TWI457581B - 發光二極體晶片之檢測裝置 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種檢測裝置，特別是有關於一種發光二極體晶片之檢測裝置。
隨著科技進步及生活品質的提升，現代人對於照明更趨重視。從自古藉由物質燃燒以進行發光照明之火把、動植物油燈、蠟燭、煤油燈，藉以電力發光之白熾燈、熒光燈，抑或是現今常用之發光二極體(light-emitting diode，LED)，皆顯示照明在人類日常生活中扮演極重要之角色。
發光二極體係藉由電子電洞結合以發出單色光，以達到照明或警示之作用。發光二極體相較於傳統光源，具有發光效率高、使用壽命長、不易破損、反應速度快等優點。由於近幾年政府大力的提倡及各城市LED路燈規模的加速擴大下，使用LED作為照明用途已隨處可見。
一般常用點測機以檢測發光二極體晶片之發光效率。點測機係藉由探針提供發光二極體晶片發光之電壓來源，發光二極體晶片發出之光線通過承載發光二極體晶片之載台，再經由點測機之光感測裝置收集光線，進而判斷發光二極體晶片之發光效率。然而，
發光二極體晶片發出之光線卻可能因為光感測裝置偵測範圍之限制，而影響檢測發光二極體晶片發光效率之準確度。
有鑑於上述習知技藝之問題，本發明之其中一目的就是在提供一種發光二極體晶片之檢測裝置，以解決光感測裝置收光效率不佳之問題。
根據本發明之另一目的，提出一種發光二極體晶片之檢測裝置，以聚集發光二極體晶片發出之光線。
根據本發明之再一目的，提出一種發光二極體晶片之檢測裝置，以準確檢測發光二極體晶片之發光效率。
為達前述目的，本發明提出一種發光二極體晶片之檢測裝置，此檢測裝置包含具聚光功能之透明載台、點測裝置及光感測裝置。其中，透明載台包含入光面及出光面，入光面用以承載待測之複數個發光二極體晶片。點測裝置包含二探針及一電源供應器，探針之二端分別電性連接複數個發光二極體晶片之一者及電源供應器，以令此發光二極體晶片發出複數道光線，此複數道光線入射透明載台之入光面。光感測裝置設於透明載台之出光面之一側，用以接收通過透明載台之複數道光線。其中，光感測裝置可例如為積分球、太陽能板、光電晶體或光電阻。
根據本發明之第一態樣，本發明之透明載台之出光面之面積小於入光面之面積。
根據本發明之第二態樣，本發明之透明載台之出光面具有複數個微結構，此微結構為稜鏡柱，且此稜鏡柱具有第一斜面及第二斜
面，第一斜面及第二斜面形成一頂角。
根據本發明之第三態樣，本發明之透明載台之出光面具有複數個微結構，此微結構具有一弧形表面。
根據本發明之第四態樣，本發明之透明載台之出光面之斷面為一朝外之弧凸狀型態者。
根據本發明之第五態樣，本發明之透明載台之內部具有一容置空間，且容置空間設有一會聚透鏡，以令透明載台具聚光功能。
根據本發明之第六態樣，本發明之透明載台之內部具有一容置空間，且容置空間設有至少一導光元件，用以導引入射透明載台之複數道光線。其中，導光元件為導光柱或導光板。
根據本發明之第七態樣，本發明之透明載台之內部具有一容置空間，且容置空間設有至少一導光元件，用以導引入射透明載台之複數道光線。其中，導光元件為光纖。
承上所述，本發明之發光二極體晶片之檢測裝置，其可具有一或多個下述優點：
(1)本發明之發光二極體晶片之檢測裝置，藉由具聚光功能之透明載台聚集發光二極體晶片發出之光線，以解決光感測裝置收光效率不佳之問題。
(2)本發明之發光二極體晶片之檢測裝置，藉由具聚光功能之透明載台聚集發光二極體晶片發出之光線，可達到準確檢測發光二極體晶片發光效率之目的。
10、A‧‧‧發光二極體晶片
100‧‧‧點測裝置
12‧‧‧探針
13‧‧‧電源供應器
15‧‧‧光感測裝置
L1‧‧‧光線
18‧‧‧透明載台
14‧‧‧入光面
16‧‧‧出光面
17‧‧‧電子裝置
30‧‧‧稜鏡柱
P1‧‧‧第一斜面
P2‧‧‧第二斜面
V1‧‧‧頂角
40‧‧‧弧形表面
50‧‧‧弧凸狀型態者
62、72‧‧‧容置空間
60‧‧‧會聚透鏡
70‧‧‧導光柱
第1圖係為本發明之發光二極體晶片之檢測裝置之實施例之剖面示意圖。
第2圖係為本發明實施例之透明載台之第一態樣剖面示意圖。
第3圖係為本發明實施例之透明載台之第二態樣剖面示意圖。
第4圖係為本發明實施例之透明載台之第三態樣剖面示意圖。
第5A圖係為本發明實施例之透明載台之第四態樣剖面示意圖。
第5B圖係為本發明實施例之透明載台之第四態樣剖面示意圖。
第6圖係為本發明實施例之透明載台之第五態樣剖面示意圖。
第7圖係為本發明實施例之透明載台之第六態樣剖面示意圖。
請參閱第1圖，其係為本發明之發光二極體晶片之檢測裝置之實施例之剖面示意圖。如第1圖所示，本發明之發光二極體晶片之檢測裝置包含具聚光功能之透明載台18、點測裝置100及光感測裝置15。透明載台18包含入光面14及出光面16，入光面14用以承載待測之複數個發光二極體晶片10。點測裝置100包含二探針12及一電源供應器13，探針12之二端分別電性連接複數個發光二極體晶片之一者A及電源供應器13，電源供應器13經由探針12以提供此發光二極體晶片A之電壓來源，以令此發光二極體晶片A發出複數道光線L1，此複數道光線L1入射透明載台18之入光面14。光感測裝置15設於透明載台18之出光面16之一側，用以接收通過透明載台18之複數道光線L1。其中，光感測裝置15可例如為積分球、太陽能板、光電晶體或光電阻。
如第1圖所示，本發明之發光二極體晶片之檢測裝置適用於檢測發光二極體晶片10之發光效率，其檢測過程如下：點測裝置100之電源供應器13經由探針12提供發光二極體晶片之一者A之電壓來源，以令此發光二極體晶片A發出複數道光線L1；發光二極體晶片發出之複數道光線L1入射透明載台18之入光面14；透明載台18聚集入射透明載台18之複數道光線L1；以及設於透明載台18之出光面16一側之光感測裝置15接收通過透明載台18之複數道光線L1，並由與光感測裝置15電性連接之電子裝置17呈現發光二極體晶片A之發光效率。
由於本發明係藉由透明載台以達到聚集發光二極體晶片發出之複數道光線之目的，在此僅列舉出透明載台之數種態樣以進一步說明本發明之透明載台之形式，惟這些態樣並非用以限定本發明。請參閱第2圖至第7圖，其係為本發明透明載台之第一態樣至第六態樣之剖面示意圖。然而，任何不脫離本發明申請專利範圍之精神與範疇下進行修改之實施方式，皆屬於本發明所申請保護之範圍。
請參閱第2圖，其係為本發明實施例之透明載台之第一態樣剖面示意圖。如第2圖所示，本發明之透明載台18包含入光面14以及出光面16，且出光面16之面積小於入光面14之面積，藉以達到聚集承載於入光面14之發光二極體晶片發出之複數道光線之目的。
請參閱第3圖，其係為本發明實施例之透明載台之第二態樣剖面示意圖。如第3圖所示，第二態樣之透明載台18之出光面16具有複數個微結構，且此微結構例如為稜鏡柱30，稜鏡柱30具有第一斜面P1及第二斜面P2，其中第一斜面P1及第二斜面P2形成一頂角
V1。由於稜鏡柱30之目的係用以聚集入射透明載台18之光線，因此任何可使稜鏡柱30具備聚集光線功能之頂角V1之角度均屬於本發明所申請保護之範圍。
請參閱第4圖，其係為本發明實施例之透明載台之第三態樣剖面示意圖。如第4圖所示，第三態樣之透明載台18之出光面16具有複數個微結構，且此微結構具有一弧形表面40。其中，第三態樣之具弧形表面40之微結構係用以聚集入射透明載台18之光線，且本發明之微結構之弧形表面40不限於特定之弧度，任何具有聚集光線功能之弧形表面40皆屬於本發明所申請保護之範圍。
此外，於本發明實施例之透明載台之第二態樣及第三態樣中，微結構與透明載台可為一體成型者，亦可在透明載台的表面加工而形成微結構，表面加工之製作方法可例如為於透明載台之出光面進行塗佈(coating process)、網點印刷(dot printing)、蝕刻(etching process)、雷射、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition，CVD)等過程，以於透明載台之出光面形成規則或不規則之粗化表面。並且，微結構之材料可例如為聚苯乙烯(polystyrene)、二氧化矽(silicon dioxide)、聚壓克力(poly acrylic)、氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)或是氟化碳(fluorinated carbon)。
請參閱第5A圖及第5B圖，其係為本發明實施例之透明載台之第四態樣剖面示意圖。如第5A圖及第5B圖所示，第四態樣之透明載台18之出光面16之斷面為一朝外之弧凸狀型態者50。換言之，透明載台18之入光面14與出光面16可相互連接(如第5B圖所示)或不連
接(如第5A圖所示)，只要可使透明載台18具備聚集光線功能均應落入本發明所請求保護之範圍。
請參閱第6圖，其係為本發明實施例之透明載台之第五態樣剖面示意圖。如第6圖所示，第五態樣之透明載台18之內部具有一容置空間62，且容置空間62設有會聚透鏡60，以令透明載台18具聚光功能，進而達到聚集入射透明載台18之光線之目的。
請參閱第7圖，其係為本發明實施例之透明載台之第六態樣剖面示意圖。如第7圖所示，第六態樣之透明載台18之內部具有一容置空間72，且容置空間72設有至少一導光元件，用以導引入射透明載台18之複數道光線。其中，第六態樣之導光元件可例如為導光柱或導光板，且第7圖中之導光元件係以導光柱70為例。然而，本發明之導光元件並不限於第7圖之導光柱70，換言之，任何具有導引光線功能之導光元件皆屬於本發明所申請保護之範圍。舉例而言，本發明第六態樣之導光元件亦可例如為光纖。再者，經由本發明之揭示，熟習此技藝者應當明瞭具有導引光線功能之導光元件之種類及樣式尺寸，故不再贅述。
綜上所述，本發明之發光二極體晶片之檢測裝置藉由透明載台以聚集發光二極體晶片發出之光線，提高光感測裝置收集光線之效率，藉以增加檢測裝置量測發光二極體晶片之發光效率之準確度。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
10、A‧‧‧發光二極體晶片
100‧‧‧點測裝置
12‧‧‧探針
13‧‧‧電源供應器
15‧‧‧光感測裝置
L1‧‧‧光線
18‧‧‧透明載台
14‧‧‧入光面
16‧‧‧出光面
17‧‧‧電子裝置
Claims (11)
- 一種發光二極體晶片之檢測裝置，該檢測裝置至少包含一具聚光功能之透明載台，該透明載台包含一入光面以及一出光面，該入光面用以承載且直接接觸待測之複數個發光二極體晶片；一點測裝置，該點測裝置包含二探針及一電源供應器，該些探針之二端分別電性連接該些發光二極體晶片之一者及該電源供應器，以令該發光二極體晶片發出複數道光線，該些光線係入射該透明載台之該入光面；以及一光感測裝置，該光感測裝置設於該透明載台之該出光面之一側，用以接收通過該透明載台之該些光線。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片之檢測裝置，其中該透明載台之該出光面之面積小於該入光面之面積。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片之檢測裝置，其中該透明載台之該出光面具有複數個微結構。
- 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體晶片之檢測裝置，其中該微結構為稜鏡柱，該稜鏡柱具有一第一斜面及一第二斜面，該第一斜面及該第二斜面形成一頂角。
- 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體晶片之檢測裝置，其中該微結構具有一弧形表面。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片之檢測裝置，其中該透明載台之該出光面之斷面為一朝外之弧凸狀型態者。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片之檢測裝置，其中該透明載台之內部具有一容置空間，該容置空間設有一會聚透鏡，以該透明載台聚光功能。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片之檢測裝置，其中該透明載台之內部具有一容置空間，該容置空間設有至少一導光元件，用以導引入射該透明載台之該些光線。
- 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體晶片之檢測裝置，其中該導光元件為光纖。
- 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體晶片之檢測裝置，其中該導光元件為導光柱或導光板。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片之檢測裝置，其中該光感測裝置為積分球、太陽能板、光電晶體或光電阻。
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| TW101135666A TWI457581B (zh) | 2012-09-27 | 2012-09-27 | 發光二極體晶片之檢測裝置 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI730709B (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-11 | 旺矽科技股份有限公司 | 用於發光晶片之加熱點測設備 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105572605B (zh) * | 2015-12-16 | 2018-04-06 | 浙江凯耀照明股份有限公司 | 红外感应灯具检测装置及检测方法 |
| CN106405362B (zh) * | 2016-08-25 | 2018-12-04 | 华东光电集成器件研究所 | 一种雪崩二极管低频参数测试装置 |
| JP6492220B1 (ja) * | 2018-09-26 | 2019-03-27 | 大塚電子株式会社 | 測定システムおよび測定方法 |
| TWI759864B (zh) * | 2020-09-17 | 2022-04-01 | 均豪精密工業股份有限公司 | 檢測設備及其收光裝置 |
| CN113532543A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-10-22 | 江苏明纳半导体科技有限公司 | 一种发光二极管性能检测系统 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008002836A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Tech Vision:Kk | ライン型照明装置 |
| US20090236506A1 (en) * | 2007-11-20 | 2009-09-24 | Luminus Devices, Inc. | Light-emitting device on-wafer test systems and methods |
| TW201038928A (en) * | 2009-04-24 | 2010-11-01 | Epistar Corp | Measurement apparatus for light-emitting diode |
| WO2011121694A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 検査装置、及び検査方法 |
| CN102589682A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-18 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 白光led测量系统及方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AUPM512194A0 (en) * | 1994-04-15 | 1994-05-12 | Chulalongkorn University | Amorphous semiconductor photocoupler |
-
2012
- 2012-09-27 TW TW101135666A patent/TWI457581B/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-03-15 US US13/836,762 patent/US9274164B2/en active Active - Reinstated
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008002836A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Tech Vision:Kk | ライン型照明装置 |
| US20090236506A1 (en) * | 2007-11-20 | 2009-09-24 | Luminus Devices, Inc. | Light-emitting device on-wafer test systems and methods |
| TW201038928A (en) * | 2009-04-24 | 2010-11-01 | Epistar Corp | Measurement apparatus for light-emitting diode |
| WO2011121694A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 検査装置、及び検査方法 |
| CN102589682A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-18 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 白光led测量系统及方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI730709B (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-11 | 旺矽科技股份有限公司 | 用於發光晶片之加熱點測設備 |
Also Published As
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| US9274164B2 (en) | 2016-03-01 |
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