DE202023104601U1

DE202023104601U1 - Solarzelle und Photovoltaikmodul

Info

Publication number: DE202023104601U1
Application number: DE202023104601.0U
Authority: DE
Original assignee: Zhejiang Jinko Solar Co Ltd
Current assignee: Zhejiang Jinko Solar Co Ltd
Priority date: 2022-10-24
Filing date: 2023-08-14
Publication date: 2023-09-13
Anticipated expiration: 2033-08-15
Also published as: US12080819B2; JP7376672B1; AU2023286031A1; AU2022279534B1; JP2024062419A; JP2024062319A; US20240136455A1; US20240234605A9; EP4362108A1

Abstract

Solarzelle, die Folgendes umfasst:
ein Substrat (100), das erste Ränder (101) und zweite Ränder (102) aufweist, wobei die ersten Ränder (101) zwei entgegengesetzte Ränder des Substrats (100) entlang einer zweiten Richtung (Y) umfassen und die zweiten Ränder zwei entgegengesetzte Ränder des Substrats (100) entlang einer ersten Richtung (X) umfassen;
eine Passivierungsschicht, die auf dem Substrat (100) angeordnet ist;
eine Vielzahl von Nebenelektroden (120), die in Intervallen entlang der zweiten Richtung (Y) auf dem Substrat (100) eingerichtet sind, wobei jede der Vielzahl von Nebenelektroden (120) sich entlang der ersten Richtung (X) erstreckt und durch die Passivierungsschicht eindringt, um mit dem Substrat (100) in Kontakt zu sein.
zwei erste Hauptelektroden (130), die auf einer Oberfläche der Passivierungsschicht angeordnet sind, wobei jede der zwei ersten Hauptelektroden (130) sich nahe an einem entsprechenden ersten Rand (101) befindet und eine Vielzahl von ersten Unterverbindungskonktaktgebieten (131), die in Intervallen entlang der zweiten Richtung eingerichtet sind, und einen ersten Verbindungsdraht (132) umfasst, und der erste Verbindungsdraht (132) mit einer Seite von jedem von mindestens einem der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten (131) nahe an dem entsprechenden ersten Rand (101) in Kontakt ist; und
mindestens zwei zweite Hauptelektroden (140), wobei die mindestens zwei zweiten Hauptelektroden (140) an der Oberfläche der Passivierungsschicht angeordnet sind und zwischen den zwei ersten Hauptelektroden (130) angeordnet sind, wobei jede der mindestens zwei zweiten Hauptelektroden (140) eine Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten (141), die in Intervallen entlang der zweiten Richtung (Y) angeordnet sind, und einen zweiten Verbindungsdraht (142) umfasst, und der zweite Verbindungsdraht (142) mit mindestens einem der Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten (141) in Kontakt ist, wobei
ein erster Pitch (m) zwischen einer jeweiligen ersten Hauptelektrode (130) und einer zweiten Hauptelektrode (140) benachbart zu der jeweiligen ersten Hauptelektrode (130) nicht gleich einem zweiten Pitch (n) zwischen benachbarten zweiten Hauptelektroden (140) ist.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die Offenbarung betrifft das Gebiet der Photovoltaik und insbesondere eine Solarzelle und ein Photovoltaikmodul.
ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
Die Leistung (wie beispielsweise der photoelektrische Umwandlungswirkungsgrad) von Solarzellen wird durch optischen Verlust und elektrischen Verlust beeinträchtigt. Der optische Verlust umfasst Reflexionsverlust einer vorderen Oberfläche der Solarzelle, Schattenverlust von Kontaktgitterlinien und Nicht-Absorptionsverlust im Langwellenband und dergleichen. Der elektrische Verlust umfasst photogenerierte Ladungsträgerrekombination auf der Oberfläche und im Körper des Halbleiters und Verlust von Kontaktwiderstand zwischen dem Halbleiter und den Metallgitterlinien und dergleichen.
Von der Solarzelle erzeugter Strom wird durch Nebengitterlinien und Hauptgitterlinien, die in der Solarzelle angeordnet sind, gesammelt und abgegeben und dann durch Kontaktgebietsabschnitte, die an den Hauptgitterlinien eingerichtet sind, an ein Baugruppenende übertragen. Die Solarzelle weist indes in den Technologien des Standes der Technik eine relativ schwache Stromsammlungsfähigkeit auf, wodurch die Verbesserung des photoelektrischen Umwandlungswirkungsgrads der Solarzelle beeinträchtigt wird.
KURZDARSTELLUNG
Ausführungsformen der Offenbarung stellen eine Solarzelle und ein Photovoltaikmodul bereit, um den photoelektrischen Umwandlungswirkungsgrad der Solarzelle zumindest teilweise zu verbessern.
Gemäß einigen Ausführungsformen wird eine Solarzelle bereitgestellt. Die Solarzelle umfasst ein Substrat, das erste Ränder und zweite Ränder aufweist, wobei die ersten Ränder zwei entgegengesetzte Ränder des Substrats entlang einer zweiten Richtung umfassen und die zweiten Ränder zwei entgegengesetzte Ränder des Substrats entlang einer ersten Richtung umfassen; eine Passivierungsschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; eine Vielzahl von Nebenelektroden, die in Intervallen entlang der zweiten Richtung auf dem Substrat eingerichtet sind, wobei jede der Vielzahl von Nebenelektroden sich entlang der ersten Richtung erstreckt und durch die Passivierungsschicht eindringt, um mit dem Substrat in Kontakt zu sein; zwei erste Hauptelektroden, die auf einer Oberfläche der Passivierungsschicht angeordnet sind, wobei jede der zwei ersten Hauptelektroden sich nahe an einem entsprechenden ersten Rand befindet und eine Vielzahl von ersten Unterverbindungskonktaktgebieten, die in Intervallen entlang der zweiten Richtung eingerichtet sind, und einen ersten Verbindungsdraht umfasst, und der erste Verbindungsdraht mit einer Seite von jedem von mindestens einem der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten nahe an dem entsprechenden ersten Rand in Kontakt ist; und mindestens zwei zweite Hauptelektroden, wobei die mindestens zwei zweiten Hauptelektroden an der Oberfläche der Passivierungsschicht angeordnet sind und zwischen den zwei ersten Hauptelektroden angeordnet sind, wobei jede der mindestens zwei zweiten Hauptelektroden eine Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten, die in Intervallen entlang der zweiten Richtung eingerichtet sind, und einen zweiten Verbindungsdraht umfasst, und der zweite Verbindungsdraht mit mindestens einem der Vielzahl von zweiten Unterkontaktgebieten in Kontakt ist, wobei ein erster Pitch zwischen einer jeweiligen ersten Hauptelektrode und einer zweiten Hauptelektrode benachbart zur jeweiligen ersten Hauptelektrode nicht gleich ein zweiter Pitch zwischen benachbarten zweiten Hauptelektroden ist.
In einigen Ausführungsformen ist in der ersten Richtung jede von mindestens einer der Vielzahl von Nebenelektroden in Kontakt mit einer Seite eines entsprechenden ersten Unterverbindungskontaktgebiets entfernt von dem entsprechenden ersten Rand.
In einigen Ausführungsformen ist der erste Pitch größer als der zweite Pitch.
In einigen Ausführungsformen ist der erste Pitch kleiner als der zweite Pitch.
In einigen Ausführungsformen ist eine Abschrägung an einem Übergang eines jeweiligen ersten Randes und eines entsprechenden zweiten Randes bereitgestellt, jede der zwei ersten Hauptelektroden ist benachbart zu einem entsprechenden Paar von Abschrägungen; und in der zweiten Richtung befindet sich mindestens eines von einem ersten der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten und ein letztes der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten in einer Randregion außerhalb einer entsprechenden Abschrägung entlang der zweiten Richtung.
In einigen Ausführungsformen umfasst der erste Verbindungsdraht einen ersten Verbindungsabschnitt nahe an einer Außenseite von jeder von dem entsprechenden Paar von Abschrägungen in der ersten Richtung und einen zweiten Verbindungsabschnitt, der mit dem ersten Verbindungsabschnitt verbunden ist; wobei der erste Verbindungsabschnitt eine Querschnittsfläche aufweist, die größer als eine Querschnittsfläche des zweiten Verbindungsabschnitts ist.
In einigen Ausführungsformen ist in der zweiten Richtung ein Abstand zwischen einem Ende des ersten der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten nahe an einem benachbarten zweiten Rand und ein Rand einer benachbarten Abschrägung, die den ersten Unterverbindungskontaktgebieten entlang der zweiten Richtung zugewandt ist, kleiner oder gleich ein Gitter-Pitch zwischen benachbarten Nebenelektroden.
In einigen Ausführungsformen ist in der zweiten Richtung ein erster Abstand zwischen einem ersten der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten und einem benachbarten zweiten Rand größer als ein zweiter Abstand zwischen einem ersten der Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten und dem benachbarten zweiten Rand in der zweiten Richtung.
In einigen Ausführungsformen ist eine Fläche von jedem der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten größer als eine Fläche eines beliebigen der Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten.
In einigen Ausführungsformen ist in der ersten Richtung für eine jeweilige Nebenelektrode der Vielzahl von Nebenelektroden eine Querschnittsfläche eines Teils der jeweiligen Nebenelektrode nahe an dem ersten Rand größer als eine Querschnittsfläche eines anderen Teils der jeweiligen Nebenelektrode entfernt von dem ersten Rand.
In einigen Ausführungsformen umfassen die ersten Unterverbindungskontaktgebiete zwei erste Unterverbindungsscheiben, die sich jeweils nahe an den zweiten Rändern befinden, und mindestens eine zweite Unterverbindungsscheibe, die zwischen den zwei ersten Unterverbindungsscheiben angeordnet ist; und eine erste Querschnittsfläche eines ersten Teils des ersten Verbindungsdrahts zwischen einer jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe und einem zweiten Rand benachbart zu der jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe ist größer als eine zweite Querschnittsfläche eines zweiten Teils des ersten Verbindungsdrahts zwischen den zwei ersten Unterverbindungsscheiben.
In einigen Ausführungsformen ist eine Differenz zwischen der ersten Querschnittsfläche und der zweiten Querschnittsfläche proportional zu einem Zwischenraum zwischen der jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe und dem zweiten Rand benachbart zu der jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe.
In einigen Ausführungsformen ist eine erste Breite des ersten Teils des ersten Verbindungsdrahts zwischen der jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe und dem zweiten Rand benachbart zu der jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe größer als eine zweite Breite des zweiten Teils des ersten Verbindungsdrahts zwischen den zwei ersten Unterverbindungsscheiben.
In einigen Ausführungsformen ist für eine selbe Hauptelektrode eine dritte Querschnittsfläche eines dritten Teils des ersten Verbindungsdrahts zwischen zwei benachbarten zweiten Unterverbindungsscheiben eine kleinste Querschnittsfläche.
In einigen Ausführungsformen ist eine vierte Querschnittsfläche eines vierten Teils des ersten Verbindungsdrahts zwischen der jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe und einer zweiten Unterverbindungsscheibe benachbart zu der jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe größer oder gleich der dritten Querschnittsfläche.
In einigen Ausführungsformen ist eine Fläche von jeder der zwei ersten Unterverbindungsscheiben größer als eine Fläche einer beliebigen von der mindestens einen zweiten Unterverbindungsscheibe.
In einigen Ausführungsformen ist der erste Verbindungsdraht an jedem Anschluss von Anschlüssen geschlossen, welche jeweils nahe an den zweiten Rändern liegen, und der zweite Verbindungsdraht ist an jedem Anschluss von Anschlüssen geschlossen, die jeweils nahe an den zweiten Rändern liegen, wobei eine Querschnittsfläche des ersten Verbindungsdrahts größer oder gleich einer Querschnittsfläche des zweiten Verbindungsdrahts ist.
In einigen Ausführungsformen ist die Solarzelle eine Rückkontaktzelle und die Vielzahl von Nebenelektroden umfassen erste Elektroden und zweite Elektroden, die abwechselnd entlang der zweiten Richtung angeordnet sind, wobei mindestens zwei zweite Hauptelektroden erste Gitterlinienstrukturen und zweite Gitterlinienstrukturen umfassen, die abwechselnd eingerichtet sind; wobei jede der ersten Gitterlinienstrukturen elektrisch mit den ersten Elektroden verbunden ist und jede der zweiten Gitterlinienstrukturen elektrisch mit den zweiten Elektroden verbunden ist.
In einigen Ausführungsformen sind die ersten Gitterlinienstrukturen und die zweiten Gitterlinienstrukturen entlang der ersten Richtung versetzt.
Ausführungsformen der Offenbarung stellen ferner ein Photovoltaikmodul bereit. Das Photovoltaikmodul umfasst mindestens eine Zellenfolge, die jeweils eine Vielzahl von Solarzellen, mindestens eine Einkapselungsschicht und mindestens eine Abdeckplatte umfasst. Wobei jede der Vielzahl von Solarzellen eine Solarzelle ist, die in einer beliebigen der vorhergehenden Ausführungsformen bereitgestellt wird. Jede Einkapselungsschicht ist dazu ausgestaltet, eine Oberfläche der mindestens einen Zellenfolge zu bedecken. Jede Abdeckplatte ist dazu ausgestaltet, eine Oberfläche einer entsprechenden Einkapselungsschicht von der mindestens einen Einkapselungsschicht, die von der mindestens einen Zellenfolge abgewandt ist, zu bedecken.
Ausführungsformen der Offenbarung weisen die folgenden vorteilhaften Effekte auf.
Gemäß der Solarzelle, die in Ausführungsformen der Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst jede erste Hauptelektrode die ersten Unterverbindungskontaktgebiete und den ersten Verbindungsdraht und jede zweite Hauptelektrode umfasst die zweiten Unterverbindungskontaktgebiete und den zweiten Verbindungsdraht. Durch Einrichten des dünneren ersten Verbindungsdrahts und des zweiten Verbindungsdrahts können die wirksame Abschattungsfläche und der Widerstandsverlust vermindert werden, wodurch die Gesamtleistung der Baugruppe erhöht wird. Darüber hinaus können, da die ersten Verbindungsdrähte und die zweiten Verbindungsdrähte, welche die Hauptgitterlinien bilden, dicht verteilt sind, mehr Kontaktpunkte zwischen den Hauptgitterlinien und den Nebengitterlinien erhalten werden und ein Stromleitungsweg an den gerissenen und mikrogerissenen Teilen des Siliziumwafers ist optimierter, derart dass der Verlust, der durch Mikrorisse verursacht wird, in hohem Maße vermindert wird, was zum Verbessern der Leistung der Produktionslinie von Vorteil ist. Jeder erste Verbindungsdraht ist in Kontakt mit einer Seite von jedem des mindestens einen ersten Unterverbindungskontaktgebiets nahe an dem ersten Rand, d. h. der erste Verbindungsdraht liegt näher an dem ersten Rand, derart dass die Fähigkeit des ersten Verbindungsdrahts, den Strom an dem ersten Rand zu sammeln, verbessert ist. Darüber hinaus ist mindestens eine Breite des ersten Verbindungsdrahts zwischen dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet und dem ersten Rand getrennt, derart dass der Bruch, der durch schlechte Beanspruchung an dem Rand verursacht wird, während des Schweißens und Laminierens vermieden werden kann.
Darüber hinaus ist der erste Pitch zwischen der jeweiligen ersten Hauptelektrode und der benachbarten zweiten Hauptelektrode nicht gleich dem zweiten Pitch zwischen den benachbarten zweiten Hauptelektroden. Zum Beispiel ist der erste Pitch größer als der zweite Pitch, liegt die erste Hauptelektrode nahe an dem ersten Rand und sind die Hauptelektroden an den Rändern spärlich eingerichtet, derart dass die Gefahr von Mikroreißen der Solarzelle während des Schweißens und Laminierens vermieden werden kann. Alternativ ist der erste Pitch kleiner als der zweite Pitch, derart dass die ersten Hauptelektroden und die zweiten Hauptelektroden an den Rändern dicht verteilt sind und ein Weg von Strom von der Nebenelektrode zur Hauptelektrode relativ kurz ist, wodurch Verlust vermindert wird und die Fähigkeit der Elektrode zum Sammeln von Strom an dem Rand erleichtert wird.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Eine oder mehrere Ausführungsformen werden als Beispiele unter Bezugnahme auf die entsprechenden Figuren in den begleitenden Zeichnungen beschrieben und die beispielhafte Veranschaulichung stellt keine Einschränkung der Ausführungsformen dar. Sofern nichts anderes angegeben wird, stellen die Figuren in den begleitenden Zeichnungen keine Einschränkung der Proportionen dar. Zur deutlicheren Erklärung der Ausführungsformen der Offenbarung oder technischer Lösungen in der herkömmlichen Technik werden die Zeichnungen, die zur Verwendung in den Ausführungsformen erforderlich sind, nachfolgend kurz beschrieben, und es ist ersichtlich, dass die unten beschriebenen Zeichnungen nur einige der Ausführungsformen der Offenbarung sind, von denen der Durchschnittsfachmann ohne schöpferische Leistung andere Zeichnungen erhalten kann.

1 ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
2 ist eine partielle Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
3A ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
3B ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
4 ist eine vergrößerte Teilansicht von Teil A in 3B.
5 ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
6 ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
7 ist eine schematische Strukturansicht, die eine erste Hauptelektrode in einer Solarzelle gemäß Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
8 ist eine schematische Strukturansicht, die eine erste Hauptelektrode in einer Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
9 ist eine schematische Strukturansicht, die eine erste Hauptelektrode in einer Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
10 ist eine schematische Strukturansicht, die eine erste Hauptelektrode in einer Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
11 ist eine schematische Strukturansicht, die eine zweite Hauptelektrode in einer Solarzelle gemäß Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
12 ist eine schematische Strukturansicht, die eine Nebenelektrode in einer Solarzelle gemäß Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
13 ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
14 ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht.
15 ist eine partielle Strukturansicht der Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung.
16 ist eine schematische Strukturansicht eines Photovoltaikmoduls gemäß Ausführungsformen der Offenbarung.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Angesichts des Vorhergehenden weisen Solarzellen in Technologien des Standes der Technik einen relativ schlechten photoelektrischen Umwandlungswirkungsgrad auf.
Die Analyse hat ergeben, dass einer der Gründe für den schlechten photoelektrischen Umwandlungswirkungsgrad der Solarzellen in den Technologien des Standes der Technik der folgende ist: In herkömmlichen Solarzellen können aufgrund der Raffinationseinschränkung des monokristallinen Siliziumprozesses zum Herstellen eines Substrats gegenwärtig nur runde monokristalline Siliziumstäbe hergestellt werden und nachdem der Siliziumstab erhalten wurde, wird der Siliziumstab in Scheiben geschnitten. Das heißt, der Siliziumstab wird in einen monokristallinen Siliziumwafer geschnitten (nachdem eine Fläche des monokristallinen Siliziumwafers durch Berechnen erhalten wurde, kann eine Beleuchtungsfläche in einer Einheit maximiert werden, ein Siliziumstabmaterial kann zum größtmöglichen Ausmaß eingespart werden und die Produktion von Solarzellen und Komponenten ist günstig). Eine Abschrägung wird allgemein an einem Übergang eines jeweiligen ersten Randes und eines entsprechenden zweiten Randes des Substrats bereitgestellt, um äußere Beanspruchung des Siliziumwafers zu vermindern und Mikrobeschädigung an Ecken des Siliziumwafers zu vermeiden. Darüber hinaus besteht, um sicherzustellen, dass Schweißstreifen (Schweißbänder) die Abschrägungen der Solarzelle während des Schweißens nicht überschreiten, eine Notwendigkeit des Bewahrens eines gewissen Abstands zwischen der Schweißverbindung und der Abschrägung der Solarzelle, wodurch ein Ladungsträgerübertragungsweg in einer Abschrägungsregion zu lang werden kann und dies zu einem erhöhten Transportverlust führen kann. Ferner kann, wenn die Schweißverbindung oder der Schweißstreifen zu nahe an einem Rand der Solarzelle liegt, die Solarzelle während des anschließenden Laminierens reißen, was die Leistung der Solarzelle beeinträchtigen kann.
Ausführungsformen der Offenbarung stellen eine Solarzelle bereit. Die Solarzelle umfasst ein Substrat, das erste Ränder und zweite Ränder aufweist, wobei die ersten Ränder zwei entgegengesetzte Enden des Substrats entlang einer zweiten Richtung umfassen und die zweiten Ränder zwei entgegengesetzte Ränder des Substrats entlang einer ersten Richtung umfassen; eine Passivierungsschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; eine Vielzahl von Nebenelektroden, die in Intervallen entlang der zweiten Richtung auf dem Substrat eingerichtet sind, wobei jede der Vielzahl von Nebenelektroden sich entlang der ersten Richtung erstreckt und durch die Passivierungsschicht eindringt, um mit dem Substrat in Kontakt zu sein; und mindestens eine Hauptelektrode, die sich an einer Oberfläche der Passivierungsschicht befindet, wobei jede von der mindestens einen Hauptelektrode zwei Verbindungskontaktgebiete umfasst, die jeweils nahe an den zweiten Rändern liegen; einen Verbindungsdraht, wobei jeder Anschluss von Anschlüssen des Verbindungsdrahts nahe an einem entsprechenden zweiten Rand geschlossen ist und eine Oberfläche eines Abschnitts des Verbindungsdrahts, der sich von den Anschlüssen unterscheidet, mit jedem Verbindungskontaktgebiet in Kontakt ist. Eine erste Querschnittsfläche eines Teils des Verbindungsdrahts zwischen einem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet und einem zweiten Rand benachbart zu dem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet ist größer als eine zweite Querschnittsfläche eines anderen Teils des Verbindungsdrahts zwischen den zwei Verbindungskontaktgebieten.
In einigen Ausführungsformen ist eine Differenz zwischen der ersten Querschnittsfläche und der zweiten Querschnittsfläche proportional zu einem Zwischenraum zwischen dem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet und dem zweiten Rand benachbart zu dem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet.
In einigen Ausführungsformen ist eine erste Breite des Teils des Verbindungsdrahts zwischen dem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet und dem zweiten Rand benachbart zu dem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet größer als eine zweite Breite des anderen Teils des Verbindungsdrahts zwischen den zwei Verbindungskontaktgebieten.
In einigen Ausführungsformen umfasst jede der mindestens einen Hauptelektrode ferner mindestens ein zweites Verbindungskontaktgebiet und das mindestens eine zweite Verbindungskontaktgebiet befindet sich zwischen den zwei Verbindungskontaktgebieten. Der Verbindungsdraht ist in Kontakt mit jedem zweiten Verbindungskontaktgebiet. Für eine selbe Hauptelektrode ist eine dritte Querschnittsfläche eines Teils des Verbindungsdrahts zwischen zwei benachbarten zweiten Verbindungskontaktgebieten eine kleinste Querschnittsfläche.
In einigen Ausführungsformen ist eine vierte Querschnittsfläche eines Teils des Verbindungsdrahts zwischen dem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet und einem zweiten Verbindungskontaktgebiet benachbart zu dem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet größer oder gleich der dritten Querschnittsfläche.
In einigen Ausführungsformen ist eine Fläche von jedem der zwei Verbindungskontaktgebiete größer als eine Fläche eines beliebigen von dem mindestens einen zweiten Verbindungskontaktgebiet.
In einigen Ausführungsformen umfasst die mindestens eine Hauptelektrode zwei erste Hauptelektroden und mindestens eine zweite Hauptelektrode. Jede der zwei ersten Hauptelektroden ist nahe an einem entsprechenden ersten Rand und die mindestens eine zweite Hauptelektrode ist zwischen den zwei ersten Hauptelektroden angeordnet. Die mindestens eine zweite Hauptelektrode befindet sich auf der Oberfläche der Passivierungsschicht.
In einigen Ausführungsformen umfasst jede der zwei ersten Hauptelektroden zwei erste Unterverbindungskontaktgebiete, die jeweils nahe an den zweiten Rändern liegen, und einen ersten Verbindungsdraht. Jeder Anschluss von Anschlüssen des ersten Verbindungsdrahts nahe an einem entsprechenden zweiten Rand ist geschlossen und eine Oberfläche eines Abschnitts des ersten Verbindungsdrahts, der sich von den Anschlüssen unterscheidet, ist mit jedem der zwei ersten Unterverbindungskontaktgebiete in Kontakt. Eine fünfte Querschnittsfläche eines Teils des ersten Verbindungsdrahts zwischen einem jeweiligen ersten Unterverbindungskontaktgebiet und einem zweiten Rand benachbart zu dem jeweiligen ersten Unterverbindungskontaktgebiet ist größer als eine sechste Querschnittsfläche eines anderen Teils des ersten Verbindungsdrahts zwischen den zwei ersten Unterverbindungskontaktgebieten.
In einigen Ausführungsformen umfasst jede von der mindestens einen zweiten Hauptelektrode einen zweiten Verbindungsdraht. Der zweite Verbindungsdraht ist an jedem Anschluss von Anschlüssen, die jeweils nahe an den zweiten Rändern liegen, geschlossen. Eine Querschnittsfläche des ersten Verbindungsdrahts ist größer oder gleich einer Querschnittsfläche des zweiten Verbindungsdrahts.
In einigen Ausführungsformen umfasst jede von der mindestens einen zweiten Hauptelektrode ferner zweite Unterverbindungskontaktgebiete, wobei die zweiten Unterverbindungskontaktgebiete jeweils nahe an den zweiten Rändern liegen. Die zweiten Unterverbindungskontaktgebiete sind in Kontakt mit dem zweiten Verbindungsdraht. In der zweiten Richtung ist ein erster Abstand zwischen dem jeweiligen ersten Unterverbindungskontaktgebiet und dem zweiten Rand benachbart zu dem jeweiligen ersten Unterverbindungskontaktgebiet größer als ein zweiter Abstand zwischen einem jeweiligen zweiten Unterverbindungskontaktgebiet und einem zweiten Rand benachbart zu dem entsprechenden zweiten Unterverbindungskontaktgebiet.
In einigen Ausführungsformen ist eine Abschrägung an einem Übergang eines jeweiligen ersten Randes und eines entsprechenden zweiten Randes bereitgestellt und jede der zwei ersten Hauptelektroden ist benachbart zu einem entsprechenden Paar von Abschrägungen und in der zweiten Richtung befindet sich jedes von den zwei ersten Unterverbindungskontaktgebieten in einer Randregion außerhalb einer entsprechenden Abschrägung entlang der zweiten Richtung.
In einigen Ausführungsformen ist die Solarzelle eine Rückkontaktzelle und die Vielzahl von Nebenelektroden umfassen erste Elektroden und zweite Elektroden, die abwechselnd entlang der zweiten Richtung eingerichtet sind. Die mindestens eine Hauptelektrode umfasst erste Gitterlinienstrukturen und zweite Gitterlinienstrukturen, die abwechselnd eingerichtet sind. Jede der ersten Gitterlinienstrukturen ist elektrisch mit den ersten Elektroden verbunden ist und jede der zweiten Gitterlinienstrukturen ist elektrisch mit den zweiten Elektroden verbunden.
In einigen Ausführungsformen sind die ersten Gitterlinienstrukturen und die zweiten Gitterlinienstrukturen in der ersten Richtung versetzt.
In einigen Ausführungsformen ist in der ersten Richtung für eine jeweilige Nebenelektrode der Vielzahl von Nebenelektroden eine Querschnittsfläche eines Teils der jeweiligen Nebenelektrode nahe an dem ersten Rand größer als eine Querschnittsfläche eines anderen Teils der jeweiligen Nebenelektrode entfernt von dem ersten Rand.
Gemäß der Solarzelle, die in Ausführungsformen der Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst jede Hauptelektrode zwei Verbindungskontaktgebiete und den Verbindungsdraht. Durch Einrichten des relativ dünnen Verbindungsdrahts kann eine wirksame Lichtabschirmungsfläche vermindert werden und der Widerstandsverlust kann vermindert werden, wodurch eine Modulgesamtleistung verbessert wird. Darüber hinaus können, da zweite Verbindungsdrähte, welche die Hauptgitterlinien bilden, dicht verteilt sind, mehr Kontaktpunkte zwischen den Hauptgitterlinien und den Nebengitterlinien erhalten werden und ein Stromleitungsweg an gerissenen und mikrogerissenen Teilen des Siliziumwafers ist optimierter, derart dass der Verlust, der durch Mikrorisse verursacht wird, in hohem Maße vermindert wird, was zum Verbessern der Leistung der Produktionslinie von Vorteil ist. Darüber hinaus ist die erste Querschnittsfläche des Teils des Verbindungsdrahts zwischen dem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet und dem benachbarten zweiten Rand größer als die zweite Querschnittsfläche des anderen Teils des Verbindungsdrahts zwischen den zwei Verbindungskontaktgebieten, d. h. die Breite des Teils des Verbindungsdrahts zwischen dem Verbindungskontaktgebiet und dem benachbarten zweiten Rand ist größer, derart dass die Schweißbeanspruchung des Verbindungskontaktgebiets entlastet werden kann, um einen guten Kontakt zwischen dem Schweißstreifen und der Hauptelektrode zu bilden. Ferner kann die relativ breite Verbindungsleitung den Sammlungsdruck des Verbindungskontaktgebiets entlasten und die Ladungsträgerübertragungsfähigkeit verbessern und die relativ breite Verbindungsleitung weist mehr Übertragungsfläche zur Stromsammlung auf.
Ausführungsformen der Offenbarung stellen ferner eine Solarzelle bereit. Die Solarzelle umfasst ein Substrat, das erste Ränder und zweite Ränder aufweist, wobei die ersten Ränder zwei entgegengesetzte Enden des Substrats entlang einer zweiten Richtung umfassen und die zweiten Ränder zwei entgegengesetzte Ränder des Substrats entlang einer ersten Richtung umfassen; eine Passivierungsschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; eine Vielzahl von Nebenelektroden, die in Intervallen entlang der zweiten Richtung auf dem Substrat eingerichtet sind, wobei jede der Vielzahl von Nebenelektroden sich entlang der ersten Richtung erstreckt und durch die Passivierungsschicht eindringt, um mit dem Substrat in Kontakt zu sein; zwei erste Hauptelektroden, die sich auf einer Oberfläche der Passivierungsschicht befinden, wobei jede der zwei ersten Hauptelektroden sich nahe an einem entsprechenden ersten Rand befindet und eine Vielzahl von ersten Unterverbindungskonktaktgebieten, die in Intervallen entlang der zweiten Richtung eingerichtet sind, und einen ersten Verbindungsdraht umfasst, und der erste Verbindungsdraht mit einer Seite von jedem von mindestens einem der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten nahe an dem entsprechenden ersten Rand in Kontakt ist; und mindestens zwei zweite Hauptelektroden, wobei die mindestens zwei zweiten Hauptelektroden sich an der Oberfläche der Passivierungsschicht befinden und sich zwischen den zwei ersten Hauptelektroden befinden. Jede zweite Hauptelektrode der mindestens zwei zweiten Hauptelektroden umfasst eine Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten, die in Intervallen entlang der zweiten Richtung angeordnet sind, und einen zweiten Verbindungsdraht. Der zweite Verbindungsdraht ist in Kontakt mit mindestens einem der Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten. Ein erster Pitch zwischen einer jeweiligen ersten Hauptelektrode und einer zweiten Hauptelektrode benachbart zu der jeweiligen ersten Hauptelektrode ist nicht gleich einem zweiten Pitch zwischen zwei benachbarten zweiten Hauptelektroden.
In einigen Ausführungsformen ist in der ersten Richtung jede Nebenelektrode von mindestens einer Nebenelektrode der Vielzahl von Nebenelektroden in Kontakt mit einer Seite eines entsprechenden ersten Unterverbindungskontaktgebiets entfernt von dem entsprechenden ersten Rand.
In einigen Ausführungsformen ist der erste Pitch größer als der zweite Pitch.
In einigen Ausführungsformen ist der erste Pitch kleiner als der zweite Pitch.
In einigen Ausführungsformen ist eine Abschrägung an einem Übergang eines jeweiligen ersten Randes und eines entsprechenden zweiten Randes bereitgestellt und jede der zwei ersten Hauptelektroden ist benachbart zu entsprechenden Abschrägungen. In der zweiten Richtung befindet sich mindestens eines von dem ersten der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten und dem letzten der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten in einer Randregion außerhalb einer entsprechenden Abschrägung entlang der zweiten Richtung.
In einigen Ausführungsformen umfasst jeder erste Verbindungsdraht einen ersten Verbindungsabschnitt nahe an einer Außenseite von jeder von entsprechenden Abschrägungen in der ersten Richtung und einen zweiten Verbindungsabschnitt, der mit dem ersten Verbindungsabschnitt verbunden ist. Der erste Verbindungsabschnitt weist eine Querschnittsfläche auf, die größer als eine Querschnittsfläche des zweiten Verbindungsabschnitts ist.
In einigen Ausführungsformen ist in der zweiten Richtung ein Abstand zwischen einem Ende des ersten der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten nahe an einem benachbarten zweiten Rand und ein Rand einer benachbarten Abschrägung, die den ersten Unterverbindungskontaktgebieten entlang der zweiten Richtung zugewandt ist, kleiner oder gleich ein Gitter-Pitch zwischen benachbarten Nebenelektroden.
In einigen Ausführungsformen ist in der zweiten Richtung ein erster Abstand zwischen dem ersten der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten und einem benachbarten zweiten Rand größer als ein zweiter Abstand zwischen dem ersten der Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten und dem benachbarten zweiten Rand in der zweiten Richtung.
In einigen Ausführungsformen ist eine Fläche von jedem der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten größer als eine Fläche eines beliebigen der Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten.
In einigen Ausführungsformen ist in der ersten Richtung für eine jeweilige Nebenelektrode der Vielzahl von Nebenelektroden eine Querschnittsfläche eines Teils der Nebenelektrode nahe an dem ersten Rand größer als eine Querschnittsfläche eines anderen Teils der Nebenelektrode entfernt von dem ersten Rand.
Gemäß der Solarzelle, die in Ausführungsformen der Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst jede erste Hauptelektrode die ersten Unterverbindungskontaktgebiete und den ersten Verbindungsdraht und jede zweite Hauptelektrode umfasst die zweiten Unterverbindungskontaktgebiete und den zweiten Verbindungsdraht. Durch Einrichten der relativ dünnen ersten Verbindungsdrähte und der zweiten Verbindungsdrähte können eine wirksame Lichtabschirmungsfläche und der Widerstandsverlust vermindert werden, wodurch die Modulgesamtleistung erhöht wird. Darüber hinaus können, da die ersten Verbindungsdrähte und die zweiten Verbindungsdrähte, welche die Hauptgitterlinien bilden, dicht verteilt sind, mehr Kontaktpunkte zwischen den Hauptgitterlinien und den Nebengitterlinien erhalten werden und ein Stromleitungsweg an den gerissenen und mikrogerissenen Teilen des Siliziumwafers ist optimierter, derart dass der Verlust, der durch Mikrorisse verursacht wird, in hohem Maße vermindert wird, was zum Verbessern der Leistung der Produktionslinie von Vorteil ist. Jeder erste Verbindungsdraht ist in Kontakt mit einer Seite von jedem des mindestens einen ersten Unterverbindungskontaktgebiets nahe an dem ersten Rand, d. h. der erste Verbindungsdraht liegt näher an dem ersten Rand, derart dass die Fähigkeit des ersten Verbindungsdrahts, den Strom an dem ersten Rand zu sammeln, verbessert ist. Darüber hinaus ist mindestens eine Breite des ersten Verbindungsdrahts zwischen dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet und dem ersten Rand getrennt, derart dass die Beschädigung, die durch schlechte Beanspruchung an dem Rand verursacht wird, während des Schweißens und Laminierens vermieden werden kann. Darüber hinaus ist der erste Pitch zwischen der jeweiligen ersten Hauptelektrode und der benachbarten zweiten Hauptelektrode nicht gleich dem zweiten Pitch zwischen den benachbarten zweiten Hauptelektroden. Zum Beispiel ist der erste Pitch größer als der zweite Pitch, liegt die erste Hauptelektrode nahe an dem ersten Rand und sind die Hauptelektroden an dem Rand spärlich eingerichtet, derart dass die Gefahr von Mikroreißen der Solarzelle während des Schweißens und Laminierens vermieden werden kann. Alternativ ist der erste Pitch kleiner als der zweite Pitch, derart dass die erste Hauptelektrode und die zweite Hauptelektrode an dem Rand dicht verteilt sind und ein Weg von Strom von der Nebenelektrode zur Hauptelektrode relativ kurz ist, wodurch Verlust vermindert wird und die Fähigkeit der Elektrode zum Sammeln von Strom an dem Rand erleichtert wird.
Die Ausführungsformen der Offenbarung werden nachfolgend im Detail unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. Der Durchschnittsfachmann wird indes verstehen, dass in verschiedenen Ausführungsformen der Offenbarung zahlreiche technische Details dargelegt werden, um dem Leser ein besseres Verständnis der Offenbarung bereitzustellen. Die in der Offenbarung beanspruchten technischen Lösungen können indes sogar ohne diese technischen Details und mit verschiedenen Änderungen und Abwandlungen auf der Grundlage der folgenden Ausführungsformen ausgeführt werden.
1 ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 2 ist eine partielle Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 3A ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 3B ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 4 ist eine vergrößerte Teilansicht von Teil A in 3B. 5 ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 6 ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 7 ist eine schematische Strukturansicht, die eine erste Hauptelektrode in einer Solarzelle gemäß Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 8 ist eine schematische Strukturansicht, die eine erste Hauptelektrode in einer Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 9 ist eine schematische Strukturansicht, die eine erste Hauptelektrode in einer Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 10 ist eine schematische Strukturansicht, die eine erste Hauptelektrode in einer Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 11 ist eine schematische Strukturansicht, die eine zweite Hauptelektrode in einer Solarzelle gemäß Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 12 ist eine schematische Strukturansicht, die eine Nebenelektrode in einer Solarzelle gemäß Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 13 ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 14 ist eine schematische Strukturansicht, die eine Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung veranschaulicht. 15 ist eine partielle Strukturansicht der Solarzelle gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung.
Gemäß einigen Ausführungsformen der Offenbarung umfasst unter Bezugnahme auf 1 bis 15 eine Solarzelle ein Substrat 100, eine Passivierungsschicht, eine Vielzahl von Nebenelektroden 120 und mindestens eine Hauptelektrode 110. Das Substrat 100 weist die ersten Ränder 101 und die zweiten Ränder 102 auf, wobei die ersten Ränder 101 zwei entgegengesetzte Ränder des Substrats 100 entlang einer zweiten Richtung Y umfassen und die zweiten Ränder 102 zwei entgegengesetzte Ränder des Substrats 100 entlang einer ersten Richtung X umfassen. Die Passivierungsschicht ist auf dem Substrat 100 angeordnet. Die Vielzahl von Nebenelektroden 120 sind in Intervallen entlang der zweiten Richtung Y auf dem Substrat 100 eingerichtet, wobei jede der Vielzahl von Nebenelektroden 120 sich entlang der ersten Richtung X erstreckt und durch die Passivierungsschicht eindringt, um mit dem Substrat 100 in Kontakt zu sein. Die mindestens eine Hauptelektrode 110 befindet sich auf einer Oberfläche der Passivierungsschicht. Jede der mindestens einen Hauptelektrode 110 umfasst zwei Verbindungskontaktgebiete 113, die jeweils nahe an den zweiten Rändern 102 liegen, und einen Verbindungsdraht 114, wobei jeder Anschluss von Anschlüssen des Verbindungsdrahts 114 nahe an einem entsprechenden zweiten Rand 102 geschlossen ist, und eine Oberfläche eines Abschnitts des Verbindungsdrahts 114, der sich von den Anschlüssen unterscheidet, mit jedem Verbindungskontaktgebiet 113 in Kontakt ist. Eine erste Querschnittsfläche eines Teils des Verbindungsdrahts 114 zwischen einem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet 113 und einem zweiten Rand 102 benachbart zu dem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet 113 ist größer als eine zweite Querschnittsfläche eines anderen Teils des Verbindungsdrahts 114 zwischen den zwei Verbindungskontaktgebieten 113.
In einigen Ausführungsformen kann die Solarzelle eine monokristalline Siliziumsolarzelle, eine polykristalline Siliziumsolarzelle, eine amorphe Siliziumsolarzelle oder eine Mehrkomponenten-Verbundsolarzelle sein. Die Mehrkomponenten-Verbundsolarzelle kann insbesondere eine Cadmiumsulfid-Solarzelle, eine Galliumarsenid-Solarzelle, eine Kupfer-Indium-Selen-Solarzelle oder eine Perowskit-Solarzelle sein. Die Solarzelle kann auch eine beliebige von einer von einer Passivated Emitter and Rear Cell (PERC) Zelle, einer Passivated Emitter and Rear Totallydiffused (PERT) Zelle, einer Tunnel Oxide Passivated Contact (TOPCon) Zelle und einer Heterojunction with Intrinsic Thin Layer/Heterojunction Technology (HIT/HJT) Zelle sein. Eine Struktur der in 2 gezeigten Solarzelle wird als ein Beispiel zur Veranschaulichung genommen.
Das Substrat 100 ist eine Region, die einfallende Photonen absorbiert und photogenerierte Ladungsträger erzeugt. In einigen Ausführungsformen kann das Substrat 100 ein Siliziumsubstrat sein. Das Siliziumsubstrat kann aus mindestens einem Material bestehen, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die besteht aus Einkristallsilizium, Polysilizium, amorphem Silizium und mikrokristallinem Silizium. In anderen Ausführungsformen kann das Substrat 100 aus Siliziumcarbid, organischen Materialien oder multinären Verbindungen bestehen. Die multinären Verbindungen können Materialien wie beispielsweise Perowskit, Galliumarsenid, Cadmiumtellurid, Kupfer-Indium-Selen und dergleichen umfassen, sind aber nicht darauf beschränkt. In einem Beispiel ist das Substrat 100 in Ausführungsformen der Offenbarung ein monokristallines Siliziumsubstrat.
In einigen Ausführungsformen ist eine vordere Oberfläche des Substrats 100 eine Lichtempfangsoberfläche, die einfallendes Licht absorbiert, und eine hintere Oberfläche des Substrats 100 ist eine Rückwandoberfläche. Das Substrat 100 ist mit einem Dotierungselement eines n-Typs oder eines p-Typs dotiert. Das n-Typ-Element kann ein Element der Gruppe V sein, wie beispielsweise ein Phosphor-Element (P), ein Wismut-Element (Bi), ein Antimon-Element (Sb) oder ein Arsen-Element (As). Das p-Typ-Element kann ein Element der Gruppe III sein, wie beispielsweise ein Bor-Element (B), ein Aluminium-Element (Al), ein Gallium-Element (Ga) oder ein Indium-Element (In). Zum Beispiel ist, wenn das Substrat 100 ein p-Typ-Substrat 100 ist, das Substrat 100 mit dem Dotierungselement vom p-Typ dotiert. Als ein anderes Beispiel ist, wenn das Substrat 100 ein n-Typ-Substrat ist, das Substrat 100 mit dem Dotierungselement vom n-Typ dotiert.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Substrat 100 eine erste Oberfläche 104 und eine zweite Oberfläche 105, die der ersten Oberfläche 104 entgegengesetzt ist. Die erste Oberfläche 104 des Substrats 100 ist mit einem Emitter 106 versehen und der Emitter 106 und das Substrat 100 sind mit Dotierungselementen verschiedener Typen dotiert. Eine Oberfläche des Emitters 106 kann eine texturierte Oberfläche (d. h. pyramidentexutrierte Oberflächenstruktur) sein, um Lichtreflexion der ersten Oberfläche 104 des Substrats 100 gegenüber dem einfallenden Licht zu vermindern, wodurch die Absorption und Nutzung des Lichts erhöht werden.
Die erste Richtung X und die zweite Richtung Y können senkrecht zueinander sein, oder es kann ein Winkel von kleiner als 90 Grad zwischen der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y vorhanden sein, zum Beispiel ist ein Winkel von 60 Grad, 45 Grad oder 30 Grad zwischen der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y vorhanden. In Ausführungsformen der Offenbarung liegen die erste Richtung X und die zweite Richtung Y nicht in einer selben Richtung. Zur Erleichterung der Erklärung und des Verständnisses wird in Ausführungsformen der Offenbarung die erste Richtung X, die senkrecht zur zweiten Richtung Y ist, als ein Beispiel zur Veranschaulichung genommen. In spezifischen Anwendungen kann der Winkel zwischen der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y gemäß den tatsächlichen Erfordernissen und Anwendungsszenarien angepasst werden. Die Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
In einigen Ausführungsformen ist eine Abschrägung 103 an einem Übergang des ersten Randes 101 und des zweiten Randes 102 bereitgestellt. In der zweiten Richtung Y befindet sich jedes der zwei Verbindungskontaktgebiete 113 in einer Randregion außerhalb einer entsprechenden Abschrägung 103 entlang der zweiten Richtung Y, derart dass das Verbindungskontaktgebiet 113 der Abschrägung 103 nicht direkt zugewandt ist, wodurch Risse und Mikrorisse an der Abschrägung 103 während des Schweißens oder Laminierens vermieden werden können. Das Verbindungskontaktgebiet 113 liegt nahe an der Abschrägung 103, der an der Abschrägung 103 gesammelte Strom kann durch den Schweißstreifen in einem kürzesten Übertragungsweg gesammelt werden, wodurch der Wegverlust vermindert und der Zellenwirkungsgrad der Solarzelle verbessert werden. Insbesondere unter Bezugnahme auf 1 ist ein Abstand zwischen einer Seite des Verbindungskontaktgebiets 113 nahe an dem zweiten Rand 102 und einer Seite der Abschrägung 103, die dem Verbindungskontaktgebiet 113 zugewandt ist, relativ klein oder die Seite des Verbindungskontaktgebiets 113 nahe an dem zweiten Rand 102 ist der Seite der Abschrägung 103 benachbart, die dem Verbindungskontaktgebiet 113 zugewandt ist, derart dass das Verbindungskontaktgebiet 113 als sich in der Randregion außerhalb der Abschrägung 103 entlang der zweiten Richtung Y befindlich betrachtet werden kann. Ein relativ kleiner Abstand kann bedeuten, dass der Abstand zwischen der Seite des Verbindungskontaktgebiets 113 nahe am zweiten Rand 102 und der Seite der Abschrägung 103, die dem Verbindungskontaktgebiet 113 zugewandt ist, kleiner als ein Gitter-Pitch zwischen den benachbarten Nebenelektroden 120 ist.
In einigen Ausführungsformen ist entlang der zweiten Richtung Y der Abstand zwischen einem Ende des Verbindungskontaktgebiets 113 nahe am zweiten Rand 102 und einem Rand der Abschrägung 103, die dem Verbindungskontaktgebiet 113 zugewandt ist, entlang der zweiten Richtung Y kleiner oder gleich dem Gitter-Pitch zwischen den benachbarten Nebenelektroden 120, was weiter veranschaulicht, dass der an der Abschrägung 103 gesammelte Strom durch den Schweißstreifen im kürzesten Übertragungsweg gesammelt werden kann, wodurch der Wegverlust vermindert und der Zellenwirkungsgrad der Solarzelle verbessert werden.
In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht eine einschichtige Struktur oder eine laminierte Struktur sein. Die Passivierungsschicht kann aus mindestens einem Material bestehen, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Siliziumcarbonitrid, Titanoxid, Hafniumoxid oder Aluminiumoxid besteht. Die Passivierungsschicht kann eine erste Passivierungsschicht 111 und eine zweite Passivierungsschicht 112 umfassen. Die erste Passivierungsschicht 111 befindet sich auf einer Oberfläche des Emitters 106 entfernt vom Substrat 100. Die erste Passivierungsschicht 111 kann als eine vordere Passivierungsschicht betrachtet werden. Die zweite Passivierungsschicht 112 befindet sich auf der zweiten Oberfläche 105 des Substrats 100 und die zweite Passivierungsschicht 112 kann als eine hintere Passivierungsschicht betrachtet werden.
In einigen Ausführungsformen sind die Nebenelektroden 120 Gitterlinien der Solarzelle zum Sammeln und Konvergieren des Stroms der Solarzelle. Die Nebenelektroden 120 können von einer Durchbrennpaste gesintert werden. Das Material der Nebenelektrode 120 kann eines oder mehrere von Aluminium, Silber, Gold, Nickel, Molybdän oder Kupfer sein. In einigen Fällen bezeichnet die Nebenelektrode 120 eine feine Gitterlinie oder eine Fingergitterlinie, die von einer Hauptgitterlinie oder einer Sammelschiene zu unterscheiden ist. Die Nebenelektroden 120 umfassen erste Elektroden 121 und zweite Elektroden 122. Die ersten Elektroden 121 dringen durch die erste Passivierungsschicht 111 ein, um mit dem Emitter 106 in Kontakt zu sein. Die ersten Elektroden 121 werden als obere Elektroden oder vordere Elektroden betrachtet. Die zweiten Elektrode 122 dringen durch die zweite Passivierungsschicht 112 ein, um mit der zweiten Oberfläche 105 des Substrats 100 in Kontakt zu sein. Die zweiten Elektroden 122 werden als untere Elektroden oder hintere Elektroden betrachtet.
In einigen Ausführungsformen wird die Hauptelektrode 110 (d. h. die erste Hauptelektrode 130 und die zweite Hauptelektrode 140, die nachfolgend erwähnt sind) als die Hauptgitterlinie der Solarzelle betrachtet. Die Hauptgitterlinie hier ist nicht die Hauptgitterlinie im herkömmlichen Sinne. Stattdessen ist die Hauptgitterlinie eine Brücke, welche die Nebenelektroden 120 durch den Verbindungsdraht 114 (zum Beispiel den nachfolgend erwähnten ersten Verbindungsdraht 132) verbindet und mit Schweißstreifen (zum Verbinden von Solarzellen) durch die Verbindungskontaktgebiete 113 zum Sammeln von Strom verbunden ist, derart dass der relativ dünne Verbindungsdraht 114 (z. B. der erste Verbindungsdraht 132 und der zweite Verbindungsdraht 142, die nachfolgend erwähnt sind) eingerichtet werden können, um die wirksame Lichtabschirmungsfläche zu verkleinern, Widerstandsverlust zu vermindern und die Gesamtleistung der Baugruppe zu erhöhen. Die Hauptelektroden 110 können dicht eingerichtet werden, um den Weg von Strom, der die feine Gitterlinie durchquert, zu verkürzen, wodurch der photoelektrische Umwandlungswirkungsgrad der Solarzelle verbessert wird. Die dünne Verbindungsleitung 114 (z. B. die nachfolgend erwähnte erste Verbindungsleitung 132) und das Verbindungskontaktgebiet 113 (z. B. das nachfolgend erwähnte erste Unterverbindungskontaktgebiet 131) können auch die Gefahr von Rissen und Mikrorissen am Siliziumwafer vermeiden. Daher sind die Hauptelektroden 110 am Rand der Solarzelle bereitgestellt, der die Gefahr des Reißens und Mikroreißens aufweist, derart dass die Stromsammlungsfähigkeit am Rand verbessert werden kann und der Stromsammlungs- oder Leitungsweg optimierter ist.
In einigen Ausführungsformen ist jede Verbindungsleitung 114 (z. B. eine folgende erste Verbindungsleitung 132) elektrisch mit der Vielzahl von Nebenelektroden 120 zum Sammeln von Strom von jeder Nebengitterlinie verbunden. Die Verbindungsleitung 114 ist eingestellt, um dünn zu sein, und eine Breite der Verbindungsleitung 114 liegt in einem Bereich von 20 µm bis 200 µm. Zum Beispiel liegt die Breite der Verbindungsleitung 114 in einem Bereich von 20 µm bis 150 µm, wie beispielsweise 28 µm, 58 µm, 98 µm, 135 µm oder 150 µm. Durch Einstellen der Breite der Verbindungsleitung 114 in diesem Bereich kann die Lichtabschirmungsfläche verkleinert werden, kann der Schattenverlust der Kontaktgitterlinie vermindert werden und kann die Stromsammelfähigkeit verbessert werden.
In einigen Ausführungsformen ist der Verbindungsdraht 114 (z. B. ein anschließender erster Verbindungsdraht 132) an jedem von Anschlüssen nahe an dem zweiten Rand 102 geschlossen, was sich von einem herkömmlichen harpunenförmigen Verbindungsdraht unterscheidet. Das heißt, in Ausführungsformen der Offenbarung weist der Verbindungsdraht 114 nur einen Verbindungsdraht auf, der mit jedem Verbindungskontaktgebiet 113 (zum Beispiel dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet 131) verbunden ist. Obgleich der harpunenförmige Verbindungsdraht die Kontaktpunkte und Übertragungswege zwischen den Hauptelektroden und den Nebenelektroden erhöhen kann, kann der herkömmliche dünnere Verbindungsdraht einen höheren Widerstandsschaden der Hauptelektroden verursachen und den Zellenwirkungsgrad beeinträchtigen. Im Vergleich mit dem harpunenförmigen Verbindungsdraht, der aus mindestens zwei Verbindungsdrähten besteht, wird nur ein Verbindungsdraht bereitgestellt, wodurch die Slurry-Kosten vermindert werden können und die Ausrichtung anschließender Schweißstreifen nicht beeinträchtigt wird. Jeder Anschluss der Verbindungsleitung 114 in der Nähe des zweiten Randes 102 ist nicht in Kontakt mit dem Verbindungskontaktgebiet 113 und das Verbindungskontaktgebiet 113 ist in Kontakt mit einer Region außerhalb der Anschlüsse der Verbindungsleitung 114. Auf diese Weise befindet sich, wenn eine Abschrägung 103 an jeder Ecke des Substrats 100 bereitgestellt ist, das Verbindungskontaktgebiet 113 nicht in einer Region, welcher die Abschrägung 103 direkt zugewandt ist, und die Verbindungsleitung 114 kann sich in der Region befinden, der die Abschrägung 103 direkt zugewandt ist, wodurch der Strom an der Abschrägung 103 gesammelt wird, der Ladungsträgertransportweg in der Region der Abschrägung 103 verkürzt wird, um den Transportverlust zu vermindern, und auch die Gefahr von Schäden aufgrund der Einrichtung des Verbindungskontaktgebiets 113 an der Abschrägung 103 vermieden wird.
Die Querschnittsfläche bezeichnet ein Produkt einer Breite und einer Höhe. Um die Gefahr zu vermeiden, dass die Solarzelle aufgrund unterschiedlicher Kräfte in unterschiedlichen Teilen der Solarzelle, während sie mit dem Schweißstreifen verbunden wird, oder während der Laminierung gerissen oder mikrogerissen werden kann, wird eine Höhe des Verbindungsdrahts 114 eingestellt, um überall gleich zu sein. Daher kann die Tatsache, dass die erste Querschnittsfläche größer ist als die zweite Querschnittsfläche, sich darauf beziehen, dass eine erste Breite des Teils des Verbindungsdrahts 114 zwischen dem Verbindungskontaktgebiet 113 und dem zweiten Rand 102 größer als eine zweite Breite des anderen Teils des Verbindungsdrahts 114 zwischen den zwei benachbarten Verbindungskontaktgebieten 113 ist.
In anderen Ausführungsformen ist es zum Vermeiden der Gefahr des Reißens des Teils des Verbindungsdrahts 114 nahe an dem Rand möglich, eine Höhe des Teils des Verbindungsdrahts 114 (z. B. eines ersten Unterverbindungsdrahts 116) zwischen dem Verbindungskontaktgebiet 113 und dem zweiten Rand 102 einzustellen, um etwas niedriger als eine Höhe des anderen Teils des Verbindungsdrahts 114 (z. B. eines zweiten Unterverbindungsdrahts 117 und eines dritten Unterverbindungsdrahts 118) zwischen den zwei benachbarten Verbindungskontaktgebieten 113 zu sein. Auf diese Weise ist die erste Breite des Teils des Verbindungsdrahts 114 zwischen dem Verbindungskontaktgebiet 113 und dem zweiten Rand 102 auch größer als die zweite Breite des anderen Teils des Verbindungsdrahts 114 zwischen den zwei benachbarten Verbindungskontaktgebieten 113. Der erste Unterverbindungsdraht 116 ist relativ breiter, wodurch die Schweißbeanspruchung der Verbindungskontaktgebiete 113 entlastet werden kann, um einen guten Kontakt zwischen dem Schweißstreifen und der Hauptelektrode 110 zu bilden. Darüber hinaus kann der relativ breitere erste Unterverbindungsdraht 116 den Sammlungsdruck der Verbindungskontaktgebiete 113 entlasten und die Ladungsträgerübertragungsfähigkeit verbessern und die relativ breitere erste Unterverbindungsleitung 116 weist eine relativ größere Übertragungsfläche zum Sammeln von Strom auf.
In einigen Ausführungsformen ist eine Differenz zwischen der ersten Querschnittsfläche und der zweiten Querschnittsfläche proportional zum Zwischenraum S zwischen dem Verbindungskontaktgebiet 113 und dem benachbarten zweiten Rand 102. Wenn der Zwischenraum S zwischen dem Verbindungskontaktgebiet 113 und dem benachbarten zweiten Rand 102 relativ groß ist, ist auch die erste Querschnittsfläche groß, das heißt, die erste Breite ist relativ groß, derart dass die Übertragungsfläche für den gesammelten Strom auch groß ist, wodurch der Sammlungsdruck entlastet und die Leistung der Solarzelle verbessert werden. Die Differenz zwischen der ersten Querschnittsfläche und der zweiten Querschnittsfläche kann als eine Differenz zwischen der ersten Breite und der zweiten Breite betrachtet werden. Die Differenz zwischen der ersten Breite und der zweiten Breite ist kleiner als 100 µm. Ferner ist die Differenz zwischen der ersten Breite und der zweiten Breite kleiner als 80 µm. Die Differenz zwischen der ersten Breite und der zweiten Breite kann insbesondere 15 µm, 39 µm, 68 µm oder 80 µm betragen. Mit Hilfe dieser Ausgestaltung kann die Differenz zwischen der ersten Breite und der zweiten Breite erfüllen, dass die Breite des ersten Unterverbindungsdrahts 116 relativ größer ist, der erste Unterverbindungsdraht 116 eine bessere Fähigkeit zum Sammeln von Ladungsträgern an dem zweiten Rand aufweist und die Abschirmungsfläche zweckmäßig zum Vermindern des optischen Verlusts ist. Darüber hinaus ist die Querschnittsfläche des zweiten Unterverbindungsdrahts 117 und des dritten Unterverbindungsdrahts 118 zweckmäßig, derart dass die Leitfähigkeit gut ist und der Widerstandsverlust relativ klein ist.
In einigen Ausführungsformen liegt die erste Breite in einem Bereich von 20 µm bis 200 µm. Vorzugsweise liegt die erste Breite im Bereich von 20 µm bis 150 µm und insbesondere kann die erste Breite 28 µm, 58 µm, 98 µm, 135 µm oder 150 µm betragen. An sich kann der erste Unterverbindungsdraht 116, der die Breite in diesem Bereich aufweist, die Abschirmungsfläche verkleinern, den Schattenverlust der Kontaktgitterlinien vermindern und die Stromsammelfähigkeit verbessern.
In einigen Ausführungsformen liegt die zweite Breite in einem Bereich von 20 µm bis 100 µm. Vorzugsweise liegt die zweite Breite im Bereich von 20 µm bis 80 µm und insbesondere kann die zweite Breite 28 µm, 39 µm, 52 µm, 71 µm oder 80 µm betragen. Daher ist die Querschnittsfläche des zweiten Unterverbindungsdrahts 117 und des dritten Unterverbindungsdrahts 118 zweckmäßig, die Leitfähigkeit ist gut und der Widerstandsverlust ist relativ klein.
In einigen Ausführungsformen liegt der Zwischenraum S zwischen dem Verbindungskontaktgebiet 113 und dem benachbarten zweiten Rand 102 in einem Bereich von 3 mm bis 15 mm. Vorzugsweise liegt der Zwischenraum S im Bereich von 3 mm bis 13 mm, zum Beispiel beträgt der Zwischenraum S 3 mm, 5,8 mm, 9,4 mm oder 13 mm. Der Zwischenraum S zwischen dem Verbindungskontaktgebiet 113 und dem zweiten Rand 102 ist geeignet, derart dass der Ladungsträger am zweiten Rand 102 gesammelt werden kann und die Gefahr des Reißens und Brechens, das durch das Schweißen des Schweißstreifens verursacht wird, vermieden werden kann.
In einigen Ausführungsformen kann das Verbindungskontaktgebiet 113 als ein Kontaktpunkt betrachtet werden, wo die Hauptelektrode 110 mit dem Schweißstreifen in Kontakt ist. Das Verbindungskontaktgebiet 113 kann mit der Nebenelektrode 120 in Kontakt sein. Alternativ kann das Verbindungskontaktgebiet 113 nicht mit der Nebenelektrode 120 in Kontakt sein und kann elektrisch durch die Verbindungsleitung 114 mit der Nebenelektrode 120 verbunden sein.
In einigen Ausführungsformen umfasst die Hauptelektrode 110 ferner mindestens ein zweites Verbindungskontaktgebiet 115, das zwischen den zwei Verbindungskontaktgebieten 113 angeordnet ist. Der Verbindungsdraht 114 ist in Kontakt mit jedem zweiten Verbindungskontaktgebiet 115. Für eine selbe Hauptelektrode 110 ist eine dritte Querschnittsfläche eines Teils des ersten Verbindungsdrahts 114 (d. h. eines dritten Unterverbindungsdrahts 118), der sich zwischen zwei benachbarten zweiten Verbindungskontaktgebieten 115 befindet, eine kleinste Querschnittsfläche. Alternativ umfasst der Verbindungsdraht 114 einen ersten Unterverbindungsdraht 116 zwischen dem zweiten Rand und dem benachbarten Verbindungskontaktgebiet 113, einen zweiten Unterverbindungsdraht 117 zwischen dem Verbindungskontaktgebiet 113 und dem benachbarten zweiten Verbindungskontaktgebiet 115 und einen dritten Unterverbindungsdraht 118 zwischen den benachbarten zweiten Verbindungskontaktgebieten 115, wobei der dritte Unterverbindungsdraht 118 eine kleinste dritte Querschnittsfläche aufweist. In einem Beispiel ist eine vierte Querschnittsfläche des zweiten Unterverbindungsdrahts 117 gleich der dritten Querschnittsfläche, d. h. die erste Querschnittsfläche ist größer als die dritte Querschnittsfläche und die vierte Querschnittsfläche. Der Verbindungsdraht 114 (z. B. der zweite Unterverbindungsdraht 117 und der dritte Unterverbindungsdraht 118) in einer mittleren Region ist relativ dünner, derart dass die Abschirmungsfläche der Gitterlinie verkleinert werden kann. In einem anderen Beispiel ist die vierte Querschnittsfläche des zweiten Unterverbindungsdrahts 117 größer als die dritte Querschnittsfläche, derart dass die erste Querschnittsfläche eine größte Querschnittsfläche ist, die vierte Querschnittsfläche eine zweitgrößte Querschnittsfläche ist und die dritte Querschnittsfläche die kleinste Querschnittsfläche ist. Auf diese Weise ist es möglich, sicherzustellen, dass die Abschirmungsfläche in der mittleren Region des Substrats 100 relativ klein ist, eine Breite der Randregion des Substrats 100 relativ groß ist und der Verbindungsdraht 114 sich in besserem Kontakt mit den Nebenelektroden 120 befindet, derart dass die Stromsammlungsfähigkeit besser sein kann.
In einigen Ausführungsformen ist eine Fläche von jedem der zwei Verbindungskontaktgebiete 113 größer als eine Fläche eines beliebigen von dem mindestens einen zweiten Verbindungskontaktgebiet 115. Wenn die Fläche des Verbindungskontaktgebiets 113 am Rand relativ größer ist, kann das Verbindungskontaktgebiet 113 als ein Bezug für die Ausrichtung des Schweißstreifens verwendet werden, um Schweißabweichung zwischen dem Schweißstreifen und der Hauptelektrode 110 zu vermeiden. Darüber hinaus kann die relativ größere Fläche des Verbindungskontaktgebiets 113 auch den Schweißdruck des Schweißstreifens entlasten und die Stromsammlungsfähigkeit am Rand verbessern.
In einigen Ausführungsformen ist die Hauptelektrode 110 ein Verbindungsdraht, der aus einer Vielzahl von Abschnitten von Unterverbindungsdrähten besteht, und eine Breite des ersten Unterverbindungsdrahts 116 ist größer als eine Breite des zweiten Unterverbindungsdrahts 117 und eine Breite des dritten Unterverbindungsdrahts 118. Verglichen mit nur einem Verbindungsdraht, dessen Breite allmählich abnimmt oder zunimmt, ist der Verbindungsdraht, der in der Offenbarung bereitgestellt wird, mehr von Vorteil für die Ausrichtung von Schweißstreifen, er vermindert die Schwierigkeit des Herstellungsprozesses und verkleinert gleichzeitig die Abschirmungsfläche auf der Nicht-Kantenregion des Substrats, derart dass ein höherer photoelektrischer Umwandlungswirkungsgrad erreicht werden kann.
Unter Bezugnahme auf 3A umfasst die mindestens eine Hauptelektrode 110 in einigen Ausführungsformen zwei erste Hauptelektroden 130 und mindestens eine zweite Hauptelektrode 140. Die ersten Hauptelektroden 130 sind an der Oberfläche der Passivierungsschicht angeordnet und jede erste Hauptelektrode 130 ist nahe an einem entsprechenden ersten Rand 101. Die mindestens eine zweite Hauptelektrode 140 befindet sich zwischen den zwei ersten Hauptelektroden 130 und ist an der Oberfläche der Passivierungsschicht angeordnet.
In einigen Ausführungsformen umfasst, wie in 3A gezeigt, jede erste Hauptelektrode 130 zwei erste Unterverbindungskontaktgebiete 131 (oder zwei erste Unterverbindungsscheiben 143, die nachfolgend beschrieben werden) jeweils nahe an den zweiten Rändern 102 und einen ersten Verbindungsdraht 132. Der erste Verbindungsdraht 132 ist an jedem Anschluss von Anschlüssen jeweils an dem zweiten Rand 102 geschlossen und eine Oberfläche eines Abschnitts des ersten Verbindungsdrahts 132, der sich von den Anschlüssen unterscheidet, ist in Kontakt mit jedem von den zwei ersten Unterkontaktgebieten 131. Eine fünfte Querschnittsfläche eines Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet 131 und dem benachbarten zweiten Rand 102 ist größer als eine sechste Querschnittsfläche eines anderen Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen den zwei ersten Unterverbindungskontaktgebieten 131.
In einigen Ausführungsformen umfasst die Hauptelektrode 130 ferner mindestens ein drittes Unterverbindungskontaktgebiet 133 (oder mindestens eine nachfolgend beschriebene zweite Unterverbindungsscheibe 144). Das mindestens eine dritte Unterverbindungskontaktgebiet 133 ist zwischen den zwei ersten Unterverbindungskontaktgebieten 131 angeordnet. Der erste Verbindungsdraht 132 ist in Kontakt mit jedem dritten Verbindungskontaktgebiet 133. Für eine selbe erste Hauptelektrode 130 ist eine siebte Querschnittsfläche eines Teils des ersten Verbindungsdrahts 132, die sich zwischen zwei benachbarten dritten Unterverbindungskontaktgebieten 133 befindet, eine kleinste Querschnittsfläche. Alternativ umfasst der erste Verbindungsdraht 132 einen ersten Verbindungsabschnitt 134, der zwischen dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet 131 und dem benachbarten zweiten Rand 102 angeordnet ist, einen zweiten Verbindungsabschnitt 136, der zwischen dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet 131 und dem benachbarten dritten Unterverbindungskontaktgebiet 133 angeordnet ist, und einen dritten Verbindungsabschnitt 137, der zwischen benachbarten dritten Unterverbindungskontaktgebieten 133 angeordnet ist, der dritte Verbindungsabschnitt 137 weist eine kleinste siebte Querschnittsfläche auf. In einem Beispiel ist unter Bezugnahme auf 9 eine achte Querschnittsfläche des zweiten Verbindungsabschnitts 136 gleich der siebten Querschnittsfläche (d. h. die fünfte Querschnittsfläche ist größer als die siebte Querschnittsfläche und die achte Querschnittsfläche). Der erste Verbindungsdraht 132 in der mittleren Region ist dünner, wodurch die Abschirmungsfläche der Gitterlinie verkleinert werden kann. In einem anderen Beispiel ist unter Bezugnahme auf 10 die achte Querschnittsfläche des zweiten Verbindungsabschnitts 136 größer als die siebte Querschnittsfläche. Das heißt, die fünfte Querschnittsfläche ist die größte Querschnittsfläche, die achte Querschnittsfläche ist eine zweitgrößte Querschnittsfläche und die siebte Querschnittsfläche ist eine kleinste Querschnittsfläche. Mit Hilfe dieser Ausgestaltung ist es möglich, sicherzustellen, dass die Abschirmungsfläche in der mittleren Region des Substrats 100 klein ist, die Breite der Randregion relativ groß ist und ein guter Kontakt zwischen dem ersten Verbindungsdraht 132 und den Nebenelektroden 120 erhalten werden kann, derart dass eine bessere Stromsammlungsfähigkeit erreicht werden kann.
In einigen Ausführungsformen umfasst, wie in 3B veranschaulicht, jede erste Hauptelektrode 130 eine Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten 131, die in Intervallen entlang der zweiten Richtung Y angeordnet sind, und einen ersten Verbindungsdraht 132. Der erste Verbindungsdraht 132 ist in Kontakt mit einer Seite von jedem von dem mindestens einen der Unterverbindungskontaktgebiete 131 nahe dem ersten Rand 101. Die erste Hauptelektrode 130 ist entsprechenden Abschrägungen 103 benachbart. In der zweiten Richtung Y befinden sich das erste der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und/oder das letzte der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 in einer Randregion außerhalb der Abschrägungen 103 entlang der zweiten Richtung Y, derart dass mindestens eines von dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131und dem letzten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 sich nicht in einer Region befindet, die der Abschrägung 103 direkt zugewandt ist, wodurch während des Schweißens oder Laminierens Risse und Mikrorisse an der Abschrägung 103 vermieden werden. Wenn das erste Verbindungskontaktgebiet 131 nahe an der Abschrägung 103 liegt, kann der an der Abschrägung 103 gesammelte Strom durch den Schweißstreifen in einem kürzesten Übertragungsweg gesammelt werden, wodurch der Wegverlust vermindert und der Zellenwirkungsgrad der Solarzelle verbessert werden können. Insbesondere ist unter Bezugnahme auf 3B ein Abstand zwischen einer Seite des ersten von den ersten Unterverbindungskontaktgebieten 131 nahe am zweiten Rand 102 und einer Seite der Abschrägung 103, die dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet zugewandt ist, relativ klein oder die Seite des ersten von den ersten Unterverbindungskontaktgebieten 131 nahe am zweiten Rand 102 ist benachbart zu der Seite der Abschrägung 103, die dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet zugewandt ist, derart dass das erste Unterverbindungskontaktgebiet 131 als sich in der Randregion außerhalb der Abschrägung 103 in der zweiten Richtung Y befindlich betrachtet werden kann. Ein relativ kleiner Abstand kann bedeuten, dass der Abstand zwischen der Seite der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 nahe dem zweiten Rand 102 und der Seite der Abschrägung 103, die dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet zugewandt ist, kleiner als der Gitter-Pitch zwischen den benachbarten Nebenelektroden 120 ist.
In einigen Ausführungsformen ist entlang der zweiten Richtung Y ein Abstand zwischen einem Ende des ersten Unterverbindungskontaktgebiets 131 nahe am zweiten Rand und einem Rand der Abschrägung 103, die dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet 131 zugewandt ist, entlang der zweiten Richtung Y kleiner oder gleich dem Gitter-Pitch zwischen den benachbarten Nebenelektroden 120, was weiter veranschaulicht, dass der an der Abschrägung 103 gesammelte Strom durch den Schweißstreifen im kürzesten Übertragungsweg gesammelt werden kann, wodurch der Wegverlust vermindert und der Batteriewirkungsgrad der Solarzelle verbessert werden.
In einigen Ausführungsformen umfasst, wie in 3A und 3B veranschaulicht, jede zweite Hauptelektrode 140 einen zweiten Verbindungsdraht 142. Der zweite Verbindungsdraht 142 ist an jedem Anschluss von Anschlüssen, die jeweils nahe an den zweiten Rändern 102 liegen, geschlossen. Eine Querschnittsfläche des ersten Verbindungsdrahts 132 ist größer oder gleich einer Querschnittsfläche des zweiten Verbindungsdrahts 142. Für eine zweite Hauptelektrode 140 in der Nicht-Randregion stellt der relativ dünne zweite Verbindungsdraht 142 sicher, dass eine Gitterlinien-Abschirmungsfläche der zweiten Hauptelektrode 140 relativ kleiner ist. Für die erste Hauptelektrode 130 in der Randregion vergrößert der relativ breite erste Verbindungsdraht 132 eine Querschnittsfläche des elektrischen Kontakts zwischen dem ersten Verbindungsdraht 132 und jeder Nebenelektrode 120, vermindert den Widerstand des ersten Verbindungsdrahts 132 und verbessert die Stromsammlungs- und Übertragungsfähigkeit des ersten Verbindungsdrahts 132 benachbart zum Rand des Substrats 100 verglichen mit dem dünneren zweiten Verbindungsdraht 142, wodurch die Randstromsammlungsfähigkeit und der photoelektrische Umwandlungswirkungsgrad der gesamten Solarzelle verbessert werden.
In einigen Ausführungsformen ist ein erster Pitch m zwischen der ersten Hauptelektrode 130 und der benachbarten zweiten Hauptelektrode 140 nicht gleich ein zweiter Pitch n zwischen den benachbarten zweiten Hauptelektroden 140. In einem Beispiel ist der erste Pitch m größer als der zweite Pitch n, d. h. die erste Hauptelektrode 130 liegt nahe an dem ersten Rand 101. Die Hauptelektroden an den Rändern sind spärlich eingerichtet, derart dass die Gefahr von Mikroreißen und dergleichen der Solarzelle während des Schweißens und Laminierens vermieden werden kann. Ein Verhältnis P des ersten Abstands m zum zweiten Pitch n liegt in einem Bereich von 1,5 bis 1 (d. h. 1,5 > P > 1) und ferner 1,3 ≥ P > 1,1, 1,45 ≥ P > 1,05, 1,38 ≥ P > 1, oder 1,5 ≥ P > 1,2. In einem anderen Beispiel ist der erste Pitch m kleiner als der zweite Pitch n, wodurch sichergestellt werden kann, dass die ersten Hauptelektroden 130 an den Rändern und die zweiten Hauptelektroden 140 dicht eingerichtet sind und ein Weg von Strom von der Nebenelektrode 120 zur Hauptelektrode kürzer ist, wodurch Verlust vermindert und die Fähigkeit der Elektroden zum Sammeln von Strom an den Rändern erleichtert werden. In diesem Fall liegt das Verhältnis P des ersten Abstands m zum zweiten Pitch n in einem Bereich von 1 bis 0,5 (d. h. 1 > P ≥ 0, 5) und ferner 0,8 > P ≥ 0, 5, 0,9 ≥ P ≥ 0,7, 0,98 ≥ P ≥ 0,53 oder 0,8 ≥ P ≥ 0,5.
In einigen Ausführungsformen bestehen der erste Verbindungsdraht 132 und der zweite Verbindungsdraht 142 aus gleichen Materialien, d. h. der erste Verbindungsdraht 132 und der zweite Verbindungsdraht 142 werden unter einem gleichen Herstellungsprozess hergestellt.
In einigen Ausführungsformen umfasst die zweite Elektrode 140 ferner eine Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten 141, die in Intervallen in der zweiten Richtung Y eingerichtet sind. Das erste der Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten 141 und das letzte der Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten 141 sind jeweils benachbart zu den zweiten Rändern 102 und jedes zweite Unterverbindungskontaktgebiet 141 ist in Kontakt mit der zweiten Verbindungsleitung 142 (d. h. die zweite Verbindungsleitung 142 ist in Kontakt mit mindestens einem von den zweiten Unterverbindungskontaktgebieten 141). In der zweiten Richtung Y ist ein erster Abstand zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem benachbarten zweiten Rand 102 größer als ein zweiter Abstand zwischen dem ersten der zweiten Unterverbindungskontaktgebiete 141 und dem zweiten Rand 102. Da die Abschrägung 103 am Übergang des ersten Rands 101 und zweiten Rands 102 des Substrats 100 bereitgestellt ist, ist das erste Unterverbindungskontaktgebiet 131 relativ weit von dem zweiten Rand 102 entfernt und das zweite Unterverbindungskontaktgebiet 141 ist näher an dem zweiten Rand 102 als das erste Unterverbindungskontaktgebiet 131, derart dass der Stromübertragungsweg am zweiten Rand 102 verkürzt werden kann und die Stromsammlungsfähigkeit des zweiten Randes 102 verbessert werden kann.
In einigen Ausführungsformen kann das erste Unterverbindungskontaktgebiet 131 als ein Kontaktpunkt betrachtet werden, wo die erste Hauptelektrode 130 mit dem Schweißstreifen in Kontakt ist. Das erste Verbindungskontaktgebiet 131 kann mit der Nebenelektrode in Kontakt sein. Alternativ kann das erste Verbindungskontaktgebiet 131 nicht mit der Nebenelektrode in Kontakt sein und kann elektrisch durch die erste Verbindungsleitung 132 mit der Nebenelektrode verbunden sein. Auf ähnliche Weise ist das zweite Unterverbindungskontaktgebiet 141 ein Kontaktpunkt, wo die zweite Hauptelektrode 140 mit dem Schweißstreifen in Kontakt ist.
In einigen Ausführungsformen ist eine Fläche des ersten Unterverbindungskontaktgebiets 131 größer als eine Fläche eines beliebigen von den zweiten Unterverbindungskontaktgebieten 141. Wenn die Fläche von jedem ersten Unterverbindungskontaktgebiet 131, das sich am Rand befindet, relativ größer ist, kann das erste Unterverbindungskontaktgebiet 131 als ein Bezug für die Ausrichtung des Schweißstreifens verwendet werden, um Schweißabweichung zwischen dem Schweißstreifen und der ersten Hauptelektrode 130 zu vermeiden. Darüber hinaus kann die relativ größere Fläche des ersten Unterverbindungskontaktgebiets 131 auch den Druck des Schweißstreifens entlasten und die Stromsammlungsfähigkeit an dem Rand verbessern und die relativ kleinere Fläche des zweiten Unterverbindungskontaktgebiets 141 kann die Abschirmungsfläche vermindern.
In einigen Ausführungsformen ist unter Bezugnahme auf 3B und 4 der erste Verbindungsdraht 132 in Kontakt mit einer Seite von jedem von den ersten Unterverbindungskontaktgebieten 131 nahe am ersten Rand 101. Der erste Verbindungsdraht 132 ist näher an dem ersten Rand 101 und die Fähigkeit des ersten Verbindungsdrahts 132 zum Sammeln des Stroms an dem ersten Rand 101 ist verbessert. Darüber hinaus ist mindestens eine Breite des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet 131 und dem ersten Rand 101 getrennt, derart dass der Bruch, der durch schlechte Beanspruchung an dem Rand verursacht wird, während des Schweißens und Laminierens vermieden werden kann. Wenn das erste Unterverbindungskontaktgebiet 131 mit der Nebenelektrode in Kontakt ist, ist die Nebenelektrode in Kontakt mit einer Seite des ersten Unterverbindungskontaktgebiets 131 entfernt vom ersten Rand 101, derart dass der Strom, der durch die Nebenelektrode gesammelt wird, direkt durch das erste Unterverbindungskontaktgebiet gesammelt und auf dem Schweißstreifen konvergiert werden kann, wodurch der Stromübertragungsweg verkürzt wird.
In einigen Ausführungsformen umfasst unter Bezugnahme auf 4 bis 8 der erste Verbindungsdraht 132 einen ersten Verbindungsabschnitt 134 nahe an einer Außenseite der Abschrägung 103 in der ersten Richtung X und einen zweiten Verbindungsabschnitt 135, der mit dem ersten Verbindungsabschnitt 134 verbunden ist. Der erste Verbindungsabschnitt 134 weist eine Querschnittsfläche auf, die größer als eine Querschnittsfläche des zweiten Verbindungsabschnitts 135 ist. Alternativ ist eine elfte Querschnittsfläche eines Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem benachbarten zweiten Rand 102 größer als eine zwölfte Querschnittsfläche eines anderen Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem letzten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131. Eine Breite des Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem benachbarten zweiten Rand 102 ist größer, derart dass die Schweißbeanspruchung des ersten Unterverbindungskontaktgebiets 131 entlastet werden kann, um einen guten Kontakt zwischen dem Schweißstreifen und der ersten Hauptelektrode 130 zu bilden. Darüber hinaus kann der breitere erste Verbindungsdraht 132 den Druck der Stromsammlung des ersten Unterverbindungskontaktgebiets 131 entlasten und die Ladungsträgerübertragungsfähigkeit verbessern und der breitere erste Verbindungsdraht 132 weist eine größere Übertragungsfläche zur Stromsammlung auf.
Es versteht sich, dass der erste Verbindungsabschnitt 134 den Teil des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem benachbarten zweiten Rand 102 bezeichnet und der zweite Verbindungsabschnitt 135 den anderen Teil des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem letzten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 bezeichnet.
Um Reißen oder Mikroreißen der Solarzelle aufgrund unterschiedlicher Kräfte in unterschiedlichen Teilen der Solarzelle, während sie mit den Schweißstreifen verbunden wird, oder während der Laminierung zu vermeiden, wird eine Höhe des ersten Verbindungsdrahts 132 so eingestellt, dass sie überall gleich ist. Daher kann, da die elfte Querschnittsfläche größer als die zwölfte Querschnittsfläche ist, erachtet werden, dass eine dritte Breite des Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem benachbarten zweiten Rand 102 größer ist als eine vierte Breite des anderen Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem letzten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131.
In anderen Ausführungsformen ist es zum Vermeiden des Reißens des Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 nahe an dem Rand möglich, eine Höhe des Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem benachbarten zweiten Rand 102 einzustellen, um etwas niedriger als eine Höhe des anderen Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem letzten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 zu sein. Auf diese Weise ist die dritte Breite des Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem benachbarten zweiten Rand 102 größer als die vierte Breite des anderen Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem letzten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131. Der Teil des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem benachbarten zweiten Rand 102 ist breiter, wodurch die Schweißbeanspruchung des ersten Unterverbindungskontaktgebiets 131 entlastet werden kann, um einen guten Kontakt zwischen dem Schweißstreifen und der ersten Hauptelektrode 130 zu bilden. Darüber hinaus kann der breitere erste Verbindungsdraht 132 den Druck der Stromsammlung des ersten Unterverbindungskontaktgebiets 131 entlasten und die Ladungsträgerübertragungsfähigkeit verbessern und der breitere erste Verbindungsdraht 132 weist eine größere Übertragungsfläche zur Stromsammlung auf.
In einigen Ausführungsformen ist eine Differenz zwischen der elften Querschnittsfläche und der zwölften Querschnittsfläche proportional zu einem Zwischenraum S zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem benachbarten zweiten Rand 102. Wenn der Zwischenraum S zwischen dem ersten der ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und dem benachbarten zweiten Rand 102 relativ groß ist, ist auch die elfte Querschnittsfläche groß, das heißt, die dritte Breite ist auch groß, derart dass die Übertragungsfläche für die Stromsammlung auch groß ist, wodurch der Sammlungsdruck entlastet und die Zellenleistung verbessert werden. Die Differenz zwischen der elften Querschnittsfläche und der zwölften Querschnittsfläche kann als eine Differenz zwischen der dritten Breite und der vierten Breite betrachtet werden. Die Differenz zwischen der dritten Breite und der vierten Breite ist kleiner als 100 µm. Ferner ist die Differenz zwischen der dritten Breite und der vierten Breite kleiner als 80 µm. Die Differenz zwischen der dritten Breite und der vierten Breite kann insbesondere 15 µm, 39 µm, 68 µm oder 80 µm betragen. Mit Hilfe dieser Ausgestaltung kann die Differenz zwischen der dritten Breite und der vierten Breite erfüllen, dass die Breite des ersten Verbindungsabschnitts 134 größer ist, der erste Verbindungsabschnitt 134 eine bessere Fähigkeit zum Sammeln von Ladungsträgern an dem zweiten Rand aufweist und die Abschirmungsfläche zweckmäßig zum Vermindern des optischen Verlusts ist. Darüber hinaus ist die Querschnittsfläche des zweiten Verbindungsabschnitts 135 zweckmäßig, derart dass die Leitfähigkeit gut ist und der Widerstandsverlust klein ist.
In einigen Ausführungsformen liegt die dritte Breite in einem Bereich von 20 µm bis 200 µm. Vorzugsweise liegt die dritte Breite im Bereich von 20 µm bis 150 µm und insbesondere beträgt die dritte Breite 28 µm, 58 µm, 98 µm, 135 µm oder 150 µm. An sich kann der erste Verbindungsabschnitt 134, der die Breite in diesem Bereich aufweist, die Abschirmungsfläche verkleinern, den Schattenverlust der Kontaktgitterlinien vermindern und die Stromsammelfähigkeit verbessern. Die vierte Breite liegt in einem Bereich von 20 µm bis 100 µm. Vorzugsweise liegt die vierte Breite im Bereich von 20 µm bis 80 µm und insbesondere beträgt die vierte Breite 28 µm, 39 µm, 52 µm, 71 µm oder 80 µm. Daher ist die Querschnittsfläche des zweiten Verbindungsabschnitts 135 zweckmäßig, ist die Leitfähigkeit gut und ist der Widerstandsverlust klein. Der Zwischenraum S zwischen dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet 131 und dem benachbarten zweiten Rand 102 liegt in einem Bereich von 3 mm bis 15 mm, vorzugsweise von 3 mm bis 13 mm. Der Zwischenraum S kann 3 mm, 5,8 mm, 9,4 mm oder 13 mm betragen. Der Zwischenraum zwischen dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet 131 und dem zweiten Rand 102 ist geeignet, derart dass der Ladungsträger am zweiten Rand 102 gesammelt werden kann und die Gefahr des Reißens und Brechens, das durch das Schweißen des Schweißstreifens verursacht wird, kann vermieden werden.
In einigen Ausführungsformen umfassen unter Bezugnahme auf 3B bis 8 die Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten 131 zwei erste Unterverbindungsscheiben 143 und mindestens eine zweite Unterverbindungsscheibe 144, die zwischen den zwei ersten Unterverbindungsscheiben 143 angeordnet ist. Es sind eine oder mehrere zweite Unterverbindungsscheiben 144 vorhanden. Eine siebte Querschnittsfläche eines Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 (dritter Verbindungsabschnitt 137), der sich zwischen zwei benachbarten zweiten Unterverbindungsscheiben 144 befindet, ist eine kleinste Querschnittsfläche. In einem Beispiel ist unter Bezugnahme auf 8 eine achte Querschnittsfläche eines Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 (zweiter Verbindungsabschnitt 136), der sich zwischen der ersten Unterverbindungsscheibe 143 und der benachbarten zweiten Unterverbindungsscheibe 144 befindet, gleich der siebten Querschnittsfläche. Das heißt, der erste Verbindungsdraht 132 in der mittleren Region ist dünner, wodurch die Abschirmungsfläche der Gitterlinie verkleinert werden kann. In einem anderen Beispiel ist die achte Querschnittsfläche des Teils des ersten Verbindungsdrahts 132 (zweiter Verbindungsabschnitt 136) zwischen der ersten Unterverbindungsscheibe 143 und der benachbarten zweiten Unterverbindungsscheibe 144 größer als die siebte Querschnittsfläche. Auf diese Weise ist die elfte Querschnittsfläche die größte Querschnittsfläche, ist die achte Querschnittsfläche eine zweitgrößte Querschnittsfläche und ist die siebte Querschnittsfläche die kleinste Querschnittsfläche. Mit Hilfe dieser Ausgestaltung ist es möglich, sicherzustellen, dass die Abschirmungsfläche in der mittleren Region des Substrats 100 klein ist, die Breite der Randregion relativ groß ist und ein guter Kontakt zwischen dem ersten Verbindungsdraht 132 und den Nebenelektroden 120 erhalten werden kann, derart dass eine bessere Stromsammlungsfähigkeit erreicht werden kann.
In einigen Ausführungsformen ist eine Fläche der ersten Unterverbindungsscheibe 143 größer als eine Fläche der zweiten Unterverbindungsscheibe 144. Wenn die Fläche der ersten Unterverbindungsscheibe 143, die sich am Rand befindet, groß ist, kann die erste Unterverbindungsscheibe 143 als ein Bezug für die Ausrichtung des Schweißstreifens verwendet werden, um Schweißabweichung zwischen dem Schweißstreifen und der ersten Hauptelektrode 130 zu vermeiden. Darüber hinaus kann die relativ größere Fläche der ersten Unterverbindungsscheibe 143 auch den Druck des Schweißstreifens entlasten und die Stromsammlungsfähigkeit am Rand verbessern.
In einigen Ausführungsformen ist der zweite Verbindungsdraht 142 an jedem Anschluss von Anschlüssen, die jeweils nahe an den zweiten Rändern 102 liegen, geschlossen. Die Querschnittsfläche des ersten Verbindungsdrahts 132 ist größer oder gleich der Querschnittsfläche des zweiten Verbindungsdrahts 142. Für die zweite Hauptelektrode 140 in der Nicht-Randregion stellt der relativ dünne zweite Verbindungsdraht 142 sicher, dass eine Gitterlinien-Abschirmungsfläche der zweiten Hauptelektrode 140 relativ kleiner ist. Für die erste Hauptelektrode 130 in der Randregion vergrößert ein relativ breiter erster Verbindungsdraht 132 eine Querschnittsfläche des elektrischen Kontakts zwischen dem ersten Verbindungsdraht 132 und jeder Nebenelektrode 120, vermindert den Widerstand des ersten Verbindungsdrahts 132 und verbessert die Stromsammlungs- und Übertragungsfähigkeit des ersten Verbindungsdrahts 132 benachbart zum Rand des Substrats 100 verglichen mit dem dünneren zweiten Verbindungsdraht 142, wodurch die Randstromsammlungsfähigkeit und der photoelektrische Umwandlungswirkungsgrad der gesamten Solarzelle verbessert werden.
In einigen Ausführungsformen ist unter Bezugnahme auf 3A und 11 der zweite Verbindungsdraht 142 an jedem Anschluss von Anschlüssen jeweils nahe an den zweiten Rändern 102 geschlossen und eine Oberfläche eines Abschnitts des zweiten Verbindungsdrahts 142, der sich von den Anschlüssen unterscheidet, ist in Kontakt mit dem zweiten Unterverbindungskontaktgebiet 141. Unter Bezugnahme auf 5, 6 und 11 ist eine neunte Querschnittsfläche eines Teils des zweiten Verbindungsdrahts 142 (d. h. ein vierter Verbindungsabschnitt 145) zwischen dem zweiten Unterverbindungskontaktgebiet 141 und dem benachbarten zweiten Rand 102 größer als eine zehnte Querschnittsfläche eines anderen Teils des zweiten Verbindungsdrahts 142 (d. h. ein fünfter Verbindungsabschnitt 146) zwischen zwei benachbarten Unterverbindungskontaktgebieten 141. Ein technischer Gedanke und der technische Effekt, die dadurch erreicht werden, dass die neunte Querschnittsfläche größer ist als die zehnte Querschnittsfläche, sind die gleichen oder ähnlich wie der technische Gedanke und der technische Effekt, die dadurch erreicht werden, dass die erste Querschnittsfläche größer ist als die zweite Querschnittsfläche, die hier nicht wiederholt werden.
In einigen Ausführungsformen ist unter Bezugnahme auf 3A und 12 in der ersten Richtung X eine Querschnittsfläche eines Teils der Nebenelektrode 120 nahe am ersten Rand 101 größer als eine Querschnittsfläche eines anderen Teils der Nebenelektrode 120 entfernt vom ersten Rand 101, um die Stromsammlungs- und Übertragungsfähigkeit der Nebenelektroden 120 am ersten Rand 101 zu verbessern.
In einigen Ausführungsformen ist die Solarzelle eine Multi-Busbar (MBB) Zelle.
In einigen Ausführungsformen ist unter Bezugnahme auf 1 und 13 der Verbindungsdraht in Kontakt mit einer Seite von jedem von mindestens einem Unterverbindungskontaktgebiet benachbart zum ersten Rand 101. Der Verbindungsdraht ist nahe am ersten Rand 101 und die Fähigkeit des Verbindungsdrahts zum Sammeln des Stroms am ersten Rand 101 ist verbessert. Darüber hinaus ist mindestens eine Breite des ersten Verbindungsdrahts zwischen dem Unterverbindungskontaktgebiet und dem ersten Rand 101 getrennt, derart dass der Bruch, der durch schlechte Beanspruchung an dem Rand verursacht wird, während des Schweißens und Laminierens vermieden werden kann. Die Unterelektrode 120 ist in Kontakt mit einer Seite des Unterverbindungskontaktgebiets entfernt vom ersten Rand 101, derart dass der durch die Nebenelektrode gesammelte Strom direkt durch das Unterverbindungskontaktgebiet gesammelt und auf den Schweißstreifen konvergiert werden kann, wodurch der Stromübertragungsweg verkürzt wird.
In einigen Ausführungsformen ist die Solarzelle eine Rückkontaktzelle, wie beispielsweise eine Interdigitated Back Contact (IBC) Zelle. Unter Bezugnahme auf 15 umfasst die Rückkontaktzelle ein Substrat 100, eine dritte Passivierungsschicht 107 auf einer ersten Oberfläche 104 des Substrats 100; eine erste dotierte Region 108 und eine zweite dotierte Region 109, die sich auf einer zweiten Oberfläche 105 des Substrats 100 befinden; eine vierte Passivierungsschicht 119, die auf einer Oberfläche der ersten dotierten Region 108 und der zweiten dotierten Region 109 angeordnet ist; erste Elektroden 121, die durch die vierte Passivierungsschicht 119 eindringen, um mit der ersten dotierten Region 108 verbunden zu sein; und zweite Elektroden 122, die durch die vierte Passivierungsschicht 119 eindringen, um mit der zweiten dotierten Region 109 verbunden zu sein. In anderen Ausführungsformen umfasst die Rückkontaktzelle ein Substrat; eine dritte Passivierungsschicht auf einer ersten Oberfläche des Substrats; eine erste dotierte Region, die auf einer zweiten Oberfläche des Substrats bereitgestellt ist, wobei die erste dotierte Region den gleichen Leitfähigkeitstyp aufweisen kann wie das Substrat oder einen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyp als das Substrat aufweisen kann; eine Tunneloxidschicht und eine dotierte Polysiliziumschicht, wobei die Tunneloxidschicht und die dotierte Polysiliziumschicht sich auf der zweiten Oberfläche des Substrats befinden; eine vierte Passivierungsschicht, die sich auf einer Oberfläche der ersten Dotierungsregion und der dotierten Polysiliziumschicht befindet; erste Elektroden, die durch die vierte Passivierungsschicht eindringen, um mit der dotierten Polysiliziumschicht verbunden zu sein; und zweite Elektroden, die in die vierte Passivierungsschicht eindringen, um mit der ersten dotierten Region verbunden zu sein. In noch anderen Ausführungsformen umfasst die Rückkontaktzelle ein Substrat, eine dritte Passivierungsschicht auf einer ersten Oberfläche des Substrats; eine Tunneloxidschicht, eine erste dotierte Polysiliziumschicht und eine zweite dotierte Polysiliziumschicht, die über der zweiten Oberfläche des Substrats angeordnet ist; eine vierte Passivierungsschicht, die auf einer Oberfläche der ersten dotierten Polysiliziumschicht, der zweiten Polysiliziumschicht und dem Substrat angeordnet ist; erste Elektroden, die durch die vierte Passivierungsschicht eindringen, um mit der ersten dotierten Polysiliziumschicht verbunden zu sein; und zweite Elektroden, die durch die vierte Passivierungsschicht eindringen, um mit der zweiten dotierten Polysiliziumschicht verbunden zu sein. Es versteht sich, dass die erste Oberfläche 104 eine vordere Oberfläche des Siliziumsubstrats ist, die zweite Oberfläche 105 eine hintere Oberfläche des Siliziumsubstrats ist, die erste dotierte Region eine von der n-Typ-dotierten Region und der p-Typ-dotierten Region ist und die zweite dotierte Region die andere von der n-Typ-dotierten Region und der p-Typ-dotierten Region ist.
Es versteht sich, dass die „Rückkontaktzelle“ bedeutet, dass sämtliche positiven Elektroden und negativen Elektroden mit einer Struktur auf der hinteren Oberfläche 100 zur Stromsammlung in Kontakt sind und keine positive und negative Elektrode auf der vorderen Oberfläche des Substrats 100 angeordnet ist.
In einigen Ausführungsformen umfasst die Rückkontaktzelle ein Substrat 100, eine Passivierungsschicht, eine Vielzahl von Nebenelektroden 120 und mindestens eine Hauptelektrode 110. Das Substrat 100 weist die ersten Ränder 101 und die zweiten Ränder 102 auf, wobei die ersten Ränder 101 zwei entgegengesetzte Ränder des Substrats 100 entlang einer zweiten Richtung Y umfassen und die zweiten Ränder 102 zwei entgegengesetzte Ränder des Substrats 100 entlang einer ersten Richtung X umfassen. Die Passivierungsschicht ist auf dem Substrat 100 angeordnet. Die Vielzahl von Nebenelektroden 120 sind in Intervallen entlang der zweiten Richtung Y auf dem Substrat 100 eingerichtet, wobei jede der Vielzahl von Nebenelektroden 120 sich entlang der ersten Richtung X erstreckt und durch die Passivierungsschicht eindringt, um mit dem Substrat 100 in Kontakt zu sein. Die mindestens eine Hauptelektrode 110 befindet sich auf einer Oberfläche der Passivierungsschicht. Jede der mindestens einen Hauptelektrode 110 umfasst zwei Verbindungskontaktgebiete 113, die jeweils nahe an den zweiten Rändern 102 liegen, und einen Verbindungsdraht 114, wobei jeder Anschluss von Anschlüssen des Verbindungsdrahts 114 nahe an einem entsprechenden zweiten Rand 102 geschlossen ist und eine Oberfläche eines Abschnitts des Verbindungsdrahts 114, der sich von den Anschlüssen unterscheidet, mit jedem Verbindungskontaktgebiet 113 in Kontakt ist. Eine erste Querschnittsfläche eines Teils des Verbindungsdrahts 114 zwischen einem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet 113 und einem zweiten Rand 102 benachbart zu dem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet 113 ist größer als eine zweite Querschnittsfläche eines anderen Teils des Verbindungsdrahts 114 zwischen den zwei Verbindungskontaktgebieten 113.
In einigen Ausführungsformen ist eine Differenz zwischen der ersten Querschnittsfläche und der zweiten Querschnittsfläche proportional zu einem Zwischenraum zwischen dem Verbindungskontaktgebiet und dem benachbarten zweiten Rand. Eine erste Breite eines Teils des Verbindungsdrahts zwischen dem Verbindungskontaktgebiet und dem benachbarten zweiten Rand ist größer als eine zweite Breite eines anderen Teils des Verbindungsdrahts zwischen den Verbindungskontaktgebieten.
In einigen Ausführungsformen umfassen die Nebenelektroden 120 die ersten Elektroden 121 und zweiten Elektroden 122, die abwechselnd entlang der zweiten Richtung angeordnet sind. Die erste Elektrode 121 ist eine von einer positiven Elektrode und einer negativen Elektrode und die zweite Elektrode 122 ist die andere von der positiven Elektrode und der negativen Elektrode. In Ausführungsformen der Offenbarung wird zur Veranschaulichung die erste Elektrode 121 als eine positive Elektrode genommen und die zweite Elektrode 122 wird als eine negative Elektrode genommen. Die Nebenelektroden 120 umfassen die ersten Elektroden 121 und die zweiten Elektroden 122, die abwechselnd entlang der zweiten Richtung Y angeordnet sind.
In einigen Ausführungsformen umfasst unter Bezugnahme auf 13 die mindestens eine Hauptelektrode die ersten Gitterlinienstrukturen 151 und die zweiten Gitterlinienstrukturen 152, die abwechselnd angeordnet sind. Jede erste Gitterlinienstruktur 151 ist elektrisch mit entsprechenden ersten Elektroden 121 verbunden und jede zweite Gitterlinienstruktur 152 ist elektrisch mit entsprechenden zweiten Elektroden 122 verbunden. Insbesondere umfasst die mindestens eine erste Hauptelektrode eine erste Randgitterlinie und eine zweite Randgitterlinie. Die erste Randgitterlinie ist elektrisch mit den ersten Elektroden 121 verbunden und die zweite Randgitterlinie ist elektrisch mit den zweiten Elektroden 122 verbunden.
In einigen Ausführungsformen sind die ersten Gitterlinienstrukturen 151 und die zweiten Gitterlinienstrukturen 152 entlang der ersten Richtung X versetzt, derart dass entlang der zweiten Richtung Y ein Abstand zwischen einem Ende der ersten Gitterlinienstruktur 151 nahe am zweiten Rand und dem benachbarten zweiten Rand sich von einem Abstand zwischen einem Ende der zweiten Gitterlinienstruktur 152 nahe am zweiten Rand und dem benachbarten zweiten Rand unterscheidet. Auf diese Weise ist es möglich, den Verbrauch an der leitfähigen Silberpaste für die Solarzellenmetallisierung zu vermindern und den Abstand der Stromsammlung in der feinen Gitterlinienrichtung zu verkürzen, wodurch die Fragmentierungsrate vermindert wird. Darüber hinaus ist es möglich, dass zumindest ein Teil der Hauptgitterlinie nicht an einem Ende der Nebenelektrode nahe dem zweiten Rand freiliegt, was schön ist und die adaptive Länge der positiven und negativen Elektroden der Solarzelle sicherstellt und die Gefahr von Kurzschlüssen zwischen Elektroden mit unterschiedlichen Polaritäten vermeiden kann.
In einigen Ausführungsformen umfassen unter Bezugnahme auf 14 die zweiten Hauptelektroden erste Gitterlinienstrukturen 153 und zweite Gitterlinienstrukturen 154, die abwechselnd angeordnet sind. Jede erste Gitterlinienstruktur 153 ist elektrisch mit entsprechenden ersten Elektroden 121 verbunden und jede zweite Gitterlinienstruktur 154 ist elektrisch mit entsprechenden zweiten Elektroden 122 verbunden. Die zwei ersten Hauptelektroden umfassen eine erste Randgitterlinie 151 und eine zweite Randgitterlinie 152. Die erste Randgitterlinie 151 ist elektrisch mit den ersten Elektroden 121 verbunden und die zweite Randgitterlinie 152 ist elektrisch mit den zweiten Elektroden 122 verbunden. Insbesondere ist eine zweite Hauptelektrode benachbart zur ersten Randgitterlinie 151, die eine positive Polarität aufweist, die zweite Gitterlinienstruktur 154 und eine zweite Hauptelektrode benachbart zur zweiten Randgitterlinie 152, die eine negative Polarität aufweist, ist die erste Gitterlinienstruktur 153.
In einigen Ausführungsformen sind die ersten Gitterlinienstrukturen 153 und die zweiten Gitterlinienstrukturen 154 entlang der ersten Richtung X versetzt, derart dass entlang der zweiten Richtung Y ein Abstand zwischen einem Ende der ersten Gitterlinienstruktur 153 nahe am zweiten Rand und dem benachbarten zweiten Rand sich von einem Abstand zwischen einem Ende der zweiten Gitterlinienstruktur 154 nahe am zweiten Rand und dem benachbarten zweiten Rand unterscheidet. Auf diese Weise ist es möglich, den Verbrauch an der leitfähigen Silberpaste für die Solarzellenmetallisierung zu vermindern und den Abstand der Stromsammlung in der feinen Gitterlinienrichtung zu verkürzen, wodurch die Fragmentierungsrate vermindert wird. Darüber hinaus ist es möglich, dass zumindest ein Teil der Hauptgitterlinie nicht an einem Ende der Nebenelektrode nahe dem zweiten Rand freiliegt, was schön ist und die adaptive Länge der positiven und negativen Elektroden der Solarzelle sicherstellt und die Gefahr von Kurzschlüssen zwischen Elektroden mit unterschiedlichen Polaritäten vermeiden kann. Auf ähnliche Weise sind die erste Randgitterlinie 151 und die zweite Randgitterlinie 152 auf eine versetzte Weise entlang der ersten Richtung X angeordnet, um den Kurzschluss zwischen unterschiedlichen Nebenelektroden zu vermeiden.
In der in den Ausführungsformen der Offenbarung bereitgestellten Solarzelle umfasst die Hauptelektrode 110 die Verbindungskontaktgebiete 113 und die Verbindungsleitung 114 (zum Beispiel umfasst die erste Hauptelektrode 130 die ersten Unterverbindungskontaktgebiete 131 und die erste Verbindungsleitung 132 und die zweite Hauptelektrode 140 umfasst die zweiten Unterverbindungskontaktgebiete 141 und die zweite Verbindungsleitung 142). Durch Bereitstellen der dünneren Verbindungsleitung 114 können die wirksamen Lichtabschirmungsflächen verkleinert und der Widerstandsverlust vermindert werden, wodurch die Gesamtleitung der Baugruppe erhöht wird. Darüber hinaus können, da die Verbindungsdrähte 114, welche die Hauptgitterlinien bilden (z. B. die ersten Verbindungsdrähte 132 und die zweiten Verbindungsdrähte 142), dichter verteilt sind, mehr Kontaktpunkte zwischen den Hauptgitterlinien und den feinen Gitterlinien erhalten werden und ein Weg der Stromleitung an den gerissenen und mikrogerissenen Teilen des Siliziumwafers wird optimierter, derart dass der Verlust, der durch Mikrorisse verursacht wird, in hohem Maße vermindert wird, was zum Verbessern der Leistung der Produktionslinie von Vorteil ist. Die erste Querschnittsfläche des Teils des Verbindungsdrahts 114 zwischen dem jeweiligen Verbindungskontaktgebiet 113 und dem benachbarten zweiten Rand 102 ist größer als die zweite Querschnittsfläche des anderen Teils des Verbindungsdrahts 114 zwischen den zwei benachbarten Verbindungskontaktgebieten 113, d. h. die Breite des Teils des Verbindungsdrahts 114 zwischen zweiten Rand 102 und dem Verbindungskontaktgebiet 113 ist größer, derart dass die Schweißbeanspruchung des Verbindungskontaktgebiets 113 entlastet werden kann, um einen guten Kontakt zwischen dem Schweißstreifen und der Hauptelektrode 110 zu bilden. Darüber hinaus kann die breitere Verbindungsleitung 114 den Sammlungsdruck des Verbindungskontaktgebiets 113 entlasten und die Ladungsträgerübertragungsfähigkeit verbessern und die breitere Verbindungsleitung weist eine größere Übertragungsfläche zum Sammeln von Strom auf. Ferner ist jeder erste Verbindungsdraht 132 in Kontakt mit einer Seite von jedem des mindestens einen ersten Unterverbindungskontaktgebiets 131 nahe an dem ersten Rand 101, d. h. der erste Verbindungsdraht 132 liegt näher an dem ersten Rand 101, und die Fähigkeit des ersten Verbindungsdrahts 132, den Strom an dem ersten Rand 101 zu sammeln, ist verbessert. Darüber hinaus ist mindestens eine Breite des ersten Verbindungsdrahts 132 zwischen dem ersten Unterverbindungskontaktgebiet 131 und dem ersten Rand 101 getrennt, derart dass der Bruch, der durch schlechte Beanspruchung an dem Rand verursacht wird, während des Schweißens und Laminierens vermieden werden kann.
Ferner ist der erste Pitch m zwischen der ersten Hauptelektrode 130 und der benachbarten zweiten Hauptelektrode 140 nicht gleich dem zweiten Pitch n zwischen den benachbarten zweiten Hauptelektroden 140. In einem Beispiel ist der erste Pitch m größer als der zweite Pitch n, d. h. die erste Hauptelektrode 130 liegt nahe an dem ersten Rand 101. Die Hauptelektroden an den Rändern sind spärlich eingerichtet, derart dass die Gefahr von Mikroreißen und dergleichen der Solarzelle während des Schweißens und Laminierens vermieden werden kann. In einem anderen Beispiel ist der erste Pitch m kleiner als der zweite Pitch n, wodurch sichergestellt werden kann, dass die ersten Hauptelektroden 130 an den Rändern und die zweiten Hauptelektroden 140 dicht eingerichtet sind und ein Weg von Strom von der Nebenelektrode 120 zur Hauptelektrode kürzer ist, wodurch Verlust vermindert und die Fähigkeit der Elektroden zum Sammeln von Strom an den Rändern erleichtert werden.
16 ist eine schematische Strukturansicht eines Photovoltaikmoduls gemäß Ausführungsformen der Offenbarung.
Ausführungsformen der Offenbarung stellen ferner ein Photovoltaikmodul bereit. Wie in 16 veranschaulicht, umfasst das Photovoltaikmodul eine oder mehrere Zellenfolgen. Jede Zellenfolge wird durch Verbinden einer Vielzahl von Solarzellen 20 gebildet. Jede der Vielzahl von Solarzellen 20 ist eine Solarzelle, die in den vorhergehenden Ausführungsformen bereitgestellt ist. Das Photovoltaikmodul umfasst ferner mindestens eine Einkapselungsschicht 21 und mindestens eine Abdeckplatte 22. Jede Einkapselungsschicht 21 ist dazu ausgestaltet, eine Oberfläche von jeder der mindestens einen Zellenfolge zu bedecken. Jede Abdeckplatte 22 ist dazu ausgestaltet, eine Oberfläche einer entsprechenden Einkapselungsschicht 21 von der mindestens einen Einkapselungsschicht 21, die von der mindestens einen Zellenfolge abgewandt ist, zu bedecken. Die Solarzellen 20 sind elektrisch in der Form eines ganzen Teils oder mehrerer Teile verbunden, um eine Vielzahl von Zellenfolgen zu bilden, und die Vielzahl von Zellenfolgen sind elektrisch in Reihe und/oder parallel geschaltet.
In einigen Ausführungsformen können die Vielzahl von Solarzellen elektrisch durch einen leitfähigen Streifen verbunden sein. Die mindestens eine Einkapselungsschicht 21 umfasst eine erste Einkapselungsschicht 211 und eine zweite Einkapselungsschicht 212. Die erste Einkapselungsschicht 211 ist dazu ausgestaltet, eine von der vorderen Oberfläche und der hinteren Oberfläche der Solarzelle 20 zu bedecken und die zweite Einkapselungsschicht 212 ist dazu ausgestaltet, die andere von der vorderen Oberfläche und der hinteren Oberfläche der Solarzelle 20 abzudecken. Insbesondere kann mindestens eine von der ersten Einkapselungsschicht 211 und der zweiten Einkapselungsschicht 212 ein organischer Einkapselungsklebefilm, wie beispielsweise ein Ethylen-Vinylacetat-Copolymer (EVA) Klebefilm, ein Polyethylen-Octen-Coelastomer (POE) Klebefilm oder ein Polyethylenterephthalat (PET) Klebefilm sein. In einigen Ausführungsformen kann die Abdeckplatte 22 eine Abdeckplatte mit einer lichtdurchlässigen Funktion sein, wie beispielsweise eine Glasabdeckplatte, eine Kunststoffabdeckplatte oder dergleichen. Insbesondere kann eine Oberfläche der Abdeckplatte 22, die der Einkapselungsschicht 21 zugewandt ist, eine unebene Oberfläche sein, wodurch die Nutzungsrate des einfallenden Lichts erhöht wird. Die Abdeckplatte 22 umfasst eine erste Abdeckplatte 221 und eine zweite Abdeckplatte 222. Die erste Abdeckplatte 221 ist der ersten Einkapselungsschicht 211 zugewandt und die zweite Abdeckplatte 222 ist der zweiten Einkapselungsschicht 212 zugewandt.
Die vorhergehenden Ausführungsformen der Offenbarung werden als bevorzugte Ausführungsformen offenbart, aber die vorhergehenden Ausführungsformen werden nicht zur Einschränkung der Patentansprüche verwendet. Jeder Fachmann kann einige mögliche Änderungen und Abwandlungen vornehmen, ohne vom Gedanken der Offenbarung abzuweichen. Der Schutzumfang unterliegt dem durch die Patentansprüche der Offenbarung definierten Umfang.

Claims

Solarzelle, die Folgendes umfasst: ein Substrat (100), das erste Ränder (101) und zweite Ränder (102) aufweist, wobei die ersten Ränder (101) zwei entgegengesetzte Ränder des Substrats (100) entlang einer zweiten Richtung (Y) umfassen und die zweiten Ränder zwei entgegengesetzte Ränder des Substrats (100) entlang einer ersten Richtung (X) umfassen; eine Passivierungsschicht, die auf dem Substrat (100) angeordnet ist; eine Vielzahl von Nebenelektroden (120), die in Intervallen entlang der zweiten Richtung (Y) auf dem Substrat (100) eingerichtet sind, wobei jede der Vielzahl von Nebenelektroden (120) sich entlang der ersten Richtung (X) erstreckt und durch die Passivierungsschicht eindringt, um mit dem Substrat (100) in Kontakt zu sein. zwei erste Hauptelektroden (130), die auf einer Oberfläche der Passivierungsschicht angeordnet sind, wobei jede der zwei ersten Hauptelektroden (130) sich nahe an einem entsprechenden ersten Rand (101) befindet und eine Vielzahl von ersten Unterverbindungskonktaktgebieten (131), die in Intervallen entlang der zweiten Richtung eingerichtet sind, und einen ersten Verbindungsdraht (132) umfasst, und der erste Verbindungsdraht (132) mit einer Seite von jedem von mindestens einem der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten (131) nahe an dem entsprechenden ersten Rand (101) in Kontakt ist; und mindestens zwei zweite Hauptelektroden (140), wobei die mindestens zwei zweiten Hauptelektroden (140) an der Oberfläche der Passivierungsschicht angeordnet sind und zwischen den zwei ersten Hauptelektroden (130) angeordnet sind, wobei jede der mindestens zwei zweiten Hauptelektroden (140) eine Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten (141), die in Intervallen entlang der zweiten Richtung (Y) angeordnet sind, und einen zweiten Verbindungsdraht (142) umfasst, und der zweite Verbindungsdraht (142) mit mindestens einem der Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten (141) in Kontakt ist, wobei ein erster Pitch (m) zwischen einer jeweiligen ersten Hauptelektrode (130) und einer zweiten Hauptelektrode (140) benachbart zu der jeweiligen ersten Hauptelektrode (130) nicht gleich einem zweiten Pitch (n) zwischen benachbarten zweiten Hauptelektroden (140) ist.
Solarzelle nach Anspruch 1, wobei in der ersten Richtung (X) jede von mindestens einer der Vielzahl von Nebenelektroden (120) in Kontakt mit einer Seite eines entsprechenden ersten Unterverbindungskontaktgebiets (131) entfernt von dem entsprechenden ersten Rand (101) ist; in der ersten Richtung (X) für eine jeweilige Nebenelektrode (120) der Vielzahl von Nebenelektroden (120) eine Querschnittsfläche eines Teils der jeweiligen Nebenelektrode (120) nahe an dem ersten Rand (101) größer als eine Querschnittsfläche eines anderen Teils der jeweiligen Nebenelektrode (120) entfernt von dem ersten Rand (101) ist; und eine Fläche von jedem der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten (131) größer als eine Fläche eines beliebigen der Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten (141) ist.
Solarzelle nach Anspruch 1 oder 2, wobei der erste Pitch (m) größer als der zweite Pitch (n) ist.
Solarzelle nach Anspruch 1 bis 3, wobei der erste Pitch (m) kleiner als der zweite Pitch (n) ist.
Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine Abschrägung (103) an einem Übergang eines jeweiligen ersten Randes (101) und eines entsprechenden zweiten Randes (102) bereitgestellt ist und jede der zwei ersten Hauptelektroden (130) benachbart zu einem entsprechenden Paar von Abschrägungen (103) ist; und in der zweiten Richtung (Y) mindestens eines von einem ersten der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten (131) und einem letzten der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten (131) sich in einer Randregion außerhalb einer entsprechenden Abschrägung (103) entlang der zweiten Richtung (Y) befindet.
Solarzelle nach Anspruch 5, wobei der erste Verbindungsdraht (132) einen ersten Verbindungsabschnitt (134) nahe an einer Außenseite von jeder des entsprechenden Paares von Abschrägungen (103) in der ersten Richtung (X) und einen zweiten Verbindungsabschnitt (135) umfasst, der mit dem ersten Verbindungsabschnitt (134) verbunden ist; wobei der erste Verbindungsabschnitt (134) eine Querschnittsfläche aufweist, die größer als eine Querschnittsfläche des zweiten Verbindungsabschnitts (135) ist.
Solarzelle nach Anspruch 5, wobei in der zweiten Richtung (Y) ein Abstand zwischen einem Ende des ersten der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten (131) nahe an einem benachbarten zweiten Rand (102) und einem Rand einer benachbarten Abschrägung (103), die den ersten Unterverbindungskontaktgebieten (131) entlang der zweiten Richtung (Y) zugewandt ist, kleiner oder gleich ein Gitter-Pitch zwischen benachbarten Nebenelektroden (120) ist.
Solarzelle nach Anspruch 1 oder Anspruch 5, wobei in der zweiten Richtung (Y) ein erster Abstand zwischen einem ersten der Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten (131) und einem benachbarten zweiten Rand (102) größer als ein zweiter Abstand zwischen einem ersten der Vielzahl von zweiten Unterverbindungskontaktgebieten (141) und dem benachbarten zweiten Rand (102) in der zweiten Richtung (Y) ist.
Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Vielzahl von ersten Unterverbindungskontaktgebieten (131) zwei erste Unterverbindungsscheiben (143), die sich jeweils nahe an den zweiten Rändern (102) befinden, und mindestens eine zweite Unterverbindungsscheibe (144) umfassen, die zwischen den zwei ersten Unterverbindungsscheiben (143) angeordnet ist; und eine erste Querschnittsfläche des ersten Teils des ersten Verbindungsdrahts (132) zwischen einer jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe (143) und einem zweiten Rand (102) benachbart zu dem jeweiligen ersten Unterverbindungskontaktgebiet größer ist als eine zweite Querschnittsfläche eines zweiten Teils des ersten Verbindungsdrahts (132) zwischen den zwei ersten Unterverbindungsscheiben (143).
Solarzelle nach Anspruch 9, wobei eine Differenz zwischen der ersten Querschnittsfläche und der zweiten Querschnittsfläche proportional zu einem Zwischenraum zwischen der jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe (143) und dem zweiten Rand (102) benachbart zu der jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe (143) ist; und eine erste Breite eines ersten Teils des ersten Verbindungsdrahts (132) zwischen der jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe (143) und dem zweiten Rand (102) benachbart zu dem jeweiligen ersten Unterverbindungskontaktgebiet (131) größer ist als eine zweite Breite des zweiten Teils des ersten Verbindungsdrahts (132) zwischen den zwei ersten Unterverbindungsscheiben (143).
Solarzelle nach Anspruch 9, wobei für eine selbe Hauptelektrode (130) eine dritte Querschnittsfläche eines dritten Teils des ersten Verbindungsdrahts (132) zwischen zwei benachbarten zweiten Unterverbindungsscheiben (144) eine kleinste Querschnittsfläche ist; und eine vierte Querschnittsfläche eines vierten Teils des ersten Verbindungsdrahts (132) zwischen der jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe (143) und einer zweiten Unterverbindungsscheibe (144) benachbart zu der jeweiligen ersten Unterverbindungsscheibe (143) größer oder gleich der dritten Querschnittsfläche ist.
Solarzelle nach Anspruch 11, wobei eine Fläche von jeder der zwei ersten Unterverbindungsscheiben (143) größer als eine Fläche einer beliebigen von der mindestens einen zweiten Unterverbindungsscheibe (144) ist.
Solarzelle nach Anspruch 9, wobei der erste Verbindungsdraht (132) an jedem Anschluss von Anschlüssen geschlossen ist, die jeweils nahe an den zweiten Rändern (102) liegen, und der zweite Verbindungsdraht (142) an jedem Anschluss von Anschlüssen (102) geschlossen ist, die jeweils nahe an den zweiten Rändern (102) liegen, wobei eine Querschnittsfläche des ersten Verbindungsdrahts (132) größer oder gleich einer Querschnittsfläche des zweiten Verbindungsdrahts (142) ist.
Solarzelle nach Anspruch 9, wobei die Solarzelle eine Rückkontaktzelle ist und die Vielzahl von Nebenelektroden (120) erste Elektroden (121) und zweite Elektroden (122) umfassen, die abwechselnd entlang der zweiten Richtung (Y) angeordnet sind, wobei mindestens zwei zweite Hauptelektroden (140) erste Gitterlinienstrukturen (153) und zweite Gitterlinienstrukturen (154) umfassen, die abwechselnd eingerichtet sind; wobei jede der ersten Gitterlinienstrukturen (153) elektrisch mit den ersten Elektroden (121) verbunden ist und jede der zweiten Gitterlinienstrukturen (154) elektrisch mit den zweiten Elektroden (122) verbunden ist; und die ersten Gitterlinienstrukturen (153) und die zweiten Gitterlinienstrukturen (154) entlang der ersten Richtung (X) versetzt sind.
Photovoltaikmodul, das Folgendes umfasst: mindestens eine Zellenfolge, die jeweils eine Vielzahl von Solarzellen umfasst, wobei jede der Vielzahl von Solarzellen eine Solarzelle (20) nach einem der Ansprüche 1 bis 14 ist; mindestens eine Einkapselungsschicht (21), wobei jede Einkapselungsschicht von der mindestens einen Einkapselungsschicht dazu ausgestaltet ist, eine Oberfläche von jeder der mindestens einen Zellenfolge zu bedecken; und mindestens eine Abdeckplatte (22), wobei jede Abdeckplatte von der mindestens einen Abdeckplatte dazu ausgestaltet ist, eine Oberfläche einer entsprechenden Einkapselungsschicht (21) von der mindestens einen Einkapselungsschicht (21), die von der mindestens einen Zellenfolge abgewandt ist, zu bedecken.