TWI473757B - 成像陣列 - Google Patents

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Description

成像陣列
此處所披露之主要教示事項與列印頭有關。更尤其是，此處所披露之主要教示事項與一成像陣列有關。
與成像陣列相關連之困難限制之一在使列印頭於稱為岸邊區(waterfront)之鼓筒(drum)運動方向達最小時，提供合理之噴嘴密度。對於此限制之理由為在其上列印液滴之鼓筒的曲度，對於來自四色列印頭之該等不同噴嘴陣列的液滴，產生不同飛行距離(flight distance)及抵達次數(arrival times)。除非該等噴嘴陣列靠近在一起，否則所形成之影像會具有瑕疵。使該問題惡化之實情為由諸次單元組成之大半列印陣列選擇使該等次單元交錯，以避免隨緊密對接該等次單元所致之難題。儘管該交錯架構避免該等對接問題，但因成像陣列之深度現在必須至少為單晶片深度之兩倍，故使岸邊區之問題惡化。
第1圖表示習知單色交錯成像陣列100。尤其是，有賴微機電系統(MEMS)技術之習知交錯成像陣列100包含交錯MEMS晶片(MEMS die)110a－110d及相關驅動晶片(driver die)120a－d。
驅動晶片120a為MEMS晶片110a提供驅動功能。驅動晶片120b為MEMS晶片110b提供驅動功能。驅動晶片120c為MEMS晶片110c提供驅動功能。驅動晶片120d為MEMS晶片110d提供驅動功能。
與個別MEMS晶片110b之使用比較，MEMS晶片110a及110b彼此稍微交錯，使解析度加倍。例如，若晶片110a之噴嘴解析度為每英吋150個噴嘴，則稍微交錯配對110a與110b之解析度為每英吋300個噴嘴。與個別MEMS晶片110c之使用比較，MEMS晶片110c及110d彼此稍微交錯，使解析度加倍。以兩陣列之間的充填槽，可將MEMS晶片110a及110b輕易組合成單一晶片；對於110c及110d亦然。在任一情況中，晶片110a及110b理想的是相對於110c及110d為交錯，以避免嘗試精確且緊密對接晶片110a及110b與晶片110c及110d之困難對接問題。
想要的是使習知交錯成像陣列100之岸邊區達最小，在此實例中，理想上不大於MEMS晶片110a＋110b＋110c＋110d＝10mm之深度。然而，因必須將驅動晶片120a及120d配置成鄰接於其個別MEMS晶片110a及110d，從頂部至底部之習知交錯成像陣列的合成全深度大致為15mm，包含該兩驅動晶片之附加深度。在此實例中，即使MEMS晶片之深度只有10mm，交錯成像陣列之深度為15mm。因利用成像陣列100之印表機裝置內部之間隔限制(岸邊區)變得更加受限，對每一習知成像陣列100之15mm深度可能變成一項相關之設計限制。
因此，本教示解決先前技術之成像陣列深度的該等及其它問題。
依據該教示，此處披露一種成像陣列。該成像陣列包 含複數個交錯成像晶片，以形成一列交替開放間隔及成像晶片，且複數個驅動晶片係調適配置在由該等交錯成像晶片所形成之開放間隔。
依據該教示，此處披露一種形成成像陣列之方法。該形成成像陣列之方法包含使複數個成像陣列交錯，以形成一列交替開放間隔及成像晶片，以及在由該等交錯成像晶片所形成之開放間隔，調適配置複數個驅動晶片。
在下列說明中將陳述該等實施例之附加優點的一部分，且一部分將自該說明中明白，或一部分可藉由該教示之實行而習得。藉附屬之請求項中所特別指出的該等元件及組合，將實現並達成該等優點。
要了解的是，先前之一般說明及下列詳細說明皆為示範且只是說明性的，並不受限於該請求上的教示。
現在將詳細參考本諸實施例，並於諸隨圖中圖解說明其諸實例。不管何處可能的話，在諸圖式將全使用相同編號參照相同或類似之部件。
依據此處所披露之教示，披露一種成像陣列架構，其可供應用以有效封裝之微機電系統(MEMS)JET列印晶片及驅動晶片配對。使於交錯之成像陣列中使用MEMS列印晶片之交錯配置，在MEMS列印晶片之間產生開放間隔。將驅動晶片配置在此開放間隔中，以不致增加成像陣列之岸邊區。依據此處披露之原理所封裝的成像陣列可符合印表機架構之嚴格要求，在最小岸邊區封裝四色陣列。
第2圖表示依據本教示原理之交錯成像陣列200之一部分。對於該等具備該技術之一般技能者，顯而易見地，第2圖中所示之交錯成像陣列200代表通用系統之說明且可附加其它組件，或者可移除或修正既有組件，而仍保持在本教示之精神及範圍內。
尤其是，第2圖表示交錯成像陣列200之一部分，其可包含電耦接至個別驅動晶片220a-c之MEMS晶片210a-c。簡化起見，僅表示成像陣列200之一部分，而具備該技術之一般技能者了解到此處所披露之教示適用於任一寬度之成像陣列。驅動晶片220a提供驅動功能給MEMS晶片210a、驅動晶片220b提供驅動功能給MEMS晶片210b且驅動晶片220c提供驅動功能給MEMS晶片210c。
沿著交錯成像陣列200之頂部列的每兩個MEMS晶片210a與210c，在其個別邊緣250a與250c上配置有電接觸點。同樣地，沿著交錯成像陣列200之底部列的MEMS晶片210b，在其邊緣250b上配置有電接觸點。沿著交錯成像陣列200之底部列的每兩個驅動晶片220a與220c，可在其邊緣250a與250c上配置有電接觸點。同樣地，沿著交錯成像陣列200之頂部列的驅動晶片220b，可在其邊緣250b上配置有電接觸點。
如第2圖中所示之交錯成像陣列200中，MEMS晶片210a及210c可與MEMS晶片210b重疊小邊緣。由於此小重疊，形成在MEMS晶片210a-c之間的開放間隔之寬度可小於任一個別之MEMS晶片210a-c。因以允許將驅動晶片 220a－c安裝架在交錯成像陣列200中所產生之關放間隔，可使驅動晶片220a－c之寬度可小於個別之MEMS晶片210a－c。驅動晶片220a－c可為允許配置在開放間隔220中之任一寬度。
因此，依據此處披露之原理，可將驅動晶片220a－c配置在於MEMS晶片210a－c之交錯配置中所產生的開放空間中。以在水平軸中使用交替MEMS晶片與驅動晶片之交錯成像陣列200產生之岸邊區可產生大致為5mm的岸邊區。可使用交錯成像陣列200作為形成包含較高解析度及/或多重顏色之成像陣列的建構區塊。
第3圖表示依據本教示原理之交錯成像陣列300之一部分。對於該等具備該技術之一般技能者，顯而易見地，第3圖中所示之交錯成像陣列300代表通用系統之說明且可附加其它組件，或者可移除或修正既有組件，而仍保持在本教示之精神及範圍內。
尤其是，第3圖表示交錯成像陣列300之一部分，其可包含電耦接至個別驅動晶片320a－f之MEMS晶片310a－f。簡化起見，僅表示成像陣列300之一部分，而具備該技術之一般技能者了解到此處所披露之教示適用於任一寬度之成像陣列。交錯成像陣列300可包含上層MEMS晶片310a－c及驅動晶片320a－c配對360以及下層MEMS晶片310d－f及驅動晶片320d－f配對370。驅動晶片320a提供驅動功能給MEMS晶片310a、驅動晶片320b提供驅動功能給MEMS晶片310b、驅動晶片320c提供驅動功能給MEMS晶 片310c、驅動晶片320d提供驅動功能給MEMS晶片310d等。
沿著上層MEMS晶片310a-c及驅動晶片320a-c配對360之頂部列的每兩個MEMS晶片310a與310c，在其個別邊緣350a與350c上配置有電接觸點。同樣地，沿著上層MEMS晶片310a-c及驅動晶片320a-c配對360之底部列的MEMS晶片310b，在其邊緣350b上配置有電接觸點。沿著上層MEMS晶片310a-c及驅動晶片320a-c配對360之底部列的每兩個驅動晶片320a與320c，可在其個別邊緣350a與350c上配置有電接觸點。同樣地，沿著上層MEMS晶片310a-c及驅動晶片320a-c配對360之頂部列的驅動晶片320b，可在其邊緣350b上配置有電接觸點。
沿著下層MEMS晶片310d-f及驅動晶片320d-f配對370之頂部列的每兩個MEMS晶片310d與310f，在其個別邊緣350d與350f上配置有電接觸點。同樣地，沿著下層MEMS晶片310d-f及驅動晶片320d-f配對370之底部列的MEMS晶片310e，在其邊緣350e上配置有電接觸點。沿著下層MEMS晶片310d-f及驅動晶片320d-f配對370之底部列的每兩個驅動晶片320d與320f，可在其個別邊緣350d與350f上配置有電接觸點。同樣地，沿著下MEMS晶片310d-f及驅動晶片320d-f配對370之頂部列的驅動晶片320b，可在其邊緣350e上配置有電接觸點。
因此，依據此處披露之原理，可將驅動晶片320a-f配置在於MEMS晶片310a-f之交錯配置(layout)中所產生的開 放空間中。以沿著水平軸使用交替MEMS晶片與驅動晶片之交錯成像陣列300產生之岸邊區可產生大致為10mm的岸邊區。當比較第3圖中所示之習知配置與第1圖中所述之示範實施例時，兩者具有等同之噴嘴解析度。然而，第1圖中所述之示範實施例的架構用掉15mm之深度，而第3圖中所示之習知配置只用掉10mm之深度，故第3圖中所述之示範實施例的架構在岸邊區明顯更具效率。第3圖中所述之示範實施例的架構達成使該岸邊區減小至剛好是該交錯MEMS晶片組合深度之理想目標；亦即，無該驅動晶片之深度障礙。
此處所披露之交錯陣列(具有個別驅動晶片)比起仰賴具有整體驅動電子之MEMS晶片的交錯成像陣列，不再使用岸邊區。而且，驅動晶片自MEMS晶片之解離，使其個別良率解離。個別MEMS晶片之示範良率可為70%，亦即，所製造之30%MEMS晶片為不良且不適內含在列印裝置中。個別驅動晶片之示範良率可為70%，亦即，所製造之30%驅動晶片為不良且不適內含在列印裝置中。整體解決方案之合成(resultant)良率為兩種良率之乘積，亦即，49%之整體MEMS晶片/驅動晶片組合會是適於內含在列印裝置中。此處所披露之教示比整體MEMS晶片/驅動晶片之解決方案產生較高之良率。
雖然此處所披露之教示示範性地說明仰賴MEMS技術之交錯成像陣列，具備該技術之一般技能者會體認到此處所揭露之教示可適用於仰賴任一成像技術之交錯成像陣列 。例如，個別成像晶片可為壓電(piezo-electric)成像晶片、發光二極體(LED)成像晶片、熱成像晶片等。
任一寬度之成像陣列可使用此處所揭露之成像陣列200及300。成像陣列200及300之寬度可小於成像媒體之寬度，例如，紙張之寬度。可使用成像陣列200及300以形成全寬度之成像陣列，一次列印成像媒體之全體寬度。
100‧‧‧成像陣列
110a-110d‧‧‧MEMS晶片
120a-d‧‧‧驅動晶片
200‧‧‧成像陣列
210a-210c‧‧‧MEMS晶片
220a-c‧‧‧驅動晶片
250a-c‧‧‧邊緣
120a-c‧‧‧開放空間
300‧‧‧成像陣列
310a-f‧‧‧MEMS晶片
320a-f‧‧‧驅動晶片
350a-f‧‧‧邊緣
併入在此專利說明書中且構成其一部分之該等隨圖，圖解該教示以及說明之諸實施例，作為解釋該教示之原理。
第1圖表示習知之交錯成像陣列。
第2圖表示對照本教示原理之交錯成像陣列之一部分。
第3圖表示對照本教示原理之交錯成像陣列之一部分。
200‧‧‧成像陣列
210a-c‧‧‧MEMS晶片
220a-c‧‧‧驅動晶片
250a-c‧‧‧邊緣

Claims (4)

  1. 一種成像陣列，包括：複數個交錯成像晶片，以形成一列交替開放間隔及成像晶片；以及複數個驅動晶片，其係調適配置在由該等交錯成像晶片所形成之開放間隔。
  2. 如申請專利範圍第1項之成像陣列，其中來自該等驅動晶片之個別驅動晶片的寬度小於來自該等成像晶片之個別成像晶片的寬度。
  3. 如申請專利範圍第1項之成像陣列，其中更包括電路板以提供該等成像晶片及該等驅動晶片之安裝面。
  4. 如申請專利範圍第1項之成像陣列，其中該等成像晶片及該等驅動晶片之岸邊區(waterfront)大致為5mm。
TW97131513A 2007-08-21 2008-08-19 成像陣列 TWI473757B (zh)

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