TWI450414B - Nitride semiconductor device - Google Patents
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Description
本發明係關於氮化物半導體裝置，尤其是，與具有六方晶構造之基板的氮化物半導體裝置相關。
半導體雷射等使由由氮化物半導體所構成之發光元件。氮化物半導體之實例如氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、氮化銦(InN)等。代表之氮化物半導體，可以Alx
Iny
Ga1-x-y
N(0≦x≦1、O≦y≦1、0≦x+y≦1)來表示。其中，GaN係含氮之六方晶構造之化合物半導體當中最為大家所熟知的氮化物半導體。
一般而言，使用GaN之發光元件，具有於基板上層積n型GaN層、活性層及p型GaN層的構造，將活性層所發生之光輸出至外部。該等發光元件，例如，於藍寶石基板上層積氮化物半導體膜而形成(例如，參照專利文獻1)。
層積於藍寶石基板上之氮化物半導體膜含有超晶格結構之氮化物半導體膜時，構成超晶格結構之層間界面會形成陡峭的氮化物半導體膜。其應該是因為藍寶石基板之缺陷密度較高的緣故。
[專利文獻1]日本特開2003-238297號公報
然而，因為藍寶石基板之缺陷密度較高，氮化物半導體膜層積於藍寶石基板上而形成之發光元件的信賴性較低。另一方面，氮化物半導體膜層積於缺陷密度較低之GaN基板等氮化物半導體基板之結晶面上而形成之發光元件時，有構成超晶格結構之層間界面難以形成陡峭之氮化物半導體膜的問題。
有鑑於上述問題，本發明係提供於缺陷密度較低之氮化物半導體基板之結晶面上配置界面陡峭之超晶格結構之氮化物半導體膜的氮化物半導體裝置。
依據本發明之一實施形態，可以提供一種氮化物半導體裝置，具有(a)由六方晶構造之氮化物半導體所構成，面法線與極性面之結晶軸之夾角為0.2度至5度之角度之基板主面的基板；及(b)配置於基板主面上，含有由氮化物半導體所構成之超晶格結構之層的層積體。
依據本發明，可以提供於缺陷密度較低之氮化物半導體基板之結晶面上配置界面陡峭之超晶格結構之氮化物半導體膜的氮化物半導體裝置。
其次，參照圖式，針對本發明之實施形態進行說明。以下之圖式之記載中，相同或類似之部分賦予相同或類似之符號。但是，圖式只是概念，厚度及平面尺寸之關係、各層之厚度之比率等，可能與實際之物不同。所以，具體之厚度及尺寸，請參酌以下之說明進行判斷。此外，圖式彼此間之尺寸之關係及比率當然也包括不同之部分。
此外，以下所示之實施形態，只是以將本發明之技術思想具體化為目的之裝置及方法的實例，本發明之技術思想，構成部品之材質、形狀、構造、配置等並未受限於下述說明。本發明之技術思想，在申請專利範圍內，可以實施各種變更。
本發明之實施形態之半導體裝置，如第1圖所示，具備：由六方晶構造之氮化物半導體所構成，具有面法線與極性面(c面)之結晶軸之夾角為0.2度至5度之角度之基板主面11的基板10；及配置於基板主面11上，含有由氮化物半導體所構成之超晶格結構之層的層積體20。層積體20，具有依序層積著分別由氮化物半導體所構成之n型半導體層21、活性層220、及p型半導體層23之構造，從活性層220發生光。n型半導體層21及p型半導體層23之至少任一包含超晶格結構之層。
首先，針對基板10進行說明。基板10具有六方晶之結晶構造，例如，可以採用GaN基板等。以下，參照第2圖，針對六方晶之結晶構造進行說明。第2圖係六方晶之結晶構造之晶格單元的概念圖。
六方晶系之c軸[0001]係延伸於六角柱之軸方向，以該c軸做為法線之面(六角柱之頂面)為c面{0001}。c面，+c軸側及-c軸側具有不同之性質，稱為極性面(Polar Plane)。此外，六方晶構造之結晶時，分極方向係沿著c軸。
六方晶系時，六角柱之6個側面分別為m面({1-100}面)，通過不相鄰之一對稜線之面為a面({11-20}面)。m面及a面，係垂直於c面之結晶面，因為垂直相交於分極方向，故為無極性之平面，亦即，非極性面(Nonpolar Plane)。
基板10之基板主面11之面法線方向，具有從c軸傾斜之量測走離角。第3圖係基板10之基板主面11之面法線方向與基板結晶軸方向之c軸方向、m軸方向及a軸方向之關係。如第3圖所示，基板主面11之面法線方向與c軸方向之夾角為量測走離角Φ，基板主面11之面法線投影於基板結晶軸之m軸及c軸所定義之m軸c軸平面之投影軸與c軸方向之夾角(以下，稱為「朝面法線之m軸方向之傾斜角成份」)為Φm，基板主面11之面法線投影於基板結晶軸之a軸及c軸所定義之a軸c軸平面之投影軸與c軸方向之夾角(以下，稱為「朝面法線之a軸方向之傾斜角成份」)為Φa。方向L係基板主面11之面法線投影於基板結晶軸之a軸及m軸所定義之a軸m軸平面之投影軸的延伸方向。方向L與m軸方向之夾角為角α。
如第5(a)圖所示，基板主面11之面法線方向具有從c軸傾斜之量測走離角Φ時，如第5(b)圖所示，基板主面11產生平坦面之階地面1c、及於藉由使面法線相對於c軸傾斜而產生之段差部分的台階面1d。
如第5(b)圖之階地面1c為c面(0001)，垂直於階地面1c之c軸，從基板主面11之面法線只傾斜量測走離角Φ。如第5(b)圖所示，台階面1d，並列於L方向。此處，基板主面11之面法線只朝m軸方向傾斜時，以第3圖、第4圖而言，係相當於θs=90度時。此時，產生平坦面之階地面1c、及於藉由使面法線相對於c軸傾斜而產生之段差部分之等間隔的規則性台階面1d。此時，台階面1d相當於m面(10-10)。
基板主面11不但朝m軸方向傾斜也朝a軸方向傾斜時，形成傾斜之台階面1d，台階面1d，如第5(b)圖所示，並列於L方向。此狀態，如第3圖及第4圖所示，以朝m軸方向之台緣配列來呈現。因為m面在熱及化學上係安定面，因為a軸方向之傾斜角成份Φa的大小，而無法保持完美之斜向台階，如第5(b)圖所示，台階面1d形成凹凸，台緣之配列呈現紊亂。此外，如第3圖、第4圖所示，「台緣」係將台階面1d之段差部分投影於m軸及a軸所定義之m軸a軸平面者。
基板主面11上，因為台階面1d而產生段差部分，然而，飛至該段差部分之原子，會與階地面1c及台階面1d之2面結合，原子會比飛至階地面1c時更強力地與基板主面11結合，而可安定地捕捉飛來之原子。表面擴散過程中飛來之原子擴散至階地面1c內。藉由將被捕捉於結合力較強之段差部分、及以該段差部分形成所形成之轉折位置之飛來原子組合於結晶，可藉由結晶生長之沿面生長而進行安定之生長。
如此，於具有基板主面11之面法線相對於c軸方向具有量測走離角之基板10上，層積層積體20，層積體20以台階面1d為中心進行結晶生長。所以，層積於面法線相對於c軸方向呈傾斜之基板108之基板主面11上的層積體20含有超晶格結構之層時，構成其氮化物半導體膜之超晶格結構之層間界面成為陡峭。應該係飛至階地面1c上之原子於階地面1c上移動至最佳位置，而形成平坦性良好之構成超晶格結構的層。
然而，基板主面11之面法線方向與c軸方向所夾之量測走離角Φ越大，台階面1d之間隔越窄，而使台緣及台階寬度產生紊亂。所以，飛至階地面1c上之原子無法於階地面1c上移動，原子無法被捕捉至最佳位置。另一方面，量測走離角Φ過小，則基板主面11上無法發生階地面1c及台階面1d，或者，台階面1d之間隔過寬。所以，為了使構成超晶格結構之層間界面較為陡峭，量測走離角Φ以0.2度～5度程度為佳。量測走離角Φ為1度以下更佳，0.3度程度最佳。
第1圖所示之氮化物半導體裝置，更具備：接觸與基板主面11相對之基板10之背面而配置之n側歐姆電極51；接觸p型半導體層23之上面(與接觸活性層220之面相對之面)而配置之絕緣膜30；配置於絕緣膜30上之p側歐姆電極41；以及配置於p側歐姆電極41上之p側黏結電極42。如第1圖所示，於配設在絕緣膜30之開口部，p側歐姆電極41接觸p型半導體層23。
n側歐姆電極51，例如，可以採用鋁(Al)-鈦(Ti)-金(Au)之層積體等。此時，Al、Ti、Au之膜厚分別為100nm、10nm、2000nm程度。
絕緣膜30，例如，可以採用膜厚為200nm程度之氧化鋯(ZrO2
)膜等。或者，例如，可以採用氧化矽(SiO2
)膜等做為絕緣膜30。
p側歐姆電極41，例如，由鈀(Pd)-Au之層積體等所構成。此時，Pd、Au之膜厚分別為10nm、20nm程度。p側黏結電極42，例如，可以採用Ti-Au之層積體等。此時，Ti、Au之膜厚分別為50nm、500nm程度。
n側歐姆電極51，配置於省略了圖示之配線基板上之配線圖案上。其次，p側黏結電極42與配線基板係以接合線等進行電性連結。
其次，針對層積體20進行說明。利用有機金屬化學澱積(MOCVD)法等，於基板10之基板主面11上實施層積體20之生長。從n型半導體層21對活性層220注入電子，從p型半導體層23對活性層220注入電洞(電子孔)。活性層220藉由被注入之電子與電洞的再結合而發光。亦即，如第1圖所示之氮化物半導體裝置，具有半導體雷射之機能。
活性層220，係以藉由電子與電洞的再結合而發生光並放大其所發生之光為目的之層。活性層220，可以採用由配置於由氮化銦鎵(InGaN)所構成之複數隔離層與其隔離層之間的發光層所構成之量子井(MQW)構造。例如，以3周期(對)程度重複層積發光層之膜厚為3nm之InGaN層、及隔離層之膜厚為7nm之摻雜2×1018
cm-3
程度矽(Si)之InGaN層而形成活性層220。但是，活性層220之形成工程之最後所形成之接觸p型半導體層23之最終隔離層之膜厚為25nm程度。
此外，發光波長，藉由調整銦(In)之組成比等，例如，可設定成400nm～550nm程度。此外，亦可以發光層為In之組成比為5%以上之帶隙相對較小的InGaN層、及隔離層為帶隙相對較大之GaN層來構成量子井層。
n型半導體層21，例如，從基板10側依序層積再生長層211、龜裂防止層212、罩蓋層213、n型包覆層214、n型導引層215、以及超晶格層216而形成。
再生長層211，例如，係膜厚為2μm程度之GaN層。龜裂防止層212，例如，係膜厚為100nm程度之InGaN層，用以防止形成於該龜裂防止層212上之氮化鋁鎵(AlGaN)層發生龜裂。罩蓋層213，例如，係膜厚為15nm程度之AlGaN層。
n型包覆層214之形成目的，係將活性層220所發生之光密封於n型包覆層214與p型包覆層233之間而產生「光密封效果」。n型包覆層214可以採用交互層積複數AlGaN層及GaN層之超晶格結構。例如，以260周期(對)程度重複層積膜厚為2.5nm程度之AlGaN層及膜厚為2.5nm程度之GaN層來構成n型包覆層214。n型包覆層214，例如，係以7×1018
cm-3
之摻雜濃度摻雜n型摻雜物之Si而形成。
n型導引層215，係以產生將載體(電子及電洞)密封於活性層220之「載體密封效果」為目的之半導體層。藉此，提高活性層220之電子及電洞之再結合的效率。n型導引層215，例如，係於膜厚60nm程度之GaN層，以3×1018
cm-3
之摻雜濃度摻雜n型摻雜物之Si而形成。
超晶格層216，係以緩和晶格常數差較大之AlGaN層與GaN層之應力而容易實施活性層220之InGaN層生長為目的之層。超晶格層216，可以採用交互層積著複數InGaN層及GaN層之超晶格結構。具體而言，例如，由重複10周期(對)程度之Si摻雜濃度為1～5×1018
cm-3
之膜厚1nm程度之InGaN層、及與InGaN層相同程度之Si摻雜濃度之膜厚2nm程度之GaN層來構成超晶格層216。
p型半導體層23，係於活性層220上，層積p型電子隔離層231、p型導引層232、p型包覆層233、及p型接觸層234而形成。
p型電子隔離層231，係以防止電子從活性層220流出，而提高電子及電洞之再結合效率。p型電子隔離層231，例如，係於膜厚13nm程度之AlGaN層，摻雜1×1019
cm-3
之摻雜濃度之p型摻雜物之鎂(Mg)而形成。
p型導引層232，係以產生上述「載體密封效果」為目的之半導體層。p型導引層232，例如，係於膜厚100nm之GaN層，摻雜7×1018
cm-3
之摻雜濃度之p型摻雜物之Mg而形成。
p型包覆層233，係以產生前面說明之「光密封效果」為目的而形成。p型包覆層233，可以採用交互層積著複數AlGaN層及GaN層之超晶格結構等。例如，以85周期(對)程度重複層積膜厚2.5nm程度之AlGaN層及膜厚2.5nm程度之GaN層來構成p型包覆層233。p型包覆層233，例如，以1×1019
cm-3
之摻雜温度摻雜p型摻雜物之Mg而形成。
p型接觸層234，係以降低p型半導體層23與p側歐姆電極41間之電阻為目的之低電阻層。p型接觸層234，例如，係於膜厚60nm之GaN層以7×1019
cm-3
之高濃度摻雜p型摻雜物之Mg而形成。
藉由除去p型半導體層23之上部之一部分，形成第1圖所示之脊條50。亦即，蝕刻除去p型接觸層234、p型包覆層233及p型導引層232之一部分，而形成沿著m軸之脊條50。脊條50係延伸於m軸方向。藉由n型導引層215、活性層220及p型導引層232，形成以脊條50之長度方向兩端之端面做為共振器端面之法布立-柏若共振腔(Fabry-Perot resonator)。活性層220所發生之光，於脊條50之長度方向兩端之端面間往返，並藉由誘發發射而放大。其次，被放大之光之一部分，被當做雷射光從長度方向之端面輸出至氮化物半導體裝置之外部。
如第1圖所示，p側歐姆電極41只接觸脊條50之頂面(條狀之接觸區域)之p型接觸層234之方式，配置著覆蓋p型導引層232及p型包覆層233之露出面的絕緣膜30。藉此，電流集中於脊條50，可以實現效率之雷射振盪。此外，脊條50之表面，因為p側歐姆電極41之接觸區域以外被絕緣膜30覆蓋而獲得保護，橫向之光密封較為緩和而容易控制，而且，可以防止從側面之漏流。
如以上之說明所示，於基板主面11之面法線相對於c軸方向呈傾斜之基板10上，層積含有超晶格結構之層的層積體20時，構成其超晶格結構之層間界面為陡峭。亦即，可以如第1圖所示之n型包覆層214及p型包覆層233之AlGaN層及GaN層，形成界面陡峭之良好超晶格結構。所以，例如，藉由p型包覆層233為超晶格結構，可以提高p型包覆層233之載體濃度。此外，n型包覆層214及p型包覆層233，各對之膜厚為5～20nm程度。此外，AlGaN層之Al之組成比為例如8～16%程度，此時之AlGaN層及GaN層之平均組成比為4～8%程度。Al之組成比，係對應氮化物半導體裝置所輸出之光之波長來決定。
此外，以上，係針對p型包覆層233及n型包覆層214皆為超晶格結構之實例進行說明。然而，例如，亦可以只有p型包覆層233為超晶格結構。
第6圖中，係將具有如第1圖所示之超晶格結構的氮化物半導體膜形成於以結晶面(c面)做為主面之基板上之樣品的X射線繞射測定結果。該等樣品之n型包覆層214及p型包覆層233之超晶格結構，係由膜厚分別為5nm之Al0.16
GaN層及GaN層之80對所構成。第6圖中之特性A，係於主面之面法線與極性面之結晶軸一致之藍寶石基板上形成上述之超晶格結構之氮化物半導體膜時之X射線繞射測定結果。特性B，係於主面之面法線與極性面之結晶軸之夾角為0.3度之GaN基板上形成上述之超晶格結構之氮化物半導體膜時之X射線繞射測定結果。特性C，係於主面之面法線與極性面之結晶軸一致之GaN基板上形成上述之超晶格結構之氮化物半導體膜時之X射線繞射測定結果。
第6圖所示之強度PM
係GaN基板之尖峰強度，強度P0
係Al0.16
GaN/GaN超晶格層之0次尖峰(主峰)強度。如第6圖之虛線所環繞者所示，0次尖峰之兩側可以觀測到伴峰。該伴峰之發生，係具有超晶格結構之膜所特有的現象。伴峰A1、B1、C1係Al0.16
6GaN/GaN超晶格層之-1次尖峰。伴峰A2、B2、C2係Al0.16
GaN/GaN超晶格層之+1次尖峰。
第6圖所示之X射線繞射測定結果時，伴峰A1之半高寬為0.02度，伴峰B1之半高寬為0.02度，伴峰C1之半高寬為0.08度。伴峰A2之半高寬為0.03度，伴峰B2之半高寬為0.03度，伴峰C1之半高寬為0.11度。
如第6圖所示，伴峰形狀隨著基板之種類而不同。伴峰形狀愈尖銳，則構成超晶格結構之層間界面的陡峭性愈高，而形成較完美之超格子薄膜。所以，伴峰之強度愈低形狀愈光滑之特性C，相較於特性A及特性B，AlGaN層及GaN層之界面陡峭性愈低。其係因為於主面之面法線與極性面之結晶軸一致之GaN基板上，未完美地形成超晶格結構之氮化物半導體膜。因為特性A而伴峰形狀較為尖銳，應該是藍寶石基板之表面存在螺旋錯位，表面呈現斜向偏移。應該係該表面偏移取代第5(b)圖所示之階地面1c及台階面1d。
由第6圖可以得知，使用主面之面法線與極性面之結晶軸之夾角為0.3度之GaN基板時(特性B)之AlGaN層及GaN層之界面陡峭性，與使用藍寶石基板時(特性A)相等。
以下，針對本發明之實施形態之氮化物半導體裝置之製造方法進行說明。此外，以下所述之氮化物半導體裝置之製造方法只是一例，包括該變形例在內，亦可以其以外之各種製造方法來實現。
(a)準備具有面法線與極性面(c面)之結晶軸之夾角為0.2度至5度之基板主面11的基板10。基板10，例如，係厚度為350μm程度之GaN基板。其次，利用MOCVD法等，於基板10之基板主面11上實施層積體20之生長。具體而言，依序層積n型半導體層21、活性層220、及p型半導體層23。
(b)藉由電漿蝕刻等之乾蝕刻，除去p型半導體層23之一部分而形成脊條50。具體而言，例如，於p型半導體層23之全面塗佈光阻膜後，利用光刻技術除去蝕刻部分之光阻膜而使p型半導體層23之表面之一部分露出。其次，以光阻膜做為遮罩，蝕刻除去p型半導體層23之上部之一部分而形成脊條50。脊條50係延伸於m軸方向而形成。
(c)其次，於p型半導體層23之上面，利用剥離(liftoff)法等形成絕緣膜30。具體而言，形成光阻膜等條狀遮罩後，以覆蓋p型導引層232、p型包覆層233、及p型接觸層234之全體之方式形成絕緣體薄膜。剝離該絕緣體薄膜，只使p型接觸層234之頂面露出而形成絕緣膜30。
(d)以接觸露出之p型接觸層234之頂面的方式，於絕緣膜30上形成p側歐姆電極41後，形成p側黏結電極42。此外，於基板10之背面，形成n側歐姆電極51。
藉由上述說明之製造方法，於具有面法線與極性面(c面)之結晶軸之夾角為0.2度至5度之基板主面11的基板10上，層積含有超晶格結構之n型包覆層214的n型半導體層21、活性層220、及含有超晶格結構之p型包覆層233的p型半導體層23。所以，n型包覆層214及p型包覆層233，構成超晶格結構之層(AlGaN層及GaN層)間之界面較為陡峭。
如以上之說明所示，本發明之實施形態之氮化物半導體裝置時，於與極性面(c面)之結晶軸之夾角為0.2度至5度之的基板主面11上，配置層積體20。所以，藉由第1圖所示之氮化物半導體裝置，於缺陷密度較低之GaN基板之基板10之結晶面的基板主面11上，配置與使用藍寶石基板時相同程度之構成超晶格結構之層間界面陡峭之n型包覆層214及p型包覆層233。結果，與使用結晶缺陷較多之藍寶石基板時相比，可以偍供信賴性較高之氮化物半導體裝置。
此外，活性層220，因為係量子井構造，藉由於與極性面之結晶軸之夾角為0.2度～5度之基板主面11上形成活性層220，可以降低半導體雷射之閾值。此外，利用氮化物半導體之半導體雷射時，為了降低元件阻抗，p型包覆層233可以為由AlGaN層及GaN層所構成之超晶格結構。藉由第1圖所示之氮化物半導體裝置，可以提供雷射輸出特性不會降低卻可實現低電阻化之半導體雷射。
如以上所述，本發明係針對實施形態進行記載，然而，用以構成本發明之一部分之論述及圖式，並非用以限制本發明。相關業者可以依據上述說明了解各種替代實施形態、實施例、及運用技術。
以上之實施形態之說明時，係以具有脊條50之半導體雷射為例，然而，亦可以為無脊條之半導體雷射。此外，只要為含有超晶格結構之層之氮化物半導體裝置，亦可以為層積著n型半導體層21、活性層220、及p型半導體層23之發光二極體(LED)。或者，層積體20亦可以具有直接接合n型半導體層21及p型半導體層23之pn接合等之其他構造。
如上所述，本發明當然包含未記載於此之各種實施形態等。所以，本發明之技術範圍，係依據上述說明而為適當之專利申請範圍之發明特定事項所規定者。
本發明之半導體發光裝置及其製造方法，可以應用於包括用以製造配置於半導體基板上之發光裝置之製造業在內的半導體產業及電子機器產業。
10．．．基板
11．．．基板主面
20．．．層積體
21．．．n型半導體層
23．．．p型半導體層
30．．．絕緣膜
41．．．p側歐姆電極
42．．．p側黏結電極
50．．．脊條
51．．．n側歐姆電極
211．．．再生長層
212．．．龜裂防止層
213．．．罩蓋層
214．．．n型包覆層
215．．．n型導引層
216．．．超晶格層
220．．．活性層
231．．．p型電子隔離層
232．．．p型導引層
233．．．p型包覆層
234．．．p型接觸層
第1圖係本發明之實施形態之氮化物半導體裝置的概念剖面圖。
第2圖係用以說明六方晶之結晶構造的概念圖。
第3圖係用以說明相對於基板主面之面法線之c面之傾斜的概念圖。
第4圖係台緣及m軸之關係概念圖。
第5圖係用以說明基板主面之面法線之傾斜的概念圖，第5(a)圖係面法線朝m軸方向及a軸方向傾斜時，第5(b)圖係第5(a)圖之主面狀態。
第6圖係於以結晶面為主面之基板上形成超晶格結構之氮化物半導體膜之樣品之X射線繞射測定結果圖。
10．．．基板
11．．．基板主面
20．．．層積體
21．．．n型半導體層
23．．．p型半導體層
30．．．絕緣膜
41．．．p側歐姆電極
42．．．p側黏結電極
50．．．脊條
51．．．n側歐姆電極
211．．．再生長層
212．．．龜裂防止層
213．．．罩蓋層
214．．．n型包覆層
215．．．n型導引層
216．．．超晶格層
220．．．活性層
231．．．p型電子隔離層
232．．．p型導引層
233．．．p型包覆層
234．．．p型接觸層
Claims (7)
- 一種氮化物半導體裝置，其特徵為具備：基板，由六方晶構造之氮化物半導體所構成，具有面法線與極性面之結晶軸之夾角為0.2度至5度之角度的基板主面；及層積體，配置於前述基板主面上，含有由氮化物半導體所構成之超晶格結構之層；其中，在對於前述超晶格結構之層的X射線繞射測定中，觀測到半高寬為0.02度至0.03度之伴峰。
- 如申請專利範圍第1項所記載之氮化物半導體裝置，其中前述基板係由氮化鎵所構成。
- 如申請專利範圍第1項所記載之氮化物半導體裝置，其中前述層積體係含有具超晶格結構之p型包覆層之p型半導體層。
- 如申請專利範圍第1項所記載之氮化物半導體裝置，其中前述層積體係含有具超晶格結構之n型包覆層之n型半導體層。
- 如申請專利範圍第1項所記載之氮化物半導體裝置，其中前述層積體包含由複數隔離層及配置於該隔離層間之發光層所構成之量子井構造的活性層。
- 如申請專利範圍第3項所記載之氮化物半導體裝置，其中前述p型半導體層係於前述活性層上層積p型電子隔離層、p型導引層、前述p型包覆層、及p型接觸層而形成。
- 如申請專利範圍第4項所記載之氮化物半導體裝置，其中前述n型半導體層係從前述基板側依序層積再生長層、龜裂防止層、罩蓋層、前述n型包覆層、n型導引層、以及超晶格層而形成。
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|---|---|---|---|
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