CN101949989A - 不同波长下发光二极管漏电流测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种在不同波长条件下LED漏电流的测试方法,该方法在恒温条件下,将待测LED接入TLP测试系统,通过幅度连续可调的矩形短脉冲进行作用,实现对其漏电流的检测。为提高测试精度,排除不同形状、不同位置光源的影响,在本发明的一个实施例中引入积分球。当光束进入积分球后,经多次漫反射,就形成一个理想的漫射源。这样就可以消除光源带来的干扰,也可以消除待测LED受光面的不均匀性带来的影响。
Description
技术领域
本发明属于半导体领域,特别涉及利用TLP测试不同波长下发光二极管(LED)漏电流测试方法。
背景技术
随着微电子制造水平的发展,LED成为近些年来用途极为广泛的光源产品,其应用范围不断扩大。照明、显示、医疗等领域都对LED在各种环境条件下的表现提出了严格的要求。
静电损伤是影响光电子器件稳定性的主要原因之一,对LED来说也不例外。目前,TLP测试方法已成为电路设计工程师研究静电放电(ESD)保护电路的特性,进行ESD设计的重要依据。TLP测试先从小电压脉冲开始,随后连续增加直到获得足够的数据点,作出完整的I/V曲线。通常测试脉冲的幅度会增大到使DUT彻底损伤,从而获得其精确的允许最大脉冲电流。当测试脉冲的幅度足够高时,DUT内将产生足够高的温度使DUT内某些结构熔融,使器件特性发生永久的变化,DUT彻底损伤,损伤发生的同时经常伴随着被测两脚之间的漏电流突然增加。
TLP测试还可获得漏电流曲线,漏电流可以说明器件存在的一些潜在失效机理。如果没有漏电流曲线,就不能从I/V曲线上看出器件内部的一些变化。特别是存在多个失效位置的时候,就可以帮助判定失效开始的位置,也就是最薄弱点。因此,漏电流的测试对DUT的失效判定就显得意义重大。
LED的抗静电能力与它在光照条件下的电学表现不无关系。而以反向5v偏压,漏电流10uA的标准而言,光照条件的影响,可能成为评判标准的巨大挑战。通过不同LED分别做光源和被测目标的实验,发现每个型号LED主波长前后一定范围内,光生电流的响应都很大。也就是说,光照对漏电流的影响并不仅取 决于光波长是否小于目标LED波长,而波长的匹配对光生电流影响更大。但总的来说,当光源光波长大于目标LED波长后,光生电流基本表现为统一的下降趋势。这确是由于禁带宽度大于光源光子能量。
当光源峰值波长高于目标LED峰值波长时,对漏电流影响会减小,但仍比暗室条件下大。这是因为其能量低于目标LED禁带宽度,无法将价带电子激发至导带,但是仍能使杂质受到激发,产生电子空穴对。
目前缺乏满足测试精度要求的方案来对不同波长下LED漏电流进行测试。
发明内容
本发明的一个实施例提出了一种在不同波长条件下LED漏电流的测试方法,该方法在恒温条件下,将待测LED接入TLP测试系统,通过幅度连续可调的矩形短脉冲进行作用,实现对其漏电流的检测。
为提高测试精度,排除不同形状、不同位置光源的影响,在本发明的一个实施例中引入积分球。当光束进入积分球后,经多次漫反射,就形成一个理想的漫射源。这样就可以消除光源带来的干扰,也可以消除待测LED受光面的不均匀性带来的影响。
本发明的一个实施例使用不同波长的可见光光源对待测LED进行照射,利用TLP测量它的漏电流大小。
通过TLP测试获得漏电流曲线,漏电流可以说明器件存在的一些潜在失效机理。当存在多个失效位置的时候,可以帮助判定失效开始的位置,也就是最薄弱点,对DUT的失效判定有重大意义。
附图说明
图1是本发明实施例测试方法及装置的原理图;
图2是本发明实施例的LED漏电流测试的电路模型图。
具体实施方式
在图1所示的原理图中,光源2由直流电源供电,置于积分球1的灯座上,待测LED 3放在积分球的出光口,其与TLP测试系统相连接,TLP又连到电 脑上。
测试时,将整个装置置于恒温环境中。对于待测LED,首先选择红光LED作为光源对其进行照射,利用TLP测量它的漏电流大小。然后,依次换成黄光、绿光、蓝光和白光LED光源,测量LED待测件的漏电流大小。
本实施例提出了一种在不同波长条件下LED漏电流的测试方法,该方法在恒温条件下,将待测LED接入TLP测试系统,通过幅度连续可调的矩形短脉冲进行作用,实现对其漏电流的检测。
为提高测试精度,排除不同形状、不同位置光源的影响,在本实施例中引入积分球。当光束进入积分球后,经多次漫反射,就形成一个理想的漫射源。这样就可以消除光源带来的干扰,也可以消除待测LED受光面的不均匀性带来的影响。
本实施例用不同波长的可见光光源对待测LED进行照射,利用TLP测量它的漏电流大小。
通过TLP测试获得漏电流曲线,漏电流可以说明器件存在的一些潜在失效机理。当存在多个失效位置的时候,可以帮助判定失效开始的位置,也就是最薄弱点,对DUT的失效判定有重大意义。
本实施例的测试流程如下:
步骤a1,固定光源(辅助灯)与待测LED连接,并确认连接;
步骤a2,在暗室下测试纯漏电流;
步骤a3,点亮光源测量该条件漏电流;
步骤a3,判断是否已加打静电;如果是,转至步骤a4,否则转到步骤a6;
步骤a4,判断是否完成本组测量,如果是转至步骤a5,否则转到步骤a7;
步骤a5,换光源,并转到步骤a1;
步骤a6,加打TLP静电模型,并转到步骤a2;
步骤a7,换待测LED,并转到步骤a2。
显然,对于本领域的技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应该视为本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种不同波长下发光二极管漏电流测试方法,其特征在于,包括步骤:
在恒温条件下,将待测发光二极管接入TLP测试系统;
通过幅度连续可调的矩形短脉冲进行作用,实现对其漏电流的检测。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括步骤:使用不同波长的可见光光源对待测发光二极管进行照射,利用TLP测量其漏电流。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过幅度连续可调的矩形短脉冲进行作用,实现对其漏电流的检测,具体包括:
步骤a1,固定光源(辅助灯)与待测发光二极管连接,并确认连接;
步骤a2,在暗室下测试纯漏电流;
步骤a3,点亮光源测量该条件漏电流;
步骤a3,判断是否已加打静电;如果是,转至步骤a4,否则转到步骤a6;
步骤a4,判断是否完成本组测量,如果是转至步骤a5,否则转到步骤a7;
步骤a5,换光源,并转到步骤a1;
步骤a6,加打TLP静电模型,并转到步骤a2;
步骤a7,换待测发光二极管,并转到步骤a2。
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Cited By (3)
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CN102426330A (zh) * | 2011-10-28 | 2012-04-25 | 江苏奥雷光电有限公司 | 一种led测试装置及led测试方法 |
CN104483613A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-01 | 常熟卓辉光电科技股份有限公司 | Led测试方法 |
CN105093087A (zh) * | 2014-05-22 | 2015-11-25 | 上海北京大学微电子研究院 | Esd特性测试系统 |
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《微电子学》 20080831 路香香,罗宏伟,姚若河,林志成 ESD 应力下的扩散电阻及模型击穿特性 469-472 1-2 第38卷, 第4期 * |
《微电子学》 20080831 路香香,罗宏伟,姚若河,林志成 ESD 应力下的扩散电阻及模型击穿特性 469-472 3 第38卷, 第4期 * |
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PB01 | Publication | ||
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