TWI459163B - 偵測處理設備閒置模式之方法及裝置 - Google Patents

偵測處理設備閒置模式之方法及裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI459163B
TWI459163B TW098134184A TW98134184A TWI459163B TW I459163 B TWI459163 B TW I459163B TW 098134184 A TW098134184 A TW 098134184A TW 98134184 A TW98134184 A TW 98134184A TW I459163 B TWI459163 B TW I459163B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adapter
support
message
process chamber
state
Prior art date
Application number
TW098134184A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201024939A (en
Inventor
Ronald Schauer
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of TW201024939A publication Critical patent/TW201024939A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI459163B publication Critical patent/TWI459163B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00Programme-control systems
    • G05B19/02Programme-control systems electric
    • G05B19/418Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41865Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/31From computer integrated manufacturing till monitoring
    • G05B2219/31455Monitor process status
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/34Director, elements to supervisory
    • G05B2219/34306Power down, energy saving
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45031Manufacturing semiconductor wafers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Hardware Redundancy (AREA)
  • Testing And Monitoring For Control Systems (AREA)
  • Supply And Distribution Of Alternating Current (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

偵測處理設備閒置模式之方法及裝置
本發明之實施例大體而言係關於處理設備,且更特定言之係關於一種監視此處理設備之裝置。
在(例如)半導體、平板、光電及其他矽或薄膜處理系統中,可能需要在處理設備處於閒置狀態時以低功率模式來操作該處理設備。舉例而言,可能需要在所有製程腔室處於閒置狀態時,以低功率模式來操作耦接至一或多個製程腔室之削減處理系統(abatement system)或其他設備。在一些系統中,監視晶圓匣之存在或缺乏以用信號通知削減處理系統以低功率模式操作(例如,在晶圓匣不存在時)。然而,此指示器並非為閒置設備之可靠量測,因為該設備可能正操作無晶圓製程,諸如腔室清潔或調節。此外,可(例如)藉由使監視裝置與指示信號斷開而偶然或有意地忽視或矇騙一些監視裝置。
因此,本發明之發明者已提供一種監視處理設備之裝置,其可提供設備閒置且預備以低功率模式操作之可靠指示。
在本文中提供一種偵測半導體處理設備之閒置模式的 方法及裝置。在一些實施例中,一種監視一處理系統之裝置可包括一第一系統配接器,其用於監視一第一製程腔室及確定其一狀態;及一第一支援配接器,其用於與該第一系統配接器及一耦接至該製程腔室之第一支援系統通信,其中該第一支援配接器設以回應處於一閒置模式的該第一製程腔室之該狀態,而將一在一低功率模式下操作該第一支援系統之預備狀態傳達至該支援系統之一控制器。在一些實施例中,該裝置進一步包含一第二系統配接器,其用於監視一第二製程腔室及確定其狀態,其中該第二系統配接器設以與該第一系統配接器通信。
在一些實施例中,該裝置進一步包含一第二系統配接器,其用於監視一第二製程腔室及確定其狀態;及一第二支援配接器,其用於與該第二系統配接器及一耦接至該第二製程腔室之第二支援系統通信,該第二支援配接器設以回應於該第二製程腔室之該狀態,而傳達在低功率模式下操作該第二支援系統之預備狀態。
在一些實施例中,一種在一基板處理系統中保存能量之方法可包括以下步驟:提供一耦接至一第一製程腔室之第一系統配接器;提供一耦接至一第一支援系統之第一支援配接器;在該第一系統配接器與該第一支援配接器之間形成一安全通信鏈路;監視該第一製程腔室與該第一系統配接器以確定其狀態;及回應於處於一閒置模式的該製程腔室之該狀態,而將一在一低功率模式下操 作該支援系統之預備狀態傳達至該支援系統之一控制器。
下文在【實施方式】中提供本發明之發明方法及裝置的其他實施例。
在本文中提供偵測處理設備之閒置模式的方法及裝置。該發明裝置有利地監視複數個指示器以在以低功率模式操作支援設備(諸如削減處理系統)之前證實製程腔室處於閒置狀態。此外,該發明裝置是失效仍安全的(failsafe)以確保削減處理或其他支援系統不以低功率模式不適當地操作。可將該裝置改型裝配於現有處理系統上,其係藉由提供系統配接器以用於確定製程腔室之狀態,及提供支援配接器以用於與該系統配接器通信並用於以低功率模式操作時,指導耦接至該製程腔室之支援系統(例如,削減處理系統)。因此,該發明裝置有助於在閒置處理系統中減少能量消耗。
第1圖描繪示範性處理系統100及用於監視其之裝置101。可與本發明一起利用之示範性處理系統包括設以用於半導體、平板、光電、太陽能、其他矽及薄膜處理及類似處理之彼等處理系統。處理系統100包括耦接至支援系統(諸如削減處理系統108)之製程腔室(諸如半導體製程腔室104)。用於監視處理系統100之裝置101 包括系統配接器102及支援配接器(諸如削減處理配接器106)。系統配接器102耦接至半導體製程腔室104以用於監視該腔室之狀態。舉例而言,系統配接器102可監視一或多個指示器以確定腔室104是否處於閒置狀態。削減處理配接器106耦接至削減處理系統108以用於將信號選擇性提供予削減處理系統108,以便削減處理系統108可在證實腔室104閒置後即以低功率模式操作。如下文所論述,系統配接器102及削減處理配接器106藉由信號傳輸方法(如由105所指示)來通信以確保正確操作。在一些實施例中,系統配接器102及削減處理配接器106可利用系統配接器102與削減處理配接器106之間的失效仍安全的雙程通信協定來通信以確保僅在製程腔室104處於閒置狀態時,削減處理系統108以低功率模式操作。如本文中所使用,失效仍安全係指任何組件(包括系統配接器102或削減處理配接器106之信號傳輸組件)之失效會引起削減處理系統108以正常功率模式運作以避免削減處理系統108之任何偶然(或有意)忽視,此忽視可歸因於削減處理系統108不適當地以低功率模式運作,導致將未經削減處理之流出物(effluent)引入環境中。
製程腔室104可為用於處理基板(諸如半導體基板)之任何適合腔室。舉例而言,製程腔室104可設以用於執行氣相或液相製程。此等氣相製程之非限制性實例可包括乾式化學蝕刻、電漿蝕刻、電漿氧化、電漿氮化、 快速熱氧化、磊晶沈積及類似製程。此等液相製程之非限制性實例可包括濕式化學蝕刻、物理液體沈積及類似製程。示範性製程腔室104可(例如)包括基板支撐件、用於提供一或多種製程氣體之氣體面板,及將該等製程氣體分配於製程腔室中之工具(例如,蓮蓬頭或噴嘴)。該腔室可設以用於提供電容性耦接、電感性耦接或遠端電漿。該腔室可(例如)在設以用於快速熱製程(RTP)或磊晶沈積製程時包括一或多個加熱燈。
在製程腔室104中處理之基板可為在半導體製程腔室中處理之任何適合基板。該基板可包含諸如以下物質之材料:結晶矽(例如,Si<100>或Si<111>)、氧化矽、應變矽、鍺化矽、摻雜或未摻雜多晶矽、摻雜或未摻雜矽晶圓、經圖案化或未經圖案化之晶圓、絕緣物上矽(SOI)、碳摻雜氧化矽、氮化矽、摻雜矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石或類似物。該基板亦可為晶圓,顯示器基板(諸如液晶顯示器(LCD)、電漿顯示器、電致發光(EL)燈顯示器或類似物),太陽能電池陣列基板,發光二極體(LED)基板或類似物。該基板可具有各種尺寸,諸如200mm或300mm直徑之晶圓,以及矩形或正方形面板。
製程腔室104可設以(例如)將材料之層沈積於基板上,以將摻雜劑引入至基板,以蝕刻基板或沈積於基板上之材料,以用其他方式處理基板,或類似處理。沈積於基板上之此等層可包括用於半導體器件(例如,金氧半導體場效電晶體(MOSFET)或快閃記憶體器件)中 之層。此等層可包括含矽層,諸如多晶矽、氮化矽、氧化矽、氧氮化矽、金屬矽化物;或另外,含金屬層,諸如含銅、鎳、金或錫層;或金屬氧化物層,例如,氧化鉿。其他沈積層可包括(例如)犧牲層,諸如蝕刻終止層、光阻層、硬質罩幕層及類似層。
製程腔室104可使用任何適合製程氣體及/或製程氣體混合物(例如)以形成在基板之頂上的層,以自基板移除材料,或另外與暴露於基板上之材料層反應,或類似處理。此等製程氣體可包括含矽氣體,諸如矽烷(SiH4 )、二氯矽烷(Cl2 SiH2 )或類似物;及/或含金屬氣體,諸如有機金屬、金屬鹵化物或類似物。其他製程氣體可包括惰性氣體,諸如氦(He)、氬(Ar)、氮(N2 )或類似物;及/或反應性氣體,諸如含鹵素氣體、氧(O2 )、氟化氫(HF)、氯化氫(HCl)、溴化氫(HBr)或類似物。
因此,任何製程氣體或液體、製程氣體或液體混合物、基板、沈積材料、經移除材料或其組合可包含及/或組合以形成自製程腔室排出之流出物。該等流出物可包括用於處理基板或清潔腔室及/或腔室組件(諸如可重用之製程套組或製程套組遮板)之製程氣體或化學劑的未反應或過量部分。在此等製程中產生之流出物可包括易燃及/或腐蝕性化合物、次微米尺寸之製程殘餘物微粒及氣相晶核材料,及其他有害或環境污染化合物之不同組合物。舉例而言,該流出物可含有含鹵素氣體、全氟化合物(PFC)、氯氟化合物(CFC)、有害空氣產物(HAP)、 揮發性有機化合物(VOC)、全球暖化氣體(GWG)、易燃及毒性氣體及類似物之不同組合物。
來自製程腔室104之流出物(例如,經由氣體或液體排氣系統排出)被導向至削減處理系統108。削減處理系統108操作以將該流出物轉化為環境安全材料。舉例而言,在設以用於氣相製程之製程腔室中,氣態流出物可經由製程腔室之泵埠排出且可自製程腔室流動至削減處理系統108中。
削減處理系統108可為用於接收及處理來自半導體製程腔室(例如,製程腔室104)之流出物之任何適合削減處理系統。削減處理系統108可用以削減處理單一製程腔室或工具,或多個製程腔室及/或工具。削減處理系統108可使用(例如)用於處理流出物之熱、濕式洗滌、乾式洗滌、催化、電漿及/或類似方式,以及用於將流出物轉化為較小毒性形式之製程。削減處理系統108可進一步包括用於處理來自製程腔室104之特定類型之流出物的多個削減處理系統。
示範性削減處理系統(例如)可包括洗滌器、熱反應器(亦即,燃燒反應器)、氫化反應器或類似物中之一或多者。舉例而言,自設以用於蝕刻製程之腔室排出的流出物可包括諸如氯(Cl2 )之鹵素及諸如乙烯(C2 H4 )或丙烯(C3 H6 )之不飽和烴。舉例而言,可最初將流出物注入至氫化反應器中,該氫化反應器可用以將不飽和烴轉化為飽和烴,或將鹵素轉化為含氫氣體。舉例而言, 可將氯(Cl2 )轉化為氫氯酸(HCl),且可將乙烯(C2 H4 )轉化為乙烷(C2 H6 )。
在氫化反應器中處理之流出物可接著流動至洗滌器(諸如液體洗滌器(亦即,水洗滌器)或類似物)中。舉例而言,在水洗滌中,使用諸如經由噴水器或類似物來氣泡形成流出物之方法使流出物與水接觸。可溶於水之一些流出物可由洗滌器移除。舉例而言,諸如HCl之流出物可溶於水中且自流出物流予以移除。
未由洗滌器移除之流出物(例如,飽和烴)可流動至熱反應器(亦即,燃燒反應器)中。或者,在流出物不需要氫化或洗滌之實施例中,流出物可直接自製程腔室流動至熱反應器。示範性熱反應器可(例如)在含氧氣體(諸如氧(O2 ))之氣氛下燃燒諸如飽和烴之流出物,以形成可釋放至環境中之二氧化碳(CO2 )及水(H2 O)。
上文所描述之削減處理系統僅僅為示範性的,且其他削減處理或支援系統可受益於本文中所述之發明方法及裝置。舉例而言,催化削減處理系統可(例如)與洗滌器組合使用。可在流出物流動至催化反應器中之前或之後使用洗滌器以移除流出物之氣態組份或微粒組份,該等組份可損壞反應器或降低催化反應器之有效性。催化反應器可包含催化表面,該催化表面催化一反應,使流出物轉化為環境安全材料或轉化為可藉由(例如)洗滌器或燃燒反應器移除之材料。該催化表面可呈以下形式:由催化材料製成或支撐精細分開之催化劑的結構、 泡沫或團粒(pellet)之床,或催化反應器之壁或組件上的塗層。催化表面可位於(例如)包含陶瓷材料(諸如堇青石、Al2 O3 、碳化矽、氮化矽或類似物)之支撐結構上。
如上文所提及,用於監視半導體處理系統100之裝置101包括可耦接至製程腔室104之系統配接器102及可耦接至削減處理系統108之削減處理配接器106。系統配接器102耦接至削減處理配接器106且如105所指示與其通信。在一些實施例中,裝置101可有利地耦接至現有處理設備(例如,製程腔室104及削減處理系統108),藉此有助於節省能量而無需投入全新之處理及/或削減處理設備。
在第2A圖中,進一步詳細地描繪用於監視半導體處理系統100之裝置101。裝置101包括可藉由信號傳輸方法105通信之系統配接器102及削減處理配接器106。為了起始以低功率模式操作削減處理系統108之證實過程,系統配接器102藉由自製程腔室104監視指示器2021-N 而證實製程腔室104之閒置狀態。指示器2021-N 可包括自壓力感應器、數位輸出、光學感應器、RF發電機、排氣隔離閥、淨化氣源閥或類似物接收之一或多個輸入信號。舉例而言,光學感應器可耦接至用於監視晶圓匣之存在的負荷鎖定腔室。或者或以組合方式,數位輸出可提供信號予電動閥,其中電動閥驅動氣動閥,例如,使氣體面板(未圖示)與製程腔室104隔離之氣動閥。此處,例如,指示器2021-N 可為來自數位輸出之信 號、來自安置於氣體面板與氣動閥之間的壓力感應器之信號,或來自兩者之信號。若壓力感應器欲感應壓力,則製程腔室104可處於操作狀態。其他指示器係可能的,例如,自系統控制器至製程腔室104及/或腔室組件之信號。或者或以組合方式,指示器可包括監視腔室排氣隔離閥(例如,其安置於處理容積與排氣容積(亦即,排氣埠)之間)。若關閉隔離閥,則腔室可處於閒置狀態。其他指示器可包括(例如)控制前級管道淨化氣源之監視閥。淨化氣源可用以淨化將排氣埠連接至泵及/或削減處理系統之排氣前級管道。即使關閉排氣隔離閥,亦可使淨化氣體流動。因此,控制前級管道淨化氣源之監視閥可進一步證實製程腔室之閒置狀態。
指示器2021-N 進入系統配接器102。如第2A圖中所圖示,系統配接器102包括耦接至心跳產生器206及邏輯產生器208之狀態確定系統204。狀態確定系統204可接收並將指示器2021-N 轉換為單一輸出信號,可將該單一輸出信號傳輸至心跳產生器206及邏輯產生器208。由狀態確定系統204產生之輸出信號將製程腔室104之狀態指示為閒置或運作。
狀態確定系統204將指示器2021-N 轉換為單一輸出信號,其中該輸出信號指示製程腔室104預備在低功率下削減處理。在第2B圖中,進一步詳細地圖示狀態確定系統204,且在一些實施例中,其包含用於接收各指示器2021-N 之緩衝器2031-N 及耦接至各緩衝器2031-N 之邏輯 閘205以用於將指示器2021-N 轉換為用於在低功率下削減處理之製程腔室104之預備狀態所指示的單一輸出信號。各緩衝器2031-N 可為用於製造具有適合信號強度或類型之各指示器2021-N 以使得指示器可由邏輯閘205處理之任何適合緩衝器。示範性緩衝器可包括增益放大器、類比數位轉換器或類似物。
在緩衝之後,邏輯閘205接收各指示器2021-N 且將指示器2021-N 轉換為單一輸出信號。邏輯閘205可為任何適合邏輯閘或邏輯閘之組合,該等邏輯閘可用以證實製程腔室104預備在低功率下削減處理。舉例而言且如第2B圖中所圖示,可將邏輯閘205組態為「非或」閘(NOR gate)。以此組態,當所有指示器2021-N 指示製程腔室104閒置時,自邏輯閘205產生用於在低功率下操作削減處理系統108之輸出信號。若至少一個指示器2021-N 不指示腔室104閒置,則自邏輯閘205產生指示腔室仍運作一或多個製程之輸出信號。邏輯閘205有利地提供失效仍安全機構,藉以在信號遺失、斷開或另外不同於預期之情況下,系統配接器102將不向削減處理配接器106信號通知低功率預備狀態。如上文所論述,該邏輯閘可包括設以處理指示器2021-N 之一或多個邏輯閘,例如,設以用於「及(AND)」閘、「或(OR)」閘、「反及(NAND)」閘及類似物之邏輯閘。
回到第2A圖,邏輯閘205所產生之輸出信號由心跳產生器206及邏輯產生器208接收。心跳產生器206可為 (例如)波形產生器或其類似物。心跳產生器206能夠將信號傳輸至削減處理配接器106且自削減處理配接器106接收信號。舉例而言,心跳產生器206可在一或多個頻率及/或一或多個振幅下發送或接收週期信號,諸如方形波、正弦波或類似物。如下文關於第3圖至第4圖所論述,可在預定速率下重複發送週期信號,或根本不發送,從而等待確認系統組態。邏輯產生器208可為(例如)微控制器、微處理器、邏輯狀態機或類似物。邏輯產生器208能夠將訊息傳輸至削減處理配接器106,且自削減處理配接器106接收訊息。此等訊息可包括加密訊息,諸如位元串列訊息或類似物。如下文關於第3圖至第4圖所論述,可在預定速率下重複發送訊息,或根本不發送,從而等待確認系統組態。
心跳產生器206及邏輯產生器208所發送之週期信號及訊息皆由削減處理配接器106接收。如第2A圖中所描繪,削減處理配接器106包括心跳產生器210、邏輯產生器208及削減處理控制系統214。心跳產生器210可將週期信號發送至系統配接器102,且自系統配接器102接收週期信號。舉例而言,心跳產生器210可將週期信號發送至系統配接器102之心跳產生器206,且自系統配接器102之心跳產生器206接收週期信號。邏輯產生器208可將訊息發送至系統配接器102,且自系統配接器102接收訊息。舉例而言,邏輯產生器208可將訊息發送至系統配接器102之邏輯產生器208,且自系統配 接器102之邏輯產生器208接收訊息。心跳產生器210及邏輯產生器208耦接至削減處理控制系統214,其中削減處理控制系統214可用信號通知削減處理系統108可基於自心跳產生器210及邏輯產生器208接收之輸出信號而進入低功率模式。
心跳產生器210及邏輯產生器212分別類似於心跳產生器206及邏輯產生器208。舉例而言,心跳產生器210可在一或多個頻率及/或一或多個振幅下發送或接收週期信號,諸如方形波、正弦波或類似物。如下文關於第3圖至第4圖所論述,可在預定速率下重複發送週期信號,或根本不發送,從而等待確認系統組態。邏輯產生器212可為(例如)微控制器、微處理器、邏輯狀態機或類似物。邏輯產生器212能夠將訊息傳輸至邏輯產生器208,且自邏輯產生器208接收訊息。此等訊息可包括加密訊息,諸如位元串列訊息或類似物。如下文關於第3圖至第4圖所論述,可在預定速率下重複發送訊息,或根本不發送,從而等待確認系統組態。
在第2C圖中,進一步詳細地圖示削減處理控制系統214,且其可包括邏輯閘213及繼電器215或其他輸出開關器件。邏輯閘213可為(例如)所示之「及」閘。然而,可利用用以執行「及」操作之其他適合邏輯閘或邏輯閘之組合。邏輯閘213耦接至繼電器215,且控制其操作。繼電器215可為(例如)適合安全率固態器件,諸如固態繼電器或半導體系之開關、接觸器或類似物。 舉例而言,當由邏輯閘213自心跳產生器210及邏輯產生器212接收之輸出信號證實製程腔室104之閒置狀態時,在繼電器215關閉之情況下,邏輯閘213啟動繼電器215。繼電器215之預設位置可打開,且因此其可藉由啟動繼電器215而關閉。舉例而言,當由邏輯閘213接收之輸出信號中的至少一者不證實製程腔室104之閒置狀態時,邏輯閘213將不啟動繼電器215,且削減處理系統108在全功率下繼續操作。另外,繼電器215之失效將不用信號通知削減處理系統108可進入低功率模式。
回到第2A圖,系統配接器102及削減處理配接器106使用信號傳輸方法105通信。如第2A圖中所圖示,信號傳輸方法105為雙程信號傳輸方法,其中信號行進至系統配接器102及削減處理配接器106且自系統配接器102及削減處理配接器106行進。信號傳輸方法105可包括發送於系統配接器102之心跳產生器206與削減處理配接器106之心跳產生器210之間的週期信號216;及發送於系統配接器102之邏輯產生器208與削減處理配接器106之邏輯產生器212之間的訊息218。
上文所論述之週期信號216可為方形波、正弦波或類似物。可在約1-1000Hz之間的頻率下發送週期信號216。在一些實施例中,週期信號216之頻率可在心跳產生器206與心跳產生器210之間的各次傳遞中變化。舉例而言,心跳產生器206可在第一頻率(例如,1Hz) 下將週期信號216發送至心跳產生器210。接著,心跳產生器210可在同一頻率(亦即,1Hz)下將週期信號216傳回至心跳產生器206。可將上述實例視為週期信號於心跳產生器206與心跳產生器210之間的一次「傳遞」。心跳產生器206在接收自心跳產生器210返回之週期信號216後,即可將週期信號216之頻率調整(例如)至10Hz,且將經調整之週期信號216發送至心跳產生器210。在接收經調整之週期信號216後,心跳產生器210將經調整之週期信號傳回至心跳產生器206。因此,已在心跳產生器206與心跳產生器210之間以10Hz經調整之週期信號完成第二次傳遞。可在心跳產生器之間執行更多次傳遞,從而調整各次傳遞之週期信號216之頻率。心跳產生器之間的週期信號傳輸可提供失效仍安全操作之方式。舉例而言,週期信號隨心跳產生器之間的各次傳遞而調整,因此使得此調整信號難以藉由另一方式來複製。另外,心跳產生器處於雙程通信,且在心跳產生器之間的傳遞調整週期信號。調整週期信號之雙程通信的任何中斷將繼續在全功率下操作削減處理系統108。在一些實施例中,心跳產生器經進一步組態以預期在某一規定間隔下自另一心跳產生器接收信號。因而,一個心跳產生器未能用信號通知下一心跳產生器將防止用信號通知削減處理系統可進入低功率模式。如本文中所論述,在規定時段後,心跳產生器可再次開始傾聽來自鄰近心跳產生器之信號。
上文所論述之訊息218可為加密訊息,諸如位元串列訊息或類似物。在一些實施例中,訊息218可隨邏輯產生器208與邏輯產生器212之間的各次傳遞而變化。舉例而言,邏輯產生器208可將具有字元、數字、符號或類似物之第一加密串的訊息218發送至邏輯產生器212。接著,邏輯產生器212可將第一加密串(亦即,同一訊息)傳回至邏輯產生器208。可將上述實例視為訊息218於邏輯產生器208與邏輯產生器212之間的一次「傳遞」。邏輯產生器208在接收自邏輯產生器212返回之具有第一串之訊息218後,即可將訊息218改變為(例如)具有字元、數字或類似物之第二串,且將第二串發送至邏輯產生器212。在接收第二串後,邏輯產生器212將經調整之週期信號傳回至邏輯產生器208。因此,已在邏輯產生器208與邏輯產生器212之間用第二串完成第二次傳遞。可在邏輯產生器之間執行更多次傳遞,從而調整各次傳遞之訊息218。類似於上文所述之週期信號傳輸,邏輯產生器之間的訊息傳遞可提供失效仍安全操作之方式。舉例而言,訊息218是唯一的且不可能予以複製。另外,訊息218在諸次傳遞之間變化,其在系統配接器102與削減處理配接器106之間提供安全通信之額外方式。另外,變化訊息218之雙程通信的任何中斷將繼續引起在全功率下操作削減處理系統108。
在操作中,指示器2021-N 可由狀態確定系統204監視以確定製程腔室104是否處於閒置狀態。若任何一個指 示器202用信號通知系統並非閒置,則不可自狀態確定系統204產生輸出信號,或替代地,可產生指示製程腔室104並非處於閒置狀態之輸出信號且將其發送至心跳產生器206及邏輯產生器208。因此,心跳產生器206及邏輯產生器208不可將任何週期信號216或訊息218傳達至削減處理配接器106,或替代地,可在系統配接器與削減處理配接器之間連續地通信同一(亦即,未變化之)週期信號216及訊息218作為保持系統配接器102與削減處理配接器106之間的通信鏈路之方式。舉例而言,作為失效仍安全操作之方式,若欲停用通信鏈路,則削減處理系統108將繼續在全功率下操作。
舉例而言,若由狀態確定系統204監視之指示器2021-N 證實製程腔室104處於閒置狀態,則自狀態確定系統204產生輸出信號且將其發送至心跳產生器206及邏輯產生器208。心跳產生器206及邏輯產生器208接著藉由發送第一週期信號及第一訊息,或替代地,發送新週期信號(例如,在不同頻率下)及新訊息(例如,不同訊息)而與削減處理配接器106之相應心跳產生器210及邏輯產生器212通信。舉例而言,第一週期信號及第一訊息向削減處理配接器指示製程腔室閒置且預備以低功率模式削減處理。心跳產生器210及邏輯產生器212將第一週期信號及第一訊息傳達回至心跳產生器206及邏輯產生器208,從而證實已接收第一週期信號及第一訊息。因此,如上文所論述,已使用第一週期信號及第一訊息 完成第一次傳遞。
在接收返回之第一週期信號及第一訊息後,心跳產生器206及邏輯產生器208接著將第二週期信號及第二訊息發送至心跳產生器210及邏輯產生器212。第二週期信號及第二訊息不同於第一週期信號及第一訊息。舉例而言,第二週期信號可具有不同頻率且第二訊息可為不同訊息。削減處理配接器106之心跳產生器210及邏輯產生器212接收第二週期信號及第二訊息,且將兩者發回至系統配接器102,因此完成第二次傳遞。可在系統配接器102與削減處理配接器106之間執行多次傳遞,各次傳遞具有與上述傳遞不同之週期信號及不同之訊息。在一些實施例中,各連續週期信號可比上述信號處於更高頻率。在一些實施例中,在系統配接器102與削減處理配接器106之間傳遞的各連續訊息可在內容、電壓位準、位元速率或其組合上改變(例如)以便排除邏輯功能因臨時方式失敗。在一些實施例中,各連續配接器(例如,系統配接器102及削減處理配接器106)可於訊息內之改變或添加位元欄位以便指示主動及相容器件(例如,系統配接器102或削減處理配接器106中之任一者)已讀取傳入訊息且在再傳輸其之前確認其有效性。在一些實施例中,可利用改變訊息之以上技術以達額外功能,諸如用於根據連接至其(例如,系統配接器102或削減處理配接器106中之另一者)之接收器件或削減處理設備之身分或狀態,將反饋提供予訊息發起者 (例如,系統配接器102或削減處理配接器106中之一者)。
在變化週期信號及變化訊息於系統配接器102與削減處理配接器106之間的足夠數量之傳遞後,系統配接器102已向削減處理配接器106傳達製程腔室104處於閒置狀態且預備低功率削減處理。在一些實施例中,可將足夠數量之傳遞界定為約一次,或介於約1次至約100次之間,或100次以上。在一些實施例中,足夠數量之傳遞為約50次。接著,心跳產生器210及邏輯產生器212用信號通知削減處理控制系統214可以較低功率模式操作削減處理系統108。作為失效仍安全操作之另一方式,心跳產生器210與邏輯產生器212必須認定製程腔室104處於閒置狀態,以用信號通知削減處理系統108以較低功率模式操作。因此,削減處理控制系統214之邏輯閘213將僅在其接收來自心跳產生器210與邏輯產生器212之證實信號時關閉繼電器215。在接收來自各產生器之證實信號後,繼電器215關閉且用信號通知削減處理系統108可將其切換為低功率模式。
削減處理系統108可以低功率模式操作,其限制條件為指示器2021-N 指示製程腔室104處於閒置狀態。若至少一個指示器202改變或被斷開,則削減處理系統108將恢復在全功率下之削減處理。若系統配接器102與削減處理配接器106之間的通信鏈路斷開,或心跳產生器或邏輯產生器之間的雙程通信中之至少一者斷開及/或 中斷,則削減處理系統108將恢復在全功率下之削減處理。另外,若對於製程腔室、製程腔室組件、系統配接器、削減處理配接器或設以與處理系統100一起操作之任何器件而言,功率中斷(例如,斷開),則削減處理系統108將恢復在全功率下之操作。因此,若干冗餘的失效仍安全機構包括在裝置101中以用於在可證實製程腔室104處於閒置狀態時以較低功率模式操作削減處理系統108。
如下文在第3圖及第4圖中所述,本文中所述之發明裝置可與具有耦接至一個削減處理系統之兩個或兩個以上製程腔室,或耦接至兩個或兩個以上削減處理系統之兩個或兩個以上製程腔室的半導體處理系統一起利用。舉例而言且如第3圖中所圖示,裝置300可用於監視包含第一製程腔室302、第二製程腔室304及削減處理系統306之半導體處理系統,其中各製程腔室耦接至削減處理系統306以用於向其將流出物排出。製程腔室302、304及削減處理系統306可為如上文所述之製程腔室或削減處理系統的任何適合組態。
裝置300包括用於監視第一製程腔室302之狀態的第一系統配接器308及用於監視第二製程腔室304之狀態的第二系統配接器310。第一系統配接器308及第二系統配接器310設以與削減處理配接器312通信,其中削減處理配接器312耦接至削減處理系統306且設以回應於製程腔室之狀態而傳達在低功率模式下操作削減處理 系統之預備狀態。第一系統配接器308、第二系統配接器310及削減處理配接器312藉由信號傳輸方法313通信。
第一系統配接器308可類似於上文所論述之系統配接器102的實施例。因而,第一系統配接器308包括耦接至心跳產生器318及邏輯產生器320之狀態確定系統316。狀態確定系統316可接收來自第一製程腔室302之一或多個指示器3141-N 並將其轉換為單一輸出信號,該單一輸出信號可傳輸至心跳產生器318與邏輯產生器320。由狀態確定系統316產生之輸出信號將第一製程腔室302之狀態指示為閒置或運作。另外,狀態確定系統316、心跳產生器318及邏輯產生器320可類似於上文關於第2A圖至第2B圖所述之彼等器件。舉例而言,心跳產生器318可發送及接收週期信號,且邏輯產生器320可發送及接收加密訊息。
第二系統配接器310可類似於上文所論述之系統配接器102的實施例。因而,第二系統配接器310包括耦接至心跳產生器326及邏輯產生器328之狀態確定系統324。狀態確定系統324可接收來自第二製程腔室304之一或多個指示器3221-N 並將其轉換為單一輸出信號,該單一輸出信號可傳輸至心跳產生器326與邏輯產生器328。由狀態確定系統324產生之輸出信號將第二製程腔室304之狀態指示為閒置或運作。另外,狀態確定系統324、心跳產生器326及邏輯產生器328可類似於上文關 於第2A圖至第2B圖所述之彼等器件。舉例而言,如上文所論述,心跳產生器326可發送及接收週期信號,且邏輯產生器328可發送及接收加密訊息。
削減處理配接器312可類似於上文關於第2A圖及第2C圖所論述之削減處理配接器106的實施例。因而,削減處理配接器312包括心跳產生器330、邏輯產生器332及削減處理控制系統334。心跳產生器330及邏輯產生器332耦接至削減處理控制系統334,其中削減處理控制系統334可基於自心跳產生器330及邏輯產生器332接收之輸出信號而將削減處理系統306切換為低功率模式。另外,削減處理控制系統334、心跳產生器332及邏輯產生器334可類似於上文關於第2A圖及第2C圖所述之彼等器件。舉例而言,如上文所論述,心跳產生器330可發送及接收週期信號,且邏輯產生器332可發送及接收加密訊息。
信號傳輸方法313可大體上類似於信號傳輸方法105。信號傳輸方法313可包括週期信號315與訊息317於裝置300之配接器之間的通信。然而,與系統配接器102與削減處理配接器106之間的雙程信號傳輸相反,信號傳輸方法313包括循環或「向前傳遞(pass it along)」信號傳輸機制。舉例而言,可在第一系統配接器308處產生週期信號315或訊息317且接著將其傳遞至削減處理配接器312。可接著自削減處理配接器312將週期信號315或訊息317傳遞至第二系統配接器310且最終傳 回至第一系統配接器308。因而,如第3圖中所圖示,信號傳輸方法313經由裝置300之配接器以順時針方向運動前進。然而,該順時針方向運動僅僅為說明性的,且信號傳輸方法之其他組態係可能的。舉例而言,週期信號315或訊息317可起源於第二系統配接器310處。可將週期信號315或訊息317自第二系統配接器310向前傳遞至第一系統配接器308(亦即,呈順時針方向運動),或替代地,向前傳遞至削減處理配接器312(亦即,呈逆時針方向運動)。因此,週期信號315及訊息317可起源於第一系統配接器或第二系統配接器中之任一者處,其指示第一製程腔室或第二製程腔室中之任一者閒置且預備以低功率模式削減處理。作為失效仍安全操作之方式,裝置300將用信號通知削減處理系統306僅在第一製程腔室及第二製程腔室皆處於閒置狀態時以低功率模式操作。
在操作中且在一示範性組態中,指示器3141-N 可由第一系統配接器308之狀態確定系統316監視。如上文所論述,若指示器3141-N 證實第一製程腔室302處於閒置狀態,則狀態確定系統316將輸出信號發送至心跳產生器318及邏輯產生器320以起始週期信號315及訊息317,或替代地,調整現有週期信號及訊息。舉例而言,心跳產生器318可將週期信號315調整至較高頻率(例如,自1Hz至10Hz),且邏輯產生器320可改變訊息317,其中經調整之週期信號及新訊息指示第一製程腔室 302處於閒置狀態且預備在低功率下削減處理。
將經調整之週期信號及新訊息自第一系統配接器308傳遞至削減處理配接器312之相應心跳產生器330及邏輯產生器332。削減處理配接器312接收經調整之週期信號及新訊息且經由心跳產生器330及邏輯產生器332而將經調整之週期信號及新訊息再傳輸至第二系統配接器310之相應心跳產生器326及邏輯產生器328。若指示器3221-N 指示第二製程腔室處於閒置狀態且預備在低功率下削減處理,則心跳產生器326及邏輯產生器328將經調整之週期信號及新訊息再傳回至第一系統配接器308。因此,向第一系統配接器308傳達第二製程腔室302亦處於閒置狀態且預備在低功率下削減處理。
然而,若第二製程腔室304並非處於閒置狀態,則第二系統配接器310不將經調整之週期信號及新訊息再傳輸至第一系統配接器308。在此等實施例中,第二系統配接器310可繼續傳輸原始週期信號(亦即,在1Hz下)及原始訊息,或替代地,可不將任何週期信號及訊息傳輸至第一系統配接器308,以作為用信號通知第二製程腔室304仍運作且未預備在低功率下削減處理之方式。當第一系統配接器308接收與所發送之經調整之週期信號及新訊息相反的原始週期信號及原始訊息時,第一系統配接器308可繼續發送經調整之週期信號及新訊息直至第一系統配接器308接收來自第二系統配接器310之經調整之週期信號及新訊息,其指示第二製程腔室304 處於閒置狀態且預備在低功率下削減處理。
在一些實施例中,在第二製程腔室304處於閒置狀態且預備在低功率下削減處理之情況下,則第二系統配接器310將經調整之週期信號及新訊息再傳輸至第一系統配接器308,經調整之週期信號及新訊息起源於第一系統配接器308。因此,如上文所論述,經調整之週期信號及新訊息已繞裝置300之配接器進行一次「傳遞」。在接收證實第二製程腔室304亦處於閒置狀態之經調整之週期信號及新訊息後,第一系統配接器308即(例如)在20Hz之頻率下將第二經調整之週期信號及第二新訊息傳輸至削減處理配接器312。在用第二經調整之週期信號及第二新訊息完成第二次傳遞後,第一系統配接器308即傳輸第三經調整之週期信號及第三新訊息。第一系統配接器308繼續隨各次成功之傳遞傳輸新調整之週期信號及新訊息直至削減處理配接器312已證實第一製程腔室及第二製程腔室皆處於閒置狀態且預備在低功率下削減處理。當已進行證實時,削減處理配接器312之心跳產生器330及邏輯產生器332將輸出信號傳輸至削減處理控制系統334以用信號通知削減處理系統306可以低功率模式操作。
如上文所論述,裝置300之配接器之間的通信迴路之任何中斷、功率損失、第一製程腔室或第二製程腔室中之任一者上指示器之斷開均將使削減處理系統306恢復在全功率下之操作。
本文中所述之發明裝置可與具有複數個製程腔室及複數個削減處理或支援系統之半導體或其他處理系統一起利用。舉例而言且如第4圖中所圖示,裝置400可用於監視包含第一製程腔室402、第二製程腔室404、第一削減處理系統406及第二削減處理系統408之半導體處理系統。舉例而言,在一些實施例中,第一製程腔室及第二製程腔室可將流出物排出至第一削減處理系統或第二削減處理系統中之任一者或兩者。第一製程腔室402、第二製程腔室404及第一削減處理系統406、第二削減處理系統408可為上文所述之製程腔室或削減處理系統之任何適合組態。
裝置400包括用於監視第一製程腔室402之狀態的第一系統配接器410及用於監視第二製程腔室404之狀態的第二系統配接器412。第一系統配接器410及第二系統配接器412設以與第一削減處理配接器414及第二削減處理配接器416通信,其中第一削減處理配接器414耦接至第一削減處理系統406且第二削減處理配接器416耦接至第二削減處理系統408。第一削減處理配接器及第二削減處理配接器可設以回應於製程腔室之狀態而傳達以低功率模式操作第一削減處理系統406及第二削減處理系統408之預備狀態。第一系統配接器410、第二系統配接器412、第一削減處理配接器414及第二削減處理配接器416藉由信號傳輸方法445通信。信號傳輸方法445包括在裝置400之配接器之間傳遞週期信號 446及訊息448。
第一系統配接器410及第二系統配接器412可類似於上文所論述之任何系統配接器的實施例。因而,第一系統配接器410包括耦接至心跳產生器422及邏輯產生器424之狀態確定系統420。狀態確定系統420可接收來自第一製程腔室402之一或多個指示器4181-N 並將其轉換為單一輸出信號,該單一輸出信號可傳輸至心跳產生器422及邏輯產生器424。由狀態確定系統420產生之輸出信號將第一製程腔室402之狀態指示為閒置或運作。類似地,第二系統配接器412包括耦接至心跳產生器430及邏輯產生器432之狀態確定系統428。狀態確定系統428可接收來自第二製程腔室404之一或多個指示器4261-N 並將其轉換為單一輸出信號,該單一輸出信號可傳輸至心跳產生器430與邏輯產生器432。由狀態確定系統428產生之輸出信號將第二製程腔室404之狀態指示為閒置或運作。此外,狀態確定系統420、428、心跳產生器422、430及邏輯產生器424、432可類似於上文關於第2A圖至第2B圖所述之彼等器件。舉例而言,各心跳產生器可發送及接收週期信號,且各邏輯產生器可發送及接收加密訊息。
第一削減處理配接器414及第二削減處理配接器416可類似於上文所論述之任何削減處理配接器的實施例。因而,第一削減處理配接器414包括心跳產生器434、邏輯產生器436及削減處理控制系統438。心跳產生器 434及邏輯產生器436耦接至削減處理控制系統438,其中削減處理控制系統438可基於自心跳產生器434及邏輯產生器436接收之輸出信號而將削減處理系統406切換為低功率模式。類似地,第二削減處理配接器416包括心跳產生器440、邏輯產生器442及削減處理控制系統444。心跳產生器440及邏輯產生器442耦接至削減處理控制系統444,其中削減處理控制系統444可基於自心跳產生器440及邏輯產生器442接收之輸出信號而將削減處理系統408切換為低功率模式。此外,削減處理削減處理控制系統438、444、心跳產生器434、440及邏輯產生器436、442可類似於上文關於第2A圖及第2C圖所述之彼等裝置。舉例而言,如上文所論述,各心跳產生器可發送及接收週期信號,且各邏輯產生器可發送及接收加密訊息。
信號傳輸方法445可大體上類似於信號傳輸方法313。信號傳輸方法445可包括週期信號446與訊息448於設備400之配接器之間的通信。信號傳輸方法445包括循環或「向前傳遞」信號傳輸機制。舉例而言,可在第一系統配接器410處產生週期信號446或訊息448且接著將其傳遞至第一削減處理配接器414。可接著自第一削減處理配接器414將週期信號446或訊息448傳遞至第二削減處理配接器416。可自第二削減處理配接器416將週期信號446或訊息448傳遞至第二系統配接器412且最終傳回至第一系統配接器410。因而,如第4圖 中所圖示,信號傳輸方法445經由裝置400之配接器以順時針方向運動前進。然而,如上文關於第3圖所論述,此順時針方向運動僅僅為說明性的,且信號傳輸方法之其他組態係可能的。舉例而言,週期信號446或訊息448可起源於第二系統配接器412處。可將週期信號446或訊息448自第二系統配接器412向前傳遞至第一系統配接器410(亦即,以順時針方向運動),或替代地,向前傳遞至第二削減處理配接器416(亦即,以逆時針方向運動)。因此,週期信號446及訊息448可起源於第一系統配接器或第二系統配接器中之任一者處,其指示第一製程腔室或第二製程腔室中之任一者閒置且預備以低功率模式削減處理。作為失效仍安全操作之方式,裝置400將用信號通知第一削減處理系統406及第二削減處理系統408僅在第一製程腔室與第二製程腔室皆處於閒置狀態時可以低功率模式操作。
在操作中且在一示範性組態中,指示器4181-N 可由第一系統配接器410之狀態確定系統420監視。如上文所論述,若指示器4181-N 證實第一製程腔室402處於閒置狀態,則狀態確定系統420將輸出信號發送至心跳產生器422及邏輯產生器424以起始週期信號446及訊息448,或替代地,調整現有週期信號及訊息。舉例而言,心跳產生器422可將週期信號445調整至較高頻率(例如,自1Hz至10Hz),且邏輯產生器424可改變訊息448,其中經調整之週期信號及新訊息指示第一製程腔室 402處於閒置狀態且預備在低功率下削減處理。
如第4圖中所描繪,可繞裝置400之配接器以順時針方向運動傳輸經調整之週期信號及新訊息。類似於信號傳輸方法313,經調整之週期信號及新訊息之一次「傳遞」由各配接器所傳輸及/或接收且傳回至配接器(亦即,第一系統配接器410)的經調整之週期信號及新訊息組成,其中經調整之週期信號及新訊息起源於該配接器(亦即,第一系統配接器410)處。舉例而言且如上文所論述,若第二製程腔室412不處於閒置狀態,則將不允許經調整之信號及新訊息完成一次傳遞。
當經調整之週期信號及新訊息完成一次傳遞時,經調整之週期信號及新訊息所起源之配接器可藉由發送第二經調整之週期信號及第二新訊息而作出回應。隨各次成功之傳遞,起源配接器(亦即,第一系統配接器410)可調整週期信號且改變訊息直至第一削減處理配接器414及第二削減處理配接器416已證實第一製程腔室402與第二製程腔室404皆處於閒置狀態且預備以低功率削減。如上文所論述,在證實後,第一削減處理配接器414及第二削減處理配接器416即將第一削減處理系統406及第二削減處理系統408切換為低功率模式。
如上文所論述,裝置400之配接器之間的通信迴路之任何中斷、功率損失、第一製程腔室或第二製程腔室中之任一者上指示器之斷開將使削減處理系統406、408恢復在全功率下之操作。
本文中所述之發明裝置可與具有任何所要數量之製程腔室及削減處理系統的任何適合半導體處理系統一起利用。因而,該發明裝置可在處理系統可需要時包括任何適當數量之系統配接器及削減處理配接器。如上文所述,系統配接器及削減處理配接器可設以將週期信號及訊息「傳遞」至發明裝置之各配接器,以使得各削減處理配接器可在各系統配接器已證實各製程腔室處於閒置狀態且預備在低功率下削減處理時,以低功率模式操作各削減處理系統。
如上文所述,發明方法及裝置亦可用以控制額外支援設備,諸如與處理設備相關聯之其他能量消耗設備。此支援設備之非限制以下實例,包括:渦輪泵、低真空泵、淨化氣體供應、製程水冷卻器、設施冷卻水迴路、腔室冷卻迴路、熱交換器以及其他設備。此等設備亦可在晶圓處理閒置時間期間在切換至低能量模式時產生顯著能量節省。該發明裝置亦由於其模組及可縮放設計而尤其有利地適於控制除控制削減處理設備之外的此等器件。
另外,發明方法及裝置無需限於半導體設備,且可與廣泛範圍之設備一起利用。舉例而言,該發明裝置可對發電設備、化學處理設備、精煉廠及類似設備上之削減處理及支援設備作改型裝配。該發明裝置可有利地比通常用於上述應用中之習知電壓或電流迴路聯鎖裝置更穩固、安全且更容易擴展。
因此,在本文中已提供用於監視半導體製程腔室之方 法及裝置。該發明裝置有利地監視複數個指示器以在以低功率模式操作削減處理系統之前證實製程腔室事實上處於閒置狀態。另外,該發明裝置包括失效仍安全機構,以使得在任何指示器、系統與削減處理配接器之間的通信鏈路、系統功率或類似物斷開之情況下,削減處理系統將恢復在全功率下之操作。
儘管上述內容針對本發明之實施例,但可在不脫離本發明之基本範疇之情況下設計本發明之其他及另外的實施例。
100‧‧‧半導體處理系統/處理系統
101‧‧‧裝置
102‧‧‧系統配接器
104‧‧‧半導體製程腔室
105‧‧‧信號傳輸方法
106‧‧‧削減處理配接器
108‧‧‧削減處理系統
2021-N ‧‧‧監視指示器
2031-N ‧‧‧緩衝器
204‧‧‧狀態確定系統
205‧‧‧邏輯閘
206‧‧‧心跳產生器
208‧‧‧邏輯產生器
210‧‧‧心跳產生器
212‧‧‧邏輯產生器
213‧‧‧邏輯閘
214‧‧‧削減處理控制系統
215‧‧‧繼電器
216‧‧‧週期信號
218‧‧‧訊息
300‧‧‧裝置
302‧‧‧第一製程腔室
304‧‧‧第二製程腔室
306‧‧‧削減處理系統
308‧‧‧第一系統配接器
310‧‧‧第二系統配接器
312‧‧‧削減處理配接器
313‧‧‧信號傳輸方法
3141-N ‧‧‧指示器
315‧‧‧週期信號
316‧‧‧狀態確定系統
317‧‧‧訊息
318‧‧‧心跳產生器
320‧‧‧邏輯產生器
3221-N ‧‧‧指示器
324‧‧‧狀態確定系統
326‧‧‧心跳產生器
328‧‧‧邏輯產生器
330‧‧‧心跳產生器
332‧‧‧邏輯產生器
334‧‧‧削減處理控制系統
400‧‧‧裝置
402‧‧‧第一製程腔室
404‧‧‧第二製程腔室
406‧‧‧第一削減處理系統
408‧‧‧第二削減處理系統
410‧‧‧第一系統配接器
412‧‧‧第二系統配接器
414‧‧‧第一削減處理配接器
416‧‧‧第二削減處理配接器
4181-N ‧‧‧指示器
420‧‧‧狀態確定系統
422‧‧‧心跳產生器
424‧‧‧邏輯產生器
4261-N ‧‧‧指示器
428‧‧‧狀態確定系統
430‧‧‧心跳產生器
432‧‧‧邏輯產生器
434‧‧‧心跳產生器
436‧‧‧邏輯產生器
438‧‧‧削減處理控制系統
440‧‧‧心跳產生器
442‧‧‧邏輯產生器
444‧‧‧削減處理控制系統
446‧‧‧週期信號
448‧‧‧訊息
因此,可詳細理解本發明之上述特徵之方式,即對上文簡要概述之本發明的更特定描述可參照實施例進行,一些實施例圖示於附加圖式中。然而,應注意,附加圖式僅圖示本發明之典型實施例,且因此不欲視為其範疇之限制,因為本發明可以允許其他同等有效之實施例。
第1圖描繪根據本發明之一些實施例使用之半導體處理系統。
第2A圖至第2C圖描繪用於監視根據本發明之一些實施例之半導體處理系統的裝置。
第3圖描繪用於監視根據本發明之一些實施例之半導體處理系統的裝置。
第4圖描繪用於監視根據本發明之一些實施例之半導 體處理系統的裝置。
為清楚起見,圖式已簡化且未按比例繪製。為便於理解,已在可能情況下使用相同元件符號以指定為圖式所共用之相同元件。預期一個實施例之一些元件可有益地併入其他實施例中。
100‧‧‧半導體處理系統
101‧‧‧裝置
102‧‧‧系統配接器
104‧‧‧半導體製程腔室
105‧‧‧信號傳輸方法
106‧‧‧削減處理配接器
108‧‧‧削減處理系統

Claims (22)

  1. 一種用於監視一基板處理系統之裝置,其包含:一第一系統配接器,其用於監視一第一製程腔室及確定該第一製程腔室的一狀態;及一第一支援配接器,其用於與該第一系統配接器及耦接至該第一製程腔室之一第一支援系統通信,該支援配接器設以回應處於一閒置模式的該製程腔室之該狀態,而將在一低功率模式下操作該支援系統之一預備狀態傳達至該支援系統之一控制器;其中該第一系統配接器設以藉由在一所要頻率下將一週期信號發送至該第一支援配接器,且藉由將一訊息發送至該第一支援配接器,而將該第一製程腔室之該狀態傳達至該第一支援配接器;並且其中該第一支援配接器設以藉由在該所要頻率下將該週期信號再傳輸至該第一支援配接器,且藉由將該訊息再傳輸至該第一支援配接器,而將在該低功率模式下操作該第一支援系統之該預備狀態傳達至該第一系統配接器。
  2. 如請求項1所述之裝置,其中該第一支援系統為一削減處理系統。
  3. 如請求項1所述之裝置,其中該第一系統配接器進一步包含: 一狀態確定系統,其用於接收來自該第一製程腔室之一或多個指示信號且將該一或多個指示信號轉換為一單一輸出信號。
  4. 如請求項3所述之裝置,其中該單一輸出信號指示該第一製程腔室之一閒置或操作狀態。
  5. 如請求項4所述之裝置,其中該單一輸出信號指示在該一或多個指示信號中之全部指示信號皆指示該第一製程腔室處於一閒置狀態時在一低功率模式下操作該支援系統之預備狀態。
  6. 如請求項3所述之裝置,其中該第一系統配接器進一步包含:一第一波形產生器,其耦接至該狀態確定系統且能夠發送及接收一週期信號;及一第一邏輯產生器,其耦接至該狀態確定系統且能夠發送及接收一訊息。
  7. 如請求項6所述之裝置,其中該支援配接器進一步包含:一第二波形產生器,其能夠接收及再傳輸該週期信號;及一第二邏輯產生器,其能夠接收及再傳輸該訊息。
  8. 如請求項7所述之裝置,其中該支援配接器進一步包含:一控制系統,其耦接至該第二波形產生器及該第二邏輯產生器,以用於用信號通知(signaling)該支援系統以一低功率模式操作。
  9. 如請求項7所述之裝置,其中在該第一製程腔室確定為處於一操作狀態時,無週期信號及無訊息由該系統配接器發送至該支援配接器。
  10. 如請求項7所述之裝置,其中在該第一製程腔室確定為處於一操作狀態時,在該系統配接器與該支援配接器之間中繼該相同週期信號及該相同訊息。
  11. 如請求項7所述之裝置,其中一第一週期信號及一第一訊息由該系統配接器發送至該支援配接器,且其中該第一週期信號及該第一訊息由該支援配接器再傳輸至該系統配接器。
  12. 如請求項11所述之裝置,其中在該第一製程腔室已確定為處於一閒置狀態時,在接收該經再傳輸之第一週期信號及該經再傳輸之第一訊息後,該系統配接器立即發送不同於該第一週期信號及第一訊息之一第二週期信 號及一第二訊息。
  13. 如請求項1所述之裝置,其進一步包含:一第二系統配接器,其用於監視一第二製程腔室及確定該第二製程腔室的一狀態,其中該第二系統配接器設以與該第一系統配接器通信。
  14. 如請求項13所述之裝置,其中該第二系統配接器設以與該第一支援配接器通信。
  15. 如請求項14所述之裝置,其中在該第一製程腔室與該第二製程腔室皆確定為處於一閒置狀態時,該第一支援配接器用信號通知該支援系統以一低功率模式操作。
  16. 如請求項1所述之裝置,其進一步包含:一第二系統配接器,其用於監視一第二製程腔室及確定該第二製程腔室的一狀態;及一第二支援配接器,其用於與該第二系統配接器及耦接至該第二製程腔室之一第二支援系統通信,該第二支援配接器設以回應於該第二製程腔室之該狀態而傳達在一低功率模式下操作該第二支援系統之一預備狀態。
  17. 如請求項16所述之裝置,其中該第二系統配接器設以與該第一系統配接器通信。
  18. 如請求項16所述之裝置,其中該第二支援配接器設以與該第一支援配接器通信。
  19. 如請求項16所述之裝置,其中該第二支援系統為一削減處理系統。
  20. 如請求項16所述之裝置,其中在該第一製程腔室及該第二製程腔室皆確定為處於一閒置狀態時,該第一支援配接器及該第二支援配接器用信號通知該第一支援系統及該第二支援系統以一低功率模式操作。
  21. 一種用於監視一基板處理系統之裝置,其包含:一第一系統配接器,用於監視一第一製程腔室及確定該第一製程腔室的一狀態,其中該第一系統配接器包括:一狀態確定系統,其用於接收來自該第一製程腔室之一或多個指示信號且將該一或多個指示信號轉換為一單一輸出信號;一第一波形產生器,其耦接至該狀態確定系統且能夠發送及接收一週期信號;以及一第一邏輯產生器,其耦接至該狀態確定系統且能夠發送及接收一訊息;及一第一支援配接器,其用於與該第一系統配接器及耦接至該第一製程腔室之一第一支援系統通信,該支援配接器設以回應處於一閒置模式的該製程腔室之該狀 態,而將在一低功率模式下操作該支援系統之一預備狀態傳達至該支援系統之一控制器,其中該支援配接器包括:一第二波形產生器,其能夠接收與再傳輸該週期信號;以及一第二邏輯產生器,其能夠接收與再傳輸該訊息;其中該裝置具備下述特徵之其中一者:(a)在該第一製程腔室確定為處於一操作狀態時,無週期信號及無訊息由該系統配接器發送至該支援配接器;或(b)在該第一製程腔室確定為處於一操作狀態時,在該系統配接器與該支援配接器之間中繼該相同週期信號及該相同訊息。
  22. 一種用於監視一基板處理系統之裝置,其包含:一第一系統配接器,用於監視一第一製程腔室及確定該第一製程腔室的一狀態,其中該第一系統配接器包括:一狀態確定系統,其用於接收來自該第一製程腔室之一或多個指示信號且將該一或多個指示信號轉換為一單一輸出信號;一第一波形產生器,其耦接至該狀態確定系統且能夠發送及接收一週期信號;以及一第一邏輯產生器,其耦接至該狀態確定系統且能夠發送及接收一訊息;及一第一支援配接器,其用於與該第一系統配接器及耦接至該第一製程腔室之一第一支援系統通信,該支援配接器設以回應處於一閒置模式的該製程腔室之該狀 態,而將在一低功率模式下操作該支援系統之一預備狀態傳達至該支援系統之一控制器,其中該支援配接器包括:一第二波形產生器,其能夠接收與再傳輸該週期信號;以及一第二邏輯產生器,其能夠接收與再傳輸該訊息;其中一第一週期信號及一第一訊息由該系統配接器發送至該支援配接器,且其中該第一週期信號及該第一訊息由該支援配接器再傳輸至該系統配接器;並且其中當該第一製程腔室已確定為處於一閒置狀態時,在接收該經再傳輸之第一週期信號及該經再傳輸之第一訊息後,該系統配接器立即發送不同於該第一週期信號及第一訊息之一第二週期信號及一第二訊息。
TW098134184A 2008-10-08 2009-10-08 偵測處理設備閒置模式之方法及裝置 TWI459163B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10391208P 2008-10-08 2008-10-08
US12/574,731 US8539257B2 (en) 2008-10-08 2009-10-07 Method and apparatus for detecting an idle mode of processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201024939A TW201024939A (en) 2010-07-01
TWI459163B true TWI459163B (zh) 2014-11-01

Family

ID=42101194

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103126611A TWI618996B (zh) 2008-10-08 2009-10-08 偵測處理設備閒置模式之方法及裝置
TW098134184A TWI459163B (zh) 2008-10-08 2009-10-08 偵測處理設備閒置模式之方法及裝置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103126611A TWI618996B (zh) 2008-10-08 2009-10-08 偵測處理設備閒置模式之方法及裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8539257B2 (zh)
KR (2) KR101683657B1 (zh)
CN (1) CN102177576B (zh)
TW (2) TWI618996B (zh)
WO (1) WO2010042660A2 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8135560B2 (en) * 2009-01-30 2012-03-13 Applied Materials, Inc. Sensor system for semiconductor manufacturing apparatus
US9740184B2 (en) * 2009-11-16 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Controls interface solution for energy savings
JP4775516B1 (ja) 2011-03-14 2011-09-21 オムロン株式会社 制御装置、制御方法、プログラム、記録媒体
GB2490487A (en) * 2011-04-27 2012-11-07 Edwards Ltd Apparatus And Method For Self-Tuning A Processing System
JP5888019B2 (ja) * 2011-12-12 2016-03-16 オムロン株式会社 制御装置、制御方法、プログラムおよび記録媒体
US9411341B2 (en) * 2012-05-24 2016-08-09 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Vacuum pump controller
US9740182B2 (en) * 2012-06-08 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Integrated controller solution for monitoring and controlling manufacturing equipment
WO2016182648A1 (en) 2015-05-08 2016-11-17 Applied Materials, Inc. Method for controlling a processing system
AT521134B1 (de) * 2018-04-20 2019-11-15 Engel Austria Gmbh Industrieanlage
WO2020180470A1 (en) 2019-03-01 2020-09-10 Applied Materials, Inc. Transparent wafer center finder
WO2021119640A1 (en) * 2019-12-13 2021-06-17 Lindsey Firesense, Llc System and method for debris detection and integrity validation for right-of-way based infrastructure

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0908805A1 (en) * 1995-04-05 1999-04-14 Dayton T. Brown, Inc. Method and apparatus for performing pre-emptive maintenance on operating equipment
US20040069752A1 (en) * 2002-10-09 2004-04-15 Ulrich James F. Method and apparatus of coordinating operating modes of a plasma cutter and a power supply
CN1811628A (zh) * 1997-07-15 2006-08-02 株式会社特尔弗 设备管理系统及设备检查和评价系统
TW200636411A (en) * 2005-02-28 2006-10-16 Advanced Micro Devices Inc Automated throughput control system and method of operating the same
US20070057048A1 (en) * 2005-09-09 2007-03-15 Serge Plotkin Method and/or system to authorize access to stored data

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5749346A (en) * 1995-02-23 1998-05-12 Hirel Holdings, Inc. Electronic control unit for controlling an electronic injector fuel delivery system and method of controlling an electronic injector fuel delivery system
US6197116B1 (en) * 1996-08-29 2001-03-06 Fujitsu Limited Plasma processing system
US6323129B1 (en) 1999-04-02 2001-11-27 National Semiconductor Corporation Process for maintaining a semiconductor substrate layer deposition equipment chamber in a preconditioned and low particulate state
US6455437B1 (en) 1999-04-07 2002-09-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for monitoring the process state of a semiconductor device fabrication process
US6973026B1 (en) * 2000-06-30 2005-12-06 Intel Corporation Resilient chassis-based network switching
US6617175B1 (en) * 2002-05-08 2003-09-09 Advanced Technology Materials, Inc. Infrared thermopile detector system for semiconductor process monitoring and control
JP4451076B2 (ja) * 2003-04-16 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
KR100560772B1 (ko) * 2003-09-24 2006-03-13 삼성전자주식회사 가스 공급 장치를 구비하는 반응 챔버 시스템
KR20050068783A (ko) * 2003-12-30 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 플라즈마 식각 방법 및 장치
GB0412623D0 (en) * 2004-06-07 2004-07-07 Boc Group Plc Method controlling operation of a semiconductor processing system
US7571732B2 (en) 2006-03-28 2009-08-11 Asm Japan K.K. Ignition control of remote plasma unit
KR101356481B1 (ko) * 2006-10-13 2014-01-29 엘지전자 주식회사 무선 네트워크에서 전력 제어 방법
WO2008147524A1 (en) 2007-05-25 2008-12-04 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for efficient operation of an abatement system
US9387428B2 (en) 2008-02-05 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for treating flammable effluent gases from manufacturing processes
US20090222128A1 (en) 2008-02-05 2009-09-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for operating an electronic device manufacturing system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0908805A1 (en) * 1995-04-05 1999-04-14 Dayton T. Brown, Inc. Method and apparatus for performing pre-emptive maintenance on operating equipment
CN1811628A (zh) * 1997-07-15 2006-08-02 株式会社特尔弗 设备管理系统及设备检查和评价系统
US20040069752A1 (en) * 2002-10-09 2004-04-15 Ulrich James F. Method and apparatus of coordinating operating modes of a plasma cutter and a power supply
TW200636411A (en) * 2005-02-28 2006-10-16 Advanced Micro Devices Inc Automated throughput control system and method of operating the same
US20070057048A1 (en) * 2005-09-09 2007-03-15 Serge Plotkin Method and/or system to authorize access to stored data

Also Published As

Publication number Publication date
KR101616108B1 (ko) 2016-04-27
WO2010042660A3 (en) 2010-07-01
TW201510685A (zh) 2015-03-16
US8539257B2 (en) 2013-09-17
CN102177576A (zh) 2011-09-07
KR20160052760A (ko) 2016-05-12
KR101683657B1 (ko) 2016-12-07
TWI618996B (zh) 2018-03-21
CN102177576B (zh) 2013-12-18
US20100106992A1 (en) 2010-04-29
WO2010042660A2 (en) 2010-04-15
TW201024939A (en) 2010-07-01
KR20110091665A (ko) 2011-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI459163B (zh) 偵測處理設備閒置模式之方法及裝置
US8679259B2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and method of cleaning processing vessel
KR20170013832A (ko) 센서티브 재료들 상에 할라이드 함유 ald 막을 집적하는 방법
JP2012523314A (ja) 廃物を処理する方法及び装置
JP6047672B1 (ja) 真空処理装置
JP2007208042A (ja) 減圧処理装置
JP2018050041A5 (zh)
US10176988B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
JP7217734B2 (ja) 真空ポンプシステム及び真空ポンプシステムを有する半導体製造アセンブリ
JP2015502249A (ja) ガス流の処理装置
US9587789B2 (en) Methods and apparatus for providing a gas mixture to a pair of process chambers
JP2019514223A (ja) 酸素プラズマ洗浄サイクルの使用によるプラズマ軽減固形物回避
US20080047586A1 (en) Systems and methods for operating and monitoring abatement systems
TW200829327A (en) Apparatus for treating a gas stream
TW200723352A (en) Medium pressure plasma system for removal of surface layers without substrate loss
JP2022512245A (ja) 除害方法及び装置
JP2009154091A (ja) 排ガス処理装置および排ガス処理方法、ならびに薄膜形成装置
JP2006332339A (ja) 真空装置及び除害システム
JP3125121B2 (ja) 枚葉式ホットウォール処理装置のクリーニング方法
TWI234801B (en) Equipment and method for improving remain gas to pollute wafer
US20230411165A1 (en) Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
US11260433B2 (en) Cleaning method of substrate processing apparatus and substrate processing apparatus
KR102114042B1 (ko) 가열 챔버와 건식 스크러버 챔버를 갖는 하이브리드 스크러버 및 상기 하이브리드 스크러버의 운용 방법
JPH11172440A (ja) Cvd装置の排気ガス処理方法及び装置