TWI451144B - 高頻同軸式光發射次模組 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種高頻光發射次模組(high-frequency transmitter optical sub-assembly)，特別是指一種高頻同軸式光發射次模組(high-frequency coaxial transmitter optical sub-assembly)。
影響光通信品質的元件之一是將電訊號轉為光訊號、並將欲傳輸的資訊附加在載波上並調變後而傳入光纖通道中的光發射次模組；隨著國際聯盟訂定出的規範，以及2011年已發展至的21GBbit Fiber Channel(16/20 GFC)高傳輸速度技術發展，目前的光發射次模組已必須至少滿足每秒21GBbits的傳輸量，也因此，如何設計且低成本的製作出具有每秒25GBbits傳輸量的光發射次模組，滿足光通信的發展速度與趨勢，是學界努力的方向之一。
參閱圖1，圖1是2011年Wataru Kobayashi發表最新的高頻同軸式光發射次模組(40-Gbps Direct Modulation of 1.3-μm InGaAlAs DFB Laser in Compact TO-CAN Package，OSA/OFC/NFOEC 2011)，其設計的座本體11直徑為7.4mm，採用錫化金作為LCP基板12(liquid crystal polymer substrate)和電極13(feed lead)的接合面，配合與雷射二極體14相匹配的匹配電阻15，可在直流偏壓48mA時，3-dB頻寬可達到29GHz。
這種新型的高頻同軸式光發射次模組雖然在直流偏壓48mA時，3-dB頻寬可達到29GHz，但是從發表內容來看，至少具有因為採用錫化金作為接合面而無法用現有的自動化機台完成，以及外接匹配電阻在作動中會因為功率的消耗而造成熱效應的影響的缺點。
因此，目前的高頻同軸式光發射次模組仍需要改善，滿足光通信的發展需求。
因此，本發明的目的，即在提供一種用於結構簡單、低製作成本的高頻同軸式光發射次模組。
於是，本發明高頻同軸式光發射次模組，包含一座本體、一接地台體、一基板、一第一電極、二第二電極、一光產生元件、複數電連接線，及複數接地電極。
該座本體包括一第一表面、一相反於該第一表面的第二表面、一自該座本體第一表面向該第二表面形成的第一穿孔、二相間隔地分別自該第一表面向該第二表面形成的第二穿孔。
該接地台體包括一和該第一表面連接的連接面，及一自該連接面延伸的構裝面，該構裝面和該第一穿孔分別位於該二第二穿孔的假想連線的相反側，且沿該二第二穿孔的假想連線方向的最小長度大於該二第二穿孔的距離。
該基板包括一設置於該構裝面上的板本體，及一形成在板本體表面並具有預定電阻值的微帶線。
該第一電極包括一填置於該第一穿孔的第一介電材，及一與該第一介電材共軸地穿設過該第一介電材的第一接
腳。
該二第二電極分別包括一填置於其中一第二穿孔的第二介電材，及一與該其中之一第二介電材共軸地穿設過該第二介電材的第二接腳。
該光產生元件設置於該基板上，具有預定特性阻抗並在提供電能時產生預定頻域的單色光，且作動時其特性阻抗與該微帶線的電阻值相匹配。
該等電連接線用於電連接該光產生元件、該微帶線和該其中之一第二電極。
該等接地電極相間隔地設置於該座本體並自該第二表面向外凸伸出，且該等電極均位於該接地台體沿該座本體第一表面向第二表面方向的投影區域中。
本發明的目的及解決其技術問題還可採用於下技術措施進一步實現。
較佳地，該二第二電極對稱於該座本體中心設置，該第一電極設置於該二第二電極的假想連線的中垂線上，且該光產生元件設置於該座本體中心線上。
較佳地，該第一、二電極的第一、二接腳自該第一表面凸伸出的結構向該構裝面的正投影落入該構裝面。
較佳地，該第二電極之第二接腳的半徑是0.315mm~0.615mm，且該第二接腳與該第二穿孔的徑長比值是0.166~0.126。
較佳地，該第二電極中心至該構裝面的高度是0.425mm~0.525mm。
較佳地，該微帶線的線寬是0.195mm~0.287mm，電阻值是50Ω~60Ω。
較佳地，該基板的板本體是氮化鋁構成，且厚度是0.22mm~0.28mm。
較佳地，該基板至該座本體的第一表面的間距不大於0.5mm。
較佳地，該基板還包括一由導電材料構成在表面的接地膜層，及一由絕緣材料構成在表面並隔離該接地膜層和該微帶線的絕緣膜層。
較佳地，該微帶線具有一平行於該二第二電極的假想連線的第一線部，及一自該第一線部且垂直於該二第二電極的假想連線延伸的第二線部。
本發明的功效在於：主要是具有預定阻值之微帶線的基板、作動時的特性阻抗與微帶線相匹配的光產生元件和第二電極的結構設計簡單，同時可用電連接線電連接該等元件，而能實際以現有機台自動化量產，同時，這樣的結構設計能有效提高3-dB傳輸頻寬、降低消耗功率，且不會發生因為有外接匹配電阻而在作動中會因為功率的消耗而造成熱效應影響的問題。
有關本發明的前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式的一個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。
參閱圖2、3，本發明高頻同軸式光發射次模組的一較
佳實施例包含一座本體21、一接地台體22、一基板23、一第一電極24、二第二電極25、一光產生元件26、複數電連接線27，及複數接地電極28，本例以5pin、單端訊號輸入的同軸式光發射次模組作說明，也就是接地電極28的數目是二。
該座本體21以黃銅為材料構成並概成薄圓柱體態樣，包括一第一表面211、一相反於該第一表面211的第二表面212、一自該座本體21第一表面211向該第二表面212形成的第一穿孔213、二相間隔地分別自該第一表面211向該第二表面212形成的第二穿孔214。在本例中，該座本體21的直徑是5.6mm，厚度為2mm，也就是第一、二表面211、212的間距是2mm，該二第二穿孔214對稱於該座本體21中心，該第一穿孔213位於該二第二穿孔214中心連線的中垂線上，且該二第二穿孔214彼此中心的間距是0.9mm，該第一、二穿孔213、214的直徑與第一、二電極24、25相關，請容後再敘。
該接地台體22以黃銅為材料構成並概成薄型且自頂面向底面方向切下的半橢圓柱體態樣，包括一和該第一表面211連接的連接面221，及一自該連接面221延伸的構裝面222，該構裝面222和該第一穿孔213分別位於該二第二穿孔214的假想連線的相反側，且該構裝面222沿該二第二穿孔214的假想連線方向的最小長度大於該二第二穿孔214的距離，較佳地，該第二電極25中心至該構裝面的高度是0.425mm~0.525mm。在本實施例中，該構裝面222是3.24×
1.2mm2
的矩形，該第二電極25中心至該構裝面的高度是0.425mm。
該基板23設置於該構裝面222上且與該座本體21的第一表面211的間隙不大於0.5mm，包括一由氮化鋁構成並設置於該構裝面222上的板本體231、一形成在該板本體231表面並具有預定電阻值的微帶線232、一由導電材料構成在該板本體231表面的接地膜層233，及一由絕緣材料構成在表面並隔離該接地膜層233和該微帶線232的絕緣膜層234，該微帶線232具有一平行於該二第二電極25的假想連線的第一線部235，及一自該第一線部235且垂直於該二第二電極25的假想連線延伸的第二線部236，而概成「L」態樣，該接地膜層234概成倒「U」態樣，較佳地，該板本體231的厚度是0.22mm~0.28mm，該微帶線232的線寬是0.195mm~0.287mm，電阻值是50Ω~60Ω，而在本例中，該板本體的厚度是0.25mm，該微帶線的線寬是0.236mm，電阻值是55Ω。
該第一電極24包括一填置於該第一穿孔213的第一介電材241，及一與該第一介電材241共軸地穿設過該第一介電材241的第一接腳242，其中，該第一接腳242凸伸出該座本體21第一表面211的結構向該構裝面222的正投影落入該構裝面222，也就是該第一接腳242凸伸出該座本體21第一表面211的長度不超過該構裝面222的寬度，較佳地，該第一接腳242與該第一穿孔213的徑長比值是0.166~0.126，在本例中，該第一介電材241是鐵氟龍/玻璃
材質，該第一接腳242是由黃銅為材料構成，且半徑是0.125mm。
該二第二電極25分別包括一填置於其中一第二穿孔214的第二介電材251，及一與該第二介電材251共軸地穿設過該第二介電材251的第二接腳252，其中，該二第二接腳252凸伸出該座本體21第一表面211的結構向該構裝面222的正投影落入該構裝面222，也就是該第二接腳252凸伸出該座本體21第一表面211的長度不超過該構裝面222的寬度，較佳地，該第二接腳252的半徑是0.315mm~0.615mm，該第二接腳252與該第二穿孔214的徑長比值是0.166~0.126，在本例中，該第二介電材251是鐵氟龍/玻璃材質，該第二接腳252是由黃銅為材料構成。
該光產生元件26設置於該基板23上，具有預定特性阻抗並在提供電能時產生預定頻域的單色光，且作動時其特性阻抗與該微帶線232的電阻值相匹配；在本例中，該光產生元件26是負載為50Ω理想特性阻抗的雷射二極體，並設置在該接地膜層233上。
該等電連接線27用於電連接該光產生元件26、該微帶線232和該其中之一第二電極25的第二接腳252，其中，部分電連接線27彼此併排地一端連接該第二接腳252，另一端連接於該微帶線232的第二線部236，部分電連接線27則是併排地一端連接該光產生元件26，另一端連接於該微帶線232的第一線部235，在本例中是用四電連接線27連接第二接腳252和微帶線232，用三電連接線27電連接
光產生元件26和微帶線232。
該等接地電極28相間隔地設置於該座本體21並自該第二表面212向外凸伸出，且該等接地電極28均位於該接地台體22沿該座本體21第一表面211向第二表面212方向的投影區域中。
當與外部光纖接頭(K接頭)連接後，該第一電極24、第二電極25、接地電極28等與外部電路電連接，供傳輸來自外部電路對該光產生元件26的控制訊號，及輸出自該光產生元件26產生供外部電路監控的回饋訊號，而透過該高頻同軸式光發射次模組再把光訊號傳入光纖通道內，以進行光通訊。
參閱圖4、圖5，上述本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例在負載設定為50Ω時，3-dB頻寬可達到32.02GHz，且整體曲線相當平滑，當負載設定為5Ω時，整體3-dB頻寬仍可保持29.70GHz，且相位在22GHz之前都能保持相當完整的線性。
參閱圖6、圖7、圖8，上述本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例使用模擬ADS(Advanced Design System，一種用於模擬高頻微波電路及電信系統的軟體)搭配HFSS(High Frequency Structure Simulator，一種建立3D立體結構進而模擬出高頻特性的軟體)進行大訊號眼圖分析，圖6是25Gbits/s原始訊號眼圖，圖7是負載阻抗為50Ω的結果，圖8是負載阻抗為5Ω時的結果，模擬參數如下表
(Rise Time：上升時間，Fall Time：下降時間，Jitter：抖動值，ps=picosecond：一兆分之一秒)
由圖7、圖8和圖6的結果比較可知，負載阻抗為50Ω的眼圖出現一個正脈衝現象(Overshoot)，負載阻抗為5Ω的眼圖出現一個負脈衝現象(Undershoot)，負載為50Ω或是5Ω時，雖有些微差異，但仍證明了本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例可適用於負載為50Ω至5Ω之間。
參閱圖9、10，再將本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例與K接頭連接，由圖中結果可知，負載設定為50Ω時，3-dB頻寬可達到31.99GHz，且整體曲線相當平滑，當負載設定為5Ω時，整體3-dB頻寬仍可保持29.98GHz，且相位在40GHz之前都能保持相當完整的線性。
參閱圖6、圖11、圖12，將上述本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例與K接頭連接，並採用相同的模擬ADS搭配HFSS進行大訊號眼圖分析，圖6是25Gbits/s原始訊號眼圖，圖11是負載阻抗為50Ω的結果，圖12是負載阻抗為5Ω時的結果，模擬參數如下表
由圖6、圖11和圖12的結果比較可知，負載阻抗為50
Ω時藉由K接頭而將正脈衝現象抑制下來(Overshoot)，負載阻抗為5Ω仍類似出現負脈衝現象，但並無劣化的趨勢，證明本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例接上K接頭時仍可適用於負載為50Ω至5Ω之間。
參閱圖13，再將本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例實際搭載球面透鏡、上、下件等構裝成光發射模組(TOSA)，由量測結果得知光產生元件26(在本例中即為雷射二極體)操作在直流偏壓60mA時，最佳的傳輸頻率響應(S21)是18.8GHz。
參閱附件一，將本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例實際搭載球面透鏡、上、下件等構裝成光發射模組(TOSA)進行大訊號眼圖量測，模擬參數如下表
由量測結果可知直流偏壓在40mA至70mA、訊號源操作在25Gbits/s下，眼圖訊號特性仍清晰可見。
參閱附件二，將本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例實際搭載球面透鏡、上、下件等構裝成光發射模組(TOSA)進行10公里單模光纖傳輸後量測，模擬參數如下表
由量測結果可知直流偏壓在40mA、訊號源操作在25Gbits/s下，眼圖訊號特性仍清晰，而直流偏壓在70mA、訊號源操作在25Gbits/s下，眼圖訊號特性雖然劣化，但在訊號0與1的能辨度仍屬清晰。
由上述的實驗驗證結果可知，本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例最佳的3-dB頻寬為18.8GHz；進行大訊號眼圖量測時，在直流偏壓40mA至70mA、25Gbit/s訊號源下眼圖仍清晰可見；10公里單模光纖傳輸後量測，在直流偏壓40mA、25Gbit/s訊號源下眼圖仍清晰，而直流偏壓在70mA、訊號源操作在25Gbits/s下，眼圖訊號特性雖然劣化，但在訊號0與1的能辨度仍屬清晰，確實驗證本發明高頻同軸式光發射次模組可應用於25Gbit/s傳輸而滿足光通信的發展速度與趨勢。
參閱圖14，需要另外說明的是，藉由本發明高頻同軸式光發射次模組中的具有微帶線232的基板23的設計，便於再衍生於微帶線232增加薄膜電阻3的設計，藉由外加的薄膜電阻3以提高終端阻抗值，如此可便於匹配驅動積體電路、減少高頻訊號反射量；其中，薄膜電阻3亦可以用晶片電阻替代。
參閱圖15，另外，本發明高頻同軸式光發射次模組中
的具有微帶線232的基板23，更便於將尺寸縮小到只包含微帶線232與放置光產生元件26的面積大小，以本實施例來說，即是縮小至與傳統的TO-56封裝製程的晶片固裝機台(Die bonder)相匹配的尺寸，而可直接利用吸嘴將基板23吸起定置於接地台體22上，且可在放置中避免吸嘴被第一、二電極24、25的第一、二接腳242、252卡住的製程問題，而更易於構裝量產。
參閱圖16，上述本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例，當基板23設計為具有二微帶線232，並分別與二第二電極25的二第二接腳252用電連接線27電連接時，即成動訊號鏈比較不易受到雜訊與干擾影響的差動訊號(differential)輸入的高頻同軸式光發射次模組，而在同樣的電源供應下，合成訊號擺幅可以達到單端擺幅的兩倍，以提高訊號對雜訊比值，或降低失真度，或是使用較低電源供應電壓而提供相同的訊號擺幅，藉以減少電源的耗損。
參閱圖17、圖18、圖19，類似於前述較佳實施例的各構件參數與電連接線27數量及打線高度等，本發明高頻同軸式光發射次模組衍生的差動訊號輸入式高頻同軸式光發射次模組，在負載為50Ω以及5Ω時其3-dB頻寬都遠大於40GHz以上，模擬大訊號眼圖操作在25Gbit/s時，眼圖特性仍在可接受的範圍之內，另外，從下表中可以了解，只需將基板23上的微帶線232做些許的修改，即可大幅改善傳輸品質，也就是說，藉由本發明高頻同軸式光發射次模組中的具有微帶線232的基板23的簡單改變，即可以在不
更動其他構件設計的前提下，變化本發明高頻同軸式光發射次模組由單端訊號輸入為差動訊號輸入，而提昇訊號對雜訊比值，或降低失真度，或減少電源的耗損。
綜上所述，本發明高頻同軸式光發射次模組是藉著具有預定阻值的微帶線232的基板23、作動時的特性阻抗與該微帶線232的電阻值相匹配的光產生元件26、第二電極25，和電連接線27彼此的配合設計有效提高3-dB傳輸頻寬、降低消耗功率，並消除傳統上匹配電阻在作動中會因為功率的消耗而造成熱效應影響的問題，同時，本發明高頻同軸式光發射次模組高頻的結構較現有的高頻同軸式光發射次模組簡化，特別是具有微帶線232的基板23，因為微帶線232係屬直線段彼此連接的結構而易於使用現有的自動化生產機台製作，也因此可以採用現有的自動化機台將基板23構裝於接地台體22上，以及將光產生元件26構裝於基板23上並打線構裝，進而可以低生產成本量產普及。另外，具有微帶線232的基板23易於衍生例如再搭配晶片電阻或薄膜電阻、微縮尺寸，或是轉換成差動訊號輸入的元件等各式設計，確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者，僅為本發明的較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍
屬本發明專利涵蓋的範圍內。
21‧‧‧座本體
211‧‧‧第一表面
212‧‧‧第二表面
213‧‧‧第一穿孔
214‧‧‧第二穿孔
22‧‧‧接地台體
221‧‧‧連接面
222‧‧‧構裝面
23‧‧‧基板
231‧‧‧板本體
232‧‧‧微帶線
233‧‧‧接地膜層
234‧‧‧絕緣膜層
235‧‧‧第一線部
236‧‧‧第二線部
24‧‧‧第一電極
241‧‧‧第一介電材
242‧‧‧第一接腳
25‧‧‧第二電極
251‧‧‧第二介電材
252‧‧‧第二接腳
26‧‧‧光產生元件
27‧‧‧電連接線
28‧‧‧接地電極
3‧‧‧薄膜電阻
圖1是一立體圖，說明習知的高頻同軸式光發射次模組；圖2是一立體圖，說明本發明高頻同軸式光發射次模組的一較佳實施例；圖3是一俯視圖，輔助說明該本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例；圖4是一模擬測試結果圖，說明該本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例的嵌入損耗；圖5是一模擬測試結果圖，說明該本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例的反射損耗；圖6是一模擬測試結果圖，說明HFSS搭配ADS模擬操作在25Gbit/s的原始訊號眼圖；圖7是一模擬測試結果圖，說明該本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例在負載50Ω的眼圖訊號；圖8是一模擬測試結果圖，說明該本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例在負載5Ω的眼圖訊號；圖9是一模擬測試結果圖，說明該本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例搭配K接頭的反射損耗；圖10是一模擬測試結果圖，說明該本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例搭配K接頭的嵌入損耗；圖11是一模擬測試結果圖，說明該本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例搭配K接頭時在負載50Ω的眼
圖訊號；圖12是一模擬測試結果圖，說明該本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例搭配K接頭時在負載5Ω的眼圖訊號；圖13是一測試結果圖，說明該本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例實際搭載球面透鏡、上、下件等構裝成光發射模組(TOSA)的嵌入損耗；圖14是一俯視圖，說明本發明高頻同軸式光發射次模組便於再衍生應用薄膜電阻3的實施態樣；圖15是一俯視圖，說明本發明高頻同軸式光發射次模組便於再衍生縮小基板的實施態樣；圖16是一俯視圖，說明本發明高頻同軸式光發射次模組便於再衍生應用成差動訊號輸入的高頻同軸式光發射次模組的實施態樣；圖17是一模擬測試結果圖，說明圖16所示的差動訊號輸入的高頻同軸式光發射次模組的嵌入損耗；圖18是一模擬測試結果圖，說明圖16所示的差動訊號輸入的高頻同軸式光發射次模組在負載50Ω的眼圖訊號；及圖19是一模擬測試結果圖，說明圖16所示的差動訊號輸入的高頻同軸式光發射次模組在負載5Ω的眼圖訊號。
附件一是該本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例實際搭載球面透鏡、上、下件等構裝成光發射模組(TOSA)的測試結果，其中，(a)是25Gbit/s的原始訊號眼圖，(b)是操作在直流偏壓70mA得到的眼圖，(c)是操作在直流偏壓40mA得到的眼圖。
附件二是該本發明高頻同軸式光發射次模組的較佳實施例實際搭載球面透鏡、上、下件等構裝成光發射模組(TOSA)進行10公里單模光纖傳輸的測試結果，其中，(a)是操作在直流偏壓40mA得到的眼圖，(b)是操作在直流偏壓70mA得到的眼圖。
21．．．座本體
211．．．第一表面
212．．．第二表面
213．．．第一穿孔
214．．．第二穿孔
22．．．接地台體
221．．．連接面
222．．．構裝面
23．．．基板
231．．．板本體
232．．．微帶線
233．．．接地膜層
234．．．絕緣膜層
235．．．第一線部
236．．．第二線部
24．．．第一電極
241．．．第一介電材
242．．．第一接腳
25．．．第二電極
251．．．第二介電材
252．．．第二接腳
26．．．光產生元件
27．．．電連接線
28．．．接地電極
Claims (10)
- 一種高頻同軸式光發射次模組，包含：一座本體，包括一第一表面、一相反於該第一表面的第二表面、一自該座本體第一表面向該第二表面形成的第一穿孔、二相間隔地分別自該第一表面向該第二表面形成的第二穿孔；一接地台體，包括一和該第一表面連接的連接面，及一自該連接面延伸的構裝面，該構裝面和該第一穿孔分別位於該二第二穿孔的假想連線的相反側，且該構裝面沿該二第二穿孔的假想連線方向的最小長度大於該二第二穿孔的距離；一基板，包括一設置於該構裝面上的板本體，及一形成在板本體表面並具有預定電阻值的微帶線；一第一電極，包括一填置於該第一穿孔的第一介電材，及一與該第一介電材共軸地穿設過該第一介電材的第一接腳；二第二電極，分別包括一填置於其中一第二穿孔的第二介電材，及一與該其中之一第二介電材共軸地穿設過該第二介電材的第二接腳；一光產生元件，設置於該基板上，具有預定特性阻抗並在提供電能時產生預定頻域的單色光，且作動時其特性阻抗與該微帶線的電阻值相匹配；複數電連接線，電連接該光產生元件、該微帶線和該其中之一第二電極；及 複數接地電極，相間隔地設置於該座本體並自該第二表面向外凸伸出，且該等電極均位於該接地台體沿該座本體第一表面向第二表面方向的投影區域中。
- 根據申請專利範圍第1項所述的高頻同軸式光發射次模組，其中，該二第二電極對稱於該座本體中心設置，該第一電極設置於該二第二電極的假想連線的中垂線上，且該光產生元件設置於該座本體中心線上。
- 根據申請專利範圍第2項所述的高頻同軸式光發射次模組，其中，該第一、二電極的第一、二接腳自該第一表面凸伸出的結構向該構裝面的正投影落入該構裝面。
- 根據申請專利範圍第3項所述的高頻同軸式光發射次模組，其中，該第二電極之第二接腳的半徑是0.315mm~0.615mm，且該第二接腳與該第二穿孔的徑長比值是0.166~0.126。
- 根據申請專利範圍第4項所述的高頻同軸式光發射次模組，其中，該第二電極中心至該構裝面的高度是0.425mm~0.525mm。
- 根據申請專利範圍第5項所述的高頻同軸式光發射次模組，其中，該微帶線的線寬是0.195mm~0.287mm，電阻值是50Ω~60Ω。
- 根據申請專利範圍第6項所述的高頻同軸式光發射次模組，其中，該基板的板本體是氮化鋁構成，且厚度是0.22mm~0.28mm。
- 根據申請專利範圍第7項所述的高頻同軸式光發射次模 組，其中，該基板至該座本體的第一表面的間距不大於0.5mm。
- 根據申請專利範圍第8項所述的高頻同軸式光發射次模組，其中，該基板還包括一由導電材料構成在表面的接地膜層，及一由絕緣材料構成在表面並隔離該接地膜層和該微帶線的絕緣膜層。
- 根據申請專利範圍第9項所述的高頻同軸式光發射次模組，其中，該微帶線具有一平行於該二第二電極的假想連線的第一線部，及一自該第一線部且垂直於該二第二電極的假想連線延伸的第二線部。
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|---|---|---|---|
| TW100135769A TWI451144B (zh) | 2011-10-03 | 2011-10-03 | 高頻同軸式光發射次模組 |
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| TW100135769A TWI451144B (zh) | 2011-10-03 | 2011-10-03 | 高頻同軸式光發射次模組 |
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|---|---|
| TW201316061A TW201316061A (zh) | 2013-04-16 |
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ID=48803012
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| TW (1) | TWI451144B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106526763A (zh) * | 2016-07-12 | 2017-03-22 | 深圳大学 | 一种同轴封装光通信器件 |
Citations (1)
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| TW200802417A (en) * | 2006-04-10 | 2008-01-01 | Finisar Corp | Active optical cable with electrical connector |
-
2011
- 2011-10-03 TW TW100135769A patent/TWI451144B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TW200802417A (en) * | 2006-04-10 | 2008-01-01 | Finisar Corp | Active optical cable with electrical connector |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106526763A (zh) * | 2016-07-12 | 2017-03-22 | 深圳大学 | 一种同轴封装光通信器件 |
| CN106526763B (zh) * | 2016-07-12 | 2019-06-18 | 深圳大学 | 一种同轴封装光通信器件 |
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|---|---|
| TW201316061A (zh) | 2013-04-16 |
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