TWI456187B - 整個晶圓差異的高產量製圖方法及設備 - Google Patents

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Claims (19)

  1. 一種用於表徵一樣品物體的一表面的方法，所述方法包含：以具有一第一解析度的一第一量測系統，產生一參數變異的參考校正表，所述參數變異發生在該樣品物體的該表面上；劃分所述樣品物體的所述表面成為具有所述參數變異之特徵的數個圖素；定義所述表面的區塊成所述圖素的各群組；以具有一第二解析度的一第二量測系統，所述第二解析度低於所述第一解析度；(i)在多個對表面的掃瞄中，以具有不同各別類型的偏振之一輻射照射所述表面的所述圖素，及(ii)回應每一個所述掃瞄，檢測來自所述圖素的返回輻射；對於每個掃描，(i)建構所述區塊的各個區塊標記以回應來自在每一個區塊中所述圖素的群組之所述返回輻射；(ii)使用所述區塊的各個所述區塊標記，藉以確定一區塊標記變異；及回應所述區塊標記變異與所述參數變異的參考校正表之間的一相關性，選擇數類型的偏振中之一者，以用於一 測試物體隨後的檢查，所述參數變異的參考校正表係基於具有所述第一解析度的所述量測，而所述區塊標記變異係基於具有所述第二解析度的所述量測，所述第二解析度低於所述第一解析度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，所述圖素蓋住所述表面，以及其中所述區塊包含相鄰圖素的各個組。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，所述偏振類型包含以下至少兩者：具有第一偏振方向的第一線性偏振、具有不同於所述第一偏振方向的第二偏振的第二線性偏振、左圓偏振、右圓偏振、第一橢圓偏振，和不同於所述第一橢圓偏振的第二橢圓偏振，所述第一和第二橢圓偏振的離心率在0到1之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，檢測所述返回輻射包含檢測明場輻射、灰場輻射和暗場輻射的至少其中之一。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，建構所述各個區塊標記包含：定義來自一給定區塊中的圖素的所述返回輻射的各個強度的一區塊標記函數，並評估所述區塊的所述區塊標記函數。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的方法，其中，所述區塊標記函數包含所述各個強度的算術平均值。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的方法，其中，所述測試物體的檢查包含：形成測試物體圖素的一測試物體區塊，以及評估來自所述測試物體圖素的返回輻射的各個測試物體強度的所述區塊標記函數。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，確定所述區塊標記變異包含確定一最高區塊標記變異，以及其中選擇數類型的偏振中之一者包含：選擇具有所述最高區塊標記變異的一掃描的一偏振類型。
  9. 一種用於表徵一樣品物體的一表面的方法，所述方法包含：以具有一第一解析度之一第一量測系統，產生一參數變異的參考校正表，所述參數變異發生在該樣品物體的該表面上；劃分所述樣品物體的所述表面成為多個圖素，所述多個圖素具有所述參數變異的特徵；定義所述表面的區塊成所述圖素的各群組。以具有一第二解析度之一第二量測系統，所述第二解析度低於所述第一解析度； (i)在多個對表面的掃瞄中，以具有不同、各個類型的偏振之一輻射照射所述表面的所述圖素；及(ii)回應每一個所述掃瞄，檢測來自所述圖素的返回輻射；建構所述區塊的各個組合(composite)區塊標記，以回應所述返回輻射，所述返回輻射來自每一個區塊中所述圖素的群組；使用所述區塊的各個所述組合區塊標記，以確定一組合區塊標記變異；及回應所述組合區塊標記變異與所述參數變異的參考校正表之間的一相關性，選擇兩或更多類型的偏振，以用於一測試物體隨後的檢查，所述參數變異的參考校正表基於具有所述第一解析度的所述量測，而所述組合區塊標記變異基於具有所述第二解析度的所述量測，所述第二解析度低於所述第一解析度。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的方法，其中，建構所述各個組合區塊標記包含：定義來自所述多個掃描中的至少兩個和來自一給定區塊中的所述圖素的所述返回輻射的強度的一組合區塊標記函數，以及評估所述區塊的所述組合區塊標記函數。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的方法，其中，所述 測試物體的檢查包含：形成測試物體圖素的一測試物體區塊，以及評估來自所述測試物體圖素的返回輻射的各個測試物體強度的所述組合區塊標記函數。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的方法，其中，確定所述組合區塊標記變異包含確定一最高組合區塊標記變異，其中選擇所述兩或更多類型的偏振包含：選擇對應於形成一最高組合區塊標記變異的掃描之偏振類型。
  13. 一種用於表徵一樣品物體的一表面的裝置，所述裝置包含：一處理器，所述處理器被配置用於：基於具有一第一解析度的一量測，產生一參數變異的參數校正表，所述參數變異發生在該樣品物體的該表面上；劃分所述樣品物體的所述表面成為多個圖素，所述圖素具有所述參數變異的特徵；定義所述表面的區塊成所述圖素的各群組；及一具有一第二解析度的輻射掃描器，所述第二解析度低於所述第一解析度，所述輻射掃描器被配置用於：在多個對表面的掃瞄中，以具有不同、各個類型的偏振的一輻射照射所述表面的所述圖素；及回應每一個所述掃瞄，檢測來自所述圖素的返回輻射，其中所述處理器更被配置用於：對於每個掃描， (i)建構所述區塊的各個區塊標記以回應所述返回輻射，所述返回輻射來自在每一個區塊中所述圖素的群組；(ii)使用所述區塊的所述區塊標記，以確定一區塊標記變異；及回應所述區塊標記變異與所述參數變異的參考校正表之間的一相關性，選擇數類型的偏振中之一者，以用於一測試物體隨後的檢查，所述參數變異的參考校正表基於具有所述第一解析度的所述量測，而所述區塊標記變異基於具有所述第二解析度的所述量測，所述第二解析度低於所述第一解析度。
  14. 一種用於表徵一樣品物體的一表面的裝置，所述裝置包含：一處理器，所述處理器被配置用於：基於具有一第一解析度的一量測，以產生一參數變異的參數校正表，所述參數變異發生在該樣品物體的該表面上；劃分所述樣品物體的所述表面成為多個圖素，所述圖素具有所述參數變異的特徵；定義複數個所述表面的區塊成所述圖素的各群組；一具有一第二解析度的輻射掃描器，所述第二解析度低於所述第一解析度，所述輻射掃描器被配置用於：在多個對表面的掃瞄中，以具有不同、各個類型的偏 振的一輻射照射所述表面的所述圖素；及回應每一個所述掃瞄，檢測來自所述圖素的返回輻射，其中所述處理器更被配置用於：建構所述區塊的各個組合區塊標記以回應所述返回輻射，所述返回輻射來自在每一個區塊中所述圖素的群組；使用所述區塊的所述組合區塊標記，以確定一組合區塊標記變異；及回應所述組合區塊標記變異與所述參數變異的參考校正表之間的一相關性，選擇兩或更多類型的偏振，以用於一測試物體隨後的檢查，所述參數變異的參考校正表基於具有所述第一解析度的所述量測，而所述組合區塊標記變異基於具有所述第二解析度的所述量測，所述第二解析度低於所述第一解析度。
  15. 一種用於表徵一樣品物體的一表面的方法，所述方法包含：基於具有一第一解析度的一模擬量測，以產生一參數變異的參數校正表，所述參數變異發生在該樣品物體的該表面上；模擬所述樣品物體的所述表面成為一模擬表面，以及定義所述模擬表面的模擬屬性；劃分所述模擬表面成為多個圖素，所述圖素具有所述參數的特徵變異；定義所述模擬表面的區塊成所述圖素的各群組； 以一第二解析度，所述第二解析度低於所述第一解析度，(i)在多個對所述模擬表面的掃瞄中，以具有不同、各個類型的偏振的一輻射模擬對所述模擬表面的所述圖素的照射；及(ii)回應每一個所述掃瞄，模擬對來自所述圖素的返回輻射的檢測，對於所述掃瞄的每一個，(i)建構所述區塊的各個區塊標記以回應所述返回輻射，所述返回輻射來自在每一個區塊中所述圖素的群組；(ii)使用所述區塊的各個所述區塊標記，以確定一區塊標記變異；及回應所述區塊標記變異與所述參數變異的參考校正表之間的一相關性，選擇數類型的偏振中之一者，以用於一測試物體隨後的實體檢查，所述參數變異的參考校正表基於具有所述第一解析度的所述量測，而所述區塊標記變異基於具有所述第二解析度的所述量測，所述第二解析度低於所述第一解析度。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的方法，其中，確定所述區塊標記變異包含確定一最高區塊標記變異，以及其中選擇數類型的偏振中之一者包含：選擇具有一最高區塊標記變異的一掃描的一偏振類型。
  17. 一種用於表徵一樣品物體的一表面的方法，所述方法包含：基於具有一第一解析度的一量測，產生一參數變異的參數校正表，所述參數變異發生在該樣品物體的該表面上；模擬所述樣品物體的所述表面成為一模擬表面，以及定義所述模擬表面的模擬屬性；劃分所述模擬表面成為多個圖素，所述圖素具有所述參數變異的特徵；定義所述模擬表面的區塊成所述圖素的各群組；以一第二解析度，所述第二解析度低於所述第一解析度，(i)在多個對所述模擬表面的掃瞄中，以具有不同、各個類型的偏振的一輻射模擬對所述模擬表面的所述圖素的照射；及(ii)回應所述掃瞄的每一個，模擬對來自所述圖素的返回輻射的檢測，建構所述區塊的各個組合區塊標記，以回應所述返回輻射，所述返回輻射來自在每一個區塊中所述圖素的群組；使用所述區塊的所述組合區塊標記，以確定一組合區塊標記變異；及回應所述組合區塊標記變異與所述參數變異的參考校正表之間的一相關性，選擇兩或更多類型的偏振，以用於 一測試物體隨後的實體檢查，所述參數變異的參考校正表基於具有所述第一解析度的所述量測，而所述組合區塊標記變異基於具有所述第二解析度的所述量測，所述第二解析度低於所述第一解析度。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的方法，其中，確定所述區塊標記變異包含確定一最高組合區塊標記變異，以及其中選擇所述兩或更多類型的偏振包含：選擇對應於形成一最高組合區塊標記變異的掃描的偏振類型。
  19. 一種用於表徵一樣品物體的一表面的方法，所述方法包含：劃分該樣品物體的該表面成多個圖素，所述圖素具有一非變化(non-varying)參數的特徵；定義所述表面的區塊成所述圖素的各群組；在多個對所述表面的掃瞄中，以具有不同、各個類型的偏振的一輻射照射所述表面的所述圖素；回應所述掃瞄的每一個，檢測來自所述圖素的返回輻射，對於所述掃瞄的每一個(i)建構所述區塊的各個區塊標記，以回應所述返回輻射，所述返回輻射來自在每一個區塊中所述圖素的群組；(ii)使用所述區塊的各個所述區塊標記，以確定一 區塊標記變異；及(iii)形成所述區塊的所述區塊標記與所述非變化參數之間的一相關性係數；回應所述區塊標記變異，就具有一最高相關性的一掃瞄，選擇一類型的偏振，以用於測試物體隨後的檢查。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8228497B2 (en) * 2007-07-12 2012-07-24 Applied Materials Israel, Ltd. Method and system for evaluating an object that has a repetitive pattern
WO2010013232A1 (en) * 2008-07-29 2010-02-04 Applied Materials Israel Ltd. Mapping variations of a surface
WO2012171687A1 (en) * 2011-06-14 2012-12-20 Asml Netherlands B.V. Inspection for lithography
US9255891B2 (en) * 2012-11-20 2016-02-09 Kla-Tencor Corporation Inspection beam shaping for improved detection sensitivity
JP6043813B2 (ja) * 2013-01-23 2016-12-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面計測装置
DE102013227103B4 (de) * 2013-09-03 2018-05-30 Leica Microsystems Cms Gmbh Mikroskop mit einer akustooptischen Vorrichtung
FR3045156B1 (fr) 2015-12-11 2017-12-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de detection de defauts et dispositif associe
KR101671756B1 (ko) 2016-03-10 2016-11-17 효림산업주식회사 지중 오염지하수의 양수, 펜톤산화 및 역삼투막 정화시스템
KR20180028787A (ko) * 2016-09-09 2018-03-19 삼성전자주식회사 디펙 검사 시스템과 방법, 및 그 검사 방법을 이용한 반도체 소자 제조방법
JP6805028B2 (ja) * 2017-03-07 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 液滴吐出装置、液滴吐出方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5883710A (en) * 1994-12-08 1999-03-16 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces
US20040125373A1 (en) * 2002-05-13 2004-07-01 Marine Biological Laboratory Enhancing polarized light microscopy
US6891627B1 (en) * 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US7239389B2 (en) * 2004-07-29 2007-07-03 Applied Materials, Israel, Ltd. Determination of irradiation parameters for inspection of a surface

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3762784B2 (ja) * 1995-12-28 2006-04-05 富士通株式会社 測定方法、測定装置および品質管理方法
JP3712481B2 (ja) * 1995-12-28 2005-11-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US6512578B1 (en) 1997-07-10 2003-01-28 Nikon Corporation Method and apparatus for surface inspection
JP3476742B2 (ja) * 2000-04-24 2003-12-10 エイド・オプティカル・システムズ・コーポレイション 基板の表面に発生する粒子の材料を識別する方法と装置
JP2002139451A (ja) 2000-08-04 2002-05-17 Nikon Corp 表面検査装置
US6809808B2 (en) 2002-03-22 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Wafer defect detection system with traveling lens multi-beam scanner
US6862491B2 (en) 2002-05-22 2005-03-01 Applied Materials Israel, Ltd. System and method for process variation monitor
US7006224B2 (en) * 2002-12-30 2006-02-28 Applied Materials, Israel, Ltd. Method and system for optical inspection of an object
JP4529366B2 (ja) 2003-03-26 2010-08-25 株式会社ニコン 欠陥検査装置、欠陥検査方法及びホールパターンの検査方法
US7643137B2 (en) 2003-03-26 2010-01-05 Nikon Corporation Defect inspection apparatus, defect inspection method and method of inspecting hole pattern
US7027145B2 (en) 2003-06-24 2006-04-11 The Regents Of The University Of Michigan Reconfigurable surface finish inspection apparatus for cylinder bores and other surfaces
DE10330005B4 (de) 2003-07-03 2006-12-21 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Vorrichtung zur Inspektion eines Wafers
WO2005040776A1 (ja) 2003-10-27 2005-05-06 Nikon Corporation 表面検査装置および表面検査方法
JP4802481B2 (ja) 2004-11-09 2011-10-26 株式会社ニコン 表面検査装置および表面検査方法および露光システム
US7372557B2 (en) 2005-08-26 2008-05-13 Nikon Corporation Surface defect inspection apparatus and surface defect inspection method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5883710A (en) * 1994-12-08 1999-03-16 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces
US6215551B1 (en) * 1994-12-08 2001-04-10 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces
US6891627B1 (en) * 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US20040125373A1 (en) * 2002-05-13 2004-07-01 Marine Biological Laboratory Enhancing polarized light microscopy
US7239389B2 (en) * 2004-07-29 2007-07-03 Applied Materials, Israel, Ltd. Determination of irradiation parameters for inspection of a surface

Also Published As

Publication number Publication date
US20090021749A1 (en) 2009-01-22
KR101114729B1 (ko) 2012-03-13
KR20090008153A (ko) 2009-01-21
JP2009111338A (ja) 2009-05-21
CN101629913A (zh) 2010-01-20
US7990546B2 (en) 2011-08-02
JP4954155B2 (ja) 2012-06-13
TW200912288A (en) 2009-03-16

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