TWI510105B - 雙膜片動力麥克風傳感器 - Google Patents

Description

雙膜片動力麥克風傳感器 相關申請案之交叉參考

本申請案主張於2012年10月23日提出申請之美國專利申請案第13/658,506號之優先權，該美國專利申請案之全部內容以引用方式併入本文中。

本申請案一般而言係關於一種動力麥克風傳感器。特定而言，本申請案係關於一種雙膜片動力麥克風傳感器。

存在數種類型之麥克風及相關傳感器，諸如(舉例而言)動力、晶體、電容式/電容器(外部偏壓及駐極體)等，其可設計有各種極性回應型樣(心形、超心形、全向等)。取決於應用，所有此等類型具有其優點及缺點。電容式麥克風能夠回應於極高音訊頻率，且其通常比動力麥克風敏感得多，從而使其更適合於較安靜或遙遠聲源。此等頻率回應係可能的，此乃因由於不同於動力模型，膜片不具有在傳感器之聲空間內附接至其之一音圈之質量之事實，電容式麥克風傳感器之膜片通常可製作得比動力模型之膜片薄且輕。另一方面，動力麥克風之優點之一在於其係被動的且因此不需要主動電路以操作。因此，動力麥克風通常穩健、相對便宜且較不易於出現受潮/潮濕問題。在回饋成為一問題之前，其亦展現一潛在高增益。此等屬性使其理想地用於舞 臺用途。

所有定向麥克風傳感器設計必須解決之一現象稱為「接近效應」。接近效應係當麥克風靠近於聲源使用時低頻(低音)回應之一增加。此增加之回應由以下事實導致，定向麥克風亦自傳感器膜盒之後方擷取聲波，其在一聲通道或埠中被延遲且然後被添加至同軸到達的聲能。在聲源相對遙遠時，當實質上相同聲級到達麥克風傳感器之前方及後方時由聲通道引入之相移致使自後方到達的聲波基本上被抵消。然而，對於相對靠近的聲源，反平方定律指示麥克風傳感器之前方處存在比後方處之聲級增加之一聲級。此降低埠抵消低頻率之效率。實際而言，靠近於麥克風定位之一歌唱者、說話者、樂器或其他聲源將產生顯著量之低音回應。

用於處置接近效應之典型策略係透過增加之機械共振而以電或機械方式減小低頻率輸出(高通)。一個機械策略採用一額外柔順元件，諸如一第二膜片，其可與後部埠調諧阻抗串聯放置以控制接近效應。然而，由於電容式麥克風傳感器內的聲空間之較小大小及簡單性，此等雙膜片麥克風傳感器一直限於電容類型麥克風應用。

需要一種除其他外在不犧牲專業級動力麥克風效能之情形下提供對源/接收者接近效應之控制之雙膜片動力類型麥克風傳感器。

在一實施例中，一種雙膜片麥克風傳感器包含一殼體及支撐於殼體內以接受聲波之一傳感器總成。該傳感器總成包含：一磁體總成；一前膜片，其具有毗鄰該磁體總成安置之一後表面；及一後膜片，其具有相對於該前膜片之該後表面而毗鄰該磁體總成相對安置之一後表面。該前膜片之一前表面經組態以使聲波撞擊於其上，且該後表面具有連接至其之一線圈，以使得該線圈能夠與該磁體總成之一磁場交互作用。該後膜片之一前表面經組態以使聲波撞擊於其上。該傳 感器總成界定經由該殼體中之至少一個空氣通道與該殼體內之一腔連通之一內部聲空間。

在另一實施例中，該殼體進一步包含其中具有至少一個孔隙且安置於該前膜片之該前表面上方之一共振器。

在另一實施例中，該殼體進一步包含自該前膜片之該前表面向外偏移且毗鄰於該前膜片之該前表面安置之一繞射器板。

在又一實施例中，該前膜片包含一中心圓頂部分及一外部柔順環部分，且該前膜片之該柔順環部分具有具有一可變曲率半徑之一剖面輪廓。

在再一實施例中，該後膜片包含一中心圓頂部分及一外部柔順環部分，且該後膜片之該柔順環部分具有具有一可變曲率半徑之一剖面輪廓。

在又一實施例中，該前膜片及該後膜片各自包含一中心圓頂部分及一外部柔順環部分，且該後膜片之該中心圓頂部分比該前膜片之該中心圓頂部分小。

根據論述指示可採用本發明之原理之各種方式之說明性實施例之以下詳細說明及附圖將明瞭且更完全瞭解此等及其他實施例以及各種排列及態樣。

6-6‧‧‧剖面線

30‧‧‧單膜盒雙膜片動力麥克風傳感器/傳感器/輔助傳感器

32‧‧‧殼體

40‧‧‧傳感器總成

41‧‧‧磁體總成

42‧‧‧前膜片

43‧‧‧後表面

44‧‧‧後膜片

45‧‧‧後表面

46‧‧‧前表面

47‧‧‧線圈

48‧‧‧前表面

50‧‧‧腔

52‧‧‧空氣通道

61‧‧‧磁體

62‧‧‧環形底部磁體磁極片

63‧‧‧頂部磁極片

64‧‧‧端子引線

66‧‧‧前膜片座架

67‧‧‧後膜片座架

68‧‧‧孔隙

72‧‧‧聲阻

73‧‧‧聲阻

74‧‧‧第三聲阻元件/聲阻

76‧‧‧第一部分

77‧‧‧第二部分

82‧‧‧共振器

83‧‧‧共振器

84‧‧‧繞射器板

86‧‧‧孔隙/共振器孔隙/共振器

92‧‧‧柔順環部分

94‧‧‧鋸齒狀元件

97‧‧‧線圈附接平坦部

98‧‧‧圓頂部分

99‧‧‧圓頂部分

102‧‧‧頸部分

Ca‧‧‧第一聲柔順件

Cb‧‧‧第二柔順件

D‧‧‧外部延遲距離/外部延遲/聲延遲/距離

R‧‧‧可變曲率半徑

R1‧‧‧聲阻

圖1係圖解說明一單膜片動力麥克風傳感器之拓撲之一示意圖，其包括該膜片之一前表面與該膜片之一後表面之間的一外部延遲距離D及以點線展示之一聲路徑。

圖2係圖解說明根據本發明之一或多個原理之一雙膜片動力麥克風傳感器之拓撲之一示意圖，其包括一前膜片之一前表面與一後膜片之一後表面之間的一外部延遲距離D及以點線展示之一聲路徑。

圖3係根據本發明之一或多個原理之一雙膜片麥克風傳感器之一 實施例之一透視圖，其具有被切除的一繞射器板之一部分以顯露該傳感器之一共振器之一部分。

圖4係圖3中所繪示之雙膜片麥克風傳感器實施例之一立面圖。

圖5係圖3中所繪示之雙膜片麥克風傳感器實施例之一俯視平面圖。

圖6係圖3中所繪示且沿圖5中之剖面線6-6截取之雙膜片麥克風傳感器實施例之一立面剖視圖。

圖7係圖6中所繪示之剖面之一分解組裝視圖。

圖8係圖3中所繪示之雙膜片麥克風傳感器實施例之前膜片之一剖面輪廓視圖，其圖解說明該膜片之一環狀柔順環之一可變曲率半徑R，其中R依據自該膜片之一中心線量測之半徑而變化。

圖9係圖3中所繪示之雙膜片麥克風傳感器實施例之前膜片之一透視圖。

圖10係圖3中所繪示之雙膜片麥克風傳感器實施例之後膜片之一透視圖。

圖11a及圖11b係繪示自無一共振器之根據本發明之一或多個原理設計之一例示性樣品雙膜片麥克風傳感器實施例之一邊界元模擬獲得的外部延遲D及增益因子G值之曲線圖，其中增益因子G界定為20log(|P_b /P_f |)，其中P_b 係後膜片之曝露表面上方之平均壓力且P_f 係前膜片之曝露表面上方之平均壓力。

圖12a及圖12b係繪示在兩個源距離處之根據本發明之一或多個原理設計之一例示性樣品雙膜片麥克風傳感器實施例之頻率回應之曲線圖。

以下說明闡述、圖解說明且例示根據本發明之原理之本發明之一或多項特定實施例。提供此說明並非將本發明限制於本文中所闡述 之實施例，而是以使得熟習此項技術者能夠理解此等原理之一方式闡釋及教示本發明之原理，且在彼理解下能夠不僅應用其來實踐本文中所闡述之實施例，而且實踐可根據此等原理想出來的其他實施例。本發明之範疇意欲涵蓋可歸屬於隨附申請專利範圍之範疇(字面上或根據等效內容之教義)內的所有此等實施例。

應注意，在該等說明及圖式中，相同或實質上類似的元件可以相同的元件符號來標記。然而，有時此等元件可以不同編號來標記，諸如(舉例而言)在此標記促進一更清楚說明之情形下。另外，本文中論述之圖式未必按比例繪製，且在某些例項中比例可已被放大以更清楚地繪示某些特徵。此標記及圖式慣例未必暗示一根本實質目的。如上所述，該說明書意欲被視為一整體且根據如本文中所教示之本發明之原理來解釋及為熟習此項技術者所理解。

根據本發明之一或多個原理，本文中揭示一種雙膜片動力麥克風傳感器，其在某些實施例中且除其他外提供具有在一參考源接近度處控制源/接收者接近效應及離軸拒斥之一最佳手段之一單膜盒專業級單向麥克風。

圖1圖解說明一典型單膜片麥克風傳感器設計之拓撲，其係出於說教目的對比如圖2中所展示之一雙膜片麥克風傳感器之拓撲展示。圖2圖解說明一雙膜片動力麥克風傳感器之一更複雜拓撲。如圖1中之單膜片模型中所展示，一第一聲柔順件Ca界定於膜片後面且與呈一腔之形式之一第二柔順件Cb聲連通。系統之一聲流由圖1中所展示之點線圖解說明。系統之一聲延遲D由膜片之前表面與由聲阻(R1)表示之一次要調諧埠之間的距離界定。在單膜片系統中，由距離D界定之聲波之一外部延遲相對短。比較而言，圖2圖解說明具有一增加之外部延遲D及穿過由一雙膜片模型之引入導致的相移網路之一「反向」聲流的系統。必須慮及此等複雜性及約束以達成雙膜片設計之專業級效 能。除其他外，將使外部延遲最小化，同時在設計中保持充足內部腔體積。

根據本發明之一或多個原理，本文中揭示一雙膜片動力麥克風傳感器，除其他外，該雙膜片動力麥克風傳感器達成專業級效能。在特定實施例中，該傳感器展現一均勻全頻寬(50Hz f 15kHz )頻率回應、最佳敏感度(對於歌唱應用，S -56dBV/Pa )及低輸出阻抗(Z _out 300Ω)(無主動放大(幻象功率))，以及呈所要極性型樣的擴展頻寬拒斥(例如，對於心形操作，△25dB )。除併入有一串列後部埠柔順元件之益處外，特定實施例亦展現減小的接近效應且具有一可調諧參考距離以達成最佳離軸拒斥。

大體參考圖3至圖7，一單膜盒雙膜片動力麥克風傳感器30具有一殼體32及支撐於該殼體內以接受聲波之一傳感器總成40。如圖6中所展示，傳感器總成40包含：一磁體總成41；一前膜片42，其具有毗鄰磁體總成41安置之一後表面43；及一後膜片44，其具有相對於前膜片42之後表面43而毗鄰磁體總成41相對安置之一後表面45。前膜片42之一前表面46經組態以使聲波撞擊於其上且後表面具有連接至其之一線圈47，以使得線圈47能夠與磁體總成41之一磁場交互作用。後膜片44之一前表面48亦經組態以使聲波撞擊於其上。傳感器總成40界定經由殼體32中之至少一個空氣通道52與殼體32內之一腔50連通之一內部聲網路空間。在所展示之實施例中，四個空氣通道52實施於殼體32中。

參考一特定實施例之額外態樣，且參考圖6及圖7，所圖解說明之特定實施例之磁體總成41包括使其磁極沿殼體32之一中心垂直軸大體垂直配置之一中心安置之磁體61。一環形底部磁體磁極片62自磁體61向外同心定位且具有與磁體61之上部部分之磁極相同之一磁極。在此實施例中，一頂部磁極片63毗鄰於底部磁極片向上安置且具有與磁 體61之上部部分之磁極相反之一磁極。在此實施例中，頂部磁極片63包含兩片，但在其他實施例中，其可包含一片或若干片。如自圖6可見，當前膜片有聲波撞擊於其上時，線圈47相對於磁體總成41及其相關聯磁場移動以產生對應於該等聲波之電信號。該等電信號可經由一線圈連接及相關聯端子引線64(如圖3至圖5中所展示)傳輸。

如圖6及圖7中所圖解說明之特定實施例所展示，前膜片42經由一前膜片座架66安裝至傳感器總成40。後膜片44經由一後膜片座架67安裝至傳感器總成40。後膜片座架67中包括至少一個孔隙68。

傳感器30包括由傳感器總成40大體界定之一內部聲網路，其與腔50聲連通。如圖6及圖7中所展示，與傳感器總成40相關聯之一內部空間網路與在殼體32內形成之空氣通道52聲連通。前膜片42後面之一空間與同傳感器40之磁體總成41大體相關聯之一中心空間之間的此聲連通之促進部件係頂部磁極片63內的至少一個孔隙。一聲阻72安置於頂部磁極片63之兩片之間，以使得通過頂部磁極片63內的孔隙之聲波遇到聲阻72。另一聲阻73安置於後膜片座架67與底部磁磁極片之間，如圖6中所展示，以使得通過後膜片座架67內的孔隙68之聲波遇到聲阻73。在一實施例中，一第三聲阻元件74安置於殼體32內的腔50之一第一部分76與一第二部分77之間。

如圖6中所大體展示，傳感器30具有與其相關聯之數個內部聲空間，包括：包含傳感器總成內的聲阻72與聲阻73之間的大體體積之一主要空間；包含聲阻73與空氣通道52之大體終止部之間的大體體積之一次要空間；及包含腔50之一輔助空間，其由大體包含在空氣通道52之終止部之後且在聲阻74上方之大體體積之第一部分76以及大體包含聲阻74下方之體積之第二部分77界定。

大體參考圖3至圖7，且更特定而言參考圖3，在所圖解說明之實施例中，殼體32包括其中具有至少一個孔隙83之一共振器82。在所圖 解說明之實施例中，殼體32進一步包括一繞射器板84，其輔助傳感器30之聲效能，如本文中將論述。除其他外，由於雙膜片設計所引入之聲空間分段，繞射器板84補償一半波長共振條件。其亦減小外部延遲距離D。圖3展示經切除以顯露具有至少一個孔隙83之傳感器30之共振器82之一部分的繞射器板84的一部分。前膜片42(透過圖3中之孔隙83可看見其一部分)毗鄰共振器82而定位以使得通過孔隙83之聲波撞擊於前膜片42之前表面46上。

如圖4中所展示，後膜片44定位於殼體32內以使得聲波可撞擊於其上。如圖4及圖6中所展示，後膜片44之前表面48座落於毗鄰殼體32之一大體中心定位之開放區域86處。如圖6所示，腔50毗鄰於後膜片44之前表面48。雖然此組態對殼體32之空氣通道52及腔50組態施加較少約束，但應注意，其他組態係可能的且涵蓋於本文中，包括但不限於，將腔定位至殼體之一側或同心地圍繞殼體之一外部部分。

圖8至圖10圖解說明併入於根據本發明之一或多個原理之某些實施例中之前膜片42及後膜片44之態樣。關於雙膜片動力麥克風傳感器概念，前膜片42及後膜片44兩者之柔順性比現有設計增加以補償本文中所展示之實施例之基礎系統磁極中之向上移位。因此較佳採用一薄膜片材料。另外，如圖8中所展示之前膜片42之輪廓所例示，膜片亦較佳採用具有一可變曲率半徑R以增加膜片之外徑之剛性之一柔順環部分92。由於一薄膜片材料允許模態行為向下移位至音訊頻率頻寬中，因此可在膜片輪廓中採用若干個額外特徵以補救潛在的模態效應。舉例而言，膜片可由薄PET(諸如(舉例而言)Mylar或Hostaphan)構造。在一實施例中，膜片由35規格PET構造。然而，亦可根據此等原理採用其他規格/厚度及其他材料。膜片亦可在膜片之柔順環部分92中併入複數個鋸齒狀元件94。鋸齒狀元件94展示為來自膜片之材料之伸長凹口或切口且亦可採取其他形式或幾何形狀。關於前膜片42， 可在前膜片之一線圈附接平坦部97上方安置一塊材料(未展示)。該材料塊可由任何合適薄材料形成，諸如一聚酯膜，諸如Melinex。關於後膜片44，考量了以下事實：需要比典型動力麥克風膜片增加的柔順性以達成所要頻寬需求及可調諧參考距離以達成最佳離軸拒斥。亦考量了後膜片44之質量，特定而言由於其不具有一所附接線圈。在所展示之實施例中，後膜片之一圓頂部分98具有比前膜片之一圓頂部分99之直徑小之一直徑，且由於後膜片之圓頂部分98不具有附接至其之一線圈之事實，其不包括一平坦部分來適應一線圈之附接。

如上所述，由於雙膜片設計所引入之聲空間分段，繞射器板84補償一半波長共振條件。此藉由以下事實來實現，繞射器板84在前膜片42上方形成一類似效應，從而允許追蹤兩個膜片之回應。繞射器板84亦有利地減小外部延遲距離D。透過對繞射器板84之稍微修改，高頻率效能修改係可能的。一般而言，該等修改干擾串聯輻射慣量以及外部延遲距離D。當繞射器板84之外部直徑增加時，與共振器孔隙83慣量串聯之輻射慣量稍微增加，從而降低共振器共振頻率。此減小高頻率回應(f 10kHz )以及稍微減小外部延遲。然而，存在半波長共振條件再度出現之一最小外部直徑。在圖3至圖7中所展示之實施例中由殼體32之一頸部分102確立之繞射器板84之高度具有一類似效應。當高度增加時，串聯輻射慣量減小且外部延遲增加。反過來亦係如此。

雙膜片動力麥克風傳感器較佳取得與前膜片42及後膜片44兩者相關聯之低輻射慣量與一最小外部延遲之間的一平衡。使用一邊界元素(BE)數值模擬工具來表徵載入根據本發明之一或多個原理設計之一樣品雙膜片麥克風傳感器實施例之膜片(無一共振器83以使得前膜片42之前表面46實質上曝露)之輻射阻抗。發現後膜片之輻射慣量幾乎恆定，如表1中所展示。模擬了多個頻率(f 1kHz )且發現由後膜片經歷之輻射慣量係由前膜片經受之輻射慣量之兩倍。由於前膜片在模擬 期間不曝露(無共振器)，因此在給定表面積之情形下其展現最低可能輻射慣量。

圖11a及圖11b係繪示自根據本發明之一或多個原理設計之一例示性樣品雙膜片麥克風傳感器實施例(無一共振器)之邊界元素模擬獲得之外部延遲D及增益因子G的曲線圖。在此等曲線圖中，增益因子G界定為20log(|P_b /P_f |)，其中P_b 係後膜片之曝露表面上方之平均壓力且P_f 係前膜片之曝露表面上方之平均壓力。

如該等曲線圖中所展示，外部延遲參數隨著頻率幾乎恆定(D0.0283m )，最終在f>5kHz處崩潰。

圖12a及圖12b係繪示在兩個源距離(r _f =0.6096m 及r _f =1.8288m )處之根據本發明之一或多個原理設計之一例示性樣品雙膜片麥克風傳感器實施例之頻率回應之曲線圖。樣品中之後膜片柔順性意欲在參考距離r _f =1.8m 處使離軸拒斥(θ=180°)最佳化。如圖中所展示，樣品在源距離r _f =1.8288m 處展現比r _f =0.6096m 處之較近接近源經改良之一LF拒斥(f 200Hz )。

如此等結果所證明，除其他外，已達成具有在一參考源接近度處控制源/接收者接近效應及離軸拒斥之一最佳手段之一單膜盒專業級單向麥克風。

本發明意欲闡釋如何製作及使用根據技術之各種實施例，而非限制其真實、既定及清楚範疇及精神。前述說明並非意欲作為窮盡性或限制於所揭示之確切形式。根據以上教示可作出修改或變化。該(等)實施例經選擇及闡述以提供對所闡述技術之原理及其實際應用之最佳說明，且使得熟習此項技術者能夠在各種實施例中且以適於所涵蓋之特定用途之各種修改來利用該技術。所有此等修改及變化(可在此專利申請案在申請中期間修正)及其所有等效內容(當根據所有此等修改及變化被清楚、合法及公正地授予之範圍解釋時)皆在由所附申請專利範圍所確定之實施例之範疇內。

32‧‧‧殼體

40‧‧‧傳感器總成

41‧‧‧磁體總成

42‧‧‧前膜片

43‧‧‧後表面

44‧‧‧後膜片

45‧‧‧後表面

46‧‧‧前表面

47‧‧‧線圈

48‧‧‧前表面

50‧‧‧腔

52‧‧‧空氣通道

61‧‧‧磁體

62‧‧‧環形底部磁體磁極片

63‧‧‧頂部磁極片

66‧‧‧前膜片座架

67‧‧‧後膜片座架

68‧‧‧孔隙

72‧‧‧聲阻

73‧‧‧聲阻

74‧‧‧第三聲阻元件/聲阻

76‧‧‧第一部分

77‧‧‧第二部分

82‧‧‧共振器

83‧‧‧共振器

84‧‧‧繞射器板

86‧‧‧孔隙/共振器孔隙/共振器

102‧‧‧頸部分

Claims (22)

1. 一種雙膜片麥克風傳感器，其包含：一殼體；及一傳感器總成，其支撐於該殼體內以接受聲波，該傳感器總成包含：一磁體總成；一前膜片，其毗鄰該磁體總成而安置且具有一前表面及一後表面，該前表面經組態以使聲波撞擊於其上，該後表面具有連接至其之一線圈以使得該線圈能夠與該磁體總成之一磁場交互作用；及一後膜片，其具有一前表面及一後表面，該後表面相對於該前膜片之該後表面而毗鄰該磁體總成相對安置，該前表面經組態以使聲波撞擊於其上；該傳感器總成界定一內部聲空間；該殼體具有建立該內部聲空間與該殼體內之一腔之間的聲連通之至少一個空氣通道，其中該腔毗鄰於該後膜片之該前表面。
2. 如請求項1之傳感器，其中該殼體進一步包含安置於該前膜片之該前表面上方之一共振器，該共振器中具有至少一個孔隙。
3. 如請求項1之傳感器，其中該殼體進一步包含自該前膜片之該前表面向外偏移且毗鄰於該前膜片之該前表面安置之一繞射器板。
4. 如請求項1之傳感器，其中該前膜片包含一中心圓頂部分及一外部柔順環部分。
5. 如請求項4之傳感器，其中該前膜片之該柔順環部分具有具有一 可變曲率半徑之一剖面輪廓。
6. 如請求項1之傳感器，其中該後膜片包含一中心圓頂部分及一外部柔順環部分。
7. 如請求項6之傳感器，其中該後膜片之該柔順環部分具有具有一可變曲率半徑之一剖面輪廓。
8. 如請求項1之傳感器，其中該前膜片及該後膜片各自包含一中心圓頂部分及一外部柔順環部分，且其中該後膜片之該中心圓頂部分比該前膜片之該中心圓頂部分小。
9. 一種雙膜片麥克風傳感器，其包含：一殼體，其具有一共振器，該共振器具有至少一個孔隙以允許來自一聲源之聲波從中通過；及一傳感器總成，其支撐於該殼體內以接受該等聲波，該傳感器總成包含：一磁體總成；一前膜片，其毗鄰該磁體總成而安置且具有一前表面及一後表面，該前表面毗鄰該殼體之該共振器而安置，該後表面具有連接至其之一線圈以使得該線圈能夠與該磁體總成之一磁場交互作用；及一後膜片，其具有一前表面及一後表面，該後表面毗鄰於該磁體總成且面向該磁體總成而安置；該殼體具有建立該前膜片後面之一空間與該殼體中之一腔之間的聲連通之至少一個空氣通道，其中該腔毗鄰於該後膜片之該前表面。
10. 如請求項9之傳感器，其中該殼體進一步包含自該前膜片之該前表面向外偏移且毗鄰於該前膜片之該前表面安置之一繞射器板。
11. 如請求項9之傳感器，其中該前膜片包含一中心圓頂部分及一外部柔順環部分。
12. 如請求項11之傳感器，其中該前膜片之該柔順環部分具有具有一可變曲率半徑之一剖面輪廓。
13. 如請求項9之傳感器，其中該後膜片包含一中心圓頂部分及一外部柔順環部分。
14. 如請求項13之傳感器，其中該後膜片之該柔順環部分具有具有一可變曲率半徑之一剖面輪廓。
15. 如請求項9之傳感器，其中該殼體中之該腔經由一聲阻元件分離成兩個部分。
16. 一種雙膜片麥克風傳感器，其包含：一殼體，其具有一前部分及一後部分，該前部分具有一共振器，該共振器具有至少一個孔隙以允許來自一聲源之聲波從中通過，該後部分具有在其中形成之一腔；及一傳感器總成，其支撐於該殼體內以接受該等聲波，該傳感器總成包含：一磁體總成；一前膜片，其毗鄰該磁體總成而安置且具有一前表面及一後表面，該前表面毗鄰該殼體之該共振器而安置，該後表面具有連接至其之一線圈以使得該線圈能夠與該磁體總成之一磁場交互作用；及一後膜片，其具有一前表面及一後表面，該後表面毗鄰於該磁體總成且面向該磁體總成而安置；該殼體具有建立該前膜片後面之一空間與該殼體之該後部分內之該腔之間的聲連通之至少一個空氣通道，其中該腔毗鄰於該後膜片之該前表面。
17. 如請求項16之傳感器，其中該殼體之該前部分進一步包含自該共振器向外偏移且毗鄰於該共振器之一繞射器板。
18. 如請求項16之傳感器，其中該前膜片具有包含一中心圓頂部分及一外部柔順環部分之一盤樣形狀。
19. 如請求項18之傳感器，其中該前膜片之該柔順環部分具有具有一可變曲率半徑之一剖面輪廓。
20. 如請求項16之傳感器，其中該後膜片具有包含一中心圓頂部分及一外部柔順環部分之一盤樣形狀。
21. 如請求項20之傳感器，其中該後膜片之該柔順環部分具有具有一可變曲率半徑之一剖面輪廓。
22. 如請求項16之傳感器，其中該殼體之該後部分中之該腔經由一聲阻元件分離成兩個部分。