JP7376672B1 - 太陽電池及び光起電力モジュール - Google Patents
太陽電池及び光起電力モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP7376672B1 JP7376672B1 JP2022212253A JP2022212253A JP7376672B1 JP 7376672 B1 JP7376672 B1 JP 7376672B1 JP 2022212253 A JP2022212253 A JP 2022212253A JP 2022212253 A JP2022212253 A JP 2022212253A JP 7376672 B1 JP7376672 B1 JP 7376672B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sub
- edge
- connection
- electrode
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 55
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 74
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 58
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【課題】本願の実施例は、光起電力の分野に関し、太陽電池および光起電力モジュールを提供する。【解決手段】太陽電池は、基板と、２本の第１主電極と、少なくとも２本の第２主電極と、を含み、基板は第１エッジ及び第２エッジを備え、第１エッジは基板の第１方向におけるエッジであり、第２エッジは基板の第２方向におけるエッジであり、第１主電極が第１エッジに近く、第１主電極は、複数の第１サブ接続パッドと、少なくとも１つの第１サブ接続パッドの第１エッジに近い側と接触する第１接続線と、を含み、第２主電極は、隣接する第１主電極の間に位置し、第２主電極は、複数の第２サブ接続パッドと、少なくとも１つの第２サブ接続パッドと接触する第２接続線とを含み、第１主電極と隣接する第２主電極との間の第１ピッチは、隣接する第２主電極間の第２ピッチと等しくない。本願の実施例が提供する太陽電池および光起電力モジュールは、少なくとも光電変換効率を高めることができる。【選択図】図３ｂ
Description
本発明の実施例は、光起電力の分野に関し、特に、太陽電池及び光起電力モジュール（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ｍｏｄｕｌｅ）に関するものである。
太陽電池の性能（例えば、光電変換効率）に影響を与える原因には、光損失及び電気損失を含む。光損失には、電池前面の反射損失、接触グリッド線のシャドウ損失、及び長周波数帯の非吸収損失などを含み、電気損失には、半導体表面と本体の光生成キャリア再結合、半導体と金属グリッド線との接触抵抗、及び金属と半導体との接触抵抗などの損失を含む。
太陽電池セルでは、サブグリッドとメイングリッドを設けることにより、電池セルにより発生した電流を収集かつ出力し、メイングリッドに設けられたパッドを介して電池セルにより発生した電流をモジュール側に輸送する。しかしながら、従来技術の太陽電池の電流に対する収集能力が弱く、太陽電池の光電変換効率の向上に悪影響を与えてしまう。
本願の実施例には、少なくとも太陽電池の光電変換効率の向上に有利である太陽電池及び光起電力モジュールが提供される。
本願の幾つかの実施例によれば、本願実施例の一態様は太陽電池を提供し、基板と、パッシベーション層と、複数の副電極と、２本の第１主電極と、少なくとも２本の第２主電極と、を含み、前記基板は第１エッジ及び第２エッジを備え、前記第１エッジは前記基板の第１方向における対向する両側のエッジであり、前記第２エッジは前記基板の第２方向における対向する両側のエッジであり、前記パッシベーション層が前記基板に位置し、前記副電極が前記基板に前記第２方向に沿って間隔をあけて配置され、前記副電極が前記第１方向に沿って延びており、前記副電極が前記パッシベーション層を貫通して前記基板と接触し、前記第１主電極が前記パッシベーション層の表面に位置し、前記第１主電極が第１エッジに近く、前記第１主電極は、前記第２方向に沿って間隔をあけて配置される複数の第１サブ接続パッドと、少なくとも１つの前記第１サブ接続パッドの前記第１エッジに近い側と接触する第１接続線と、を含み、前記第２主電極が前記パッシベーション層の表面に位置し、前記第２主電極が隣接する前記第１主電極の間に位置し、前記第２主電極は、前記第２方向に沿って間隔をあけて配置される複数の第２サブ接続パッドと、少なくとも１つの前記第２サブ接続パッドと接触する第２接続線とを含み、前記第１主電極と隣接する前記第２主電極との間の第１ピッチは、隣接する前記第２主電極間の第２ピッチと等しくない。
幾つかの実施例では、前記第１方向に沿って、前記副電極は前記第１サブ接続パッドの前記第１エッジから離れる側と接触する。
幾つかの実施例では、前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大きい。
幾つかの実施例では、前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも小さい。
幾つかの実施例では、前記第１エッジと前記第２エッジの境界には面取りがあり、前記第１主電極は前記面取りに近く、前記第２方向に沿って、最初の前記第１サブ接続パッド及び／又は最後の前記第１サブ接続パッドは、前記面取りの前記第２方向以外のエッジ領域に位置する。
幾つかの実施例では、前記第１接続線は、前記面取りの前記第１方向に沿う外側に近い第１接続セグメント及び第２接続セグメントを含み、前記第２接続セグメントが前記第１接続セグメントに接続され、前記第１接続セグメントの断面積が前記第２接続セグメントの断面積よりも大きい。
幾つかの実施例では、前記第２方向に沿って、最初の前記第１サブ接続パッドの前記第２エッジに近い端部と前記第２方向における前記面取りの第１サブ接続パッドに向かうエッジとの間の長さは、隣接する前記副電極間のグリッドピッチ以下である。
幾つかの実施例では、前記第２方向に沿って、最初の前記第１サブ接続パッドと隣接する前記第２エッジとの第１距離は最初の前記第２サブ接続パッドと隣接する前記第２エッジとの第２距離よりも大きい。
幾つかの実施例では、いずれかの前記第１サブ接続パッドの面積は前記第２サブ接続パッドの面積よりも大きい。
幾つかの実施例では、前記第１方向に沿って、前記第１エッジに近い前記副電極の断面積は、前記第１エッジから離れる前記副電極の断面積よりも大きい。
幾つかの実施例では、前記第２方向に沿って間隔をあけて配置される前記複数の第１サブ接続パッドは、第２エッジに近い２つの第１サブ端子パッドと、隣接する前記第１サブ端子パッドの間に位置する少なくとも１つ第２サブ端子パッドと、を含み、前記第１サブ端子パッドと隣接する前記第２エッジの間に位置する第１部分の前記第１接続線の第１断面積が、前記第１サブ端子パッドの間に位置する第２部分の前記第１接続線の第２断面積よりも大きい。
幾つかの実施例では、前記第１断面積と前記第２断面積との差は、前記第１サブ端子パッドと隣接する前記第２エッジとのピッチの大きさと正比例する。
幾つかの実施例では、前記第１サブ端子パッドと隣接する前記第２エッジの間に位置する第１部分の前記第１接続線の第１幅が、前記第１サブ端子パッドの間に位置する第２部分の前記第１接続線の第２幅よりも大きい。
幾つかの実施例では、同じ第１主電極について、隣接する２つの前記第２サブ端子パッドの間に位置する第３部分の前記第１接続線の第３断面積が最も小さい。
幾つかの実施例では、前記第１サブ端子パッドと前記第２サブ端子パッドとの間に位置する第４部分の前記第１接続線の第４断面積は前記第３断面積以上である。
幾つかの実施例では、前記第１サブ端子パッドの面積が前記第２サブ端子パッドの面積よりも大きい。
幾つかの実施例では、前記第１接続線の前記第２エッジに近いポートが閉合され、前記第２接続線の前記第２エッジに近いポートが閉合され、前記第１接続線の断面積が前記第２接続線の断面積以上である。
幾つかの実施例では、前記太陽電池は、バックコンタクト型電池であり、前記副電極は、第２方向に沿って間隔をあけて配置された第１電極と第２電極を含み、前記第２主電極は、間隔をあけて配置された第１グリッド線構造と第２グリッド線構造を含み、前記第１グリッド線構造が前記第１電極と電気的に接続され、前記第２グリッド線構造が前記第２電極と電気的に接続される。
幾つかの実施例では、第１グリッド線構造と第２グリッド線構造は、第１方向に沿ってずれて配置される。
本願の幾つかの実施例によれば、本願の別の態様は光起電力モジュールが提供され、上記実施例のいずれか１項に記載の太陽電池を複数接続してなる電池ストリングと、前記電池ストリングの表面を覆うための封止層と、前記封止層の前記電池ストリングから離れた表面を覆うためのカバープレートと、を含む。
本願実施例によって提供される技術案は、少なくとも以下の利点を有する。
本願の実施例に係る太陽電池において、第１主電極が第１サブ接続パッドと、第１接続線と、を含み、第２主電極が第２サブ接続パッドと、第２接続線と、を含み、細い第１接続線及び第２接続線を設けることで有効遮光面積を低減するとともに、抵抗損失を低減し、モジュールの総電力を高めることができる。また、メイングリッドを構成する第１接続線及び第２接続線の分布がより密集しているため、メイングリッドと細グリッドとの間の接触点がより多くなり、シリコンウェハーの隠れクラックとマイクロクラック箇所での電流伝導経路がより良化されるため、マイクロクラックによる損失が大幅に低減され、生産ラインの生産高の向上に役立つ。また、第１接続線は少なくとも１つの第１サブ接続パッドの第１エッジに近い側と接触し、第１接続線は第１エッジにより近く、第１接続線は第１エッジ箇所での電流を収集する能力が強くなり、かつ、第１サブ接続パッドと第１エッジの間に少なくとも１つの第１接続線の幅を挟むことで、溶接時と積層時にエッジでの応力不良による破損問題を避けることができる。
また、第１主電極と隣接する第２主電極との間の第１ピッチは、隣接する第２主電極間の第２ピッチと等しくない。例えば、第１ピッチが第２ピッチよりも大きく、第１主電極が第１エッジに近く、エッジでの主電極を疎らに設置することで、溶接時及び積層時に、電池セルにマイクロクラックなどが生じるリスクを避けることができる。例えば、第１ピッチが第２ピッチよりも小さく、エッジでの第１主電極と第２主電極が密に設置されることを確保し、副電極から主電極までの電流経路が短くなり、損失を低減し、電極のエッジ部での電流収集能力の向上に有利である。
一つ又は複数の実施例は、対応する添付の図面における図で例示的に説明されるが、これらの例示的な説明は、実施例を限定するものではなく、特に断りのない限り、添付の図面における図は縮尺に制限されない。本願の実施例又は従来技術における技術案をより明確に説明するために、以下、実施例の説明に必要な図面を簡単に説明し、明らかに、以下説明された図面は、本願のいくつかの実施例に過ぎず、当業者であれば、進歩的な労働をしなくても、これらの図面に基づいて他の図面を取得することができる。
図１は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の構造を示す図である。
図２は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の部分構造を示す図である。
図３ａは、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の構造を示す図である。
図３ｂは、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の構造を示す図である。
図４は、図３ｂにおけるＡの部分拡大図である。
図５は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の構造を示す図である。
図６は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の構造を示す図である。
図７は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の第１主電極の構造を示す図である。
図８は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の第１主電極の別の構造を示す図である。
図９は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の第１主電極の構造を示す図である。
図１０は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の第１主電極の別の構造を示す図である。
図１１は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の第２主電極の構造を示す図である。
図１２は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の副電極の構造を示す図である。
図１３は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の構造を示す図である。
図１４は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の構造を示す図である。
図１５は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の部分構造を示す図である。
図１６は、本願の一実施例によって提供される光起電力モジュールの構造を示す図である。
背景技術から分かるように、従来の太陽電池は光電変換効率が低い。
分析からわかるように、従来技術の太陽電池の光電変換効率が低い原因の一つとしては、通常の太陽電池では、基板を製造する単結晶シリコンの精製工程の制限のため、現在、単結晶シリコンロッドは円形のみに製造され、シリコンロッドができた後にスライスし、つまり、シリコンロッドの断面を単結晶シリコンウエハーのように（面積を計算した後、１つのユニット内で光照射面積を最大限に増やしながら、シリコンロッド材料を最大限に節約でき、電池セル、モジュールの生産に便利である）カットし、基板の第１エッジと第２エッジの境界に面取りを設けることが多く、シリコンウエハーの外部応力を低減し、シリコンウエハーのコーナーに微小な損傷が生じることを避ける。同時に、溶接時にＰＶリボンが電池の面取り部を超えないようにするために、スポット溶接部と電池の面取り部との間に一定の距離が必要であり、面取り部のキャリア輸送経路が長すぎるため、輸送損失が増加してしまう。また、スポット溶接部またはＰＶリボンが太陽電池のエッジに近いと、後の積層中に太陽電池の隠れクラックが発生し、太陽電池の性能に影響を及ぼすおそれがある。
本願の実施例には、太陽電池が提供され、当該太陽電池は、基板と、パッシベーション層と、複数の副電極と、少なくとも１つの主電極と、接続線と、を含み、基板が第１エッジ及び第２エッジを備え、第１エッジが基板の第１方向における対向する両側のエッジであり、第２エッジが基板の第２方向における対向する両側のエッジであり、パッシベーション層が基板に位置し、複数の副電極が基板に第２方向に沿って間隔をあけて配置され、副電極が第１方向に沿って延びており、副電極がパッシベーション層を貫通して基板と接触し、主電極がパッシベーション層の表面に位置し、主電極は、第２エッジに近い２つの接続パッドを含み、接続線の第２エッジに近いポートが閉合され、接続線のポート以外の一部の表面が各接続パッドと接触し、接続パッドと隣接する第２エッジとの間に位置する第１部分の接続線の第１断面積が、接続パッド間に位置する第２部分の接続線の第２断面積よりも大きい。
いくつかの実施例では、第１断面積と第２断面積との差は、接続パッドと隣接する第２エッジとのピッチの大きさと正比例する。
いくつかの実施例では、接続パッドと第２エッジの間に位置する接続線の第１幅が、接続パッド間に位置する接続線の第２幅よりも大きい。
いくつかの実施例では、少なくとも１つの第２接続パッドをさらに含み、第２接続パッドが隣接する接続パッドの間に位置し、接続線が各第２接続パッドと接触し、同じ主電極について、２つの隣接する第２接続パッドの間に位置する第３部分の接続線の第３断面積が最も小さい。
いくつかの実施例では、第２接続パッドと接続パッドの間に位置する接続線の第４断面積は第３断面積以上である。
いくつかの実施例では、接続パッドの面積は第２接続パッドの面積よりも大きい。
いくつかの実施例では、主電極は、第１エッジに近い２つの第１主電極と、隣接する第１主電極間に位置し、かつパッシベーション層の表面に位置する少なくとも１本の第２主電極と、を含む。
いくつかの実施例では、第１主電極は、第２エッジに近い２つの第１サブ接続パッドと、第１接続線と、を含み、第１接続線の第２エッジに近いポートが閉合され、第１接続線のポート以外の一部の表面は各第１サブ接続パッドと接触し、第１サブ接続パッドと隣接する第２エッジの間に位置する第１接続線の第５断面積が、第１サブ接続パッドの間に位置する第１接続線の第６断面積よりも大きい。
いくつかの実施例では、第２主電極は、第２接続線を含み、第２接続線の第２エッジに近いポートが閉合され、第１接続線の断面積が第２接続線の断面積以上である。
いくつかの実施例では、第２主電極は、それぞれ第２エッジに近い２つの第２サブ接続パッドをさらに含み、第２サブ接続パッドが第２エッジに近く、第２サブ接続パッドが第２接続線と接触し、第２方向に沿って、第１サブ接続パッドと第２エッジとの第１距離は第２サブ接続パッドと第２エッジとの第２距離よりも大きい。
いくつかの実施例では、第１エッジと第２エッジの境界には面取りがあり、第１主電極は面取りに近く、第２方向に沿って、第１サブ接続パッドは、面取りの第２方向以外のエッジ領域に位置する。
いくつかの実施例では、太陽電池は、バックコンタクト型電池であり、副電極は、第２方向に沿って交互に配置された第１電極と第２電極を含み、主電極は、間隔をあけて配置された第１グリッド線構造と第２グリッド線構造を含み、第１グリッド線構造１が第１電極と電気的に接続され、第２グリッド線構造が第２電極と電気的に接続される。
いくつかの実施例では、第１グリッド線構造と第２グリッド線構造は、第１方向に沿ってずれて配置される。
いくつかの実施例では、第１方向に沿って、第１エッジに近い副電極の断面積は、第１エッジから離れる副電極の断面積よりも大きい。
本願実施例に係る太陽電池において、主電極は、接続パッドと、接続線と、を含み、接続線の幅を細く設定することで有効遮光面積を低減するとともに、抵抗損失を低減し、モジュールの総電力を高めることができる。また、メイングリッドを構成する接続線の分布がより密集しているため、メイングリッドと細グリッドとの間の接触点がより多くなり、シリコンウェハーの隠れクラックとマイクロクラック箇所での電流伝導経路がより良化されるため、マイクロクラックによる損失が大幅に低減され、生産ラインの生産高の向上に役立つ。接続パッドと隣接する第２エッジとの間の接続線の第１断面積は、接続パッドの間の接続線の第２断面積よりも大きく、第２エッジと接続パッドとの間に位置する接続線の幅が大きいことにより、接続パッドの溶接応力を緩和させ、ＰＶリボンと主電極との間に良好な接触を形成することができる。また、広い接続線によって接続パッドの収集圧力を緩和させ、キャリアの輸送能力を高めることができ、広い接続線は電流を収集するための大きな輸送面積を持っている。
本願の実施例には、太陽電池がさらに提供され、当該太陽電池は、本願の実施例には、太陽電池がさらに提供され、当該太陽電池は、基板と、パッシベーション層と、複数の副電極と、２本の第１主電極と、少なくとも２本の第２主電極と、を含み、基板は第１エッジ及び第２エッジを備え、第１エッジは基板の第１方向における対向する両側のエッジであり、第２エッジは基板の第２方向における対向する両側のエッジであり、パッシベーション層が基板に位置し、副電極が基板に第２方向に沿って間隔をあけて配置され、副電極が第１方向に沿って延びており、副電極がパッシベーション層を貫通して基板と接触し、第１主電極がパッシベーション層の表面に位置し、第１主電極が第１エッジに近く、第１主電極は、第２方向に沿って間隔をあけて配置される複数の第１サブ接続パッドと、少なくとも１つの第１サブ接続パッドの第１エッジに近い側と接触する第１接続線と、を含み、第２主電極がパッシベーション層の表面に位置し、第２主電極が隣接する第１主電極の間に位置し、第２主電極は、第２方向に沿って間隔をあけて配置される複数の第２サブ接続パッドと、少なくとも１つの第２サブ接続パッドと接触する第２接続線とを含み、第１主電極と隣接する第２主電極との間の第１ピッチは、隣接する第２主電極間の第２ピッチと等しくない。
いくつかの実施例では、第１方向に沿って、副電極は第１サブ接続パッドの第１エッジから離れる側と接触する。
いくつかの実施例では、第１ピッチは第２ピッチよりも大きい。
いくつかの実施例では、第１ピッチは第２ピッチよりも小さい。
いくつかの実施例では、第１エッジと第２エッジの境界には面取りがあり、第１主電極は面取りに近く、第２方向に沿って、最初の第１サブ接続パッド及び／又は最後の第１サブ接続パッドは、面取りの第２方向以外のエッジ領域に位置する。
いくつかの実施例では、第１エッジと第２エッジの境界には面取りがあり、第１主電極は面取りに近く、第２方向に沿って、最初の第１サブ接続パッド及び／又は最後の第１サブ接続パッドは、面取りの第２方向以外のエッジ領域に位置する。
いくつかの実施例では、第１接続線は、面取りの第１方向に沿う外側に近い第１接続セグメントと第２接続セグメントを含み、第２接続セグメントが第１接続セグメントに接続され、第１接続セグメントの断面積が第２接続セグメントの断面積よりも大きい。
いくつかの実施例では、第２方向に沿って、最初の第１サブ接続パッドの端部と隣接する面取りの第２方向に沿うエッジとの間の長さは、隣接する副電極間のグリッドピッチ以下である。
いくつかの実施例では、第２方向に沿って、最初の第１サブ接続パッドと隣接する第２エッジとの第１距離は最初の第２サブ接続パッドと隣接する第２エッジとの第２距離よりも大きい。
いくつかの実施例では、いずれかの第１サブ接続パッドの面積は第２サブ接続パッドの面積よりも大きい。
いくつかの実施例では、第１方向に沿って、第１エッジに近い副電極の断面積は、第１エッジから離れる副電極の断面積よりも大きい。
本願の実施例に係る太陽電池において、第１主電極が第１サブ接続パッドと、第１接続線と、を含み、第２主電極が第２サブ接続パッドと、第２接続線と、を含み、細い第１接続線及び第２接続線を設けることで有効遮光面積を低減するとともに、抵抗損失を低減し、モジュールの総電力を高めることができる。また、メイングリッドを構成する第１接続線及び第２接続線の分布がより密集しているため、メイングリッドと細グリッドとの間の接触点がより多くなり、シリコンウェハーの隠れクラックとマイクロクラック箇所での電流伝導経路がより良化されるため、マイクロクラックによる損失が大幅に低減され、生産ラインの生産高の向上に役立つ。また、第１接続線は少なくとも１つの第１サブ接続パッドの第１エッジに近い側と接触し、第１接続線は第１エッジにより近く、第１接続線は第１エッジ箇所での電流を収集する能力が強くなり、かつ、第１サブ接続パッドと第１エッジの間に少なくとも１つの第１接続線の幅を挟むことで、溶接時と積層時にエッジでの応力不良による破損問題を避けることができる。
また、第１主電極と隣接する第２主電極との間の第１ピッチは、隣接する第２主電極間の第２ピッチと等しくない。例えば、第１ピッチが第２ピッチよりも大きく、第１主電極が第１エッジに近く、エッジでの主電極を疎らに設置することで、溶接時及び積層時に、電池セルにマイクロクラックなどが生じるリスクを避けることができる。例えば、第１ピッチが第２ピッチよりも小さく、エッジでの第１主電極と第２主電極が密に設置されることを確保し、副電極から主電極までの電流経路が短くなり、損失を低減し、電極のエッジ部での電流収集能力の向上に有利である。
以下、本願の各実施例について図面を結合して詳細に説明する。しかしながら、当業者は理解できるが、読者に本願をよりよく理解させるために、本願の各実施例において多数の技術的細部が提案されているが、これらの技術的細部及び以下の各実施例に基づく種々の変更や修正がなくても、本願が保護を要求している技術案を実現することができる。
図１は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の構造を示す図であり、図２は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の部分構造のを示す図であり、図３ａは、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の構造を示す図であり、図３ｂは、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の構造を示す図であり、図４は、図３ｂにおけるＡの部分拡大図であり、図５は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の構造を示す図であり、図６は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の構造を示す図であり、図７は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の第１主電極の構造を示す図であり、図８は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の第１主電極の別の構造を示す図であり、図９は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の第１主電極の構造を示す図であり、図１０は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の第１主電極の別の構造を示す図であり、図１１は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の第２主電極の構造を示す図であり、図１２は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の副電極の構造を示す図であり、図１３は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の構造を示す図であり、図１４は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の構造を示す図であり、図１５は、本願の一実施例によって提供される太陽電池の別の部分構造を示す図である。
図１～１５に示すように、本願のいくつかの実施例において、太陽電池は、基板１００と、パッシベーション層と、複数の副電極１２０と、少なくとも１つの主電極１１０と、接続線１１４と、を含み、基板１００が第１エッジ１０１及び第２エッジ１０２を備え、第１エッジ１０１が基板１００の第１方向Ｘにおける対向する両側のエッジであり、第２エッジ１０２が基板１００の第２方向Ｙにおける対向する両側のエッジであり、パッシベーション層が基板１００に位置し、複数の副電極１２０が基板１００に第２方向Ｙに沿って間隔をあけて配置され、副電極１２０が第１方向Ｘに沿って延びており、副電極１２０がパッシベーション層を貫通して基板１００と接触し、主電極１１０がパッシベーション層の表面に位置し、各主電極１１０は、それぞれ第２エッジ１０２に近い２つの接続パッド１１３を含み、接続線１１４の第２エッジ１０２に近いポートが閉合され、接続線１１４のポート以外の一部の表面が各接続パッド１１３と接触し、接続パッド１１３と隣接する第２エッジ１０２との間に位置する接続線１１４の第１断面積が、接続パッド１１３間に位置する接続線１１４の第２断面積よりも大きい。
いくつかの実施例では、太陽電池は、単結晶シリコン太陽電池、多結晶シリコン太陽電池、アモルファスシリコン太陽電池または多元系化合物太陽電池であってもよく、具体的には、多元系化合物太陽電池は、硫化カドミウム太陽電池、ガリウムヒ素太陽電池、セレン化銅インジウム太陽電池またはペロブスカイト太陽電池であってもよい。太陽電池はさらに、ＰＥＲＣ電池（ＰａｓｓｉｖａｔｅｄＥｍｉｔｔｅｒａｎｄＲｅａｒＣｅｌｌ、不動態化エミッタ及び裏面セル）、ＰＥＲＴ電池（ＰａｓｓｉｖａｔｅｄＥｍｉｔｔｅｒａｎｄＲｅａｒＴｏｔａｌｌｙ－ｄｉｆｆｕｓｅｄｃｅｌｌ、不動態化エミッタ及び裏面全拡散型セル）、ＴＯＰＣｏｎ電池（ＴｕｎｎｅｌＯｘｉｄｅＰａｓｓｉｖａｔｅｄＣｏｎｔａｃｔ、トンネル酸化膜パッシベーションコンタクトセル）、ＨＩＴ／ＨＪＴ電池（ＨｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ヘテロ接合型セル）のうちのいずれか１種であってもよい。以下、図２に示す太陽電池の構造を例にする。
基板１００は入射光子を吸収して光生成キャリアを生じさせる領域である。いくつかの実施例では、基板１００はシリコン基板１００であり、シリコン基板の材料は単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンまたは微結晶シリコンの１種または複数種であってもよい。他のいくつかの実施例では、基板１００の材料は炭化珪素、有機材料または多成分化合物であってもよい。多成分化合物は、ペロブスカイト、ガリウムヒ素、テルル化カドミウム、セレン化銅インジウムなどを含むが、これらに限定されない。例示的に、本願の実施例では、基板１００は単結晶シリコン基板である。
いくつかの実施例では、基板１００の正面は入射光を吸収する受光面であり、基板１００の裏面はバックライト面である。基板１００内には、ドーピング元素を有し、ドーピング元素の種類は、Ｎ型またはＰ型であり、Ｎ型元素は、リン（Ｐ）元素、ビスマス（Ｂｉ）元素、アンチモン（Ｓｂ）元素またはヒ素（Ａｓ）元素などのようなＶ族元素であってもよく、Ｐ型元素は、ホウ素（Ｂ）元素、アルミニウム（Ａｌ）元素、ガリウム（Ｇａ）元素またはインジウム（Ｉｎ）元素などのようなＩＩＩ族元素であってもよい。例えば、基板１００がＰ型基板１００である場合、その内部のドーピング元素の種類はＰ型である。または、例えば、基板１００がＮ型の基板である場合、その内部のドーピング元素の種類は、Ｎ型である。
いくつかの実施例では、基板１００は、対向する第１表面１０４と第２表面１０５を含む。基板１００の第１表面１０４内にはエミッタ１０６があり、エミッタ１０６は基板１００と異なるドーパント元素の種類を有する。かつ、基板１００の第１表面１０４の入射光線に対する反射率が小さく、光線の吸収利用率が大きくなるように、エミッタ１０６の表面にテクスチャー構造を有してもよい。
また、第１方向Ｘと第２方向Ｙとは互いに直交してもよいし、９０度より小さい挟角、例えば、６０度、４５度、３０度などが存在してもよく、第１方向Ｘと第２方向Ｙとは同一方向でなければよい。本実施例では、説明と理解の便宜上、第１方向Ｘと第２方向Ｙとが互いに直交することを例に説明するが、具体的な応用において、実際のニーズと応用シナリオに応じて、第１方向Ｘと第２方向Ｙとの間の挟角を調整することができる。本実施例ではこれについて限定しない。
いくつかの実施例では、第１エッジ１０１と第２エッジ１０２の境界には面取り１０３があり、第２方向Ｙに沿って、接続パッド１１３は面取り１０３の第２方向Ｙ以外のエッジ領域に位置し、このように、接続パッド１１３は面取り１０３の正対する領域に位置せず、溶接時または積層時の面取り１０３の隠れクラック及びマイクロクラックを避けることができる。接続パッド１１３は面取り１０３に近く、面取り１０３に収集された電流が最短の輸送経路でＰＶリボンに収集されることができ、経路損失を減らし、太陽電池の電池効率を高めることができる。具体的には、図１に示すように、接続パッド１１３の第２エッジ１０２に近い側と面取り１０３の接続パッド１１３に向かう側との間の距離が小さいか両者が隣接しており、このように、接続パッド１１３が面取り１０３の第２方向Ｙ以外のエッジ領域に位置すると考えられる。ここで、距離が小さいことは、距離が隣接する副電極１２０間のグリッドピッチより小さいことを指すことができる。
いくつかの実施例では、第２方向Ｙに沿って、接続パッド１１３の第２エッジ１０２に近い端部と第２方向Ｙにおける面取り１０３の接続パッド１１３に向かうエッジとの間の長さは、隣接する副電極１２０間のグリッドピッチ以下である。これはさらに、面取り１０３に収集された電流が最も短い輸送経路でＰＶリボンに収集され、経路損失を低減し、太陽電池の電池効率を高めることができることを示している。
いくつかの実施例では、パッシベーション層は単層構造または積層構造であってもよく、パッシベーション層の材料は酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸炭窒化シリコン、酸化チタン、酸化ハフニウムまたは酸化アルミニウムなどの材料のうちの１種または複数種であってもよい。パッシベーション層は、第１パッシベーション層１１１と、第２パッシベーション層１１２とを含んでもよく、第１パッシベーション層１１１がエミッタ１０６の基板１００から離れた表面に位置し、第１パッシベーション層１１１がプレパッシベーション層と見なすことができ、第２パッシベーション層１１２が基板１００の第２表面１０５に位置し、第２パッシベーション層１１２はポストパッシベーション層と見なすことができる。
いくつかの実施例では、副電極１２０は、太陽電池のグリッド線として、太陽電池の電流を収集してまとめることに用いられる。副電極１２０はバーンスルー型スラリーで焼結されたものであってもよい。副電極１２０の材料は、アルミニウム、銀、金、ニッケル、モリブデンまたは銅の１種または複数種であってもよい。場合によっては、副電極１２０とは、メイングリッド線またはバスバーと区別するために、細グリッド線またはフィンガー状グリッド線を指す。副電極１２０は、第１電極１２１と、第２電極１２２と、を含み、第１電極１２１が第１パッシベーション層１１１を貫通してエミッタ１０６と接触し、第１電極１２１が上部電極または正面電極と見なされ、第２電極１２２が第２パッシベーション層１１２を貫通して基板１００の第２表面１０５と接触し、第２電極１２２が下部電極または裏面電極と見なされる。
いくつかの実施例では、主電極１１０（即ち、後述する第１主電極１３０及び第２主電極１４０）は太陽電池のメイングリッドと見なされ、ここでいうメイングリッドは従来の意味でのメイングリッドではなく、接続線１１４（例えば、後述する第１接続線１３２）を介して各副電極１２０との間に接続するためのブリッジを構成し、接続パッド１１３を介してＰＶリボン（各電池セルを接続することに用いられる）を接続し、電流の収集に使われる。これによって、接続線１１４（例えば、後述する第１接続線１３２及び第２接続線１４２）の幅は比較的狭く設定されることで、有効遮光面積を減少させ、抵抗損失を低減し、モジュールの総電力を高めることができる。主電極１１０をより密に設けることができ、細グリッドを流れる電流の経路を短縮し、太陽電池の光電変換効率を高めることができる。細い接続線１１４（例えば、後述する第１接続線１３２）及び接続パッド１１３（例えば、後述する第１サブ接続パッド１３１）も同様にシリコンウエハーの隠れクラック及びマイクロクラックのリスクを避けることができる。したがって、隠れクラック及びマイクロクラックのリスクがある太陽電池のエッジに主電極１１０を設置することで、エッジの電流収集能力を高め、電流の収集または輸送経路をより良化することができる。
いくつかの実施例では、各接続線１１４（例えば、後述する第１接続線１３２）は、各副電極１２０と電気的に接続され、各サブグリッドの電流を収集することに用いられる。接続線１１４の幅を狭く設定し、接続線１１４の幅の範囲は２０μｍ～２００μｍであり、好ましくは、接続線１１４の幅の範囲は２０μｍ～１５０μｍであり、具体的には、２８μｍ、５８μｍ、９８μｍ、１３５μｍまたは１５０μｍであってもよい。これによって、接続線１１４の幅の範囲は遮蔽面積を減らし、接触グリッド線のシャドウ損失を低減し、電流収集能力を高めることができる。
いくつかの実施例では、接続線１１４（例えば、後述する第１接続線１３２）の第２エッジ１０２に近いポートが閉合され、通常のハープーン接続線とは異なり、つまり、接続線１１４は各接続パッド１１３（例えば、後述する第１サブ接続パッド１３１）に接続された接続線が１本しかなく、ハープーン接続線が主電極と副電極との接触点と輸送経路を増やすことができるが、通常、細い接続線によって主電極の抵抗損失が大きくなり、電池効率に影響を与えるおそれがある。少なくとも２本の接続線からなるハープーン接続線と比べて、接続線を１本だけ設置することで、スラリーコストを削減するとともに、後のＰＶリボンの位置合わせに影響を与えない。ここで、第２エッジ１０２に近い接続線１１４のポートは接続パッド１１３と接触せず、接続パッド１１３は接続線１１４のポート以外の領域と接触する。これによって、基板１００のコーナーに面取り１０３がある場合、接続パッド１１３は面取り１０３が正対していない領域に位置し、接続線１１４は面取り１０３に正対する領域に位置してもよく、このように、面取り１０３箇所の電流を収集し、面取り１０３領域のキャリア輸送経路を短縮し、輸送損失を低減し、面取り１０３箇所に接続パッド１１３を設けることに起因する破損のリスクを避けることができる。
断面積とは幅と高さの積であるが、後にＰＶリボンに接続したり、積層したりする過程において、電池セルの各箇所にかかる力が異なって、電池セルには隠れクラックまたはマイクロクラックが生じるリスクを避けるため、通常、接続線１１４の各箇所の高さが同じになるように設定する。これによって、第１断面積が第２断面積よりも大きいことは、接続パッド１１３と第２エッジ１０２の間に位置する接続線１１４の第１幅が接続パッド１１３間に位置する接続線１１４の第２幅より大きいと見なすことができる。
他のいくつかの実施例では、エッジに近い接続線１１４に隠れクラックが生じるリスクを避けるため、接続パッド１１３と第２エッジ１０２の間に位置する接続線１１４（即ち、第１サブ接続線１１６）の高さは、接続パッド１１３間に位置する接続線１１４（即ち、第２サブ接続線１１７及び第３サブ接続線１１８）の高さよりもわずかに小さくなるように設定されることが可能である。同様に、接続パッド１１３と第２エッジ１０２の間に位置する接続線１１４の第１幅が、接続パッド１１３間に位置する接続線１１４の第２幅よりも大きいことを導き出すことができる。第１サブ接続線１１６の幅を大きくすることで、接続パッド１１３の溶接応力を緩和させ、ＰＶリボンと主電極１１０の間に良好な接触を形成することができる。また、より広い第１サブ接続線１１６によって、接続パッド１１３の収集圧力を緩和させ、キャリアの輸送能力を高めることができ、より広い第１サブ接続線１１６は電流を収集するための大きな輸送面積を持っている。
いくつかの実施例では、第１断面積と第２断面積との差は、接続パッド１１３と隣接する第２エッジ１０２とのピッチＳの大きさと正比例する。接続パッド１１３と隣接する第２エッジ１０２とのピッチＳが大きい場合、第１断面積も大きくなり、即ち第１幅も大きくなり、電流を収集する輸送面積も大きくなり、収集圧力を緩和させながら電池の性能を向上させる。第１断面積と第２断面積との差の範囲は、第１幅と第２幅との差の範囲と見なすことができ、第１幅と第２幅との差の範囲は１００μｍより小さく、さらに、第１幅と第２幅との差の範囲は８０μｍより小さい。第１幅と第２幅との差は、具体的に、１５μｍ、３９μｍ、６８μｍまたは８０μｍであってもよい。これによって、第１幅と第２幅との差は、第１サブ接続線１１６の幅が大きくなるほど、第２エッジのキャリアを集める能力が高くなり、かつ遮蔽面積が適切であり、光損失を低減し、第２サブ接続線１１７と第３サブ接続線１１８の断面積が適切であり、導電能力が良好であり、抵抗損失が小さいことを満たすことができる。
いくつかの実施例では、第１幅の範囲は２０μｍ～２００μｍであり、好ましくは、第１幅の範囲は２０μｍ～１５０μｍであり、具体的には、２８μｍ、５８μｍ、９８μｍ、１３５μｍまたは１５０μｍであってもよい。これによって、第１サブ接続線１１６の幅の範囲は遮蔽面積を減らし、接触グリッド線のシャドウ損失を低減し、電流収集能力を高めることができる。
いくつかの実施例では、第２幅の範囲は２０μｍ～１００μｍであり、好ましくは、第２幅の範囲は２０μｍ～８０μｍであり、具体的には、２８μｍ、３９μｍ、５２μｍ、７１μｍまたは８０μｍであってもよい。これによって、第２サブ接続線１１７と第３サブ接続線１１８の横断面積は適切であり、導電能力が良好であり、かつ抵抗損失が小さい。
いくつかの実施例では、接続パッド１１３と隣接する第２エッジ１０２とのピッチＳの範囲は３ｍｍ～１５ｍｍであり、好ましくは、ピッチＳの範囲は３ｍｍ～１３ｍｍであり、具体的には、ピッチＳは３ｍｍ、５．８ｍｍ、９．４ｍｍまたは１３ｍｍであってもよい。接続パッドと第２エッジ１０２の距離が適度であり、第２エッジ１０２のキャリアを収集することができ、かつ、ＰＶリボンを溶接する時に隠れクラックや破損などが生じるリスクを避けることができる。
いくつかの実施例では、接続パッド１１３は主電極１１０とＰＶリボンとの接触点と見なすことができ、接続パッド１１３は副電極１２０と接触してもよいし、副電極１２０と接触せずに接続線１１４を介して副電極１２０と電気的に接続してもよい。
いくつかの実施例では、主電極１１０は、少なくとも１つの第２接続パッド１１５をさらに含み、第２接続パッド１１５が接続パッド１１３の間に位置し、接続線１１４が各第２接続パッド１１５と接触し、同じ主電極１１０について、２つの隣接する第２接続パッド１１５の間に位置する接続線１１４（即ち第３サブ接続線１１８）の第３断面積が最も小さく、あるいは、接続線１１４は、第２エッジと接続パッド１１３の間に位置する第１サブ接続線１１６と、第２接続パッド１１５と接続パッド１１３の間に位置する第２サブ接続線１１７と、隣接する第２接続パッド１１５の間に位置する第３サブ接続線１１８と、を含み、第３サブ接続線１１８の第３断面積が最も小さい。１つの具体的な例では、第２サブ接続線１１７の第４断面積は第３断面積と等しい。中間領域の接続線１１４（第２サブ接続線１１７及び第３サブ接続線１１８）の幅は狭く、グリッド線の遮蔽面積を減らすことができる。別の具体的な例では、第２サブ接続線１１７の第４断面積は第３断面積より大きく、これによって、第１断面積が最も大きく、第４断面積がそれに次ぎ、第３断面積が最も小さいため、基板１００の中間領域の遮蔽面積が小さく、エッジ領域の幅が大きくなり、接続線１１４と副電極１２０の接触が良好であり、優れた電流収集能力を持っていることを確保することができる。
いくつかの実施例では、接続パッド１１３の面積は第２接続パッド１１５の面積よりも大きい。エッジに位置する接続パッド１１３の面積が大きい場合、ＰＶリボンの位置合わせ時の基準とし、ＰＶリボンと主電極１１０の間の溶接ずれを避けることができ、接続パッド１１３の面積が大きいと、ＰＶリボンの溶接圧力を緩和させながら、エッジの電流収集能力を高めることができる。
いくつかの実施例では、本願に係る主電極１１０は複数のサブ接続線からなる１本の接続線であり、かつ、第１サブ接続線１１６の幅は第２サブ接続線１１７と第３サブ接続線１１８の幅よりも大きく、幅が漸減するか漸増する接続線が１本しかない場合と比べて、本願に係る接続線の設計方式はＰＶリボンの位置合わせにより有利であり、製造工程の難易度を低減するとともに、基板のエッジ以外領域の遮蔽面積を減らし、より高い光電変換効率を持っている。
いくつかの実施例では、図３ａに示すように、少なくとも１つの主電極１１０は、パッシベーション層の表面に位置し、第１エッジ１０１に近い２本の第１主電極１３０と、隣接する第１主電極１３０の間に位置し、かつパッシベーション層の表面に位置する少なくとも１本の第２主電極１４０と、を含む。
いくつかの実施例では、図３ａに示すように、第１主電極１３０は、第２エッジ１０２に近い２つの第１サブ接続パッド１３１（または後述する２つの第１サブ端子パッド１４３）と、第１接続線１３２と、を含み、第１接続線１３２の第２エッジ１０２に近いポートが閉合され、第１接続線１３２のポート以外の一部の表面は各第１サブ接続パッド１３１と接触し、第１サブ接続パッド１３１と隣接する第２エッジ１０２の間に位置する第１接続線１３２の第５断面積が、第１サブ接続パッド１３１の間に位置する第１接続線１３２の第６断面積よりも大きい。
いくつかの実施例では、第１主電極１３０は、２つの第１サブ接続パッド１３１の間に位置する少なくとも１つの第３サブ接続パッド１３３（または後述する第２サブ端子パッド１４４）をさらに含み、第１接続線１３２が各第３サブ接続パッド１３３と接触し、同じ第１主電極１３０について、隣接する２つの第３サブ接続パッド１３３の間に位置する第１接続線１３２の第７断面積が最も小さく、あるいは、第１接続線１３２は、第２エッジ１０２と第１サブ接続パッド１３１との間に位置する第１接続セグメント１３４と、第３サブ接続パッド１３３と第１サブ接続パッド１３１の間に位置する第２接続セグメント１３６と、第３サブ接続パッド１３３の間に位置する第３接続セグメント１３７と、を含み、第３接続セグメント１３７の第７断面積が最も小さい。１つの具体的な例では、図９に示すように、第２接続セグメント１３６の第８断面積は第７断面積と等しい。中間領域における第１接続線１３２の幅は狭く、グリッド線の遮蔽面積を減らすことができる。別の具体的な例では、図１０に示すように、第２接続セグメント１３６の第８断面積は第７断面積よりも大きい。このように、第５断面積が最も大きく、第８断面積がそれに次ぎ、第７断面積が最も小さいため、基板１００の中間領域の遮蔽面積が小さく、エッジ領域の幅が大きく、第１接続線１３２と副電極１２０の接触が良好であり、比較的高い電流収集能力を持っていることを確保することができる。
他のいくつかの実施例では、図３ｂに示すように、第１主電極１３０は、第２方向Ｙに沿って間隔をあけて配置される複数の第１サブ接続パッド１３１と、少なくとも１つの第１サブ接続パッド１３１の第１エッジ１０１に近い側と接触する第１接続線１３２と、を含む。第１主電極１３０は面取り１０３に近い。第２方向Ｙに沿って、最初及び／又は最後の第１サブ接続パッド１３１は、面取り１０３の第２方向Ｙ以外のエッジ領域に位置し、このように、最初及び／又は最後の第１サブ接続パッド１３１は、面取り１０３の正対する領域に位置せず、溶接時または積層時に面取り１０３に生じる隠れクラッ及びやマイクロクラックを避けることができる。第１サブ接続パッド１３１が面取り１０３に近いと、面取り１０３に収集された電流は最短の輸送経路でＰＶリボンに収集され、経路損失を減らし、太陽電池の電池効率を高めることができる。具体的には、図３ｂに示すように、最初の第１サブ接続パッド１３１の第２エッジ１０２に近い側と、面取り１０３の第１サブ接続パッドに向かう側とは、それらの間の距離が小さいか、または隣接している。これにより、第１サブ接続パッド１３１は第２方向Ｙ以外のエッジ領域に位置していると考えられる。ここで、距離が小さいことは、距離が隣接する副電極１２０間のグリッドピッチより小さいことを意味してもよい。
いくつかの実施例では、第２方向Ｙに沿って、第１サブ接続パッド１３１の端部と面取り１０３の第２方向Ｙに沿うエッジとの間の長さは、隣接する副電極１２０間のグリッドピッチ以下であり、さらに、面取り１０３に収集された電流が最も短い輸送経路でＰＶリボンに収集され、経路損失を減らし、太陽電池の電池効率を高めることができることを示している。
いくつかの実施例では、図３ａと図３ｂに示すように、第２主電極１４０は、第２接続線１４２を含み、第２接続線１４２の第２エッジ１０２に近いポートが閉合され、第１接続線１３２の断面積が第２接続線１４２の断面積以上であり、エッジ以外領域の第２主電極１４０について、幅の小さい第２接続線１４２を設けることで、第２主電極１４０のグリッド線の遮蔽面積が小さくなるようにし、エッジ領域の第１主電極１３０について、幅の広い第１接続線１３２を設けることで、第１接続線１３２と各副電極１２０との間の電気的な接触横断面積を増やし、第１接続線１３２の電気抵抗を低減し、より細い第２接続線１４２に比べて、基板１００のエッジに近い第１接続線１３２の電流収集と輸送能力を向上させ、太陽電池全体のエッジの電流収集能力と光電変換効率を高めることができる。
いくつかの実施例では、第１主電極１３０と隣接する第２主電極１４０との間の第１ピッチｍは、隣接する第２主電極１４０間の第２ピッチｎと等しくない。１つの具体的な例では、第１ピッチｍは第２ピッチｎよりも大きく、第１主電極１３０が第１エッジ１０１に近く、エッジ箇所の主電極を疎らに設け、溶接時及び積層時に、電池セルにマイクロクラックなどが生じるリスクを避けることができる。第１ピッチｍと第２ピッチｎの比ｐの範囲は１．５≧ｐ＞１であり、さらに、１．３≧Ｐ＞１．１、１．４５≧Ｐ＞１．０５、１．３８≧Ｐ＞１または１．５≧ｐ＞１．２である。他のいくつかの実施例では、第１ピッチｍは第２ピッチｎよりも小さく、エッジ箇所に第１主電極１３０と第２主電極１４０が密に設けられ、副電極１２０から主電極までの電流経路が短く、損失を低減し、電極がエッジ箇所での電流を収集する能力を高めることができる。第１ピッチｍとｎの比ｐの範囲は１＞ｐ≧０．５であり、さらに、０．８≧Ｐ≧０．５、０．９≧Ｐ≧０．７、０．９８≧Ｐ≧０．５３または０．８≧Ｐ≧０．５である。
いくつかの実施例では、第１接続線１３２と第２接続線１４２の材料は同じであり、つまり、同じ製造工程で第１接続線１３２及び第２接続線１４２を形成する。
いくつかの実施例では、第２主電極１４０は、第２方向Ｙに沿って間隔をあけて配置される複数の第２サブ接続パッド１４１をさらに含み、そのうち、最初の第２サブ接続パッド１４１と最後の第２サブ接続パッド１４１が第２エッジ１０２に近く、第２サブ接続パッド１４１が第２接続線１４２と接触し（第２接続線１４２が少なくとも１つの第２サブ接続パッド１４１と接触する）、第２方向Ｙに沿って、最初の第１サブ接続パッド１３１と隣接する第２エッジ１０２との第１距離は最初の第２サブ接続パッド１４１と第２エッジ１０２との第２距離よりも大きい。基板１００の第１エッジ１０１と第２エッジ１０２の境界には面取り１０３があり、第１サブ接続パッド１３１の位置が第２エッジ１０２から遠く、第２サブ接続パッド１４１が第１サブ接続パッド１３１より第２エッジ１０２に近く設けられることによって、第２エッジ１０２での電流輸送経路を短縮し、第２エッジ１０２の電流収集能力を高めることができる。
いくつかの実施例では、第１サブ接続パッド１３１は第１主電極１３０とＰＶリボンとが接触する接触点と見なすことができ、第１サブ接続パッド１３１は副電極と接触してもよいし、副電極と接触せず、第１接続線１３２を介して副電極と電気的に接続されてもよい。同様に、第２サブ接続パッド１４１は第２主電極１４０とＰＶリボンとが接触する接触点である。
いくつかの実施例では、いずれかの第１サブ接続パッド１３１の面積は第２サブ接続パッド１４１の面積よりも大きく、エッジに位置する各第１サブ接続パッド１３１の面積が大きい場合、ＰＶリボンと第１主電極１３０との間の溶接ずれを避けるために、溶接の位置合わせ時の基準とすることができる。第１サブ接続パッド１３１の面積が大きいと、ＰＶリボンの圧力を緩和させるとともに、エッジの電流収集能力を高めることができる。第２サブ接続パッド１４１の面積が小さいと、遮蔽面積を減らすことができる。
いくつかの実施例では、図３ｂと図４に示すように、第１接続線１３２は少なくとも１つの第１サブ接続パッド１３１の第１エッジ１０１に近い側と接触する。第１接続線１３２は第１エッジ１０１により近く、第１接続線１３２は第１エッジ１０１での電流を収集する能力が高くなり、かつ、第１サブ接続パッド１３１と第１エッジ１０１の間に少なくとも１つの第１接続線１３２の幅を挟むことで、溶接時と積層時にエッジ箇所における応力不良による破損問題を避けることができる。第１サブ接続パッド１３１が副電極と接触した場合、副電極は第１サブ接続パッド１３１の第１エッジ１０１から離れた側と接触する。このように、副電極が収集した電流は直接第１サブ接続パッドに収集されてＰＶリボンに集められ、電流輸送経路を短縮することができる。
いくつかの実施例では、図４～図８に示すように、第１接続線１３２は、面取り１０３の第１方向Ｘに沿う外側に近い第１接続セグメント１３４及び第２接続セグメント１３５を含み、第２接続セグメント１３５が第１接続セグメント１３４に接続され、第１接続セグメント１３４の断面積が第２接続セグメント１３５の断面積よりも大きく、あるいは、最初の第１サブ接続パッド１３１と隣接する第２エッジ１０２との間に位置する第１接続線１３２の第１１断面積は、最初の第１サブ接続パッド１３１と最後の第１サブ接続パッド１３１との間に位置する第１接続線１３２の第１２断面積よりも大きく、第２エッジ１０２と第１サブ接続パッド１３１との間に位置する第１接続線１３２の幅を大きくすることで、第１サブ接続パッド１３１の溶接応力を緩和させ、ＰＶリボンと第１主電極１３０との間に良好な接触を形成することができ、また、広い第１接続線１３２によって第１サブ接続パッド１３１の収集箇所の圧力を緩和させ、キャリアの輸送能力を高めることができ、広い第１接続線１３２は電流を収集するための大きな輸送面積を持っている。
理解できるように、第１接続セグメント１３４とは、最初の第１サブ接続パッド１３１と隣接する第２エッジ１０２との間に位置する第１接続線１３２を指し、第２接続セグメント１３５とは、最初の第１サブ接続パッド１３１と最後の第１サブ接続パッド１３１の間に位置する第１接続線１３２を指す。
後にＰＶリボンに接続したり、積層したりする過程において、電池セルの各箇所にかかる力によって電池セルに隠れクラックまたはマイクロクラックが生じるリスクを避けるため、通常、第１接続線１３２の高さを同じように設定する。このように、第１１断面積が第１２断面積よりも大きいことは、最初の第１サブ接続パッド１３１と隣接する第２エッジ１０２との間に位置する第１接続線１３２の第３幅が、最初の第１サブ接続パッド１３１と最後の第１サブ接続パッド１３１との間に位置する第１接続線１３２の第４幅より大きいと見なすことができる。
他のいくつかの実施例では、エッジに近い第１接続線１３２に隠れクラックが生じるリスクを避けるために、最初の第１サブ接続パッド１３１と第２エッジ１０２との間に位置する第１接続線１３２の高さが、最初の第１サブ接続パッド１３１と最後の第１サブ接続パッド１３１との間に位置する第１接続線１３２の高さよりもわずかに小さくなるように設定することが可能である。同様に、最初の第１サブ接続パッド１３１と第２エッジ１０２との間に位置する第１接続線１３２の第３幅が、最初の第１サブ接続パッド１３１と最後の第１サブ接続パッド１３１との間に位置する第１接続線１３２の第４幅よりも大きいことを導き出すことができる。第２エッジ１０２と最初の第１サブ接続パッド１３１との間に位置する第１接続線１３２の幅を大きくすることで、第１サブ接続パッド１３１の溶接応力を緩和させ、ＰＶリボンと第１主電極１３０との間に良好な接触を形成することができる。また、広い第１接続線１３２によって第１サブ接続パッド１３１の収集箇所の圧力を緩和させ、キャリアの輸送能力を高めることができ、広い第１接続線１３２は電流を収集するための大きな輸送面積を持っている。
いくつかの実施例では、第１１断面積と第１２断面積との差は、最初の第１サブ接続パッド１３１と隣接する第２エッジ１０２とのピッチＳと正比例する。第１サブ接続パッド１３１と隣接する第２エッジ１０２とのピッチＳが大きい場合、第１１断面積も大きくなり、すなわち第３幅も大きくなり、電流を収集するための輸送面積も大きくなり、収集圧力を緩和させながら、電池性能を高めることができる。第１１断面積と第１２断面積との差の範囲は、第３幅と第４幅との差の範囲と見なすことができ、第３幅と第４幅との差の範囲は１００μｍよりも小さく、さらに、第３幅と第４幅との差の範囲は８０μｍよりも小さい。第３幅と第４幅との差は、具体的には１５μｍ、３９μｍ、６８μｍまたは８０μｍであってもよい。このように、第３幅と第４幅との差は、第１接続セグメント１３４の幅が大きく、第２エッジのキャリアを収集する能力が高く、かつ遮蔽面積が適切であり、光損失を低減することを満たすことができるとともに、第２接続セグメント１３５の横断面積が適切であり、導電能力が高く、抵抗損失が小さいことを満たすこともできる。
具体的には、第３幅の範囲は２０μｍ～２００μｍであり、好ましくは、第３幅の範囲は２０μｍ～１５０μｍであり、具体的には、２８μｍ、５８μｍ、９８μｍ、１３５μｍまたは１５０μｍであってもよい。このように、第１接続セグメント１３４の幅の範囲によって、遮蔽面積を減らし、接触グリッド線のシャドウ損失を低減し、電流収集能力を高めることができる。第４幅の範囲は２０μｍ～１００μｍであり、好ましくは、第４幅の範囲は２０μｍ～８０μｍであり、具体的には、２８μｍ、３９μｍ、５２μｍ、７１μｍまたは８０μｍであってもよい。このように、第２接続セグメント１３５の断面積は適切であり、導電能力が良好であり、かつ抵抗損失が小さい。第１サブ接続パッド１３１と隣接する第２エッジ１０２とのピッチＳの範囲は３ｍｍ～１５ｍｍであり、好ましくは、ピッチＳの範囲は３ｍｍ～１３ｍｍであり、具体的に、ピッチＳは３ｍｍ、５．８ｍｍ、９．４ｍｍまたは１３ｍｍであってもよい。第１サブ接続パッド１３１と第２エッジ１０２の距離は適度であり、第２エッジ１０２のキャリアを集めることができ、かつ、ＰＶリボンを溶接する時に生じる隠れクラック及び破損などのリスクを避けることができる。
いくつかの実施例では、図３ｂ～８に示すように、複数の第１サブ接続パッド１３１は、２つの第１サブ端子パッド１４３と、第１サブ端子パッド１４３の間に位置する第２サブ端子パッド１４４と、を含み、第２サブ端子パッド１４４の数が１以上であり、第２サブ端子パッド１４４の間に位置する第１接続線１３２（第３接続セグメント１３７）の第７断面積が最も小さい。１つの具体的な例では、図７に示すように、第１サブ端子パッド１４３と第２サブ端子パッド１４４の間に位置する第１接続線１３２（第２接続セグメント１３６）の第８断面積は第７断面積と等しく、中間領域の第１接続線１３２の幅を狭くすることで、グリッド線の遮蔽面積を小さくすることができる。別の１つの具体的な例では、第１サブ端子パッド１４３と第２サブ端子パッド１４４の間に位置する第１接続線１３２の第８断面積は第７断面積より大きい。このように、第１１断面積が最も大きく、第８断面積がそれに次ぎ、第７断面積が最も小さいため、基板の中間領域に位置する遮蔽面積が小さく、エッジ領域の幅が大きく、第１接続線１３２と副電極１２０の接触が良好であり、電流を収集する能力が高いことを確保することができる。
いくつかの実施例では、第１サブ端子パッド１４３の面積は第２サブ端子パッド１４４の面積より大きい。エッジに位置する第１サブ端子パッド１４３の面積が大きい場合、ＰＶリボンと第１主電極１３０の間の溶接ずれを避けるために、溶接の位置合わせ時の基準とすることができる。第１サブ端子パッド１４３の面積が大きいと、ＰＶリボンの圧力を緩和させながら、エッジの電流収集能力を高めることができる。
いくつかの実施例では、第２接続線１４２の第２エッジ１０２に近いポートが閉合され、第１接続線１３２の断面積が第２接続線１４２の断面積以上であり、エッジ以外の領域の第２主電極１４０について、幅の小さい第２接続線１４２を設けることで、第２主電極１４０のグリッド線の遮蔽面積が小さくなるようにし、エッジ領域の第１主電極１３０について、幅の広い第１接続線１３２を設けることで、第１接続線１３２と各副電極との間の電気的な接触断面積を増やし、第１接続線１３２の電気抵抗を低減し、より狭い第２接続線１４２に比べて、基板エッジに近接する第１接続線１３２の電流収集と輸送能力を向上させ、さらに太陽電池全体のエッジ電流収集能力と光電変換効率を高めることができる。
いくつかの実施例では、図３ａと図１１に示すように、第２接続線１４２の第２エッジ１０２に近い側のポートが閉合され、第２接続線１４２のポート以外の一部の表面は第２サブ接続パッド１４１と接触している。図５、図６及び図１１に示すように、第２サブ接続パッド１４１と隣接する第２エッジ１０２との間に位置する第２接続線１４２（即ち、第４接続セグメント１４５）の第９断面積は、第２サブ接続パッド１４１の間に位置する第２接続線１４２（即ち、第５接続セグメント１４６）の第１０断面積よりも大きい。第９断面積が第１０断面積よりも大きいという技術的構想と達成する技術的効果は、第１断面積が第２断面積よりも大きいという技術的構想と達成する技術的効果と同じであるか類似している。ここでは繰り返して説明しない。
いくつかの実施例では、図３ａと図１２に示すように、第１方向Ｘに沿って、第１エッジ１０１に近い副電極１２０の断面積は、第１エッジ１０１から離れる副電極１２０の断面積よりも大きく、これによって、第１エッジ１０１箇所における副電極１２０の電流収集と輸送能力を高めることができる。
いくつかの実施例では、太陽電池は、ＭＢＢ（マルチメイングリッド）電池である。
いくつかの実施例では、図１と図１３に示すように、接続線は少なくとも１つのサブ接続パッドの第１エッジ１０１に近い側と接触している。接続線が第１エッジ１０１により近いことで、接続線が第１エッジ１０１での電流を収集する能力が高くなり、かつサブ接続パッドと第１エッジ１０１の間に少なくとも１本の接続線の幅を挟んで、溶接時と積層時にエッジ箇所の応力不良による破損問題を避けることができる。副電極１２０がサブ接続パッドの第１エッジ１０１から離れた側と接触することで、副電極が収集した電流は直接サブ接続パッドに収集されてＰＶリボンに集められ、電流輸送経路を短縮することができる。
いくつかの実施例では、図１４と図９に示すように、太陽電池は、ＩＢＣ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄｂａｃｋｃｏｎｔａｃｔ、インターデジタルバックコンタクト）電池のようなバックコンタクト型電池であり、図１５に示すように、バックコンタクト型電池は、基板１００と、基板１００第１表面１０４に位置する第３パッシベーション層１０７と、基板１００の第２表面１０５に位置する第１ドーピング領域１０８及び第２ドーピング領域１０９と、第１ドーピング領域１０８及び第２ドーピング領域１０９の表面に位置する第４パッシベーション層１１９と、第４パッシベーション層１１９を貫通して第１ドーピング領域１０８に接続される第１電極１２１と、第４パッシベーション層１１９を貫通して第２ドーピング領域１０９に接続される第２電極１２２と、を含む。他のいくつかの実施例では、バックコンタクト型電池は、基板と、基板の第１表面に位置する第３パッシベーション層と、基板の第２表面に位置し、基板と同じ導電種類を有してもよいし、基板と異なる導電種類を有してもよい第１ドーピング領域と、基板の第２表面に位置するトンネル酸化層及びドープポリシリコン層と、第１ドーピング領域及びドープポリシリコン層の表面に位置する第４パッシベーション層と、第４パッシベーション層を貫通してドープポリシリコン層に接続される第１電極と、第４パッシベーション層を貫通して第１ドーピング領域に接続される第２電極と、を含む。さらに他のいくつかの実施例では、バックコンタクト型電池は、基板と、基板の第１表面に位置する第３パッシベーション層と、基板の第２表面に位置するトンネル酸化層及び第１ドープポリシリコン層と第２ドープポリシリコン層と、第１ドープポリシリコン層、第２ドープポリシリコン層及び基板の表面に位置する第４パッシベーション層と、第４パッシベーション層を貫通して第１ドープポリシリコン層に接続される第１電極と、第４パッシベーション層を貫通して第２ドープポリシリコン層に接続される第２電極と、を含む。理解できるように、上記の第１表面１０４はシリコン基板の正面であり、第２表面１０５はシリコン基板の裏面であり、第１ドーピング領域はＮ型ドーピング領域またはＰ型ドーピング領域のうちの一方であり、第２ドーピング領域はＮ型ドーピング領域またはＰ型ドーピング領域のうちの他方である。
注意すべきこととして、「バックコンタクト電池」とは、プラス電極及びマイナス電極がいずれも基板１００の裏面の構造と接触して電流を収集することを指し、基板１００の正面に関係しない。
いくつかの実施例では、バックコンタクト電池は、基板１００と、パッシベーション層と、複数の副電極１２０と、少なくとも１つの主電極１１０と、を含み、基板１００が第１エッジ１０１及び第２エッジ１０２を備え、第１エッジ１０１が基板１００の第１方向Ｘにおける対向する両側のエッジであり、第２エッジ１０２が基板１００の第２方向Ｙにおける対向する両側のエッジであり、パッシベーション層が基板１００に位置し、複数の副電極１２０が基板１００に第２方向Ｙに沿って間隔をあけて配置され、副電極１２０が第１方向Ｘに沿って延びており、副電極１２０がパッシベーション層を貫通して基板１００と接触し、主電極１１０がパッシベーション層の表面に位置し、主電極１１０は、第２エッジ１０２に近い２つの接続パッド１１３と、接続線１１４とを含み、接続線１１４の第２エッジ１０２に近いポートが閉合され、接続線１１４のポート以外の一部の表面が各接続パッド１１３と接触し、接続パッド１１３と隣接する第２エッジ１０２との間に位置する接続線１１４の第１断面積が、接続パッド１１３の間に位置する接続線１１４の第２断面積よりも大きい。
いくつかの実施例では、第１断面積と第２断面積との差は、接続パッドと隣接する第２エッジとのピッチの大きさと正比例する。接続パッドと第２エッジとの間に位置する接続線の第１幅は、接続パッド間に位置する接続線の第２幅よりも大きい。
いくつかの実施例では、副電極は、第２方向に沿って交互に配置された第１電極１２１と第２電極１２２を含み、第１電極１２１がプラス電極とマイナス電極のうちの一方であり、第２電極１２２がプラス電極とマイナス電極のうちの他方である。本願の実施例では、第１電極１２１をプラス電極とし、第２電極１２２をマイナス電極とする。副電極１２０は、第２方向Ｙに沿って間隔をあけて配置された第１電極１２１と第２電極１２２を含む。
いくつかの実施例では、図１３に示すように、主電極は、交互に配置された第１グリッド線構造１５１と第２グリッド線構造１５２を含み、第１グリッド線構造１５１が各第１電極１２１と電気的に接続され、第２グリッド線構造１５２が各第２電極１２２と電気的に接続される。具体的には、第１主電極は、各第１電極１２１と電気的に接続された第１エッジグリッド線と、各第２電極１２２と電気的に接続された第２エッジグリッド線と、を含む。
いくつかの実施例では、第１グリッド線構造１５１と第２グリッド線構造１５２は、第１方向Ｘに沿ってずれて配置され、これによって、第２方向Ｙに沿って、第２エッジに近い第１グリッド線構造１５１及び第２グリッド線構造１５２と第２エッジとの距離が異なるようにし、太陽電池の金属化導電性銀スラリーの消費量を低減し、細グリッド方向の電流収集距離を短縮し、破片率を低下させる。また、少なくとも一部のメイングリッドは、副電極の第２エッジに近い側まで露出しなくてもよく、きれいであるとともに、電池セルのプラスとマイナス電極の適応的な長さを確保し、異なる極性の電極間における短絡のリスクを避けることができる。
いくつかの実施例では、図１４に示すように、第２主電極は、交互に配置された第１グリッド線構造１５３及び第２グリッド線構造１５４を含み、第１グリッド線構造１５３が各第１電極１２１と電気的に接続され、第２グリッド線構造１５４が各第２電極１２２と電気的に接続される。第１主電極は、各第１電極１２１と電気的に接続された第１エッジグリッド線１５１と、各第２電極１２２と電気的に接続された第２エッジグリッド線１５２と、を含む。具体的には、正極性を有する第１エッジグリッド線１５１に隣接する第２主電極は第２グリッド線構造１５４であり、負極性を有する第２エッジグリッド線１５２に隣接する第２主電極は第１グリッド線構造１５３である。
いくつかの実施例では、第１グリッド線構造１５３と第２グリッド線構造１５４は第１方向Ｘに沿ってずれて設置され、これによって、第２方向Ｙに沿って、第２エッジに近い第１グリッド線構造１５３及び第２グリッド線構造１５４と第２エッジとの距離が異なるようにし、太陽電池の金属化導電性銀スラリーの消費量を低減し、細グリッド方向の電流収集の距離を短縮し、破片率を低減している。また、メイングリッドは副電極の第２エッジに近い側まで露出しなくてもよく、きれいであるとともに、電池セルのプラスとマイナス電極の適応的な長さを確保し、かつ異なる極性の電極間に短絡が生じるリスクを避けることができる。同様に、第１エッジグリッド線１５１と第２エッジグリッド線１５２とは、第１方向Ｘに沿ってずれて設置されることで、異なる副電極間に短絡が生じるリスクを避けることができる。
本願の実施例に係る太陽電池において、主電極１１０は、接続パッド１１３と、接続線１１４（例えば、第１主電極１３０が第１サブ接続パッド１３１と、第１接続線１３２と、を含み、第２主電極１４０が第２サブ接続パッド１４１と、第２接続線１４２と、を含む）と、を含み、細い接続線１１４を設けることで有効遮光面積を低減するとともに、抵抗損失を低減し、モジュールの総電力を高めることができる。また、メイングリッドを構成する接続線１１４（例えば第１接続線１３２及び第２接続線１４２）の分布がより密集しているため、メイングリッドと細グリッドとの間の接触点がより多くなり、シリコンウェハーの隠れクラックとマイクロクラック箇所での電流伝導経路がより良化されるため、マイクロクラックによる損失が大幅に低減され、生産ラインの生産高の向上に役立つ。接続パッド１１３と隣接する第２エッジ１０２との間の接続線１１４の第１断面積は、接続パッド１１３の間の接続線１１４の第２断面積よりも大きく、第２エッジ１０２と接続パッド１１３との間に位置する接続線１１４の幅が大きいことにより、接続パッド１１３の溶接応力を緩和させ、ＰＶリボンと主電極１１０との間に良好な接触を形成することができる。また、広い接続線１１４によって接続パッド１１３の収集圧力を緩和させ、キャリアの輸送能力を高めることができ、広い接続線は電流を収集するための大きな輸送面積を持っている。また、第１接続線１３２は少なくとも１つの第１サブ接続パッド１３１の第１エッジ１０１に近い側と接触し、第１接続線１３２は第１エッジ１０１により近く、第１接続線１３２は第１エッジ１０１箇所での電流を収集する能力が強くなり、かつ、第１サブ接続パッド１３１と第１エッジ１０１の間に少なくとも１つの第１接続線１３２の幅を挟むことで、溶接時と積層時にエッジでの応力不良による破損問題を避けることができる。
また、第１主電極１３０と隣接する第２主電極１４０との間の第１ピッチｍは、隣接する第２主電極１４０間の第２ピッチｎと等しくない。例えば、第１ピッチｍが第２ピッチｎよりも大きく、第１主電極１３０が第１エッジ１０１に近く、エッジでの主電極を疎らに設置することで、溶接時及び積層時に、電池セルにマイクロクラックなどが生じるリスクを避けることができる。例えば、第１ピッチｍが第２ピッチｎよりも小さく、エッジでの第１主電極１３０と第２主電極１４０が密に設置されることを確保し、副電極から主電極までの電流経路が短くなり、損失を低減し、電極のエッジ部での電流収集能力の向上に有利である。
図１６は、本願の一実施例によって提供される光起電力モジュールの構造を示す図である。
それに対応して、本願の実施例は、光起電力モジュールをさらに提供し、図１６を参照すると、光起電力モジュールは、前述実施例で提供された太陽電池２０を複数接続してなる電池ストリングと、電池ストリングの表面を覆うための封止層２１と、封止層２１の電池ストリングから離れた表面を覆うためのカバープレート２２と、を含む。太陽電池２０は、全体または複数のスライスの形で電気的に接続されることで複数の電池ストリングを形成し、複数の電池ストリングは、直列及び／又は並列に電気的に接続されている。
具体的には、いくつかの実施例において、複数のセルストリング間は、伝導バンドによって電気的に接続されていてもよい。封止層２１は、太陽電池２０の正面又は裏面のうちの一方を覆う第１封止層２１１及び太陽電池２０の正面又は裏面のうちの他方を覆う第２封止層２１２を含み、具体的には、第１封止層２１１又は第２封止層２１２の少なくとも一方は、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）接着フィルム、ポリエチレンオクテン－エラストマー（ＰＯＥ）接着フィルム、またはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）接着フィルム等の有機封止フィルムであってもよい。いくつかの実施例において、カバープレート２２は、ガラスカバープレートやプラスチックカバープレートなどの光透過機能を有するカバープレートであってもよい。具体的には、カバープレート２２の封止層２１に向かう表面を凹面または凸面にしてもよく、これによって、入射光線の利用率を高めることができる。カバープレート２２は、第１封止層２１１に対向する第１カバープレート２２１と、第２封止層２１２に対向する第２カバープレート２２２とを含む。
本願は、好ましい実施例で上記のように開示されているが、特許請求の範囲を限定するものではなく、当業者であれば、本願の着想から逸脱することなく、若干の可能な変動及び修正を加えることができるため、本願の保護範囲は、本願の請求項によって規定される範囲に従うべきである。また、本願明細書の実施例及び図面は例示にすぎず、本願請求項によって保護されるすべての範囲ではない。
当業者であれば、前記の各実施形態は本願を実現する具体的な実施例であるが、実用上では本願の精神と範囲を逸脱することなく、形態及び細部において様々な変更が可能であることが理解できる。いずれの当業者は、本願の精神と範囲を逸脱しない限り、それぞれ変更及び修正を行うことが可能であるため、本願の保護範囲は、請求項に限定された範囲を基準にすべきである。
Claims (20)
- 基板と、パッシベーション層と、複数の副電極と、前記パッシベーション層の表面に位置する２本の第１主電極と、前記２本の第１主電極間に位置する少なくとも２本の第２主電極と、を含み、
前記基板は第１エッジ及び第２エッジを備え、前記第１エッジは前記基板の第１方向における対向する両側のエッジであり、前記第２エッジは前記基板の第２方向における対向する両側のエッジであり、
前記パッシベーション層が前記基板に位置し、
前記副電極が前記基板に前記第２方向に沿って間隔をあけて配置され、前記副電極が前記第１方向に沿って延びており、前記副電極が前記パッシベーション層を貫通して前記基板と接触し、
前記第２主電極と比べて２本の前記第１主電極がそれぞれ２本の前記第１エッジに近く、
各前記第１主電極はいずれも、前記第２方向に沿って間隔をあけて配置される複数の第１サブ接続パッドと、少なくとも１つの前記第１サブ接続パッドの前記第１エッジに近い側と接触する第１接続線と、を含み、
各前記第２主電極はいずれも、前記第２方向に沿って間隔をあけて配置される複数の第２サブ接続パッドと、少なくとも１つの前記第２サブ接続パッドと接触する第２接続線とを含み、
１つの前記第１主電極と隣接する１つの前記第２主電極との間の第１ピッチは、隣接する２つの前記第２主電極間の第２ピッチと等しくない、
ことを特徴とする太陽電池。
- 前記第１方向に沿って、前記副電極は前記第１サブ接続パッドの前記第１エッジから離れる側と接触する、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。 - 前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。 - 前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも小さい、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。 - 前記第１エッジと前記第２エッジの境界には面取りがあり、前記第１主電極は前記面取りに近く、前記第２方向に沿って、最初の前記第１サブ接続パッド及び／又は最後の前記第１サブ接続パッドは、前記面取りの前記第２方向以外のエッジ領域に位置する、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。 - 前記第１接続線は、前記面取りの前記第１方向に沿う外側に近い第１接続セグメント及び第２接続セグメントを含み、前記第２接続セグメントが前記第１接続セグメントに接続され、前記第１接続セグメントの断面積が前記第２接続セグメントの断面積よりも大きい、
ことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池。 - 前記第２方向に沿って、最初の前記第１サブ接続パッドの前記第２エッジに近い端部と前記第２方向における前記面取りの第１サブ接続パッドに向かうエッジとの間の長さは、隣接する前記副電極間のグリッドピッチ以下である、
ことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池。 - 前記第２方向に沿って、最初の前記第１サブ接続パッドと隣接する前記第２エッジとの第１距離は最初の前記第２サブ接続パッドと隣接する前記第２エッジとの第２距離よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。 - いずれかの前記第１サブ接続パッドの面積は前記第２サブ接続パッドの面積よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。 - 前記第１方向に沿って、前記第１エッジに近い前記副電極の断面積は、前記第１エッジから離れる前記副電極の断面積よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。 - 前記第２方向に沿って間隔をあけて配置される前記複数の第１サブ接続パッドは、第２エッジに近い２つの第１サブ端子パッドと、隣接する前記第１サブ端子パッドの間に位置する少なくとも１つ第２サブ端子パッドと、を含み、前記第１サブ端子パッドと隣接する前記第２エッジの間に位置する第１部分の前記第１接続線の第１断面積が、前記第１サブ端子パッドの間に位置する第２部分の前記第１接続線の第２断面積よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。 - 前記第１断面積と前記第２断面積との差は、前記第１サブ端子パッドと隣接する前記第２エッジとのピッチの大きさと正比例する、
ことを特徴とする請求項１１に記載の太陽電池。 - 前記第１サブ端子パッドと隣接する前記第２エッジの間に位置する第１部分の前記第１接続線の第１幅が、前記第１サブ端子パッドの間に位置する第２部分の前記第１接続線の第２幅よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１１に記載の太陽電池。 - 同じ第１主電極について、隣接する２つの前記第２サブ端子パッドの間に位置する第３部分の前記第１接続線の第３断面積が最も小さい、
ことを特徴とする請求項１１に記載の太陽電池。 - 前記第１サブ端子パッドと前記第２サブ端子パッドとの間に位置する第４部分の前記第１接続線の第４断面積は前記第３断面積以上である、
ことを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池。 - 前記第１サブ端子パッドの面積が前記第２サブ端子パッドの面積よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池。 - 前記第１接続線の前記第２エッジに近いポートが閉合され、前記第２接続線の前記第２エッジに近いポートが閉合され、前記第１接続線の断面積が前記第２接続線の断面積以上である、
ことを特徴とする請求項１１に記載の太陽電池。 - 前記太陽電池は、バックコンタクト型電池であり、前記副電極は、第２方向に沿って間隔をあけて配置された第１電極と第２電極を含み、前記第２主電極は、間隔をあけて配置された第１グリッド線構造と第２グリッド線構造を含み、前記第１グリッド線構造が前記第１電極と電気的に接続され、前記第２グリッド線構造が前記第２電極と電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。 - 第１グリッド線構造と第２グリッド線構造は、第１方向に沿ってずれて配置される、
ことを特徴とする請求項１８に記載の太陽電池。 - 請求項１～１９のいずれか１項に記載の太陽電池を複数接続してなる電池ストリングと、
前記電池ストリングの表面を覆うための封止層と、
前記封止層の前記電池ストリングから離れた表面を覆うためのカバープレートと、を含む、
ことを特徴とする光起電力モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023184232A JP2024062419A (ja) | 2022-10-24 | 2023-10-26 | 太陽電池及び光起電力モジュール |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211298941.9 | 2022-10-24 | ||
| CN202211298941.9A CN115377232B (zh) | 2022-10-24 | 2022-10-24 | 太阳能电池及光伏组件 |
| CN202211298934.9 | 2022-10-24 | ||
| CN202211298934.9A CN115377231B (zh) | 2022-10-24 | 2022-10-24 | 太阳能电池及光伏组件 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023184232A Division JP2024062419A (ja) | 2022-10-24 | 2023-10-26 | 太陽電池及び光起電力モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP7376672B1 true JP7376672B1 (ja) | 2023-11-08 |
| JP2024062319A JP2024062319A (ja) | 2024-05-09 |
Family
ID=84370161
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022212253A Active JP7376672B1 (ja) | 2022-10-24 | 2022-12-28 | 太陽電池及び光起電力モジュール |
| JP2023184232A Pending JP2024062419A (ja) | 2022-10-24 | 2023-10-26 | 太陽電池及び光起電力モジュール |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023184232A Pending JP2024062419A (ja) | 2022-10-24 | 2023-10-26 | 太陽電池及び光起電力モジュール |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP4362108A1 (ja) |
| JP (2) | JP7376672B1 (ja) |
| AU (2) | AU2022279534B1 (ja) |
| DE (1) | DE202023104601U1 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010262979A (ja) | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Sharp Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| JP2016189458A (ja) | 2015-03-27 | 2016-11-04 | 新日光能源科技股▲ふん▼有限公司 | 太陽電池 |
| JP2018056563A (ja) | 2016-09-27 | 2018-04-05 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びこれを含む太陽電池パネル |
| CN210897297U (zh) | 2019-12-24 | 2020-06-30 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池 |
| CN211828804U (zh) | 2020-05-18 | 2020-10-30 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池、电池片及光伏组件 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135655A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池セル |
| EP3159934B1 (en) * | 2014-09-30 | 2018-03-21 | LG Electronics Inc. | Solar cell panel |
| KR101823605B1 (ko) * | 2016-12-02 | 2018-03-14 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 |
| CN112635586A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-09 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种高效高可靠性perc太阳能电池及其正面电极和制作方法 |
| CN114765225A (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-19 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 光伏组件及其制造方法 |
| CN115732577B (zh) * | 2021-08-27 | 2024-02-06 | 上海晶科绿能企业管理有限公司 | 一种光伏电池及光伏组件 |
| CN217588948U (zh) * | 2022-04-08 | 2022-10-14 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 背接触太阳电池及电池组件、电极结构及其网版 |
| CN115148839A (zh) * | 2022-09-05 | 2022-10-04 | 浙江晶科能源有限公司 | 背接触太阳能电池及光伏组件 |
-
2022
- 2022-12-01 EP EP22210924.1A patent/EP4362108A1/en active Pending
- 2022-12-02 AU AU2022279534A patent/AU2022279534B1/en active Active
- 2022-12-28 JP JP2022212253A patent/JP7376672B1/ja active Active
-
2023
- 2023-08-14 DE DE202023104601.0U patent/DE202023104601U1/de active Active
- 2023-10-26 JP JP2023184232A patent/JP2024062419A/ja active Pending
- 2023-12-29 AU AU2023286031A patent/AU2023286031A1/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010262979A (ja) | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Sharp Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| JP2016189458A (ja) | 2015-03-27 | 2016-11-04 | 新日光能源科技股▲ふん▼有限公司 | 太陽電池 |
| JP2018056563A (ja) | 2016-09-27 | 2018-04-05 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びこれを含む太陽電池パネル |
| CN210897297U (zh) | 2019-12-24 | 2020-06-30 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池 |
| CN211828804U (zh) | 2020-05-18 | 2020-10-30 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池、电池片及光伏组件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2022279534B1 (en) | 2023-12-07 |
| AU2023286031A1 (en) | 2024-01-25 |
| DE202023104601U1 (de) | 2023-09-13 |
| JP2024062419A (ja) | 2024-05-09 |
| EP4362108A1 (en) | 2024-05-01 |
| JP2024062319A (ja) | 2024-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN204928739U (zh) | 双面太阳能面板和双面太阳能电池 | |
| US20170194516A1 (en) | Advanced design of metallic grid in photovoltaic structures | |
| KR102053138B1 (ko) | 태양 전지 | |
| KR20140003691A (ko) | 태양 전지 모듈 및 이에 적용되는 리본 결합체 | |
| EP3091580A1 (en) | Solar cell and solar cell panel including the same | |
| EP2341548A2 (en) | Solar cell module | |
| EP2816609B1 (en) | Solar cell | |
| US9577132B2 (en) | Solar cell module | |
| CN117219687B (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| JP2024003746A (ja) | 太陽電池および光起電力モジュール | |
| US9184320B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
| KR20140095658A (ko) | 태양 전지 | |
| CN117727813A (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| JP7284865B1 (ja) | 太陽電池および光起電力モジュール | |
| JP7376672B1 (ja) | 太陽電池及び光起電力モジュール | |
| CN115377231B (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| CN115377232B (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| US20240136455A1 (en) | Solar cell and photovoltaic module | |
| KR20180037666A (ko) | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 | |
| KR102000063B1 (ko) | 태양 전지 모듈 | |
| CN218585995U (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| CN114420782B (zh) | 光伏组件及制备方法 | |
| CN117727812A (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| CN117673180A (zh) | 背接触电池和光伏组件 | |
| CN118156329A (zh) | 太阳能电池及光伏组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230206 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20230206 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230428 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230703 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230929 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231026 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7376672 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |