TWI498446B - 化學氣相沈積設備 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種化學氣相沈積設備，並且特別地，本發明關於一種化學氣相沈積設備，其能夠透過延長清除週期以提高產量。
通常，使用一例如噴鍍的物理反應之物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition,PVD)方法，或使用一化學反應之化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition,CVD)方法，用以沈積一具有預定厚度的薄膜於一太陽能電池、一半導體裝置、或一平面顯示面板之基板(例如，晶片、塑料基板、或玻璃)之上。
在化學氣相沈積(CVD)方法之情況下，一氣態成分材料首先提供至一處理腔室，並且然後透過一化學反應，一期望之薄膜沈積於一基板(或晶片)之上。由於相比較於物理氣相沈積(PVD)方法，化學氣相沈積(CVD)方法之優點在於可獲得良好之沈積特性，例如基板上的薄膜之良好階梯覆蓋率，良好的均勻性以及產量等，因此化學氣相沈積(CVD)方法廣泛應用於許多領域。化學氣相沈積(CVD)方法可大致分類為一低壓化學氣相沈積(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)、一大氣壓力化學氣相沈積(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition,APCVD)、一低溫化學氣相沈積(Low Temperature Chemical Vapor Deposition,LTCVD)、一電漿增強化學氣相沈積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)、以及一金屬有機化學氣相沈積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)。
「第1圖」係為習知技術之一化學氣相沈積設備之示意圖。
如「第1圖」所示，習知技術之化學氣相沈積設備包含有一腔室10，腔室10具有一支撐一基板12的基板支撐件14；一安裝於腔室10之上的腔室蓋20；以及一源噴塗件30，用以朝向基板12噴塗一處理源，其中源噴塗件30穿透腔室蓋20且安裝於腔室10之內部。
腔室10提供一預定的反應空間。在腔室10的一側面具有一排空孔(圖未示)，用以排放此處理源。
基板支撐件14安裝於腔室10之內底面，其中基板支撐件14支撐自外部提供的基板12。
腔室蓋20安裝於腔室10之上，其中腔室蓋20密封腔室10之反應空間。同時，一密封件115可安裝於腔室10與腔室蓋20之間。
源噴塗件30包含有一源供給管32、複數個源噴塗管34、以及複數個源噴塗孔36。
源供給管32穿透腔室蓋20，並且源供給管32分支為與複數個源噴塗管34相聯繫的支管。
複數個源噴塗管34以固定間隔排列於腔室10之內部，並且複數個源噴塗管34與源供給管32的分支出的支管相聯繫，由此複數個源噴塗管34供給有來自源供給管32的處理源。
複數個源噴塗孔36以固定間隔排列於各源噴塗管34之中，由此供給至源噴塗管34的處理源(S)通過複數個源噴塗孔36噴塗於基板12之上。
在習知技術之化學氣相沈積設備之中，在腔室10之內部維持在一恆定的溫度，處理源通過源噴塗件30噴塗至反應空間，由此一薄膜材料沈積於基板12之上。
如果應用上述之薄膜沈積製程，薄膜材料除噴塗於基板12之上外，還沈積於不期望的部份之上。舉例而言，薄膜材料可沈積於腔室10之內側壁；基板支撐件14之中，除用以支撐基板12的部份之外的頂表面與/或側表面中之預定部份；以及源噴塗件30之一底表面之上。特別地，如果薄膜材料沈積於源噴塗孔36之周圍，則源噴塗孔36之尺寸可改變以使得難以在基板12之上形成均勻的薄膜。
為了在基板12之上形成均勻之薄膜，需要週期地清除源噴塗孔36之周圍，用以由此自源噴塗孔36之周圍去除薄膜材料。
然而，無論何時需要上述之清除製程，習知技術之化學氣相沈積應該關閉。然後，在拆卸化學氣相沈積設備之後，源噴塗件30自腔室蓋20之上分離，並且然後執行清除製程用以自源噴塗孔36之周圍去除此薄膜材料。這些複雜之製程不可避免會產生設備中的作業時間減少之問題，由此降低設備之可操作性。而且，在完成源噴塗件30之清除製程之後，需要另外之步驟用以自腔室10之內部去除濕氣及雜質，並且調節腔室10之內部用以獲得穩定的壓力及溫度。此外，需要向一偽基板應用一測試沈積製程，以便檢測其上沈積的薄膜之均勻性及顆粒污染值，由於測試沈積製程需要花費很多小時之時間因此可產生減少處理量。
最後，考慮到產量，儘可能延長源噴塗件30之清除週期較佳。
因此，鑒於上述之問題，本發明關於一種化學氣相沈積設備，藉以消除由於習知技術之限制及缺點所產生之一個或多個問題。
本發明之優點之一在於提供一種化學氣相沈積設備，其能夠透過延長一清除週期以提高產量。
本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明的一種化學氣相沈積設備包含有一腔室，此腔室具有一基板支撐件以支撐一基板；一腔室蓋，其具有複數個第一源供給孔，腔室蓋安裝於腔室之上；複數個源供給管，用以將一處理源提供至這些第一源供給孔；一噴塗管支撐件，其具有複數個與第一源供給孔相對應的第二源供給孔，此噴塗管支撐件可拆分地安裝於腔室蓋之中；以及複數個源噴塗管，其具有複數個第三源供給孔及複數個源噴塗孔，這些源噴塗管透過噴塗管支撐件支撐，其中第三源供給孔通過第二源供給孔供給有此處理源，並且源噴塗孔將處理源噴塗於基板之上。
同時，腔室蓋包含有一基底，基底之中形成有這些第一源供給孔；一支撐件安裝部份，其中可拆分地安裝有噴塗管支撐件，支撐件安裝部份形成於基底之一後表面之中；以及一冷卻件安裝部份，其中安裝有一冷卻件用以冷卻噴塗管支撐件之一溫度，此冷卻件安裝部份形成於基底之中。
在本發明之另一方面中，一種化學氣相沈積設備包含有一腔室，腔室具有一基板支撐件以支撐一基板；一腔室蓋，係安裝於腔室之上；一源噴塗件，用以將一外部提供之處理源噴塗於基板之上，此源噴塗件可拆分地安裝於腔室蓋之中；以及一冷卻件，用以冷卻源噴塗件之一溫度，此冷卻件安裝於腔室蓋之內部。
同時，腔室蓋包含有一基底；複數個第一源供給孔，用以將處理源提供至源噴塗件，這些第一源供給孔透過穿透基底以固定間隔形成；一支撐件安裝部份，其中源噴塗件可拆分地安裝，支撐件安裝部份形成於基底之一後表面之中；以及一冷卻件安裝部份，其中安裝有此冷卻件，冷卻件安裝部份形成於基底之中。
而且，源噴塗件包含有複數個源噴塗管，這些源噴塗管以固定間隔排列；一噴塗管支撐件，用以支撐這些源噴塗管，噴塗管支撐件可拆分地安裝於基底之中；複數個第二源供給孔，其形成於噴塗管支撐件之中以與這些第一源供給孔相對應；複數個第三源供給孔，其形成於各源噴塗管之中以與這些第二源供給孔相對應；以及複數個源噴塗孔，用以將處理源噴塗於基板之上，源噴塗孔以固定間隔形成於每一源噴塗管之內。
此外，此種化學氣相沈積設備更包含有一具有複數個開口之外殼，這些開口與源供給管相對應，此外殼可拆分地安裝於腔室蓋之一後表面之中。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
將結合圖式部份詳細描述本發明的較佳實施例，如果可能，圖式中的標號表示相同或類似之元件。
以下，將結合圖式部份描述本發明之一化學氣相沈積設備。
「第2圖」係為本發明之實施例之一化學氣相沈積設備之示意圖。「第3圖」係為本發明之實施例的一化學氣相沈積設備中一腔室之頂結構之透視圖。「第4圖」係為「第3圖」所示之腔室的頂結構之分解透視圖。
請參閱「第2圖」至「第4圖」，本發明之實施例之化學氣相沈積設備包含有一腔室110、一腔室蓋120、一源供給管130、一源噴塗件140、以及一冷卻件150。同時，腔室110包含有一支撐基板112的基板支撐件114。腔室蓋120安裝於腔室110之上。源供給管130與腔室蓋120相連接，其中源供給管130向腔室蓋120提供一處理源。源噴塗件140可拆分地安裝於腔室蓋120之中，其中源噴塗件140將自源供給管130供給之處理源噴塗於基板112之上。冷卻件150安裝於腔室蓋120之內部，其中冷卻件150調節源噴塗件140之溫度。
腔室110提供一預定的反應空間。在腔室110之一側面具有一排空該源的排空孔(圖未示)。
基板支撐件114安裝於腔室110之內底面，其中基板支撐件114支撐自外部提供的基板112。基板支撐件114可包含有一基板加熱件(圖未示)，以便將基板112之溫度維持於80℃~250℃。
用於密封腔室110之反應空間的腔室蓋120安裝於腔室110之上。同時，一密封件115可安裝於腔室110與腔室蓋120之間。
源供給管130安裝於腔室蓋120之頂部，其中源供給管130自一外部源提供設備(圖未示)向腔室蓋120提供該處理源。
源供給管130可將薄膜沈積製程使用的一處理源提供至腔室110之內。舉例而言，如果一氧化鋅(ZnO)基薄膜形成於基板112
之上，源供給管130可包含有一供給第一處理源(S1)的第一源供給管132，以及一供給第二處理源(S2)的第二源供給管134。此種情況下，第一處理源(S1)可為水(H2
O)，並且第二處理源(S2)可為二乙基鋅(Diethyl Zinc,DEZ)。
第一源供給管132可包含有〞M〞個第一支管133，第一支管133可分組為複數個單元，每個單元包含有〞N〞個第一支管133；並且第二源供給管134可包含有〞M〞個第二支管135，第二支管135可分組為複數個單元，每個單元包含有〞N〞個第二支管135。此種情況下，第一支管133與第二支管135交替安裝於腔室蓋120之中，但是並不限制於此結構。第一支管133與第二支管135可安裝於任何有利於向反應空間均勻噴塗處理源的結構。同時，一密封件117可安裝於第一源供給管132與腔室蓋120之間。
如「第5A圖」及「第5B圖」所示，腔室蓋120包含有一基底200、複數個第一源供給孔210、一用以安裝源噴塗件220之部份、以及一用以安裝冷卻件230之部份。
金屬材料之基底200安裝於腔室110之上，並且基底200密封腔室110之內部的反應空間。
當與源供給管130相聯繫時，複數個第一源供給孔210以固定間隔沿基底200之底及頂側面(也就是說，基底200之兩個縱向側面)形成。通過每一第一源供給孔210，自源供給管130提供之處理源提供至源噴塗件140。同時，當源供給管130安裝於基底
200之中時，每一源供給管130通過一螺釘與每一第一源供給孔210相遇，該螺釘透過安裝在源供給管130之一端的凸緣與基底200相結合。
在複數個第一源供給孔210之中，第奇數個第一源供給孔210與各〞M〞個第一支管133相聯繫；並且第偶數個第一源供給孔210與各〞M〞個第二支管135相聯繫。
用於安裝源噴塗件220的部份透過開槽基底200之一後表面形成。源噴塗件140插入且安裝至用以安裝源噴塗件220的部份之中。為此，用於安裝源噴塗件220的部份具有一第一插入槽222、一第二插入槽224、以及複數個第三插入槽226。
第一插入槽222形成為與基底200之縱向側面相平行，並且更特別地，第一插入槽222形成於基底200之頂部縱向側面。
第二插入槽224與第一插入槽222相對，也就是說，第二插入槽224形成於基底200之底部縱向側面。
複數個第一源供給孔210以固定間隔形成於各個第一及第二插入槽222及224之中。
而且，複數個第一螺釘孔223形成於每個第一及第二插入槽222及224之中。每一第一螺釘孔223與每一螺釘(圖未示)相結合，用以可拆分地將源噴塗件140安裝於腔室蓋120之中。
複數個第三插入槽226與第一及第二插入槽222及224相垂直。這些第三插入槽226包含有形成於第一及第二插入槽222及
224之中的複數個第一源供給孔210。同時，每一第三插入槽226可具有一半圓形橫截面。
此外，基底200包含有第二螺釘孔240及第三螺釘孔250。每一第二螺釘孔240形成於第一插入槽222之中的每一第一源供給孔210與第二插入槽224之中的每一第一源供給孔210之間。第三螺釘孔250形成為相鄰於每一第三插入槽226的兩端及中心部份。
用以安裝冷卻件230的部份透過開槽基底200之頂表面形成，其中用以安裝冷卻件230的部份形成為多彎曲形(例如，具有線性部份及彎曲部份的多S形)。冷卻件150插入至且安裝於用於安裝冷卻件230的部份之中。此時，用於安裝冷卻件230的部份可具有一U形橫截面。較佳地，用於安裝冷卻件230的部份之定位靠近於複數個第三插入槽226。
根據基底200之結構，用於安裝冷卻件230的部份可按照以下方式提供：用於安裝冷卻件230的部份之中包含的每一線性部份可排列於複數個第三插入槽226之間，用於安裝冷卻件230的部份之中包含的線性部份可第一及第二插入槽222及224平行排列。
如「第6圖」所示，「第4圖」之源噴塗件140包含有複數個源噴塗管142、一噴塗管支撐件144、以及複數個源噴塗孔146。
複數個源噴塗管142安裝於噴塗管支撐件144之上，其中這
些源噴塗管142分別插入至腔室蓋120之中的複數個第三插入槽226之中。源噴塗管142通過源供給管130、第一源供給孔210、以及噴塗管支撐件144供給處理源。
噴塗管支撐件144支撐〞N〞個成組的複數個源噴塗管142，也就是說，支撐每一組包含有〞N〞個源噴塗管142的源噴塗管142。為此，噴塗管支撐件144可具有複數個第一及第二面板144a及144b。
當與基底200中的第一及第二插入槽222及224面對時，複數個第一及第二面板144a及144b可拆分地安裝。因此，複數個第一及第二面板144a及144b支撐〞N〞個成組的源噴塗管142的兩端。同時，第一及第二面板144a及144b與源噴塗管142透過焊接結合在一起。
為了自第一源供給孔210向各源噴塗管142提供處理源，複數個第一及第二面板144a及144b具有複數個第二源供給孔143(如「第2圖」所示)，第二源供給孔143與每一第一源供給孔210相聯繫；並且每一源噴塗管142具有一第三源供給孔147(如「第2圖」所示)，第三源供給孔147供給有自第二源供給孔143提供的處理源。因此，處理源通過第一至第三源供給孔210、143、以及147供給至複數個源噴塗管142。
而且，通孔145以固定間隔形成於每一第一及第二面板144a及144b之中。此種情況下，一與每個第一及第二插入槽222及224
之中的第一螺釘孔相結合之螺釘(圖未示)插入至通孔145之中。因此，第一及第二面板144a及144b分別插入至通孔145之中，並且透過螺釘與第一螺釘孔相結合可拆分地安裝於腔室蓋120之中。此種情況下，一密封件225安裝於第一插入槽222與複數個第一面板144a之間，用以由此密封第一插入槽222之中的複數個第二源供給孔143之周圍。按照相同之方式，上述密封件225安裝於第二插入槽224與複數個第二面板144b之間，用以由此密封第二插入槽224之中的第二源供給孔143。
複數個源噴塗孔146形成於每一源噴塗管142之中，用以由此將供給至源噴塗管142的處理源噴塗於基板112之上。此種情況下，如「第2圖」所示，處理源通過源供給管130、以及第一至第三源供給孔210提供至每一源噴塗管142，並且然後以預定噴塗角度朝向基板112噴塗，其中該預定噴塗角度通過每一源噴塗孔146形成。
源噴塗件140插入至且可拆分地安裝於腔室蓋120之後表面中的第一及第二插入槽222及224之中，用以由此將處理源(S1、S2)噴塗於基板112之上。
在「第4圖」之中，冷卻件150形成為一多彎曲形(例如，具有線性部份及彎曲部份的多S形)，如「第7圖標示A部份」所示；並且冷卻件150插入至用於安裝冷卻件230的部份之中。插入至用於安裝冷卻件230的部份之中的冷卻件150循環一冷卻液自一外部溫度控制件(圖未示)提供至腔室蓋120之內部。同時，冷卻件150可為一管件；並且冷卻液可為維持在一預定溫度的空氣、源、以及水。
由於冷卻件150透過循環冷卻液，冷卻源噴塗件140之表面中的溫度，因此複數個源噴塗孔146的周圍之溫度也冷卻，以使得在一化學氣相沈積製程中，可能防止一薄膜材料沈積於這些源噴塗孔146之周圍之上。
此外，可具有一覆蓋件232，用以防止冷卻件150插入至用於安裝冷卻件230的部份之中。
如「第7圖」所示，覆蓋件232與用於安裝冷卻件230的部份之形狀相同。因此，通過使用覆蓋件232，冷卻件150能夠透過密封用於安裝冷卻件230之部份的頂部而保護，其中該部份插入有冷卻件150。
而且，本發明之實施例之化學氣相沈積設備可更包含有一外殼160，用以防止在化學氣相製程製程中，薄膜材料沈積於腔室蓋120之後表面上。
如「第4圖」及「第6圖」所示，外殼160包含有一外殼框架162以及複數個螺釘孔168，外殼框架162具有複數個開口164，螺釘孔168便於螺釘將外殼框架162安裝於腔室蓋120之後表面中。
複數個開口164以固定間隔形成於外殼框架162之中。當排列這些開口164之時，每一開口164之縱向與每一源噴塗管142之縱向相同。也就是說，複數個開口164排列為一條帶圖案。而且，每一開口164插入至腔室蓋120的每一第三插入槽226之中，用以由此暴露分別在源噴塗管142之中形成的複數個源噴塗孔146。
開口164可形成為一孔形以便暴露源噴塗孔146。
當複數個螺釘孔168形成於外殼框架162之中時，這些螺釘孔168配設為與腔室蓋120之基底中的複數個第二螺釘孔240及第三螺釘孔250相對應。
外殼160透過複數個第一螺釘166a以及複數個第二螺釘166b可拆分地安裝於腔室蓋120之後表面中，第一螺釘166a插入至複數個螺釘孔168之中且與複數個第二螺釘孔240相結合，並且第二螺釘166b與複數個第三螺釘孔250相結合，用以由此防止在化學氣相沈積製程中，腔室蓋120之後表面透過薄膜材料污染。根據基於化學氣相沈積製程的頻率之污染程度，外殼160可與腔室蓋120相分離、清除、並且然後安裝於腔室蓋120之中以便重新使用。
本發明之實施例之化學氣相沈積設備通過使用腔室蓋120內部的冷卻件150，冷卻複數個源噴塗管142之溫度，以使得可能防止化學氣相沈積製程中薄膜材料沈積於複數個源噴塗孔146之周圍上。結果，可能延長源噴塗件140的清洗週期以提高產量。
而且，源噴塗件140可拆分地安裝於腔室蓋120之後表面之中。因此，當需要清除污染的源噴塗件140之時，源噴塗件140能夠容易與腔室蓋120分離，由於增加的設備之工作時間，因此能夠提高可操作性。
在複數個源噴塗管142分組為多個單元，每一單元包含有〞N〞個源噴塗管142之環境下，複數個源噴塗管142同時安裝於腔室蓋120之中。這樣容易實現源噴塗件140的安裝及拆分。
因此，本發明之化學氣相沈積設備透過延長源噴塗件140之清除週期可提高產量，並且在源噴塗件140之清洗製程中，由於容易實現源噴塗件140之安裝或拆分，因此透過增加設備之可工作時間還可增加提高可操作性。
雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本領域之技術人員應當意識到在不脫離本發明所附之申請專利範圍所揭示之本發明之精神和範圍的情況下，所作之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍之內。關於本發明所界定之保護範圍請參照所附之申請專利範圍。
10．．．腔室
12．．．基板
14．．．基板支撐件
15．．．密封件
20．．．腔室蓋
30．．．源噴塗件
32．．．源供給管
34．．．源噴塗管
36．．．源噴塗孔
110．．．腔室
112．．．基板
114．．．基板支撐件
115、117．．．密封件
120．．．腔室蓋
130．．．源供給管
132．．．第一源供給管
133．．．第一支管
134．．．第二源供給管
135．．．第二支管
140．．．源噴塗件
142．．．源噴塗管
143．．．第二源供給孔
144．．．噴塗管支撐件
144a．．．第一面板
144b．．．第二面板
145．．．通孔
146．．．源噴塗孔
147．．．第三源供給孔
150．．．冷卻件
160．．．外殼
162．．．外殼框架
164．．．開口
166a．．．第一螺釘
166b．．．第二螺釘
168．．．螺釘孔
200．．．基底
210．．．第一源供給孔
220．．．源噴塗件
222．．．第一插入槽
223．．．第一螺釘孔
224．．．第二插入槽
225．．．密封件
226．．．第三插入槽
230．．．冷卻件
232．．．覆蓋件
240．．．第二螺釘孔
250．．．第三螺釘孔
S1．．．第一處理源
S2．．．第二處理源
第1圖係為習知技術之一化學氣相沈積設備之示意圖；
第2圖係為本發明之實施例之一化學氣相沈積設備之透視圖；
第3圖係為本發明之實施例之一化學氣相沈積設備中的腔室之頂結構之透視圖；
第4圖係為第3圖所示之腔室的頂結構之分解透視圖；
第5A圖及第5B圖係為第4圖所示之一腔室蓋之透視圖；
第6圖係為第4圖所示之一源噴塗件之分解透視圖；以及
第7圖係為沿第3圖之A-A線之橫截面圖。
110．．．腔室
112．．．基板
114．．．基板支撐件
115、117．．．密封件
120．．．腔室蓋
130．．．源供給管
132．．．第一源供給管
134．．．第二源供給管
142．．．源噴塗管
143．．．第二源供給孔
144．．．噴塗管支撐件
146．．．源噴塗孔
147．．．第三源供給孔
150．．．冷卻件
210．．．第一源供給孔
225．．．密封件
S1．．．第一處理源
S2．．．第二處理源
Claims (17)
- 一種化學氣相沈積設備，係包含有：一腔室，係具有一基板支撐件以支撐一基板；一腔室蓋，係具有複數個第一源供給孔，該腔室蓋安裝於該腔室之上；複數個源供給管，用以將一處理源提供至該等第一源供給孔；一噴塗管支撐件，係具有複數個與該等第一源供給孔相對應的第二源供給孔，該噴塗管支撐件可拆分地安裝於該腔室蓋之中；以及複數個源噴塗管，係具有複數個第三源供給孔及複數個源噴塗孔，該等源噴塗管透過該噴塗管支撐件支撐，其中該等第三源供給孔通過該等第二源供給孔供給有該處理源，並且該等源噴塗孔配設為將該處理源噴塗於該基板之上。
- 如請求項第1項所述之化學氣相沈積設備，其中該腔室蓋包含有：一基底，其中形成有該等第一源供給孔；一支撐件安裝部份，其中可拆分地安裝有該噴塗管支撐件，該支撐件安裝部份形成於該基底之一後表面之中；以及一冷卻件安裝部份，其中安裝有一冷卻件用以冷卻該噴塗管支撐件之一溫度，該冷卻件安裝部份形成於該基底之中。
- 一種化學氣相沈積設備，係包含有：一腔室，係具有一基板支撐件以支撐一基板；一腔室蓋，係安裝於該腔室之上，該腔室蓋具有複數個第一源供給孔；複數個源噴塗管，係以固定間隔排列；一源噴塗件，係用以將一外部提供之處理源噴塗於該基板之上，該源噴塗件可拆分地安裝於該腔室蓋之中，並且該源噴塗件具有用以支撐該等源噴塗管的一噴塗管支撐件且該源噴塗件具有與該等第一源供給孔相對應的複數個第二源供給孔；以及一冷卻件，係用以冷卻該源噴塗件之一溫度，該冷卻件安裝於該腔室蓋之內部。
- 如請求項第3項所述之化學氣相沈積設備，其中該腔室蓋進一步包含有：一基底，該基底中具有固定間隔形成的該等第一源供給孔，其中該等第一源供給孔配設為將該處理源材料供給至該源噴塗件；一支撐件安裝部份，其中該源噴塗件可拆分地安裝，該支撐件安裝部份形成於該基底之一後表面之中；以及一冷卻件安裝部份，其中安裝有該冷卻件，該冷卻件安裝部份形成於該基底之中。
- 如請求項第4項所述之化學氣相沈積設備，其中該源噴塗件包含有：該等源噴塗管，係以固定間隔排列且透過該噴塗管支撐件支撐，該噴塗管支撐件可拆分地安裝於該基底之中；複數個第三源供給孔，係形成於各源噴塗管之中以與該等第二源供給孔相對應；以及複數個源噴塗孔，用以將該處理源噴塗於該基板之上，該等源噴塗孔以固定間隔形成於每一該等源噴塗管之內。
- 如請求項第1項或第5項所述之化學氣相沈積設備，更包含有一具有複數個開口之外殼，該等開口與該等源噴塗管相對應，該外殼可拆分地安裝於該腔室蓋之一後表面之中。
- 如請求項第6項所述之化學氣相沈積設備，其中該等開口係形成為與每一該等源噴塗管之一縱向相對應的條帶形，或與每一該等源噴塗孔相對應的孔形。
- 如請求項第1項或第5項所述之化學氣相沈積設備，更包含有一密封件，用以密封該等第二源供給孔之周圍。
- 如請求項第1項或第5項所述之化學氣相沈積設備，其中該噴塗管支撐件支撐〞N〞個成組的該等源噴塗管，也就是說，支撐每一組包含有〞N〞個的該等源噴塗管。
- 如請求項第2項或第4項所述之化學氣相沈積設備，其中該支撐件安裝部份包含有： 複數個第一插入槽，係彼此相平行位於該基底之該後表面之中，該等第一插入槽之中可拆分地安裝有該噴塗管支撐件；以及複數個第二插入槽，係當以直角與該等第一插入槽相交叉時，以固定間隔排列於該基底之該後表面之中，其中該等源噴塗管分別安裝於該等第二插入槽之中。
- 如請求項第2項或第4項所述之化學氣相沈積設備，其中該冷卻件安裝部份透過開槽該基底之一頂表面形成為多彎曲形。
- 如請求項第2項或第4項所述之化學氣相沈積設備，更包含有一覆蓋件，用以覆蓋其中安裝有該冷卻件的該冷卻件安裝部份。
- 如請求項第2項或第4項所述之化學氣相沈積設備，其中安裝於該冷卻件安裝部份之中的該冷卻件，透過循環一外部提供的冷卻液將該噴塗管支撐件冷卻至一恆定溫度。
- 如請求項第13項所述之化學氣相沈積設備，其中該冷卻液係為維持在一預定溫度下的空氣、源、以及水中之任何一種。
- 如請求項第4項所述之化學氣相沈積設備，更包含有複數個源供給管，用以將該處理源提供至該等第一源供給孔。
- 如請求項第1項或第15項所述之化學氣相沈積設備，其中該等源供給管包含有：一第一源供給管，係用以將一第一處理源提供至該等第一 源供給孔之中的該第奇數個第一源供給孔；以及一第二源供給管，係用以將一第二處理源提供至該等第一源供給孔之中的該第偶數個第一源供給孔。
- 如請求項第16項所述之化學氣相沈積設備，其中該第一處理源係為水(H2 O)，並且該第二處理源係為DEZ(二乙基鋅)。
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