TWI447920B - Solar cell unit - Google Patents

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Description

太陽電池單元
本發明關於一種太陽電池單元，尤其關於一種於太陽電池單元中連接內部連接器之連接部位之構造。
使用矽基板，且於矽基板上形成pn接面之矽結晶系太陽電池成為現在的主流。作為可獲得較矽結晶系太陽電池更高之光電轉換效率之太陽電池，存在使用直接躍遷型且光吸收係數較大之化合物半導體之太陽電池。使用有現在開發之化合物半導體之化合物半導體太陽電池之多數係具有複數層為pn接面之光電轉換層，且各光電轉換層具有相互不同之帶隙之多接面構造。因此，因可有效活用太陽光光譜，故可獲得較光電轉換層為1層之化合物半導體太陽電池更高之光電轉換效率。尤其，使用於人工衛星等中之太陽電池必需具有高光電轉換效率且輕量化。因此，對形成於樹脂膜上具有多接面構造之化合物半導體太陽電池進行研究。
圖10係記載於國際公開第99/62125號(專利文獻1)中之於使用有化合物半導體之太陽電池間電性地連接而形成之太陽電池串。太陽電池152、158分別具有相對應之整體旁路二極體154、160，且藉由內部連接器而形成太陽電池串。
第1內部連接器164藉由將形成於具有太陽電池152之複數層光電轉換層之級聯單元156上之前觸點155與太陽電池158之前觸點159連接，而將太陽電池152與太陽電池158電性地連接。第2內部連接器165藉由將太陽電池152之前觸點155與太陽電池158之後觸點163連接，而將太陽電池152與太陽電池158電性地連接。153、161為前觸點，157為後觸點，162為具有複數層光電轉換層之級聯單元。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第99/62125號
對使用有化合物半導體之太陽電池(對應於本申請案之「太陽電池單元」，以下相同)，自輕量化及成本之降低等考慮，進行以下之開發：藉由於使光電轉換層磊晶成長於半導體基板上之後，將半導體基板與磊晶成長之光電轉換層分離而形成並使其薄膜化。於國際公開第99/62125號(專利文獻1)所示之太陽電池串製作中，將形成有前觸點之側朝向下方而將太陽電池配置於壓盤上，且將內部連接器(對應於本申請案之「內部連接器」，以下相同)焊接於後觸點而連接。然而，因將光電轉換層薄膜化，故存在由前觸點帶來之表面之凹凸而導致於太陽電池中產生龜裂、或斷裂等情形。
本發明係鑒於上述之情形而成者，其目的在於：於太陽電池單元中，提高連接內部連接器之連接部位之強度。
本發明之太陽電池單元之特徵在於包含：光電轉換層；電極墊，其形成於光電轉換層上；內部連接器，其連接於電極墊；金屬薄膜，其形成於光電轉換層之下方；轉接端子，其與光電轉換層及金屬薄膜相分離，且以連接導體與金屬薄膜連接；及連接墊，其形成於轉接端子上。
此處，於本發明之太陽電池單元中，更佳為轉接端子由樹脂固定於形成於受光面側之玻璃上。
又，於本發明之太陽電池單元中，更佳為將光電轉換層、內部連接器、電極墊、金屬薄膜由樹脂固定於玻璃上。
又，於本發明之太陽電池單元中，更佳為轉接端子形成為複數個，且至少1個由金屬材料形成。
又，於本發明之太陽電池單元中，更佳為轉接端子形成為複數個，且至少1個為旁路二極體。
又，於本發明之太陽電池單元中，更佳為連接墊形成於轉接端子之與玻璃形成面側為相反側之面上。
又，於本發明之太陽電池單元中，更佳為光電轉換層由磊晶成長而形成。
根據本發明，於太陽電池單元中，藉由於成為內部連接器之連接部位之部位設置轉接端子，且將該轉接端子與光電轉換層隔離，而可提高內部連接器之連接部位之強度，且可抑制於太陽電池單元中具有產生之可能性之龜裂、或者斷裂等。
以下，基於圖式對該發明之實施形態進行說明。再者，於以下之圖式中，於相同或相當之部分附加相同之參照符號，且不重複其說明。
實施例1
圖1係表示自太陽光之入射光側越過玻璃觀察之本發明之太陽電池單元之一例。
於太陽電池單元1中，形成有n型電極墊10與p型電極墊12。於n型電極墊10中，梳形之n型電極4與內部連接器5連接。另一方面，p型電極墊12經由金屬帶11連接於轉接端子13。參照符號25係太陽電池單元本體。內部連接器係於太陽電池串形成時，將太陽電池單元之間電性地連接之由金屬材料而形成者。又，作為連接導體之金屬帶係將轉接端子與太陽電池單元本體電性地連接之由金屬材料而形成者。
使用圖2、圖3對太陽電池單元1之剖面構造進行說明。
圖2係表示通過如圖1所示之n型電極墊10與轉接端子13之A-A'之剖面的圖。光電轉換層2係藉由磊晶成長形成於半導體基板上，之後，自半導體基板分離之化合物半導體層。光電轉換層2具有至少1個pn接面，且入射光側為n型半導體層，且與入射光側為相反側之面即背面側為p型半導體層。於光電轉換層2之入射光側形成有n型電極4(未示於圖2之剖面中)、n型電極墊10，且於為背面側之下方形成有金屬薄膜3。金屬薄膜3係作為光電轉換層2之p電極取出而藉由蒸鍍形成。又，於金屬薄膜3之下方形成有發揮基材之作用之樹脂膜9。此處，將樹脂膜9上之區域作為太陽電池單元本體25。
預先以平行間隙焊接等將內部連接器5電性地連接於n型電極墊10。藉由將該內部連接器5連接於相鄰之太陽電池單元之連接墊，而形成太陽電池串。於此情形時，可藉由縮短內部連接器之長度，而縮短太陽電池單元間之距離，且可使太陽電池串小型化。又，因可減少太陽電池串形成時之連接點數，故可提高製造生產線之處理能力。
於太陽電池單元1中存在與太陽電池單元本體25相分離之轉接端子13，且該轉接端子13由金屬材料形成。轉接端子13具有作為p型側之連接端子之作用，且經由電極墊21與p型電極墊12以金屬帶11電性地連接。此處，亦可將金屬帶11直接地連接於轉接端子13。藉由與太陽電池單元本體分開形成轉接端子13而作為p型側之連接端子，可提高作為內部連接器連接時之連接部位之強度。又，為了作為轉接端子13而提高強度，於實施例1中使用金屬材料。進而，藉由相分離，可使於內部連接器連接時施加之力不易傳遞至太陽電池單元本體，且可抑制於太陽電池單元本體25中產生龜裂、斷裂等而製作太陽電池串。
將太陽電池單元本體25、轉接端子13作為分別不同之元件，由樹脂7密封，並以一體之玻璃8覆蓋且固定。藉由轉接端子13固定於玻璃8上，而作為連接部位，具有更大強度。同時，內部連接器5亦因由樹脂密封焊接於n型電極墊10上之部位，而固定於玻璃8上，故具有強度。參照符號51係相鄰之太陽電池單元之內部連接器。
將用以連接內部連接器之連接墊14形成於轉接端子13之與玻璃8形成側為相反側。內部連接器連接係將太陽電池單元1之玻璃8面設置於壓盤上而進行。因於玻璃8之表面不存在於連接之時產生影響之凹凸，故可抑制於連接時於太陽電池單元本體25中產生之龜裂、或者斷裂等。
圖3係表示圖1所示之於兩側顯露轉接端子13之B-B之剖面的圖。p型電極墊12形成於金屬薄膜3上，且由金屬帶11與轉接端子13連接。就可靠性之觀點而言，更佳為於太陽電池單元1中形成有複數個轉接端子13。
於由樹脂密封之玻璃8固定前進行由金屬帶11之太陽電池單元本體25與轉接端子13之連接。其中，太陽電池單元本體25側之金屬帶11之連接係將太陽電池單元本體25設置於壓盤上而進行。此時，因於樹脂膜9之背面側不存在對連接產生影響之凹凸，故可抑制於連接時於太陽電池單元本體25中產生之龜裂、或者斷裂等。又，於將內部連接器5連接於太陽電池單元本體25上之情形時，亦同樣地，因於固定於玻璃上之前將太陽電池單元本體25設置於壓盤上而進行，故因於樹脂膜9之背面側不存在對連接產生影響之凹凸，故可抑制於連接時於太陽電池單元本體25中產生之龜裂、或者斷裂等。
實施例2
圖4係表示自太陽光之入射光側越過玻璃觀察之本發明之太陽電池單元之其他之一例的圖。
太陽電池單元41與實施例1之太陽電池單元1，於1個轉接端子為旁路二極體17之處不同，而其他構造與太陽電池單元1相同。旁路二極體17之p區域經由金屬帶15而連接於n型電極墊16，且旁路二極體17之n區域經由金屬帶20連接於p型電極墊12。參照符號26為太陽電池單元本體。
圖5係將圖4之旁路二極體17放大之圖，(a)係俯視圖，(b)係表示(a)所示之E-E'剖面之圖。於旁路二極體17之n型半導體基板45上形成有p區域46與n+ 區域47。n+ 區域47之n型雜質濃度係較n型半導體基板45之n型雜質濃度更高之濃度。形成於p區域46上之電極墊48由金屬帶15與n型電極墊16電性地連接，又，形成於n+ 區域47上之電極墊49由金屬帶20與p型電極墊12電性地連接。於旁路二極體17之背面側形成有連接墊18。旁路二極體17亦具有作為p型側之連接端子之轉接端子之作用。轉接端子之全部亦可為具有連接墊之旁路二極體。
圖6係表示通過圖4所示之n型電極墊10與旁路二極體17之C-C'之剖面之圖。n型電極墊16形成於光電轉換層2之入射光側。將旁路二極體17、太陽電池單元本體26作為分別不同之元件由樹脂7密封，並由一體之玻璃8覆蓋且固定。藉由將旁路二極體17固定於玻璃8上，而作為連接部位，具有更大強度。參照符號51係相鄰之太陽電池單元之內部連接器。
圖7係表示圖4所示之顯露旁路二極體17與轉接端子之D-D'之剖面的圖。因於旁路二極體17中使用半導體材料，故可使連接部位之強度更高，且可於將內部連接器連接於旁路二極體17上時，抑制於太陽電池單元本體26中產生龜裂、斷裂等。
於旁路二極體17上形成有太陽電池單元41之p型側連接墊之一的連接墊18，且將旁路二極體17由樹脂密封並固定於玻璃8上。內部連接器連接係將太陽電池單元41之玻璃8之表面設置於壓盤而進行。因於玻璃8之表面不存在於連接時產生影響之凹凸，故可抑制於連接時於太陽電池單元本體26中產生之龜裂、或者斷裂等。
進而，藉由使旁路二極體17與太陽電池單元41為一體可減少連接點數且可提高製造生產線之處理能力。
圖8係表示旁路二極體之其他一例之圖。(a)係俯視圖，(b)係表示(a)所示之F-F'剖面之圖。使用圖8所示之旁路二極體54之太陽電池單元除了圖4所示之太陽電池單元41之旁路二極體17變為旁路二極體54之構造以外之構造與太陽電池單元41相同。
旁路二極體54中，於n型半導體基板55上形成有p區域56與n+ 區域57。形成於p區域56上之電極墊58由金屬帶15與n型電極墊16電性地連接，又，形成於n+區域57上之電極墊59由金屬帶23與p型電極墊12電性地連接。於旁路二極體54之背面側形成有連接墊18。旁路二極體54亦具有作為p型側之連接端子之轉接端子之作用。轉接端子之全部亦可為具有連接墊之旁路二極體。
實施例3
圖9係表示自太陽光之入射光側越過玻璃觀察之本發明之太陽電池單元之又一例之圖。
太陽電池單元31與實施例1之太陽電池單元1於形成有旁路二極體35之方面不同，其他構造與太陽電池單元1相同。旁路二極體35、太陽電池單元本體25、轉接端子13作為不同之元件而由一體之玻璃8覆蓋，且由樹脂密封。旁路二極體35、太陽電池單元本體25、轉接端子13分別固定於玻璃上。再者，雖於圖9中省略旁路二極體35之配線，但其與形成於太陽電池單元本體25中之光電轉換層由導電性材料電性地連接。又，圖9所示之旁路二極體35之配置、大小、形狀為一例。
於實施例3中，可藉由使旁路二極體35與太陽電池單元31為一體而減少連接點數且可提高製造生產線之處理能力。
如上述實施例1~3所示，於藉由使太陽電池單元本體與轉接端子分開地形成，而製作太陽電池串之情形時，可抑制作為太陽電池串之p型側之連接部之內部連接器所帶來的拉伸等之影響波及太陽電池單元本體。
1．．．太陽電池單元
2．．．光電轉換層
3．．．金屬薄膜
4．．．n型電極
5．．．內部連接器
7．．．樹脂
8．．．玻璃
9．．．樹脂膜
10．．．n型電極墊
11．．．金屬帶
12．．．p型電極墊
13．．．轉接端子
14．．．連接墊
15．．．金屬帶
16．．．n型電極墊
17．．．旁路二極體
18．．．連接墊
19．．．電極墊
20．．．金屬帶
21．．．電極墊
23．．．金屬帶
25．．．太陽電池單元本體
26．．．太陽電池單元本體
31．．．太陽電池單元
35．．．旁路二極體
41．．．太陽電池單元
45．．．n型半導體基板
46．．．p區域
47．．．n+ 區域
48．．．電極墊
49．．．電極墊
51．．．內部連接器
54．．．旁路二極體
55．．．n型半導體基板
56．．．p區域
57．．．n+ 區域
58．．．電極墊
59．．．電極墊
152．．．太陽電池
153．．．前觸點
154．．．整體旁路二極體
155．．．前觸點
156．．．級聯單元
157．．．後觸點
158．．．太陽電池
159．．．前觸點
160．．．整體旁路二極體
161．．．前觸點
162．．．級聯單元
163．．．後觸點
164．．．第1內部連接器
165．．．第2內部連接器
圖1係本發明之太陽電池單元之一例之自入射光側觀察之模式圖。
圖2係表示圖1所示之A-A'剖面之模式剖面構成圖。
圖3係表示圖1所示之B-B'剖面之模式剖面構成圖。
圖4係本發明之太陽電池單元之其他一例之自入射光側觀察之模式圖。
圖5(a)、(b)係表示圖4所示之旁路二極體之模式圖。
圖6係表示圖4所示之C-C'剖面之模式剖面構成圖。
圖7係表示圖4所示之D-D'剖面之模式剖面構成圖。
圖8係表示本發明之旁路二極體之其他一例之模式圖。
圖9係本發明之太陽電池單元之又一例之自入射光側觀察之模式圖。
圖10係先前技術之太陽電池串之一例之模式圖。
1．．．太陽電池單元
4．．．n型電極
5．．．內部連接器
10．．．n型電極墊
11．．．金屬帶
12．．．p型電極墊
13．．．轉接端子
25．．．太陽電池單元本體

Claims (7)

  1. 一種太陽電池單元，其包含：光電轉換層；電極墊，其形成於上述光電轉換層上；內部連接器，其連接於上述電極墊；金屬薄膜，其形成於上述光電轉換層之下方；轉接端子，其與上述光電轉換層及上述金屬薄膜相分離，且由連接導體與上述金屬薄膜連接；及連接墊，其形成於上述轉接端子上；其中上述轉接端子、上述光電轉換層、上述內部連接器、上述電極墊及上述金屬薄膜係由樹脂固定於一體之玻璃。
  2. 如請求項1之太陽電池單元，其中上述轉接端子形成為複數個，且至少1個由金屬材料形成。
  3. 如請求項1或2之太陽電池單元，其中上述轉接端子形成為複數個，且至少1個為旁路二極體。
  4. 如請求項1或2之太陽電池單元，其中上述連接墊形成於上述轉接端子之與上述玻璃形成面側為相反側之面上。
  5. 如請求項1或2之太陽電池單元，其中上述電極墊形成於上述光電轉換層之上述玻璃形成面側。
  6. 如請求項1或2之太陽電池單元，其中太陽電池單元本體係形成上述太陽電池單元本體之一部份為缺口之形狀，上述轉接端子配置於上述太陽電池單元本體之一部份為缺口之區域。
  7. 如請求項1或2之太陽電池單元，其中上述光電轉換層由磊晶成長而形成。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11462652B2 (en) * 2016-09-27 2022-10-04 Lg Electronics Inc. Solar cell and solar cell panel including the same
KR101976131B1 (ko) * 2019-01-10 2019-05-07 한국기계연구원 에너지 변환 장치 및 그 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6316832B1 (en) * 1997-11-17 2001-11-13 Canon Kabushiki Kaisha Moldless semiconductor device and photovoltaic device module making use of the same
JP2005129773A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Kyocera Corp 太陽電池モジュールおよび太陽電池素子の接続用配線
JP2006156663A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法
US20080041437A1 (en) * 2006-06-23 2008-02-21 Sharp Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion element and interconnector-equipped photoelectric conversion element

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982865A (ja) 1995-09-08 1997-03-28 Canon Inc リード端子付きチップダイオード及びこれを用いた太陽電池モジュール
WO1999062125A1 (en) 1998-05-28 1999-12-02 Tecstar Power Systems, Inc. Solar cell having an integral monolithically grown bypass diode
GB2341273A (en) 1998-09-04 2000-03-08 Eev Ltd Solar cell arrangements
DE19916742C1 (de) * 1999-04-13 2000-08-24 Angew Solarenergie Ase Gmbh Schaltungsanordnung zur Stromerzeugung mit Solarzellen
JP4153785B2 (ja) 2002-12-19 2008-09-24 京セラ株式会社 太陽電池モジュール
JP2004319812A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Canon Inc 電力変換器付き太陽電池モジュール
JP5121181B2 (ja) * 2006-07-28 2013-01-16 三洋電機株式会社 光起電力素子及びその製造方法
DE102007011403A1 (de) * 2007-03-08 2008-09-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Frontseitig serienverschaltetes Solarmodul
JP5820976B2 (ja) 2008-07-31 2015-11-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
EP2359401B1 (en) * 2008-11-20 2015-05-27 Saphire Solar Technologies ApS SOLAR MODULE HAVING INTEGRATED ELECTRONIC DEVICES and related Method to manufacture it

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6316832B1 (en) * 1997-11-17 2001-11-13 Canon Kabushiki Kaisha Moldless semiconductor device and photovoltaic device module making use of the same
JP2005129773A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Kyocera Corp 太陽電池モジュールおよび太陽電池素子の接続用配線
JP2006156663A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法
US20080041437A1 (en) * 2006-06-23 2008-02-21 Sharp Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion element and interconnector-equipped photoelectric conversion element

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