TWI447393B - 反應晶片及其製造方法 - Google Patents

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TWI447393B TW097140765A TW97140765A TWI447393B TW I447393 B TWI447393 B TW I447393B TW 097140765 A TW097140765 A TW 097140765A TW 97140765 A TW97140765 A TW 97140765A TW I447393 B TWI447393 B TW I447393B
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Description

反應晶片及其製造方法
本發明係關於一種反應晶片及其製造方法。
本申請案係根據2007年10片26日於日本所提申之特願2007－279106號為基礎而主張優先權，並援用該等內容。
目前為止，作為例如DNA反應、蛋白質反應等之生化學反應的領域中處理微量試料溶液的反應裝置，已知有被稱為μ－TAS(Micro Total Analysis System，微全分析系統)以及Lab－on－Chip(實驗室晶片)的技術。此等技術中，於1個晶片(chip)或反應匣(cartridge)中設置複數個反應室以及流道。藉此，可進行複數個檢體的解析或反應。此等技術中，由於藉由晶片或反應匣的小型化而可使得操作的藥品少量化，因而具有各種優點。至於其優點，例如有時可藉由使強酸或強鹼等藥品之以往所使用的劑量微量化，而大幅減低對人體或環境的影響。此外，因減低於生化學反應所用之昂貴試藥的消耗量，所以可減低用於分析、反應所花費的成本。
為了將使用晶片或反應匣的生化學反應最有效率地進行，首先，於複數個反應地點分別配置不同種類的藥品或檢體、酵素等。然後，將可與此等發生反應的試藥，從一管至複數管之主導管流入至個別的反應地點。此種方式，有必要產生複數個不同反應。利用此方法，可藉相同試藥 同時處理複數種之檢體、或反過來對1種檢體同時施行複數之處理。藉由以上所述，可大幅減低以往所需的時間或手續。
以此種方法而言，已有揭示例如如下技術：使用具備有液體導入口、流道、液體排出口等之微流體晶片，將反應所需的試藥成分的一部分於流道內以凍結乾燥的方法固定成固體狀態，而剩餘之反應所需之試藥成分則以液體狀態運送，而於流道內使此等成分接觸而產生反應(參照專利文獻1)。此外，亦已揭示有裝填室、程序室(反應容器)、以及形成有流道之程序陣列(樹脂基材)與平板狀之金屬基材透過接著層來接合之試樣處理裝置(參照專利文獻2)。
[專利文獻1]日本特開2007－43998號公報[專利文獻2]日本特表2004－502164號公報
然而，使用專利文獻1所記載之晶片時，1次的送液只能進行1種反應。因此為了進行複數個反應，必須於晶片內形成複數個獨立流道，或於流道的中間設置閥體。也因此晶片有體型變大、構造變複雜、製造成本高漲等問題，故不實用。
關於此點，專利文獻2所記載之試樣處理裝置中設置有透過自1管主導管所分歧出之進料導管所連接的複數個程序室。因此，可對複數種的檢體利用相同試藥來進行處理等操作。此外，於專利文獻2中記載有貼合樹脂基材與 金屬基材來構成室之例。其中記載：當金屬基材側形成平坦的板狀時，其與熱塊等之密合性會上升，而適用於進行伴隨熱循環的反應等的情況。
進行生化學反應等時候，精密地控制反應溫度或溫度循環條件相當的重要。然而，專利文獻2的構成中，室的熱回應性並不充分，而有難以確實且短時間地進行所需的反應的問題。再者，於每一個個別的程序室中進行不同的反應等的時候，需要將流道封閉使個別的程序室成為密閉空間。此試樣處理裝置中，係將平坦的金屬基材擠入流道內使之變形，從而封閉流道。然而，該方法中流道的封閉會不完全，以此觀點而言亦難以進行所需的反應。
本發明係為了解決上述課題等所完成者，其目的在於提供一種反應晶片及其製造方法，係可具有小型而簡單的構造，並且價格便宜，特別是在於必須進行溫度調整的生化學反應等時候，可確實且短時間地進行所需的反應。
為了達成上述目的，本發明的特定態樣係提供以下的構成： (1)一種反應晶片，其具備：含有金屬材料且具有第1表面之第1基材、以及含有樹脂材料且具有第2表面之第2基材；上述第1表面與上述第2表面係以相對向的方式所接合；上述第1表面具有複數個第1凹部、與位於上述複數個第1凹部之間之溝部；上述第2表面具有位於與上述複數個第1凹部分別對 應的位置之複數個第2凹部；上述複數個第1凹部與上述複數個第2凹部具有形成為複數個反應容器的形狀；上述溝部具有形成為使得上述複數個反應容器間互通的流道的形狀。
此外，本發明的反應晶片亦可如以下的方式構成： (2)上述第2基材之至少上述第2凹部的底面具有透光性。
此外，本發明的反應晶片亦可如以下的方式構成： (3)上述第1基材與上述第2基材，係透過可熱熔接之接著層而連接著。
此外，本發明的反應晶片亦可如以下的方式構成： (4)於上述第1基材之上述第1表面，係設置有含有光吸收材料之層。
此外，本發明的反應晶片亦可如以下的方式構成： (5)上述第1基材，係含有包含鋁、銅、銀、鎳、黃銅、金之任一者的金屬材料。
此外，本發明的反應晶片亦可如以下的方式構成： (6)上述第1基材的厚度，係位於50μm~300μm的範圍。
此外，本發明的反應晶片亦可如以下的方式構成： (7)上述第2基材，係含有包含聚丙烯(polypropylene)、聚碳酸酯(polycarbonate)、丙烯酸(acrylic)之任一者的樹脂材料。
此外，本發明的反應晶片亦可如以下的方式構成： (8)上述第2基材的厚度，係位於50μm~3mm的範圍。
此外，為了達成上述目的，本發明的特定態樣係提供以下的構成： (9)一種反應晶片之製造方法，其特徵在於，具有以下步驟：於含有金屬之第1基材之第1表面，形成複數個第1凹部(構成複數個反應容器之個別的一部分)、與溝部(構成使得上述複數個反應容器互通的流道的一部分)的步驟；於含有樹脂之第2基材之第2表面，形成複數個第2凹部(構成上述複數個反應容器之個別的第2部分)的步驟；於上述第1凹部、上述第2凹部之任一者固定試藥的步驟；將上述第1表面與上述第2表面以相對向的方式接合，而形成上述複數個反應容器與上述流道的步驟；通過上述流道而於上述反應容器內填充液體試藥的步驟；藉由將上述第1基材的溝部塑性變形來封閉上述流道，從而密封上述複數個反應容器的步驟。
此外，本發明的反應晶片亦可如以下的方式進行： (10)上述第1表面，係具備含有光吸收材料之層與可熱熔接之接著層；上述第2基材，係含有具有透光性之樹脂材料；上述第1表面與上述第2表面以相對向接合的方式配 置之後，藉由從上述第2基材側照射雷射光來使上述第1基材與上述第2基材接合。
此外，本發明的製造方法亦可如以下的方式進行： (11)將上述第1凹部以及溝部藉由加壓加工(press process)或擠壓加工(squeezing process)來成形。
根據本發明之特定態樣之反應晶片，可實現簡單構成而小型、便宜的反應晶片。此外，其可使用複數個反應容器而對複數種檢體以相同試藥做處理、亦可對1種檢體施行複數之處理。
此外，第1基材的凹部與第2基材的凹部相互組合而構成反應容器。藉由適當設定雙方凹部的容積可充分確保反應容器的容量。此外，可提高反應容器的容量或形狀等設計之自由度。此外，與使用平坦的金屬板之以往的晶片(專利文獻2的試樣處理容器)相比，由於在金屬製的第1基材亦有設置凹部，使得反應容器的總表面積中所佔有的金屬部分的表面積的比例會很大。因此，反應容器總體的熱傳導率會提升，熱回應性亦會提升。其結果，可精密地抑制反應溫度或溫度循環條件，從而可確實且短時間地進行所需的反應。再者，於封閉流道而將各反應容器加以密閉時，可藉由例如施加機械的外力而使第1基材的溝部塑性變形而封閉流道。因此，流道的封閉可確實且簡單地進行，從而得到所需的反應。
此外，若第2基材的構成為：至少凹部的底面具有透光性者，則於產生試藥反應之際例如對螢光反應等加以檢 測、測定時，可直接於反應物填充於反應晶片的狀態下加以檢測、測定。因此，不僅可減輕操作的手續以及時間，更可防止PCR產物帶來的污染，從而使作業性更為優良。
此外，若第1基材與第2基材的構成為：透過可熱熔接之接著層而連接者，則可藉由給予光或熱等之能量線而使第1基材與第2基材更簡單且牢固地固定。
此外，若第1基材的構成為：於其1面設置有含有光吸收材料之層，則於第2基材側進行上述螢光反應等之檢測或測定時，可抑制第1基材表面的不規則反射，而可進行正確的檢測或測定。再者，若於構成第2基材的樹脂材料具有透光性，且於第1基材與第2基材之間透過可熱熔接之接著層時，若自第2基材側照射雷射光，則其雷射光會被第1基材所吸收而轉變為熱能，而藉熱熔接可使得第1基材與第2基材接合。亦即，可利用雷射光照射之簡便方法來進行第1基材與第2基材的接合作業。
此外，若於第1基材中使用包含鋁、銅、銀、鎳、黃銅、金之任一者的金屬材料時，則可製作具優良熱傳導率的第1基材。
此外，若第1基材的厚度位於50μm~300μm的範圍時，則第1基材的加工性與熱傳導性兩者可被同時滿足。其理由在於，若第1基材的厚度低於50μm，則難以利用加壓成形、擠壓加工等簡便的方法來形成凹部與溝部，且無法得到強度，另一方面，若第1基材的厚度大於300μm，則熱容量會變大，而使得熱回應性降低。
此外，若第2基材使用包含聚丙烯、聚碳酸酯、丙烯酸之任一者的樹脂材料時，則可確保良好的透光性、耐熱性、以及強度。
此外，若第2基材的厚度位於50μm~3mm的範圍時，則可確保良好的透光性、耐熱性、以及強度，且可確實地進行凹部的加工。另外，第2基材可利用射出成形、真空成形等方法製作。
依據本發明之特定態樣之反應晶片的製造方法，可製造出小型而構成簡單、便宜的反應晶片。此外，因可藉由例如施加機械的外力而使第1基材的溝部塑性變形而封閉流道，所以可確實且簡單地進行流道的封閉。
此外，若第1基材的構成為：於其1面設置有含有光吸收材料之層、與可熱熔接之接著層，且第2基材的構成為：使用具有透光性之樹脂材料；而於第1基材的一面與第2基材的一面以相對向的方式重合之後，藉由從第2基材側照射雷射光而使第1基材與第2基材接合，則可利用雷射光照射之簡便方法來進行第1基材與第2基材的接合作業。
此外，對第1基材的凹部以及溝部藉由加壓加工或擠壓加工來成形時，於形成第1基材的凹部以及溝部的面的相反側的面會反過來形成凸部。藉此，第1基材的凹部．溝部形成面與相反側的面其表面積皆會變大，從而可提高從外部加熱、冷卻反應晶片時的導熱效率。
以下，對本發明之特定實施形態參照圖1~圖6來加以說明。
本實施形態以單一核酸多型性(Single Nucleotide Polymorphism site)鑑定解析用反應晶片的例子來表示。
圖1係本實施形態的反應晶片的立體圖。圖2係構成反應晶片的樹脂基材(第2基材)的俯視圖。圖3係構成反應晶片的金屬基材(第1基材)的俯視圖。圖4係沿著圖1之A－A’線的截面圖。圖5係沿著圖1之B－B’線的截面圖。圖6係表示反應晶片的流道的一部分被封閉後之狀態的截面圖。另外，以下為了說明的方便，對於將螢光反應加以檢測、測定時位於上側的樹脂基材側當作「上側」，而，位於下側的金屬基材側當作「下側」。
本實施形態之反應晶片1如圖1所示，為平面狀長、寬皆為數十mm左右的長方形，厚度為數mm左右。反應晶片1係包含樹脂基材2(第2基材)、與嵌入樹脂基材2的下面側的金屬基材3(第1基材)。本實施形態之反應晶片1的最大特徵為：於樹脂基材2上形成有構成反應容器4的凹部，於金屬基材3上形成有構成反應容器4的凹部與構成流道5的溝部。
樹脂基材2以作為鑑定解析用晶片基材而言，需具備優越的透光性、耐熱性、以及強度，可使用例如厚度為50μm~3mm左右的聚丙烯板材。其他方面，亦可使用聚碳酸酯、丙烯酸等之樹脂材料。樹脂基材2的下面，如圖2所示， 形成有構成反應容器4的一部分的複數個(於本實施形態為36個、6行、6列)凹部6。此等凹部6並無互相連通，而是各自獨立。凹部6的截面形狀如圖4、圖5等所示，靠近樹脂基材2的下面側為圓柱狀、離下面較遠的側為截圓錐狀。
此外，樹脂基材2的上面(與形成有凹部6的面相反側的面)的一端，如圖1、圖2所示，設置有複數個(於本實施形態為3個)液體試藥注入口7。液體試藥注入口7如圖5所示，係與貫通樹脂基材2的頂板部2之貫通孔2b相通，而於上方形成突出之圓筒狀。液體試藥注入口7的側面，如圖1、圖2所示，設置有微小的貫通孔8，而於貫通孔8內填充有濾器(圖示省略)。濾器可以達成在液體試藥流動之際之通氣的功用，而使液體試藥得以順利地流動。另一方面，濾器亦具有於經流道流過來之液體試藥到達貫通孔8時將液體試藥擋止，使之不流出於外部的功能。樹脂基材2的頂板部2a的邊緣，如圖4、圖5所示，設置有自頂板部2a朝下方垂下之框體部2c。金屬基材3係以嵌入的方式固定於框體部2c的內側。
金屬基材3可使用例如厚0.1mm(100μm)左右的鋁片。於該鋁片的僅其中一面被施行樹脂塗佈。
金屬基材3的厚度較佳為50μm~300μm左右較佳。樹脂塗佈層9(接著層)係以融點130℃左右的聚丙烯作為主材料，為可熱熔接金屬基材3與樹脂基材2的接著層。樹脂塗佈層9的厚度為0.07mm左右。至於金屬基材3的材料，除了鋁之外亦可使用銅、銀、鎳、黃銅、金等。此等皆為 熱傳導率較高的金屬。無論如何，因於金屬基材3的表面會形成樹脂塗佈層9，所以於選定材料時亦可不用考慮金屬基材本身的耐藥品性。
此外，於鋁片上形成樹脂塗佈層9時，形成有底塗層(未圖示)來作為樹脂塗佈層9之基底。底塗層係混練有碳黑(光吸收性材料)。另一方面，由於樹脂塗佈層9為透明物質，所以所形成之鋁片之樹脂塗佈層9的側的外觀為黑色。或者於樹脂塗佈層9添加碳黑、或將樹脂塗佈層9的表面塗裝成黑色，來取代於底塗層添加碳黑的方法。
於金屬基材3的上面形成有構成反應容器4的一部分的複數個(於本實施形態為36個)凹部11。此等凹部11係於金屬基材3與樹脂基材2位置對齊後於樹脂基材2的凹部6對應的位置所形成者。凹部11的截面形狀係與樹脂基材2的凹部6的截面形狀不同，如圖4、圖5所示，為接近半球狀。
此外，於複數的凹部11之間形成有構成流道5的一部分的溝部12。
本實施形態之反應晶片1如圖1、圖3所示，具有3組的流道5。於1組的流道5中有12個凹部11(反應容器4)串聯相通。此外，於各液體試藥注入口7所對應的位置形成有少數的凹部13。凹部13與凹部11之間亦形成有溝部12。因此，從各液體試藥注入口7所注入的液體試藥，會流經流道5，依順序填充完6個反應容器4後，再折返經流道5依順序填充剩下的6個反應容器4，然後被擋止於貫通 孔8的濾器。
以下，依照本發明者等人實際上所進行的步驟，針對本實施形態之反應晶片的製造方法來加以說明。
於鋁片的單面上依順序形成底塗層、樹脂塗佈層9，來製作基材片。之後，對基材片施行加壓加工或擠壓加工，以形成複數個凹部11與溝部12。本實施形態中，並非以較厚的鋁板加以施行研磨加工或蝕刻來形成凹部11，而是以較薄的鋁板進行加壓加工或擠壓加工來形成凹部11。因此，可製作出內面側極為平坦，且可反映表面側凹部的形狀而於內面側形成有凸部的金屬基材3。
另一方面，藉由射出成形、真空成形等方法，製作出具有複數個凹部6的樹脂基材2。
接著，如圖4、圖5所示，於樹脂基材2之複數個凹部6內固定不同種類的SNPs探針，並以吸量管滴加酵素。然後，將樹脂基材2利用離心裝置以2500rpm、15分鐘左右來離心，使液面成為平坦的狀態然後乾燥。此外，將蠟W(wax W)於加熱器上加以融熔，再使用吸量管將其滴加於已乾燥之試藥類S來加以包覆。此時蠟W數秒內就會固化。蠟W可達成以下效果：將試藥類S固定於樹脂基材2的凹部6內、以及防止接觸液體試藥L時立即的混合。
接著，將固定有試藥類S的樹脂基材2與金屬基材3，使相互之凹部6、11所形成的面以彼此對向的方式互相重合，並對金屬基材3給予熱能直至溫度達到130℃以上。如此一來，金屬基材3的表面的樹脂底塗層9會熔融，而將 樹脂基材2與金屬基材3加以熔接。利用以上的步驟完成具備有複數個反應容器4與流道5的晶片。
本實施形態中，作為將樹脂基材2與金屬基材3加以貼合的方法，可使用利用已加熱的金屬塊來加熱貼合部，亦即所謂熱封(heat sealing)的方法。或者，於金屬基材3之與樹脂基材2接合那一面形成有含有碳黑之底塗層時，於金屬基材3照光時光的吸收會較好。因此，藉由照射例如波長900nm左右之紅外光光電二極體雷射，會使樹脂底塗層9有效率地熔融。此方法亦可貼合樹脂基材2與金屬基材3。
接著，如圖4、圖5所示，於完成之晶片之各反應容器4送入檢體之經稀釋後萃取之基因或PCR產物、用以進行侵入者反應(註冊商標)之反應液試藥等之液體試藥L。
送液後，將具有複數個突起的鋁塊，以其各突起抵壓於流道5的中間(金屬基材3的溝部12的內側)的方式將位置對齊，然後藉由步進馬達驅動之滾珠螺桿對每1處以4Kgf左右的力量擠壓。接著，如圖6所示，金屬基材3的溝部12會塑性變形，而使得連通各反應容器4之間的流道5封閉。於此同時，藉由預先將鋁塊加熱到130℃以上，使得於塑性變形處之金屬基材3與樹脂基材2會因樹脂塗佈層9而熔接。然後，各反應容器4會成為完全被隔離之密閉空間。
如此一來，若將不同種類的試藥類S固定於反應晶片1的各反應容器4上，則可於1個反應晶片的內部同時進行 多種類的SNPs的鑑定反應。
另外，針對各反應容器4加以隔離的方法，亦可使用上述方法以外的方法。例如亦可於銲槍的前端用螺絲固定鋁塊，於130℃以上之加熱狀態將每一處以手工的方式熔壓溝部12。
然後，於各反應容器4成為獨立狀態後將反應晶片1的溫度控制在既定的溫度(蠟W的融點以上)。接著，被固定之蠟W會熔解，於反應容器4的內部SNPs探針、酵素會混合，而於反應容器4開始個別的反應。而至於反應晶片1的溫度控制方法，亦可於金屬基材3側配置由電熱線等所構成之加熱器或帕耳帖元件(peltier device)。
此時，因聚丙烯製的樹脂基材2為透明，所以反應時的螢光檢測可於樹脂基材2側的外部進行。
本實施形態的反應晶片1係具備如下構成：包含具有複數個凹部11與溝部12的金屬基材3、與具有複數個凹部6的樹脂基材2。因此，可實現構成簡單、便宜的反應晶片。此外，各反應容器4的大致一半係由金屬基材3(鋁)所構成。因此，反應容器4具有優良的熱回應性。因此，藉由使用加熱器或帕耳帖元件等而於金屬基材3側進行溫度控制，可於短時間內進行PCR等之反應。
此外，透過透明樹脂基材2可見到於金屬基材3的表面存在有包含碳黑之層。因此，從樹脂基材2側進行螢光檢測時可抑制激發光的不規則反射，而可進行高精度的檢測。相對於此，於金屬基材3的底塗層未添加碳黑所製作 出的反應晶片，被確認會因來自金屬基材3的反射造成檢測值不穩定。再者，於本實施形態中雖使用鋁作為金屬基材3、使用聚丙烯作為樹脂基材2，但使用基材可配合反應的材料來選定。如此一來，可更簡單、且短時間地進行效率良好的反應步驟。
另外，本發明之技術範圍並不限定於上述實施形態，可於未脫離本發明主旨之範圍內加入各種變更。例如於上述實施形態中，構成流道之溝部雖僅以金屬基材所形成，但亦可視液體試藥的容量等情況而於樹脂基材側形成溝部，亦可於金屬基材與樹脂基材的雙方構成流道。
此外，上述實施形態中所例舉之反應容器或流道的形狀、數量、配置、各基材的材料、尺寸、一系列的製造過程中所用的各種手法等具體的構成，僅為其中一例，而可適當地進行各種變更。
產業上可利用性
根據本發明之反應晶片，可實現簡單構成而小型、便宜的反應晶片。此外，其可使用複數個反應容器而對複數種檢體以相同試藥做處理、亦可對1種檢體施行複數之處理。
1‧‧‧反應晶片
2‧‧‧樹脂基材(第2基材)
3‧‧‧金屬基材(第1基材)
4‧‧‧反應容器
5‧‧‧流道
6‧‧‧(樹脂基材之)凹部
9‧‧‧樹脂塗佈層(接著層)
11‧‧‧(金屬基材之)凹部
12‧‧‧溝部
S‧‧‧試藥類
L‧‧‧液體試藥
圖1係本發明之特定實施形態的反應晶片的立體圖。
圖2係構成上述反應晶片的樹脂基材的俯視圖。
圖3係構成上述反應晶片的金屬基材的俯視圖。
圖4係沿著圖1之A－A’線的截面圖。
圖5係沿著圖1之B－B’線的截面圖。
圖6係表示上述反應晶片的流道的一部分被封閉後之狀態的截面圖。
1‧‧‧反應晶片
2‧‧‧樹脂基材(第2基材)
3‧‧‧金屬基材(第1基材)
4‧‧‧反應容器
5‧‧‧流道
7‧‧‧液體試藥注入口
8‧‧‧貫通孔

Claims (9)

  1. 一種反應晶片，其具備：含有金屬材料且具有第1表面之第1基材、以及含有樹脂材料且具有第2表面之第2基材；該第1表面與該第2表面係以相對向的方式所接合；該第1表面具有複數個第1凹部、與位於該複數個第1凹部之間之溝部；該第2表面具有位於與該複數個第1凹部分別對應的位置之複數個第2凹部；該複數個第1凹部與該複數個第2凹部具有形成為複數個反應容器的形狀；該溝部具有形成為使得該複數個反應容器間互通的流道的形狀；該第1基材之該第1表面設置有含有光吸收材料之層。
  2. 如申請專利範圍第1項之反應晶片，其中該第2基材之至少該第2凹部的底面具有透光性。
  3. 如申請專利範圍第1項之反應晶片，其中該第1基材與該第2基材，係透過可熱熔接之接.著層而連接著。
  4. 如申請專利範圍第1項之反應晶片，其中該第1基材，係含有包含鋁、銅、銀、鎳、黃銅、金之任一者的金屬材料。
  5. 如申請專利範圍第1項之反應晶片，其中該第1基材的厚度，係位於50μm~300μm的範圍。
  6. 如申請專利範圍第1項之反應晶片，其中該第2基 材，係含有包含聚丙烯、聚碳酸酯、丙烯酸之任一者的樹脂材料。
  7. 如申請專利範圍第1項之反應晶片，其中該第2基材的厚度，係位於50μm~3mm的範圍。
  8. 一種反應晶片之製造方法，其特徵在於，具有以下步驟：於含有金屬之第1基材之第1表面，形成複數個第1凹部(構成複數個反應容器之個別的一部分)、與溝部(構成使得該複數個反應容器互通的流道的一部分)的步驟；於含有樹脂之第2基材之第2表面，形成複數個第2凹部(構成該複數個反應容器之個別的第2部分)的步驟；於該第1凹部、該第2凹部之任一者固定試藥的步驟；將該第1表面與該第2表面以相對向的方式接合，而形成該複數個反應容器與該流道的步驟；通過該流道而於該反應容器內填充液體試藥的步驟；藉由將該第1基材的溝部塑性變形來封閉該流道，從而密封該複數個反應容器的步驟；該第1表面具備含有光吸收材料之層與可熱熔接之接著層；該第2基材含有具有透光性之樹脂材料；該第1表面與該第2表面以相對向接合的方式配置之後，藉由從該第2基材側照射雷射光來使該第1基材與該第2基材接合。
  9. 如申請專利範圍第8項之反應晶片之製造方法，其中 將該第1凹部以及溝部藉由加壓加工或擠壓加工來成形。
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