TWI477779B - 熱對流式線性加速儀 - Google Patents

Description

熱對流式線性加速儀

本發明係關於一種熱對流式線性加速儀。

美國專利公告號第6,182,509號公開一種熱對流型線性加速儀(Thermal Convection Accelerometer)。該熱對流型加速儀包含一絕熱基板、一加熱器和兩個溫度感測元件。絕熱基板具一凹槽，加熱器與兩個溫度感測元件懸置於凹槽上，且兩個溫度感測元件分別等距置放於加熱器之相對兩側。

為形成懸置之加熱器與兩個溫度感測元件，首先在絕熱基板上形成二氧化矽層。然後，在二氧化矽層上形成一多晶矽層。之後，進行氧化製程，在多晶矽層上形成另一氧化層。接著，圖案化該多晶矽層，以獲得3條多晶矽橋樑(Polysilicon Bridge)。然後，再次進行氧化製程，以在多晶矽橋樑之側邊形成氧化層。之後，絕熱基板以EDP(乙二胺(Ethylenediamine)、兒茶酚(Pyrocatechol)和水之混合物)蝕刻出深凹槽。

在前述的熱對流型線性加速儀中，電流通過加熱器，以產生向外擴展的對稱溫度梯度。當前述的熱對流型線性加速儀受加速時，兩溫度感測元件會因感測到不同的溫度，而表現出不同的電阻值。藉由量測電阻值之差異，可推算出線性加速度。

然而現有的熱對流型線性加速儀反應速度慢，仍不夠靈敏。

本發明一實施例之熱對流式線性加速儀包含一底材及一第一感測計。第一感測計包含兩第一溫度感測元件及一第一加熱器。兩第一溫度感測元件設置在該底材上。第一加熱器設置在該底材上。第一加熱器 並位於兩第一溫度感測元件之間。兩第一溫度感測元件中至少一者距該底材之高度，大於第一加熱器距該底材之高度。

在一實施例中，兩第一溫度感測元件具有相同的高度。

在一實施例中，兩第一溫度感測元件中至少一者距該底材之高度是介於0.5至2毫米。

在一實施例中，第一加熱器及兩第一溫度感測元件，均整個位在該底材之一表面上。

由於溫度感測元件及加熱器之高度不同，溫度感測元件在熱對流式線性加速儀承受線性加速度時，可較敏銳地感測到其附近溫度的變化。

1‧‧‧熱對流式線性加速度量測系統

11‧‧‧讀取設備

12‧‧‧熱對流式線性加速儀

12'‧‧‧熱對流式線性加速儀

12"‧‧‧熱對流式線性加速儀

12'''‧‧‧熱對流式線性加速儀

13‧‧‧X軸線性加速度感測計

14‧‧‧Y軸線性加速度感測計

15‧‧‧Z軸線性加速度感測計

16‧‧‧無線射頻識別標籤

20、20a、20b‧‧‧感測計

21‧‧‧底材

21'‧‧‧底材

22、22'‧‧‧蓋體

23‧‧‧膠

24‧‧‧金屬線

51‧‧‧晶片

60‧‧‧底材

61‧‧‧連接器

62‧‧‧電阻

63‧‧‧電容

64‧‧‧電池

81、82‧‧‧串聯接點

111‧‧‧發送器/接收器

112‧‧‧天線

113‧‧‧監控設備

161‧‧‧調變器

162‧‧‧整流器

163‧‧‧微處理器

164‧‧‧天線

201‧‧‧加熱器

202‧‧‧溫度感測元件

203‧‧‧支撐溫度感測的元件

210‧‧‧基材

211‧‧‧二氧化矽層

212‧‧‧光阻層

213‧‧‧表面

511‧‧‧鉻層

512‧‧‧鎳層

513‧‧‧金層

2021、2022‧‧‧溫度感測元件之組成部分

圖1為本發明一實施例之熱對流式線性加速度量測系統之示意圖。

圖2A為本發明一實施例之感測計之示意圖。

圖2B為沿圖2A之割面線2-2之剖視圖。

圖3為本發明另一實施例之感測計之示意圖。

圖4A為本發明另一實施例之熱對流式線性加速儀之示意圖。

圖4B為沿圖4A之割面線4-4之剖視圖。

圖5A為本發明一實施例之熱對流式線性加速儀之無線射頻識別標籤之示意圖。

圖5R為沿圖5A之割面線5-5之剖視圖。

圖6例示本發明另一實施例之熱對流式線性加速儀之感測計。

圖7為本發明另一實施例之熱對流式線性加速儀之示意圖。

圖8為本發明一實施例之熱對流式線性加速儀之電路圖。

圖1為本發明一實施例之熱對流式線性加速度量測系統1之示意圖。如圖1所示，熱對流式線性加速度量測系統1包含一讀取設備11及熱對流式線性加速儀12。熱對流式線性加速儀12可用於量測至少一方向或軸上之線性加速度。熱對流式線性加速儀12可將量測到的線性加速度值，以如無線傳輸的方式傳送至讀取設備11。在一實施例中，熱對流式線性加速度量測系統1是利用無線射頻辨別(RFID)技術傳送線性加速度值。

參照圖1所示，熱對流式線性加速儀12可包含至少一感測計(13、14或15)，而該至少一感測計(13、14或15)是用來量測一方向或軸上之線性加速度。在一實施例中，熱對流式線性加速儀12包含可分別量測兩方向上之線性加速度之兩感測計。在一實施例中，熱對流式線性加速儀12包含X軸線性加速度感測計13、Y軸線性加速度感測器14及Z軸線性加速度感測器15。

熱對流式線性加速儀12可包含複數感測計。在一實施例中，複數感測計是分離之個別裝置。在一實施例中，複數感測計是整合裝置。

熱對流式線性加速儀12可進一步包含一無線射頻識別標籤(RFID tag)16，其中無線射頻識別標籤16可和至少一感測計(13、14或15)連接。

在一實施例中，無線射頻識別標籤16可用來與讀取設備11進行無線通訊。在一實施例中，無線射頻識別標籤16可用來控制至少一感測計(13、14或15)。

無線射頻識別標籤16可在主動模式或被動模式下運作。在一實施例中，熱對流式線性加速儀12未進行量測時，無線射頻識別標籤16可進入被動模式。在一實施例中，當無線射頻識別標籤16收到讀取設備11的微波信號時，才被喚醒(Awake)工作。在一實施例中，如無線射頻識別標籤16收到的信號很弱，在無線射頻識別標籤16要發射信號回讀取設備11時，才啟動主動模式，否則仍可以被動模式傳送量測所得值。

在一實施例中，無線射頻識別標籤16包含一整流器162，其中無線射頻識別標籤16在被動模式時，無線射頻識別標籤16運作所需 的電能，是將天線接收到的微波信號，利用整流器162加以整流而獲得的。在一實施例中，為維持整流後電源信號的穩定度，熱對流式線性加速儀12會額外設置電容。

在一實施例中，無線射頻識別標籤16可包含震盪器電路(Oscillator)。震盪器電路可產生無線射頻識別標籤16操作所需之鐘波信號(Clock)。震盪器電路可額外連接電阻及電容。在一實施例中，無線射頻識別標籤16可包含由電感及電容所組成的多諧波震盪器(Multi-vibrator)，其中多諧波震盪器可產生鐘波信號。

參照圖1所示，無線射頻識別標籤16可包含一微處理器163。在一實施例中，微處理器163用來控制至少一感測計(13、14或15)。在一實施例中，微處理器163用來控制無線射頻識別標籤16。在一實施例中，微處理器163用來控制整個熱對流式線性加速儀12。

無線射頻識別標籤16可包含一調變器161。調變器161可用於無線通訊。此外，無線射頻識別標籤16可包含一天線164。天線164可耦接調變器161，並用於無線通訊。

在一實施例中，調變器161、整流器162及微處理器163可整合在一晶片中。在一實施例中，調變器161、整流器162及微處理器163可分別為單獨元件。

參照圖1所示，讀取設備11可包含一發送器/接收器111及天線112，其中發送器/接收器111及天線112是共同用於無線通訊。

讀取設備11可包含監控設備113。監控設備113用來監控熱對流式線性加速儀12。

圖2A為本發明一實施例之感測計之示意圖。圖2B為沿圖2A之割面線2-2之剖視圖。圖2A與圖2B所示之感測計20可為X軸線性加速度感測計、Y軸線性加速度感測計、Z軸線性加速度感測器，或其他軸向線性加速度感測計。參照圖2A與圖2B所示，熱對流式線性加速儀12包含一底材21及一感測計20，其中感測計20是設置在底材21上。

參照圖2B所示，底材21可用於支撐感測計20。在一實施例中，底材21包含電路板。在一實施例中，底材21包含印刷電路板。在 一實施例中，底材21包含可撓式塑膠基材。由於塑膠基材熱傳導係數小，熱對流式線性加速儀12產生的熱不易散逸，而可較省能量。在一實施例中，可撓式塑膠基材包含聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)，或聚醯亞胺(Polyimide，PI)。

在一實施例中，底材21包含一基材210及兩二氧化矽層211，其中基材210可具撓性，而兩二氧化矽層211是分別蒸鍍在基材210之相對兩側。在一實施例中，二氧化矽層211之厚度可介於1至10微米。在一實施例中，底材21可更包含兩光阻層212，其中兩光阻層212分別形成在兩二氧化矽層211上。在一實施例中，光阻層212之厚度可為20至100微米。

參照圖2B所示，感測計20包含加熱器201及兩溫度感測元件202。加熱器201可設置在兩溫度感測元件202之間。加熱器201及兩溫度感測元件202可設置在底材21上。在一實施例中，至少一溫度感測元件202距底材21之高度(H₁ 或H₂ )不同於加熱器201距底材21之高度。在一實施例中，至少一溫度感測元件202距底材21之高度(H₁ 或H₂ )，大於加熱器201距底材21之高度。在一實施例中，至少一溫度感測元件202距底材21之高度(H₁ 或H₂ )，大於加熱器201之厚度h。當提高至少一溫度感測元件202距底材21之高度(H1或H2)時，可以增加感測計20的靈敏度。相較地，傳統線性加速儀的加熱器與溫度感測器都是作在同一個高度，故其靈敏度會較低。在一實施例中，兩溫度感測元件202距底材21之高度(H1和H2)，大於加熱器201距底材21之高度。在一實施例中，兩溫度感測元件202距底材21之高度(H1和H2)，大於加熱器201之厚度h。在一實施例中，兩溫度感測元件202距底材21之高度(H1和H2)相同。在一實施例中，兩溫度感測元件202距底材21之高度(H1和H2)不相同。在一實施例中，至少一溫度感測元件202距底材21之高度(H1或H2)是介於0.5至2毫米。在一實施例中，加熱器201之厚度h小於0.5毫米。

參照圖2B所示，底材21具一表面213。加熱器201及兩溫度感測元件202均整個形成在表面213上，而非在凹槽上。再者，感測計20並未具有任何可動的結構，所以熱對流式線性加速儀12之成本可大幅降 低，而可靠度也可大幅提升。

在一實施例中，加熱器201可為長條形。

在一實施例中，加熱器201包含鉻及鎳。在一實施例中，加熱器201包含相疊之一鉻層及一鎳層，如圖2B所示。

在一實施例中，溫度感測元件202包含P型摻雜非晶矽層。在一實施例中，溫度感測元件202包含”弓”型結構，以提升其電阻，防止其產生不必要的熱能，使溫度上升，而影響溫度感測元件的靈敏度。在一實施例中，溫度感測元件202包含E、K、T或J型熱電堆。在一實施例中，溫度感測元件202包含重量百分比為12-19%的鉻，重量百分比為88-81%的鎳。在一實施例中，如圖3所示，溫度感測元件202包含兩部分(2021和2022)，其中溫度感測元件202之部分，包含重量百分比為90-91%的鉻及重量百分比為10-9%的鎳；而溫度感測元件202之另一部分，包含重量百分比為16-17%的鎳、重量百分比為34-33%的鋁、重量百分比為34-33%的錳及重量百分比為16-17%的矽。在一實施例中，如圖3所示，溫度感測元件202包含兩部分(2021和2022)，其中溫度感測元件202之部分，包含重量百分比為90-91%的鉻及重量百分比為10-9%的鎳；而溫度感測元件202之另一部分，包含重量百分比為45-46%的鎳及重量百分比為55-54%的銅。在一實施例中，如圖3所示，溫度感測元件202包含兩部分(2021和2022)，其中溫度感測元件202之一部分，包含重量百分比為45-46%的鎳及重量百分比為55-54%的銅；而溫度感測元件202之另一部份包含銅。在一實施例中，如圖3所示，溫度感測元件202包含兩部分(2021和2022)，其中溫度感測元件202之一部分，包含重量百分比為45-46%的鎳及重量百分比為55-54%的銅；而溫度感測元件202之另一部份包含鐵。

參照圖2B所示，感測計20可包含複數支撐件203，其中複數支撐件203形成於底材21上。複數支撐件203對應溫度感測元件202來形成，其中支撐件203是形成於對應之溫度感測元件202與底材21之間，以支撐該對應之溫度感測元件202。在一實施例中，支撐件203之厚度(H1或H2)介於0.5至2毫米，而加熱器201之厚度h小於支撐件203之厚度(H1或H2)。在一實施例中，在同一感測計20中，兩支撐件203之厚度(H1和 H2)不同。在一實施例中，在同一感測計20中，兩支撐件203之厚度(H1和H2)相同。

在一實施例中，底材21具有一表面213，而每一支撐件203整體均形成於底材21之表面213上，非在一凹槽上。在一實施例中，加熱器201直接形成於底材21之一表面213上。在一實施例中，加熱器201不直接形成於底材21之一表面213上。

在一實施例中，支撐件203包含熱容量很大的材料，例如：氮化鋁。

參照圖2A與圖2B所示，熱對流式線性加速儀12包含一蓋體22。蓋體22界定一密閉空間，而感測計20之線性加熱器201可於該密閉空間內產生熱對流。在一實施例中，蓋體22內可灌入惰性氣體(如氙氣，Xenon)。在一實施例中，蓋體22可利用膠23固定在底材21上。在一實施例中，蓋體22的外表可為矩形。在一實施例中，蓋體22之內部可為矩形。

參照圖3所示，在一實施例中，加熱器201包含蜿蜒形狀(meandering configuration)。

在一實施例中，溫度感測元件202可由複數個串聯之K型熱電偶整合而成，其中熱電偶包含相連接之部分2021及另一部分2022。K型熱電偶之正、負電極分別是以鎳、鉻等克鉻美合金(Chromel，正極)，及鎳、鋁、錳、矽等亞鋁美合金(Alumel，負極)所構成。有關複數個串聯之K型熱電偶之製備方法，可參酌中華民國專利第100143669號申請案，其相關內容併入於此，以供參酌。

在一實施例中，溫度感測元件202可由複數個串聯之E型熱電偶整合而成。E型熱電偶具有與K型熱電偶完全相同之鎳鉻正極，而其負極為鎳銅合金，其中鎳銅合金組成比例是：鎳的重量比為45-46%，而銅的重量比為55-54%。複數個串聯之E型熱電偶之製備方法，類似複數個串聯之K型熱電偶之製備方法。

在一實施例中，溫度感測元件202可由複數個串聯之T型熱電偶整合而成，其中T型熱電偶之負極由鎳銅合金(與E型熱電偶負極之組成相同)所形成，而其正極由銅所形成。複數個串聯之T型熱電偶之製備 方法，類似複數個串聯之K型熱電偶之製備方法。

在一實施例中，溫度感測元件202可由複數個串聯之J型熱電偶整合而成，其中J型熱電偶之負極由鎳銅合金(與T型熱電偶之負極組成相同)所構成，而其正極是由鐵所構成。

參照圖3所示，溫度感測元件202是由複數熱電偶串聯形成，其中各熱電偶部分伸出蓋體22。伸出蓋體22之部分熱電偶，可作為工作時環境溫度的自動校準，因而提升線性加速儀量測的精度。

參照圖3所示，熱對流式線性加速儀12可進一步包含複數條金屬線24，其中各金屬線24連接對應之加熱器201或溫度感測元件202之一端。

圖4A為本發明另一實施例之熱對流式線性加速儀12'之示意圖。圖4B為沿圖4A之割面線4-4之剖視圖。參照圖4A與圖4B所示，熱對流式線性加速儀12'包含至少一感測計20，該感測計20可用於偵測對應軸向之線性加速度。感測計20包含兩溫度感測元件202，及設置於兩溫度感測元件202之間之加熱器201。熱對流式線性加速儀12'包含一蓋體22'，蓋體22'設置在底材21上，界定出一封閉空間。加熱器201與溫度感測元件202至少部分在蓋體22'下延伸，加熱器201可在蓋體22'內產生熱對流，溫度感測元件202則可量測熱對流移動時，其附近溫度的變化。在一實施例中，蓋體22'界定出半圓柱型(Hemi-Cylindrical Chamber)或半圓球形(Hemi-Spherical Chamber)的空腔，這樣內部氣流會更順暢，反應速度及靈敏度會更好。參照圖3，圖4A與圖4B所示，本發明另一實施例為溫度感測元件202下方，可加支撐件203(未繪示)，支撐件包含熱容量很大的材料，例如：氮化鋁。

圖5A為本發明一實施例之熱對流式線性加速儀12之無線射頻識別標籤16之示意圖。圖5B為沿圖5A之割面線5-5之剖視圖。參照圖1、圖5A與圖5B所示，無線射頻識別標籤16可與至少一感測計20形成在同一底材21上，惟本發明不以此為限。無線射頻識別標籤16包含一晶片51及一天線112。天線112可形成於底材21上。天線112可為RFID天線。晶片51可電性連接天線112。

晶片51可透過天線112傳送訊號給讀取設備11，或從讀取設備11接收訊號。晶片51可利用接收訊號產生電能。晶片51可產生鐘波信號。晶片51可在主動模式或被動模式下運作。晶片51電性連接至少一感測計20，以控制該至少一感測計20。晶片51可接收至少一感測計20所產生之量測訊號。晶片51可控制通過每一感測計20之加熱器201之電流，以在每一感測計20內產生合適、不同的熱對流。晶片51可控制每一感測計20之每一溫度感測元件202，以進行調校。在一實施例中，圖3之金屬線24連接晶片51。

在一實施例中，天線112包含鎳(Ni)及鉻(Cr)。在一實施例中，天線112包含金、鎳及鉻。

圖6例示本發明另一實施例之熱對流式線性加速儀12"之感測計20。圖7為本發明另一實施例之熱對流式線性加速儀12"之示意圖。如圖6與圖7所示，熱對流式線性加速儀12"可插置在一底材60上之一連接器61上，如此熱對流式線性加速儀12"可量測垂直於該底材60之一方向(例如：Z軸向)之線性加速度。

熱對流式線性加速儀12"包含至少一感測計20及一底材21'，其中至少一感測計20設置在底材21'上。在一實施例中，底材21'包含電路板或印刷電路板。在一實施例中，底材21'為硬質底材。

底材21'上形成有複數接墊，複數接墊可與在連接器61上對應端子接觸。至少一感測計20電性連接複數接墊，並藉由連接器61上之端子與底材60上之電路或設置在底材60上之晶片51電性連接。

參照圖7所示，在一實施例中，底材60可包含可撓式塑膠基材。在一實施例中，底材60上可形成一感測計，其中該感測計量測平行底材60之表面之一方向上之線性加速度。在一實施例中，底材60上可形成複數感測計，其中複數感測計量測平行底材60之表面之不同方向上之線性加速度。

參照圖7所示，在一實施例中，底材60上可形成電阻62，電阻62可連接晶片51，電阻62可用在當感測器的電壓信號較小時，放大該電壓信號之相關電路上。在一實施例中，底材60上可形成電容63，電容 63可連接晶片51，以作為晶片51外接電容。在一實施例中，電池64可電性連接底材60上的電路，以提供熱對流式線性加速儀12"操作所需的電能。

參照圖6所示，兩感測計20形成於底材21'上。兩感測計20之溫度感測元件202可連接成一雙差分式惠斯登電橋，藉由雙差分式惠斯登電橋，熱對流式線性加速儀12"在承受線性加速度時，可產生用來決定線性加速度之差分輸出電壓。有關兩感測計20詳細的連接方式，可參酌中華民國專利第100143669號申請案，其相關內容併入於此，以供參酌。

圖8為本發明一實施例之熱對流式線性加速儀12'''之電路圖。如圖8所示，熱對流式線性加速儀12'''包含兩感測計(20a和20b)。兩感測計20用於共同量測一方向(例如：X軸向、Y軸向或Z軸向)上之線性加速度。感測計(20a和20b)連接晶片51，如此晶片51可提供感測計(20a和20b)所需電流。兩感測計(20a和20b)之溫度感測元件，連接成惠斯登電橋(Wheatstone Bridge)，其中兩溫度感測元件之串聯接點(81和82)連接晶片51，如此晶片51可取得差分輸出電壓。兩感測計詳細的連接方法，可參酌中華民國專利第100143669號申請案，其內容併入於此，以供參酌。

參照圖2A、圖2B、圖5A與圖5B所示，以下例示本發明一實施例之熱對流式線性加速儀之製備方法。首先在可撓式基材之正面蒸鍍上一層熱容量很大的材料(厚度0.5-2mm)，作為支撐溫度感測元件的結構。材料可為氮化鋁。而後烤乾。接著利用第一塊光罩，並運用黃光製程，在可撓式基材之正面，形成支撐溫度感測元件的支撐件。

接著用電子槍蒸鍍含有P型參雜(P-Type Impurity)及矽等粉末的混合物，以形成含有P型參雜的非晶矽(厚度為100至250微米)膜層。之後利用第一塊光罩，並運用黃光製程，在可撓式基材之正面，形成含有P型參雜的非晶矽結構。再以雷射進行退火，使非晶矽轉變成含有P型參雜的複晶矽(Poly-Si)，以作為溫度感測元件。在一實施例中，兩溫度感測元件之高度不同時，支撐兩溫度感測元件及其支撐件可分開形成。

然後用電子槍蒸鍍鉻層511及鎳層512於底材21上。接著用第二塊光罩，並運用黃光製程，在鉻層511及鎳層512上定義出加熱器201與RFID天線112，及連接電源與用於傳導信號等導線部份。

之後用無電電鍍方法(Electroless-Plating)，在RFID天線及連接電源及用於傳導信號導線等部份的鉻層511及鎳層512上面，鍍一金層513(厚度為0.1-0.5微米)，而後將光阻去掉即可。

再者在加速儀模組四周，以網印方式塗上一層黏膠，作為圍籬(Dam Bar)。之後用蓋體蓋住線性加速儀模組，並灌入惰性氣體(如氙氣，Xenon)。

然後晶片(Chip)以覆晶式焊接(Flip Chip Bonding)技術，對準RFID天線饋送端(Feed Terminal)、連接電源及傳導信號連線焊墊部分，運用熱摩擦擠壓法(Thermal Compression)將晶片焊接。接著在晶片下方，灌入底膠(Under fill)。

其次是在底材上安裝放置電池的基座及彈簧，以便固定電池。為防止晶片及線路被污染，可以另一片可撓式軟板，只讓電池接觸基座露出，而封住其他表面的區域。

本揭露之技術內容及技術特點已揭示如上，然而熟悉本項技術之人士仍可能基於本揭露之教示及揭示而作種種不背離本揭露精神之替換及修飾。因此，本揭露之保護範圍應不限於實施範例所揭示者，而應包括各種不背離本揭露之替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。

12‧‧‧熱對流式線性加速儀

20‧‧‧感測計

21‧‧‧底材

22‧‧‧蓋體

23‧‧‧膠

201‧‧‧加熱器

202‧‧‧溫度感測元件

203‧‧‧支撐件

210‧‧‧基材

211‧‧‧二氧化矽層

212‧‧‧光阻層

213‧‧‧表面

Claims (15)

1. 一種熱對流式線性加速儀，包含：一底材；以及一第一感測計，包含：兩第一溫度感測元件，設置在該底材上；及一第一加熱器，設置在該底材上，並位於該兩第一溫度感測元件之間，其中該兩第一溫度感測元件中至少一者距該底材之高度，大於該第一加熱器距該底材之高度；其中該兩第一溫度感測元件中，至少一者距該底材之該高度是介於0.5至2毫米。
2. 根據申請專利範圍第1項所述之熱對流式線性加速儀，其中該底材具一表面，而該第一加熱器及該兩第一溫度感測元件均整個位在該表面。
3. 根據申請專利範圍第1項所述之熱對流式線性加速儀，更包含一第二感測計，該第二感測計包含：兩第二溫度感測元件，設置在該底材上；以及一第二加熱器，設置在該底材上，並位在該兩第二溫度感測元件之間，其中該兩第二溫度感測元件距該底材之高度，大於該第二加熱器距該底材之高度；其中該第一感測計與該第二感測計，量測不同方向上之線性加速度。
4. 根據申請專利範圍第3項所述之熱對流式線性加速儀，其中該兩第二溫度感測元件距該底材之該高度，是介於0.5至2毫米。
5. 根據申請專利範圍第4項所述之熱對流式線性加速儀，其中該底材具一表面，而該第二加熱器及該兩第二溫度感測元件，均整個位在該表面。
6. 根據申請專利範圍第5項所述之熱對流式線性加速儀，更包含 一第三感測計，該第三感測計包含：兩第三溫度感測元件；以及一第三加熱器，位於該兩第三溫度感測元件之間，其中該兩第三溫度感測元件和該第三加熱器在垂直於該底材之一方向上排列。
7. 根據申請專利範圍第6項所述之熱對流式線性加速儀，更包含一另一底材，其中該兩第三溫度感測元件及該第三加熱器設置於該另一底材上，且該兩第三溫度感測元件距該另一底材之高度，大於該第三加熱器距該另一底材之高度。
8. 根據申請專利範圍第7項所述之熱對流式線性加速儀，更包含複數個支撐件，其中各該支撐件設置於該第一溫度感測元件和該底材、該第二溫度感測元件和該底材或該第三溫度感測元件和該另一底材之間，其中各該支撐件之厚度是介於0.5至2毫米之間。
9. 根據申請專利範圍第8項所述之熱對流式線性加速儀，其中各該支撐件包含氮化鋁。
10. 根據申請專利範圍第9項所述之熱對流式線性加速儀，更包含一連接器，其中該連接器設置在該底材上，而該另一底材插置在該連接器。
11. 根據申請專利範圍第10項所述之熱對流式線性加速儀，其中該第一加熱器、該第二加熱器和該第三加熱器中之每一者，包含重量比12%至19%之鉻和重量比81%至88%之鎳。
12. 根據申請專利範圍第11項所述之熱對流式線性加速儀，更包含一無線射頻識別標籤，其中該無線射頻識別標籤連接該第一感測計、該第二感測計及該第三感測計。
13. 根據申請專利範圍第12項所述之熱對流式線性加速儀，其中 該些第一溫度感測元件、該些第二溫度感測元件及該些第三溫度感測元件，包含P型摻雜非晶矽。
14. 根據申請專利範圍第12項所述之熱對流式線性加速儀，其中該些第一溫度感測元件、該些第二溫度感測元件及該些第三溫度感測元件，包含E、K、T或J型熱電堆。
15. 根據申請專利範圍第1項所述之熱對流式線性加速儀，其中該兩第一溫度感測元件中該至少一者距該底材之高度，大於該第一加熱器之厚度。