TWI490510B - 高精密度半導體元件測試裝置及其測試系統 - Google Patents

高精密度半導體元件測試裝置及其測試系統 Download PDF

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Description

高精密度半導體元件測試裝置及其測試系統
本揭露係關於一種高精密度半導體元件測試裝置及其測試系統,特別係關於一種垂直式測試裝置及其測試系統,其配置一對位機構,可增進垂直式測試技術之精密度。
一般而言,晶圓上之積體電路元件必須先行測試其電氣特性,以判定積體電路元件是否良好。良好的積體電路將被選出以進行後續之封裝製程,而不良品將被捨棄以避免增加額外的封裝成本。完成封裝之積體電路元件亦必須再進行另一次電性測試以篩選出封裝不良品,進而提升最終成品良率。
垂直式探針雖可以對應高密度訊號接點之待測積體電路元件之細間距排列,並藉由探針本身之彈性變形提供針尖在接觸待測積體電路元件所需之縱向位移。然而,垂直式探針在使用上面臨之問題在於:探針之尖端與待測元件之測試墊之間難以對位。垂直式探針必須在高精密度對位完成後,始能進行細間距測試墊之測試。對位不準不僅導致訊號不正確,若過度針壓施加於測試墊上也可能損壞測試墊,甚至損壞半導體晶粒。
圖1例示一習知之測試裝置10,用以測試半導體元件。該測試裝置10之一探頭11包含複數根垂直式探針,經配置以在一半導體晶圓13與一電路板12之間建立一電氣通路。 各垂直式探針具有一尖端15及一連接端14,該尖端15用以接觸該半導體晶圓13上之一接墊,該連接端14用以接觸該電路板12。該電路板12係作為一訊號傳送介面,其傳送訊號至該半導體晶圓13或從該半導體晶圓13傳送訊號。如圖1所示,若該垂直式探針之尖端15與該半導體晶圓13上之對應接墊的對位程序係從該測試裝置10之上方,使用一光學顯微鏡進行;由於該探頭11遮蔽其所有的垂直式探針,導致該垂直式探針之尖端15與該半導體晶圓13上之對應接墊的對位相當困難。
此外,由於現在積體電路元件之電子元件的密度持續不斷地增加,配置細間距測試結構及高精密對位機構之測試裝置,對現今之積體電路元件的測試相當重要。
本揭露提供一種垂直式測試裝置及其測試系統,其配置一對位機構,可增進垂直式測試技術之精密度。
本揭露之半導體測試裝置之一實施例,包含一探頭,具有一第一表面及一第二表面;該探頭包含複數根垂直式探針及至少一懸臂式探針,設置於該探頭內;該複數根垂直式探針之一尖端從該第二表面向下凸伸,該垂直式探針之一第一連接端從該第一表面向上凸伸;該至少一懸臂式探針具有一直立式本體,其中該懸臂式探針之一偏斜懸臂端從該第二表面向下凸伸,該懸臂式探針之第二連接端從該第一表面向上凸伸。在本揭露之一實施例中,該懸臂式 探針係設置於該探頭之邊緣附近,且橫向地凸伸出該探頭,俾便從該半導體測試裝置之上方進行對位。
本揭露之半導體測試系統之一實施例,包含一探頭、一電路板及一光學顯微鏡;該探頭具有一第一表面及一第二表面,且包含複數根垂直式探針及至少一懸臂式探針,設置於該探頭內;該複數根垂直式探針之一尖端從該第二表面向下凸伸,該垂直式探針之一第一連接端從該第一表面向上凸伸;該至少一懸臂式探針具有一直立式本體,其中該懸臂式探針之一偏斜懸臂端從該第二表面向下凸伸,該懸臂式探針之第二連接端從該第一表面向上凸伸;該電路板設置於該第一表面上方,且該電路板與該第一連接端及該第二連接端形成電氣連接。在本揭露之一實施例中,該光學顯微鏡係設置該探頭之上方且經配置以顯示該懸臂式探針之一尖端,該懸臂式探針係設置於該探頭之邊緣附近且橫向地凸伸出該探頭,俾便該光學顯微鏡從該探頭之上方進行對位。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點,俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解,可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解,這類等效建構無 法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
圖2例示本揭露一實施例之高精密度半導體測試裝置20。在本揭露之一實施例中,該半導體測試裝置20包含一探頭21,具有一第一表面21A及一第二表面21B,且包含設置於該探頭21內之複數根垂直式探針。該複數根垂直式探針經配置以在一半導體晶圓23與一電路板22之間建立一電氣通路。各垂直式探針具有一尖端24A及一第一連接端24B,該尖端24A經配置以接觸該半導體晶圓23上之一測試墊,該第一連接端24B經配置以接觸該電路板22。該電路板22係作為一訊號傳送介面,其傳送訊號至該半導體晶圓23或從該半導體晶圓23傳送訊號。此外,在本揭露之一實施例中,該探頭21另包含該至少一懸臂式探針,設置於該探頭21之邊緣附近且橫向地凸伸出該探頭21,其中該懸臂式探針具有一偏斜懸臂端25A及一第二連接端25B。
若從該半導體測試裝置20之上方往下檢視,操作人員之視線可以看見該偏斜懸臂端25A,並未被該探頭21遮蔽。不同於該複數根垂直式探針,該懸臂式探針可作為一對位機構,亦即當該半導體晶圓23沿著正z方向接近該探頭21,該偏斜懸臂端25A與該測試墊在x-y平面之相對位置可予以調整。該懸臂式探針與該垂直式探針之距離已預先設定,當該偏斜懸臂端25A與該測試墊23C接觸時,在該懸臂式探 針負x方向之第一根垂直式探針可確定亦與對應之測試墊23A形成接觸,且此一對位機制亦適用於其它垂直式探針。在圖2所示之實施例中,僅有測試墊23B未被其它垂直式探針接觸。
圖3例示本揭露另一實施例之測試裝置的局部剖示圖,用以測試半導體元件。在本揭露之一實施例中,該測試裝置包含一探頭31,具有一第一表面31A及一第二表面31B,且包含設置於該探頭31之通孔36內之複數根垂直式探針(圖3僅例示一根垂直式探針)。該複數根垂直式探針經配置以在一半導體晶圓33與一電路板(未顯示於圖3中)之間建立一電氣通路。各垂直式探針具有一尖端34A及一第一連接端34B,該尖端34A經配置以接觸該半導體晶圓33上之一測試墊,該第一連接端34B經配置以接觸該電路板。此外,在本揭露之一實施例中,該探頭31另包含該至少一懸臂式探針,設置於該探頭31之邊緣附近且橫向地凸伸出該探頭31,其中該懸臂式探針具有一偏斜懸臂端35A及一第二連接端35B。
該探頭31另包含一支撐器37,設置於該第二表面31B,其中該偏斜懸臂端35A係藉由環氧樹脂38固定於該支撐器37。該測試裝置另包含一透明蓋39,設置於該第二表面31B且橫向地凸伸出該探頭31,其中該透明蓋39之寬度實質上大於該懸臂式探針凸伸出該探頭31之凸伸部分,因而實質上覆蓋其下方之懸臂式探針。該懸臂式探針易於在操作過 程中因撞擊而損壞,該透明蓋39對精細之該懸臂式探針提供額外保護。此外,透明蓋39之設置容許從該測試裝置之上方進行對位程序。
如圖3所示,該測試裝置配置一光學顯微鏡301,以形成一高精密度之半導體元件測試系統。該光學顯微鏡301經配置以顯示該懸臂式探針之一尖端。若從該測試裝置之上方往下檢視,操作人員之視線可以看見該偏斜懸臂端35A,並未被該探頭31遮蔽。不同於該複數根垂直式探針,該懸臂式探針可作為一對位機構,亦即當該半導體晶圓33沿著正z方向接近該探頭31,該偏斜懸臂端35A與該測試墊在x-y平面之相對位置可予以調整。該懸臂式探針與該垂直式探針之橫向距離(D1,可等於二相鄰測試墊之間距,或為該間距之整數倍)已預先設定,當該偏斜懸臂端35A與該測試墊33C接觸時,在該懸臂式探針負x方向之第一根垂直式探針可確定亦與對應之測試墊33A形成接觸,且此一對位機制亦適用於其它垂直式探針。在圖3所示之實施例中,僅繪示第一排之探針;然而,若考量沿著正y方式之設計,複數根懸臂式探針係設置於圖3所示之懸臂式探針後方,因此僅有與測試墊33B在同一行之測試墊未被其它垂直式探針接觸。
圖4例示本揭露另一實施例之測試裝置的局部剖示圖,用以測試半導體元件。在本揭露之一實施例中,該測試裝置包含一探頭41,具有一第一表面41A及一第二表面41B,且包含設置於該探頭41之通孔46內之複數根垂直式探針( 圖4僅例示二根垂直式探針)。該複數根垂直式探針經配置以在一半導體晶圓43與一電路板(未顯示於圖4中)之間建立一電氣通路。各垂直式探針具有一尖端44A及一第一連接端44B,該尖端44A經配置以接觸該半導體晶圓43上之一測試墊,該第一連接端44B經配置以接觸該電路板。此外,在本揭露之一實施例中,該探頭41另包含該至少一懸臂式探針,設置於該探頭41之邊緣附近且橫向地凸伸出該探頭41,其中該懸臂式探針具有一偏斜懸臂端45A及一第二連接端45B。
該探頭41另包含一支撐器47,設置於該第二表面41B,其中該偏斜懸臂端45A係藉由環氧樹脂48固定於該支撐器47。該測試裝置另包含一透明蓋49,設置於該第二表面41B且橫向地凸伸出該探頭41,其中該透明蓋49之寬度實質上大於該懸臂式探針凸伸出該探頭41之凸伸部分,因而實質上覆蓋其下方之懸臂式探針。該懸臂式探針易於在操作過程中因撞擊而損壞,該透明蓋49對精細之該懸臂式探針提供額外保護。此外,透明蓋49之設置容許從該測試裝置之上方進行對位程序。
如圖4所示,該測試裝置配置一光學顯微鏡401,以形成一高精密度之半導體元件測試系統。該光學顯微鏡401經配置以顯示該懸臂式探針之一尖端。若從該測試裝置之上方往下檢視,操作人員之視線可以檢視該偏斜懸臂端45A,並未被該探頭41遮蔽。不同於該複數根垂直式探針,該 偏斜懸臂端45A可作為一對位機構,亦即當該半導體晶圓43沿著正z方向接近該探頭41,該偏斜懸臂端45A與該測試墊在x-y平面之相對位置可予以調整。該懸臂式探針與該垂直式探針之橫向距離(D1',可等於二相鄰測試墊之間距,或為該間距之整數倍)已預先設定,當該偏斜懸臂端45A與該測試墊43B接觸時,在該懸臂式探針負x方向之第一根垂直式探針可確定亦與對應之測試墊43A形成接觸,且此一對位機制亦適用於其它垂直式探針。在圖4所示之實施例中,僅繪示第一排之探針;然而,若考量沿著正y方式之設計,複數根懸臂式探針係設置於圖4所示之懸臂式探針後方,因此該半導體晶圓43之各測試墊均對應垂直式探針接觸。
圖5例示本揭露另一實施例之測試裝置的局部剖示圖,用以測試半導體元件。在本揭露之一實施例中,該測試裝置包含一探頭51,具有一第一表面51A及一第二表面51B,且包含設置於該探頭51之通孔56內之複數根垂直式探針(圖5僅例示二根垂直式探針)。該複數根垂直式探針經配置以在一半導體晶圓53與一電路板(未顯示於圖5中)之間建立一電氣通路。各垂直式探針具有一尖端54A及一第一連接端54B,該尖端54A經配置以接觸該半導體晶圓53上之一測試墊,該第一連接端54B經配置以接觸該電路板。此外,在本揭露之一實施例中,該探頭51另包含該至少一懸臂式探針,設置於該探頭51之邊緣附近且橫向地凸伸出該探頭51,其中該懸臂式探針具有一偏斜懸臂端55A及一第二連接端 55B。
該探頭51另包含一支撐器57,設置於該第二表面51B,其中該偏斜懸臂端55A係藉由環氧樹脂58固定於該支撐器57。該測試裝置另包含一透明蓋59,設置於該第二表面51B且橫向地凸伸出該探頭51,其中該透明蓋59之寬度實質上大於該懸臂式探針凸伸出該探頭51之凸伸部分,因而實質上覆蓋其下方之懸臂式探針。該懸臂式探針易於在操作過程中因撞擊而損壞,該透明蓋59對精細之該懸臂式探針提供額外保護。此外,透明蓋59之設置容許從該測試裝置之上方進行對位程序。
如圖5所示,該測試裝置配置一光學顯微鏡501,以形成一高精密度之半導體元件測試系統。該光學顯微鏡501經配置以顯示該懸臂式探針之一尖端。若從該測試裝置之上方往下檢視,操作人員之視線可以檢視該偏斜懸臂端55A,並未被該探頭51遮蔽。不同於該複數根垂直式探針,該偏斜懸臂端55A可作為一對位機構,亦即當該半導體晶圓53沿著正z方向接近該探頭51,該偏斜懸臂端55A與該測試墊在x-y平面之相對位置可予以調整。該懸臂式探針對準一對位標記52,設置於該半導體晶圓53之邊緣附近,該偏斜懸臂端55A與其負x方向之第一根垂直式探針之第一根垂直式探針之橫向距離(D1")並非二相鄰測試墊之間距(D'")的整數倍。
該懸臂式探針與該垂直式探針分隔一橫向間隔(D2), 且該橫向間隔(D2)對應該待測晶圓53之測試墊53A與對位標記52之間的橫向距離(D1")。該懸臂式探針之尖端與該第二表面51B分隔一第一垂直距離(H1),該垂直式探針之尖端與該第二表面51B分隔一第二垂直距離(H2),該第一垂直距離(H1)大於或等於該第二垂直距離(H2)。
在圖5所示之實施例中,僅繪示第一排之探針;然而,若考量沿著正y方式之設計,複數根懸臂式探針係設置於圖4所示之懸臂式探針後方,因此該半導體晶圓53之各測試墊均對應垂直式探針接觸。
圖6例示本揭露另一實施例之測試系統60,用以測試半導體元件。在本揭露之一實施例中,該探頭另包含一上導引板61A及一下導引板61B,該上導引板61A具有複數個上導孔66A及一第一表面61A',該下導引板61B具有複數個下導孔66B及一第二表面61B',其中複數根垂直式探針係設置於該上導孔66A及該下導孔66B內。
圖6所示之垂直式探針包含一尖端64A、一第一連接端64B、以及一屈曲段67,該尖端64A經配置以接觸一半導體晶圓63上之測試墊,該第一連接端64B經配置以接觸一路板(未顯示於圖6中),該屈曲段67經配置以吸收在該垂直式探針接觸該測試墊時所產生之應力。垂直式探針之經常性屈曲運作易於產生金屬疲勞並縮短使用年限,而該垂直式探針之屈曲段不同於習知直立硬式本體之設計,應有助於提升該垂直式探針之耐用性。
該探頭亦包含4根懸臂式探針,設置於該上導引板61A與該下導引板61B之邊緣附近,且設置於該上導孔66A及該下導孔66B內。各懸臂式探針具有一直立式本體、一偏斜懸臂端95A及一第二連接端65B。該測試系統60配置一光學顯微鏡601,經配置以顯示該懸臂式探針之偏斜懸臂端95A。使用一行之懸臂式探針進行對位程序可確保該探頭與該半導體晶圓63之直角式對位,而無旋轉角之對位誤差。
圖7例示本揭露另一實施例之測試系統70,用以測試半導體元件。在本揭露之一實施例中,圖7之測試系統70的探頭與圖6之測試系統60的探頭大部分設計相似;惟,圖7之垂直式探針包含一尖端74A、一第一連接端74B、以及一彈簧段77,其中該彈簧段77經配置以吸收在該垂直式探針接觸該測試墊時所產生之應力。垂直式探針之經常性屈曲運作易於產生金屬疲勞並縮短使用年限,而該垂直式探針之彈簧段不同於習知直立硬式本體之設計,應有助於提升該垂直式探針之耐用性。
圖8例示本揭露另一實施例之測試系統80,用以測試半導體元件。在本揭露之一實施例中,圖8之測試系統80的探頭與圖6之測試系統60的探頭大部分設計相似;惟,圖8之垂直式探針包含一尖端84A、一第一連接端84B、以及一凹槽段87,其中該凹槽段87經配置以吸收在該垂直式探針接觸該測試墊時所產生之應力。該凹槽段87包含至少一凹槽或一凹溝,其設置於該垂直式探針之直立式本體。垂直式 探針之經常性屈曲運作易於產生金屬疲勞並縮短使用年限,而該垂直式探針之凹槽段不同於習知直立硬式本體之設計,應有助於提升該垂直式探針之耐用性。
圖9例示本揭露另一實施例之測試系統90,用以測試半導體元件。在本揭露之一實施例中,圖9之測試系統90的探頭與圖6之測試系統60的探頭大部分設計相似;惟,圖9之垂直式探針包含一尖端94A、一第一連接端94B、以及一彈性段97,其中該彈性段97經配置以吸收在該垂直式探針接觸該測試墊時所產生之應力。該彈性段97包含一圓柱殼體,其內部配置一彈簧。該彈簧之二端分別連接於一連接梢與一測試梢。例如,POGO彈簧探針可作為該垂直式探針。垂直式探針之經常性屈曲運作易於產生金屬疲勞並縮短使用年限,而該垂直式探針之彈性段不同於習知直立硬式本體之設計,應有助於提升該垂直式探針之耐用性。
本揭露之技術內容及技術特點已揭示如上,然而本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解,在不背離後附申請專利範圍所界定之本揭露精神和範圍內,本揭露之教示及揭示可作種種之替換及修飾。例如,上文揭示之許多製程可以不同之方法實施或以其它製程予以取代,或者採用上述二種方式之組合。
此外,本案之權利範圍並不侷限於上文揭示之特定實施例的製程、機台、製造、物質之成份、裝置、方法或步驟。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解,基於 本揭露教示及揭示製程、機台、製造、物質之成份、裝置、方法或步驟,無論現在已存在或日後開發者,其與本案實施例揭示者係以實質相同的方式執行實質相同的功能,而達到實質相同的結果,亦可使用於本揭露。因此,以下之申請專利範圍係用以涵蓋用以此類製程、機台、製造、物質之成份、裝置、方法或步驟。
10‧‧‧測試裝置
11‧‧‧探頭
12‧‧‧電路板
13‧‧‧半導體晶圓
14‧‧‧連接端
15‧‧‧尖端
20‧‧‧測試裝置
21‧‧‧探頭
21A‧‧‧第一表面
21B‧‧‧第二表面
22‧‧‧電路板
23‧‧‧半導體晶圓
23A‧‧‧測試墊
23B‧‧‧測試墊
23C‧‧‧測試墊
24A‧‧‧尖端
24B‧‧‧第一連接端
25A‧‧‧偏斜懸臂端
25B‧‧‧第二連接端
31‧‧‧探頭
31A‧‧‧第一表面
31B‧‧‧第二表面
33‧‧‧半導體晶圓
33A‧‧‧測試墊
33B‧‧‧測試墊
33C‧‧‧測試墊
34A‧‧‧尖端
34B‧‧‧第一連接端
35A‧‧‧偏斜懸臂端
35B‧‧‧第二連接端
36‧‧‧通孔
37‧‧‧支撐器
38‧‧‧環氧樹脂
39‧‧‧透明蓋
41‧‧‧探頭
41A‧‧‧第一表面
41B‧‧‧第二表面
43‧‧‧半導體晶圓
43A‧‧‧測試墊
43B‧‧‧測試墊
44A‧‧‧尖端
44B‧‧‧第一連接端
45A‧‧‧偏斜懸臂端
45B‧‧‧第二連接端
46‧‧‧通孔
47‧‧‧支撐器
48‧‧‧環氧樹脂
49‧‧‧透明蓋
51‧‧‧探頭
51A‧‧‧第一表面
51B‧‧‧第二表面
52‧‧‧對位標記
53‧‧‧半導體晶圓
53A‧‧‧測試墊
54A‧‧‧尖端
54B‧‧‧第一連接端
55A‧‧‧偏斜懸臂端
55B‧‧‧第二連接端
56‧‧‧通孔
57‧‧‧支撐器
58‧‧‧環氧樹脂
59‧‧‧透明蓋
60‧‧‧測試系統
61A‧‧‧上導引板
61B‧‧‧下導引板
61A'‧‧‧第一表面
61B'‧‧‧第二表面
63‧‧‧半導體晶圓
64A‧‧‧尖端
64B‧‧‧第一連接端
65A‧‧‧偏斜懸臂端
65B‧‧‧第二連接端
66A‧‧‧上導孔
66B‧‧‧下導孔
67‧‧‧屈曲段
70‧‧‧測試系統
74A‧‧‧尖端
74B‧‧‧第一連接端
77‧‧‧彈簧段
80‧‧‧測試系統
84A‧‧‧尖端
84B‧‧‧第一連接端
87‧‧‧凹槽段
90‧‧‧測試系統
94A‧‧‧尖端
94B‧‧‧第一連接端
97‧‧‧彈性段
301‧‧‧光學顯微鏡
401‧‧‧光學顯微鏡
501‧‧‧光學顯微鏡
D1‧‧‧橫向距離
D1'‧‧‧橫向距離
D1"‧‧‧橫向距離
D1'"‧‧‧間距
D2‧‧‧橫向間隔
H1‧‧‧第一垂直距離
H2‧‧‧第一垂直距離
藉由參照前述說明及下列圖式,本揭露之技術特徵及優點得以獲得完全瞭解。
圖1例示一習知之測試裝置;圖2例示本揭露一實施例之高精密度半導體測試裝置;圖3例示本揭露另一實施例之測試裝置的局部剖示圖;圖4例示本揭露另一實施例之測試裝置的局部剖示圖;圖5例示本揭露另一實施例之測試裝置的局部剖示圖;圖6例示本揭露另一實施例之測試系統;圖7例示本揭露另一實施例之測試系統;圖8例示本揭露另一實施例之測試系統;以及圖9例示本揭露另一實施例之測試系統。
20‧‧‧測試裝置
21‧‧‧探頭
21A‧‧‧第一表面
21B‧‧‧第二表面
22‧‧‧電路板
23‧‧‧半導體晶圓
23A‧‧‧測試墊
23B‧‧‧測試墊
23C‧‧‧測試墊
24A‧‧‧尖端
24B‧‧‧第一連接端
25A‧‧‧偏斜懸臂端
25B‧‧‧第二連接端

Claims (18)

  1. 一種半導體測試裝置,包含:一探頭,具有一第一表面及一第二表面,該探頭包含;複數根垂直式探針,設置於該探頭內,其中該垂直式探針之一尖端從該第二表面向下凸伸,該垂直式探針之一第一連接端從該第一表面向上凸伸;以及至少一懸臂式探針,具有一直立式本體,設置於該探頭內,其中該懸臂式探針之一偏斜懸臂端從該第二表面向下凸伸,該懸臂式探針之第二連接端從該第一表面向上凸伸;其中該懸臂式探針係設置於該探頭之邊緣附近,且橫向地凸伸出該探頭,俾便從該探頭之上方進行對位;該懸臂式探針係作為一對位機構,並未傳送測試訊號。
  2. 如請求項1所述之半導體測試裝置,另包含一支撐器,設置於該第二表面,其中該偏斜懸臂端係藉由環氧樹脂固定於該支撐器。
  3. 如請求項1所述之半導體測試裝置,另包含一透明蓋,設置於該第二表面,其中該透明蓋橫向地凸伸出該探頭且實質上覆蓋其下方之懸臂式探針。
  4. 如請求項1所述之半導體測試裝置,其中該懸臂式探針與該垂直式探針分隔一橫向距離,且該橫向距離對應一待測晶圓之二測試墊的一橫向間隔。
  5. 如請求項4所述之半導體測試裝置,其中該待測晶圓之二 相鄰測試墊分隔一間距,該橫向距離係該間距之整數倍。
  6. 如請求項1所述之半導體測試裝置,其中該懸臂式探針與該垂直式探針分隔一橫向間隔,且該橫向距離對應一待測晶圓之一測試墊與一對位標記之間的一橫向距離。
  7. 如請求項1所述之半導體測試裝置,其中該懸臂式探針之一尖端與該第二表面分隔一第一垂直距離,該垂直式探針之一尖端與該第二表面分隔一第二垂直距離,該第一垂直距離大於或等於該第二垂直距離。
  8. 如請求項1所述之半導體測試裝置,其中該複數根垂直式探針係選自由下列各物組成之群:具有一屈曲段之探針、具有一彈簧段之探針、具有至少一凹槽之探針、POGO探針、及其組合。
  9. 如請求項1所述之半導體測試裝置,其中該探頭另包含:一上導引板,具有複數個上導孔;以及一下導引板,具有複數個下導孔;其中該複數根垂直式探針及該至少一懸臂式探針係設置於該上導孔及該下導孔內。
  10. 一種半導體測試系統,包含:一探頭,具有一第一表面及一第二表面,該探頭包含;複數根垂直式探針,設置於該探頭內,其中該垂直式探針之一尖端從該第二表面向下凸伸,該垂直式探針之一第一連接端從該第一表面向上凸伸;以及 至少一懸臂式探針,具有一直立式本體,設置於該探頭內,其中該懸臂式探針之一偏斜懸臂端從該第二表面向下凸伸,該懸臂式探針之第二連接端從該第一表面向上凸伸;其中該懸臂式探針係設置於該探頭之邊緣附近,且橫向地凸伸出該探頭,俾便從該探頭之上方進行對位;該懸臂式探針係作為一對位機構,並未傳送測試訊號;一電路板,設置於該第一表面上方,該電路板與該第一連接端及該第二連接端形成電氣連接;以及一光學顯微鏡,經配置以顯示該懸臂式探針之一尖端。
  11. 如請求項10所述之半導體測試系統,另包含一支撐器,設置於該第二表面,其中該偏斜懸臂端係藉由環氧樹脂固定於該支撐器。
  12. 如請求項10所述之半導體測試系統,另包含一透明蓋,設置於該第二表面,其中該透明蓋橫向地凸伸出該探頭且實質上覆蓋其下方之懸臂式探針。
  13. 如請求項10所述之半導體測試系統,其中該懸臂式探針與該垂直式探針分隔一橫向距離,且該橫向距離對應一待測晶圓之二測試墊的一橫向間隔。
  14. 如請求項13所述之半導體測試系統,其中該待測晶圓之二相鄰測試墊分隔一間距,該橫向距離係該間距之整數倍。
  15. 如請求項10所述之半導體測試系統,其中該懸臂式探針與該垂直式探針分隔一橫向間隔,且該橫向距離對應一待測晶圓之一測試墊與一對位標記之間的一橫向距離。
  16. 如請求項10所述之半導體測試系統,其中該懸臂式探針之一尖端與該第二表面分隔一第一垂直距離,該垂直式探針之一尖端與該第二表面分隔一第二垂直距離,該第一垂直距離大於或等於該第二垂直距離。
  17. 如請求項10所述之半導體測試系統,其中該複數根垂直式探針係選自由下列各物組成之群:具有一屈曲段之探針、具有一彈簧段之探針、具有至少一凹槽之探針、POGO探針、及其組合。
  18. 如請求項10所述之半導體測試系統,其中該探頭另包含:一上導引板,具有複數個上導孔;以及一下導引板,具有複數個下導孔;其中該複數根垂直式探針及該至少一懸臂式探針係設置於該上導孔及該下導孔內。
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