觀點而言，基材亦可依據需要進行錨定(anchor)處理或電量處理。

形成於基材至少一面上之遮光膜，含有羥基價為100(mgKOH/g)以上之黏合劑樹脂、碳黑、無機粒子、及平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子。

認為藉由成為於羥基價為100(mgKOH/g)以上之黏合劑樹脂中含有平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子，該樹脂粒子不會局部凝集於黏合劑樹脂中，而可均勻分散。藉此，作為遮光膜全體，成為樹脂粒子之分散平衡良好者，即使使用作為遮光構件，亦難以發生局部彎曲、變形，而成為彈性強者。

有關此點，雖亦考慮於遮光膜中含有用以使粒子均一分散之分散劑，但若為此方法，則遮光膜中添加分散劑之份量，將使構成遮光膜之其他材料之相對含有比例降低。如此，亦使消光性、滑動性等之作為遮光構件所必要之性能劣化。

另一方面，依據本發明之遮光構件，藉由於遮光膜中含有羥基價為100(mgKOH/g)以上之黏合劑樹脂及平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子，由於不過度使用分散劑亦可使樹脂粒子均一分散於遮光膜中，故不降低構成遮光膜之其他材料之相對含有比例即可完成。因此，依據本發明之遮光構件，可成為不會減低作為遮光構件之諸性能，即使使遮光膜薄型化亦有彈性，且難以產生薄膜破損者。

至於羥基價為100(mgKOH/g)以上之黏合劑樹脂，舉例有聚(甲基)丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、聚氯乙烯、聚乙烯縮丁醛樹脂、纖維素系樹脂、聚苯乙烯/聚丁二烯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、丙烯酸樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧酯樹脂、環氧樹脂、環氧丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、聚酯丙烯酸酯系樹脂、聚醚丙烯酸酯系樹脂、酚系樹脂、三聚氰胺系樹脂、脲系樹脂、苯二甲酸二烯丙酯系樹脂等之熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂，可使用該等之一種或混合兩種以上使用。

黏合劑樹脂之羥基價為100(mgKOH/g)以上。藉由使黏合劑樹脂之羥基價為100(mgKOH/g)以上，如上述使平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子均一分散於遮光膜中，可成為即使使遮光膜薄型化，作為遮光構件全體亦具有彈性且難以產生薄膜破損者。黏合劑樹脂之羥基價，從進一步發揮彈性之觀點而言，較好為125(mgKOH/g)以上，更好為200(mgKOH/g)以上。另一方面，至於其上限，自防止彎曲應力降低使塗膜變脆之觀點而言，較好為250(mgKOH/g)以下。

羥基價為100(mgKOH/g)以上之黏合劑樹脂之含有率，在遮光膜中較好為15重量%以上，更好為20重量%以上。藉由使前述黏合劑樹脂之含有率在遮光膜中成為15重量%以上，可防止基材與遮光膜之接著性降低。另一方面，前述黏合劑樹脂之含有率在遮光膜中較好為50重量%以下，更好為45重量%以下，又更好為40重量%以下。藉由使前述黏合劑樹脂之含有率在遮光膜中成為50重量%以下，可防止遮光性、滑動性、消光性等之遮光膜物性降低。

遮光膜中含有之碳黑，為用以對黏合劑樹脂著色為黑色而賦予遮光性同時提供導電性而防止因靜電產生帶電者。

碳黑之平均粒徑，為獲得充分遮光性較好為1μm以下，更好成為0.5μm以下。

碳黑之含有率在遮光膜中較好為10重量%~50重量%，更好為15重量%~45重量%。遮光膜中，藉由成為10重量%以上，可防止遮光性及導電性降低，藉由成為50重量%以下，可提高接著性及耐擦傷性，且可防止塗膜強度降低以及成本變高。

遮光膜中含有之無機粒子，係藉由在表面形成微細凹凸，而此入射光之反射減少使表面光澤度(鏡面光澤度)降低，而提高作為遮光構件時之消光性者。

作為無機粒子，舉例有二氧化矽、偏矽酸鋁酸鎂、氧化鈦等。該等中，由粒子分散性、低成本之觀點而言，較好使用二氧化矽。可使用該等之一種或混合兩種以上使用。

無機粒子之平均粒徑，較好為1μm~10μm，更好為1μm~6μm。成為該等範圍之原因為可在遮光構件之表面形成微細凹凸而獲得消光性之故。

無機粒子之含有率在遮光膜中較好為0.5重量%~10重量%，更好為0.5重量%~5重量%。藉由於遮光膜中成為0.5重量%以上，可防止表面光澤度(鏡面光澤度)增加及消光性降低。另一方面，藉由成為10重量%以下，可防止遮光構件因滑動而產生無機粒子脫落，並防止於遮光構件本體產生傷痕，可防止造成動滑動性降低。

於尤其要求高的遮光性及滑動性之情況，無機粒子之含有率，自上述範圍內，更好為於遮光膜中為5重量%以下。本實施形態使用之無機粒子，由於以如前述之少量亦可獲得高消光性，故藉由成為5重量%以下，可獲得充分之消光性，而且相對地可使碳黑、後述之樹脂粒子含有率增加，而不使彈性降低且可提高遮光性、滑動性等之物性。

遮光膜中含有之平均粒徑1~10μm之樹脂粒子，係用以提高遮光構件之表面滑動性，於光圈構件等之加工時，使作動時之摩擦阻抗減小同時提高表面耐擦傷性者。且，如上述，藉由使前述樹脂粒子與羥基價為100(mgKOH/g)以上之黏合劑樹脂併用，使作為遮光膜全體之樹脂粒子之分散平衡成為良好者，即使作為遮光構件使用亦難以產生局部彎曲、變形，而成為彈性強者。再者，由於難以產生局部彎曲、變形，故成為難以引起熱變形者。此樹脂粒子之平均粒徑最好設為2~8μm。

作為該等粒子，舉例有例如聚乙烯蠟、鏈烷蠟等碳氫系滑劑，硬脂酸、12-羥基硬脂酸等之脂肪酸系滑劑，油酸醯胺、芥酸醯胺等之醯胺系滑劑，硬脂酸單甘油酯等之酯系滑劑，醇系滑劑，矽氧樹脂粒子，聚四氟化乙烯蠟等之氟系樹脂粒子，交聯聚甲基丙烯酸甲酯粒子，交聯聚苯乙烯粒子等。該等中，若使用交聯聚甲基丙烯酸甲酯粒子，則作為遮光構件成為彈性特強者，故而較佳。該等粒子可使用一種或亦可混合兩種以上使用。

又，樹脂粒子之平均粒徑，較好大於無機粒子之平均粒徑，更好兩者之差為0.5μm以上。藉由使樹脂粒子之平均粒徑大於無機粒子之平均粒徑之原因在於，由於在由樹脂粒子形成之表面凹凸上，形成有由無機粒子所成之微細凹凸，故可使入射光之反射更少獲得充份之消光性，且亦可獲得滑動性之故。

樹脂粒子之含有率在遮光膜中較好為3重量%~40重量%，更好為5重量%~35重量%。藉由設為在遮光膜中3重量%以上，可在表面形成適當凹凸獲得滑動性，藉由設為40重量%以下，可提高碳黑之相對含有量，可獲得彈性且防止遮光性及導電性降低。

且，前述樹脂粒子相對於前述黏合劑樹脂之含有比例，相對於前述黏合劑樹脂100重量份，前述樹脂粒子更好含有20~150重量份，又更好含有30~90重量份。藉由成為該等含有比例，可維持遮光性及導電性等之作為遮光構件之諸性能，同時可進而改善遮光膜中前述樹脂粒子之分散平衡，可成為彈性更優異之遮光構件。

於基材之至少一面上形成之遮光膜，若在不損及本發明機能之情況下，則可含有難燃劑、抗菌劑、防黴劑、抗氧化劑、可塑劑、平流劑、流動調整劑、消泡劑、分散劑等各種添加劑。

遮光膜之厚度較好為3μm~30μm，更好為5μm~25μm。藉由設為3μm以上，可防止於遮光膜中產生針孔等，可獲得充份之遮光性。且，藉由設為30μm以下，可防止遮光膜產生破裂。

本實施形態之光學機器用遮光構件，可藉由在基材之單面或兩面上，以浸漬塗佈、輥塗佈、棒塗佈、模嘴塗佈、軟版塗佈、氣刀塗佈等之以往公知之塗佈方法，塗佈含有如上述之羥基價為100(mgKOH/g)以上之黏合劑樹脂、碳黑、無機粒子及平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子的遮光膜用塗佈液，乾燥後，依據需要經加熱、加壓等而獲得。塗佈液之溶劑，可使用水或有機溶劑、水與有機溶劑之混合物等。

如上述，本實施形態之光學機器用遮光構件，由於在基材之至少單面上含有特定遮光膜，故為具有消光性，且可保持遮光性、滑動性等之遮光膜物性者，因此可較好地使用作為高性能單眼反光式相機、小型相機、攝錄影機、行動電話、投影機等之光學機器之快門、光圈構件。

尤其，本實施形態之遮光膜，由於為含有羥基價為100(mgKOH/g)以上之黏合劑樹脂及平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子者，故不過度含有分散劑而可使樹脂粒子均一分散，故不損害作為遮光構件之性能，可成為即使薄型化亦有彈性，且難以產生薄膜破損之遮光構件。其結果，成為可較好地使用於近幾年來尤其要求薄型化之附有相機之行動電話之快門、光圈構件等。再者，由於難以產生局部彎曲、變形，故可成為不易引起熱變形者。

實施例

以下利用實施例更具體說明本發明。且，「份」、「%」若未特別表示，則為重量基準。

1.　遮光構件之製作 [實施例1]

使用厚度25μm之黑色聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(LUMIRROR X-30，TORAY公司)作為基材，於該基材之兩面上，以棒塗佈法，以乾燥時厚度分別成為10μm之方式，塗佈下述處方之遮光膜用塗佈液，並進行乾燥，形成遮光膜，製作實施例1之光學機器用遮光構件。

<實施例1之遮光膜用塗佈液>

‧聚酯多元醇　9.68份

(BURNOCK 11-408：DIC公司，羥基價200(mgKOH/g)，固體成分70%)

‧異氰酸酯　9.37份

(BURNOCK DN980：DIC公司，固體成分75%)

‧碳黑　4.57份

(BALKAN XC-72：CABOT公司)

‧無機粒子(二氧化矽)　0.89份

(TS100：日本EPONIC DEGASSA公司，平均粒徑4μm)

‧樹脂粒子(交聯聚甲基丙烯酸甲酯粒子)　5.30份

(CHEMSNOW MX-500：綜研化學公司，平均粒徑5μm)

‧甲基乙基酮　36.93份

‧甲苯　15.83份

[實施例2]

於實施例1使用之遮光膜用塗佈液中，將聚酯多元醇變更為聚酯多元醇(BURNOCK J-517：DIC公司，羥基價140(mgKOH/g)，固體成分70%)，異氰酸酯添加量設為6.56重量份以外，與實施例1同樣，製作實施例2之光學機器用遮光構件。

[實施例3]

於實施例1使用之遮光膜用塗佈液中，將聚酯多元醇變更為聚酯多元醇(BURNOCK D-144-65BA：DIC公司，羥基價100(mgKOH/g)，固體成分65%)且添加量為10.42重量份，異氰酸酯添加量設為5.04重量份以外，與實施例1同樣，製作實施例3之光學機器用遮光構件。

[實施例4]

於實施例1使用之遮光膜用塗佈液中，將樹脂粒子變更為樹脂粒子(交聯聚甲基丙烯酸甲酯粒子，CHEMSNOW MX-150：綜研化學公司，平均粒徑1.5μm)以外，與實施例1同樣，製作實施例4之光學機器用遮光構件。

[實施例5]

於實施例1使用之遮光膜用塗佈液中，將樹脂粒子變更為樹脂粒子(交聯聚甲基丙烯酸甲酯粒子，CHEMSNOW MX-1000：綜研化學公司，平均粒徑10μm)以外，與實施例1同樣，製作實施例5之光學機器用遮光構件。

[實施例6]

於實施例1使用之遮光膜用塗佈液中，將丙烯酸多元醇之添加量作為100重量份，樹脂粒子之添加量為13重量份以外，與實施例1同樣，製作實施例6之光學機器用遮光構件。

[比較例1]

於實施例1使用之遮光膜用塗佈液中，將聚酯多元醇變更為丙烯酸多元醇(ACRYDICK A-801P：DIC公司，羥基價50(mgKOH/g)，固體成分50%)且添加量為13.55重量份，異氰酸酯添加量設為3.28重量份以外，與實施例1同樣，製作比較例1之光學機器用遮光構件。

[比較例2]

於實施例1使用之遮光膜用塗佈液中，將樹脂粒子變更為樹脂粒子(交聯聚甲基丙烯酸甲酯粒子，CHEMSNOW MX-1500H：綜研化學公司，平均粒徑15μm)以外，與實施例1同樣，製作比較例2之光學機器用遮光構件。

[比較例3]

於實施例1使用之遮光膜用塗佈液中，將樹脂粒子變更為無機粒子(硫酸鋇，BMH：堺化學工業公司，平均粒徑2.5μm)以外，與實施例1同樣，製作比較例3之光學機器用遮光構件。

2.　評價

對以上之實施例1~6及比較例1~3所得之光學機器用遮光構件，以下述方法進行評價。各結果示於表1。

(1)遮光性

將上述實施例1~6及比較例1~3所得之光學機器用遮光構件，基於JIS K7651:1988，使用光學濃度計(TD-904：GretagMacbeth公司)測定光學濃度。光學濃度超過4.0，成為無法測定區域濃度者記為「○」，為4.0以下者記為「×」。又，測定係使用UV濾光片。測定結果示於表1。

(2)消光性

基於JIS Z8741:1997，測定實施例1~6及比較例1~3所得之光學機器用遮光構件之表面光澤度(鏡面光澤度)。光澤度未達10(%)者記為「○」，為10(%)以上者記為「×」。測定結果示於表1。

(3)滑動性

基於JIS K7125:1999，以荷重200(g)、速度100(mm/min)之條件，測定實施例1~6及比較例1~3所得之光學機器用遮光構件之靜摩擦係數(μs)，動摩擦係數(μk)。靜摩擦係數(μs)未達0.35者記為「○」，為0.35以上者記為「×」。且動摩擦係數(μk)未達0.30者記為「○」，為0.30以上者記為「×」。測定結果示於表1。

(4)彈性強度

自實施例1~6及比較例1~3所得之光學機器用遮光構件，採取寬度1.5cm長度20cm之實施例1~6及比較例1~3之樣品，將該樣品於各長度方向繞成兩圈之圓筒狀，不使該樣品重疊三重之方式，於以該圓筒狀樣品之最表面上存在之樣品端邊為中心之位置，接著寬度1.5cm長度1.8cm之聚酯膠帶(NICHIBAN公司)，製作寬度(高)1.5cm、直徑約3.2cm之圓筒狀之實施例1~6及比較例1~3之樣品。

接著，準備由市售之電子天平(BX3200D：島津製作所公司)構成之測量部3、及上部固定部2所成之前述測量部3與前述上部固定部之間隙為2cm之如圖1所示之測定裝置10。於該測定裝置10之測量部3與上部固定部2之間隙中，以使該圓筒狀之側面接觸於該測定裝置10之測量部3與上部固定部2之方式載置上述之直徑約3.2cm之圓筒狀實施例1~6及比較例1~3之樣品1，由樣品1之彈性力測定10秒後之測量部3之電子天平之測量量。測定結果，測量量為1g以上者記為「◎」，0.7g以上~未達1g者記為「○」，未達0.7g者記為「×」。測定結果示於表1。

(5)耐久性

使用實施例1~6及比較例1~3所得之光學機器用遮光構件作為相機之光圈構件，以目視確認經5千次動作後之該光學機器用遮光構件有無變形或破損。無變形或破損者記為「△」，有變形或破損者記為「×」。且對於無變形或破損者，再次進行2萬次動作，隨後以目視確認時亦無變形或破損者記為「○」，再次進行2萬5千次動作，隨後以目視確認時亦無變形或破損者記為「◎」。測定結果示於表1。

(6)熱變形

準備於基材之單面上，設置實施例1~6及比較例1~3所得之遮光膜而成之光學機器用遮光構件。裁切成長寬10cm×10cm，靜置於80℃之環境中5分鐘，測定端部之捲曲量。捲曲量於四個角之合計為0mm以上~未達30mm者記為「○」，為30mm以上者記為「×」。測定結果示於表1。

(7)接著性

基於JIS 5600-5-6中之棋盤格膠帶法，測定並評價實施例1~6及比較例1~3所得之光學機器用遮光構件之遮光膜與基材之接著性。棋盤格部份之面積有10%以上剝離者記為「×」，為5%以上且未達10%者記為「△」，未達5%者記為「○」。

由表1之結果可知，於實施例1~6所得之光學機器用遮光構件，為包含由合成樹脂薄膜構成之基材與形成於前述基材之至少單面上之遮光膜者，該遮光膜由於係含有羥基價為100(mgKOH/g)以上之黏合劑樹脂、碳黑、無機粒子、及平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子者，故成為可發揮遮光性及消光性之作為遮光構件之性能，同時即使薄型化彈性亦強者，且為耐久性優異者，故可成為薄膜難以產生破損者。

尤其，實施例1、2、4、5之光學機器用遮光構件，由於係黏合劑樹脂之羥基價為125(mgKOH/g)以上者，故成為彈性強度特別高者，再者，實施例1、4、5之光學機器用遮光構件，由於係黏合劑樹脂之羥基價為200(mgKOH/g)以上者，故成為彈性強度特別高，耐久性特別高者。

另一方面，比較例1之光學機器用遮光構件，由於使用羥基價未達100(mgKOH/g)之黏合劑樹脂，故微粒子於遮光膜中無法均一分散，成為彈性較弱者。且，因此亦為缺乏耐久性者。

又，比較例2之光學機器用遮光構件，由於使用平均粒徑超過10μm之樹脂粒子，故微粒子於遮光膜中無法均一分散，成為彈性較弱者。且，因此亦為缺乏耐久性者。

又，比較例3之光學機器用遮光構件，由於並非使用樹脂粒子而是使用無機粒子，故微粒子於遮光膜中無法均一分散，成為彈性較弱者。且，因此亦為缺乏耐久性者。

於實施例1~6所得之光學機器用遮光構件，由於該遮光膜為含有羥基價為100(mgKOH/g)以上之黏合劑樹脂、碳黑、無機粒子、及平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子者，故成為樹脂粒子可於遮光膜中均一分散者，即使將遮光膜設於基材之單面上作為遮光構件時，亦難以發生局部彎曲、變形，而可成為難以引起熱變形者。

於比較例1所得之光學機器用遮光構件，由於該遮光膜中之顏料比例較高，故成為難以因黏合劑樹脂引起熱變形。然而，由於顏料比例較高且為樹脂粒子難以均一分散者，故成為與基材之接著性惡化者。

於比較例2、3所得之光學機器用遮光構件，該遮光膜中之顏料比例雖與實施例1所得之光學機器用遮光構件相同，但為不含平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子者，故樹脂粒子於塗膜中無法均一分散，而產生局部彎曲、變形，成為會引起熱變形者。且，與基材之接著性與實施例1相比為較差者。

1．．．本發明之光學機器用遮光構件

2．．．上部固定部

3．．．測量部

10．．．測定裝置

圖1為說明用以測定光學機器用遮光構件之彈性強度之測定裝置之圖。

1．．．本發明之光學機器用遮光構件

2．．．上部固定部

3．．．測量部

10．．．測定裝置

Claims (3)

1. 一種光學機器用遮光構件，其為含有：由合成樹脂薄膜所成之基材，及於前述基材之至少一面上形成之遮光膜，其特徵為：前述遮光膜係使用塗佈液所形成者，該塗佈液含有：羥基價為100(mgKOH/g)以上之聚酯多元醇、碳黑、無機粒子、及平均粒徑為1~10μm之樹脂粒子。
2. 如申請專利範圍第1項之光學機器用遮光構件，其中前述樹脂粒子為交聯聚甲基丙烯酸甲酯粒子。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項之光學機器用遮光構件，其中相對於前述黏合劑樹脂100重量份，含有20~150重量份之前述樹脂粒子。