TWI464795B - 局部表面處理的遮罩方法 - Google Patents

局部表面處理的遮罩方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI464795B
TWI464795B TW101125313A TW101125313A TWI464795B TW I464795 B TWI464795 B TW I464795B TW 101125313 A TW101125313 A TW 101125313A TW 101125313 A TW101125313 A TW 101125313A TW I464795 B TWI464795 B TW I464795B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
workpiece
jig
surface treatment
masking
adsorption force
Prior art date
Application number
TW101125313A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201403691A (zh
Inventor
wei lin Liu
Original Assignee
Apone Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Apone Technology Ltd filed Critical Apone Technology Ltd
Priority to TW101125313A priority Critical patent/TWI464795B/zh
Priority to US13/658,216 priority patent/US8871106B2/en
Publication of TW201403691A publication Critical patent/TW201403691A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI464795B publication Critical patent/TWI464795B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/002Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B44DECORATIVE ARTS
    • B44CPRODUCING DECORATIVE EFFECTS; MOSAICS; TARSIA WORK; PAPERHANGING
    • B44C1/00Processes, not specifically provided for elsewhere, for producing decorative surface effects
    • B44C1/22Removing surface-material, e.g. by engraving, by etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022Electroplating of selected surface areas using masking means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/16Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41CPROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
    • B41C1/00Forme preparation
    • B41C1/02Engraving; Heads therefor
    • B41C1/04Engraving; Heads therefor using heads controlled by an electric information signal
    • B41C1/05Heat-generating engraving heads, e.g. laser beam, electron beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41CPROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
    • B41C1/00Forme preparation
    • B41C1/10Forme preparation for lithographic printing; Master sheets for transferring a lithographic image to the forme
    • B41C1/1008Forme preparation for lithographic printing; Master sheets for transferring a lithographic image to the forme by removal or destruction of lithographic material on the lithographic support, e.g. by laser or spark ablation; by the use of materials rendered soluble or insoluble by heat exposure, e.g. by heat produced from a light to heat transforming system; by on-the-press exposure or on-the-press development, e.g. by the fountain of photolithographic materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/24Ablative recording, e.g. by burning marks; Spark recording
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

局部表面處理的遮罩方法
本發明係關於一種遮罩方法,特別是關於一種應用於局部表面處理的遮罩方法。
在很多情況中,加工物件(以下稱為工件)在未製造為成品前都會進行諸如電鍍、塗敷、曝光等表面處理。當對工件進行某種表面處理時,若工件的其中一些區域不得接受該種處理,常常使用一治具將該些非處理區域加以遮蔽保護,以免其受到影響,而使得表面處理僅影響於需要處理的區域。
利用治具遮蔽保護非處理區域時,必須要注意到治具與工件間的配合關係,例如治具的開口與處理區域的對應性,以使處理區域確實不受遮蔽,而不得接受表面處理的區域確實地受到保護。
然而,在習知技術中,治具的開口與目標處理區域往往對應不佳,而造成電鍍材料、塗敷材料、或曝光光線等的影響範圍超過處理區域,因而產生加工瑕疵。
緣此,本發明之目的即是提供一種局部表面處理的遮罩方法,以改善習知技術的問題,以確保表面處理不會影響到不得接受表面處理的區域,以使所期望之工件表面得以形成。
本發明為解決習知技術之問題所採用之技術手段為一種局部表面處理的遮罩方法,用以遮罩一工件以對 工件進行局部表面處理,工件具有一目標處理區域及一非處理區域,遮罩方法包括下列步驟:(a)將一治具遮蓋於工件之非處理區域,而暴露工件之目標處理區域;(b)利用於治具與工件之間的一吸附力,而使治具與工件之非處理區域相互緊貼,並使治具的一開放邊緣貼齊於工件之目標處理區域的邊緣,吸附力為一真空吸附力或一靜電吸附力。
在本發明的一實施例中,治具為一塑性材料所製成。
在本發明的一實施例中,吸附力為靜電吸附力的情況中,步驟(a)之前更包括對治具進行靜電處理之步驟。
在本發明的一實施例中,步驟(a)中包括將工件放置於治具中之步驟,而在治具與工件之間形成一間隙空間。
在本發明的一實施例中,在吸附力為真空吸附力的情況中,步驟(a)中包括抽吸間隙空間中的空氣之步驟。
在本發明的一實施例中,治具具有一吸孔,連通於間隙空間。
在本發明的一實施例中,步驟(b)之後更包括對工件之目標處理區域進行表面處理之步驟。
在本發明的一實施例中,表面處理為一曝光處理、一蝕刻處理、一電鍍處理、或一雷雕處理。
經由本發明所採用之技術手段,藉由一吸附力而使治具與工件相互緊貼。治具與工件相互緊貼的好處是,治具的開放邊緣可以確實地貼齊於工件之目標處理 區域的邊緣。如此,表面處理的影響範圍將不會超過目標處理區域的邊界,進而減少加工瑕疵產生的機會。
特別是,本發明所利用之吸附力為真空吸附力或靜電吸附力。真空吸附力或靜電吸附力之產生過程容易。並且在表面處理後而工件必須抽離於治具時,真空吸附力或靜電吸附力可以輕易地移除且不易破壞工件及治具的表面。因此,本發明所提供的遮罩方法不僅遮蔽效果良好,且易於實施並破壞性低,相當適合於應用於局部表面處理。
本發明所採用的具體實施例,將藉由以下之實施例及附呈圖式作進一步之說明。
本發明提供一種遮罩方法,利用治具與工件之間的一真空吸附力或一靜電吸附力,而使治具與工件相互緊貼,以進一步對工件進行局部表面處理。以下分別提供真空吸附力以及靜電吸附力的實施例並加以描述說明:
參閱第1圖所示,其係顯示本發明之第一實施例之局部表面處理的遮罩方法之流程圖。本實施例為提供於治具與工件之間的吸附力為真空吸附力的情況。局部表面處理的遮罩方法包括下列步驟:將一治具遮蓋於工件之非處理區域,而暴露工件之目標處理區域至連接於該治具的一相反側的一暴露空間(步驟S110);利用於治具與工件之間的一吸附力,而使治具與工件之非處理區域相互緊貼,並使治具的一開放邊緣接觸以及貼齊於工件之目標處理區域的邊緣(步驟S120)。
進一步來說,在本實施例中,(步驟S110)中包括下列步驟:在將工件放置於治具中,而在治具與工件之間形成一間隙空間(步驟S111);將治具遮蓋於工件之 非處理區域(步驟S112)。而(步驟S120)中包括下列步驟:抽吸間隙空間中的空氣(步驟S121);利用治具與工件之間的真空吸附力,使治具與工件之非處理區域相互緊貼(步驟S122)。
請參閱第2A圖及第2B圖,並配合第1圖對本發明之第一實施例作一說明如後。
治具1具有一開放邊緣111,開放邊緣111即治具1中具不遮蓋功效的部分之邊緣。例如,在本實施例中,治具1具有一開口11,開口11之邊緣即開放邊緣111。然而,本發明不以此為限,開放邊緣111也可以是治具的穿孔之邊緣,或是治具包括兩個分開的板件,而開放邊緣111為兩個板件之間的間隙。
首先,將工件2放置於治具1中(步驟S111)。工件2之尺徑為小於治具1之內徑而得以使工件2放置於治具1中,因此治具1與工件2之間會形成一間隙空間V1。
接著,將治具1的一覆蓋側14遮蓋於工件2之非處理區域22的一接觸側23(步驟S112)。開口11的形狀及面積與工件2之目標處理區域21的形狀及面積相同。當將開口11對應於目標處理區域21而暴露目標處理區域21,工件2之非處理區域22的接觸側23即受治具1的覆蓋側14於一接觸表面S1所遮蓋。
然後,抽吸間隙空間V1中的空氣(步驟S121)。在本實施例中,治具1具有一吸孔12,連通於間隙空間V1。吸孔12連通接合有一連接於一抽氣機(圖未示)的抽吸管13。當抽氣機運作時,間隙空間V1中的空氣A經由抽吸管13排出。如此,治具1與工件2之間的間隙空間V1將逐漸成為真空狀態。並且在本實施例 中,治具1為一塑性材料所製成,例如PP、PVC等塑膠材料或其他類似材料。塑性材料具有受力後易變形的特性。藉此,利用抽吸間隙空間V1中的空氣於接觸表面S1所形成的真空吸附力F1,會使得治具1變形而貼附於工件2,而使得治具1的覆蓋側14與工件2之非處理區域22的接觸側23相互緊貼(步驟S122),如第2B圖所示。
接下來,對工件2之目標處理區域21進行表面處理(步驟S130)。在本實施例中,表面處理為一曝光處理,表面處理也可以為一蝕刻處理、一電鍍處理、一雷雕處理、或其他類似處理。由於治具1與工件2之非處理區域22相互緊貼時,治具1的開口11的開放邊緣111會接觸以及貼齊於工件2之目標處理區域21的邊緣211。因此表面處理將不會影響到工件2之非處理區域22,而使所期望之工件表面得以形成。
參閱第3圖所示,其係顯示本發明之第二實施例之局部表面處理的遮罩方法之流程圖。本實施例為提供於治具與工件之間的吸附力為靜電吸附力的情況。本實施例之局部表面處理的遮罩方法包括下列步驟:對治具進行靜電處理(步驟S200);將治具遮蓋於工件之非處理區域(S210)利用治具與工件之間的靜電吸附力,使治具與工件之非處理區域相互緊貼(S220);對工件之目標處理區域進行表面處理(S230)。
請參閱第4圖,並配合第3圖對本發明之第二實施例作一說明如後。
首先,對治具1a進行靜電處理(步驟S200)。接著,將治具1a遮蓋於工件2a之非處理區域22a(步驟S210)。在本實施例中,治具1a具有一開口11a,開口 11a的形狀及面積與工件2a之目標處理區域21a的形狀及面積相同。當將開口11a對應於目標處理區域21a而暴露目標處理區域21a,工件2a之非處理區域22a即受治具1a所遮蓋。
若將經過靜電處理後之治具1a接觸於工件2a,治具1a與工件2a之間會具有一靜電吸附力。所以接下來,將經過靜電處理後之治具1a接觸於工件2a,而利用治具1a與工件2a之間的接觸表面S1的靜電吸附力F2,使治具1a與工件2a之非處理區域22a相互緊貼(S220),如第4圖所示。並且本實施例之治具1a與第一實施例之治具1同樣為塑性材料所製成,而具有受力後易變形的特性,所以緊貼的效果相當良好。
接下來,對工件2a之目標處理區域21a進行表面處理(步驟S230)。在本實施例中,表面處理為一蝕刻處理,表面處理也可以為一曝光處理、一電鍍處理、一雷雕處理、或其他類似處理。由於治具1a與工件2a之非處理區域22a相互緊貼時,治具1a的開口11a的開放邊緣111a會接觸以及貼齊於工件2a之目標處理區域21a的邊緣211a。因此表面處理不會影響到工件2a之非處理區域22a,而使所期望之工件表面得以形成。
由以上之實施例可知,本發明所提供之局部表面處理的遮罩方法確具產業上之利用價值,故本發明業已符合於專利之要件。惟以上之敘述僅為本發明之較佳實施例說明,凡精於此項技藝者當可依據上述之說明而作其它種種之改良,惟這些改變仍屬於本發明之發明精神及以下所界定之專利範圍中。
1、1a‧‧‧治具
11、11a‧‧‧開口
111、111a‧‧‧開放邊緣
12‧‧‧吸孔
13‧‧‧抽吸管
14‧‧‧覆蓋側
2、2a‧‧‧工件
21、21a‧‧‧目標處理區域
211、211a‧‧‧邊緣
22、22a‧‧‧非處理區域
23‧‧‧接觸側
A‧‧‧空氣
F1、F2‧‧‧吸附力
S1‧‧‧接觸表面
V1‧‧‧間隙空間
第1圖係顯示本發明之第一實施例之局部表面處理的 遮罩方法之流程圖。
第2A圖係顯示本發明之第一實施例之治具與工件之非處理區域未緊貼時之剖視圖。
第2B圖係顯示本發明之第一實施例之治具與工件之非處理區域緊貼時之剖視圖。
第3圖係顯示本發明之第二實施例之局部表面處理的遮罩方法之流程圖。
第4圖係顯示本發明之第二實施例之治具與工件之非處理區域緊貼時之剖視圖。

Claims (8)

  1. 一種局部表面處理的遮罩方法,用以遮罩一工件以對該工件進行局部表面處理,該工件具有一目標處理區域及一非處理區域,該遮罩方法包括下列步驟:(a)於一接觸表面將一治具的一覆蓋側遮蓋於該工件之非處理區域的一接觸側,而暴露該工件之目標處理區域至連接於該治具的一相反側的一暴露空間;(b)利用於該治具的該覆蓋側與該工件的該接觸側之間的該接觸表面的一吸附力,而使該治具的該覆蓋側與該工件之非處理區域的該接觸側相互緊貼,並使該治具的一開放邊緣接觸以及貼齊於該工件之目標處理區域的邊緣,該吸附力係為一真空吸附力或一靜電吸附力。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之局部表面處理的遮罩方法,其中該治具係為一塑性材料所製成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之局部表面處理的遮罩方法,其中在該吸附力為靜電吸附力的情況中,步驟(a)之前更包括對該治具進行靜電處理之步驟。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之局部表面處理的遮罩方法,其中步驟(a)中包括將該工件放置於該治具中之步驟,而在該治具與該工件之間形成一間隙空間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之局部表面處理的遮罩方法,其中在該吸附力為真空吸附力的情況中,步驟(b)中包括抽吸該間隙空間中的空氣之步驟。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之局部表面處理的遮罩方法,其中該治具具有一吸孔,連通於該間隙空間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之局部表面處理的遮罩方法,其中步驟(b)之後更包括對該工件之目標處理區域進行表面處理之步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之局部表面處理的遮罩方法,其中該表面處理係為一曝光處理、一蝕刻處理、一電鍍處理、或一雷雕處理。
TW101125313A 2012-07-13 2012-07-13 局部表面處理的遮罩方法 TWI464795B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101125313A TWI464795B (zh) 2012-07-13 2012-07-13 局部表面處理的遮罩方法
US13/658,216 US8871106B2 (en) 2012-07-13 2012-10-23 Masking method for locally treating surface

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101125313A TWI464795B (zh) 2012-07-13 2012-07-13 局部表面處理的遮罩方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201403691A TW201403691A (zh) 2014-01-16
TWI464795B true TWI464795B (zh) 2014-12-11

Family

ID=49913072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101125313A TWI464795B (zh) 2012-07-13 2012-07-13 局部表面處理的遮罩方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8871106B2 (zh)
TW (1) TWI464795B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9287131B2 (en) * 2014-02-21 2016-03-15 Globalfoundries Inc. Methods of patterning line-type features using a multiple patterning process that enables the use of tighter contact enclosure spacing rules

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5844650A (en) * 1994-10-06 1998-12-01 Canon Kabushiki Kaisha Rubbing treating apparatus and rubbing treating method including suction passages to hold masking sheets in place

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6053458B2 (ja) * 1979-10-11 1985-11-26 日本電信電話株式会社 マスク,ウエハの位置合わせ方法
JP2006267595A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Toshiba Corp マスクブランクスとその製造方法及び使用方法、並びにマスクとその製造方法及び使用方法
US20110042874A1 (en) * 2009-08-20 2011-02-24 Nikon Corporation Object processing apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5844650A (en) * 1994-10-06 1998-12-01 Canon Kabushiki Kaisha Rubbing treating apparatus and rubbing treating method including suction passages to hold masking sheets in place

Also Published As

Publication number Publication date
US8871106B2 (en) 2014-10-28
TW201403691A (zh) 2014-01-16
US20140014619A1 (en) 2014-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017013903A1 (ja) メタルマスク基材、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法
KR101671246B1 (ko) 펠리클
WO2008078637A1 (ja) パターン形成方法、および半導体装置の製造方法
TW200715396A (en) Manufacturing method for a semiconductor device
TW200802976A (en) Fine processing method of substrate, manufacturing method of substrate, and light emitting element
US20140113452A1 (en) Wafer edge trimming method
WO2009051087A1 (ja) プラズマ成膜装置
US8580485B2 (en) Method for forming three-dimensional pattern
US20130140274A1 (en) Device for machining a substrate and a method for this purpose
TWI464795B (zh) 局部表面處理的遮罩方法
JP2010276724A5 (zh)
WO2016150043A1 (zh) 一种掩膜板、掩膜曝光设备及掩膜曝光方法
TWI578095B (zh) Dust film components
CN103572342A (zh) 局部表面处理的屏蔽方法
KR20190016005A (ko) 펠리클 프레임 및 펠리클
EP1788615A3 (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP5305012B2 (ja) ワークステージ及びそのワークステージを備えた露光装置
KR20130126465A (ko) 펠리클 프레임
KR101908557B1 (ko) 전자종이 및 전자종이 제조방법
TWM562767U (zh) 薄膜撕離結構
TWI725526B (zh) 在基板邊緣處的層的部分去除
TWI641069B (zh) 整平裝置
JP2011107519A (ja) リソグラフィ用ペリクル
TWI699844B (zh) 貼合結構與貼合方法
TW200632444A (en) Method for printing by printed pattern and production equipment for printing printed pattern

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees