TWI451593B - 發光二極體晶片 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種發光二極體晶片，即，一種光電半導體晶片。
本專利申請案主張德國專利申請案10 2007 003 282.1之優先權，其已揭示的整個內容在此一併作為參考。
本發明的目的是提供一種輻射效率較高的發光二極體晶片，其具有低的損耗。
依據第一較佳實施形式，提供一種具有一層序列的發光二極體晶片，該層序列具有至少一n型層。此發光二極體晶片包含一反射器，其是與該層序列固定地相連接著。此反射器具有一種與n型層相連接的導電式反射層。此反射器另外包括至少一介電質層，其配置在該n型層和該導電式反射層之間。該介電質層較佳是透明者。
該介電質層之折射率小於該層序列之與該介電質層鄰接的層之折射率。藉由使用此種折射率較小的介電質層，則平面式地入射至該介電質層上的輻射成份可完全反射。因此，甚至可使用一種無銀的反射層。無銀的反射層例如含有鋁，銠(Rh)，Rt。於是，可使該晶片之濕氣穩定度和長時間穩定性提高。
在另一種形式中，至少一介電質層具有至少二個上下配置的層，其折射率不同，此二層一起形成一種佈拉格
(Bragg)反射器。在介電質層大於二個時，折射率較高和較低的各層以交替的順序配置著。個別的層的厚度較佳是活性區中所產生的輻射之四分之一波長。依順序排列之各層的折射率之比值較佳是至少1.25。
該反射器亦可具有一序列的介電質層和導電層，此時折射率較高和較低的各層以交替的順序配置著。
在具有佈拉格反射器之另一種形式中，亦可使用一種導電之反射層，其反射率不是特別高，此時該反射率例如不超過95%。
可經由該佈拉格反射器之介電質層以例如經由垂直之電性連接區來接觸該層序列之個別的n型層。垂直之電性連接區以下稱為穿通接觸部。
另一種具有第一和第二n型層之層序列特別有利。此層序列具有p型層，其配置在二個n型層之間(npn-層結構)。n型層較佳是該層序列之位於末端的層。至少該活性區和p型層是配置在二個n型層之間。
第一n型層是一種與輻射產生用的活性區相鄰接的層。第二n型層形成一種與該層序列之p型層相接觸的穿隧接觸。第一和第二n型層在全部的實施例中可互相交換。這表示，該層序列的各層之順序在該反射器之固定的位置處可翻轉。
該反射器是與第一n型層或第二n型層導電性地相連接著。該介電質層在一種形式中配置在第一n型層和該反射層之間。該介電質層在另一種形式中配置在第二n型層
和該反射層之間。
至少一n型層是用作接觸層。可藉由一種連接線來接觸的層稱為接觸層，該連接線連接至一電流源。在另一種形式中，二個n型層分別用作一接觸層。另一種方式是，二個n型層之一用作第一接觸層且該反射層用作第二接觸層。
依據第二較佳的實施形式，提供一種具有一層序列的發光二極體，其在生長方向中具有多個依給定的順序而排列的層：一第一n型層，一產生輻射的活性區，一p型層和一第二n型層。在該p型層和第二n型層之間形成一種穿隧接觸。
第二n型層用作電流擴散層，其連接至一電流源。藉由導入該電流擴散層，則該反射器可由電性接觸區去耦合。於是，一方面可使用一種具有介電質層之高反射的反射器，且另一方面在與該層序列接觸時可使接觸電阻大大地下降。因此，發光二極體晶片之整個效率可大大地提高。
依據第三較佳的實施形式，提供一種具有一層序列的發光二極體晶片，其具有相同導電型的二個層，此二個層之間配置一種產生輻射的活性區。
該相同導電型的二個層具有第一導電型的第一層和第二層，其中第一導電型之較佳是較薄的第二層用作一種電荷載體儲存裝置，以使該活性區附近之第一導電型之電荷載體濃度提高。該層序列具有一種第二導電型之層，其鄰接於第一導電型之第二層。第一導電型是n-型且第二導電
型是p-型，或反之亦可。
在另一種形式中，該層序列具有第二導電型的另一層，其與第一導電型的第一層形成一種穿隧接觸。
在該層序列產生時生長方向原則上可以是任意的方向。
第一導電型之第二層之厚度較佳是小於第一層之厚度。第二層的厚度較佳為最多是第一層的厚度的20%。第一導電型之第二層較佳是最多為20nm厚。
在一有利的形式中，該層序列具有多個以給定的順序而排列的層：一p-導電之第一層，一產生輻射的活性區，另一p-導電之第二層(其用作電洞儲存層)，以及n型層。
上述二個p型層形成一種p-導電區。該活性區不是配置在一種pn-接面上而是配置在p-導電區內部中該pn-接面之附近。活性區由pn-接面之邊界轉移至該具有一特定導電型(此情況下是p-型)之區域中，這樣可使輻射產生時的效率提高。
在另一有利的形式中，該層序列具有多個在給定的方向中依序排列的層：一n-導電之第一層，一產生輻射的活性區，一n-導電之第二層(其用作電子儲存層)，以及一p型層。
該二個n型層形成一種n-導電區。該活性區未配置於pn-接面上而是配置在n-導電區內部中之pn-接面附近。
依據第四較佳之實施形式，提供一種具有一層序列的發光二極體晶片，該層序列具有以下各層：二個n型層，
一產生輻射的活性區以及一p型層。一種連接面配置在各n型層之位於耦合輸出方向中的最上層上。在該層序列中至少在該連接面下方形成一凹處，其在耦合輸出方向中至少延伸至各n型層之最上層。該凹處至少在其外罩面之區域中是以一介電質材料來作襯墊。該凹處的底部在垂直方向中與該連接面相隔開。
此外，該凹處例如形成盲孔的形式或形成環形凹處的形式。盲孔形式的凹處例如具有一種圓柱形的形式。環形凹處具有圓柱形外罩的形式，此處該層序列在內部區域中未形成凹處。這樣所具有的優點是：發光二極體晶片未具有大面積的凹處。凹處對發光二極體晶片之穩定性有不良的影響。
在凹處中配置一種穿通接觸部，以與多個n型層之在耦合輸出方向中的最上層形成電性接觸。
該層序列較佳是與一反射器固定地相連接著，該反射器具有至少一導電之反射層，其較佳是與該層序列之n型層之一層導電性地相連接著。該反射器可另外包括一透明的介電質層，其配置在該反射層和該層序列之間。
在另一種方式中，在該介電質層中配置一穿通接觸部以便可與多個n型層之在耦合輸出方向中的最下層形成電性接觸。
上述之各實施形式可任意地互相組合。
然後，將描述該發光二極體晶片之有利的形式。
該層序列之各層之導電型例如可以是n-型或p-型。在
一種具有n-型導電性之半導體層中，電子是多數電荷載體，在一種具有p-型導電性的半導體層中電洞是多數電荷載體。
具有n-型導電性之各層稱為n型層，且具有p-型導電性之各層稱為p型層。
該層序列包括一p型層和一產生輻射的活性區，其配置在該p型層和第一n型層之間。
該層序列的各層較佳是以磊晶方式生長而成。該層序列例如以GaN為主而形成。在另一種形式中，該活性區是由一種含有InGaN或InGaAlN之層所形成。銦含量較佳是可達50%。該活性區中所產生的輻射之正確的光譜區域是與銦含量有關且原理上該光譜區域可為任意的區域。為了產生光，可在發射側上設置一轉換器。
在一有利的形式中，該層序列具有一p型層，另一p型層以及一配置在此二個p型層之間的可產生輻射之活性區。該另一p型層配置在活性區和第一n型層之間。該另一p型層之厚度例如是在0.1nm和100nm之間，在另一種形式中此厚度是0.1nm至10nm。該另一p型層中摻雜度的最小值較佳是1018
Mg-原子/cm3
。
在一較佳的形式中，該層序列包括一第二n型層。該p型層較佳是配置在該第二n型層和活性區之間。在該p型層和該第二n型層之間形成一穿隧接觸。
該反射層經由至少一第一穿通接觸部(在一有利的形式中經由多個穿通接觸部)而與該第一n型層導電性地相連接
著，各穿通接觸部配置在該介電質層中。
藉由多個穿通接觸部，可使接觸電阻下降且因此使該反射層和導電性地與該反射層相連接的n型層之間的電位差較只具有一個穿通接觸部之形式中相對應的電位差還小。在個別的第一穿通接觸部和該n型層的界面上形成一種阻值較低的電性接觸區。較佳情況是，此接觸區的總面積最多是該層序列的底面之10%，在一有利的形式中此接觸區的總面積最多是該底面的5%。
各第一穿通接觸部之間的橫向距離較佳是20至30微米，這較介電質層的厚度還大，該介電質層的厚度例如可以是10至2000nm，在一較佳的形式中是400至600nm。
該介電質層用作輻射組件，其具有較一種近似完美的反射器更平坦的入射角，例如，大於30度。該近似完美的反射器之反射係數接近100%(全反射)。由於在該介電質層上全反射時不會發生吸收現象，則對該更平坦的入射角而言實際上不會發生吸收上的損耗。
該介電質層較佳是可透過該活性區中所產生的輻射。基本上垂直入射至該介電質層和與該介電質層相鄰接的n型層之界面上的輻射成份未反射至該界面上而是反射至該介電質層和該反射層的界面上。
該介電質層之折射率較佳是較該層序列之與其相面對的層(例如，第一或第二n型層)之折射率至少小1.5倍。特別是可考慮二氧化矽、氮化矽和旋塗(Spin on)玻璃作為該介電質層之材料。其它透明的多孔式介電質材料(其折射率小
於1.5)在另一種形式中亦是適當的材料。透明的多孔式材料(其折射率接近於空氣的折射率)是有利的。
藉由使用折射率是1.5之介電質層時所可達成的發射效率較使用一種只具有金屬層而未具備介電質層的反射器時至少可提高10%。
該反射層較佳是含有金屬，例如，Al,Ag,PtAg及/或其它適當的金屬或金屬合金(包括其組合)。在PtAg中鉑層的厚度最多是3nm，在另一有利的形式中最多是0.3nm。
藉由該介電質層的使用，則由不同的材料所構成的反射層之發射效率之差異幾乎可消除。因此，可降低該反射層中的銀含量且提高鋁含量。甚至可完全不需要銀。
該反射層可藉由一種金屬之蒸鍍或沈積來製成。各穿通接觸部及/或已結構化的反射層亦可使用一適當的光罩以藉由一種金屬的蒸鍍或沈積來製成。
在一種有利的形式中，第二n型層用作耦合輸出層以使該活性區中所產生的輻射發出。在第二n型層上較佳是配置一種連接面，其可由外部經由一連接線而被接觸。
第二n型層之裸露的表面較佳是已粗糙化。若未粗糙化，則亦可在第二n型層之表面上配置另一發射結構，例如，光子晶體或準(quasi)晶體結構，其表面之不平坦性形成一種周期性的配置。亦可考慮非周期的發射結構。例如，此處可設置另一至少一部份是透明的層，其具有粗糙的表面。亦可考慮一種不透明的層。
與一粗糙化的表面不同的發射結構例如可以是深度
100至1000nm(較佳是150至500nm)之凹口。各凹口可具有圓形或矩形(特別是正方形)的橫切面。凹口之直徑或橫切面的直線值在另一種形式中可以是50至800nm，較佳是80至500nm。
不只n型層，而且其它的耦合輸出層(例如，透明的基板)可具有表面粗糙性或發射結構。
該耦合輸出層的表面較佳是並非全部被粗糙化而是除了一已配置著該連接面的區域之外都已被粗糙化。入射至該連接面之下側上的光因此被反射。於是，可達成一種較佳的光發射性。
在另一種形式中，設置一凹處，其垂直於層結構而延伸至第二n型層。此凹處中至少一部份以一種介電質材料填入。特別是此凹處的側壁以該介電質作為襯底。於是，特別是可使該活性區中所產生的輻射不會在該層序列的一種位於該連接面下方的區域中產生或擴大。在此種情況下，在該發光二極體晶片操作時電流損耗可保持著較小，此乃因該可不被發出的輻射產生時不需消耗電流。
該凹處較佳是形成一種盲孔-凹處。該凹處的底部至少到達第二n型層的界面。然而，該凹處的底部亦可位於一平面中，此平面在該第二n型層之二個界面之間延伸。此外，該凹處可以只到達該p型層。然而，該凹處須經由活性層而延伸。
另一方式是，該凹處不是盲孔的形式而是形成一種環形凹處的形式。於是，該凹處不是圓柱形而是具有圓柱外
罩的形式，此時該層序列在內部區域中未造成凹處。這樣所具有的優點是，該發光二極體晶片未具有大面積的凹處。凹處對該發光二極體晶片之穩定性有不良的影響。
在另一種形式中，該反射層經由至少一第二穿通接觸部而與第二n型層導電地相連接著。在至少一第二穿通接觸部和該第二n型層之界面上所形成的電性接觸區之總面積最多是該層構造的底面之10%，在另一形式中最多是5%。
第二穿通接觸部較佳是由第一穿通接觸部所圍繞著。第二穿通接觸部之底面較佳是大於相對應的第一穿通接觸部之底面。
第二穿通接觸部較佳是配置在該凹處中。在第二穿通接觸部和該層構造之半導電的各層之間在任意的橫向中配置著一種由介電質材料所構成的外罩。
在另一形式中，個別的第一穿通接觸部連接至一用作反射層的導電面。第二穿通接觸部較佳是與第一穿通接觸部在電性上相隔開。
在另一形式中，第二穿通接觸部是與第一穿通接觸部在電性上相隔開。在此種情況下，與第一穿通接觸部相連接的反射層較佳是設有凹處，凹處中配置著多個與第二穿通接觸部導電地相連接的連接面。依據此形式，第一n型層和第二n型層只可由一側被接觸且此側是該反射層的此側。
至少一部份是以介電質材料來填入的凹處之至少一區域配置在連接面下方。該凹處之底面較佳是大於該連接面
之底面。在一種橫向的投影面上，該連接面之邊緣和該凹處的側面之間的距離在全部側面處至少都是5微米，在另一形式中此距離至少是10微米。
在一實施形式中，發光二極體晶片包括一固定地與該層序列相連接的基板。依據第一種形式，第二n型層配置在基板和p型層之間。依據第二種形式，第一n型層配置在基板和活性區之間。
光學區域中透明的基板可用來使活性區中產生的輻射發出。此基板可以是(但亦可以不是)該磊晶生長之層序列所需的生長基板。
此外，該層序列可固定地與一載體基板相連接，該載體基板具有一系列之不同的金屬層，例如Ge,Mo,Ni,Cu,Ag,AgCu,Si及/或AlN等多種層。該反射層和該介電質層之複合物因此配置在該載體基板和該層序列之間。
為了使穿通接觸部和層序列之各層或該反射層之間的界面上的電性接觸區之接觸電阻保持著較小，則穿通接觸部和該反射層較佳是使用導電性較高的金屬或金屬合金，例如，Ag或Al等等。
發光二極體晶片及其有利的形式以下將依據未依比例繪出的圖式來詳述。
第1，2，3，4，6，8，11圖中分別顯示一種光電半導體晶片，其具有一種層序列10以產生輻射。該層序列10包括一p型層2，一第一n型層31，一第二n型層32以及
一產生輻射的活性區1。此活性區1是由一種例如以銦來摻雜的層所形成，此層配置在該p型層2和該第一n型層31之間。該p型層2和第二n型層之間形成一穿隧接觸23。
該層序列10較佳是以磊晶方式生長在一基板6上。第1，2，3圖中以箭頭來表示生長方向(由上向下)。
在第1圖之另一形式中，首先在基板6上生長第二n型層32，然後生長該p型層，接著生長該產生光的層1和第一n型層31。
在第2圖之另一形式中，首先在基板6上生長第一n型層31，然後生長該產生光的層1，接著生長該p型層和第二n型層32。
在第3圖之另一形式中，首先在基板6上生長第二n型層32，然後生長該p型層，接著生長該產生光的層1、另一p型層，且在該另一p型層上生長第一n型層31。
在第1至3圖之形式中，該生長方向(向下)以逆平行於光發出方向(向上)的方式而延伸。該生長方向原則上可旋轉，使該生長方向和該光發出方向相一致或互相平行。
第1至3圖中所設定的層序列10可與發光二極體晶片之以下所述的各種形式任意地組合。在任一實施形式中，特別是該活性區1可配置在該p型層2，21之間。
該層序列10固定地與一反射器相連接，該反射器具有一透明的介電質層4和一反射層5。此介電質層4施加(例如，蒸鍍或濺鍍)在該層序列之在生長方向中觀看時的最上層(第1，3圖中是層31，第2圖中是層32)上。金屬製的反
射層5然後施加(較佳是蒸鍍)在該介電質層4上。
該層序列10之全部的層是透明的。基板6較佳是透明的且例如在第8圖所示的形式中可用來使輻射發出。原則上亦可去除該基板6，且將該反射器4，5此側上第1至3圖所示的層序列來與一載體基板相連接。
各層4，5原則上可具有多個相重疊的部份層。這亦適用於基板6和該層序列10之全部的層。
在第4圖之形式中，第一n型層31經由該介電質層4中所配置的第一穿通接觸部71而與導電性的反射層5導電地相連接著。該介電質層4與第一穿通接觸部71之圖解顯示在第5圖中。
為了產生第一穿通接觸部71，在產生該反射層5之前須使用一適當的光罩而在該介電質層4中對連續的多個開口進行蝕刻。各開口中以高導電性的導電材料填入。在填滿各開口之後，蒸鍍該反射層5。
第二n型層32此處用作一耦合輸出層。在第二n型層32上配置一連接面9，其用來經由一此處未顯示的連接線而對該層32達成電性上的接觸。
在由該連接面9所覆蓋的區域的外部在第二n型層32之裸露的表面上配置一發射結構33，其可由該層32之已粗糙化的表面來形成。
第一穿通接觸部71在橫向的投影面中配置在由該連接面9所覆蓋的區域之外部，以使該連接面9下方的光產生量下降。這在全部的形式中都是有利的。
第6圖中顯示第4圖中所示的實施形式的另一種形式。層序列10中，在施加該介電質層4之前產生一種盲孔形式的凹處8。為了產生此凹處8，須使用一適當的光罩來對該層序列10之至少一些層進行蝕刻直至光耦合輸出方向中最上方的(第6圖中的層32之)n型層之一預設的深度處為止。該穿隧接觸23是由該凹處8所中斷。
另一方式是，該凹處8不是盲孔的形式(如第6圖所示)而是形成一種環形凹處的形式。然後，該凹處不是如第6圖所示的圓柱形的形式而是具有圓柱形外罩的形式，此時該層序列10在內部區域中未形成凹處(未顯示)。這樣所具有的優點是：該發光二極體晶片未具有大面積的凹處。凹處對該發光二極體晶片之穩定性有不良的影響。
所形成的凹口中以一種介電質材料41來填入，然後，塗佈該由相同的介電質材料所形成的介電質層4。
電性絕緣的凹處8特別是在與該活性區1相鄰的高導電性的層31中可防止一種橫向電流在該連接面9下方流動，藉由此一凹處8，則可使該層序列中無電流且因此亦可使該連接面下方不會產生光。因此，可使一種輻射所需的能量消耗下降，該輻射由於受到該連接面9之遮蔽而不能發出。於是，該晶片之發射效率可提高。
就該連接面下方之電流已中斷而言，該層序列之材料之”去活化(deactivate)”另外亦可藉由一種材料之修改來達成，此時相對應的半導電層之位於該連接面下方的區域形成電性絕緣。
第7圖所顯示的橫向之投影面中，在該連接面9之邊緣和該凹處8之側面之間較佳是在全部的側面上都保持著某一大小的距離d1。此距離d1例如是5至10微米。
在第8和11圖之形式中，可由反射器4，5之此側來與二個n型層31，32相接觸。在該凹處8中產生一第二穿通接觸部72，其延伸至該凹處之底部或延伸至最後的高導電層32之內部中。在該穿通接觸部72和該層32之界面上形成一種較佳是低阻值之電性接觸區73。
為了產生第二穿通接觸部72，則須使用一適當的光罩來對該凹處8之層4和該介電質材料41進行蝕刻至少直至該凹處8之底部為止。所形成的凹口或開口以一種高導電性的導電材料來填入。
該連接面9在此種情況下產生於第二穿通接觸部72之下側上。個別的連接面9配置在該反射層5之一凹處81中，請參閱第10圖。
穿通接觸部71，72配置在該介電質層4中，這顯示在第9圖中。
為了使穿通接觸部71，72和n型層31，32之電性接觸區73，74獲得改良，則各穿通接觸部須使用一種高導電性的材料，例如，鋁及/或銀，以確保個別的穿通接觸部和個別的n型層之間可達成一種低阻值的電性連接且達成一種良好的反射性。電性接觸區73，74之反射係數較佳是至少90%。
在第8圖之另一形式中，透明的基板6用來使輻射發
出。在第11圖之另一形式中，其顯示出n型層31，32之單側的接觸區。第11圖中該輻射由第二n型層32發出。此發光二極體晶片之層構造和發光形式對應於第4圖或第6圖。
該層序列10和反射器4，5之複合物在第4，6和11圖之形式中是與第11圖所示的載體基板6相連接。為了使該層序列與該反射器相連接，則可考慮一種晶圓複合物或一種在圖中未顯示的連接層。
當第4，6，8和11圖中持續地將第二n型層32顯示成耦合輸出方向中最上方的層時，則原則上可使該層序列10之各層的順序相反，例如，如第2圖中所示者。在此種情況下，可經由第二穿通接觸部72來與第一n型層31達成電性接觸，且可經由第一穿通接觸部71來與第一n型層31達成電性接觸。
1‧‧‧活性區
2‧‧‧p型層
4‧‧‧介電質層
5‧‧‧反射層
6‧‧‧基板
7‧‧‧穿通接觸部
8‧‧‧凹處
9‧‧‧連接面
10‧‧‧層序列
21‧‧‧p型層
23‧‧‧穿隧接觸
31‧‧‧第一n型層
32‧‧‧第二n型層
33‧‧‧發射結構
41‧‧‧介電質材料
72‧‧‧第二穿通接觸部
73‧‧‧低阻值之電性接觸區
74‧‧‧電性接觸區
81‧‧‧凹處
d1‧‧‧距離
第1，2，3圖 發光二極體晶片之橫切面，其具有二個n型層、一個介電質層和一個反射層。
第4圖 發光二極體晶片之橫切面，其第二n型層作為耦合輸出層。
第5圖 是第4圖中該發光二極體晶片之介電質層的圖解。
第6圖 發光二極體晶片之橫切面，其具有一種位於一連接面下方的凹處。
第7圖 由上方所看到的凹處和連接面。
第8圖 發光二極體晶片之橫切面，其中可由一側面
來接觸二個n型層且一透明的基板用來發出輻射。
第9圖 是第8圖中發光二極體晶片之介電質層之圖解。
第10圖 是第8圖中發光二極體晶片之下側之圖解。
第11圖 發光二極體晶片之橫切面，其中可由一側面來接觸二個n型層且第二n型層用來發出輻射。
1‧‧‧可產生輻射的活性區
2‧‧‧p型層
4‧‧‧介電質層
5‧‧‧反射層
8‧‧‧凹處
9‧‧‧連接面
10‧‧‧層序列
31‧‧‧第一n型層
32‧‧‧第二n型層
33‧‧‧發射結構
41‧‧‧介電質材料
74‧‧‧電性接觸區
d1‧‧‧距離
Claims (21)
- 一種發光二極體晶片，包括：-層序列(10)，其具有至少一個n型層(31，32)；以及-反射器，其包括導電之反射層(5)和至少一個介電質層(4)，-其中該至少一個介電質層(4)配置在n型層(31，32)和該導電之反射層(5)之間，-其中該導電之反射層(5)係與n型層(31，32)電性連接，-其中該至少一個n型層(31，32)具有第一導電層(31)，-其中該層序列(10)包括p型層(2)和產生輻射的活性區(1)，該活性區配置在該p型層(2)和第一n型層(31)之間，-該反射層係經由配置在該介電質層中的第一穿通接觸部而與該第一n型層電性連接，-該層序列(10)包括第二n型層，-該晶片具有凹處，該凹處垂直於層構造而延伸到第二n型層，-第二穿通接觸部係配置在該凹處中，-該第二穿通接觸部與該第一穿通接觸部電性絕緣，-與該第一穿通接觸部連接之該反射層具有數個開口，其中配置數個分別與該第二穿通接觸部電性連接的連接面。
- 如申請專利範圍第1項之發光二極體晶片，其中 -該層序列(10)包括另一p型層，-該另一p型層配置在該活性區和第一n型層之間。
- 如申請專利範圍第1或2項之發光二極體晶片，其中-在該p型層和第二n型層之間形成穿隧接觸。
- 如申請專利範圍第3項之發光二極體晶片，其中-該p型層配置在第二n型層和該活性區之間。
- 如申請專利範圍第1或2項之發光二極體晶片，其中-該介電質層之折射率較該層序列(10)之與該介電質層相面對的層之折射率至少小1.25倍。
- 如申請專利範圍第1或2項之發光二極體晶片，其中-該凹處中至少一部份是以介電質材料來填入。
- 如申請專利範圍第1或2項之發光二極體晶片，其中-在第二穿通接觸部之側面和該層序列之半導電層之間配置一種由介電質材料所構成的環形外罩(41)。
- 如申請專利範圍第1或2項之發光二極體晶片，其中-相應的第一穿通接觸部連接至設計為反射層的導電的面。
- 如申請專利範圍第1或2項之發光二極體晶片，其中-第二n型層設計為用於將該活性區中所產生的輻射耦合輸出的耦合輸出層，-在第二n型層上配置有連接面。
- 如申請專利範圍第1或2項之發光二極體晶片，其中-該凹處配置在該連接面下方。
- 如申請專利範圍第10項之發光二極體晶片，其中-該凹處之底面大於該連接面之底面。
- 如申請專利範圍第11項之發光二極體晶片，其中-在橫向的投影面中在該凹處之側面和該連接面之邊緣之間的距離至少是5微米。
- 如申請專利範圍第1項之發光二極體晶片，其中-具有基板，其與該層序列(10)固定連接，-該第二n型層配置在該基板和該p型層之間。
- 如申請專利範圍第1項之發光二極體晶片，其中-具有基板，其與該層序列(10)固定連接，-第一n型層配置在該基板和該活性區之間。
- 如申請專利範圍第13或14項之發光二極體晶片，其中-該基板在光學區域中是透明的。
- 如申請專利範圍第1或2項之發光二極體晶片，其中-該層序列(10)之層以磊晶方式生長而成。
- 如申請專利範圍第1或2項之發光二極體晶片，其中-該層序列(10)基於GaN形成。
- 如申請專利範圍第1或2項之發光二極體晶片，其中-該至少一個介電質層(4)具有至少二個重疊地配置的折射率不同的層，此二層一起形成佈拉格-反射器。
- 一種發光二極體晶片，包括：-層序列(10)，其具有導電型相同的二個層，在此二個層之間配置有產生輻射的活性區，-該導電型相同的二個層具有第一導電型的第一層和第二層，-第一導電型的第二層設計為電荷載體儲存裝置以使該活 性區附近之第一導電型之電荷載體濃度提高，-該層序列(10)具有第二導電型的層，該層鄰接於第一導電型的第二層，-第一導電型是n型且第二導電型是p型，或者相反，-第一導電型之第二層的厚度最多是第一導電型之第一層之厚度的20%。
- 如申請專利範圍第1或2項之發光二極體晶片，其中-該反射層含有金屬。
- 一種發光二極體晶片，包括：-層序列(10)，其具有以下層：二個n型層、產生輻射的活性區和p型層，-其中在n型層之位於耦合輸出方向上最上面的層上配置有連接面(9)，-其中在該層序列(10)中至少在該連接面(9)下方建構有凹處(8)，該凹處在耦合輸出方向上至少延伸至n型層之最上層，-其中該凹處(8)至少在其外罩面之區域中以介電質材料覆蓋，-其中該凹處(8)之底部在垂直方向上與該連接面(9)相隔開。
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