TWI492421B - 載體、具有載體之光電組件及其等之製造方法 - Google Patents

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Description

載體、具有載體之光電組件及其等之製造方法
本專利申請案主張德國專利申請案10 2011 018 921.1之優先權，其已揭示的整個內容以參考的方式合併於此。
本發明涉及一種載體、具有載體之光電組件及其等之製造方法。
先前技術中，發光二極體之外殼材料已為人所知，其例如以白色熱塑性聚合物為主，例如，以高溫穩定之聚醯胺為主。然而，已顯示的事實為：此種材料在高溫且特別是與藍光發生作用時會傾向於變成黃色。由於此種老化特性，則例如發光二極體之光強度會由於外殼之變小的反射性能而減弱。
具有較佳的老化特性之熱塑膠已為人所知，其例如可為液晶聚合物(LCP：liquid crystal polymer)或聚醚醚酮(PEEK)。然而，這些材料具有小的反射性，這樣就須考慮由於小的發射強度所造成的光損耗。
此外，白矽酮亦已為人所知，但其具有機械弱點(特別是易碎性)且很昂貴。
本發明之特定實施形式之至少一目的是提供一種用於光電半導體組件之載體。特定實施形式之其它目的在於：提供一種具有載體之光電組件及用於製造一載體或光電組件的方法。
上述目的藉由隨後將描述的物件及方法來達成。所述物件和方法之有利的實施形式及其它形式的特徵描述在申請專利範圍各附屬項中且另外可由隨後之描述和圖式中得知。
依據至少一實施形式，載體具有一種包含聚乙烯對苯二甲酸酯之載體材料。依據本發明已確定的是：藉由載體材料中的聚乙烯對苯二甲酸酯可達成一種很高的變黃耐久性。這在以具有足夠能量且同時具有高溫的光(例如，藍光及/或紫外光)來照射載體時特別適合。須注意：依據先前技術，通常所使用的聚醯胺已在大約120℃之較高溫度下以藍光所進行的較短照射中在受到照射的位置處顯示明顯的老化現象。反之，此種老化現象藉由此處所述之載體材料在相同形式的照射條件下且甚至在更高的溫度下都未被觀看到。因此，在此處所述的載體(其載體材料包含聚乙烯對苯二甲酸酯)中，特別是在藍色光譜區至紫外線光譜區之光波長中可避免老化現象。
依據另一實施形式，載體材料具有反射粒子。此種反射粒子特別是分佈在該載體材料之聚乙烯對苯二甲酸酯中。此外，此種反射粒子特別適合用來設有載體材料，其具備使光反射及/或散射的特性。於是，所述反射粒子可使光散射及/或使光反射。特別是，該載體材料可藉由所述反射粒子而顯現出顏色。當所述反射粒子使載體材料顯現出白色時特別有利，這樣該載體就可在廣泛的光譜區，特別是在可見光譜區且特佳時在紫外線光譜區、可見光譜區及/或紅外線光譜區中具有反射性。此外，亦 可藉由所述反射粒子及載體材料之因此而相關聯之染色作用而提高載體材料之輻射耐久性。
依據另一實施形式，所述反射粒子具有無顏色的無機顏料，其具有較佳是大於或等於1.7之高的折射率。所述反射粒子因此可具有以下材料之至少一種或多種：氧化鈦、特別是二氧化鈦(TiO2 )、氧化鋅(ZnO)、氧化鋯、特別是二氧化鋯(ZrO2 )、硫酸鋇(BaSO4 )。
依據另一實施形式，反射粒子特別佳時具有200至500奈米之粒子大小。粒子大小例如可藉由篩選法來測量。在此種大小的範圍中，各反射粒子特別適合於高反射率且另外亦可確保各種相對於載體材料之形式穩定的有利特性。
依據另一實施形式，載體材料具有某一份量的反射粒子，此一份量大於或等於載體材料之總重的15 Wt.%。此外，反射粒子之此一份量較佳是可小於或等於載體材料之30 Wt.%。
依據另一實施形式，載體材料具有聚乙烯對苯二甲酸酯及反射粒子。研究結果已顯示：例如以二氧化鈦來染色之聚乙烯對苯二甲酸酯可用於發光二極體外殼，其與一般由先前技術製成的材料比較下顯示出一優異之老化穩定性及一很高之反射率。
依據另一實施形式，載體材料具有至少另一填充材料。此另一填充材料特別是可使載體在加熱時之形式穩定性提高。此外，亦可使載體之機械性，例如，載體相對於拉應力和剪應力的穩定性，獲得改良。
依據另一實施形式，載體材料具有聚乙烯對苯二甲酸酯，其包含反射粒子及至少另一填充材料。例如，載體材料基本上由聚乙烯對苯二甲酸酯構成，其中含有反射粒子及至少另一填充材料，且各成份特別是例如相混合。
該另一填充材料例如可具有纖維形式的材料，特別是玻璃纖維，其例如可具有一般為200至400微米之長度及一般為6至15微米之直徑。
已顯示的事實為：藉由添加玻璃纖維至該載體材料，則該載體材料之熱形式耐久性相較於聚乙烯對苯二甲酸酯和反射粒子構成的混合物而言可提高至大約255℃，這例如可確保該載體在250℃+/-5℃之最大溫度時之可焊接性。
依據另一實施形式，該載體材料具有一種交鏈添加劑。藉由此種交鏈添加劑，可使熱形式穩定性更加提高。
依據另一實施形式，該載體材料具有聚乙烯對苯二甲酸酯，其包含反射粒子、至少另一填充材料及一種交鏈添加劑。例如，該載體材料基本上可由具有該交鏈添加劑之聚乙烯對苯二甲酸酯構成，其中含有反射粒子和至少另一填充材料，且各成份特別是例如相混合。
依據另一實施形式，該載體材料具有異氰酸四烯丙酯以作為交鏈添加劑。此交鏈添加劑可在該載體形成之前添加至載體材料，這例如藉由混合或熔化混合來達成。特別是在純的異氰酸四烯丙酯的情況下，該交鏈添加劑能以流體形式存在，使其可在流體的-或流體化的聚 乙烯對苯二甲酸酯中混合。此外，亦可製備該交鏈添加劑，即，異氰酸四烯丙酯，其是一種具有聚乙烯對苯二甲酸酯或聚丁烯對苯二甲酸酯之主束(master batch)的形式，特別是作為高濃縮之主束，且在該載體材料(特別是聚乙烯對苯二甲酸酯)用之上述材料中混合或藉由熔化混合而混合。後者亦稱為混入。在此種情況下，該載體材料基本上是由聚乙烯對苯二甲酸酯構成，其具有交鏈添加劑及以所使用的主束為主之聚合物，該聚合物特別佳時是聚乙烯對苯二甲酸酯或聚丁烯對苯二甲酸酯，其中含有反射粒子及至少另一填充材料，且這些成份例如特別是相混合。
該交鏈添加劑至少一部份是以該載體材料之聚乙烯對苯二甲酸酯來交鏈。藉由以聚乙烯對苯二甲酸酯來交鏈之該交鏈添加劑之份量，則可調整該載體材料之熱形式耐久性且特別是在與不具備該交鏈添加劑之載體材料比較下可使熱形式耐久性提高。
在另一實施形式中，該交鏈添加劑完全在該載體材料中交鏈。換言之，存在於該載體材料中的全部之交鏈添加劑都建構在該載體材料之聚合物網狀物中。在未交鏈的形式之該交鏈添加劑造成該載體材料之變黃或其它的老化現象時此完整的建構或完整的交鏈特別有利。
依據另一實施形式，交鏈添加劑的份量小於或等於該載體材料之4 Wt.%。此外，該交鏈添加劑的份量可大於或等於該載體材料之2 Wt.%。藉由該交鏈添加劑之添加至該載體材料之此種份量，則載體材料之熱形式耐久 性特別是在載體材料之聚合物網狀物中交鏈(例如，一種輻射交鏈)之後可進一步提高。
依據另一實施形式，載體材料具有交鏈添加劑及另一填充材料。此另一填充材料例如可具有如上所述之玻璃纖維。此外，此另一填充材料可具有玻璃球、玻璃球及/或礦物填料或上述材料之混合物。亦可包含纖維素纖維、及纖維素纖維與上述材料之一種或多種的混合物，以作為載體材料中的另一填充材料。作為礦物填充材料，亦能以纖維-、粉狀-或小板形式(例如，Wollastonid)將白堊(碳酸鈣)及/或滑石混入至載體材料中。在使用此種礦物填料時，該載體材料可形成一特別平滑的表面，以達成一特別平滑的載體外表面。
依據另一實施形式，該載體材料具有另一填充材料，其份量大於或等於載體材料之20 Wt.%。此外，該載體材料的份量可小於或等於該載體材料之50 Wt.%。藉由該另一填充材料與上述範圍中的份量的混合，則可有利地達成高的形式耐久性(特別是高的熱形式耐久性)及使機械穩定性獲得改良。
依據另一實施形式，該載體材料另外具有聚丁烯對苯二甲酸酯。特別是當聚丁烯對苯二甲酸酯在該載體材料上的份量小於或等於60 Wt.%、較佳是小於或等於20 Wt.%、且特佳是小於或等於10 Wt.%，時是有利的。因此，載體材料通常總是包含足夠高的份量之聚乙烯對苯二甲酸酯。例如，該載體材料基本上由聚乙烯對苯二甲酸酯構成，其具有由預定份量的聚丁烯對苯二甲酸酯構 成的混合物，此預定份量特別是該載體材料之小於或等於20Wt.%且較佳是小於或等於10Wt.%，該載體材料中含有反射粒子及至少另一填充材料且各成份特別是例如相混合。此外，該載體材料基本上由聚乙烯對苯二甲酸酯構成，其具有由預定份量的聚丁烯對苯二甲酸酯構成的混合物且具有交鏈添加劑，此預定份量特別是該載體材料之小於或等於20Wt.%且較佳是小於或等於10Wt.%，該載體材料中含有反射粒子及至少另一填充材料且各成份特別是例如相混合。
藉由將聚丁烯對苯二甲酸酯混合至載體材料，則使可處理性且特別是該載體材料之結晶性獲得改良。藉由聚丁烯對苯二甲酸酯之較聚乙烯對苯二甲酸酯大致上更長之烷基-鏈，則可使該載體材料達成較佳之結晶傾向性。藉由已製成的載體中該載體材料之高的結晶度，則該載體材料在大於玻璃溫度時可達成形式穩定性。因此，藉由特別高的結晶度，可使載體之形式穩定性最大化。此外，藉由聚丁烯對苯二甲酸酯之混入，則可使載體材料之機械特性(例如，大致上是硬度、強度、韌性、水吸收性及收縮吸收性)最佳化且亦可達成較佳的化學持久性。此外，藉由聚丁烯對苯二甲酸酯之混合，則可使該載體材料之輻射可交鏈性獲得改良。
例如，當使用射出成型方法來製造該載體時亦可使結晶度提高，其中此處所述之載體材料藉由射出成型而形成且較緩慢地冷卻或添加一種核化劑。藉由將聚丁烯對苯二甲酸酯添加至該載體材料，則另外可對結晶度造成影響。
依據另一實施形式，光電組件具有一載體，此載體具有上述至少一實施形式或多個實施形式之特徵。此外，在該載體上配置一光電半導體晶片。
依據另一實施形式，光電半導體晶片形成為發光-及/或受光之半導體晶片。例如，該光電半導體晶片可以是一種發光二極體晶片、雷射二極體晶片及/或光二極體晶片。此外，亦可在該載體上配置至少二個或更多個光電半導體晶片。又，亦可在該載體上配置其它之電子組件，例如，對抗靜電放電(ESD)之保護二極體，所謂ESD-保護二極體。
依據另一實施形式，載體形成為載體板。因此，載體特別是作為光電半導體晶片用的平坦載體或平面載體或至少一部份是平面載體板。
依據另一實施形式，載體形成為外殼，其具有外殼凹口。在具有較佳是平面-或至少一部份是平面之基面的外殼凹口中可配置光電半導體晶片。特別是該外殼凹口例如具有以側面為界的側壁，其在側面包圍著一配置在該外殼中的光電半導體晶片。側壁因此可垂直於外殼凹口之基面而對準，但特別佳時側壁的至少一部份係傾斜地形成，使外殼凹口例如具有盆形的幾何形狀，其具有一由基面放大的橫切面。特別是可形成該外殼凹口之側壁，使各側壁可將由一形成為發光半導體晶片之光電半導體晶片所發出的光或將即將由一形成為受光半導體晶片之光電半導體晶片所接收的電磁輻射予以反射。特別 是包含在該載體材料中的反射粒子是有利的或對此種反射甚至是需要的。已發出之光或即將接收的光特別是可為紫外線-輻射光譜區至紅外線-輻射光譜區之波長的光，特別是亦可為可見光。外殼凹口之具反射性的側壁例如可形成為環形，即，大致上是圓形或卵形。亦可為有角的形式或混合形。光電半導體組件中，外殼凹口之具反射性的側壁通常以框狀形式包圍著光電半導體組件，其配置在該外殼凹口中。
依據另一實施形式，光電組件具有一外殼，其具有一外殼凹口，其中配置著一光電半導體晶片，且該載體形成該外殼之外殼凹口之此部份。這特別是表示：該外殼凹口之側壁及/或基面可藉由該載體來形成。該載體另外可與另一材料，特別是與載體材料不同的其它塑料，相連接或至少一部份由所述另一材料包圍著，使具有所述另一材料(特別是其它塑料)之該載體形成該外殼之塑料殼體。該載體較佳是存在於光電半導體晶片和所述另一材料之間，第二材料可不考慮其光學特性而被選取，在例如發光半導體晶片之情況下由該半導體晶片所發出之光只入射在該載體上但未入射至該另一材料上。
依據另一實施形式，該載體具有導線架、導電軌及/或通孔。於是，該載體具有特殊的電性連接，藉此可與載體上的光電組件且特別是光電半導體晶片達成電性接觸。光電半導體晶片較佳是配置在該導線架、導電軌及/或通孔之電性接觸區上或至少可被電性接觸。
依據另一實施形式，在該載體上配置一澆注物質， 其覆蓋該光電半導體晶片。此澆注物質例如可以是透明者或半透明者且具有塑料，例如，矽酮、環氧化物或矽酮-環氧化物-混合材料。此外，該澆注物質亦可具有散射粒子，其例如可像該載體材料之上述反射粒子一樣地形成。又，該澆注物質例如亦可具有一種或多種波長轉換材料，其將由一形成為發光半導體晶片之光電半導體晶片所發出之光的至少一部份轉換成另一波長的光，使該光電組件可發出混合彩色的光。波長轉換材料及該澆注物質用的另一材料已為此行的專家所知悉，於此不再說明。
若該載體以載體板來形成，則該澆注物質例如可形成為該光電半導體晶片之透鏡形式的造型。在載體形成為一種具有外殼凹口之外殼的情況下，該澆注物質可對該凹口之至少一部份進行填充或亦可完全填滿且因此例如形成一平坦的光發出面，藉此使由一形成為發光半導體晶片之光電半導體晶片所發出之光可由該光電組件發出。此外，該澆注物質亦可在該外殼凹口上形成拱形，例如，形成為透鏡形式，以便例如可達成所期望的發射特性。
亦可在一形成為發光半導體晶片之光電半導體晶片上直接形成一轉換小板形式之波長轉換元件或形成一種直接施加而成的波長轉換材料。具有波長轉換元件之該光電半導體晶片可另外以該澆注物質來覆蓋且改變形式。
依據另一實施形式，在載體之製造方法或光電組件 之製造方法中，依據上述實施形式之一藉由射出成型使載體材料形成為載體。因此，如上所述，例如可藉由緩慢的冷卻過程使載體材料之結晶度受到影響。
此處所述之載體、載體材料及光電組件的各實施形式及特徵同樣地亦適用於載體的製造方法及光電組件之製造方法且反之亦然。
依據另一實施形式，在射出成型方法之前將一種交鏈添加物(例如，異氰酸四烯丙酯)添加至該載體材料。在該射出成型方法之後藉由載體材料之適當處理，可使載體材料之至少一部份再交鏈。此種處理例如可包括以電子射束、熱輻射及/或紫外光來照射。在該載體之射出成型和成形之後，大致上是藉由電子射束使該載體材料之至少一部份再交鏈。已顯示的事實是，特別是在以異氰酸四烯丙酯作為交鏈添加劑之情況下，能量劑量大於或等於65kGy且小於或等於135kGy之電子射束是有利的。電子射束的能量劑量越大，則載體材料中可達成的交鏈度越大，這樣亦可使熱形式耐久性提高。因此，藉由適當地選取交鏈添加劑之份量及已進行之電子射束之能量劑量，則可適當地對載體材料和載體之所期望的交鏈度及載體材料之所期望的熱形式耐久性進行調整。已顯示的事實是，藉此可製造載體，其在250℃至大於300℃之範圍中具有可調整的熱形式耐久性。例如，具有此處所述之載體材料的載體直至310℃為止都具有一種熱形式耐久性。於是，載體是可焊接的且可使用在像無鉛焊接之類的焊接方法中。該交鏈添加劑因此可在射出成型 方法之前如上所述藉由混合或熔化混合而供應至載體材料中。
藉由載體材料之上述成份之份量的調整，則可使載體材料及載體之機械特性最佳化，以便使載體且特別是使具有載體之光電組件之壽命最佳化。此外，藉由載體材料可製造載體或製造具有載體之光電組件，以便在可見光譜區中可達成一種超過90%之高反射率，可見光譜區即藍色至紅色光譜區且特別是指一種由接近於紫外線而延伸至紅外線之光譜區。此處所述的載體材料特別是可製成載體，其在440奈米至750奈米之光譜區中具有大於92%之高反射率。藉由高的老化耐久性，則亦可在長的操作期間且較佳是在光電組件(其具有此處所述的載體)之整個壽命期間達成高的反射率，此乃因亦可有利地在高溫中使此處所述之載體材料不會變色或在與先前技術中習知的材料比較時具有至少小很多的變色率。因此，此處所述的載體材料在與習知的材料例如聚醯胺比較時在黏合性及操作性上亦較有利。
本發明的其它優點和有利的實施形式及其它形式描述在以下之與圖式相關的實施形式中。
各實施例和圖式中相同或作用相同的各組件分別設有相同的參考符號。各圖式中所示的各元件及其之間的大小比例基本上未依比例繪出。反之，為了清楚及/或易於理解，各別元件(例如，層、構件、組件和區域)已予加厚或大尺寸地顯示出。
圖1顯示載體1之製造方法的一步驟。載體1藉由射出成型方法而由載體材料製成。此處，在所示的實施例中製備一種導線架複合物20，其用來製備用於多個載體1的導線架2，導線架2用作電性連接面、接觸面及外部電性終端。載體1就像作為例子的圖1所示一樣形成為具有外殼凹口10之外殼，凹口10中存在多個開口11，藉此可接觸該外殼凹口10內部中的導線架2。此外，所示的實施例中所示的外殼1具有標記12，其形式為載體1之部份傾斜的角隅，藉此可配置具有此處所述之載體1之光電組件且可接觸此光電組件。
此處所述之載體可藉由適當之載體材料之射出成型而製成，本實施例中該載體材料具有聚乙烯對苯二甲酸酯，其含有反射粒子和另一填充材料。此填充材料例如可具有或可以是二氧化鈦或亦可為以上所述部份中所述材料之一種或多種。玻璃纖維添加至載體材料以作為另一填充材料，其可使即將製成的載體1之機械強度和熱形式耐久性提高。在所示之實施例中，載體材料具有大於或等於15Wt.%且小於或等於30Wt.%份量的反射粒子、及大於或等於20Wt.%且小於或等於50Wt.%份量、且特別是大於或等於30Wt.%且小於或等於50Wt.%份量的該另一填充材料。藉由此種載體材料，則可製成載體1，其可達成熱形式耐久性且因此直至溫度250℃+/-5℃為止都可焊接。
為了使載體1之熱形式耐久性更加提高，特別是使焊接溫度由大於或等於260℃提高至310℃，則可將一種 交鏈添加劑添加至該載體材料，該交鏈添加劑在所示的實施例中是異氰酸四烯丙酯，其份量為該載體材料之總重量的大於或等於2Wt.%且小於或等於4Wt.%。異氰酸四烯丙酯可以純流體的形式或亦可在聚丁烯對苯二甲酸酯或聚乙烯對苯二甲酸酯中形成為高濃縮之主束(master batch)而混合至或化合至載體材料中，即，混合成熔合物。研究結果已顯示：此處所述之載體之反射率和老化穩定性不會受到交鏈添加劑(大致上是異氰酸四烯丙酯)的添加所影響。
在射出成型方法之後，載體1較佳是藉由電子射束設備而運行至例如形成為導線架-條片或導線架-捲條(roll)形式之導線架複合物20中，且在該處以能量劑量大於或等於65kGy且小於或等於135kGy之電子來照射。藉由在電子射束設備中選取該交鏈添加劑及能量劑量之份量，則可適當地調整該載體材料之交鏈度，這樣亦可適當地調整其熱形式耐久性。反射率和老化穩定性在交鏈之後仍保持著。藉由射出成型方法且特別是藉由冷卻過程，可使載體材料之結晶度及載體1受到影響。因此，藉由高的結晶度可有利地使熱形式耐久性提高。
此外，除了上述成份以外亦可將聚丁烯對苯二甲酸酯添加至該載體材料，其份量以載體材料之總重量來計算時例如小於或等於60Wt.%，此份量較佳是小於或等於20Wt.%，且特別佳時是小於或等於10Wt.%。因此，載體材料之可處理性及載體材料之結晶預備性亦可提高。
射出成型方法以此處所述之載體材料在100℃至120℃之範圍中的較低之工具溫度中進行是可能的。製造該載體1所需的時間，所謂的週期時間(cycle time)，因此少於10秒。反之，以習知的材料來進行時所需的週期時間大於12秒。又，此處所述之載體材料通常較發光二極體用之習知材料更有利，以達成高的經濟性。
在與圖1相結合而顯示具有導線架2之載體1之製造時，載體1例如亦可製造成平坦之載體板，如其在圖3中所示者。
圖2中顯示另一實施例之光電組件101，其純舉例地具有一種具備導線架2之載體1，其以一種如圖1所示的方法製成。在該載體1之外殼凹口10中，光電半導體晶片3配置在外殼凹口10之基面上且電性連接著，該光電半導體晶片3在所示的實施例中形成為發光半導體晶片。為了使由發光半導體晶片所發出的光有效地發出，該外殼凹口10須具有成傾斜的側面，其藉由載體材料中的反射粒子而發生反射。
發光半導體晶片藉由焊劑4(較佳是無鉛之焊劑)而配置在該載體1之開口11內部中的導線架2上且電性連接著。藉由接合線5，光電半導體晶片3經由載體1中的另一開口11而與該導線架2之另一部份可導電地連接著。光電組件101中該光電半導體晶片3之電性連接及安裝因此可理解為純是舉例而不是作為限制用。依據該光電半導體晶片及載體，其它的連接亦是可能的，其已為此行的專家所知悉，於此不再詳述。
在光電半導體晶片3上另外例如可配置一個波長轉換元件(未顯示)，其使由光電半導體晶片3所發出之光之至少一部份轉換成另一波長的光，以便使光電組件101可發出混合彩色的光。
在該外殼凹口10中，在載體1上之光電半導體晶片3上配置一澆注物質6，其在所示的實施例中是透明者且例如具有矽酮、環氧化物或由其所構成的混合材料。此外，該澆注物質6例如亦可含有散射粒子及/或波長轉換材料。此澆注物質因此可形成平坦的表面，其形成所示之光電組件101的輻射發出面。此外，該澆注物質6亦可隆起且例如形成為透鏡，如虛線所示，以便使光電組件101之發射特性受到影響。
已顯示的事實為，在與具有由習知之材料(例如，聚醯胺)構成之殼體之發光二極體比較時，在平坦地澆注而成的發光二極體中亮度可提高3至17%，這依據外殼幾何形狀和所使用的半導體晶片而定。於是，可在由大約250℃至大於300℃之另一溫度範圍中調整上述之熱形式耐久性。此外，載體材料在440奈米至750奈米之光譜區中具有一種大於92%之高反射率且具有顯著的老化穩定性，特別是在高的溫度及發出藍色的輻射時。
圖3中顯示光電組件102之另一實施例，其在與圖2之實施例比較時具有平坦的載體1，此載體1形成為載體小板，其上配置一個光電半導體晶片3且電性連接著。各接觸面、導線架及可能存在的通孔為了清楚之故而未顯示，藉由通孔可達成光電半導體晶片3之電性連 接。在光電半導體晶片3及載體1上配置一種形式為透鏡之澆注物質6，此澆注物質6用來保護該光電半導體晶片3且影響該光電半導體組件102之特性。
圖4藉由曲線401來顯示此處所述之載體材料中反射率R與波長λ(以奈米表示)之關係。由圖4可得知，在波長大約430奈米及更大的光譜區中可達成一種大於90%之反射率。與此相較，藉由曲線402來顯示標準-高溫度-聚醯胺之反射率R，其在七個光譜區中具有小很多的反射率。研究已顯示：具有由此處所述之載體材料構成的載體之光電組件的亮度在使用發出藍光(其在444奈米之範圍中)之半導體晶片中以單位流明來測量時光電流可提高大約9%，且以單位燭光(candela)來測量時光強度可提高8%。在發出綠光(其大約在519奈米之範圍中)之半導體晶片中，與標率-高溫度-聚醯胺比較下可確定：以光電流和光強度來計算時亮度大約提高10%，且在發出白光之組件所具有之彩色位置的彩色位置座標為cx=0.27及cy=0.22的情況下，以光電流來計算時亮度可提高9%且以光強度來計算時亮度提高10%。甚至在使用發出紅光(其在620奈米之範圍中)之半導體晶片時，與來自先前技術之材料比較下可確定：以光電流來計算時亮度可提高3.5%且以光強度來計算時亮度提高4.5%。
圖5A至圖5D顯示具有由此處所述之載體材料構成之載體之光電組件與具有由通常所使用之高溫-聚醯胺構成之載體之光電組件之間的比較，其中分別在水平軸上以秒來標示時間且在垂直軸上標示光電流Iv，其相對 於起始值以%來表示所發出之亮度的大小。
因此，參考符號501、503、505和507顯示以此處所述之載體材料而得的測量，而參考符號502、504、506和508顯示以通常所用之聚醯胺而得的測量。
在圖5A之測量中，載體承受了85℃之高溫及所使用之發光半導體晶片之操作電流30 mA。與此相較，在圖5B之測量中該操作電流已加倍。在圖5C之測量中，在85%之相對空氣濕度及30 mA之操作電流中各別所使用的發光半導體晶片操作在30分鐘之開-/閉-週期中。圖5D之測量在同樣是85%之相對空氣濕度及5 mA之操作電流中進行。在全部之測量中，已確定目前通常所使用的聚醯胺-材料之一部份已明顯地變色，這在全部的測量中藉由所測得之亮度之減弱而變得明顯。相對而言，在具有由此處所述之載體材料構成的載體之光電組件中，已確定該亮度的變化較小且該亮度甚至無變化。
本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各申請專利範圍或不同實施例之各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。
1‧‧‧載體
2‧‧‧導線架
3‧‧‧光電半導體晶片
4‧‧‧焊劑
5‧‧‧接合線
6‧‧‧澆注物質
10‧‧‧外殼凹口
11‧‧‧開口
12‧‧‧標記
20‧‧‧導線架複合物
101、102‧‧‧光電組件
401、402‧‧‧反射率
501、502、503、504、505、506、507、508‧‧‧測量
圖1顯示載體之製造方法之一實施例之各步驟的圖解。
圖2和圖3是具有載體之光電組件的其它實施例的 圖解。
圖4至圖5D係與先前技術比較時載體材料和載體或光電組件之參數的測定。
1‧‧‧載體
2‧‧‧導線架
10‧‧‧外殼凹口
11‧‧‧開口
12‧‧‧標記
20‧‧‧導線架複合物

Claims (22)

  1. 一種用於光電組件之載體(1)，具有載體材料，該載體材料具有聚乙烯對苯二甲酸酯，其包含反射粒子及另一填充材料，其中該載體材料另外包含交鏈添加劑，其至少一部份係與該聚乙烯對苯二甲酸酯交鏈，並且，該交鏈添加劑是異氰酸四烯丙酯，其佔該載體材料之份量大於或等於2Wt.%且小於或等於4Wt.%。
  2. 如申請專利範圍第1項之載體(1)，其中該另一填充材料具有以下材料之至少一種或多種：玻璃纖維、玻璃球、纖維素纖維、礦物填料。
  3. 如申請專利範圍第1項之載體(1)，其中該另一填充材料係由玻璃纖維形成。
  4. 如申請專利範圍第1項之載體(1)，其中該反射粒子具有以下材料之至少一種或多種：氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、硫酸鋇。
  5. 如申請專利範圍第1項之載體(1)，其中該反射粒子佔該載體材料之份量大於或等於15Wt.%且小於或等於30Wt.%，該另一填充材料佔該載體材料之份量大於或等於20Wt.%且小於或等於50Wt.%。
  6. 如申請專利範圍第1項之載體(1)，其中該載體材料另外具有聚丁烯對苯二甲酸酯，其佔該載體材料之份量小於或等於60Wt.%。
  7. 如申請專利範圍第6項之載體(1)，其中該載體材料另外具有聚丁烯對苯二甲酸酯，其佔該載體材料之份量小於或等於20Wt.%。
  8. 如申請專利範圍第6項之載體(1)，其中該載體材料另外具有聚丁烯對苯二甲酸酯，其佔該載體材料之份量小於或等於10Wt.%。
  9. 如申請專利範圍第1項之載體(1)，其中- 該載體材料另外包含聚丁烯對苯二甲酸酯，其佔該載體材料之份量小於或等於60Wt.%，- 該反射粒子佔該載體材料之份量大於或等於15Wt.%且小於或等於30Wt.%，該另一填充材料佔該載體材料之份量大於或等於20Wt.%且小於或等於50Wt.%，- 該另一填充材料具有以下材料之至少一種或多種：玻璃纖維、玻璃球、纖維素纖維、礦物填料。
  10. 如申請專利範圍第9項之載體(1)，其中該載體材料另外具有聚丁烯對苯二甲酸酯，其佔該載體材料之份量小於或等於20Wt.%。
  11. 如申請專利範圍第9項之載體(1)，其中該載體材料另外具有聚丁烯對苯二甲酸酯，其佔該載體材料之份量小於或等於10Wt.%。
  12. 一種用於光電組件之載體(1)，具有載體材料，該載體材料具有聚乙烯對苯二甲酸酯，其包含反射粒子及另一填充材料，其中該反射粒子佔該載體材料之份量大於或等於15Wt.%且小於或等於30Wt.%，該另一填充材料佔該載體材料之份量大於或等於20Wt.%且小於或等於50Wt.%。
  13. 一種用於光電組件之載體(1)，具有載體材料，該載體 材料具有聚乙烯對苯二甲酸酯，其包含反射粒子及另一填充材料，其中該載體材料另外包含聚丁烯對苯二甲酸酯，其佔該載體材料之份量小於或等於60Wt.%。
  14. 一種用於光電組件之載體(1)，具有載體材料，該載體材料具有聚乙烯對苯二甲酸酯，其包含反射粒子及另一填充材料，其中- 該載體材料另外包含交鏈添加劑，其至少一部份係與該聚乙烯對苯二甲酸酯交鏈，- 該載體材料另外包含聚丁烯對苯二甲酸酯，其佔該載體材料之份量小於或等於60Wt.%，- 該反射粒子佔該載體材料之份量大於或等於15Wt.%且小於或等於30Wt.%，該另一填充材料佔該載體材料之份量大於或等於20Wt.%且小於或等於50Wt.%，- 該另一填充材料具有以下材料之至少一種或多種：玻璃纖維、玻璃球、纖維素纖維、礦物填料。
  15. 一種光電組件(101、102)，具有如申請專利範圍第1至14項中任一項所述之載體(1)及一光電半導體晶片(3)，其配置在該載體(1)上，其中該載體(1)形成為載體板或形成為具有外殼凹口(10)之外殼，該外殼凹口(10)中配置該光電半導體晶片(3)。
  16. 如申請專利範圍第15項之光電組件(101、102)，其中該光電半導體晶片(3)是一發光半導體晶片。
  17. 如申請專利範圍第15項之光電組件(101、102)，其中該光電半導體晶片(3)係以一配置在該載體(1)上之澆 注物質(6)來覆蓋。
  18. 一種製造如申請專利範圍第1至14項中任一項所述載體(1)或製造如第15至17項中任一項所述光電組件(101、102)之方法，其中該載體材料係藉由射出成型而形成為該載體(1)。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中在該射出成型之前將一種交鏈添加劑混合至該載體材料，且該載體材料在該射出成型之後藉由照射而使至少一部份再交鏈。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該交鏈添加劑是異氰酸四烯丙酯，其至少一部份藉由電子射束而再交鏈。
  21. 如申請專利範圍第19或20項之方法，其中該交鏈添加劑以流體形式或在聚乙烯對苯二甲酸酯或聚丁烯對苯二甲酸酯中以主束的形式藉由混合或藉由熔化混合而供應至該載體材料。
  22. 一種製造光電組件之載體(1)的方法，該載體(1)具有載體材料，該載體材料具有聚乙烯對苯二甲酸酯，其包含反射粒子及另一填充材料，- 該載體材料係藉由射出成型而形成為該載體(1)，- 在該射出成型之前將一種交鏈添加劑混合至該載體材料，且該載體材料在該射出成型之後藉由照射而使至少一部份再交鏈。
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