TWI508330B - 用於固態轉換器之晶圓級封裝及相關系統及方法 - Google Patents

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Description

用於固態轉換器之晶圓級封裝及相關系統及方法
本發明技術係關於一種固態轉換器及製造固態轉換器之方法。特定而言，本發明技術係關於一種用於固態轉換器之晶圓級封裝及相關系統及方法。
行動電話、個人數位助理(「PDA」)、數位相機、MP3播放器及其他電子裝置利用發光二極體(「LED」)、有機發光二極體(「OLED」)、聚合物發光二極體(「PLED」)及用於背光之其他固態轉換器裝置。固態轉換器裝置亦可用於標識、室內照明、戶外照明及其他類型之一般照明。圖1顯示具有垂直接點之習知LED裝置10之橫截面視圖。LED裝置10包括承載LED結構12之支撐基板20，LED結構12具有置於N型氮化鎵(「N-GaN」)16與P型氮化鎵(「P-GaN」)18之間之活性區域14(例如，含有氮化鎵/氮化銦鎵(GaN/InGaN)之多量子阱(「MQW」))。LED裝置10亦包括在P型GaN 18上之第一接點22及在N型GaN16上之與第一接點22相對之第二接點24。圖1中另外顯示，LED裝置10亦包括彼此疊加置於LED結構12上之轉換器材料26及封裝材料28。在操作時，LED結構12可發射刺激轉換器材料26(例如，磷光體)之第一發射(例如藍光)，以發射第二發射(例如，黃光)。該第一與第二發射之組合可產生所需顏色之光(例如，白光)。
LED結構12可在包括若干個別LED晶粒之半導體晶圓上 形成。在習知製造製程期間，可切割晶圓以分隔LED晶粒，且隨後封裝及測試個別LED晶粒。例如可從晶圓級LED結構切割LED結構12且將其附著於支撐基板20。隨後可在該個別化LED結構12之前面上形成轉換器材料26及封裝材料28。
與此習知LED封裝相關之一挑戰係在個別化晶粒上形成轉換器材料26及封裝材料28要求精確處理，其增加製造時間及導致增加之封裝成本。另一問題係將各LED晶粒安裝至單獨的支撐基板亦耗時且要求更多精確處理。此外，LED裝置一般產生大量熱量，且LED結構與下層支撐基板之間之不同熱膨脹係數可導致該兩者之間之層離或對經封裝裝置之其他損壞。
以下描述用於固態轉換器(「SST」)之晶圓級封裝及相關系統及方法之若干實施例之具體細節。術語「SST」一般係指固態裝置，其包括作為活性介質之半導體材料以將電能轉化為在可見光、紫外光、紅外光及/或其他光譜中之電磁輻射。例如，SST裝置包括固態發光器(例如LED、雷射二極體等)及/或發射之其他來源而非電燈絲、電漿或氣體。術語SST亦可包括將電磁輻射轉化為電力之固態裝置。此外，根據使用其之內容，術語「基板」可係指晶圓級基板或個別化裝置級基板。熟習相關技術者亦瞭解本技術可具有其他實施例，且在無以下參考圖2A至5所描述之實施例之若干細節下可實踐本技術。
圖2A係根據本發明技術之一實施例之具有複數個SST 202(分別作為第一至第六SST 202a至f而單獨識別)之晶圓級組合件200(「組合件200」)之一部分之俯視平面示意圖，且圖2B係沿著圖2A之線2B-2B所取之組合件200之橫截面示意圖。如圖2B所示，組合件200可包括依序放置在彼此之上之支撐基板204、轉換器結構206、離散轉換器元件208及離散覆蓋元件210。轉換器元件208及覆蓋元件210可限定光學元件。例如，覆蓋元件210可為透鏡。在若干實例中，各轉換器元件208及相應之覆蓋元件210可組合為單一整合轉換器/覆蓋元件。在其他實施例中，各覆蓋元件210可放置在多個SST 202上，一個覆蓋元件210可放置在整個晶圓級組合件200上或可略去覆蓋元件210。同樣，轉換器元件208可置於多於一個SST 202上或其可略去其。該組合件200亦可包括與切割道218-218對齊之複數個分隔物222以劃分個別SST 202。為了清晰，覆蓋元件210未顯示於圖2A中，使得組合件200之下層特徵係可見的。
組合件200之支撐基板204可由足夠厚以支撐轉換器結構206及限制支撐基板204之彎曲量之金屬製成。例如，支撐基板204可由具有介於約50 μm與300 μm之間之厚度之銅製成。在其他實施例中，支撐基板204可由其他金屬材料(例如金、鋁等)製成及/或具有不同之厚度。在若干實施例中，金屬支撐基板204可經配置以具有大體上與轉換器結構206類似之熱膨脹係數以降低介於該二者之間之層離之可能性。此外，金屬支撐基板204可發揮作為散熱器之功 用以降低SST 202之操作溫度。在其他實施例中，支撐基板204可由矽、藍寶石及/或其他非金屬材料製成。
如圖2B所示，轉換器結構206可包括彼此依序堆疊之第一半導體材料223、活性區域224及第二半導體材料226。第一半導體材料223可為經摻雜之半導體材料，例如，離轉換器結構206之第一表面216a最近且與對應於個別SST 202之複數個第一接點212電耦合之P型半導體材料(例如P-GaN)。第二半導體材料226可為經摻雜之半導體材料，例如，離轉換器結構206之第二表面216b最近及與對應於個別SST 202之第二接點214電耦合之N型半導體材料(例如N-GaN)。此組態係適用於在例如矽或多晶氮化鋁之生長基板上形成且隨後在被附著於支撐基板204後從此等生長基板移除之轉換器結構。在其他實施例中，如當轉換器結構206係在藍寶石生長基板上形成時，半導體材料(即，P-GaN及N-GaN)之經摻雜區域係可逆的。介於第一與第二半導體材料223與226之間之活性區域224可包括單量子阱(「SQW」)、MQW及/或單晶粒半導體材料(例如，InGaN)。在其他實施例中，轉換器結構206可包括其他適宜之半導體材料，例如砷化鎵(GaAs)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)等及/或其他半導體材料。
在若干實施例中，在轉換器結構206之第一表面216a上之第一接點212可包括反射材料以重定向經由轉換器結構206返回向著第二表面216b之發射(例如光)。例如，第一接點212可包括銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鎢(W)及/ 或其他適宜之反射材料。在其他實施例中，第一接點212可由非反射材料製成且單獨的反射元件可放置在轉換器結構206之第一表面216a上以重定向向著第二表面216b之發射。在其他實施例中，SST 202不包括反射元件。
參考圖2A，第二接點214可各包括藉由一或多個橫向構件223彼此連接及與一或多個電流路由器225耦合之複數個指針221。此組態加強SST 202之電流傳播。電流路由器225可放置在轉換器元件208及覆蓋元件210之外部以允許隨後之電連接(例如，藉由焊線接合、焊料凸塊等)。指針221及/或橫向構件223可個別地包括如圖2A顯示之細長結構及/或其他適宜之結構。在其他實施例中，第二接點214可具有其他適宜之組態。在若干實施例中，第二接點214可由銅(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)及/或其他適宜之導電金屬製成。在其他實施例中，第二接點214可為由氧化銦錫(「ITO」)、氧化鋁鋅(「AZO」)、氟摻雜之氧化錫(「FTO」)及/或其他實質上透明及導電之氧化物構成之透明電極。
轉換器元件208可在第二接點214及轉換器結構206之第二表面216b上形成，使得從轉換器結構206之發射(例如光)照射轉換器元件208。經照射之轉換器元件208可發射特定品質(例如，顏色、暖度、強度等)之光。因此，轉換器元件208可包括含有特定濃度之經摻雜之釔鋁石榴石(YAG)(例如鈰(III))之磷光體，以發射一定範圍之在光致發光下之顏色。在其他實施例中，轉換器元件208可包括矽 酸鹽磷光體、硝酸鹽磷光體、鋁酸鹽磷光體及/或其他適宜波長轉換材料。轉換器元件208具有如圖2B所顯示之大體上矩形之橫截面形狀或具有其他適宜之橫截面形狀(例如橢圓、不規則形等)。
再參考圖2B，覆蓋元件210可放置在轉換器元件208上且傳輸由轉換器結構206及/或轉換器元件208產生之發射。在所說明之實施例中，覆蓋元件210在各SST 202上形成為之大體上半球形的透鏡。在其他實施例中，覆蓋元件210可形成為具有不同形狀之透鏡以準直、散射及/或以其他方式繞射光或來自轉換器結構206及轉換器元件208之其他發射。
覆蓋元件210可包括由矽、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、樹脂或其他適宜之傳輸材料製成之傳輸材料。在經選擇之實施例中，覆蓋元件210包括另一轉換器元件(未顯示)，其發射與離轉換器結構206最近之轉換器元件208不同之頻率之光。
在圖2B中顯示之分隔物222由延伸通過轉換器結構206且突出超過轉換器結構206之第二表面216b之突起物220所定義。例如，在經選擇之實施例中，突起物220可從轉換器結構206之第一表面216a延伸至超過覆蓋元件210且具有介於約10 μm與約30 μm之間之高度。在其他實施例中，突起物220可具有更大或更小之高度及/或組合件200的高度可變化。此外，突起物220之形狀可不同於圖2A和2B中所示之彼等。在所述實施例中，例如，突起物220具有大體上V 形之橫截面(圖2B)且在個別SST 202周圍形成邊界(圖2A)。在個別SST 202周圍之邊界可為矩形、圓形、橢圓、六角形、不規則形及/或任何其他適宜之形狀。在其他實施例中，突起物220可具有其他適宜之橫截面形狀。
如圖2B所示，各突起物220可包括一或多種材料。在所述實施例中，例如，突起物220包括最外之介電絕緣體228、障壁材料230(例如WTi、Ta、TaN)、可選之晶種材料232(例如Cu、Ni)及部分支撐基板204。在經選擇之實施例中，介電絕緣體228可為由氧化矽(SiO2 )或其他適宜之材料製成之氧化物鈍化層，其使對應於個別SST 220之轉換器結構206之部分彼此電絕緣。在其他實施例中，突起物220可包括其他材料及/或可略去圖2B中顯示之某些材料。
突起物220可提供介於個別SST 202之間之障壁，其允許在其上無溢流或以其他方式接觸相鄰SST 202下，在個別SST 202上形成離散轉換器元件208及離散覆蓋元件210。此外，在經選擇之實施例中，基於所需性能參數(例如顏色、強度等)，可在個別SST 202上形成不同轉換器元件208及/或覆蓋元件210。因此，可以晶圓級完全封裝SST 202且隨後測試，再切割，從而在封裝及測試期間無需經切割之SST 202之精確處理。此外，如圖2A所示，突起物220可劃分介於個別SST 202之間之切割圖案且因此用作在切割期間的引導。
圖3A至3H說明一種根據本發明技術之一實施例之形成圖2A及2B之SST 202之一實施例之方法。圖3A顯示已在生 長基板334上形成轉換器結構206之後的製程之一階段。生長基板334可由矽、多晶型氮化鋁、藍寶石及/或其他適宜之材料製成。轉換器結構206可藉由金屬有機化學氣相沉積(「MOCVD」)、分子束磊晶法(「MBE」)、液相磊晶法(「LPE」)及/或氫化物氣相磊晶法(「HVPE」)而形成。在其他實施例中，至少一部分轉換器結構206可使用其他適宜之磊晶生長技術而形成。
此外，如圖3A所示，複數個溝槽338可經由轉換器結構206而形成以將轉換器結構206分開成臺面336。臺面336可限定隨後形成之SST 202(圖3F)之橫向尺寸，且溝槽338可具有對應於隨後形成之突起物220(圖3D)之形狀及尺寸的尺寸及形狀。例如。如圖3A所示，溝槽338可具有大體上V形的橫截面，其具有從轉換器結構206之第一表面216a延伸入部分生長基板334之側壁334。可藉由在臺面336上方之區域上放置遮罩(未顯示)且經由曝露之部分轉換器結構206及生長基板334蝕刻(例如濕蝕刻、乾蝕刻等)，來形成溝槽338。在其他實施例中，可使用其他適宜之移除方法，來形成溝槽338。在其他實施例中，可在轉換器結構206之第一表面216a上形成第一接點212(圖3B)後，形成溝槽338，使得溝槽338之側壁334延伸通過第一接點212、轉換器結構206及部分生長基板334。
圖3B說明在轉換器結構206之第一表面216a上形成第一接點212、分隔物222及支撐基板204後之製程之一階段。一或多種材料可部分或完全填充溝槽338以形成分隔物 222。在圖3B顯示之實施例中，例如，介電絕緣體228係沿著溝槽338之側壁344形成，第一接點212係在臺面336上形成，且障壁及晶種材料230及232隨後在介電絕緣體228及第一接點212上形成。可使用化學氣相沉積(「CVD」)、物理氣相沉積(「PVD」)、自動層沉積(「ALD」)、旋塗、圖案化及/或在半導體製造技術中已知之其他適宜之技術，形成各材料。介電絕緣體228可藉由沉積共形介電質及隨後使用蝕刻或化學-機制方法從臺面336移除部分介電質而形成。在其他實施例中，介電絕緣體228可藉由在臺面336上放置遮罩且在溝槽338中沉積介電質及/或使用其他適宜之形成技術而形成。在其他實施例中，可添加其他材料及/或可略去一或多種材料。例如，溝槽338可完全由代替共形介電質之介電材料填充。
在其他實施例中，第一接點212可完全覆蓋臺面336及介電絕緣體228。當介電絕緣體228係由實質上透明之材料(例如氧化矽、氮化矽等)製成且第一接點212係由反射材料(例如銀、金等)製成時可使用此構造，使得第一接點212可再定向經由介電絕緣體228及轉換器結構206返回的發射。
如果支撐基板204由金屬製成，可在其上電鍍晶種材料232。電鍍在轉換器結構206之第一側面216a上的金屬基板204可無需熱壓縮與金屬化合物間之黏合，且因為支撐基板204抑制支撐基板204之彎曲，所以確保組合件200具有更大之尺寸。在若干實施例中，例如，在未取消彎曲時，組合件200可具有至少四英寸之尺寸，且在多種情況下， 介於六與八英寸之間之尺寸。在其他實施例中，支撐基板204可包括非金屬材料及/或使用其他適宜之方法將其附著於組合件200。
圖3C說明在倒置組合件200且將載體基板340附著於支撐基板204後之製程之另一階段。載體基板340可由矽及/或可支撐組合件200之其他適宜基板材料製成。例如，載體基板340提供可減少或防止製造中晶圓之彎曲之暫時平臺。因此可用暫時黏合劑342(例如來自Rolla,MO的Brewer Science,Inc.之WaferBONDTM HT-10.10)，將載體基板340附著於支撐基板204，黏合劑342可將基板204及340二者黏合在一起供後續處理，且隨後，在切割SST 202之前或之後，操作其以分隔基板204及340。在其他實施例中，在處理期間可略去載體基板240。
圖3D說明在已從組合件200移除生長基板334之後之製程之後續階段。如圖3D顯示，可移除生長基板334使得至少部分個別分隔物222殘留。因此，分隔物222突出超過轉換器結構206之第二側面216b以形成突起物220。可藉由後研磨、蝕刻及/或其他適宜之移除方法移除生長基板334。例如，移除生長基板334可包括後研磨生長基板334至分隔物222之末端，且從轉換器結構206之側壁334及第二表面216b蝕刻除去殘留之部分生長基板334。
圖3E顯示已在轉換器結構206之第二表面216b上形成第二接點214、轉換器元件208及覆蓋元件210之後之製程之另一階段。可使用CVD、ALD、PVD、圖案化及/或其他適 宜之形成技術，形成第二接點214。可視情況，在形成第二接點214之前，使第二表面216b變粗糙。在經選擇之實施例中，如圖2A顯示之實施例，第二接點214可包括互連之指針221、橫構件223及電流路由器225以加強電流傳播。在其他實施例中，第二接點214可具有不同之結構。
可使用油墨噴射技術、旋塗及圖案化、CVD、PVD及/或其他適宜之沉積技術，在轉換器結構206之第二表面216b上形成轉換器元件208及覆蓋元件210。在其他實施例中，覆蓋元件210可預形成為透鏡，其隨後附著在個別SST 202上。在此封裝期間，突起物220可提供介於SST 202之間之障壁，其允許在無轉換器元件208及覆蓋元件210散播至或以其他方式接觸鄰近之SST 202下，在個別SST 202之上形成轉換器元件208及覆蓋元件210之離散部分。此能夠在相鄰SST 202上選擇性沉積不同轉換器元件208及/或不同覆蓋元件210。
圖3F及3G說明在已移除載體基板340，及已沿著切割道218-218切割組合件200後之製程之另一階段。可藉由後研磨、蝕刻、剝離及/或其他適宜之移除技術，移除載體基板340。當使用加熱從支撐基板204剝離載體基板340時，可在剝離載體基板340後形成覆蓋元件210。
在移除載體基板340之前或之後，組合件200可進行個別SST 202之峰值波長測試及/或性能參數(例如強度)之測試。可在經部分或完全封裝之SST 202上進行此晶圓級測試，使得在被稱為「分級」之製程中，根據經預測定之測 試限制將其預分類。例如，在沉積轉換器元件208之前，組合件200亦可經歷λ(lambda)測試。因此，隨後可因此選擇針對個別SST 202之轉換器元件208，以在整個組合件200中產生大體上均一之顏色且因此簡化分級。SST 202之晶圓級測試亦要求較測試經切割之SST 202之更少的精確處理。
切割道218-218係與分隔物222對準。如圖3G所示，沿著切割道218-218之切割會形成具有由分隔物222所界定之外圍部分346之SST 202，其接界轉換器結構206、轉換器元件208及覆蓋元件210。在其他實施例中，在切割或隨後之移除製程期間，可從SST 202移除分隔物222。在切割後，經封裝之SST 202已在備用狀態或因此可即刻併入用於背光、一般照明及/或以紫外光、可見光、紅外光及/或其他光譜之其他發射之裝置。在操作期間，金屬支撐基板204可加強SST 202之熱效能。
圖4A至4C係根據本發明技術之其他實施例之晶圓級組合件400A至C(「組合件400A至C」)之橫截面示意圖。組合件400A至C之若干特徵大體上類似於以上參考圖2A至3G所描述之組合件200之特徵。例如，組合件400A至C包括支撐基板204、轉換器結構206、轉換器元件208及覆蓋元件210。然而，在圖4A所說明之實施例中，轉換器元件208與覆蓋元件210組合為在各SST 202上之單一光學元件。此外，如圖4A至4C所示，而非上述之V形突起物220，組合件400A至C包括在圖4A至4C中中分別具有矩形、梯形及橢 圓形橫截面之突起物220。然而，沒有一種類型之裝置限制於突起物220之特定形狀。在其他實施例中，突起物220亦可包括其他適宜之橫截面形狀。如圖4A至4C所示，突起物220延伸超過轉換器結構206之第二表面216b且限定劃分個別SST 202之分隔物222。如上所述，突起物220可利於SST 202之晶圓級之封裝及測試。
以上參考圖2A至4C所述之任一個經封裝之SST可併入無數種更大及/或更複雜之系統之任一種，其代表性實例係圖5圖示之系統500。系統500可包括SST裝置510、電源520、驅動器530、處理器540及/或其他子系統或組件550。所得之系統500可進行多種功能之任一種，例如背光、一般照明、發電、感測器及/或其他功能。因此，代表性系統500可包括但不限於手持式裝置(例如蜂巢式或行動電話、輸入板、數位閱讀器及數位音訊播放器)、雷射、光伏打電池、遙控、電腦及電器(例如冰箱)。系統500之組件可封裝在單一單元內或在多個互連單元上分佈(例如經由通信網路)。系統500之組件亦可包括局部/遠程記憶儲存裝置及多種電腦可讀媒體之任一者。
就上述而言，應瞭解，出於說明之目的，本文已描述本發明技術之特定實施例，但是在不偏離本發明下可作出多種修改。例如雖然在該等圖中僅顯示一個轉換器元件208，但是在其他實施例中，組合件200及400A至C及/或個別SST 202可包括兩個、三個、四個或任意其他適宜數量之具有不同發射中心波長及/或其他特徵之轉換器元件。 此外，以上參考圖3A至3G所述之形成SST之方法包括在形成第一接點之前形成溝槽338。在其他實施例中，可在轉換器結構206上形成第一接點212，且隨後可經由第一接點212、轉換器結構206及部分生長基板334，形成溝槽338。在特定實施例之內容中所描述之新穎技術之某些態樣可在其他實施例中組合或除去。例如，根據本技術之一實施例之組合件可包括變化之形狀之突起物220，此作為代替圖2B至3G顯示之V形突起物及圖4C顯示之橢圓形突起物。此外，雖然已在彼等實施例之內容中描述與新穎技術之某些實施例相關之優勢，但是其他實施例亦可顯示此優勢，且並非全部實施例一定需要顯示屬於本技術之範圍內之此等優勢。因此，本發明及相關技術可涵蓋未在本文中明確顯示或描述之其他實施例。
10‧‧‧LED裝置
12‧‧‧LED結構
14‧‧‧活性區域
16‧‧‧N-GaN
18‧‧‧P-GaN
20‧‧‧支撐基板
22‧‧‧第一接點
24‧‧‧第二接點
26‧‧‧轉換器材料
28‧‧‧封裝材料
200‧‧‧組合件
202a‧‧‧第一固態轉換器
202b‧‧‧第二固態轉換器
202c‧‧‧第三固態轉換器
202d‧‧‧第四固態轉換器
202e‧‧‧第五固態轉換器
202f‧‧‧第六固態轉換器
204‧‧‧支撐基板
206‧‧‧轉換器結構
208‧‧‧轉換器元件
210‧‧‧覆蓋元件
212‧‧‧第一接點
214‧‧‧第二接點
216a‧‧‧轉換器結構206之第一表面
216b‧‧‧轉換器結構206之第二表面
218‧‧‧切割道
220‧‧‧突起物
221‧‧‧指針
222‧‧‧分隔物
223‧‧‧第一半導體材料
224‧‧‧活性區域
225‧‧‧電流路由器
226‧‧‧第二半導體材料
228‧‧‧介電絕緣體
230‧‧‧障壁
232‧‧‧晶種材料
334‧‧‧生長基板
336‧‧‧臺面
338‧‧‧溝槽
340‧‧‧載體基板
342‧‧‧黏合劑
344‧‧‧側壁
346‧‧‧外圍部分
400A‧‧‧晶圓級組合件
400B‧‧‧晶圓級組合件
400C‧‧‧晶圓級組合件
500‧‧‧系統
510‧‧‧固態轉換器裝置
520‧‧‧電源
530‧‧‧驅動器
540‧‧‧處理器
550‧‧‧其他子系統
圖1係根據先前技術之LED裝置之橫截面示意圖。
圖2A係根據本發明技術之一實施例之具有複數個固態轉換器晶粒之晶圓級組合件之一部分的俯視平面示意圖。
圖2B係實質上沿著線2B-2B所視之圖2A之晶圓級組合件之橫截面示意圖。
圖3A至3G係一種根據本發明技術之一實施例製造固態轉換器之方法之橫截面示意圖。
圖4A至4C係根據本發明技術之其他實施例之具有複數個固態轉換器晶粒之晶圓級組合件之橫截面示意圖。
圖5係一種併入根據本發明技術之實施例之經封裝之固 態轉換器裝置之系統之示意圖。

Claims (42)

  1. 一種形成固態轉換器(SST)之方法，該方法包括：在生長基板上形成轉換器結構，該轉換器結構具有與第二表面相對之第一表面，其中該第二表面離該生長基板最近；形成延伸通過該轉換器結構及至少部分通過該生長基板之複數個溝槽；於該等溝槽中依序沈積介電絕緣體及金屬材料，以在該等溝槽中形成劃分個別SST之分隔物；在該轉換器結構之第一表面及該等分隔物上形成支撐基板；及從該轉換器結構之第二表面移除該生長基板但不曝露出金屬材料，使得該等分隔物之至少一部分得以保留，該等分隔物形成延伸超過該轉換器結構之第二表面之複數個突起物，其中個別突起物包含該介電絕緣體之一部分，且其中該介電絕緣體之該部分覆蓋金屬材料並延伸超過該金屬材料及該轉換器結構之第二表面，其中該生長基板之移除包括：將該生長基板平坦化以曝露出個別分隔物，及蝕刻該生長基板以進一步曝露出個別分隔物。
  2. 如請求項1之方法，其中：形成該支撐基板包括在金屬材料上電鍍金屬基板，該金屬基板部分延伸至該等溝槽中。
  3. 如請求項2之方法，其另外包括： 在形成該支撐基板之前，在該轉換器結構之第一表面上形成第一接點；在移除該生長基板之後，在該轉換器結構之第二表面上形成第二接點；在該轉換器結構之第二表面及該等第二接點上形成轉換器元件，其中個別轉換器元件係由該等突起物分隔；及沿著對準該等突起物之線切割以分隔該等個別SST。
  4. 如請求項1之方法，其另外包括在該轉換器結構之第一表面上形成轉換器元件，該等轉換器元件之部分係由該等突起物分隔。
  5. 如請求項1之方法，其另外包括：測量該等個別SST之波長；及根據所測量之個別SST之波長選擇各SST之轉換器元件，其中該等SST與該等所選擇之轉換器元件經配置以在該等複數個SST中產生大體上均勻之顏色。
  6. 如請求項1之方法，其另外包括在該轉換器結構之第一表面上形成覆蓋元件，其中該等突起物分隔個別覆蓋元件。
  7. 如請求項6之方法，其中形成該等覆蓋元件包括在該等個別SST上放置透鏡。
  8. 如請求項1之方法，其另外包括：在該轉換器結構之第二表面上形成轉換器元件，其中個別轉換器元件係由該等突起物分隔；及在該等轉換器元件上形成覆蓋元件，其中個別覆蓋元 件係由該等突起物分隔。
  9. 如請求項1之方法，其另外包括：在切割該等SST前測試個別SST；及沿著切割道切割該等SST，其中該等切割道係對準該等突起物。
  10. 如請求項1之方法，其中該等SST經配置以在紫外光譜、可見光譜及紅外光譜中之至少一者下發射電磁輻射。
  11. 如請求項1之方法，其另外包括在移除該生長基板之前，將載體基板暫時黏合至該支撐基板。
  12. 如請求項1之方法，其進一步包含：量測個別SST之波長；及根據所測得之各SST波長選擇轉換器元件，其中至少一所選擇之轉換器元件與其相鄰之轉換器元件不同。
  13. 如請求項1之方法，其中將該生長基板從該轉換器結構第二表面之移除進一步包含自該等分隔物之側壁移除該生長基板，以形成延伸超過該轉換器結構第二表面之複數突起物。
  14. 如請求項1之方法，其進一步包含以轉換器材料及/或覆蓋材料至少部分填充位於該轉換器結構及該轉換器結構相對側之該個別突起物間的體積，但不使該轉換器材料及/或覆蓋材料溢至相鄰轉換器結構上，其中該轉換器材料及/或覆蓋材料覆蓋該轉換器結構之至少一部分，並覆蓋該轉換器材料相對側之個別突起物的之至少一部分。
  15. 一種形成固態轉換器(SST)之方法，該方法包括： 形成具有第一表面及與該第一表面相對之第二表面之轉換器結構；形成延伸通過該轉換器結構之複數個分隔物，其中該等分隔物至少從該轉換器結構之第一表面延伸且突出超過該第二表面且進入下層生長基板，其中個別分隔物包括金屬材料及介於該金屬材料與該下層生長基板之介電材料，且其中該等分隔物劃分個別SST；將該生長基板平坦化，以曝露出延伸超過該轉換器結構第二表面之該介電材料的至少一部分；於該生長基板平坦化後，蝕刻該生長基板以進一步曝露出該介電材料；在該轉換器結構之第一表面上形成支撐基板；測量各SST之性能參數；在該轉換器結構之第二表面上形成離散光學元件，其中該等分隔物形成介於該等離散光學元件之間之障壁，且其中各光學元件係根據其對應之SST所測得之性能參數選擇；且沿著該等分隔物切割該等SST。
  16. 如請求項15之方法，其中形成該等離散光學元件包括在該轉換器結構之第二表面上形成離散轉換器元件，其中該等分隔物形成介於該等離散轉換器元件之間之障壁。
  17. 如請求項15之方法，其中形成該等離散光學元件包括在該轉換器結構之第二表面上形成離散覆蓋元件，其中該 等分隔物形成介於該等離散覆蓋元件之間之障壁。
  18. 如請求項15之方法，其中形成該複數個分隔物包括：在該轉換器結構之第一表面上形成複數個溝槽，其中該等溝槽具有至少從該轉換器結構之第一表面延伸超過該第二表面且進入該下層生長基板中之側壁；及將該介電絕緣體及該金屬材料依序沉積於該等溝槽內，其中該金屬材料包括障壁材料及晶種材料中之至少一者，其中該生長基板之蝕刻包含從該轉換器結構之第二表面及從該等側壁移除該生長基板以在該轉換器結構之第二表面上形成突起物。
  19. 如請求項18之方法，其中形成該等溝槽另外包括將部分該支撐基板電鍍上晶種材料。
  20. 如請求項15之方法，其中：該等個別SST性能參數之量測包括在形成該等光學元件之前測量個別SST之波長；及該方法另外包括根據所對應之SST測得之波長選擇針對各SST之光學元件。
  21. 如請求項15之方法，其中形成該支撐基板包括在該轉換器結構之第一表面上電鍍金屬基板，其中該金屬基板具有介於約50μm與約300μm之間之厚度。
  22. 如請求項15之方法，其中該等SST經配置以在紫外光譜、可見光譜及紅外光譜中之至少一者下發射電磁輻射。
  23. 如請求項15之方法，其中該離散光學元件於該轉換器結構之第二表面上之形成，包含根據各SST測得之性能參數差異，針對個別SST選擇不同之光學元件。
  24. 一種固態轉換器(SST)組合件，其包括：複數個SST，其中個別SST包括依序堆疊之支撐基板、第一接點、轉換器結構及第二接點，且其中該轉換器結構具有離該支撐基板最近之第一表面及與該第一表面相對之第二表面；劃分該等個別SST之複數個分隔物，其中該等分隔物從該轉換器結構之第一表面突出超過該第二表面；及在該轉換器結構之第二表面上之複數個離散光學元件，其中各離散光學元件包含具有最上層表面之覆蓋元件，其中該等分隔物形成介於該等離散光學元件之間之障壁，且其中各分隔物突出超過其所對應之離散光學元件之覆蓋元件最上表面。
  25. 如請求項24之SST組合件，其中該等分隔物包括離該轉換器結構最近之介電絕緣體及至少一種金屬材料。
  26. 如請求項24之SST組合件，其中該支撐基板包括經電鍍之金屬基板。
  27. 如請求項26之SST組合件，其中該經電鍍之金屬基板形成該等分隔物之一部分。
  28. 如請求項26之SST組合件，其中該經電鍍之金屬基板具有介於約50μm與約300μm之間之厚度。
  29. 如請求項24之SST組合件，其中各離散光學元件進一步 包括介於其所對應分隔物及該離散覆蓋元件間之離散轉換器元件。
  30. 如請求項24之SST組合件，其中該等分隔物係對準切割道。
  31. 如請求項24之SST組合件，其中該等SST經配置以在紫外光譜、可見光譜及紅外光譜中之至少一者下發射電磁輻射。
  32. 一種固態轉換器(SST)，其包括：具有與第二表面相對之第一表面之轉換器結構；在該第一表面上之支撐基板；在該轉換器結構之外圍附近之突起物，該等突起物在該轉換器結構之第二表面之上延伸；及在該轉換器結構之第二表面上之光學元件，該光學元件包含覆蓋元件及介於覆蓋元件與轉換器結構之轉換元件，該覆蓋元件包含位於該轉換器元件相對面之經曝露表面，其中該突起物延伸超過該覆蓋元件之經曝露表面。
  33. 如請求項32之SST，其中該支撐基板包括經電鍍之金屬基板。
  34. 如請求項33之SST，其中該經電鍍之金屬基板限定該突起物之一部分。
  35. 如請求項32之SST，其中該SST經配置以在紫外光譜、可見光譜及紅外光譜中之至少一者下發射電磁輻射。
  36. 如請求項32之SST，其中該光學元件包括限定在該突起 物內之轉換器元件及覆蓋元件中之至少一者。
  37. 一種形成固態轉換器(SST)之方法，該方法包括：於生長基板上形成轉換器結構，該轉換器結構具有與第二表面相對之第一表面，其中該第二表面離該生長基板最近；形成延伸通過該轉換器結構及至少部分通過該生長基板之複數個溝槽；於該等溝槽中依序沈積介電絕緣體及金屬材料，以在該等溝槽中形成劃分個別SST之分隔物；在該轉換器結構之第一表面及該等分隔物上形成支撐基板；及從該轉換器結構之第二表面移除該生長基板，但不曝露金屬材料並使得該等分隔物之至少一部分得以保留，該等分隔物形成延伸超過該轉換器結構之第二表面之複數個突起物，其中個別突起物包含該介電絕緣體之一部分，且其中該介電絕緣體之該部分覆蓋金屬材料並延伸超過該金屬材料及該轉換器結構之第二表面，其中該生長基板之移除包括：將該生長基板平坦化以至少部分曝露出該介電絕緣體之該部分，及蝕刻該生長基板以進一步曝露出該介電絕緣層之該部分。
  38. 一種形成固態轉換器(SST)之方法，該方法包括：於生長基板上形成轉換器結構，該轉換器結構具有與 第二表面相對之第一表面，其中該第二表面離該生長基板最近；形成延伸通過該轉換器結構及至少部分通過該生長基板之複數個溝槽；於該等溝槽中形成劃分個別SST之分隔物；在該轉換器結構之第一表面及該等分隔物上形成支撐基板；將該生長基板平坦化以至少部分曝露出該等分隔物；及於該生長基板平坦化之後，蝕刻該生長基板以進一步曝露出該等分隔物，以使個別分隔物延伸超過該轉換器結構之第二表面。
  39. 如請求項38之方法，其中該生長基板之平坦化包含後研磨該生長基板。
  40. 如請求項38之方法，其中該生長基板之蝕刻包括自該轉換器結構之第二表面移除生長基板之材料。
  41. 如請求項38之方法，其中該生長基板之蝕刻包括自該等分隔物之側壁移除生長基板之材料。
  42. 如請求項38之方法，其中該分隔物各包含介電材料及下層金屬材料，其中該生長基板之蝕刻包含使該等分隔物之該介電材料曝露出。
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