TWI466405B - 無接觸電力及資料傳送系統及方法 - Google Patents

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John Stanley Glaser
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Description

無接觸電力及資料傳送系統及方法
本發明一般有關於光電半導體裝置的電力。本發明更特別有關於將電力或資料無接觸傳送至光電半導體裝置，或來自光電半導體裝置之電力或資料的無接觸傳送。
光電半導體裝置(特別是依據有機材料的裝置)當曝露於濕氣及氧時，已知會快速地退化。濕氣及氧時常視為主要外在退化因素，而限制裝置壽命。如有激發光裝置(OLEDs)的典型大面積裝置係使用密封封裝架構，以批次式或成捲式(roll to roll)予以製造，使得保護OLED免於有害的周遭環境。典型上，玻璃、金箔(兩者為固有的良好阻障物)、及具有薄膜阻障物的塑膠膜係依據裝置結構而使用來做為基板及/或覆板(superstrate)。薄膜阻障物也可使用做為由使用來做為基板之這些以上所提及的材料中之任一材料所製成的光電半導體裝置之頂部封裝。然而，仍有未使用或中斷封裝之裝置中的部分或區域，如使封入的裝置內部與外部電源連接的接觸墊及電源引線中的部分。未封入的電源引線會提供水蒸氣及氧入口的快速路徑，損壞封裝而過早腐蝕、分成細層或者是退化。
測試阻障特性的一般方法為當其曝露於如60℃/相對濕度(RH.)90%的嚴厲環境時，監控封入的裝置效能。時常以OLED來觀察，其中部分的金屬陰極接點到達封裝的外部，此接點非常快速地(幾小時內)形成水及氧的快速滲透路徑而分成細層、破裂及/或腐蝕，而造成過早裝置損壞。再者，鉬基板上之以CIGS(銅銦鎵硒)為基礎的裝置之光伏特裝置會由於水蒸氣及氧滲透而變壞也是已知的。
因此，非常想要找到一種供給消除以上所提及的過早損壞結構之此類裝置的電力之方法。無接觸電力/資料傳送的額外優點為藉由消除如例如是如顯示器或偵測器陣列的此類裝置所需之多個導電互連所達成的潛在成本節省。
在此所揭示的一實施例為一種系統，包括封入的光電半導體裝置，係至少部分地配置於阻障封裝內；以及無接觸電力傳送系統，係組構來將電力及資料的至少其中之一傳送經過該阻障封裝。
在此所揭示的另一實施例為一種系統，包括封入的平面光電半導體裝置，係至少部分地配置於阻障封裝內；以及無接觸電力傳送系統，係組構來將電力及資料的至少其中之一傳送經過該阻障封裝。
在此所揭示的又另一實施例為一種積體化無接觸電力傳送光電半導體裝置系統之製造方法。該方法包括提供位於基板之上的光電半導體裝置；提供運作上可電性耦接至該光電半導體裝置的第一無接觸電力傳送元件；提供圍繞該光電半導體裝置及該第一無接觸電力傳送元件的介電質阻障封裝；以及提供運作上可電性耦接至電源的第二無接觸電力傳送元件，該第二無接觸電力傳送元件位於該阻障封裝的外部，且自該第一無接觸電力傳送元件通過，以形成積體化裝置。
在此所揭示的另一實施例為一種無接觸電力傳送光電半導體裝置系統之製造方法。該方法包括提供第一無接觸電力傳送元件，係與光電半導體裝置積體化，且配置於阻障封裝的內部；以及提供第二無接觸電力傳送元件，係配置於基板上，且設置於該阻障封裝的外部，且配置成與該光電半導體裝置分離。
本發明的實施例揭示無接觸電力傳送之系統及方法。在一實施例中，電力係傳送經過具有時變場(磁場或電場，亦即經由電感或電容耦合)的絕緣阻障。
在底下的說明及接著的申請專利範圍中，除非上下文清楚地指示，否則單數形式「一(a)」、「一(an)」及「此(the)」包括複數個指示對象。如在此所使用的，項目「裝置」有關一光電半導體裝置及/或複數個光電半導體裝置此裝置的功能係依據半導體材料中之光的量子力學效應。此類裝置的非限制範例包括發光二極體及光二極體。
在本發明的一實施例中，為包括封入的裝置及無接觸電力傳送系統之系統。至少部分的此裝置係封入阻障封裝內。此無接觸電力傳送系統係組構成將電力及/或資料經過阻障封裝而耦合至封入的裝置，或經過阻障封裝而耦合來自封入的裝置之電力及/或資料。在某些實施例中，此裝置係完全封入。
無接觸電力傳送系統的第一部分可配置於封裝的內部，而無接觸電力傳送系統的第二部分可配置於封裝的外部，其中第一部分未與第二部分接線接觸，且第一部分及第二部分係組構來將能量及/或資料傳送經過阻障封裝。在一實施例中，第一部分與第二部分之間的距離為公分或更小的等級。
在某些實施例中，無接觸電力傳送系統為包括經過阻障封裝所配置之至少一對變壓器線圈的電感式電力傳送系統。在一例中，阻障封裝實質上為磁場可穿透的。在一實施例中，實質上地穿透有關磁場之至少10%的穿透率。在另外實施例中，實質上地穿透有關磁場之至少50%的穿透率。
在另一實施例中，無接觸電力傳送系統為電容式電力傳送系統。電容式電力傳送系統包括至少一對電力傳送電容器。各電容器的平板(第一平板及第二平板)係配置於阻障封裝的任一側上，其中阻障封裝係設置來做為至少一對電容器的各電容器之第一平板與第二平板之間的介電質間隔物。
圖1繪示本發明的一實施例中之包括有機發光裝置12的無接觸電力傳送系統10。系統10包括具有阻障塗佈16的前基板14，及具有阻障塗佈20的後基板18。在一實施例中，伴隨各自基板的阻障塗佈16及20會構成阻障封裝的部分，而封入此裝置。此系統更包括隔離元件24及垂直互連22。與習知系統相反的是，並非電源直接連接至裝置12以供應此裝置電力之電力引線，圖1的系統包括分別配置於封裝的內部及外部，以將來自電源的電力以無接觸方式傳送至此裝置之兩個感應線圈，主線圈26及副線圈25。電力係磁性耦合經過感應線圈25與26之間的阻障封裝。跨接線圈26所施加的電壓將經過封裝而感應出線圈25中的電壓，然後會施加此電壓，以供給發光裝置12電力。在一實施例中，此裝置為大面積薄膜裝置，如但不受限於區域照射有機發光裝置。在某個實施例中，有機發光裝置可使用沈積於原子、分子、或離子之非常薄的連續層中之薄膜技術予以製造。
圖2繪示本發明的一實施例中之供給發光光電半導體裝置34電力之電力傳送電路32。交流(AC)源36係使用來將電力提供給主線圈38，其將電力轉換成電磁輻射，其依序藉由副線圈40而轉回電訊號。電容器42及橋式整流器電路44係使用來將交流(AC)電力轉換成直流(DC)電力，以供給發光光電半導體裝置34電力。
在圖3之繪示的實施例中，顯示整合電感式電力傳送電路(如圖2中所繪示的電感式電力傳送電路)之無接觸供電發光系統46。系統46包括配置於封裝60內的發光裝置組件48，及由位於封裝60的外部之直流源50所供電。在一實施例中，發光裝置組件為有機發光裝置組件。在非限制例子中，直流源可為藉由用於交流線供電的應用裝置之交流公用電力所供電的整流器。在繪示的實施例中，直流源係先傳送至反相器52，其將直流電力轉換成交流電力。來自反相器的交流電壓VAC1 然後施加至無接觸鏈結54。無接觸鏈結包括變壓器，其包括線圈L1A 56及L1B 58，其中線圈56係配置於封裝60的外部，而線圈58係配置於封裝60的內部。電壓VAC1 係施加至線圈L1A 56，且電力係感應地傳送至L1B 58，使得發展出跨接L1B 的電壓VAC2 。在一實施例中，封裝60也用作使兩個線圈分離的絕緣阻障，但是此封裝實質上為磁場可穿透的，使得電力可經由此封裝予以傳送。來自線圈58的交流電力然後使用整流器62予以整流，以供應發光光電半導體裝置所需的直流電力。反相器及整流器可選自廣泛熟知電路中的任一電路。在另外實施例中，整流器可包括濾波元件，以使發光裝置流動的電流平滑。有助益的是，高頻反相器的使用可幫助去除由於整流器輸出中的漣波電流所導致之可見的抖動。
在某些實施例中，可控制反相器或直流源，以控制經過發光光電半導體裝置的電流，於是控制其光輸出。再者，共同使用的共振反相器電路可組構來用作電流源，使得發光裝置電壓的大改變導致裝置電流的最小改變。這些裝置本身可使用來做為整流器，或整流器電路的部分。
電力傳送系統中的電感器線圈可有相同匝數或不同匝數。當線圈有不同匝數時，變壓器可使用於升壓組構或降壓組構中。在一實施例中，變壓器可為具有可調整匝數比的可變變壓器，其中線圈中的至少一線圈具有可調整匝數控制。因此，傳送經過阻障封裝的能量也可予以改變。
圖4繪示本發明的一實施例之阻障封裝70處之磁性耦合的電力傳送元件64之截面圖。在此繪示的實施例中，第一線圈72係配置於封裝的外部68，而第二線圈74係配置於封裝的內部66。磁芯層76及78係配置成分別與線圈72及74相鄰。導體80及82將來自電源的電力引入至線圈72，而導體84及86將電力自線圈74往外朝向此裝置傳送。
在一實施例中，一個或多個磁芯層可配置成與主及/或副電感器線圈相鄰。在圖4之繪示的實施例中，電力傳送元件包括磁性層，亦即，磁芯層76及78。這些層可由磁導率實質上大於1的材料所製成。此類材料的例子包括，但不受限於鐵、鈷、鎳及其合金。預期磁芯層將有助於增加變壓器的耦合係數，在給定頻率時，能比無磁芯時更有效率的運作。在某些實施例中，在電感器線圈的一側上之磁芯可使用來增加耦合係數。在另外實施例中，磁芯層可位於電感器線圈的兩側上，且預期使效率增加至少一數量級。在某些實施例中，磁芯係位於線圈層的外部上，而不是位於中間。磁芯也有助益地降低圍繞線圈雜散磁場，因此降低電磁干擾(EMI)的產生及磁化率。
在一實施例中，磁芯層76為分離層。因為許多磁性材料也導電，所以在磁芯層中，渦電流損失會發生。這些損失可藉由將磁芯層分成如圖4之繪示實施例中所看到的部分而降低。在一例中，此種徑向分離的磁芯係使用具有圓形平面繞組，例如，與磁芯層同心的圓形螺旋繞組。此磁芯中的徑向間隙預期以磁性耦合的最小效應而降低渦電流。相同原理應用其他形狀的線圈。
例如，假設電力係經由耦合效率>90%，6MHz的頻率，24W/cm2 的準位之無磁芯的平面變壓器予以傳送。以同等效率，600kHz的頻率然後將允許約0.24W/cm2 。若核心損失保持低，則對於等同效率而言，附加於磁性耦合的一側上之磁芯可允許頻率上進一步降低15-30%。效率上與無磁芯運作時相較，附加於兩側上的磁芯層預期產生5倍-10倍的改善。
當運作頻率增加時，預期能量傳送的效率將也會增加。在一實施例中，高頻產生器係由主要來源所供電，且來自高頻產生器的高頻輸出係使用來供給主感應器線圈電力。
在圖4中所繪示的實施例之另一實施例中，電容耦合可使用來供給封入的裝置電力。耦合電容中的各耦合電容係由兩個導體層(平板)所製成，一導體層係配置於阻障封裝的內部，而另一導體層係位於阻障封裝的外部。阻障封裝用作兩個平板之間的介電質。在本發明的一實施例中，電容耦合電路88係繪示於圖5中。發光裝置90係以無接觸方式，由交流電源92所供電。電源92係連接至耦合電容器94及96的外部平板。負載(具有或無整流/條件電路的裝置90)係連接至這些電容器的內部平板。橋式整流器電路98可使用來將來自耦合電容器96的交流電壓輸出轉換成直流電壓，然後跨接此裝置90施加此直流電壓。
在圖6之繪示的實施例中，顯示整合電容式電力傳送電路(如圖5中所繪示的電容式電力傳送電路)之無接觸供電發光系統100。系統100包括發光裝置組件110，及將直流電壓VDC1 供應至反相器114的直流電源。無接觸鏈結116係使用來將來自反相器114的電力傳送至整流器124。無接觸鏈結包括第一電容器C1A 118及第二電容器C1B 120。反相器的交流電壓輸出VAC1 係施加至配置於封裝122的外部之電容器118及120的電容器平板，來自配置於此封裝的內部之電容器平板的輸入交流電壓VAC2 係供應至整流器124。在施加至發光裝置組件110之前，整流器124將交流電壓VAC2 轉換成直流電壓VDC2 。
圖7顯示包括電容器126及127之阻障封裝處的電容耦合電力傳送元件125之截面。各電容器126及127的電容器平板係設置於阻障封裝的任一側上。
在非限制例子中，對於電容式無接觸電力傳送而言，對於50微米厚的聚合物阻障封裝，總串聯電容預期為每cm2 ，7.5pF-10pF(C1A 與C1B 的串聯組合)之等級。100kHz頻率將允許約50mA的電流，及跨接此阻障約200VRMS。在電容式電力傳送中，藉由使用串聯之增加數量的較小裝置來降低給定電力所需之電流是有助益的。電容式能量傳送可藉由降低絕緣阻障厚度、增加其介電常數、或藉由增加運作頻率予以改善。
當運作頻率增加時，能量傳送的效率增加。在電容式電力傳送中，對於給定電流而言，跨接此阻障的電壓以與頻率成反比而增加，使得在低頻時，此電壓會破壞此阻障。因此，在電容式無接觸電力傳送系統的一實施例中，頻率產生器係使用來供給這些電容器電力。在非限制例子中，所施加的頻率係在自約50kHz至約1MHz的範圍內。
對於電力傳送系統之電感式及電容式的實施例而言，大面積傳送元件可以複數個較小面積元件予以取代。所以複數個變壓器可使用來將電力傳送經過此封裝。另一種是，複數對的電容器可使用來將電力傳送經過此封裝。這樣能使用於給定總能量傳送的峰值雜散場強度降低，因此降低電磁干擾(EMI)的產生及磁化率。
圖8係無接觸電力傳送系統中所使用的全波整流器電路128之繪示的例子。整流器電路128係使用來供給裝置129電力，且包括選用的阻隔電容器130、橋式整流器電路132及電容濾波器134。在一實施例中，電容濾波器134用來降低整流器輸出的交流成分(漣波電壓或電流)。
圖9係半波整流器電路138之繪示的例子。選用的阻隔電容器142係結合二極體144及電容濾波器146使用。在無阻隔電容器中，二極體仍可藉由發光光電半導體裝置逆向偏壓時導通而用作使出現於發光光電半導體裝置140上的逆向電壓最小之目的。若選擇二極體144具有小於發光裝置組件上之想要的最大逆向電壓之順向壓降，則這樣會發生。
封入的無接觸供電系統之實施例包括發光裝置，如有激發光裝置及顯示裝置。在一實施例中，無接觸供電系統係組構用於連續供電，例如用於連續數小時供電。封入的無接觸電力或資料傳送裝置之其他例子包括封入的偵測器陣列，來自封入的偵測器陣列之資料可無接觸地傳送至封入的偵測器陣列之外部。此種偵測器陣列的例子包括CCD裝置。在一實施例中，此裝置為封入的光電平面半導體裝置。在另外實施例中，平面半導體裝置可為能被捲成一形狀的可撓性裝置。
在一實施例中，阻障封裝材料可包括有機材料、無機材料或其組合。阻障封裝降低此裝置曝露於有害材料，如但不受限於水蒸氣及氧。阻障封裝材料的非限制例子包括玻璃、聚合物、金屬及其組合。在某些例子中，阻障封裝可以金箔的形式。在某些實施例中，可使用包括一種或多種阻障材料的多層封裝。在一實施例中，阻障封裝用作對氧及/或水蒸氣穿透此裝置的阻障。有機-無機阻障塗佈的例子係敘述於包括美國專利號6746782及美國專利號7015640的許多參考中。例如，此種阻障封裝可提供低於0.1g/m2/天的水蒸氣傳輸率，及低於1g/m2/天的氧傳輸率。
在一實施例中，無接觸電力傳送系統為無接觸資料傳送系統。在非限制例子中，資料可予以傳送至調變器，使得其可將高頻載波傳送經過絕緣阻障，其中此訊號予以解調且傳送至附加的控制電路。此控制電路可使用來控制一個或更多個裝置。特別而言，此控制電路可使用來控制顯示器，例如電腦監視器或視訊顯示器。此種方法可使用來去除目前所使用之數百、數千、或更大數量的導電互連，而可大大地降低成本及增加此類顯示器的可靠度。此方法可應用於包括例如是發光顯示器及液晶顯示器的任何光電半導體裝置系統，其中個別裝置(或像素)會需要防止大氣或其他周圍狀況而予以密封。
在一實施例中，此系統傳送電力及資料。除了電力之外，電感或電容耦合可使用來傳送資料。例如，可使用反相器做為調變器，使得其可傳送電力及資料。再者，可產生與此電力傳送波形結合之經調變的資料訊號，且傳送經過相同無接觸鏈結。另一種是，資料訊號可經由分離的無接觸鏈結予以傳送。
圖10繪示無接觸資料傳送系統實施例。系統148包括調變器150，其接收待傳送的資料訊號。調變器調變將經調變的資料訊號中之資料編碼之載波頻率訊號，其係傳送至無接觸鏈結152。無接觸鏈結152包括配置於阻障封裝158的外部之電感器線圈154，及配置於此阻障封裝的內部之電感器線圈156。電感器線圈156接收經調變的資料訊號，其於解調器160處予以解調，以取得此資料訊號，且此資料訊號予以傳送至附加的控制電路162，其可組構來控制裝置。
在本發明的另外實施例中，為積體化無接觸供電的光電半導體裝置系統之製造方法。此方法包括提供位於基板之上的光電半導體裝置及提供運作上可電性耦接至此光電半導體裝置的第一無接觸電力傳送元件。此光電半導體裝置可使用熟習此項技術者所已知的技術予以製造。介電質阻障封裝係配置成圍繞此裝置及第一無接觸電力傳送元件。第二無接觸電力傳送元件運作上可電性耦接至電源，第二無接觸電力傳送元件位於此阻障封裝的外部，且自第一無接觸電力傳送元件通過，以形成積體化裝置。在一實施例中，第一無接觸電力傳送元件及該第二無接觸電力傳送元件為電感器，例如，薄膜電感器。在另一實施例中，這些無接觸電力傳送元件為電容器的平板，如薄膜電容器的平板。這些薄膜電容器或電感器可藉由如熟習此項技術者所已知的各種方法予以製造。在又另一實施例中，本發明為無接觸供電的光電半導體裝置系統之製造方法，其中電性耦接至電源的第二電力傳送元件係配置於其本身的基板上，且可與此環境電性隔離，而提供此系統的固定部分。對於電力傳送元件而言，光電半導體裝置及阻障封裝係製造於分離基板上，而提供此系統的可替代元件。
雖然本發明的所有上述實施例教導電力無接觸傳送至封入的光電半導體裝置，但是本發明不受限於電力係傳送至封入的光電半導體裝置之系統。自封入的光電半導體裝置傳送電力之無接觸電力傳送系統也落入此發明的範圍內。例如，無接觸電力傳送系統可包括傳出電力之封入的光伏特裝置。
一種此例係繪示於圖11中。無接觸電力傳送系統164包括光伏特組件165，其包括一個或多個光伏特裝置。來自直流組件的直流輸出VDC1 係藉由反相器166而自直流轉換成交流。交流電壓VAC1 係傳送至電感器線圈L1A 167，而形成無接觸鏈結的內部電力傳送元件。光伏特組件165、反相器166及線圈L1A 167係全部封入阻障封裝168內。此能量係通過此封裝而磁性傳送至電感器線圈L1B 169。此線圈的交流電壓VAC2 輸出可供應至柵格(grid)或可轉換成直流且儲存於儲存裝置中。在一實施例中，光伏特裝置為有機光伏特裝置。
例1
在無接觸供電170的第一例中，500歐姆負載172係以無接觸模式予以供電。如圖13中所繪示的，低頻或線頻的交流源174係使用來供給高頻產生器176電力。具有主線圈178及副線圈180的螺形變壓器予以使用。1密爾(mil)的聚酯樹脂(Mylar)層形成這些變壓器線圈之間的阻障。與全橋式整流器182(4xMBR1100RLG)結合的電容濾波器193(C=0.22μF)係使用來將來自副線圈的輸出整流，且提供跨接負載172的直流輸出。主電流及副電流(主線圈及副線圈)係以Lecroy AP105電流探針予以量測。主電壓及副電壓係以Lecroy PP007探針予以量測，以比較主線圈上的電力與副線圈上的電力。此頻率產生器的頻率輸出係自250kHz至1MHz變化，而決定出主電力輸出及副電力輸出。這些量測係以有鐵芯及無鐵芯予以實施。
無鐵芯層的結果係概括於表1中。有鐵芯層的結果係概括於表2中。
表1及2中所概括的結果表示在較高頻率時，無接觸電力傳送的效率較大。
例2
例1的無接觸供電電路係使用來供給如圖13中所繪示而製造之封入的OLED(有機發光裝置)裝置電力。此系統包括藉由以玻璃間隔物192所分離之底部玻璃基板188與頂部玻璃基板190而封入的OLED。擴散板194係配置成通過底部玻璃基板188，來自封入的OLED之光經由擴散板194而顯現。電源供應器196係電性連接至頂部基板的外部，且將電力供應至主線圈198。能量係通過頂部基板而傳送至副線圈200。來自副線圈的交流輸出係藉由整流器電路202而轉換成直流輸出，其係使用來供給OLED 186能量。
雖然在此已繪示及說明本發明的僅某些特性，但是對於熟習此項技術者而言，許多修飾及改變將發生。因此，要瞭解的是，後附申請專利範圍係意謂涵蓋落入本發明的真實精神內之所有此類修飾及改變。
10．．．系統
12．．．有機發光裝置
14．．．前基板
16．．．阻障塗佈
18．．．後基板
20．．．阻障塗佈
22．．．垂直互連
24．．．隔離元件
25．．．副線圈
26．．．主線圈
28．．．接點
30．．．發光
32．．．電力傳送電路
34．．．光電半導體裝置
36．．．交流源
38．．．主線圈
40．．．副線圈
42．．．電容器
44．．．橋式整流器電路
46．．．無接觸供電發光系統
48．．．發光裝置組件
50．．．直流源
52．．．反相器
54．．．無接觸鏈結
56．．．線圈
58．．．線圈
60．．．封裝
62．．．整流器
64．．．磁性耦合的電力傳送元件
66．．．內部
68．．．外部
70．．．阻障封裝
72．．．第一線圈
74．．．第二線圈
76．．．磁芯層
78．．．磁芯層
80．．．導體
82．．．導體
84．．．導體
86．．．導體
88．．．電容耦合電路
90．．．發光裝置
92．．．交流電源
94．．．耦合電容器
96．．．耦合電容器
98．．．橋式整流器電路
100．．．無接觸供電發光系統
110．．．發光裝置組件
112．．．直流電源
114．．．反相器
116．．．無接觸鏈結
118．．．電容器
120．．．電容器
122．．．封裝
124．．．整流器
126．．．電容器
127．．．電容器
128．．．整流器電路
129．．．裝置
130．．．阻隔電容器
132．．．橋式整流器電路
134．．．電容濾波器
138．．．半波整流器電路
140．．．發光光電半導體裝置
142．．．阻隔電容器
144．．．二極體
146．．．電容濾波器
148．．．無接觸資料傳送系統
150．．．調變器
152．．．無接觸鏈結
154．．．電感器線圈
156．．．電感器線圈
158．．．阻障封裝
160．．．解調器
162．．．控制電路
164．．．無接觸電力傳送系統
165．．．光伏特組件
166．．．反相器
167．．．線圈
168．．．阻障封裝
169．．．電感器線圈
170．．．無接觸供電
172．．．負載
174．．．交流源
176．．．高頻產生器
178．．．主線圈
180．．．副線圈
182．．．全橋式整流器
184．．．系統
186．．．有機發光二極體
188．．．底部玻璃基板
190．．．頂部玻璃基板
192．．．玻璃間隔物
194．．．擴散板
196．．．電源供應器
198．．．主線圈
200．．．副線圈
202．．．整流器
當底下詳細說明係參考附圖予以讀取時，本發明的這些及其他特性、觀點、及優點將變成更加瞭解，其中遍及圖式，相似符號代表相似部件，其中：
圖1係根據本發明的一實施例之電感式無接觸電力傳送系統的概要上視圖及側視圖；
圖2係根據本發明的一實施例之電感式無接觸電力傳送系統電路的概圖；
圖3係根據本發明的一實施例之電感式無接觸電力傳送系統電路的概圖；
圖4係根據本發明的一實施例之阻障封裝處的電力傳送元件之截面圖的概圖；
圖5係根據本發明的一實施例之電容式無接觸電力傳送系統電路的概圖；
圖6係根據本發明的一實施例之電容式無接觸電力傳送系統電路的概圖；
圖7係根據本發明的一實施例之阻障封裝處的電力傳送元件之截面圖的概圖；
圖8係根據本發明的一實施例之無接觸電力傳送系統中所使用的整流器電路之概圖；
圖9係根據本發明的一實施例之無接觸電力傳送系統中所使用的整流器電路之概圖；
圖10係根據本發明的一實施例之無接觸資料傳送系統電路的概圖；
圖11係根據本發明的一實施例之無接觸電力傳送系統的概圖，其中電力係自阻障封裝裝置中傳送；
圖12係根據本發明的一實施例之封入的OLED裝置之概圖；以及
圖13係根據本發明的一實施例之無接觸電力傳送系統電路的概圖。
46．．．無接觸供電發光系統
48．．．發光裝置組件
50．．．直流源
52．．．反相器
54．．．無接觸鏈結
56．．．線圈
58．．．線圈
60．．．封裝
62．．．整流器

Claims (28)

  1. 一種無接觸電力傳送光電半導體裝置系統，包含：封裝的光電半導體裝置，係至少部分地配置於阻障封裝內；以及無接觸電力傳送系統，係組構來將電力及資料傳送經過該阻障封裝，其中該無接觸電力傳送系統的第一部分係配置於該封裝的內部，而該無接觸電力傳送系統的第二部分係配置於該封裝的外部，其中該第一部分未與該第二部分接線接觸，且其中該第一部分及該第二部分係組構來將能量傳送經過該阻障封裝，其中該無接觸電力傳送系統為電感式電力傳送系統。
  2. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該阻障封裝實質上為磁場可穿透的。
  3. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該電感式電力傳送系統包含至少一變壓器，該至少一變壓器包含配置於該阻障封裝的外部之至少一第一電感器線圈，及配置於該封裝的內部之至少一第二電感器線圈，其中該至少一第一電感器線圈及該至少一第二電感器線圈係組構來將能量傳送經過該阻障封裝。
  4. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該電感式電力傳送系統更包含與該至少一第一電感器線圈或該至少一 第二電感器線圈相鄰之至少一磁性層。
  5. 如申請專利範圍第4項之系統，其中該至少一第一電感器線圈或該至少一第二電感器線圈係設置於該至少一磁性層與該阻障封裝之間。
  6. 如申請專利範圍第4項之系統，其中該至少一磁性層為分離層。
  7. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該至少一變壓器為升壓或降壓變壓器。
  8. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該至少一變壓器為可變變壓器，且傳送經過該阻障封裝的該能量為可變。
  9. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該電感式電力傳送系統包含複數個變壓器，係組構來將能量傳送經過該阻障封裝。
  10. 如申請專利範圍第1項之系統，更包含反相器，用以將輸入至該無接觸電力傳送系統的DC電力轉換成AC電力。
  11. 如申請專利範圍第1項之系統，更包含高頻產生器，用以提供輸入至該無接觸電力傳送系統的高頻電力。
  12. 如申請專利範圍第1項之系統，更包含整流器，用以將自該無接觸電力傳送系統輸出的AC電力轉換成DC電力。
  13. 如申請專利範圍第12項之系統，更包含至少一濾波電容器，係組構來降低該整流器的AC成分。
  14. 如申請專利範圍第1項之系統，更包含至少一阻隔電容器，係組構做為阻隔DC濾波器。
  15. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該阻障封裝包含材料，該材料包含有機材料、無機材料或其組合。
  16. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該阻障封裝包含材料，該材料包含玻璃、金屬、聚合物或其組合。
  17. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該裝置為光伏特裝置，且其中電力係通過該封裝而耦接出該裝置。
  18. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該光電半導體裝置為發光裝置，且電力係通過該封裝而耦接入該發光裝置，以供給該發光裝置電力。
  19. 如申請專利範圍第18項之系統，其中該發光裝置為有機發光裝置。
  20. 如申請專利範圍第19項之系統，其中該有機發光裝置用作整流器元件。
  21. 如申請專利範圍第18項之系統，其中該發光光電半導體裝置為顯示裝置。
  22. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該裝置為薄膜裝置。
  23. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該裝置為偵測器陣列。
  24. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該阻障封裝包含對氧及水蒸氣的阻障。
  25. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該系統係組 構來將電力及資料傳送經過單一無接觸電力傳送鏈結。
  26. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該系統係組構來將電力及資料傳送經過不同的無接觸電力傳送鏈結。
  27. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該系統更包含：調變器，藉由調變該無接觸電力傳送系統的輸入電力，將用於資料傳送的資料編碼；以及解調器，藉由解調變來自該無接觸電力傳送系統的輸出電力，將經傳送的資料解碼。
  28. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該封裝的光電半導體裝置是封裝的平面光電半導體裝置。
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