TWI487806B - 用於快速脈衝氣體傳送的系統及方法 - Google Patents

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Description

用於快速脈衝氣體傳送的系統及方法 【相關申請案】
本申請案主張美國專利申請案號12/893,554之優先權，其申請日為2010年9月29日，此申請案之全部教授係於此併入作參考。
本揭露內容一般是有關於氣體傳送裝置，且特別是有關一種用於快速脈衝氣體傳送之方法及系統。如於此所使用的，專門用語「氣體(gas)」包含專門用語「蒸汽(vapors)」，兩個專門用語應被視為彼此不同。
半導體裝置之製作或製造常需要小心同步且精確地測量傳送多達十二種氣體至一例如一真空處理腔室之製程工具。於製程中使用各種修整法，且需要許多個別的處理步驟，於此，一種半導體裝置係被清洗、拋光、氧化、遮罩、蝕刻、摻雜、金屬化等。所使用之步驟(它們的特定順序)與涉及全部之材料有助於特定裝置之製造。
當更多之裝置尺寸已縮小至90 nm以下時，對各種應用是而言持續需要原子層沈積或ALD製程，例如銅互連之止擋的沈積、鎢長晶層之創造以及高度導電介電材料之生產。在ALD製程中，兩種以上的前驅氣體係以脈衝的形式被傳送，並流遍在維持在真空之下的製程腔室中之晶圓表面。兩種以上的前驅氣體係以一種交替或順序方式流動，俾能使氣體可與晶圓表面上之區段(site)或官能基(group)反應。當所有的可利用的區段係從其中一個前驅氣體(例如，氣體A)飽和時，反應作用中止，且一淨化氣體係被使用於淨化來自製程腔室之多餘的前驅分子。當下一前驅氣體(亦即，氣體B)流遍晶圓表面時，重複此製程。對一包括兩種前驅氣體之製程而言，一循環周期可被界定為前驅物A之一個脈衝、淨化、前驅物B之一個脈衝，以及淨化。一循環周期可包含額外前驅氣體之脈衝，及一前驅氣體之重複，以及在前驅氣體之連續脈衝之間之一淨化氣體之使用。重複這種順序，直到到達最終厚度為止。這些自我限制表面反應之順序導致每次循環有一個單層之沈積薄膜。
進入處理腔室之前驅氣體之脈衝係藉由使用開/關型閥而正常地被控制，開/關型閥只被開啟持續一段預定時間，以將一期望數量(質量)之前驅氣體以每個脈衝傳送進入處理腔室中。或者，一質流控制器(其係為一種包含一轉換器、控制閥以及控制與信號處理電子設備之獨立裝置)係用於在短時間間隔中，以預定且可重複的流動速率傳送一數量之氣體(質量)。在兩種狀況下，流入製程腔室之材料之數量(質量)並未實際上受到測量，但可從理想氣體定律之測量參數推測。
已知為脈衝氣體傳送(PGD)裝置之系統已經被發展，其可以測量並傳送前驅氣體之脈衝的質量流進入半導體處理腔室與其他處理工具中。這樣的裝置係被設計以提供用於半導體製程(例如原子層沈積(ALD)製程)之可重複且精確數量(質量)之氣體。
PGD通常包含一傳送儲存槽或腔室，其包含在ALD製程上游期間待被傳送至處理腔室或工具之氣體。藉由測量在傳送腔室中之氣體之壓力與溫度，並按照傳送期間在腔室中之氣體之壓降來控制來自傳送腔室之氣體之流動，大部分在ALD期間被傳送之氣體之脈衝可被精確地控制。來自腔室之氣體之脈衝之流動，係利用一種在PGD之傳送腔室與接收氣體之製程工具之間的開/關型排氣閥而被控制。此閥必須被開啟以傳送一既定質量之氣體之一脈衝之時間量，係為腔室中之氣體之起始壓力以及處理腔室或工具之下游壓力之更進一步的函數。舉例而言，對於需要被傳送之一定量之氣體而言，傳送腔室中之起始壓力對待被開啟之閥而言，於較高的起始壓力需要一段比於較低的起始壓力來得更短的時間，其乃因為質量流於較高的起始壓力下會更快速地產生。PGD之填充期間與傳送期間應該為了快速脈衝氣體傳送應用而嚴格地被控制，以便確保指定數量之氣體之正確傳送。因此，PGD之上游壓力與PGD中之填充壓力應嚴格地被控制，以便符合ALD製程之重複性與精度需求。
又，當閥被指揮用於填充腔室或傳送氣體脈衝時，PGD中之進氣及排氣閥具有一有限的響應時間以從一種狀態(開/關)轉變成另一種狀態(關/開)。舉例而言，ALD應用中之氣動關閉閥之一般的響應時間大約在5及35 ms之間。閥之響應時間可將一延遲導入至由PGD控制器所送出之閥命令之響應，其導致PGD腔室之過度填充或氣體脈衝過度傳送至處理腔室或工具，如於圖2所示。舉例而言，在PGD之填充模式中，關閉排氣閥，打開進氣閥以供氣體進入PGD之傳送腔室，且PGD控制器監視壓力變化。藉由考慮到進氣閥之響應時間(或延遲)，PGD控制器必須提早在傳送腔室到達壓力設定點之前傳遞一關閉命令給進氣閥；否則，傳送腔室可被填充過度，或者傳送腔室壓力會在設定點之上。
最近，某些製程近來已發展出需要高速脈衝或時間多工式處理。舉例而言，半導體工業正在發展先進的3D積體電路直通矽晶穿孔(TSV)以提供互連能力給晶粒間與晶圓間堆疊。製造商目前考慮到多樣化的3D整合機構，其呈現一種同等寬廣範圍之TSV蝕刻需求。例如Bosch製程之電漿蝕刻技術(已被寬廣地使用於記憶體裝置與MEMS產品中之深矽蝕刻)係相當適合於TSV創造。Bosch製程(又已知為一種高速脈衝或時間多工式蝕刻)在兩個模式之間重複地交替，以藉由使用SF6 來達到近乎垂直的構造，並藉由使用C4 F8 來達到一種化學惰性鈍化層之沈積。商業上的成功對於TSV所要求的目標係為：足夠的功能性，低成本以及經過證明的可靠度。
目前，在一種Bosch製程中有兩種關於高速脈衝氣體傳送之習知技術方法。第一種習知技術方法係使用快速響應質流控制器(MFC)以打開和關閉傳送脈衝氣體之氣體流動。此種方法蒙受慢傳送速度，以及較差的重複性與精度之苦。第二種習知技術方法涉及使用與下游三通閥耦接之MFC。MFC維持固定流量，而下游三通閥在製程線與轉移轉存線(divert dump line)之間頻繁地切換，以便將脈衝氣體傳送至製程腔室。顯然地，浪費了很多氣體，其增加了製程成本。第二種方法亦蒙受傳送之重複性與精度之苦。因此，理想上是可提供一種對於高速脈衝傳送應用之解決方法，例如供TSV創造之Bosch製程使用，其減少或克服這些問題。
脈衝質量流傳送系統之例子可在下述美國專利中發現：美國專利第7615120號；第7628860號，第7662233號及第7735452號；以及美國專利公開第2006/00601139號；及第2006/0130755號。
如上所述，傳送腔室之起始腔室壓力對於脈衝氣體傳送之重複性是重要的。因此，藉由在脈衝氣體傳送之前嚴格控制起始腔室壓力之差異，吾人可改善氣體脈衝傳送之重複性。
因此，依據於此所說明之教授之一個實施樣態，一種用於傳送一期望質量之氣體之脈衝至一製程腔室或工具之系統，包含：一氣體傳送腔室；一第一閥，配置成能控制進入氣體傳送腔室之氣體之流量；一第二閥，配置成能控制離開氣體傳送腔室之氣體之流量，俾能使氣體可以以脈衝的形式離開氣體傳送腔室，每一個選擇之質量係為氣體傳送腔室中之氣體之初始壓力與各個脈衝之持續期間之函數；以及一壓力控制配置，係經組構並配置成能控制進入氣體傳送腔室之氣體之流量，俾能在傳送氣體之脈衝之前，將氣體傳送腔室中之氣體預填充至一初始壓力設定點，以使氣體傳送腔室中之氣體之起始壓力之變量係在傳送氣體之脈衝之前被控制，且質量傳送之重複性係按照每一個脈衝之持續期間被改善。
依據於此所說明之教授之另一個實施樣態，一種傳送一期望質量之氣體之脈衝至一工具之方法，包含：控制進入氣體傳送腔室之氣體之流量，並控制離開氣體傳送腔室之氣體之流量，俾能使氣體可以以脈衝的形式離開氣體傳送腔室，每一個選擇之質量係為氣體傳送腔室中之氣體之初始壓力與各個脈衝之持續期間之函數；以及在傳送氣體之脈衝之前，將氣體傳送腔室中之氣體預填充至一初始壓力設定點，以使氣體傳送腔室中之氣體之起始壓力之變量係在傳送氣體之脈衝之前被控制，且質量傳送之重複性係按照每一個脈衝之持續期間被改善。
這些與其他元件、步驟、特徵、目的、益處以及優點，現在將從回顧例示實施例、附圖與申請專利範圍之下述的詳細說明而得以更顯清楚。
這些圖式揭露例示的實施例。他們並未提出所有實施例。另外或取而代之可能是可使用其他實施例。可能是顯而易見的或不必要的細節，可能被省略以節省空間或為了更有效的圖例。反之，某些實施例可能在沒有揭露所有細節的情況下被實行。當相同的數字出現在不同的圖式時，其表示相同的或相似的元件或步驟。
現在將討論例示實施例。此外或取而代之可能是可使用其他實施例。可能省略可能是明顯或不必要的細節以節省空間或者為了更有效的展示。反之，可能在不需要被揭露之所有細節的情況下實行某些實施例。
圖1顯示一種被建構以提供氣體之高速脈衝傳送之系統之一個實施例之方塊圖。藉由使用此系統而被實現之系統10及方法，特別意欲將無污染、精確計量之製程氣體傳送至一種半導體工具，例如半導體處理腔室或一電漿蝕刻機器。氣體傳送系統10確實測量流入半導體工具之材料(質量)之數量，並以一種可靠且可重複方式在相當短期間之脈衝中，提供正確傳送大部分的氣體。又，此系統採用一種更簡化的操作，同時在沒有轉換氣體以達成正確、可靠及可重複的結果之需要下，提供超過一廣範圍之數值之期望氣體摩爾數之傳送。
在圖1中，顯示之系統10包含一氣體傳送腔室或儲存槽12，控制進入氣體傳送腔室12之質量流之進氣閥14，以及控制流出腔室12之質量流之排氣閥16。在所顯示的實施例中，進氣與排氣閥係為具有相當快速關閉反應(亦即，從一斷開狀態轉變至一關閉狀態大約1至5毫秒)之關閉閥，雖然這可清楚地改變。
質量流傳送系統10亦具有：一壓力感測器或轉換器18，用於提供代表在腔室12之內的壓力之測量之信號；以及一溫度感測器20，用於提供代表在腔室12之上或之內的溫度之測量之信號。依據本揭露內容之一個例示實施例，溫度感測器20係與一腔室12之壁面接觸，並提供腔室12之壁面之溫度之測量。
一個表示期望質量流之信號係設置於脈衝傳送控制器24之輸入22。控制器24亦接收代表分別由壓力傳感器18與溫度感測器20所測量之壓力與溫度之輸入。輸入22亦可接收表示其他處理指令及各種條件之信號。此系統亦包含一個或多個用於提供控制信號之輸出26與28，這些控制信號係用於分別控制進氣與排氣閥14與16之操作。如以下將更顯清楚的，用於打開進氣閥14之控制信號之期間係為在傳送一氣體之脈衝之前，在傳送腔室12中期望的壓力之位準之函數，而用於打開排氣閥16之控制信號之期間係為經由排氣閥被傳送之氣體之脈衝之期間(其依序關聯於被傳送之氣體之質量)之函數。
為了為快速脈衝摩爾傳送提供一種更多全面的解決方法，加速傳送循環周期並允許一種非常快速的脈衝模式傳送操作，改善脈衝模式傳送劑量之範圍與精度，並降低對於系統之使用者之操作複雜性，此系統更包含額外元件，其設計成用於在經由閥16將氣體傳送至一工具之前，提供一種在傳送腔室12之內之更受控制的起始壓力，俾能使來自腔室12之測得的流量能更正確且可重複，並可以以較短的脈衝速率被操作。
如於圖1所示之本實施例中所顯示的，系統10更包含一緩衝腔室或儲存槽40，用於盛裝經由進氣閥14待被傳送之氣體，俾能在經由排氣閥16傳送一劑量或一系列之劑量之氣體之前，使腔室12中之壓力可被預填充至一預定位準。為了控制來自一氣體源52之氣體進出前室或緩衝腔室40，一控制閥42係設置於緩衝腔室40之輸入，用於控制來自一氣體源之氣體流動進入腔室40中。入口控制閥42可能是一種適合於被控制之比例控制閥，俾能將腔室40內之壓力實質上維持於一固定的預定位準。當氣體係經由進氣閥14而從腔室40被提供進入腔室12中時，其可在預填充步驟期間維持開啟，或者當氣體經由進氣閥14從腔室40流入腔室12中時，維持封閉。此外，其可被控制，俾能維持腔室內之壓力，不管氣體是否正被傳送至製程腔室。一壓力感測器或轉換器44提供一代表腔室40內之壓力之信號。一代表壓力之信號係被提供給壓力控制器46並被連接，俾能依照壓力測量提供一控制信號給進氣閥42。最後，設置一主要脈衝氣體傳送控制器48以控制整個系統。
控制器48係被設計成用於提供往返每一個控制器24與46之資料及指令，及往返一使用者介面50之資料及指令。使用者介面50可以是任何適當的裝置(例如包含一鍵盤及監視器之電腦)，俾能使一操作員可使用此介面以操作氣體傳送系統10。吾人應該明白到，雖然顯示三個處理器24、46及48，但此系統可操作許多控制器以執行三個顯示的控制器之功能，而單一裝置係更有效的。緩衝腔室40具有一容積V1 ，用於包含從來源52所接收之氣體。設置於腔室40中之氣體係用於控制提供給腔室12之氣體之上游壓力P1 。腔室12中之氣體或蒸汽之容積V2 之起始壓力P2 從而可受控制。因此，在傳送每個脈衝之前，可使容積V2 之初始填充壓力P2 之變化最小化。緩衝腔室40之緩衝容積V1 中之氣體之壓力設定點係為一氣體型式之函數，脈衝氣體傳送數量設定點係由使用者經由使用者介面50所建立，具體言之，
P1,SP =function1(gas_type,pulse_gas_delivery_setpoint) ；(1)
其中，P1,SP 係為緩衝腔室之壓力設定點，gas_type 係為被傳送氣體之特性，例如分子量、熱容、熱傳導係數及黏度等，以及pulse_gas_delivery_setpoint 係為每個劑量之脈衝氣體傳送數量之設定點。
參見圖2，此圖形圖例顯示當腔室在傳送一個或多個氣體之脈衝之前被填充至一預定壓力位準，然後，氣體係在經由排氣閥16傳送一脈衝期間從傳送腔室12被釋放時之在傳送腔室12之內的壓力變化。
具體言之，在時間t0 之前，進氣閥42係主動被控制，以使緩衝腔室40中之壓力被調整到例如在方程式(1)中所定義之預定位準。於時間t0 ，關閉排氣閥16並打開進氣閥14，俾能基於經由使用者介面50所提供之輸入，使氣體流入腔室12中到達由脈衝氣體傳送控制器48所建立之預定壓力P2,SP 。具體言之，
P2,SP =function2(gas_type,pulse_gas_delivery_setpoint) ；(2)
其中P2,SP 係為傳送腔室之壓力設定點，gas_type 係為被傳送氣體之特性，例如分子量、熱容、熱傳導係數及黏度等，以及pulse_gas_delivery_setpoint 係為每個劑量之脈衝氣體傳送數量之設定點。
當到達預定壓力P2,SP 時，於時間t1 關閉進氣閥14。如可在圖2中看到的，一填充過度(或壓力之過衝)會在時間間隔Δt1 期間(進氣閥完全關閉所花的時間)發生，在這段期間，壓力將上升然後下降至一靜態位準。允許穩定壓力。當經由排氣閥16傳送一脈衝時，此系統因此被填充並準備傳送到達氣體之預定摩爾數量，排氣閥16於時間t2 開啟一段預定時間量，並在已傳送計劃的摩爾數量時於時間t3 關閉。如圖2所示，在排氣閥被命令以於時間t3 關閉時，其完成關閉所花的一有限的時間量Δt2 。在腔室中之氣體安定於如所顯示之最後壓力Pf 之前，後果將再會有氣體之某些超越(過度傳送)。接著可藉由使用緩衝腔室40中之氣體而重複此循環周期，用於在傳送下一個脈衝之前填充傳送腔室12。
在圖2中之t2 及t2 之間被傳送之脈衝氣體之數量，Δn，可藉由下述方程式而被分析：
其中，Q係為經由排氣閥16之流動速率，Cv 或Cv (t)：閥之電導，其係為當閥打開或關閉之時間之一函數，Cv0 ：完全打開的閥電導，ICv ：在從t3至t4之閥關閉循環周期期間之閥電導之積分值，P：傳送腔室12中之壓力，Pf ：最後的傳送腔室壓力，以及Pd ：傳送腔室12之下游壓力。
如所顯示者，專門用語ICv ‧(Pf -Pd )界定摩爾之過度傳送之數量。請注意，ICv 的確是一隨機變數，亦即，排氣閥之關閉時間係為一隨機變數。如果此系統並未提供以一預定的固定壓力P1,SP 預填充具有來自一緩衝腔室(例如40)之氣體之腔室12，則起始傳送腔室壓力P2 可能會改變，俾能使此種誤差之數量將改變，其乃因為最後的腔室壓力值Pf 從循環周期至循環周期將改變。起始壓力越高，誤差之影響越大。藉由使用腔室40之緩衝容積，由腔室40所提供至傳送腔室12之上游壓力，係利用一大幅受控制的固定上游壓力，以使腔室12中之填充壓力之變化最小化。這確保誤差ICv ‧(Pf -Pd )將被強迫在一較小的誤差範圍之內。藉由強迫誤差在一較小的誤差範圍之內，可能以一種可重複方式提供對誤差之較佳補償，俾能使傳送精確之氣體量更正確。藉由按照氣體型式及脈衝氣體傳送設定點來提供在一相當的固定壓力之內的一上游容積，此系統係使吾人能嚴格控制腔室12中之填充壓力。因此，使填充壓力上的變化最小化，其亦使關於由閥時間不確定所導致的脈衝氣體傳送之重複性錯誤最小化。
一種關於脈衝傳送系統係之應用係使用脈衝傳送系統(於圖3中一般以10A顯示)來控制提供給一種半導體工具(以100顯示)之脈衝。
另一種應用係使用在化學氣相沈積(CVD)製程中所使用之一原子層沈積系統110(例如，美國專利第7615120號所說明之型式)之兩個以上的脈衝傳送系統(在圖4中，兩個係以10B及10C顯示)。舉例而言，在這種系統中，每個系統10A及10B係用於控制提供給ALD(原子層沈積)反應器110之前驅氣體之脈衝。具體言之，氣體係從系統10B或10C提供給混合歧管112。後者具有兩個入口，以供從系統10B與10C引進氣體。一種運載氣體係被導入，且此流體於混合歧管被分割。運載氣體一般係為例如氮之鈍氣。在此例中，既定化學物A係為一種由系統10C所提供之前驅物，而化學物B係為一種由系統10B所提供之前驅物。載體與前驅氣體係被混合並提供給一電漿形成區間114，用於形成混合氣體之電漿。
電漿係被提供給一氣體分配器116，其將氣體分配在ALD反應器110之內。一晶圓118係被配置在一晶圓支持120上，兩者係由一加熱器122所加熱。節流閥124與泵126係用於控制反應器110中之真空，並在製程期間排出由系統10B與10C所提供之氣體。
如上所述，氣體傳送系統10確實測量流入半導體工具之材料(質量)之數量，並以一種可靠及可重複的方式，在相當短的期間之脈衝中提供大部分的氣體之正確傳送。又，此系統採用一種更簡化的操作，同時在不需要轉換氣體以達到正確、可靠及可重複的結果之情況下，提供期望摩爾數之氣體之傳送超過一寬廣範圍之數值。
已經討論的元件、步驟、特徵、目的、益處及優點係僅為說明的目的。它們及關於它們的討論也都沒有意欲以任何方式限制保護之範疇。亦可考慮許多其他實施例。這些包含具有更少、額外及/或不同的元件、步驟、特徵、目的、益處及優點之實施例。這些亦包含其中配置及/或不同地排序之元件及/或步驟之實施例。
除非另有說明，否則於本說明書中(包含下述之申請專利範圍)所提出之所有測量、數值、標稱、位置、大小、尺寸及其他規格係大概的而非精確的。它們意欲具有一合理範圍，其係與它們相關的函數及與它們所屬習知技藝中習用的相符。
於此揭露內容中已被引證的所有論文、專利、專利申請及其他公開係藉此於此併入作參考。
片語「...之手段(means for)」在使用於申請專利範圍時，係意欲並應被解釋為包含已說明之相對應的構造與材料以及它們的等效設計。同樣地，片語「...之步驟(step for)」在使用於申請專利範圍時，係意欲並應被解釋為包含已說明之相對應的行動與它們的等效設計。在申請專利範圍中，缺乏這些片語之意思為申請專利範圍並未意圖並不應被解釋成受限於相對應的構造、材料或行動之任一者，或受限於它們的等效設計。
已陳述或說明之無關的事，係意欲或應被解釋成導致任何元件、步驟、特徵、目的、益處、優點之奉獻，或相當於公開，而不管它是否在申請專利範圍中被引證。
保護之範疇係僅受限於下述之申請專利範圍。那個範疇係意欲並應被廣泛地解釋成相符於在依據這個說明書與下述之審查歷史解釋時，使用於申請專利範圍之語言之普通意思，並包含所有構造及功能等效設計。
P1 ．．．上游壓力
P2 ．．．起始壓力
V1 、V2 ．．．容積
10．．．氣體傳送系統
10A．．．脈衝傳送系統
10B．．．氣體脈衝傳送系統
10C．．．氣體傳送系統
12．．．氣體傳送腔室
14．．．進氣閥
16．．．排氣閥
18．．．壓力傳感器
20．．．溫度感測器
22．．．輸入
24．．．脈衝傳送控制器
26、28．．．輸出
40．．．緩衝腔室
42．．．控制閥
44．．．壓力感測器
46．．．壓力控制器
48．．．脈衝氣體傳送控制器
50．．．使用者介面
52．．．氣體源
100．．．半導體工具
110．．．反應器
112．．．混合歧管
114．．．電漿形成區間
116．．．氣體分配器
118．．．晶圓
120．．．晶圓支持
122．．．加熱器
124．．．節流閥
126．．．泵
圖1係為一種用於提供高速脈衝傳送之氣體傳送系統之一個實施例之方塊圖。
圖2係為在圖1所示之PGD之腔室中的壓力對在傳送來自傳送腔室之氣體之一脈衝期間的時間之圖表。
圖3係為耦接至一氣體源及一製程工具之系統之使用之方塊圖。
圖4係為結合圖1所示之型式之氣體傳送系統之一種ALD系統之局部方塊部分示意圖。
P1 ．．．上游壓力
P2 ．．．起始壓力
V1 、V2 ．．．容積
10．．．氣體傳送系統
12．．．氣體傳送腔室
14．．．進氣閥
16．．．排氣閥
18．．．壓力傳感器
20．．．溫度感測器
22．．．輸入
24．．．脈衝傳送控制器
26、28．．．輸出
40．．．緩衝腔室
42．．．控制閥
44．．．壓力感測器
46．．．壓力控制器
48．．．脈衝氣體傳送控制器
50．．．使用者介面
52．．．氣體源

Claims (17)

  1. 一種用於傳送一期望質量之氣體之脈衝至一製程腔室或工具之系統，包含：一氣體傳送腔室；一第一閥，配置成能控制進入該氣體傳送腔室之氣體之流量；一第二閥，配置成能控制離開該氣體傳送腔室之氣體之流量，以使該氣體可以以脈衝的形式離開該氣體傳送腔室，每一個選擇之質量係為該氣體傳送腔室中之氣體之初始壓力之函數；以及一壓力控制配置，係經組構並配置成能控制進入該氣體傳送腔室之氣體之流量，以在傳送氣體之各個脈衝之前，將該氣體傳送腔室中之該氣體預填充至實質為常數的初始起始壓力設定點，以使該氣體傳送腔室中之該氣體之起始壓力中之變量係在傳送氣體之脈衝之前被控制，從而改善質量傳送之重複性係按照各脈衝之持續期間；其中該壓力控制配置包含一前室，其係經建構並配置成能容納該氣體，並選擇性地耦接以藉由控制該第一閥之操作，經由該第一閥提供氣體進入該氣體傳送腔室中，以在氣體之脈衝之脈衝氣體傳送之前，控制該氣體傳送腔室中之該氣體之該初始壓力設定點之變量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之系統，更包含一壓力傳 感器，其係配置成能按照在該氣體傳送腔室之內之壓力提供一壓力信號，其中該壓力控制配置包含一控制器，用於按照該壓力信號控制進入氣體傳送系統之氣體之流量。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之系統，更包含一溫度感測器，其係配置成能按照在該氣體傳送腔室之內之氣體溫度提供一溫度信號，其中該壓力控制配置包含一控制器，用於按照該溫度信號控制進入氣體傳送系統之氣體之流量。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該壓力控制配置包含一第一控制器，係經組構並配置成能按照在該氣體傳送腔室之內之壓力控制進入和離開該氣體傳送腔室之氣體之流量。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該壓力控制配置係更進一步經組構並配置成能控制該第一閥，以控制氣體從該前室進入該氣體傳送腔室之流量，俾能在氣體之脈衝之傳送之前，控制該氣體傳送腔室中之該氣體之該初始壓力設定點之變量。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之系統，更包含：一第一壓力傳感器，配置成能按照在該氣體傳送腔室之內之壓力提供一第一壓力信號；以及一第二壓力傳感器，配置成能按照在該前室之內之壓力提供一第二壓力信號，其中該壓力控制配置包含一控制器，用於按照該第一與第二壓力信號控制進入氣體傳送系統之 氣體之流量。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之系統，更包含一第三閥，配置成能控制進入該前室之流量，且其中該壓力控制配置係經組構並配置成能控制該第三閥，以按照該第二壓力信號控制進入該前室之氣體之流量，控制該第一閥，俾能按照該第一與第二壓力信號控制從該前室進入該氣體傳送腔室之流體之流量，並按照該第一壓力信號控制離開該氣體傳送腔室之氣體之流量。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之系統，其中該控制器配置包含：一第一控制器，係經組構並配置成能控制該第一與第二閥；一第二控制器，係經組構並配置成能控制該第三閥；以及一第三控制器，係經組構並配置成能控制該第一與第二控制器。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該前室係選擇性地耦接至該氣體傳送腔室，俾能以經由該第一閥之氣體填充該氣體傳送腔室。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該控制器配置係經組構並配置成能控制該第一閥，以將該前室中之壓力維持於一選擇壓力。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該氣體傳送腔室中之該初始壓力設定點係為氣體型式與待被傳送之氣體之脈衝之該選擇的質量之函數。
  12. 一種傳送一期望質量之氣體之脈衝至一製程腔室或工具之方法，包含： 控制進入氣體傳送腔室之氣體之流量，並控制離開該氣體傳送腔室之氣體之流量，以使該氣體可以以脈衝的形式離開該氣體傳送腔室，每一個選擇之質量係為該氣體傳送腔室中之該氣體之該初始壓力之函數；在傳送氣體之該些脈衝之前，將在該氣體傳送腔室中之氣體預填充至一初始壓力設定點，以使該氣體傳送腔室中之氣體之起始壓力之變量係在傳送氣體之該些脈衝之前被控制，且質量傳送之重複性係按照各該脈衝之該持續期間被改善；以及接收一前室中之氣體，並藉由控制一閥之操作選擇性地控制從該前室進入該氣體傳送腔室之氣體流量，以在氣體之脈衝之脈衝氣體傳送之前，控制該氣體傳送腔室中之氣體之該初始壓力設定點之變量。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，更包含：按照在該氣體傳送腔室之內之壓力，控制進入氣體傳送系統之氣體之流量。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之方法，更包含：按照在該氣體傳送腔室之內之氣體之溫度，控制進入氣體傳送系統之氣體之流量。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之方法，更包含：按照在該氣體傳送腔室之內之壓力，控制進入及離開該氣體傳送腔室之氣體之流量。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之方法，更包含：控制到 達該前室之一進氣閥，以按照在該前室之內之氣體之壓力控制進入該前室之氣體之流量；控制到達該氣體傳送腔室之一進氣閥，俾能按照在該前室之內之壓力及在該氣體傳送腔室之內之壓力，控制從該前室進入該氣體傳送腔室之氣體之流量；以及控制一排氣閥，以控制離開該氣體傳送腔室之流體之流量。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該初始壓力設定點係為氣體型式與待被傳送之氣體之該脈衝之該選擇的質量之函數。
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