TWI485867B - 以背面通孔接觸射極層之太陽能電池 - Google Patents

以背面通孔接觸射極層之太陽能電池 Download PDF

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Description

以背面通孔接觸射極層之太陽能電池
相關申請案
本申請案根據於2008年11月26日申請之美國臨時專利申請案第61/118,296號主張優先權及其權益，在此以引用方式倂入其內容。
本申請案係有關諸如太陽能電池裝置等的光伏特(photovoltaic)裝置。更具體而言，本申請案係有關具有通到諸如射極層等的埋入半導體層的背面接點之光伏特裝置。
光伏特裝置將光能轉換為電。雖然有時可將術語“太陽能電池裝置”用來表示一種自日光取得能量之裝置，但是在本申請案中，不論光源為何，可互換地使用術語“太陽能電池裝置”及“光伏特裝置”。
第1圖是一傳統的多接面太陽能電池裝置100之一橫斷面圖。多接面太陽能電池裝置100可包含被串聯的諸如第一p-n接面區110、第二p-n接面區120、及第三p-n接面區130等的多個接面區。每一p-n接面區可包含多層，其中包括一射極層及一基極層(圖中未示出)。
多接面太陽能電池裝置100可自該裝置的前或上(被照射)面接收光。多接面太陽能電池裝置100可包含裝置100的前或上面上之射極"柵格"接點140，該等接點可接觸第一接面區110之射極層。多接面太陽能電池裝置100亦可包含裝置100的背面或下面(未被照射面)上之基極接點150，基極接點150可接觸第三p-n接面區130之基極層。
可經由射極"柵格"接點140及基極接點150而作出裝置100之電連接。基極接點150可覆蓋裝置100的整個背面，而射極"柵格"接點140可包含一陣列的手指或匯流排，用以收集來自裝置100的上面或前面之電流。可在第一接面區110的射極層的露出上表面之上沉積一抗反射塗層160，以便將因反射而造成的損耗最小化。
在傳統的多接面太陽能電池裝置100中，被上柵格接點140遮蔽的區域可能造成裝置效率的顯著耗損，這是因為被遮蔽的區域不吸收光。上柵格接點140的該等金屬手指可能覆蓋了裝置100的上表面之至少5%，這有重大意義。由於被遮蔽的區域與相關的電阻耗損間之效能取捨，用來將被遮蔽的區域最小化之傳統方法極為受限。換言之，減少覆蓋太陽能電池裝置100的表面之柵格金屬區時，可減少遮蔽耗損，但是將增加裝置100中之串聯電阻。尤其在諸如集光器(optical concentrator)系統等的大電流應用中，該串聯電阻係為限制整體裝置效率之一關鍵性因素。
因此，目前需要一種可在不會非必要地增加太陽能電池裝置的串聯電阻之情形下減少遮蔽耗損之新太陽能電池結構。
本申請案之一實施例可提供一種在不會增加太陽能電池裝置的串聯電阻之情形下減少遮蔽耗損之太陽能電池結構。該太陽能電池裝置包含自該太陽能電池裝置的背面通到諸如一射極層等的一埋入太陽能電池層之一接點。在本申請案之說明中，該太陽能電池裝置之該背面意指該太陽能電池裝置之未被照射面。使用該結構時，本申請案之實施例可顯著地減少射極接點遮蔽耗損，且同時有利地減少裝置串聯電阻。
根據一實施例，一太陽能電池裝置包含至少一有一射極區及一基極區之接面區。該太陽能電池裝置亦可包含自該裝置的下表面軸向地延伸到該接面區且終止於該接面區而並未完全延伸穿過該接面區之一通孔。該太陽能電池裝置可進一步包含：在該通孔的內表面上形成之一絕緣層、以及在該絕緣層上形成之一導電層。
根據本申請案之另一實施例，一太陽能電池裝置包含：一有一射極區及一基極區之一第一接面區、以及一有一射極區及一基極區之一第二接面區。該太陽能電池亦包含：自該第二接面區的該基極區軸向地延伸到該第一接面區的射極區且終止於該第一接面區的該射極區內之一第一通孔；在該第一通孔的內表面上形成之一第一絕緣層；以及在該第一通孔的該內表面上的該第一絕緣層上形成之一第一導電層，用以經由一外部負載而在電氣上耦合該第一接面區的該射極區及該第二接面區的該基極區。根據某些實施例，該太陽能電池進一步包含：自該第二接面區的該基極區軸向地延伸到該第二接面區的該射極區且終止於該第二接面區的該射極區之一第二通孔；在該第二通孔的內表面上形成之一第二絕緣層；以及在該第二通孔的該第二絕緣層上形成之一第二導電層，用以經由一外部負載而在電氣上耦合該第二接面區的該射極區及該第二接面區的該基極區。
根據本申請案之另一實施例，提供了一種形成具有一射極層、一基極層、以及該射極層與該基極層間之一接面或界面的太陽能電池裝置之方法。形成一通孔，以便自該裝置之下表面軸向地延伸到該接面區內，且終止於該接面區內。在通孔的內表面上形成一絕緣層，且在該絕緣層上形成一導電層。
根據本申請案之又一實施例，提供了一種形成太陽能電池裝置之方法，該太陽能電池裝置包含有一射極區及一基極區之一第一接面區、以及有一射極區及一基極區之一第二接面區。一第一通孔自該第二接面區的該基極區軸向地延伸到該第一接面區的射極區內，且終止於該第一接面區的該射極區內。在該第一通孔的內表面上形成一第一絕緣層，且在該第一通孔的該內表面上的該第一絕緣層上形成一第一導電層，以便在電氣上耦合該第一接面區的該射極區及該第二接面區的該基極區。形成自該第二接面區的該基極區軸向地延伸到該第二接面區的該射極區內且終止於該第二接面區的該射極區內之一第二通孔。在該第二通孔的內表面上形成一第二絕緣層，且在該第二通孔的該第二絕緣層上形成一第二導電層，以便在電氣上耦合該第二接面區的該射極區及該第二接面區的該基極區。
本申請案之實施例提供了太陽能電池裝置結構以及形成該等太陽能電池裝置結構之方法。在該等太陽能電池裝置中，自太陽能電池裝置的背面(未被照射面)提供接觸太陽能電池射極層之一電接點。這些結構及方法減少了射極接點遮蔽耗損，且同時減少了裝置串聯電阻。
第2圖是適合配合本申請案的背面通孔而使用的一例示多接面太陽能電池裝置200之一橫斷面示意圖。多接面太陽能電池裝置200可包含一第一或上接面區210、第二或中間接面區220、以及一第三或下接面區230。對此項技術具有一般知識者應可了解：多接面太陽能電池裝置200是例示的，且所示太陽能電池裝置中可採用任何數目之接面。例如，所示之該太陽能電池裝置可包含單一接面、或諸如兩個或三個接面等的更多之接面。對此項技術具有一般知識者也將易於了解其中包含太陽能電池裝置200的每一接面之各層。
可由諸如砷化鎵(GaAs)、磷化銦鎵(GaInP)、砷化銦鎵(GaInAs)、磷砷化銦鎵(GaInAsP)、或任何其他適當之III-V族化合物等的一或多種III-V族化合物構成所示太陽能電池裝置之每一接面區210、220、230。每一接面區可包含一射極區、一基極區、以及該射極區與該基極區間之一接面。該射極區可包括由一n型III-V族化合物構成之一射極層，且該基極區可包括由一p型III-V族化合物構成之一基極層。在其他實施例中，可分別由一p型III-V族化合物及一n型III-V族化合物構成該射極層及該基極層。對此項技術具有一般知識者將可易於了解：每一接面區可具有某一能帶間隙(band gap energy)特性，該特性將太陽光譜之某一部分用來產生電。可由不同的摻雜及材料構成多接面太陽能電池裝置200中之該等接面區，因而該等多個接面區可具有不同的能帶間隙，以便吸收太陽光譜的不同波長。例如，可分別由砷化鎵(GaAs)、磷化銦鎵(GaInP)、及砷化銦鎵(GaInAs)構成第一接面區210、第二接面區220、及第三接面區230。因此，第一接面區210、第二接面區220、及第三接面區230可吸收太陽光譜的不同波長。
可在一基材上形成該等接面區，且使用磊晶膜剝離(Epitaxial Lift-Off；簡稱ELO)自該基材剝離該等接面區。美國專利申請案公告2009/0038678 A1中詳細地說明該等ELO法，本申請案特此引用該專利申請案之內容以供參照。亦可使用其他習知的方法形成該等接面區。例如，可在基材上以磊晶法生長該等接面區，且在整個製造及部署過程中使該等接面區保持被固定在該基材上作為太陽能電池。
在該實施例中，太陽能電池裝置200包含一被形成之背面通孔290，用以接觸諸如第一接面區210等的一被選擇之接面區。此外，可將通孔290形成為終止於該接面區的一被選擇之區域或層上或內。第8A及8B圖示出可包含該太陽能電池裝置之各層。為了便於圖示及解說，所示之該等層被簡化了。下文中將進一步詳細地說明第8A及8B圖。請參閱第2、8A及8B圖，通孔290可終止於離開第三或下接面區230的基極區之第一或上接面區210的射極區上或內。對此項技術具有一般知識者將可了解：通孔290之結構是例示的，且該通孔可終止於該等接面區的任何其他接面、區域、或層上或內，例如，終止於該第二或第三接面區的射極區上或內。此外，對此項技術具有一般知識者將可了解：通孔290可終止於該射極區中之任何層上或內，例如，終止於該射極接點層上或內。如將於下文中參照第3至5圖說明的，對此項技術具有一般知識者也將可了解：可在太陽能電池裝置200中之各種位置上形成複數個通孔。
本申請案之實施例形成自太陽能電池裝置200的背面開始的射極接點通孔290，而提供了對射極區或層之一接點240。可以諸如濕式蝕刻或乾式蝕刻等的習知之蝕刻法形成射極接點通孔290。根據本申請案之揭示，可以只部分地穿過太陽能電池裝置200且終止於或停止於被選擇的射極區上或內之方式形成通孔290。雖然被蝕刻的通孔290自裝置200延伸到該射極區內且終止於該射極區上或內，但是通孔290並未完全延伸到裝置200的前或上(被照射)面。
在通孔290的側壁上且在該第三接面區中之基極區的至少一部分之下表面上形成一絕緣層270。可以二氧化矽(SiO2 )或其他適當的絕緣材料形成絕緣層270。對此項技術具有一般知識者將可了解：可使用諸如電漿增強式化學汽相沉積(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition；簡稱PECVD)等的習知技術形成絕緣層270。絕緣層270使導電層280與通孔290之側壁及第三接面區230之下表面絕緣。
在絕緣層270上形成導電層280。在導電層280與第一接面區210的射極區或層之間形成接點240，因而導電層280在電氣上被連接到第一接面區210之該射極層。在第三接面區230的下表面上形成另一導電層(背面接點250)。背面接點250接觸第三接面區230之基極區，因而背面接點250在電氣上被連接到第三接面區230之基極層。對此項技術具有一般知識者將可了解：可使用諸如習知之電鍍技術等的習知技術形成該等導電層。可經由一外部負載(圖中未示出)在電氣上耦合接點250及240。
可在太陽能電池裝置200的上表面之上(例如，在該第一接面區的射極區之上)沉積一抗反射塗層260，以便將因反射而造成的耗損最小化。抗反射塗層260可以是硫化鋅(zinc sulfide)/氟化鎂(magnesium fluoride)塗層。對此項技術具有一般知識者將可了解：可使用其他適當的抗反射塗層或者抗反射塗層或材料之組合以實施抗反射塗層260。
使用上述之結構時，因為去除或取消了該太陽能電池裝置的被照射面上之接點，所以本實施例提供了減少或消除射極接點遮蔽耗損之優點。該實施例也藉由提供自太陽能電池裝置的未被照射面開始的射極接點，且不限制該射極接點的尺寸，而提供了減少裝置串聯電阻之優點。
於操作時，該等多個接面被串聯，且接收來自太陽能電池裝置200的上或前面的光。第一接面區210的射極層與第三接面區230的基極層之間產生一電位。當導電層280與基極接點250之間形成了一電路時，該電位可讓電流流經導電層280。
在第2圖中，係以簡化之形式示出多接面太陽能電池裝置200。然而，熟悉此項技術者應可了解：太陽能電池裝置200可包含諸如第8A及8B圖所示之穿隧接面、背面電場(Backside Field)層、及窗口層等的一些額外的層。亦可在該第三接面區之下提供一基材。
第3圖是採用背面射極接點通孔陣列390的一例示太陽能電池裝置300之一橫斷面示意圖。可針對太空及陸地應用而實施背面射極接點通孔陣列390。例如，可在用於高集光應用之太陽能電池裝置中實施背面射極接點通孔陣列390。每一通孔之結構與第2圖所示之結構實質上相同。因此，第3圖中並未示出在通孔的側壁上形成之絕緣層。對此項技術具有一般知識者將可易於了解：可根據特定之應用而以任何適當的圖案及數目配置該等通孔。
在該例示太陽能電池裝置300中，可以一柵格圖案之方式在接面區310中形成該等通孔390。接面區310可包含一單一的接面。在一不同的實施例中，接面區310可包含多個接面。該等通孔390的深度可以是相同的或不同的。下文中將參照第5圖而更詳細地說明具有不同深度的通孔之一實施例。
在接面區310的下表面上提供了一背面接點層320。背面接點層320包含一基極接點350，用以接觸接面區310之基極區，因而基極接點350在電氣上被連接到接面區310之基極區。背面接點層320也包含一射極接點柵格380，用以接觸該等通孔390的側壁上形成之導電層。絕緣材料370使射極接點柵格380與基極接點350絕緣。如將於下文中參照第4圖而更詳細說明的，一接觸墊連接射極接點柵格380。
可在太陽能電池裝置300的上表面之上沉積一抗反射塗層360，以便將因反射而造成的損耗最小化。抗反射塗層360可以是硫化鋅/氟化鎂、或其他適當的抗反射塗層。
於操作時，接面區310接收來自太陽能電池裝置300的上或前面的光。該接面區的射極層與基極層之間產生電位。當射極接點柵格380與基極接點350之間形成了一電路(外部負載)時，該電位可讓電流流經射極接點柵格380。
第4圖是自第3圖所示的4-4線截取的背面接點層320之一橫斷面圖。在該例示背面接點層320中，該裝置上方邊緣上的大型水平接觸墊410(“射極接觸墊”)連接射極接點柵格380。基極接點350也包含在該裝置下方邊緣上的大型水平接觸墊420(“基極接觸墊”)。絕緣材料370使射極接點柵格380與基極接點350絕緣，且係以一種交替之方式於基極接點350之間提供射極接點柵格380。
在本申請案之實施例中，可製造出具有所需寬度及厚度之射極接點柵格380，這是因為該太陽能電池的背面上沒有遮蔽的限制。使用低電阻值的背面接觸墊410連接射極接點柵格380。在具有10微米直徑及100微米柵格上的規律性間隔之射極接點柵格380之情形下，計算出該太陽能電池將有大約1%的遮蔽耗損。
尤其只能自該裝置的背面進行射極接觸墊410及基極接觸墊420之外部連接。因此，在太空及陸地應用中，本申請案之該背面接點層提供了有效率的裝置封裝結構。
第5圖示出在本申請案的另一實施例中其中包含具有不同深度的多個通孔之一例示太陽能電池裝置500。太陽能電池裝置500可包含第一接面區510、第二接面區520、以及第三接面區530。每一接面區可包含一射極區、一基極區、以及該射極區與該基極區間之一接面。太陽能電池裝置500可包含諸如通孔591、592、及593等的任何適當數目之通孔。根據該所示實施例，第一通孔591終止於第一或上接面區510的射極區上或內，第二通孔592終止於第二或中間接面區520的射極區上或內，且第三通孔593終止於第三或下接面區530的射極區上或內。該等所示之通孔591、592、及593將電氣連接提供給裝置500內之不同的射極區。
對此項技術具有一般知識者將可了解：射極接點通孔591、592、及593是例示的，且複數個射極接點通孔可終止於各接面區的不同之區域或層內。
在通孔591、592、及593的側壁上且在第三接面區530的基極區之至少一部分上形成一絕緣材料570。在絕緣材料570上形成導電層581、582、及583，且該等導電層分別對該第一、第二、及第三接面區的該等射極層提供電氣接點。可在第一接面區510的射極區之上沉積一抗反射塗層560，以便將因反射而造成的損耗最小化。
在該實施例中，裝置500包含用來接觸不同接面區中之不同射極層的多個通孔。在該結構中，並非以傳統的串聯方式，而是可以串聯-並聯方式結合多個接面。上述結構可提高太陽能電池裝置500之光譜強健性及效率。
第6圖是根據本申請案的揭示而製造太陽能電池的一例示方法之一示意流程圖。根據本申請案之一實施例，在步驟610中，提供串聯的多個p-n接面區，以便形成一太陽能電池裝置。每一p-n接面區可包含一射極區及一基極區，以便形成該等區間之一p-n接面。在步驟620中，形成自該裝置的底部延伸到該等多個p-n接面區中之一被選擇之射極區的一通孔。在步驟630中，在該通孔的內表面上形成一絕緣層。在步驟640中，在該絕緣層上形成一導電層，以便在電氣上耦合該射極區以及接觸該裝置的底部之該基極區。
熟悉此項技術者應可了解：本申請案之太陽能電池裝置中可採用任何數目之p-n接面區。此外，熟悉此項技術者應可了解：如將於下文中參照第7圖而說明的，本申請案之太陽能電池裝置中可形成任何適當數目之通孔。
第7圖是根據本申請案的揭示而製造太陽能電池的另一例示方法之一示意流程圖。根據本申請案之一實施例，在步驟710中，提供串聯的有一射極區及一基極區之一第一接面區、以及有一射極區及一基極區之第二接面區，以便形成一太陽能電池裝置。在步驟720中，形成自該第二接面區的基極區延伸到該第一接面區的射極區內且終止於該第一接面區的射極區內之一第一通孔。在步驟730中，提供自該第二接面區的基極區延伸到該第二接面區的射極區內且終止於該第二接面區的射極區內之一第二通孔。在步驟740中，在該第一通孔及該第二通孔之內表面上形成一絕緣層。在步驟750中，在該第一通孔的內表面上之該絕緣層上形成一第一導電層，以便在電氣上耦合該第一接面區之射極區以及該第二接面區之基極區。在步驟760中，在該第二通孔之該絕緣層上形成一第二導電層，以便在電氣上耦合該第二接面區之射極區以及該第二接面區之基極區。
第8A圖示出適合配合本申請案的揭示而使用之一例示單一接面太陽能電池。該單一接面太陽能電池包含諸如在射極區810與基極區820間之一接面。可在基極區820之上沉積射極區810。
射極區810可包含一射極接點層811、一窗口層812、及(或)一射極層813。可在窗口層812之上沉積摻雜射極接點層811，以便增強與諸如第2圖所示之導電層280等的一金屬導電材料間之電氣接觸。可在射極層813之上沉積窗口層812，以便讓光到達射極層813，且在電子及電洞能夠復合之前協助有效地隔離電子及電洞。
基極區820可包含一基極層821、一背面電場(Backside Field；簡稱BSF)層822、及(或)一基極接點層823。可在BSF層822之上沉積基極層821。可在基極接點層823之上沉積BSF層822，以便減少該太陽能電池的背面上之復合耗損。摻雜基極接點層823可增強與諸如第2圖所示之背面接點250等的金屬材料間之接觸。
在該實施例中，一或多個通孔終止於該所示接面區中之任何區域上或內。一或多個通孔最好是終止於射極區810中之任何層上或內。一或多個通孔更好是終止於射極區810的該射極接點層上或內。
第8B圖示出適合配合本申請案的揭示而使用之一例示多接面太陽能電池裝置。該多接面太陽能電池裝置可包含一第一接面區830及一第二接面區860。第一接面區830可包含一射極接點層831、一窗口層832、一射極層833、一基極層841、及(或)一BSF層842，該等層可被區分成第8A圖所示之射極區及基極區。第二接面區860可包含一射極接點層861、一窗口層862、一射極層863、一基極層871、一BSF層872、及(或)一基極接點層873，該等層可被區分成第8A圖所示之射極區及基極區。在第一接面區830與第二接面區860之間沉積了一穿隧接面層850。穿隧接面層850可形成一穿隧二極體(tunneling diode)，用以讓電子在第一接面區830與第二接面區860之間流動。
在該實施例中，一或多個通孔終止於該等接面區中之任何接面區上或內。一或多個通孔最好是終止於該等射極區中之任何層上或內。一或多個通孔更好是可終止於該等射極區中之該等射極接點層上或內。對此項技術具有一般知識者將可易於了解：該等通孔可終止於該等接面區的任何其他區域或層內。
對此項技術具有一般知識者將可了解：該接面區之結構不限於第8A及8B圖所示之結構，且該接面區可包含一或多個不同的層。例如，該接面區可不包含該窗口層或該BSF層。
本申請案之一優點在於：遮蔽耗損的減少是可行的。此外，在減少遮蔽耗損的同時，亦可減少裝置串聯電阻。
熟悉此項技術者在參閱前文的說明之後，將可易於了解本申請案之許多修改及替代實施例。因此，本說明將被理解為只具有例示性，且其目的係向熟悉此項技術者揭示用來實施本申請案之最佳模式。可在不脫離本申請案的精神下，實質上改變該結構之細節，且本申請案將保留在最後的申請專利範圍的範圍內之所有修改之唯一使用權。本申請案將只受限於最後的申請專利範圍及適用的法律規所要求的限度。
我們亦可了解：最後的申請專利範圍將涵蓋本說明書中述及的本發明之所有一般的及特定的特徵，且就語文而言，本發明範圍之所有陳述可視為在該等一般的及特定的特徵之範圍內。
100,200,300,500．．．太陽能電池裝置
110,210,510,830．．．第一接面區
120,220,520，860．．．第二接面區
130,230,530．．．第三接面區
140．．．射極"柵格"接點
150,350．．．基極接點
160,360,560．．．抗反射塗層
290．．．背面通孔
240．．．接點
270．．．絕緣層
280．．．導電層
250．．．背面接點
260．．．抗反射塗層
390．．．背面射極接點通孔陣列
310．．．接面區
320．．．背面接點層
380．．．射極接點柵格
370,570．．．絕緣材料
410,420．．．水平接觸墊
591,592,593．．．通孔
810．．．射極區
820．．．基極區
811,831,861．．．射極接點層
812,832,862．．．窗口層
813,833,863．．．射極層
821,841,871．．．基極層
822,842,872．．．背面電場層
850．．．穿隧接面層
若參照前文中之詳細說明並配合各附圖，將可對本申請案的上述這些及其他之特徵有更完整的了解，在該等附圖中：
第1圖是一傳統的多接面太陽能電池裝置之一橫斷面圖；
第2圖是根據本申請案的一實施例的具有一背面射極接點的一多接面太陽能電池結構之一橫斷面示意圖；
第3圖是根據本發明的揭示而具有一背面射極接點陣列的一例示太陽能電池裝置之一橫斷面示意圖；
第4圖是自第3圖所示的4-4線截取的背面接點層之一橫斷面圖；
第5圖是根據本申請案的揭示而採用具有不同深度的多個通孔的一多接面太陽能電池裝置之一橫斷面示意圖；
第6圖是根據本申請案的揭示而製造採用一背面通孔的單一或多接面太陽能電池裝置的步驟之一示意流程圖；
第7圖是根據本申請案的揭示而製造採用多個背面通孔的單一或多接面太陽能電池裝置的步驟之一示意流程圖；以及
第8A及8B圖是適合配合本發明而使用的例示太陽能電池裝置的各種可能的層之橫斷面示意圖。
200．．．太陽能電池裝置
210．．．第一接面區
220．．．第二接面區
230．．．第三接面區
240．．．接點
250．．．背面接點
260．．．抗反射塗層
270．．．絕緣層
280．．．導電層
290．．．背面通孔

Claims (16)

  1. 一種光伏特裝置，包含：至少一接面區；在該接面區中形成之一通孔，該通孔自該裝置的一下表面軸向地延伸到該接面區，且終止於該接面區內，但並未完全延伸穿過該接面區；在該通孔的一內表面的至少一部分上形成之一絕緣層；以及在該絕緣層上形成且接觸該接面區之一導電層，其中，該接面區包含一射極區及一基極區，且該通孔終止於該射極區內，並且其中，該射極區包含複數個層。
  2. 如申請專利範圍第1項之光伏特裝置，其中，該射極區包含一射極接點層、一窗口層、以及一射極層，且該通孔終止於該射極接點層上或內。
  3. 如申請專利範圍第1項之光伏特裝置，進一步包含終止於該接面區內之複數個通孔。
  4. 如申請專利範圍第3項之光伏特裝置，其中，係以一柵格圖案之方式提供該複數個通孔。
  5. 如申請專利範圍第1項之光伏特裝置，進一步包含複數個接面區，其中，該複數個接面區中之每一接面區包含一射極區及一基極區，且其中，該通孔終止於該複數個接面區中之一接面區的該射極區或該基極區內。
  6. 如申請專利範圍第5項之光伏特裝置，其中，該複 數個接面區中之一接面區的該射極區包含一射極接點層、一窗口層、以及一射極層，且該通孔終止於該射極接點層上或內。
  7. 如申請專利範圍第5項之光伏特裝置，進一步包含複數個通孔，其中，該等通孔中之每一通孔終止於該複數個接面區中之一接面區的該射極或基極區內。
  8. 如申請專利範圍第7項之光伏特裝置，其中，該複數個通孔中之每一通孔終止於該複數個接面區中之一接面區的該射極區內。
  9. 如申請專利範圍第8項之光伏特裝置，其中，該複數個接面區中之每一接面區的該射極區包含一射極接點層，且其中，該複數個通孔終止於該複數個接面區之該等射極接點層上或內。
  10. 如申請專利範圍第1項之光伏特裝置，其中，該光伏特裝置是一太陽能電池裝置。
  11. 如申請專利範圍第1項之光伏特裝置，其中，係在該裝置之一背面中形成該通孔。
  12. 如申請專利範圍第1項之光伏特裝置，進一步包含一背面接點層，該背面接點層具有：一射極接觸墊、自該射極接觸墊延伸的複數個射極接觸條、一基極接觸墊、以及自該基極接觸墊延伸的複數個基極接觸條。
  13. 一種太陽能電池裝置，包含：具有一射極區及一基極區之一第一接面區；具有一射極區及一基極區之一第二接面區； 一第一通孔，該第一通孔自該第二接面區的該基極區軸向地延伸到該第一接面區的該射極區內，且終止於該第一接面區的該射極區上或內；在該第一通孔的一內表面的至少一部分上形成之一第一絕緣層；在該第一通孔的該內表面上的該第一絕緣層的至少一部分上形成之一第一導電層，且該第一導電層之至少一部分在電氣上直接接觸該第一接面區的該射極區；一第二通孔，該第二通孔自該第二接面區的該基極區軸向地延伸到該第二接面區的該射極區內，且終止於該第二接面區的該射極區上或內；在該第二通孔的一內表面之至少一部分上形成之一第二絕緣層；以及在該第二通孔的該第二絕緣層之至少一部分上形成之一第二導電層，且該第二導電層之至少一部分在電氣上直接接觸該第二接面區的該射極區。
  14. 如申請專利範圍第13項之太陽能電池裝置，進一步包含：具有一射極區及一基極區之一第三接面區；一第三通孔，該第三通孔自該第二接面區的該基極區軸向地延伸到該第三接面區的該射極區內，且終止於該第三接面區的該射極區上或內；在該第三通孔的一內表面的至少一部分上形成之一第三絕緣層；以及 在該第三通孔的該內表面上的該第三絕緣層的至少一部分上形成之一第三導電層，且該第三導電層之至少一部分在電氣上直接接觸該第三接面區的該射極區。
  15. 一種形成光伏特裝置之方法，包含下列步驟：形成具有一射極區及一基極區之一接面區；形成一通孔，該通孔自該裝置之一背面軸向地延伸到該接面區，且終止於該接面區的該射極區上或內，但並未完全延伸穿過該射極區而到該裝置之上面；在該通孔的一內表面之至少一部分上形成一絕緣層；在該絕緣層之至少一部分上形成一導電層，其中，該導電層被配置成在電氣上直接接觸該接面區之該射極區；形成複數個接面區，其中，該等接面區中之每一接面區包含一射極區及一基極區；以及形成複數個通孔，該複數個通孔終止於該複數個接面區的該等射極區上或內。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，該複數個通孔接觸於該裝置的一背面上設置之一背面接點層。
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