TWI474129B - 微影裝置之方法 - Google Patents

微影裝置之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI474129B
TWI474129B TW98140697A TW98140697A TWI474129B TW I474129 B TWI474129 B TW I474129B TW 98140697 A TW98140697 A TW 98140697A TW 98140697 A TW98140697 A TW 98140697A TW I474129 B TWI474129 B TW I474129B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pattern feature
substrate
deviation
phase modulation
phase
Prior art date
Application number
TW98140697A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201027276A (en
Inventor
Santamaria Luis Alberto Colina
Jozef Maria Finders
Winter Laurentius Cornelius De
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW201027276A publication Critical patent/TW201027276A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI474129B publication Critical patent/TWI474129B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00—Photographic printing apparatus
    • G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52—Details
    • G03B27/54—Lamp housings; Illuminating means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

微影裝置之方法
本發明係關於一種至少部分地補償(例如，減少)待施加至基板之圖案特徵之屬性之偏差的方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板之目標部分上的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生對應於IC之個別層的電路圖案，且此圖案可成像至具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。一般而言，單一基板將含有經順次曝光之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。
當將圖案特徵施加至基板時，經施加圖案特徵不始終係如所欲的。舉例而言，圖案特徵之屬性可能有偏差(亦即，偏差於所欲或所要屬性)。屬性可為(例如)圖案特徵之最佳焦點(best focus)、圖案特徵之形狀或尺寸，或在基板上圖案特徵之位置。將圖案特徵之最佳焦點作為一實例，不同圖案特徵之最佳焦點可歸因於(例如)圖案化器件之表面的構形、抗蝕劑效應或改變藉由用以在基板上提供圖案特徵之圖案化器件之圖案特徵所重新引導之輻射的振幅/相位之角分布的另一效應而不同。
施加至基板之圖案特徵之屬性之一或多個偏差((例如)歸因於圖案特徵之施加之誤差而偏差於所欲或所要屬性)可導致不如所欲起作用或根本不起作用的器件之建構(經施加圖案特徵為其一部分)。此係不良的。
需要提供(例如)一種至少部分地補償待施加至基板之圖案特徵之屬性之偏差的方法。
根據一態樣，提供一種至少部分地補償待使用微影裝置而施加至基板之圖案特徵之屬性之偏差的方法，方法包含：獲得關於圖案特徵之屬性之偏差的資訊；判定待施加至待用以將圖案特徵施加至基板的輻射光束之至少一部分且將至少部分地補償屬性之偏差的所要相位改變，所要相位改變之判定包含判定相位調變元件之所要組態；及當將圖案特徵施加至基板時實施對輻射光束之該部分之所要相位改變以至少部分地補償屬性之偏差，所要相位改變之實施包含當相位調變元件處於所要組態時以輻射光束之至少一部分來照明相位調變元件。
判定相位調變元件之組態可包含判定相位調變元件之可控制區域之組態。
所要相位改變之判定可包含判定圖案特徵之偏差針對輻射光束之至少一部分之相位改變的敏感性。
所要相位改變之判定可包含判定何種相位改變將導致實質上等於且相反於屬性之偏差的圖案特徵之屬性之偏差。
判定何種相位改變將導致實質上等於且相反於屬性之偏差的圖案特徵之屬性之偏差可包含：判定待藉由相位調變元件之複數個可控制區域中之每一者所提供的相位改變比重(phase change contribution)；及/或判定藉由相位調變元件之複數個可控制區域中之每一者對針對圖案特徵之屬性之偏差之補償所提供的比重。
獲得關於圖案特徵之屬性之偏差的資訊可包含：使用模型來獲得資訊，及/或自先前施加至基板之圖案特徵獲得資訊。
屬性可為圖案特徵之最佳焦點。或者或另外，屬性可為圖案特徵之形狀或尺寸(例如，失真)，及/或圖案特徵之位移。
方法可包含至少部分地補償待使用微影裝置而施加至基板之至少兩個圖案特徵或至少兩種類型之圖案特徵之屬性之偏差。
待使用微影裝置而施加至基板之圖案特徵之屬性之偏差可為微影誤差(例如，由微影程序之一或多個元件所導致的誤差或缺陷，其導致將具有偏差於所欲或所要屬性之一或多個特徵之圖案特徵施加至基板)。
偏差經至少部分地補償之處在於：偏差被減少及/或最小化。補償可係使得偏差被移除(例如，減少至零)。待施加至基板之圖案特徵可採取許多形式中之任一者。舉例而言，圖案特徵可為由光罩、主光罩或另一圖案化器件所提供之圖案特徵。待施加至基板之圖案特徵可為或包含在某方面對應於由圖案化器件所提供之圖案特徵的輻射光束之一部分。待施加至基板之圖案特徵可為由圖案化器件所提供之圖案特徵之影像。待施加至基板之圖案特徵可為待提供於經提供於基板上之輻射敏感材料層中或上的特徵。本發明之一實施例能夠至少部分地補償待施加至基板之該等圖案特徵之一或多個屬性之一或多個偏差。
相位調變元件可包含一或多個可控制區域，可控制區域可經控制以改變入射於可控制區域上之輻射之一部分之相位。一或多個可控制區域可經控制以改變一或多個可控制區域之折射率。一或多個可控制區域可藉由選擇性地加熱一或多個可控制區域加以控制。一或多個可控制區域可藉由選擇性地控制一或多個可控制區域之形狀、位置或定向加以控制。
相位調變元件可位於微影裝置之光瞳平面處或鄰近於微影裝置之光瞳平面。相位調變元件可係可移動的。相位調變元件可自微影裝置之光瞳平面處或鄰近於微影裝置之光瞳平面的位置移動至經定位成遠離於微影裝置之光瞳平面的位置。
根據一態樣，提供一種微影裝置，微影裝置包含：投影系統，投影系統經組態以將輻射光束投影至基板上；相位調變元件，相位調變元件經組態以調變輻射光束及/或來自圖案化器件之經圖案化輻射光束之至少一部分之相位；判定配置，判定配置經組態以接收關於待使用微影裝置而施加至基板之圖案特徵之屬性之偏差的資訊，判定配置經組態以判定待施加至在使用中待用以將圖案特徵施加至基板的輻射光束之至少一部分且將至少部分地補償屬性之偏差的所要相位改變；及相位調變元件控制器，相位調變元件控制器經組態以控制相位調變元件之組態以實施所要相位改變。
在適當時，微影裝置可具有以上關於方法所描述之特徵中之一或多者。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗布顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)或度量衡工具或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的器件。應注意，被賦予至輻射光束之圖案可能不會準確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
圖案化器件可係透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束；以此方式，圖案化經反射光束。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋各種類型之投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統及反射折射光學系統，其適合於(例如)所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒流體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上支撐結構)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板係浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。
圖1示意性地描繪根據本發明之一特定實施例的微影裝置。裝置包含：
-　照明系統(照明器)IL，其係用以調節輻射光束PB(例如，UV輻射或EUV輻射)；
-　支撐結構(例如，支撐結構)MT，其係用以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至用以相對於項目PL來準確地定位圖案化器件之第一定位器件PM；
-　基板台(例如，晶圓台)WT，其係用以固持基板(例如，塗布抗蝕劑之晶圓)W，且連接至用以相對於項目PL來準確地定位基板之第二定位器件PW；
-　投影系統(例如，折射投影透鏡)PL，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束PB之圖案成像至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上；及
-　相位調變元件PME，其位於投影系統PL之光瞳平面PP中或鄰近於投影系統PL之光瞳平面PP，相位調變元件PME經配置以調整輻射光束之電場之至少一部分之相位。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)。
支撐結構MT固持圖案化器件。支撐結構MT以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械夾持、真空或其他夾持技術，例如，在真空條件下之靜電夾持。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而係固定或可移動的，且其可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束係藉助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整光束之角強度分布(例如，用於提供以輻射光束所形成之所要照明)的調整構件AM。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL通常包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器提供經調節輻射光束PB，其在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
照明系統亦可涵蓋用於引導、成形或控制輻射光束的各種類型之光學組件，包括折射、反射及反射折射光學組件，且該等組件在以下亦可被集體地或單獨地稱作「透鏡」。
輻射光束PB入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上。在橫穿圖案化器件MA後，光束PB傳遞通過投影系統PL，投影系統PL將光束聚焦至基板W之目標部分C上。在傳遞通過投影系統PL時，光束PB亦傳遞通過相位調變元件PME。藉助於第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉器件)，基板台WT可準確地移動，例如，以便在光束PB之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於光束PB之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，將藉助於形成定位器件PM及PW之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現載物台MT及WT之移動。然而，在步進器(與掃描器相反)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可係固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA與基板W。
所描繪裝置可用於以下較佳模式中：
1.在步進模式中，在將被賦予至光束PB之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至光束PB之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至光束PB之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
如以上所論述，當將圖案特徵施加至基板時，經施加圖案特徵不始終係如所欲的(亦即，可能存在圖案特徵至基板之施加之誤差)。圖案特徵之屬性可能偏差於所欲或所要屬性(亦即，可能出現誤差)。屬性可為(例如)圖案特徵之最佳焦點、圖案特徵之形狀或尺寸，或在基板上圖案特徵之位置。將圖案特徵之最佳焦點作為一實例，不同圖案特徵之最佳焦點可歸因於(例如)圖案化器件之表面的構形、抗蝕劑效應或改變藉由用以在基板上提供圖案特徵之圖案化器件之圖案特徵所重新引導之輻射的振幅/相位之角分布的另一效應而不同。
施加至基板之圖案特徵之屬性之一或多個偏差((例如)歸因於圖案特徵之施加之誤差而偏差於所欲或所要屬性)可導致不如所欲起作用或根本不起作用的器件之建構(經施加圖案特徵為其一部分)。此係不良的。
因此，需要提供(例如)一種至少部分地補償待施加至基板之圖案特徵之屬性與所欲或所要屬性之偏差(例如，用以至少部分地補償圖案特徵之施加或成像之誤差)的方法。
圖2為大體上示意性地描繪根據本發明之一實施例的至少部分地補償待施加至基板之圖案特徵之屬性與所欲或所要屬性之偏差(例如，用以至少部分地補償圖案特徵之施加或成像之誤差)的方法的流程圖。
方法之第一部分2涉及獲得關於圖案特徵之屬性之偏差的資訊。偏差可(例如)關於圖案特徵之最佳焦點，或為圖案特徵之形狀或尺寸之偏差，或圖案特徵之位置之偏差(例如，位移)。可以許多方式中之任一者來獲得關於圖案特徵之屬性之偏差的資訊。在第一實例中，可藉由將圖案特徵施加至基板且接著檢測基板上之經施加圖案特徵來獲得資訊。在第二實例中，可使用微影裝置及程序模型來獲得資訊。
方法之第二部分4涉及判定待施加至待用以將圖案特徵施加至基板的輻射光束之至少一部分且將至少部分地補償屬性之偏差的所要相位改變。判定涉及判定相位調變元件(例如，在圖1中所展示及參看圖1所描述之相位調變元件)之組態，例如，由相位調變元件所提供之相位分布(亦即，相位變換分布)。更特定而言，判定涉及判定相位調變元件之一或多個可控制區域之組態。舉例而言，組態可關於相位調變元件之一或多個透射區域之折射率，或相位調變元件之一或多個反射元件之定向或位置，其中之任一者或兩者可用以控制(亦即，調變或變換)入射於區域上之輻射光束之一部分之相位(例如，相對於輻射光束之一或多個其他部分之相位)。組態之判定可能涉及判定圖案特徵之屬性之偏差對由相位調變元件之一或多個可控制區域之各別組態所導致的輻射光束之至少一部分之相位改變的敏感性。一般而言，判定待施加至待用以將圖案特徵施加至基板且將至少部分地補償屬性之偏差的輻射光束之至少一部分之所要相位改變的步驟可包含：判定輻射光束之至少一部分之何種相位改變將導致實質上等於且相反於待至少部分地補償的屬性之偏差的圖案特徵之屬性之偏差。此係因為實質上等於且相反於待至少部分地補償的屬性之偏差的圖案特徵之屬性之偏差根據定義將實質上補償屬性之彼偏差。
方法之第三部分6涉及當將圖案特徵施加至基板時實施對輻射光束之至少一部分之所要相位改變以至少部分地補償圖案特徵之屬性之偏差。實施包含當相位調變元件處於所要組態時以待用以將圖案特徵施加至基板的輻射光束之至少一部分來照明相位調變元件。
可藉由諸如計算配置或其類似者之判定配置來進行待施加至輻射光束之至少一部分以至少部分地補償圖案特徵之屬性之偏差之所要相位改變的判定。可藉由諸如計算配置或其類似者之相位調變元件控制器來進行用以提供所要相位改變之相位調變元件的控制。判定配置及相位調變元件控制器可為、形成或包含相同設備裝置零件，例如，相同計算配置。
具備一或多個可控制區域(例如，透射或反射區域)之相位調變元件的使用允許快速且容易地建立輻射光束之所要相位分布。舉例而言，無需在每次需要不同相位分布時替換相位調變元件。此外，相位調變元件可具備大數目之可控制區域(例如，50個或更多，或100個或更多)，且此允許以高解析度來建立相位分布。高解析度相位分布允許以更準確及/或靈活及/或一致的方式來實施至少部分地補償待施加至基板之圖案特徵之屬性與所欲或所要屬性之偏差(例如，用以至少部分地補償圖案特徵之施加之誤差)的方法。
本文描述一種至少部分地補償待施加至基板之圖案特徵之屬性與所欲或所要屬性之偏差的方法。偏差經至少部分地補償之處在於：偏差被減少及/或最小化。補償可係使得偏差被移除(例如，減少至零)。待施加至基板之圖案特徵可採取許多形式中之一者。舉例而言，圖案特徵可為由光罩、主光罩或另一圖案化器件所提供之圖案特徵。待施加至基板之圖案特徵可為或包含在某方面對應於由圖案化器件所提供之圖案特徵的輻射光束之一或多個部分。待施加至基板之圖案特徵可為由圖案化器件所提供之圖案特徵之影像。待施加至基板之圖案特徵可為待提供於經提供於基板上之輻射敏感材料層中或上的特徵。本發明之一實施例能夠至少部分地補償待施加至基板之該等圖案特徵之一或多個屬性之一或多個偏差。
現將描述本發明之一特定實施例。
不同圖案特徵(例如，不同特徵類型之圖案特徵)可各自具有不同最佳焦點。最佳焦點之差異可係(例如)歸因於圖案特徵之特徵類型之固有差異。或者或另外，最佳焦點之差異可係歸因於投影系統之像散性，或歸因於藉由以偏振輻射來照明構形光罩上之圖案特徵所誘發的像散性。具有不同最佳焦點之不同圖案特徵可一般地被描述為具有最佳焦點移位BFk (例如，相對於標稱焦平面或基板平面)之圖案之k個特徵類型。舉例而言，兩個特徵類型之集合可包括密集線段及空間(第一特徵類型)之陣列，線段沿著第一方向(例如，y軸)延伸，且許多隔離線(第二特徵類型)沿著垂直於第一方向之第二方向(例如，x軸)延伸。當然，特徵類型可為其他特徵類型。
可藉由在後續不同基板焦點設定下曝光具有彼等特徵類型之圖案且檢測抗蝕劑中之經顯影圖案來實驗性地量測(亦即，獲得)k個特徵類型之最佳焦點移位BFk 。或者或另外，可使用微影裝置及程序模型M來計算(亦即，獲得)k個特徵類型之最佳焦點移位BFk 。
至微影裝置及程序模型M且用於最佳焦點移位BFk 之計算的輸入資料可(例如)包含：照明模式資訊；微影裝置設定；圖案資料；投影系統光學資料(例如，殘餘像差)；抗蝕劑資料；及/或相位調變元件資料。
根據本發明之一實施例，現將描述至少部分地補償兩種不同特徵類型之最佳焦點移位(亦即，偏差)的方法。
當相位調變元件(例如，在圖1中所展示及參看圖1所描述之相位調變元件PME)處於中性狀態(無施加至輻射光束之橫穿部分的相位改變)時，存在兩個最佳焦點移位BFk ，其中k=1、2。
相位調變元件具有N個可控制區域，每一可控制區域具有可控制光學相位設定Pn ，其中n=1、2、......、N。可控制區域係以二維矩陣加以配置，但出於簡單起見而可自1至N加以連續地編號。相位設定Pn 係以奈米(nm)加以表達，其中Pn 為曝光輻射之波長λ之分率Δn λ，使得Pn 等於以弧度為單位之相位2πPn /λ。
模型M係用以判定敏感性Sk,n ，其可被定性地描述為最佳焦點偏差BFk 對相位設定Pn 之改變的敏感性且藉由以下導數加以定量地定義：
在值Pi =0下獲取導數，其中i不等於n。
假定：在優良概算的程度上，歸因於在像素n處相位Pn 之施加的最佳焦點移位比重BFk,n 可藉由下式加以預測：
BF k , n =S k , n P n 。
進一步假定：在優良概算的程度上，不同焦點移位比重BFk,n 線性地相加以給出所得(總)最佳焦點移位BFk ：
判定補償最佳焦點移位BFk (亦即，BF1 及BF2 )之相位設定Pn 。因此，搜尋將得到相等且相反之最佳焦點移位-BF1 及-BF2 的相位分布。為了判定此等相位設定Pn ，藉由最小化所獲得(例如，經由量測或模型化)最佳焦點與所要最佳焦點之間的差之模方(亦即，藉由最小化最佳焦點移位)來求解以下方程式：
舉例而言，可以提供最佳焦點移位BF1 及BF2 之至少部分補償的值Pn (其中n=1、2、......、N)之最小平方來求解該方程式。
當判定此等相位設定Pn 時，其可藉由控制相位調變元件之N個可控制區域以提供經判定相位設定加以實施。當接著使用微影裝置以將具有兩種不同特徵類型之圖案施加至基板時，用以施加圖案之輻射光束(或輻射光束之一部分)可在相位調變元件經組態以提供相位設定Pn 時橫穿相位調變元件。相位調變元件之相位設定Pn 補償在未提供該等相位設定Pn 之情況下本應存在於經施加圖案中的最佳焦點移位。
當待至少部分地補償的屬性之偏差(例如，待校正之誤差)取決於場時，相位調變元件可能不置放於投影系統之光瞳平面中，而是可能沿著光軸(被稱作z軸)被安置遠離於光瞳平面之距離。接著，與在相位調變元件之軸上部分處所重新引導的輻射相比較，在藉由輻射光束所照明之圖案之軸外部分(亦被稱作「場點」(field point))處所重新引導的輻射將橫穿相位調變元件之不同區域。此使能夠獨立於軸上影像形成之相位操縱來進行軸外影像形成之相位操縱，且因此進行軸上誤差(亦即，待至少部分地補償的屬性之偏差)及軸外誤差(亦即，待至少部分地補償的屬性之偏差)兩者之補償。相位調變元件可係可移動的。相位調變元件可自微影裝置之光瞳平面處或鄰近於微影裝置之光瞳平面的位置移動至經定位成遠離於微影裝置之光瞳平面的位置。
舉例而言，若最佳焦點移位在第二圖案特徵類型延伸之方向上(亦即，沿著垂直於第一方向之第二方向，例如，沿著x軸)取決於場，則可存在(例如)待補償的第一圖案特徵類型BF1 之最佳焦點移位的三個值：右軸外值BF1 (-1)、軸上BF1 值BF1 (0)，及左軸外BF1 值(+1)。類似地，可能必須補償第二圖案特徵類型BF2 之三個不同最佳焦點移位。該補償導致在以上所給出之矩陣方程式中的四個額外敏感性列(亦即，針對兩種特徵類型中之每一者的軸上及軸外比重)，及在右側處之向量中的四個額外最佳焦點BF項(亦即，針對兩種特徵類型中之每一者的軸上及軸外比重)。
亦可在存在輔助條件之情況下使用該方法，例如，可藉由相位調變元件之一或多個區域所實施之條件，諸如最大相位改變。
針對以上所描述之實施例應瞭解，需要相位調變元件。相位調變元件可經組態成使得相位調變元件之某些部分經配置以改變入射於相位調變元件上(及/或傳遞通過相位調變元件)之輻射光束之一或多個分量之某些部分的相位。可在相位調變元件中主動地控制或被動地提供(例如，預設)該組態。可藉由(例如)透射相位調變元件及/或反射相位調變元件(例如，可撓性反射表面或包含可移動反射刻面或其類似者之陣列的反射表面)之組態的適當控制來進行相位調變。
圖3及圖4示意性地描繪實例適當相位調變元件之特定實施例。圖3展示相位調變元件PME可包含由對於構成用於微影裝置中之輻射光束之輻射實質上透射之材料形成的光學元件3100。相位調變元件亦可包含或結合控制器3400。用於傳遞通過光學元件3100之波的光徑長度可回應於由控制器3400所供應之信號加以調整。可(例如)在(例如)微影裝置之投影系統之傅立葉變換平面(例如，光瞳平面)中安置光學元件3100。該位置將意謂：在使用中，自圖案化器件發散之輻射橫穿光學元件3100(例如，實質上繞射及實質上非繞射)。可藉由將熱施加至光學元件3100之區域3200來達成橫穿光學元件3100之波之相位的調整(亦即，調變)，藉此引入構成光學元件之材料之折射率相對於鄰近於且環繞區域3200之材料之折射率的局域改變。可藉由(例如)使電流傳輸通過具有歐姆電阻且經配置成與光學元件3100之區域3200接觸的導線3300來達成熱之施加。控制器3400經配置以將(正確位準之)電流提供至導線3300以達成區域3200之折射率的所要改變，且因此達成傳遞通過區域3200之波之相位的調變。
光學元件3100之複數個(例如)鄰近部分可具備複數個對應導線以用於將光學元件3100之一個、多個或所有區域獨立於任一其他區域進行加熱。圖4示意性地描繪該配置之實例。圖4展示光學元件3100。鄰近區域3200-1直至3200-44係以鄰近列且在該圖中自左至右及自頂至底加以安置。區域3200-1直至3200-44中之每一區域3200具備對應加熱導線3300-1直至3300-44。圖4出於清晰起見而僅示意性地描繪此等加熱導線3300-1直至3300-44中之幾個，但應理解，實務上，將針對區域3200-1直至3200-44中之每一者來提供加熱導線。
控制器3400經建構及配置成使得可獨立地對每一導線3300-1直至3300-44進行電流啟動。此使能夠向橫穿光學元件3100之一或多個光波(例如，輻射光束之分量)施加空間相位分布。如以上關於圖1及圖2所論述，此空間相位分布可用以操縱傳遞通過相位調變元件之輻射光束之特定部分，以便(例如)至少部分地補償待施加至基板之圖案特徵之屬性之偏差。
應瞭解，相位調變元件可由任何適當數目之區域形成或包含任何適當數目之區域，且數目未必限於44個。一般而言，區域之數目可取決於在微影裝置中所需要的相位改變之所要特定解析度。舉例而言，相位調變元件之區域中之每一者之面積對光瞳平面中之淨面積(clear area)之尺寸的比率可在100與1000之間。
圖5示意性地描繪實例適當相位調變元件之另一實施例。圖5展示包含替代相位調整器50之投影系統PL。在此實施例中，相位調整器包含至少一雷射53，雷射53經配置以藉由將輻射54發射朝向光學元件51之部分52來選擇性地加熱光學元件51之部分52。光學元件可安置於投影系統PL之光瞳平面附近。輻射可為紅外線、UV或深UV輻射。可藉由(例如)中空光纖而將輻射導引至光學元件之選定部分。可自日本專利申請公開案JP 2007317847 A搜集到此實施例之細節。在不存在冷卻構件的情況下，不同部分之溫度可經配置以藉由將對應相互不同量之輻射能量供應至對應不同部分而彼此相互不同。可接著將標稱溫度指定為(例如)相互不同溫度之平均溫度值。
應注意，本發明不限於以上所描述之相位調整器的特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將係顯而易見的。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文所描述之控制器可各自或組合地係可操作的。控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何適當組態。一或多個處理器經組態以與控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於以上所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。控制器可包括用於儲存該等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納該媒體之硬體。因此，控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。該描述不意欲限制本發明，本發明係藉由以下申請專利範圍限制。
50．．．相位調整器
51．．．光學元件
52．．．光學元件51之部分
53．．．雷射
54．．．輻射
3100．．．光學元件
3200．．．光學元件3100之區域
3200-1．．．光學元件3100之區域
3200-4．．．光學元件3100之區域
3200-37．．．光學元件3100之區域
3200-44．．．光學元件3100之區域
3300．．．導線
3300-4．．．加熱導線
3300-37．．．加熱導線
3400．．．控制器
AM．．．調整構件
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構/載物台
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PB．．．輻射光束
PL．．．項目/投影系統
PM．．．第一定位器件
PME．．．相位調變元件
PP．．．光瞳平面
PW．．．第二定位器件
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台/載物台
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2為示意性地描繪根據本發明之一實施例的至少部分地補償待施加至基板之圖案特徵之屬性之偏差的方法的流程圖；
圖3示意性地描繪在圖1及圖2中所展示及/或參看圖1及
圖2所描述之相位調變元件之實施例的更詳細視圖；
圖4示意性地描繪在圖3中所展示及參看圖3所描述之相位調變元件之實施例的另外細節；及
圖5示意性地描繪在圖1及圖2中所展示及/或參看圖1及圖2所描述之相位調變元件之另一實施例。
(無元件符號說明)

Claims (20)

  1. 一種至少部分地補償待使用一微影裝置而施加至一基板之一圖案特徵之一屬性(property)之一偏差的方法，該方法包含：獲得關於該圖案特徵之該屬性之該偏差的資訊；基於與該圖案特徵相關及與一額外圖案特徵或額外圖案特徵類型相關之資料而判定待施加至待用以將該圖案特徵施加至該基板的一圖案化輻射光束之至少一部分且將至少部分地補償該屬性之該偏差的一所要相位改變，該所要相位改變之該判定包含判定一相位調變元件之一所要組態；及當將該圖案特徵施加至該基板時，實施對該圖案化輻射光束之該部分之該所要相位改變以至少部分地補償該屬性之該偏差，該所要相位改變之該實施包含當該相位調變元件處於該所要組態時，以該圖案化輻射光束之該至少一部分來照明該相位調變元件。
  2. 如請求項1之方法，其中判定該相位調變元件之該所要組態包含判定該相位調變元件之一可控制區域之組態。
  3. 如請求項1或2之方法，其中該所要相位改變之該判定包含判定何種相位改變將導致實質上等於且相反於該屬性之該偏差的該圖案特徵之該屬性之一偏差。
  4. 如請求項3之方法，其中判定何種相位改變將導致實質上等於且相反於該屬性之該偏差的該圖案特徵之該屬性之一偏差包含： 判定待藉由該相位調變元件之複數個可控制區域中之每一者所提供的相位改變比重；及/或判定藉由該相位調變元件之複數個可控制區域中之每一者對針對該屬性之該偏差之該補償所提供的比重。
  5. 如請求項1或2之方法，其中獲得關於該圖案特徵之該屬性之該偏差的資訊包含使用一模型來獲得資訊及/或自先前施加至一基板之一圖案特徵獲得資訊。
  6. 如請求項1或2之方法，其包含至少部分地補償待使用一微影裝置而施加至一基板之該圖案特徵及該額外圖案特徵，或該圖案特徵及該額外圖案特徵型態之一圖案特徵之一屬性之一偏差。
  7. 如請求項1或2之方法，其中待使用該微影裝置而施加至該基板之該圖案特徵之該屬性之該偏差為一微影誤差。
  8. 如請求項1或2之方法，其中該屬性為該圖案特徵之一最佳焦點、一形狀或尺寸及/或一位移。
  9. 如請求項1或2之方法，其中該相位調變元件包含一可控制區域，該可控制區域可經控制以改變入射於該可控制區域上之輻射之一部分之相位。
  10. 如請求項9之方法，其中該可控制區域可藉由選擇性地加熱該可控制區域加以控制以改變該可控制區域之一折射率。
  11. 如請求項9之方法，其中該可控制區域可藉由選擇性地控制該可控制區域之一形狀、位置或定向加以控制。
  12. 如請求項1或2之方法，其中該相位調變元件位於該微影 裝置之一光瞳平面處或鄰近於該微影裝置之該光瞳平面。
  13. 如請求項1或2之方法，其中該相位調變元件可自該微影裝置之一光瞳平面處或鄰近於該微影裝置之該光瞳平面的一位置移動至位於該輻射光束之路徑但遠離於該微影裝置之一光瞳平面的一位置。
  14. 如請求項1或2之方法，其中待施加之該圖案特徵係選自包含以下各項之群組：藉由一圖案化器件所提供之一圖案特徵；關於藉由一圖案化器件所提供之一圖案特徵的一輻射光束之一部分；藉由一圖案化器件所提供之一圖案特徵之一影像；或待提供於經提供於該基板上之一輻射敏感材料層中或上的一圖案特徵。
  15. 一種微影裝置，其包含：一投影系統，該投影系統經組態以將一圖案化輻射光束投影至一基板上；一相位調變元件，該相位調變元件經組態以調變來自一圖案化器件之該圖案化輻射光束之至少一部分之相位；一判定配置，該判定配置經組態以接收關於待使用一微影裝置而施加至該基板之一圖案特徵之一屬性之一偏差的資訊，該判定配置經組態以基於與該圖案特徵相關及與一額外圖案特徵或額外圖案特徵類型相關之資料而判定待施加至在使用中待用以將該圖案特徵施加至該基 板的該圖案化輻射光束之至少一部分且將至少部分地補償該屬性之該偏差的一所要相位改變；及一相位調變元件控制器，該相位調變元件控制器經組態以控制該相位調變元件之組態以實施該所要相位改變。
  16. 如請求項15之微影裝置，其中該判定配置經組態以至少部分補償待使用一微影裝置而施加至一基板之該圖案特徵及該額外圖案特徵，或該圖案特徵及該額外圖案特徵型態之一圖案特徵之一屬性之該偏差。
  17. 如請求項15之微影裝置，其中該圖案特徵包含一密集陣列之空間分離特徵或一隔離特徵，該密集陣列之空間分離特徵通常沿著第一方向延伸，而該隔離特徵通常沿著垂直於第一方向之第二方向延伸，且該額外圖案特徵或額外圖案特徵類型包含其他的密集陣列或隔離特徵。
  18. 如請求項15之微影裝置，其中該屬性為形狀或大小，及/或該圖案特徵之位移。
  19. 如請求項15之微影裝置，其中該相位調變元件可自該微影裝置之一光瞳平面處或鄰近於該微影裝置之該光瞳平面的一位置移動至位於該輻射光束之路徑但遠離於該微影裝置之一光瞳平面的一位置。
  20. 一種微影裝置，其包含：一投影系統，該投影系統經組態以將一輻射光束投影至一基板上；一相位調變元件，該相位調變元件經組態以調變該輻射光束及/或來自一圖案化器件之一圖案化輻射光束之至 少一部分之相位，且該相位調變元件經組態以自該微影裝置之一光瞳平面處或鄰近於該微影裝置之該光瞳平面的一位置移動至位於該輻射光束之路徑但遠離於該微影裝置之一光瞳平面的一位置；一判定配置，該判定配置經組態以接收關於待使用一微影裝置而施加至該基板之一圖案特徵之一屬性之一偏差的資訊，該判定配置經組態以判定待施加至在使用中待用以將該圖案特徵施加至該基板的該輻射光束之至少一部分且將至少部分地補償該屬性之該偏差的一所要相位改變；及一相位調變元件控制器，該相位調變元件控制器經組態以控制該相位調變元件之組態以實施該所要相位改變。
TW98140697A 2008-12-15 2009-11-27 微影裝置之方法 TWI474129B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US19367708P 2008-12-15 2008-12-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201027276A TW201027276A (en) 2010-07-16
TWI474129B true TWI474129B (zh) 2015-02-21

Family

ID=42240128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW98140697A TWI474129B (zh) 2008-12-15 2009-11-27 微影裝置之方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8780325B2 (zh)
JP (1) JP5128576B2 (zh)
KR (1) KR101092983B1 (zh)
CN (1) CN101750906B (zh)
NL (1) NL2003806A (zh)
TW (1) TWI474129B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10120283B2 (en) * 2011-06-06 2018-11-06 Nikon Corporation Illumination method, illumination optical device, and exposure device
EP3290911A1 (en) * 2016-09-02 2018-03-07 ASML Netherlands B.V. Method and system to monitor a process apparatus
WO2019048295A1 (en) * 2017-09-07 2019-03-14 Asml Netherlands B.V. LITHOGRAPHIC METHOD AND APPARATUS

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040137677A1 (en) * 2002-11-28 2004-07-15 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and computer program
US20080123066A1 (en) * 2006-11-07 2008-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080273180A1 (en) * 2007-05-04 2008-11-06 Asml Holding Nv Lithographic apparatus

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5335044A (en) * 1992-02-26 1994-08-02 Nikon Corporation Projection type exposure apparatus and method of exposure
JPH09167731A (ja) * 1995-12-14 1997-06-24 Mitsubishi Electric Corp 投影露光装置、収差評価用マスクパタン、収差量評価方法、収差除去フィルター及び半導体装置の製造方法
JP4352458B2 (ja) * 2002-03-01 2009-10-28 株式会社ニコン 投影光学系の調整方法、予測方法、評価方法、調整方法、露光方法及び露光装置、露光装置の製造方法、プログラム並びにデバイス製造方法
KR20060120629A (ko) * 2003-08-28 2006-11-27 가부시키가이샤 니콘 노광방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조방법
US7423732B2 (en) * 2004-11-04 2008-09-09 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing placement of a patterning device at a pupil plane
US7352436B2 (en) 2005-06-20 2008-04-01 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, projection apparatus and device manufacturing method
US7557903B2 (en) 2005-12-08 2009-07-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007317847A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US7580113B2 (en) * 2006-06-23 2009-08-25 Asml Netherlands B.V. Method of reducing a wave front aberration, and computer program product
US7372633B2 (en) * 2006-07-18 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, aberration correction device and device manufacturing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040137677A1 (en) * 2002-11-28 2004-07-15 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and computer program
US20080123066A1 (en) * 2006-11-07 2008-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080273180A1 (en) * 2007-05-04 2008-11-06 Asml Holding Nv Lithographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20100149508A1 (en) 2010-06-17
JP5128576B2 (ja) 2013-01-23
JP2010141327A (ja) 2010-06-24
CN101750906A (zh) 2010-06-23
US8780325B2 (en) 2014-07-15
CN101750906B (zh) 2012-11-28
TW201027276A (en) 2010-07-16
KR20100069618A (ko) 2010-06-24
KR101092983B1 (ko) 2011-12-12
NL2003806A (en) 2010-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI641959B (zh) 處理窗識別符
JP4519823B2 (ja) 基板の熱的に引き起こされる変形を予測する方法
TWI564678B (zh) 估計圖案化器件之變形及／或其位置之改變
TWI461859B (zh) 微影裝置及器件製造方法
TWI480923B (zh) 最佳化方法及微影單元
TWI459150B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI519904B (zh) 感測器系統、控制系統、微影裝置及圖案轉印方法
JP2012178562A (ja) 基板のモデルパラメータを計算する方法、リソグラフィ装置、およびリソグラフィ装置によってリソグラフィ処理を制御する装置
TWI518464B (zh) 微影裝置及監測方法
JP5068844B2 (ja) リソグラフィ方法及びリソグラフィ装置
JP2010123950A (ja) リソグラフィ装置、ならびに基板非平坦性を補償する方法、パターニングデバイス非平坦性の影響を求める方法、およびパターニングデバイスへの熱負荷の影響を求める方法
CN106255925B (zh) 稠密特征的热点的减少
JP2006165576A (ja) 較正用基板およびリソグラフィ装置の較正方法
TWI390365B (zh) 元件製造方法、微影設備和電腦程式產品
TW201734666A (zh) 微影裝置及器件製造方法
TWI430049B (zh) 微影方法及裝置
TWI474129B (zh) 微影裝置之方法
JP4717911B2 (ja) リソグラフィ装置および露光方法
TWI440992B (zh) 微影裝置
TWI411891B (zh) 器件製造方法及微影裝置
TWI627497B (zh) 微影裝置及器件製造方法
JP5405615B2 (ja) リソグラフィ方法及びアセンブリ
TWI620031B (zh) 微影設備及方法
JP2015522838A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP5074556B2 (ja) リソグラフィ方法および構成