TWI459109B - 光元件以及光調變裝置 - Google Patents

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Description

光元件以及光調變裝置
本發明是有關於一種光元件以及光調變裝置。
已知有一種馬赫-曾德爾(Mach-Zehnder)型光元件，其使用折射率相對於施加電場強度的變化與LiNbO3 (鈮酸鋰(Lithium Niobate))不同的鈦酸鋯酸鑭鉛(PbLaZrTiO系複合氧化物，簡稱為PLZT(Lead Lanthanum Zirconate Titanate))結晶等(例如，參照專利文獻1)。已知此種光元件是對馬赫-曾德爾波導的外側的2個電極施加偏壓電壓(bias voltage)與控制電壓，而作為光調變器進行動作(例如，參照非專利文獻1)。
專利文獻1：日本專利特開2006-58837號公報
非專利文獻1：G.H. Jin, et al., "PLZT Film Waveguide Mach-Zehnder Electrooptic Modulator", Journal of Lightwave Technology, Vol. 18, No. 6, June 2000
此種光元件採用對馬赫-曾德爾波導的外側的2個電極施加高速控制信號的方法，但在此情況下，需要多個偏壓T、附加電路、及差動信號驅動器等，控制電路變得複雜。另外，在此情況下，由於使用馬赫-曾德爾波導的內側的電極作為接地(Ground，GND)，故而若施加高頻電場而進行動作，則電極的面積會變得不足而不能發揮GND的功能等，難以設計電極。
本發明的第1型態提供一種光元件，包括：基板；介 電質膜，其形成於基板上，且包含並行的第1光波導及第2光波導；傳輸線路，其形成於介電質膜上，且包含配置於第1光波導及第2光波導之間的信號線、及對於第1光波導而言為第2光波導的相反側的第1區域及對於第2光波導而言為第1光波導的相反側的第2區域的第1及第2偏壓電極；以及驅動電路部，其對第1偏壓電極及第2偏壓電極施加彼此不同的第1偏壓電壓及第2偏壓電壓，且對信號線施加第1偏壓電壓及第2偏壓電壓之間的控制電壓。
此外，上述發明的概要並未列舉本發明的所有必要特徵。另外，該些特徵群的次組合(sub-combination)亦可成為發明。
以下，通過發明的實施形態來說明本發明，但以下的實施形態並非限定申請專利範圍所述的發明者。而且，實施形態中所說明的特徵的所有組合，對於發明的解決手段來說並非一定必需。
圖1將本實施形態的光元件部100的構成例與驅動電路部200一併進行表示。光元件部100包括：馬赫-曾德爾型光波導，由折射率對於施加電場強度的變化與LiNbO3 (LN)不同的強介電質結晶形成；以及共面(coplanar)型電極，包含：信號線、與夾持信號線的2個偏壓施加電極；對馬赫-曾德爾光波導有效地施加調變電場，並使所輸入的光根據調變電場進行調變而輸出。光元件部100包 括：第1光波導110、第2光波導120、信號線130、第1偏壓電極132、第2偏壓電極134、第1光耦合器(coupler)140、以及第2光耦合器142。
第1光波導110及第2光波導120採用將介電質材料的剖面製成凸狀的脊(ridge)型構造，而傳輸所輸入的光。第1光波導110及第2光波導120能夠以與傳輸的光的波長相對應的寬度及高度而形成凸狀。
信號線130配置於第1光波導110及第2光波導120之間。信號線130的一端與頻率信號源260相連接，另一端與終端電阻250相連接，將自一端輸入的頻率信號傳輸至另一端。
第1偏壓電極132配置於：對於信號線130及第1光波導110而言、為第2光波導120的相反側的區域內。第1偏壓電極132上施加有第1偏壓電壓。第2偏壓電極134配置於：對於信號線130及第2光波導120而言、為第1光波導110的相反側的區域內。第2偏壓電極134上施加有第2偏壓電壓。
此處，信號線130、第1偏壓電極132、及第2偏壓電極134形成共面傳輸線路。即，信號線130的線寬、信號線130與第1偏壓電極132的間隔、及信號線130與第2偏壓電極134的間隔是：由根據信號線130所傳輸的信號頻率而預先規定的值形成。藉此，信號線130可傳輸高達數十GHz的高頻信號。
第1光耦合器140使朝向光元件部100的輸入光分 支、而導入至第1光波導110及第2光波導120。第2光耦合器142對來自第1光波導110及第2光波導120的光進行合波。第2光耦合器142將合波後的光作為光元件部100的輸出光，而予以輸出。
第1光耦合器140及第2光耦合器142可為2輸入2輸出的3dB光耦合器，使自2個輸入部的任一輸入部所輸入的光1比1地分支、而自2個輸出部分別輸出。代替於此，第1光耦合器140可為1輸入2輸出的光分支耦合器，第2光耦合器142可為2輸入1輸出的光合波耦合器。第1光耦合器140及第2光耦合器142可為多模干涉(Multi-Mode Interference，MMI)耦合器。
此處，第1光波導110、第2光波導120、第1光耦合器140、及第2光耦合器142形成馬赫-曾德爾型光波導。即，光元件部100以第1光耦合器140將輸入光分支為2個、而傳輸至第1光波導110及第2光波導120，且以第2光耦合器142進行合波而輸出合波後的光。此處，光元件部100根據自驅動電路部200施加至共面傳輸路徑的信號，調變對第1光波導110及第2光波導120施加電場而傳輸的光的相位，並以第2光耦合器142進行合波，藉此輸出根據相位差而進行強度調變所得的光。
驅動電路部200對第1偏壓電極132及第2偏壓電極134施加彼此不同的第1偏壓電壓及第2偏壓電壓，並對信號線130施加第1偏壓電壓及第2偏壓電壓之間的控制電壓。驅動電路部200包括：基準電壓210、第1電源部 220、第2電源部222、第1電感器(inductor)230、第2電感器232、第1電容器(condenser)240、第2電容器242、終端電阻250、及頻率信號源260。
基準電壓210供給預先規定的電壓。在本實施例中，基準電壓210為GND(0V)電壓。
第1電源部220將第1偏壓電壓經由第1電感器230而供給至第1偏壓電極132。第1電感器230連接於輸出第1偏壓電壓的第1電源部220與第1偏壓電極132之間。
第1電容器240連接於基準電壓210與第1偏壓電極132之間。藉此，第1偏壓電極132將直流成分設為開路(open)，並且以低電阻將驅動頻率成分與作為基準電壓的GND電壓相連接。
第2電源部222將第2偏壓電壓經由第2電感器232而供給至第2偏壓電極134。第2電感器232連接於輸出第2偏壓電壓的第2電源部222與第2偏壓電極134之間。
第2電容器242連接於基準電壓210與第2偏壓電極134之間。藉此，第2偏壓電極134將直流成分設為開路，並且以低電阻將驅動頻率成分與作為基準電壓的GND電壓相連接。
終端電阻250對信號線130進行終結。作為一例，信號線130是特性阻抗(impedance)為50Ω的傳輸線路，終端電阻250的電阻值為50Ω。
頻率信號源260將預先規定的頻率的頻率信號作為控制信號、而供給至信號線130。此處，頻率信號源260可 供給高達數十GHz的頻率信號。
如上所述，第1偏壓電極132及第2偏壓電極134是分別供給有第1偏壓電壓及第2偏壓電壓，並且就高頻率而言、與GND電壓相連接，信號線130的一端被終結、而自另一端供給高頻信號。即，信號線130、第1偏壓電極132、及第2偏壓電極134在頻率信號源260所供給的驅動頻率下，發揮共面傳輸路徑的功能。
圖2將圖1的A-A'剖面與驅動電路部200一併進行表示。此處，本圖中，對與圖1中所示的本實施形態的光元件部100及驅動電路部200的動作大致相同者，附上相同的符號，而省略說明。光元件部100包括：基板10、介電質膜20、及絕緣膜30。
基板10由單晶材料形成。例如，基板10為Al2 O3 (藍寶石(sapphire))基板或MgO基板。作為一例，基板10是：使藍寶石基板的(1102)面成為表面之方式進行切割並研磨而成、被稱為R-cut(平行切割)藍寶石的基板。
代替於此，基板10可為在基板上積層某些層而形成者。即，基板10因在表面上成膜了介電質膜20，故而可為積層緩衝(buffer)層而形成的基板，該緩衝層用以防止基板材料向介電質膜20擴散及/或與介電質膜20進行晶格匹配。
介電質膜20形成於基板10上，且介電質膜20包含並行的第1光波導110及第2光波導120。另外，介電質膜20包含：分別與第1光波導110及第2光波導120連接 的第1光耦合器140及第2光耦合器142。
介電質膜20為強介電質薄膜。介電質膜20可藉由磊晶成長(epitaxial growth)而形成。介電質膜20可為厚度小於等於10μm的薄膜。另外，介電質膜20可形成光波導的核心材料，此光波導傳輸850nm波段、1300nm波段、及1500nm波段等光通訊中所使用的波長的光。另外，介電質膜20可基於傳輸的光的波長，來設計膜厚。
介電質膜20為鋯鈦酸鉛(Lead Zirconate Titanate，PZT)薄膜、鈦酸鋯酸鑭鉛(Lead Lanthanum Zirconate Titanate，PLZT)薄膜、或BaTiO3 薄膜等強介電質薄膜。PLZT結晶、PZT結晶、及BaTiO3 結晶等為具有作為結晶構造的一種的鈣鈦礦(perovskite)構造的強介電質結晶，根據溫度及材料組成而變化為正方晶、斜方晶、菱面體晶、或立方晶等的結晶構造。然而，存在如下情況：若PLZT結晶等在特定的基板上成長為薄膜，則因基板材料的晶格常數與塊狀(bulk)的單晶基板的晶格常數不同，故而會對薄膜施加應力、而使結晶構造產生變化。
例如，在作為介電質膜20的PLZT薄膜形成於藍寶石(1102)基板上的情況下，PLZT薄膜優先配向於PLZT[110]方向。如此，若介電質膜20在適當地選擇結晶排列方向的基板10上形成為適當構造的結晶，則由於與基板10的表面平行地配向結晶，故而可使自發極化的方向與基板10的面平行。藉此，可提供如下基板：光元件部100適合相對於PLZT薄膜的易極化軸、而平行地施加電場的元件。
絕緣膜30形成於介電質膜20上。絕緣膜30含有SiO2 或SiNx 。絕緣膜30可為相對介電常數(relative dielectric constant)低於介電質膜20的低介電常數膜。此處，基板10的相對介電常數亦可低於介電質膜20。例如，絕緣膜30及基板10的相對介電常數分別小於等於10，介電質膜20的相對介電常數為數百至數千程度。
藉此，由於成為相對介電常數較高的介電質膜20被相對介電常數及折射率較低的基板10與絕緣膜30所夾持的構造，所以能夠形成具備：有效率的光封閉效應的第1光波導110及第2光波導120。另外，在對光元件部100賦予調變信號、而用作調變器的情況下，改變基板10及絕緣膜30的厚度或材質而調整有效介電常數，藉此，可實現使調變信號的傳輸速度、與在第1光波導110及第2光波導120中傳輸的光波的傳輸速度為一致的速度匹配。另外，基板10與絕緣膜30可使傳輸調變信號的傳輸線路的特性阻抗成為：例如50Ω等預先規定的值。
傳輸線路形成於絕緣膜上，傳輸線路包含：信號線130、第1偏壓電極132及第2偏壓電極134。傳輸線路可由含有金的金屬形成。傳輸線路對第1光波導110及第2光波導120施加與基板10的表面平行的方向的電場。例如，如圖中以V1所示，信號線130及第1偏壓電極132對第1光波導110施加電場；如圖中以V2所示，信號線130及第2偏壓電極134對第2光波導120施加電場。
圖3表示本實施形態的介電質膜20的折射率對於施 加電場而變化的一例。圖中的橫軸表示根據對介電質膜20施加的電壓而產生的施加電場強度。縱軸表示介電質膜20的折射率相對於施加電場的變化。
由PLZT結晶、PZT結晶、及BaTiO3 結晶等所形成的介電質膜20，因為相對於施加電場產生極化反轉，故而與相對於施加電場顯示直線性折射率變化的LN結晶等不同，介電質膜20相對於施加電場顯示例如蝶形(butterfly)形狀的複雜的折射率變化。因此，介電質膜20具有如下特性：在施加正弦波電壓作為控制信號的情況下，若不施加偏移(offset)電壓，則折射率的變化會自正弦波發生應變。此處，將具有自發極化、且極化相對於施加電場發生反轉的介電質膜稱為強介電質膜。
另一方面，已經知道：將在正負施加電場範圍內顯示直線性折射率變化的LN結晶等形成馬赫-曾德爾型光波導、且用作光調變器的時候，利用形成了具備G(接地，Ground)、S(信號，Signal)、G(接地)電極的共面傳輸線路而進行調變動作。此種LN光調變器在馬赫-曾德爾型光波導的並行的2根光波導之間，配置了S電極而施加控制信號，且該並行的2根光波導分別被施加有彼此相反方向的電場。即，通過並行的2根光波導的光受到相反方向的相位變化，而進行光調變動作。
然而，如圖所示，PLZT等的強介電質是以相對於施加電場強度的絕對值的變化，使得正施加電場範圍的折射率的斜度、與負施加電場範圍的折射率的斜度大致一致的 方式產生變化。使用此種強介電質的光元件在應用於與LN光調變器相同的接地-信號-接地(Ground-Signal-Ground，GSG)型共面傳輸線路的情況下，對並行的2根光波導施加同一方向的電場。即，通過並行的2根光波導內的光受到同一方向的相位變化而無法獲得相位差，故而使用PLZT等的強介電質的光元件作為光調變器或光開關的動作不穩定，或無法進行動作。
相對於此，本實施例的驅動電路部200除了對介電質膜20施加控制信號以外，亦施加作為偏移電壓的偏壓電壓Vb 。此處，偏壓電壓Vb 可以如下方式預先規定：即便以偏壓電壓Vb 為中心僅增減控制信號的振幅電壓，介電質膜20的折射率變化亦大致呈直線變化。作為一例，若將控制信號的振幅電壓設為20V，則以使用在80~120V的範圍內大致呈直線變化的介電質膜20的折射率變化的方式，將Vb 規定為100V。
如此，藉由施加偏壓電壓Vb ，介電質膜20可顯示與所施加的控制信號大致相似的折射率變化特性。此處，由於圖中的例子中的介電質膜20相對於施加電場顯示負斜度的折射率變化，所以，相對於所施加的正弦波的控制信號而言，相位發生反轉。
圖4表示本實施形態的驅動電路部200的驅動電壓VRF 的一例。圖中的橫軸表示時間，縱軸表示電壓。此處，第1偏壓電極132為：施加有正極的偏壓作為第1偏壓電壓的偏壓電極，第2偏壓電極134為：施加有負極的偏壓 作為第2偏壓電壓的偏壓電極。
例如，第1電源部220將作為第1偏壓電壓的Vb+ (=100V)供給至第1偏壓電極132，第2電源部222將作為第2偏壓電壓的Vb- (=-100V)供給至第2偏壓電極134。另外，頻率信號源260將第1偏壓電壓Vb+ 及第2偏壓電壓Vb- 之間的控制信號、即振幅20V的正弦波信號VRF 施加至信號線130。
因此，第1光波導110施加有V1=Vb+ -VRF ，該V1是施加有第1偏壓電壓Vb+ 的第1偏壓電極132、與施加有正弦波信號VRF 的信號線130的電極間電壓。同樣地，第2光波導120施加有V2=VRF -Vb- ，該V2是施加有第2偏壓電壓Vb- 的第2偏壓電極134、與施加有正弦波信號VRF 的信號線130的電極間電壓。
圖5表示本實施形態的光元件部100的電極間電壓的一例。圖中的橫軸表示時間，縱軸表示電壓。電極間電壓V1=Vb+ -VRF 成為：以Vb+ (=100V)為中心，僅增減振幅20V的相位反轉180度所得的正弦波信號的波形。另外，電極間電壓V2=VRF -Vb- 成為：以-Vb- (=Vb+ =100V)為中心，僅增減振幅20V的正弦波信號的波形。
即，驅動電路部200可對光元件部100的第1光波導110及第2光波導120施加反相位的電場。如此，驅動電路部200藉由使第1光波導110及第2光波導120推挽(push-pull)驅動，而與僅對第1光波導110或第2光波導120的單側施加電場的單側驅動相比，可使在2個光波 導中傳播的光的相位差為約2倍。
如此，驅動電路部200可使用來自1個頻率信號源260的控制信號，有效地施加使由PLZT等所形成的第1光波導110及第2光波導120進行推挽驅動的電場。藉此，光元件部100及驅動電路部200可不使用多個偏壓T、附加電路、及差動信號驅動器等而執行光調變動作。
根據以上本實施形態的光元件部100及驅動電路部200，可對使用折射率相對於施加電場強度產生複雜變化的PLZT結晶等的馬赫-曾德爾型光元件、形成共面型電極而傳輸高速的控制信號，並且根據控制信號對2個光波導施加反相位的電場。藉此，光元件部100可作為追隨數十GHz的控制信號的光調變器而進行動作。
在以上的本實施形態中，說明了：光元件部100包含絕緣膜30，且使調變信號的傳輸速度、與在第1光波導110及第2光波導120中傳輸的光波的傳輸速度一致，而進行速度匹配。代替於此，在控制信號為數GHz程度以下等、無需速度匹配的情況下，亦可不包含絕緣膜30。在此情況下，包含信號線130、第1偏壓電極132及第2偏壓電極134的傳輸線路形成於介電質膜20上。
圖6將本實施形態的光元件部100的變形例與驅動電路部200一併進行表示。本圖中，對與圖1及圖2中所示的本實施形態的光元件部100及驅動電路部200的動作大致相同者附上相同的符號，而省略說明。在本變形例中，光元件部100包括：接地電極610、612，外部電極部620、 622，第3電容器630，及第4電容器632。
在對於信號線130及第1光波導110而言、為第2光波導120的相反側的區域內，接地電極610與介電質膜20接觸、或設置於絕緣膜30的內部，且接地電極610與預先規定的基準電壓相連接。在對於信號線130及第2光波導120而言、為第1光波導110的相反側的區域內，接地電極612與介電質膜20接觸或設置於絕緣膜30的內部，且接地電極612與預先規定的基準電壓相連接。
外部電極部620形成於絕緣膜30上，且外部電極部620與接地電極610電性連接。外部電極部620與驅動電路部200的基準電壓210相連接。外部電極部622形成於絕緣膜30上，且外部電極部622與接地電極612電性連接。外部電極部622與驅動電路部200的基準電壓210相連接。
第3電容器630連接於接地電極610與第1偏壓電極132之間。第3電容器630為：例如在絕緣膜30內包含由金屬所形成的2片電極膜，且將該電極膜內的絕緣物設為介電質的電容器。代替於此，第3電容器630可為：在絕緣膜30內包含由金屬所形成的1片電極膜，且將該電極膜與接地電極610之間的絕緣物設為介電質的電容器。
第4電容器632連接於接地電極612與第2偏壓電極134之間。第4電容器632為：例如在絕緣膜30內包含由金屬所形成的2片電極膜，且將該電極膜內的絕緣物設為介電質的電容器。代替於此，第4電容器632可為：在絕 緣膜30內包含由金屬所形成的1片電極膜，且將該電極膜與接地電極612之間的絕緣物設為介電質的電容器。
如此，本變形例的光元件部100在絕緣膜30內形成使用絕緣膜30的一部分的絕緣物的電容器。藉此，可省略驅動電路部200的第1電容器240及第2電容器242。
在以上的實施形態中，說明了如下例子：驅動電路部200包含頻率信號源260，且對信號線130供給預先規定的頻率的頻率信號。代替於此，驅動電路部200亦可包含脈波(pulse)信號源或開關電路等，而對信號線130供給脈波信號或開關控制信號。藉此，光元件部100可作為如下光開關而進行動作：根據脈波信號或開關控制信號，而切換是否輸出所輸入的光。
以上，使用實施形態對本發明進行了說明，但本發明的技術性範圍並不限定於上述實施形態中所揭示的範圍。熟悉此技藝者當瞭解可於上述實施形態中添加各種變更或改良。根據申請專利範圍的揭示明確可知，添加有此種變更或改良的形態亦可包含於本發明的技術性範圍內。
應注意到如下情況：申請專利範圍、說明書、及圖式中所示的裝置、系統、程式、及方法中的動作、順序、步驟、及階段等的各處理的執行順序，只要未特別明示為「較…更前」、「在…之前」等，而且，只要不是將前一個處理的輸出用於後一個處理中，則能夠以任意的順序實現。關於專利申請範圍、說明書、及圖式中的動作流程，即便為方便起見而使用「首先，」、「其次，」等進行了說 明，但並不意味著必需以此順序來實施。
10‧‧‧基板
20‧‧‧介電質膜
30‧‧‧絕緣膜
100‧‧‧光元件部
110‧‧‧第1光波導
120‧‧‧第2光波導
130‧‧‧信號線
132‧‧‧第1偏壓電極
134‧‧‧第2偏壓電極
140‧‧‧第1光耦合器
142‧‧‧第2光耦合器
200‧‧‧驅動電路部
210‧‧‧基準電壓
220‧‧‧第1電源部
222‧‧‧第2電源部
230‧‧‧第1電感器
232‧‧‧第2電感器
240‧‧‧第1電容器
242‧‧‧第2電容器
250‧‧‧終端電阻
260‧‧‧頻率信號源
610、612‧‧‧接地電極
620、622‧‧‧外部電極部
630‧‧‧第3電容器
632‧‧‧第4電容器
VRF ‧‧‧驅動電壓
V1‧‧‧第1偏壓電極與信號線的電極間電壓
V2‧‧‧第2偏壓電極與信號線的電極間電壓
Vb ‧‧‧偏壓電壓
圖1將本實施形態的光元件部100的構成例與驅動電路部200一併進行表示。
圖2將圖1的A-A'剖面與驅動電路部200一併進行表示。
圖3表示本實施形態的介電質膜20的折射率對於施加電場的變化的一例。
圖4表示本實施形態的驅動電路部200的驅動電壓VRF 的一例。
圖5表示本實施形態的光元件部100的電極間電壓的一例。
圖6將本實施形態的光元件部100的變形例與驅動電路部200一併進行表示。
100‧‧‧光元件部
110‧‧‧第1光波導
120‧‧‧第2光波導
130‧‧‧信號線
132‧‧‧第1偏壓電極
134‧‧‧第2偏壓電極
140‧‧‧第1光耦合器
142‧‧‧第2光耦合器
200‧‧‧驅動電路部
210‧‧‧基準電壓
220‧‧‧第1電源部
222‧‧‧第2電源部
230‧‧‧第1電感器
232‧‧‧第2電感器
240‧‧‧第1電容器
242‧‧‧第2電容器
250‧‧‧終端電阻
260‧‧‧頻率信號源
VRF ‧‧‧驅動電壓

Claims (14)

  1. 一種光元件，包括：基板；介電質膜，形成於所述基板上，所述介電質膜包含並行的第1光波導及第2光波導；傳輸線路，形成於所述介電質膜上，所述傳輸線路包含：信號線、第1偏壓電極以及第2偏壓電極，所述信號線配置於所述第1光波導及所述第2光波導之間，所述第1偏壓電極配置在對於所述第1光波導而言、為所述第2光波導的相反側的第1區域，所述第2偏壓電極配置在對於所述第2光波導而言、為所述第1光波導的相反側的第2區域；驅動電路部，對所述第1偏壓電極及所述第2偏壓電極施加彼此不同的第1偏壓電壓及第2偏壓電壓，且對所述信號線施加所述第1偏壓電壓及所述第2偏壓電壓之間的控制電壓；以及絕緣膜，形成於所述介電質膜上，所述絕緣膜在內部具有多個電極膜，夾持所述絕緣膜的一部分的絕緣部而形成電容器。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光元件，其中，所述傳輸線路形成於所述絕緣膜上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的光元件，其中，所述信號線、所述第1偏壓電極、及所述第2偏壓電極形成共面傳輸線路。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的光元件，其中，所述介電質膜更包括：第1光耦合器，使輸入光分支、而導入至所述第1光波導及所述第2光波導；以及第2光耦合器，對來自所述第1光波導及所述第2光波導的光進行合波；且所述第1光波導、所述第2光波導、所述第1光耦合器、及所述第2光耦合器形成馬赫-曾德爾型光波導。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的光元件，其中，所述驅動電路部包含：第1電容器與第2電容器，所述第1電容器與第2電容器連接於預先規定的基準電壓與所述第1偏壓電極及所述第2偏壓電極之間。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的光元件，其中，所述驅動電路部包括：第1電感器，連接於輸出所述第1偏壓電壓的第1電源部、與所述第1偏壓電極之間；以及第2電感器，連接於輸出所述第2偏壓電壓的第2電源部、與所述第2偏壓電極之間。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的光元件，其中，所述第1偏壓電極為：施加有正極的偏壓、來作為所述第1偏壓電壓的偏壓電極；所述第2偏壓電極為：施加有負極的偏壓、來作為所述第2偏壓電壓的偏壓電極。
  8. 如申請專利範圍第2項所述的光元件，其中， 所述基板由單晶的絕緣材料形成。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的光元件，其中，所述基板為藍寶石基板或MgO基板。
  10. 如申請專利範圍第2項所述的光元件，其中，所述介電質膜為強介電質薄膜。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的光元件，其中，所述強介電質薄膜為：具有鈣鈦礦結晶構造的鋯鈦酸鉛(PZT)薄膜、鈦酸鋯酸鑭鉛(PLZT)薄膜、或BaTiO3 薄膜。
  12. 如申請專利範圍第2項所述的光元件，其中，所述絕緣膜含有SiO2 或SiNx 。
  13. 如申請專利範圍第2項所述的光元件，更包括：接地電極，在所述第1區域及所述第2區域內，所述接地電極與所述介電質膜接觸、或設置於所述絕緣膜的內部，且所述接地電極與預先規定的基準電壓相連接；第3電容器，連接於所述第1區域的所述接地電極、與所述第1偏壓電極之間；以及第4電容器，連接於所述第2區域的所述接地電極、與所述第2偏壓電極之間。
  14. 一種光調變裝置，包括：如申請專利範圍第1項至13項中任一項所述的光元件；以及頻率信號源，對所述信號線供給預先規定的頻率的頻率信號。
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