TWI456652B - 具有減少之後蝕刻固體殘餘物的高溫選擇性乾蝕刻 - Google Patents

Claims (12)

1. 一種於一基材處理腔室的一基材處理區域中蝕刻一基材上的一含矽層之方法，該方法包含以下步驟：將一含氟前驅物與一含氫前驅物流進一遠端電漿區域，同時在該電漿區域中形成一電漿以產生電漿流出物，該遠端電漿區域以流通式耦接該基材處理區域；以及透過將該等電漿流出物流進該基材處理區域，同時將該基材維持在約60℃至約95℃之間的一處理溫度，而蝕刻該含矽層；以及暫停該等電漿流出物進入該基材處理區域的流動，以使得堆積的固體殘餘物昇華，且隨後重啟該等電漿流出物的流動，而於在約60℃至約95℃之間的該處理溫度以一更新的蝕刻速率繼續蝕刻相同的含矽層。
2. 如請求項1之方法，其中該含氟前驅物包含至少一種前驅物，該前驅物選自由三氟化氮、氟化氫、雙原子氟、單原子氟及氟取代的碳氫化合物所構成之群組。
3. 如請求項1之方法，其中該含氫前驅物包含至少一種前驅物，該前驅物選自由原子氫、分子氫、氨、聯氨、碳氫化合物及不完全鹵素取代的碳氫化合物所構成 之群組。
4. 如請求項1之方法，其進一步包含以下步驟：在將該含氟前驅物流進該遠端電漿區域之操作的期間，將水蒸氣(H2 O)流入該遠端電漿區域。
5. 如請求項1之方法，其中該含矽層包含氧化矽、氮氧化矽、或氮化矽之一者。
6. 如請求項1之方法，其中該蝕刻操作從該含矽層移除超過300Å的材料。
7. 如請求項1之方法，其中該基材是具有一窄溝槽與一寬溝槽的一圖案化基材，該窄溝槽具有一窄的寬度，而該寬溝槽具有一寬的寬度，而在該窄溝槽內的該含矽膜之蝕刻速率是在該寬溝槽內的蝕刻速率的10%以內。
8. 如請求項7之方法，其中該窄的寬度低於35nm，而該寬的寬度大於75nm。
9. 如請求項7之方法，其中該寬溝槽是在一積體電路於製造期間的一開放區域或一周邊區域之其中一者中。
10. 如請求項1之方法，其中該含矽層的溫度在該蝕刻操作期間低於150℃。
11. 如請求項1之方法，其中該含矽層由一基材支撐底座在該蝕刻操作期間加熱。
12. 如請求項1之方法，其中該含矽層是使用電磁輻射在該蝕刻操作期間加熱。