TWI494463B

TWI494463B - 電漿處理設備

Info

Publication number: TWI494463B
Application number: TW099131727A
Authority: TW
Inventors: Song Whe Huh
Original assignee: Jusung Eng Co Ltd
Priority date: 2009-09-18
Filing date: 2010-09-17
Publication date: 2015-08-01
Also published as: KR101123004B1; TW201129712A; KR20110031107A

Description

電漿處理設備

本發明係關於一種電漿處理設備，特別是一種電漿處理設備，藉以透過在腔室的電漿反應室內使電漿具有均勻的密度，進而在基板上形成均勻的薄膜。

通常，電漿處理設備可包含有：電漿輔助式化學氣相沈積(PECVD，plasma enhanced chemical vapor deposition)設備，係用於沈積薄膜；蝕刻設備，係用於對所沈積之薄膜進行蝕刻並進行圖案化處理；噴塗設備；以及灰化設備。依據施加射頻電源的方法，可在大體上將電漿處理設備劃分為電容耦合電漿法(CCP，capacitively-coupled plasma)與感應耦合電漿(ICP，inductively-coupled plasma)法。

其中，電容耦合耦合電漿法可在射頻電壓施加於相對的平行面板電極時透過電極之間所產生之電場產生電漿。而感應耦合電漿可透過天線所感生出之感應電場使原材料變為電漿。

「第1圖」為習知的採用電容耦合電漿法之電漿處理設備。

如「第1圖」所示，這種習知的採用電容耦合電漿法之電漿處理設備，包含有：腔室10、腔室蓋20、基板支撐元件30、上方電極40、絕緣元件50、接地板60、射頻電源供應器70以及氣體供應器80。

其中，腔室10係用於為處理電漿提供一個密封的電漿反應室。

而腔室蓋20係安裝於腔室10的上方，藉以對腔室10進行覆蓋。同時，此腔室蓋20可用於對上方電極40、絕緣元件50及接地板60進行支撐。

而安裝於腔室10內部的基板支撐元件30係用於支撐基板S。進而，透過基板支撐元件30進行支撐的基板可形成與上方電極40相對的下方電極。

其中，可透過腔室蓋20對朝向基板支撐元件30之上方電極40進行支撐。在這種狀況中，可向上方電極40提供來自射頻電源供應器70之射頻電源並向上方電極40提供來自氣體供應器80之反應氣體。

此處，可於此上方電極40之上方安裝電源供應棒74，並使此電源供應棒係電性連接於射頻電源供應器70之電源供應線72。同時，氣體供應管82係安裝於上方電極40的上部，同時使處理氣體提供至此氣體供應管。

而在上方電極40內部，可形成氣體儲藏室42，藉以對透過氣體供應管82所提供之反應氣體進行儲藏。

而在上方電極40的底部，多個氣體噴射孔44係用於將儲藏於42中之反應氣體噴射至電極反應室中。

基於氣體供應器80之作業，上方電極40可將儲藏於氣體儲藏室42中之反應氣體噴射至電極反應室中，並透過來自射頻電源供應器70之射頻電源產生電場，進而噴入電漿反應室中之反應氣體受到激發，藉以在此電漿反應室內形成電漿。

其中，絕緣元件50係安裝於腔室蓋20與上方電極40之間，藉以透過此絕緣元件50使上方電極40與腔室蓋20相互間絕緣。

而接地板60與上方電極40之間具有預定的間隙，同時此接地板60位於對其進行支撐的腔室蓋20上並且接地。

其中，射頻電源供應器70可產生具有預定頻率的射頻電源，進而可透過電源供應線72與電源供應棒74向上方電極40提供射頻電源。同時，電源供應棒74可貫穿腔室蓋20與接地板60而電性連接於上方電極40之中心部分。在這種狀況中，可於貫穿有電源供應棒74的部分為腔室蓋20與接地板60中之每一個元件的中心部分提供絕緣材料。

同時，氣體供應器80可向上方電極40之氣體儲藏室42提供反應氣體，藉以於基板S上形成薄膜。

在習知的電漿處理設備中，可首先於基板支撐元件30上放置基板S，而後向電漿反應室中噴射反應氣體並同時向上方電極40施加射頻電源，進而可使噴入電漿反應室中之反應氣體受到激發，藉以於基板S上形成薄膜。

但是，在習知的電漿處理設備中由於設備電源被提供至上方電極40的中心部分。因此，習知的電漿處理設備會產生這樣的問題：即，在將射頻電源從上方電極40之中心部分提供至上方電極40之邊緣部分(上方電極40之各個轉角處)的過程中，因射頻電源的相位延遲而使射頻電源的頻率產生駐波效應。如「第2圖」所示，由於產生了駐波效應，所以電場的強度會從電漿反應室之中心部分到電漿反應室的邊緣部分逐步地降低，因此提供至電漿反應室之中心部分與邊緣部分的用於電漿反應室之射頻電源是不均勻的。因此，電漿反應室之中心部分的電漿密度相對地高於電漿反應室之邊緣部分的電漿密度，進而會在基板S上形成不均勻的薄膜。

同時，因電漿密度不均勻所產生的問題會在為生產大尺寸的基板S而提供的大尺寸電漿反應室時而顯得尤為嚴重。

因此，為了從實質上避免由以上習知技術之局限及缺點所導致之一個或多個問題，本發明之目的在於提供一種電漿處理設備。

本發明之目的在於提供一種電漿處理設備，藉以透過在腔室之整個電漿反應室中形成均勻的電漿密度，而便於在基板上形成均勻的薄膜。

本發明之其他優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明的這些優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說，其可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書與申請專利範圍以及附圖中所特別指明的結構得以實現和獲得。

因此，為了從實質上避免由以上習知技術之局限及缺點所導致之一個或多個問題，本發明之目的在於提供一種電漿處理設備，係包含：腔室，用於提供處理室；基板支撐元件，係用於對基板進行支撐，此基板支撐元件係位於腔室中；上方電極，係配設於腔室中並直朝向基板支撐元件，其中向此上方電極提供射頻功率與處理氣體；接地元件，係配設於上方電極之上方並於上方電極上與接地端相連；以及複數個電抗元件，係電性連接於上方基板之邊緣部分與接地元件之間，藉以提高施加於上方電極之電流分佈。

本發明之另一方面提供了一種電漿處理設備，係包含：腔室，係用於提供電漿處理室；基板支撐元件，係用於對基板進行支撐，基板支撐元件配設於腔室內；上方電極，係配設於腔室中並直朝向基板支撐元件，其中向上方電極提供射頻功率與處理氣體；接地元件，係配設於上方電極之上方並於上方電極上與接地端相連；以及並聯電感-電容電路，係等效地連接於上方電極之邊緣部分與接地元件之邊緣部分之間。

同時，此並聯電感-電容電路係交替地連接於正型電抗元件與負性電抗元件，並且此並聯電感-電容電路係位於上方電極之邊緣部分與接地元件之邊緣部分。

而其中負型電抗元件係為電容，而該正型電抗元件係為電感。

同時，這些電抗元件，係包含：第一電抗元件，係電性連接於上方電極與接地元件間之第一邊緣部分；第二電抗元件，係電性連接於上方電極與接地元件間之第二邊緣部分；第三電抗元件，係電性連接於上方電極與接地元件間之第三邊緣部分，其中第三邊緣部分係位於第一邊緣部分的對角上；以及第四電抗元件，係電性連接於上方電極與該接地元件間之第四邊緣部分，其中第四邊緣部分係位於第二邊緣部分之對角上。

其中，第一電抗元件、第二電抗元件、第三電抗元件及第四電抗元件係並聯於上方電極與接地元件之間。

其中，第一電抗元件係為電容與電感中之任意一種。

其中電容具有負型電抗，而電感具有正型電抗。

此外，這種電漿處理設備，還包含：腔室蓋，係用於覆蓋腔室，其中接地元件係位於此腔室蓋中。

此外，這種電漿處理設備，還包含：腔室蓋，係用於覆蓋腔室；接地板，係與上方電極具有預定距離並於上方電極上與接地端相連；以及其中，接地元件係為接地板。

可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。

以下，將結合圖示部分對本發明之較佳實施例作詳細說明。其中在這些圖示部分中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。

下面，將結合圖式對本發明實施例之電漿處理設備進行描述。

「第3圖」為本發明第一實施例之電漿處理設備的示意圖，「第4圖」為「第3圖」所示之多個電抗元件的剖面圖。

如「第3圖」與「第4圖」所示，本發明第一實施例之電漿處理設備包含有：腔室110、腔室蓋120、基板支撐元件130、上方電極140、絕緣元件150、接地板160、射頻電源供應器170、氣體供應器180與多個電抗元件190。

其中，腔室110係用於為處理電漿而提供一個密封的電漿反應室。

腔室蓋120係安裝於腔室110的上方，藉以對腔室110進行覆蓋。同時，此腔室蓋120可用於對上方電極140、絕緣元件150及接地板160進行支撐。

而安裝於腔室110內部的基板支撐元件130係用於支撐基板S。在這種狀況中，基板支撐元件130可以是一個機座或是一個靜電夾盤(ESC，electrostatic chuck)。進而，透過基板支撐元件130進行支撐的基板可形成與上方電極140相對的下方電極。

此處，可於腔室110中形成朝向基板支撐元件130之上方電極140。在這種狀況中，可透過射頻電源供應器170向上方電極140提供射頻電源並透過氣體供應器180向此上方電極提供反應氣體。同時，可透過腔室蓋120或用於支撐設備的其它設備(圖中未示出)對此上方電極140進行支撐。

此處，可於此上方電極140之上方安裝電源供應棒174，並使此上方電極透過電源供應線172電性連接於射頻電源供應器170。同時，可於上方電極140之上方安裝提供了反應其它之氣體供應管182。

而在上方電極140內部，可形成氣體儲藏室142，藉以對透過氣體供應管182所提供之反應氣體進行儲藏。

而在上方電極140的底部，多個氣體噴射孔144係用於將儲藏於氣體儲藏室142中之反應氣體噴射至電極反應室中。

根據氣體供應器180之作業，上方電極140可將儲藏於氣體儲藏室142中之反應氣體噴射至電極反應室中，並透過來自射頻電源供應器170之射頻電源產生電場，進而噴入電漿反應室中之反應氣體受到激發，藉以在此電漿反應內形成電漿。

其中，絕緣元件150係安裝於腔室蓋120與上方電極140之間，藉以透過此絕緣元件150使上方電極140與腔室蓋120相互間絕緣。

而當接地板160與上方電極140之間具有預定的間隙時，可於此上方電極140上配設接地板160，並使此接地板160位於對其進行支撐的腔室蓋120上而且接地。同時，也可透過此腔室蓋120對接地板160進行支撐，或是透過用於支撐設備的其它設備(圖中未示出)對此接地板160進行支撐。

其中，此腔室蓋120與接地板160可作為接地元件，藉以使上方電極140透過多個電抗元件190接地。

其中，射頻電源供應器170可產生具有預定頻率的射頻電源，進而可透過電源供應線172與電源供應棒174向上方電極140提供射頻電源。此處，射頻電源供應器170可向上方電極140提供具有預定頻率的射頻電源，如13.56兆赫茲的射頻頻率，但這並不是必須的。換言之，將被施加於上方電極140的射頻電源取決於基板S的尺寸。

同時，電源供應棒174可經由腔室蓋120與接地板160電性連接於上方電極140之中心部分。在這種狀況中，可透過貫穿有電源供應棒174的部分為腔室蓋120與接地板160中之每一個元件的中心部分配設絕緣材料。

進而，氣體供應器180可向透過氣體供應管182向上方電極140之氣體儲藏室142提供反應氣體，藉以於基板S上形成薄膜。同時，這種處理其它可以是鹵素氣體、鹵素化合物氣體、氧氣或是氬氣。

如「第4圖」所示，多個電抗元件190可包含有：第一電抗元件Z1、第二電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4，這些電抗元件分別連接於上方電極140之邊緣部分以及接地板160之邊緣部分，同時這些電抗元件係用於透過對經過接地板160流向接地端之電流與經過腔室蓋120流向接地端之電流的比率進行控制，藉以控制施加於上方電極140的電流分佈。

其中，第一電抗元件Z1電性連接於處於平面狀態之上方電極140左側下方的邊沿部分與處於平面狀態之接地板160右側下方的邊沿部分之間的第一邊沿部分。在這種狀況中，第一電抗元件Z1可為具有負型電抗之電容或為具有正型電抗之電感。

第二電抗元件Z2電性連接於處於平面狀態之上方電極140左側上方的邊沿部分與處於平面狀態之接地板160左側上方的邊沿部分之間的第二邊沿部分。在這種狀況中，第二電抗元件Z2係為具有負型電抗之電容或為具有正型電抗之電感。若配設於第一邊沿部分之第一電抗元件Z1為具有負型電抗之電容，則第二電抗元件Z2為具有正型電抗之電感。另一方面，若第一電抗元件Z1為具有正型電抗之電感，則第二電抗元件Z2為具有負型電抗之電容。

第三電容元件Z3係電性連接於處於平面狀態之上方電極140右側上方的邊沿部分與處於平面狀態之接地板160右側上方的邊沿部分之間的第三邊沿部分。在這種狀況中，第三電抗元件Z3可為具有負型電抗之電容或為具有正型電抗之電感。其中，若第二電抗元件Z2為具有負型電抗之電容，則第三電抗元件Z3為具有正型電抗之電感。另一方面，若第二電抗元件Z2為具有正型電抗之電感，則第三電抗元件Z3為具有負型電抗之電容。從元件之方面來看，當第三電抗元件Z3與第一電抗元件Z1相同時，第三電抗元件Z3不同於第二電抗元件Z2。

而第四電容元件Z4係電性連接於處於平面狀態之上方電極140右側下方的邊沿部分與處於平面狀態之接地板160右側下方的邊沿部分之間的第四邊沿部分。在這種狀況中，第四電抗元件Z4可為具有負型電抗之電容或為具有正型電抗之電感。其中，若第三電抗元件Z3為具有負型電抗之電容，則第四電抗元件Z4為具有正型電抗之電感。另一方面，若第三電抗元件Z3為具有正型電抗之電感，則第四電抗元件Z4為具有負型電抗之電容。從元件之方面來看，當第四電抗元件Z4與第二電抗元件Z2相同時，第四電抗元件Z4不同於第一電抗元件Z1。

最終，可在第一邊沿位置至第四邊沿位置上按使正型電抗元件及負型電抗元件相交替的方式配設第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4。因此，形成了一種並聯電感一電容電路，係包含：等效地並聯於上方電極140與接地板160之間的第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4。

其中，對於施加於上方電極140之射頻電源而言，第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4中之每一電抗元件具有較大的阻抗，藉以減小電漿反應室所分佈之電流中位於上方電極140中心部分之電流密度，同時使分別經過接地板160與腔室蓋120而接地之電流的比率提高。因此，第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4中之每一電抗元件可降低電漿反應室之中心部分所產生之電漿的密度，同時提高此電漿反應室之邊緣部分中所產生之電漿的密度，進而可使整個電漿反應室具有均勻的電漿密度。

「第5圖」示出了透過本發明實施例之電漿處理設備於電漿反應室中所形成的電場密度。

「第5圖」示出了在「第4圖」所示中第一電抗元件Z1與第三電抗元件Z3為具有負型電抗之電容且第二電抗元件Z2與第四電抗元件Z4為具有正型電抗之電感的狀況下，透過將射頻電源施加於上方電極140所產生之電場的密度。

如「第5圖」所示且如上所述，由於第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4可降低電漿反應室之中心部分的電流分佈密度並提高此電漿反應室中邊緣部分的電流分佈密度，因此，可升高此電漿反應室之邊緣部分的電場。

在本發明第一實施例之電漿處理設備內的基板支撐元件130上放置基板S之後，可將處理氣體噴入此電漿反應室中，同時向上方電極140施加射頻電源，藉以在電漿反應室內對處理氣體進行激發，進而於基板S上形成薄膜。在這種狀況中，透過使用第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4，可對施加於電漿反應室之邊緣部分的電流分佈進行調節，藉以使電漿放電，進而為電極位於提供均勻的射頻電源，因此可以克服駐波效應所產生之問題。

在本發明第一實施例中，整個電漿反應室中均勻的電漿密度可於基板S上形成均勻的薄膜。

同時，本發明第一實施例之電漿處理設備中第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4係電性連接於上方電極140之邊緣部分與接地板160之邊緣部分之間，藉以對流經接地板160與腔室蓋120之電流的比率進行控制，進而對施加於上方電極140的電流分佈進行控制。因此，由於在腔室蓋120上第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4電性地進行接地連接，所以可省去上述接地板160。在這種狀況中，第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4可電性連接於上方電極140與接地板160之間，藉以對流經接地板160與腔室蓋120之電流的比率進行控制，進而可對施加於上方電極140之電流的分佈進行控制。下面，將對本發明第二實施例之電漿處理設備進行描述。

「第6圖」本發明第二實施例之電漿處理設備的示意圖。「第7圖」為「第6圖」所示之多個電抗元件的透視圖。

如「第6圖」與「第7圖」所示，本發明第二實施例之電漿處理設備包含有：腔室110、腔室蓋120、基板支撐元件130、上方電極140、絕緣元件150、射頻電源供應器170、氣體供應器180與多個電抗元件290。除了省去接地板160之外，本發明第二實施例之電漿處理設備與本發明第一實施例之電漿處理設備是相同的，因此不再對具有相同標號之部件進行贅述。下面，對本發明第二實施例之電漿處理設備中的電抗元件290進行描述。

如「第7圖」所示，這種電抗元件290可包含有：第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4，這些電抗元件係分別電性連接於上方電極140與腔室蓋120的邊緣部分，並用於透過對流經腔室蓋120流向接地端之電流的比率進行控制，藉以對施加於上方電極140之電流分佈進行控制。

其中，第一電抗元件Z1電性連接於處於平面狀態之上方電極140左側下方的邊沿部分與處於平面狀態之腔室蓋120左側下方的邊沿部分之間的第一邊沿部分。在這種狀況中，第一電抗元件Z1可為具有負型電抗之電容或為具有正型電抗之電感。

第二電抗元件Z2電性連接於處於平面狀態之上方電極140左側上方的邊沿部分與處於平面狀態之腔室蓋120左側上方的邊沿部分之間的第二邊沿部分。在這種狀況中，第二電抗元件Z2係為具有負型電抗之電容或為具有正型電抗之電感。若配設於第一邊沿部分之第一電抗元件Z1為具有負型電抗之電容，則第二電抗元件Z2為具有正型電抗之電感。另一方面，若第一電抗元件Z1為具有正型電抗之電感，則第二電抗元件Z2為具有負型電抗之電容。

第三電容元件Z3係電性連接於處於平面狀態之上方電極140右側上方的邊沿部分與處於平面狀態之腔室蓋120右側上方的邊沿部分之間的第三邊沿部分。在這種狀況中，第三電抗元件Z3可為具有負型電抗之電容或為具有正型電抗之電感。其中，若第二電抗元件Z2為具有負型電抗之電容，則第三電抗元件Z3為具有正型電抗之電感。另一方面，若第二電抗元件Z2為具有負型電抗之電容，則第三電抗元件Z3為具有正型電抗之電感。另一方面，若第二電抗元件Z2為具有正型電抗之電感，則第三電抗元件Z3為具有負型電抗之電容。從元件之方面來看，第三電抗元件Z3與第一電抗元件Z1相同，而第三電抗元件Z3不同於第二電抗元件Z2。

而第四電容元件Z4係電性連接於處於平面狀態之上方電極140右側下方的邊沿部分與處於平面狀態之腔室蓋120右側下方的邊沿部分之間的第四邊沿部分。在這種狀況中，第四電抗元件Z4可為具有負型電抗之電容或為具有正型電抗之電感。其中，若第四電抗元件Z4為具有負型電抗之電容，則第四電抗元件Z4為具有正型電抗之電感。另一方面，若第三電抗元件Z3為具有正型電抗之電感，則第四電抗元件Z4為具有負型電抗之電容。從元件之方面來看，當第四電抗元件Z4與第二電抗元件Z2相同時，第四電抗元件Z4不同於第一電抗元件Z1。

最終，可在第一邊沿位置至第四邊沿位置上按使正型電抗元件及負型電抗元件相交替的方式配設第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4。因此，形成了一種並聯電感-電容電路，係包含：等效地並聯於上方電極140與腔室蓋120之間的第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4。

其中，對於施加於上方電極140之射頻電源而言，第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4中之每一電抗元件具有較大的阻抗，藉以使電漿反應室所分佈之電流中位於上方電極140中心部分之電流密度減小，同時使經過腔室蓋120而接地之電流的比率提高。因此，第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4中之每一電抗元件可降低電漿反應室之中心部分所產生之電漿的密度，並提高此電漿反應室之邊緣部分中所產生之電漿的密度，進而可使整個電漿反應室具有均勻的電漿密度。

因此，本發明第二實施例之電漿處理設備此包含有這種並聯電感-電容電路(第一電抗元件Z1、電抗元件Z2、第三電抗元件Z3及第四電抗元件Z4)，係等效地並聯於上方電極140與腔室蓋120之間的。因此，可以降低電漿反應室之中心部分所分佈之電流的密度，同時提高了此電漿反應室之邊緣部分所分佈之電流的密度，進而可增大此電漿反應室之邊緣部分中所產生的電場。

因此，本發明第二實施例之電漿處理設備可透過在整個電漿反應室中形成均勻的電漿密度而於基板上形成均勻的薄膜，同時這種電漿處理設備還可透過省略本發明第一實施例中之接地板160而達到相同效果而使結構得到簡化。

雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。

10、110．．．腔室

20、120．．．腔室蓋

30、130．．．基板支撐元件

40、140．．．上方電極

42、142．．．氣體儲藏室

44、144．．．噴射孔

50、150．．．絕緣元件

60、160．．．接地板

70、170．．．射頻電源供應器

72、172．．．電源供應線

74、174．．．電源供應棒

80、180．．．氣體供應器

82、182．．．氣體供應管

190、290．．．電抗元件

S．．．基板

Z1．．．第一電抗元件

Z2．．．第二電抗元件

Z3．．．第三電抗元件

Z4．．．第四電抗元件

第1圖為習知技術中採用電容耦合電漿法之電漿處理設備的示意圖；

第2圖為透過習知技術中之電漿處理設備在電漿反應室中所產生之電場密度的示意圖；

第3圖為本發明第一實施例之電漿處理設備的示意圖；

第4圖為第3圖所示之多個電抗元件之透視圖；

第5圖為透過本發明實施例之電漿處理設備在電漿反應室中所產生之電場密度的示意圖；

第6圖為本發明第二實施例之電漿處理設備的示意圖；以及

第7圖為第6圖所示之多個電感元件之透視圖。

110．．．腔室

120．．．腔室蓋

130．．．基板支撐元件

140．．．上方電極

142．．．氣體儲藏室

144．．．噴射孔

150．．．絕緣元件

160．．．接地板

170．．．射頻電源供應器

172．．．電源供應線

174．．．電源供應棒

180．．．氣體供應器

182．．．氣體供應管

190．．．電抗元件

S．．．基板

Claims

一種電漿處理設備，係包含：一腔室，用於提供一處理室；一基板支撐元件，係用於對一基板進行支撐，該基板支撐元件係位於該腔室中；一上方電極，係配設於該腔室中並一直朝向該基板支撐元件，其中向該上方電極提供射頻功率與處理氣體；一接地元件，係配設於該上方電極之上方並於該上方電極上與接地端相連；以及複數個電抗元件，係電性連接於該上方基板之邊緣部分與該接地元件之間，藉以提高施加於該上方電極之電流分佈。
如請求項第1項所述之電漿處理設備，其中該等電抗元件，係包含：一第一電抗元件，係電性連接於該上方電極與該接地元件間之一第一邊緣部分；一第二電抗元件，係電性連接於該上方電極與該接地元件間之一第二邊緣部分；一第三電抗元件，係電性連接於該上方電極與該接地元件間之一第三邊緣部分，其中該第三邊緣部分係位於該第一邊緣部分的對角上；以及一第四電抗元件，係電性連接於該上方電極與該接地元件間之一第四邊緣部分，其中該第四邊緣部分係位於該第二邊緣部分之對角上。
如請求項第2項所述之電漿處理設備，其中該第一電抗元件、該第二電抗元件、該第三電抗元件及該第四電抗元件係並聯於該上方電極與該接地元件之間。
如請求項第2項所述之電漿處理設備，其中該第一電抗元件係為電容與電感中之任意一種。
如請求項第4項所述之電漿處理設備，其中該電容具有負型電抗。
如請求項第4項所述之電漿處理設備，其中該電感具有正型電抗。
一種電漿處理設備，係包含：一腔室，係用於提供一電漿處理室；一基板支撐元件，係用於對一基板進行支撐，該基板支撐元件配設於該腔室內；一上方電極，係配設於該腔室中並一直朝向該基板支撐元件，其中向該上方電極提供射頻功率與處理氣體；一接地元件，係配設於該上方電極之上方並於該上方電極上與接地端相連；以及一並聯電感-電容電路，係等效地連接於該上方電極之邊緣部分與該接地元件之邊緣部分之間。
如請求項第7項所述之電漿處理設備，其中該並聯電感-電容電路係交替地連接於一正型電抗元件與一負性電抗元件，且該並聯電感-電容電路係位於該上方電極之邊緣部分與該接地元件之該邊緣部分。
如請求項第8項所述之電漿處理設備，其中該負型電抗元件係為一電容，而該正型電抗元件係為一電感。
如請求項第9項所述之電漿處理設備，其中該等電抗元件，係包含：一第一電抗元件，係電性連接於該上方電極與該接地元件間之一第一邊緣部分；一第二電抗元件，係電性連接於該上方電極與該接地元件間之一第二邊緣部分；一第三電抗元件，係電性連接於該上方電極與該接地元件間之一第三邊緣部分，其中該第三邊緣部分係位於該第一邊緣部分的對角上；以及一第四電抗元件，係電性連接於該上方電極與該接地元件間之一第四邊緣部分，其中該第四邊緣部分係位於該第二邊緣部分之對角上。
如請求項第10項所述之電漿處理設備，其中該第一電抗元件係為電容與電感中之任意一種。
如請求項第1項或第7項所述之電漿處理設備，還包含：一腔室蓋，係用於覆蓋該腔室，其中該接地元件係位於該腔室蓋中。
如請求項第1項或第7項所述之電漿處理設備，還包含：一腔室蓋，係用於覆蓋該腔室；以及一接地板，係與該上方電極具有一預定距離並於該上方電極上與接地端相連，其中，該接地元件係為該接地板。
如請求項第4項或第11項所述之電漿處理設備，其中，當該第一電抗元件為電容時，該第二電抗元件係為電感；並且其中，當該第一電抗元件為電感時，該第二電抗元件係為電容。
如請求項第14項所述之電漿處理設備，其中該第三電抗元件與該第一電抗元件係為同種元件，而該第三電抗元件與該第二電抗元件係為不同種元件。
如請求項第14項所述之電漿處理設備，其中該第四電抗元件與該第二電抗元件係為同種元件，而該第四電抗元件與該第一電抗元件係為不同種元件。