TWI506829B - Chip module structure assembly - Google Patents

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TWI506829B
TWI506829B TW097149857A TW97149857A TWI506829B TW I506829 B TWI506829 B TW I506829B TW 097149857 A TW097149857 A TW 097149857A TW 97149857 A TW97149857 A TW 97149857A TW I506829 B TWI506829 B TW I506829B
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Taiwan Electronic Packaging Co Ltd
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating

Description

晶片模組結構總成
本發明係與晶片模組有關，特別是關於一種晶片模組結構總成。
請參閱第十一圖，習知晶片模組結構總成(1)具有一基板(2)以及一設於該基板(2)之晶片(3)。
然而，由於該晶片(3)的類型眾多，如為LED晶片高發熱晶片或CMOS晶片等高頻晶片為設計者；以LED晶片而言，其需較佳之散熱效果，才有助於壽命之延長；以CMOS晶片而言，當該晶片模組結構總成(1)電性連接於USB 1.0的介面，由於USB 1.0尚屬於低頻信號傳輸，該晶片(3)尚能夠負荷運作期間所產生的熱能。但是，當該晶片模組結構總成(1)電性連接於USB 2.0以上的介面，由於USB 2.0屬於高頻信號傳輸，高頻信號會進一步提高該晶片(3)產生的熱能；換言之，該晶片(3)則無法負荷運作期間所產生的熱能，衍生有過熱而導致產生雜訊的問題。
為解決上述問題，習知該晶片(3)係貼附於該基板而經由該基板(2)進行散熱；但是，由於該基板(2)一般多為玻璃纖維材質者居多，此種材質不易散熱且容易蓄熱；換言之，習知晶片模組結構總成(1)而言，具有散熱效果不佳的缺點。
綜上所陳，習知晶片模組結構總成具有上述之缺失而 有待改進。
本發明之主要目的在於提供一種晶片模組結構總成，其能夠將熱量快速地傳導至外界，具有散熱效果較佳之特色。
本發明之次一目的在於提供一種晶片模組結構總成，其能夠改變光線行進路徑，具有調整光線的投射效果之特色。
本發明之又一目的在於提供一種晶片模組結構總成，其能夠調整光線投射方向，具有提高光線的投射距離之特色。
本發明之更一目的在於提供一種晶片模組結構總成，其能夠運用螢光粉調整亮度，具有提高該晶片模組亮度之特色。
為達成上述目的，本發明所提供一種晶片模組結構總成，包含有：一基板呈平板狀且具有一穿孔；一散熱板設於該基板底面，該散熱板位置相對應該穿孔，該散熱板的導熱係數高於該基板；至少一晶片設於該散熱板頂面且位置對應該穿孔，該晶片電性連接該基板。
藉此，本發明所提供晶片模組結構總成透過上述結構，其經由該散熱板對該基板以及該晶片散熱，將熱量快速地傳導至外界；換言之，此種結構能夠有效提高該晶片模組結構總成的散熱速度；藉此，本發明相較於習知者， 具有散熱效果較佳之特色。
為能夠進一步改變光線行進路徑，本發明之晶片模組結構總成，更具有一設於該晶片上方之透鏡，以進一步調整光線的投射效果；本發明相較於習知者，具有調整光線的投射效果之特色。
若應用於LED晶片，為能夠進一步調整光線投射方向，本發明之晶片模組結構總成，該散熱板更具有一凹部，該晶片以及一透光層位於該凹部；該凹部之壁面相對該凹部之底面具有一角度為120度至150度的夾角，該夾角的角度較佳者為135度，以利光線進行反射而調整光線投射方向；本發明相較於習知者，具有提高光線的投射距離之特色。
若應用於LED晶片，為能夠進一步調整亮度，本發明之晶片模組結構總成，該透光層由透光膠料添加螢光粉所製成，以進一步調整該晶片模組亮度；本發明相較於習知者，具有提高該晶片模組亮度之特色。
為了詳細說明本發明之結構、特徵及功效所在，茲舉以下較佳實施例並配合圖式說明如後，其中：第一圖為本發明第一較佳實施例之結構示意圖。
第二圖為本發明第二較佳實施例之結構示意圖。
第三圖為本發明第三較佳實施例之結構示意圖。
第四圖為本發明第四較佳實施例之結構示意圖。
第五圖為本發明第五較佳實施例之結構示意圖。
第六圖為本發明第六較佳實施例之結構示意圖。
第七圖為本發明第七較佳實施例之結構示意圖。
第八圖為本發明第八較佳實施例之結構示意圖。
第九圖為本發明第九較佳實施例之結構示意圖。
第十圖為本發明第十較佳實施例之結構示意圖。
第十一圖為習知晶片模組之結構示意圖。
請參閱第一圖，本發明第一較佳實施例所提供之晶片模組結構總成(10)，包含有：一基板(20)、一散熱板(30)、一晶片(40)以及一透光層(50)。
該基板(20)呈平板狀且具有一穿孔(22)；本實施例中，該穿孔(22)的數量對應該晶片(40)的數量，該穿孔(22)的數量以單數為例，在此僅為舉例說明，並非做為限制要件。
該散熱板(30)設於該基板(20)底面，概呈一平板狀，其位置相對應於該穿孔(22)；該散熱板(30)的導熱係數高於該基板(20)；本實施例中，該散熱板(30)為金屬材質，在此僅為舉例說明，並非做為限制要件。
該晶片(40)設於該散熱板(30)頂面且位置對應該穿孔(22)，該晶片(40)電性連接該基板(20)且不電性連接該散熱板(30)。該晶片(40)的類型選自LED晶片、CMOS晶片、太陽能晶片以及集光型太陽熱能發電(concentrate solar power；CSP)晶片其中一種；本實施例中，該晶片(40)的類型為LED晶片，在此僅為舉例說明，並非做為限制要件。
經由上述結構，本實施例所提供該晶片模組結構總成 (10)，其經由該散熱板(30)對該基板(20)以及該晶片(40)散熱，將熱快速地傳導至外界；換言之，此種結構能夠有效提高該晶片模組結構總成(10)的散熱速度；藉此，本發明相較於習知者，具有散熱效果較佳之特色。
必須加以說明的是，該基板(20)與該散熱板(30)係呈平板狀之設計，用以縮減體積，達到電子零件所要求的輕薄短小的基本設計。
請參閱第二圖，本發明第二較佳實施例所提供之晶片模組結構總成(11)，其結構與第一較佳實施例大致相同，同樣包含有：一基板(20A)、一散熱板(30A)以及一晶片(40A)；惟，其差異在於：晶片模組結構總成(11)更包含有一透光層(50)係由透光膠料固化所形成，該透光層(50)設於該散熱板(30A)且包覆該晶片(40A)，用以保護該晶片(40A)；該散熱板(30A)底部具有多數鰭片(32)，目的在於進一步增加該散熱板(30A)接觸空氣的表面積，進而提高該散熱板(30A)的散熱效果。藉此，本實施例能夠達到與第一較佳實施例相同之功效並提供另一實施態樣。
請參閱第三圖，本發明第三較佳實施例所提供之晶片模組結構總成(12)，其結構與第二較佳實施例大致相同，同樣包含有：一基板(20B)、一散熱板(30B)、一晶片(40B)以及一透光層(50B)，晶片(40B)透過導線(41)電性連接該基板(20B)；惟，其差異在於：該晶片模組結構總成中的晶片(40B)為CMOS晶片，且電性連接於USB 2.0、3.0的介面；雖然USB 2.0以上屬高頻信號傳輸，但該散熱板(30B)能夠 快速對該晶片(40B)散熱，進而避免該晶片(3)無法負荷運作期間所產生的熱能，藉以克服過熱而導致產生雜訊的問題；該晶片模組結構總成(12)更包含有一設於該晶片(40B)上方之透鏡(60)；該透鏡(60)能夠將自該晶片(40B)所發出光線進行聚焦，用以進一步調整光線的投射效果。又，該導線(41)具有一銲接部分(41a)連結於該基板(20B)上，該透鏡(60)具有一結合部分(60a)而連結於該基板(20B)上，且該銲接部分(41a)與該結合部分(60a)共用同一平面。藉此，本實施例能夠達到與第二較佳實施例相同之功效並提供又一實施態樣。
請參閱第四圖，本發明第四較佳實施例所提供之晶片模組結構總成(13)其結構與第二較佳實施例大致相同，同樣包含有：一基板(20C)、一散熱板(30C)、一晶片(40C)以及一透光層(50C)；惟，其差異在於：該晶片(40C)為LED晶片，該散熱板(30C)更具有一凹部(34)，該晶片(40C)以及該透光層(50C)位於該凹部(34)，該透光層(50C)包覆該晶片(40C)；該凹部(34)之壁面相對該凹部(34)之底面具有一角度為120度至150度的夾角θ，該夾角θ的角度較佳者為135度，以利光線進行反射；本實施例中，該夾角θ的角度以135度為例，在此僅為舉例說明，並非做為限制要件。本實施例之目的在於：該凹部(34)之壁面能夠將自該LED晶片(40C)所發出光線折射，使光線的投射方向較為一致而減少發散的情形，用以進一步提高光線的投射距離。藉此，本實施例能夠達到與第二較佳實施例相同之功效並提供再 一實施態樣。
請參閱第五圖，本發明第五較佳實施例所提供之晶片模組結構總成(14)，其結構與第四較佳實施例大致相同，同樣包含有：一基板(20D)、一散熱板(30D)、一晶片(40D)以及一透光層(50D)；惟，其差異在於：該晶片(40D)的類型以LED晶片為例；該散熱板(50D)具有一凹部(34D)，該散熱板(50D)更具有一圍合環繞該凹部(34D)開放側之凸部(38)，用以進一步防止透光膠料固化形成該透光層(50D)前自該凹部(34D)溢出。再者，該透光層(50D)由透光膠料添加螢光粉所製成，其目的在於經由該透光層(50D)提高該晶片模組結構總成(14)的亮度。藉此，本實施例能夠達到與第四較佳實施例相同之功效並提供更一實施態樣。
請參閱第六圖，本發明第六較佳實施例所提供之晶片模組結構總成(15)，其結構與第一較佳實施例大致相同，同樣包含有：一基板(20E)、一散熱板(30E)以及一晶片(40E)；惟，其差異在於：該散熱板(30E)可界定一底部(34)以及至少二自該底部(34)向外延伸之翼部(36)，該底部(34)遮蔽基板(20E)之穿孔(22E)，該等翼部(36)至少包覆該基板(20E)的部分端緣。
經由上述結構，該散熱板(30E)能夠進一步增加接觸空氣的表面積，進而提高該散熱板(30E)的散熱效果。藉此，本實施例能夠達到與第一較佳實施例相同之功效並提供另一實施態樣。
請參閱第七圖，本發明第七較佳實施例所提供之晶片 模組結構總成(16)，其結構與第一較佳實施例大致相同，同樣包含有：一基板(20F)、一散熱板(30F)以及二晶片(40F)；惟，其差異在於：本實施例中，該等晶片(40F)的數量在此僅為舉例說明，並非做為限制要件；本實施例之目的在於揭示該基板(20E)之穿孔(22E)內具有複數個該晶片(40F)的實施態樣。藉此，本實施例能夠達到與第一較佳實施例相同之功效並提供又一實施態樣。
請參閱第八圖，本發明第八較佳實施例所提供之晶片模組結構總成(17)，其結構與第一較佳實施例大致相同，同樣包含有：一基板(20G)、一散熱板(30G)以及一晶片(40G)；惟，其差異在於：該晶片模組結構總成(17)更包含有一反射體(60)以及一堆疊塊(70)；該反射體(60)設於該基板(20G)且具有一朝向該晶片(40G)之反射面(62)；該堆疊塊(70)設於該晶片(40G)與該散熱板(30G)之間，該堆疊塊(70)的座落位置對應該基板(20E)之穿孔(22E)，用以調整該晶片(40G)相對該散熱板(30G)的垂直距離，使該晶片(40G)能位於或接近於反射面(62)的曲率中心。
經由上述結構，當該晶片(40G)為LED晶片，該反射面(62)能將該晶片所發出之部分光線反射，使該晶片模組結構總成(17)輸出之光線能夠呈現平行光源的效果。另外，該前述反射面(62)，該反射面(62)表面可為單段拋物線曲率弧面(y1 =a1 x2 )，亦可為多段拋物線曲率弧面相互連結(y1 =a1 x2 ，y2 =a2 x2 ，y3 =a3 x2 )，亦即使用菲涅爾(Fresnel)折射的形式，其同樣能夠呈現平行光源的效果。
藉此，本實施例能夠達到與第一較佳實施例相同之功效並提供再一實施態樣。
請參閱第九圖，本發明第九較佳實施例所提供之晶片模組結構總成(18)，其結構與第一較佳實施例大致相同，同樣包含有：一基板(20H)、多數散熱板(30H)以及多數晶片(40H)；惟，其差異在於：基板(20H)具有多數穿孔(22H)；該晶片(40H)的類型選自太陽能晶片以及集光型太陽熱能發電(CSP)晶片其中一種，且該等晶片(40H)為LED晶片，該等晶片(40H)之中位於同一該穿孔(22H)者視為一晶片組(42)；前述該等晶片(40H)之中獨立作業者以及該晶片組(42)可定義出一連接至正電極的導線(44)以及一連接至負電極的導線(46)；本實施例中，各該導線(44)電性連接該基板(20H)，各該導線(46)電性連接該散熱板(30H)，該導線(44)以及該導線(46)的連接方式，在此僅為舉例說明，並非做為限制要件。本實施例之目的在於揭示該等晶片可為不同型式，且該散熱板(30H)為複數的型態。藉此，本實施例能夠達到與第一較佳實施例相同之功效並提供更一實施態樣。
請參閱第十圖，本發明第十較佳實施例所提供之晶片模組結構總成(19)，其結構與第九較佳實施例大致相同，包含有：一電路板(20I)、多數散熱板(30I)、多數晶片(40I)以及多數電子元件(80)。
該電路板(20I)呈平板狀且具有多數穿孔(22I)，其與第九較佳實施例所揭示基板者的作用相同。
該等散熱板(30I)設於該電路板(20I)底面，該散熱板(30I)位置相對應該穿孔(22I)，該散熱板(30I)的導熱係數高於該電路板(20I)。
該等晶片(40I)設於該散熱板(30I)頂面且位置分別對應該穿孔(22I)，該晶片(40I)電性連接該電路板(20I)；該等晶片(40I)的類型選自太陽能晶片以及集光型太陽熱能發電(CSP)晶片其中一種；各該等晶片(40I)可定義出一連接至正電極的導線(44I)以及一連接至負電極的導線(46I)；本實施例中，各該導線(44I)以及各該導線(46I)皆電性連接該電路板(20I)，該導線(44I)以及該導線(46I)的連接方式，在此僅為舉例說明，並非做為限制要件。
該等電子元件(80)，可為被動元件或主動元件，設於該電路板(20I)且電性連接該電路板(20I)。
經由上述結構，本實施例之目的在於揭示晶片模組結構總成(19)與其他元件結合而進一步模組化的實施態樣。藉此，本實施例能夠達到與第九較佳實施例相同之功效並提供另一實施態樣。
本發明於前述實施例中所揭露的構成元件，僅為舉例說明，並非用來限制本案之範圍，其他等效元件的替代或變化，亦應為本案之申請專利範圍所涵蓋。
(10)‧‧‧晶片模組結構總成
(20)‧‧‧基板
(22)‧‧‧穿孔
(30)‧‧‧散熱板
(40)‧‧‧晶片
(11)‧‧‧晶片模組結構總成
(20A)‧‧‧基板
(30A)‧‧‧散熱板
(32)‧‧‧鰭片
(40A)‧‧‧晶片
(50)‧‧‧透光層
(12)‧‧‧晶片模組結構總成
(20B)‧‧‧基板
(30B)‧‧‧散熱板
(40B)‧‧‧晶片
(41)‧‧‧導線
(41a)‧‧‧銲接部分
(50B)‧‧‧透光層
(60)‧‧‧透鏡
(60a)‧‧‧結合部分
(13)‧‧‧晶片模組結構總成
(20C)‧‧‧基板
(30C)‧‧‧散熱板
(34)‧‧‧凹部
(40C)‧‧‧晶片
(50C)‧‧‧透光層
θ‧‧‧夾角
(14)‧‧‧晶片模組結構總成
(20D)‧‧‧基板
(30D)‧‧‧散熱板
(34D)‧‧‧凹部
(38)‧‧‧凸部
(40D)‧‧‧晶片
(50D)‧‧‧透光層
(15)‧‧‧晶片模組結構總成
(20E)‧‧‧基板
(22E)‧‧‧穿孔
(30E)‧‧‧散熱板
(34)‧‧‧底部
(36)‧‧‧翼部
(40E)‧‧‧晶片
(16)‧‧‧晶片模組結構總成
(20F)‧‧‧基板
(22F)‧‧‧穿孔
(30F)‧‧‧散熱板
(40F)‧‧‧晶片
(17)‧‧‧晶片模組結構總成
(20G)‧‧‧基板
(22G)‧‧‧穿孔
(30G)‧‧‧散熱板
(40G)‧‧‧晶片
(60)‧‧‧反射體
(62)‧‧‧反射面
(70)‧‧‧堆疊塊
(18)‧‧‧晶片模組結構總成
(20H)‧‧‧基板
(22H)‧‧‧穿孔
(30H)‧‧‧散熱板
(40H)‧‧‧晶片
(42)‧‧‧晶片組
(44)‧‧‧導線
(46)‧‧‧導線
(19)‧‧‧晶片模組結構總成
(20I)‧‧‧電路板
(22I)‧‧‧穿孔
(30I)‧‧‧散熱板
(40I)‧‧‧晶片
(44I)‧‧‧導線
(46I)‧‧‧導線
(80)‧‧‧電子元件
第一圖為本發明第一較佳實施例之結構示意圖。
第二圖為本發明第二較佳實施例之結構示意圖。
第三圖為本發明第三較佳實施例之結構示意圖。
第四圖為本發明第四較佳實施例之結構示意圖。
第五圖為本發明第五較佳實施例之結構示意圖。
第六圖為本發明第六較佳實施例之結構示意圖。
第七圖為本發明第七較佳實施例之結構示意圖。
第八圖為本發明第八較佳實施例之結構示意圖。
第九圖為本發明第九較佳實施例之結構示意圖。
第十圖為本發明第十較佳實施例之結構示意圖。
第十一圖為習知晶片模組之結構示意圖。
(10)．．．晶片模組結構總成
(20)．．．基板
(22)．．．穿孔
(30)．．．散熱板
(40)．．．晶片

Claims (31)

  1. 一種晶片模組結構總成，包含有：一基板，呈平板狀且具有一穿孔；一散熱板，設於該基板底面，該散熱板位置相對應該穿孔，該散熱板的導熱係數高於該基板；至少一晶片，設於該散熱板頂面且位置對應該穿孔，該晶片透過導線電性連接該基板；一透鏡，設於該晶片上方，以進一步調整光線的投射或接收效果；其特徵在於：該導線具有一銲接部分而連結於該基板上，該透鏡具有一結合部分而連結於該基板上，且該銲接部分與該結合部分共用同一平面，並位於同一垂直區域。
  2. 如請求項1所述之晶片模組結構總成，其中該散熱板概呈一平板狀，用以縮小與基板的結合體積。
  3. 如請求項2所述之晶片模組結構總成，其中該散熱板底部具有多數鰭片，以進一步提高該散熱板的散熱效果。
  4. 如請求項1所述之晶片模組結構總成，其中更包含有一透光層係設於該散熱板且包覆該晶片，該透光層由透光膠料固化所形成。
  5. 如請求項4所述之晶片模組結構總成，其中該散熱板更具有一凹部，該晶片以及該透光層位於該凹部。
  6. 如請求項5所述之晶片模組結構總成，其中該凹部之壁面相對該凹部之底面具有一角度為120度至150度的夾角θ。
  7. 如請求項6所述之晶片模組結構總成，該夾角θ的角度 較佳者為135度，以利光線進行反射。
  8. 如請求項5所述之晶片模組結構總成，其中該散熱板更具有一圍合環繞該凹部開放側之凸部，以進一步防止透光膠料固化形成該透光層自該凹部溢出。
  9. 如請求項4所述之晶片模組結構總成，其中該晶片的類型選自LED晶片、CMOS晶片、太陽能晶片以及集光型太陽熱能發電(concentrate solar power；CSP)晶片其中一種。
  10. 如請求項9所述之晶片模組結構總成，其中當該晶片的類型為LED晶片，該透光層則由透光膠料添加螢光粉所製成。
  11. 如請求項9所述之晶片模組結構總成，其中當該晶片的類型為CMOS晶片，且電性連接於USB 2.0以上的高頻信號傳輸之介面。
  12. 如請求項9所述之晶片模組結構總成，其中當該晶片的類型選自太陽能晶片以及集光型太陽熱能發電(CSP)晶片其中一種，該晶片具有多數連接至電極的導線，該等導線其中之一則電性連接該基板，其餘該等導線選自該基板以及該散熱板其中之一電性連接。
  13. 如請求項9所述之晶片模組結構總成，其中更包含有一反射體以及一堆疊塊；該反射體設於該基板且具有一朝向該晶片之反射面；該堆疊塊設於該晶片與該散熱板之間，以調整該晶片相對該散熱板的垂直距離。
  14. 如請求項13所述之晶片模組結構總成，其中該反射面為多段拋物線曲率弧面相互連結。
  15. 如請求項9所述之晶片模組結構總成，其中該散熱板可界定一底部以及至少二自該底部向外延伸之翼部，該底部遮蔽該穿孔，該等翼部至少包覆該基板的部分端緣。
  16. 一種晶片模組結構總成，包含有：一電路板，呈平板狀且具有多數穿孔；至少一散熱板，設於該電路板底面，該散熱板位置相對應該穿孔，該散熱板的導熱係數高於該電路板；多數晶片，設於該散熱板頂面且位置分別對應該穿孔，該晶片透過導線電性連接該電路板；多數電子元件，設於該電路板且電性連接該電路板；至少一透鏡，設於晶片上方，以進一步調整光線的投射或接收效果；其特徵在於：該導線具有一銲接部分而連結於該電路板上，該透鏡具有一結合部分而連結於該電路板上，且該銲接部分與該結合部分共用同一平面，並位於同一垂直區域。
  17. 如請求項16所述之晶片模組結構總成，其中各該散熱板概呈一平板狀，用以縮小與電路板的結合體積。
  18. 如請求項17所述之晶片模組結構總成，其中各該散熱板底部具有多數鰭片，以進一步提高該散熱板的散熱效果。
  19. 如請求項16所述之晶片模組結構總成，其中更包含有至少一透光層係設於該散熱板且包覆該等晶片，該透光層由透光膠料固化所形成。
  20. 如請求項19所述之晶片模組結構總成，其中該散熱板更具有一凹部，該晶片以及該透光層位於該凹部。
  21. 如請求項20所述之晶片模組結構總成，其中該凹部之壁面相對該凹部之底面具有一角度為120度至150度的夾角θ。
  22. 如請求項21所述之晶片模組結構總成，該夾角θ的角度較佳者為135度，以利光線進行反射。
  23. 如請求項20所述之晶片模組結構總成，其中該散熱板更具有一圍合環繞該凹部開放側之凸部，以進一步防止透光膠料固化形成該透光層自該凹部溢出。
  24. 如請求項19所述之晶片模組結構總成，其中該晶片的類型選自LED晶片、CMOS晶片、太陽能晶片以及集光型太陽熱能發電(concentrate solar power；CSP)晶片其中一種。
  25. 如請求項24所述之晶片模組結構總成，其中當該晶片的類型為LED晶片，該透光層則由透光膠料添加螢光粉所製成。
  26. 如請求項24所述之晶片模組結構總成，其中當該晶片的類型為CMOS晶片，且電性連接於USB 2.0以上的高頻信號傳輸之介面。
  27. 如請求項24所述之晶片模組結構總成，其中當該晶片的類型選自太陽能晶片以及集光型太陽熱能發電(CSP)晶片其中一種，該晶片具有多數連接至電極的導線，該等導線其中之一則電性連接該電路板，其餘該等導線選自該電路板以及該散熱板其中之一電性連接。
  28. 如請求項24所述之晶片模組結構總成，其中更包含有一反射體以及一堆疊塊；該反射體設於該基板且具有一朝向該晶片之反射面；該堆疊塊設於該晶片與該散熱板之間，以調整 該晶片相對該散熱板的垂直距離。
  29. 如請求項28所述之晶片模組結構總成，其中該反射面為多段拋物線曲率弧面相互連結。
  30. 如請求項24所述之晶片模組結構總成，其中該散熱板可界定一底部以及至少二自該底部向外延伸之翼部，該底部遮蔽該穿孔，該等翼部至少包覆該電路板的部分端緣。
  31. 如請求項16所述之晶片模組結構總成，其中該電子元件為被動元件或主動元件。
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