TWI442815B - Organic thin film transistor substrate and manufacturing method thereof, and image display panel and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

有機薄膜電晶體基板及其製造方法、以及圖像顯示面板及其製造方法
本發明係關於有機薄膜電晶體基板及其製造方法、及、圖像顯示面板及其製造方法。
使用作為顯示器的圖像顯示面板，通常，具有配置複數含有發光元件及電晶體元件之單位畫素的構造。於此類圖像顯示面板中，於各個畫素中經由電晶體元件而控制發光元件的發光，並且依此顯示出圖像。
以往，於圖像顯示面板中，電晶體元件多使用利用由a-Si(無結晶矽)和p-Si(多晶矽)所構成之無機半導體薄膜的薄膜電晶體(TFT)。但是，仗用無機半導體薄膜之TFT的製造上，通常，由於必須以具有龐大之真空處理裝置設備和高溫處理設備的裝置，故製造費用有變之傾向。特別，近年來，隨著發展顯示器的大畫面化，故製造費用顯著增大。
於是，近年來，對於圖像顯示面板，已檢討應用使用有機半導體薄膜代替無機半導體薄膜的薄膜電晶體(有機薄膜電晶體)。有機薄膜電晶體由於可在較低溫之過程中形成有機半導體薄膜，故可簡化製造步驟，可圖謀減低製造費用。又，由於亦可適用於經由低溫過程化之熱性較弱的樹脂基板。故亦可圖謀圖像顯示面板全體的輕量化等。更且，若使用具有柔軟性之樹脂基板則亦可取得可撓性面 板。又，有機半導體薄膜亦可在大氣壓下，根據印刷和塗佈之濕式塗敷進行製造。此時，可在極良好之生產性且低費用下製造圖像顯示面板。
然而，如上述之圖像顯示面板，一般為於形成電晶體元件後，形成發光元件則可製造。此類製造方法時，於各畫素中，多於發光元件之形成區域的外周部形成所謂隔壁之絕緣層。此隔壁為防止發光元件所具有之電極間的短路，並且用以隔開發光元件而設置。又，此隔壁，例如於形成有機ELM元件作為發光元件之情形中，根據濕式塗敷形成高分子材料所構成之發光層時，亦具有作用為將材料溶液停留隔開於指定區域內的機能。此類隔壁由聚醯亞胺和先等所構成，但因為以面板的構造物型式殘留，故選擇機械強度和耐熱性優良之材料所構成者。
作為具有隔壁之圖像顯示面板，例如，於各畫素具有含有薄膜電晶體之控制導通電路及薄膜發光元件，且薄膜發光元件之有機半導體膜旳形成區域為經由比有機半導體膜更厚之絕緣膜加以區隔，並且絕緣膜為由無機材料所形成之下層側絕緣膜和有機材料所形成之上層側絕緣膜所構成的主動矩陣型顯示裝置為已知(參照專利文獻1)。於此類顯示裝置中，絕緣膜作用為隔壁的機能。具有上述構成的絕緣膜為示出可在不損傷薄膜發光元件下形成厚膜。
專利文獻1：國際公開第98/10862號公報
但是，形成如上述之隔壁時，因為必須另外用以形成隔壁的步驟，故此類圖像顯示面板的製造步驟變得複數。特別，於如上述先前技術形成多數層所構成之隔壁(絕緣膜)時，因為形成隔壁所用之步驟增加，故製造步驟有日漸複雜之傾向。因此，即使應用有機薄膜電晶體作為電晶體元件以圖謀製造步驟的簡便化、低費用化，很多亦因形成隔壁之步驟令其效果無法充分取得。又，使用於有機薄膜電晶體的有機半導體薄膜，若相比於無機半導體薄膜，則強度和耐熱性等不夠充分，故由抑制對於有機半導體薄膜損傷之觀點而言，則期望儘可能減少形成隔壁所需之步驟。
於是，本發明為鑑於此類情事而完成者，係為具有有機薄膜電晶體作為電晶體元件之有機薄膜電晶體基板的製造方法，以提供可以較少之步驟形成隔壁之製造方法為其目的。又，本發明為以提供根據此類製造方法所得之有機薄膜電晶體基板，使用此類有機電晶體基板之圖像顯示面板及其製造方法為其目的。
為了達成上述目的，本發明之有機薄膜電晶體之製造方法，係於基板上的第1區域形成有機薄膜電晶體，並具有鄰接此第1區域用以形成發光元件的第2區域，於第2區域的周邊部形成隔壁之有機薄膜電晶體基板的製造方法 ，其特徵為具有於基板上之第1區域，形成至少具備閘極、閘極絕緣層、於此閘極絕緣層之閘極反側所形成的源極及汲極、及形成於閘極絕緣層之閘極反側且連接於源極及汲極兩者之有機半導體層的有機薄膜電晶體，並且直至第2區域為止形成閘極絕緣層及有機半導體層中的至少一者，於第2區域形成由該區域上形成之層合構造所構成之隔壁前驅體層的第1步驟，和選擇性除去隔壁前驅體層之周邊部以外之區域，形成由殘存之隔壁前驅體層所構成之隔壁部的第2步驟。
於上述本發明之製造方法中，由於形成有機薄膜電晶體，並且將其一部分構造之閘極絕緣層或有機半導體層形成至隔壁部的形成區域為止，並將此些層應用於隔壁的至少一部分，故可省略一部分或全部用以形成隔壁部的步驟。其結果，可簡便製造有機薄膜電晶體基板，且可減低製造費用。有機薄膜電晶體中的閘極絕緣層及有機半導體層於通常之條件下可作用為絕緣物，故含有此等層的隔壁部具有隔開發光區域等充分的絕緣性。
又，於上述本發明之有機薄膜電晶體基板的製造方法中，於第1步驟中，於基板上之第1區域形成閘極，並於基板上之第1區域及第2區域形成覆蓋發光元件的閘極絕緣層，於第1區域之閘極絕緣層上形成源極及汲極，並於第1及第2區域之閘極絕緣層上，形成覆蓋源極及汲極的有機半導體層，於包含第1區域和第2區域之周邊部區域的有機半導體層上形成光罩層，且於第2步驟中，經由進 行蝕刻選擇性除去光罩層未覆蓋區域的隔壁前驅體層為佳。
若根據此類製造方法，則可取得下側配置閘極之底部閘型的有機薄膜電晶體。又，可形成此類有機薄膜電晶體，同時可形成包含閘極絕緣層、有機半導體層及光罩層之充分高度的隔壁部。此隔壁部由於本身具有作為隔壁的充分特性，故若根據上述之製造方法，則不需要另外用以形成隔壁之步驟，可進一步圖謀製造步驟的簡略化。又，經由使用光罩進行蝕刻，則亦可以良好精細度形成用以形成發光元件的區域。
此類製造方法之情形，於第1步驟中，至少在形成閘極絕緣層前，於基板上的第2區域形成發光元件用之下部電極，於形成閘極絕緣層後，於該閘極絕緣層的一部分設置開口，於閘極形成時或形成後，經由上述開口令汲極與下部電極接續，並於第2步驟中，將第2區域之下部電極上所形成的隔壁前驅體層選擇性除去為佳。
若為如此處理，則可製造有機薄膜電晶體並且形成發光元件用之下部電極，並且可再進行此下部電極與汲極的接續。其結果，可取得除了有機薄膜電晶體，亦具備發光元件用之下部電極的有機薄膜電晶體基板。若根據此類有機薄膜電晶體基板，僅於下部電極上層合發光層和所謂上部電極之發光元件之構造即可作成圖像顯示面板，相比於完全另外形成有機薄膜電晶體和發光元件之情形，可簡化製造步驟。
更且，於上述第1步驟中，於有機半導體層與感光性樹脂層之間形成保護層為佳。若如此處理，則有機半導體層被保護層所保護，取得具有更優良之耐久性的有機薄膜電晶體基板。又，此類保護層亦成為構成隔壁的一部分，由隔壁部更加提高絕緣性等之機能。
又，於上述第1步驟中，於基板上之第1區域形成源極及汲極，並於基板上之第1及第2區域，形成覆蓋源極及汲極的有機半導體層，於第1及第2區域之有機半導體層上形成閘極絕緣層，並於第1區域之閘極絕緣層上形成閘極，於包含第1區域和第2區域之周邊部區域的閘極絕緣層上，形成覆蓋閘極的光罩層，且於第2步驟中，經由進行蝕刻選擇性除去光罩層未覆蓋區域的隔壁前驅體層亦可。
若根據此類製造方法，則可形成上側具備閘極之頂部閘型的有機薄膜電晶體。又，可形成此類有機薄膜電晶體，同時可形成包含有機半導體層、閘極絕緣層及感光性樹脂層之充分高度的隔壁部。其結果，同上述，可省略用以形成隔壁的步驟且可圖謀製造步驟的簡略化，並且經由使用光罩之蝕刻，則可以良好精細度形成隔壁部。
於此類製造方法中，亦於第1步驟中，至少在形成有機半導體層，於基板上的第2區域形成發光元件用之下部電極，並於汲極形成時或形成後，令汲極與下部電極接續，並於第2步驟中，將第2區域之下部電極上所形成的隔壁前驅體層選擇性除去為佳。若如此處理，則可形成有機 薄膜電晶體及發光元件用之下部電極，若使用此類有機薄膜電晶體基板，則可更加簡化圖像顯示面板的製造步驟。
於此類製造方法中，於第1步驟中，在閘極絕緣層與感光性樹脂層之間形成保護層為佳。如此，閘極絕緣層的上方被保護層覆蓋，取得耐久性更優良之有機薄膜電晶體，並且經由含有保護層則可取得特性更優良的隔壁部。
又，本發明之有機薄膜電晶體基板為根據上述本發明之製造方法而良好取得者，係於基板上的第1區域形成有機薄膜電晶體，並於鄰接此第1區域具有用以形成發光元件的第2區域，其特徵為有機薄膜電晶體為至少具備閘極、閘極絕緣層、於此閘極絕緣層之閘極反側所形成的源極及汲極、及形成於閘極絕緣層之閘極反側且連接於源極及汲極兩者之有機半導體層，隔壁部為包含由閘極絕緣層及有機半導體層中之至少一層相同材料所構成之層。
具有此類構造之有機薄膜電晶體基板，由於隔壁部為包含由有機薄膜電晶體所具有之閘極絕緣層及有機半導體層中之至少一層相同材料所構成之層，故經由同時形成有機薄膜電晶體及隔壁部中之此等層即可形成隔壁部，因此即使具有隔壁部亦可簡便地製造。又，閘極絕緣層及有機半導體層通常具有充分的絕緣性，故本發明之有機薄膜電晶體基板為具有充分作為隔壁的隔壁部。
於上述本發明之有機薄膜電晶體基板中，隔壁部為包含與閘極絕緣層相同材料所構成之層、及、與有機半導體層相同材料所構成之層兩者為佳。此類隔壁部由於本身具 有作為隔壁之充分高度，故具有此類隔壁部之本發明的有機薄膜電晶體，並不需要另外用以形成隔壁部的步驟，亦可更加容易製造。
更且，於本發明之有機薄膜電晶體基板中，於基板上的第2區域，形成發光元件用之下部電極為佳。若根據具備如此為首之發光元件用之下部電極的有機薄膜電晶體基板，僅在此下部電極上層合發光層和上部電極等之發光元件用之構造即可取得圖像顯示面板，可簡便進行圖像顯示面板的製造。
更且，根據本發明之圖像顯示面板的製造方法，係為包含上述本發明之有機薄膜電晶體基板之製造方法的方法，為具有基板、和此基板上之第1區域所形成的有機薄膜電晶體、和鄰接基板上之第1區域的第2區域所形成的發光元件、和於基板上之第2區域周邊部以圍住發光元件般所形成之隔壁部的圖像顯示面板的製造方法，其特徵為具有於基板上之第1區域，形成至少具備閘極、閘極絕緣層，於此閘極絕緣層之閘極反側所形成的源極及汲極、及形成於閘極絕緣層之閘極反側且連接於源極及汲極兩者之有機半導體層的有機薄膜電晶體，並且於基板上之第2區域形成發光元件用之下部電極後，直至第2區域為止形成閘極絕緣層及有機半導體中之至少一層，形成於第2區域之下部電極上所形成之層合構造所構成之隔壁前驅體層的第1步驟，和選擇性除去隔壁前驅體層之上述周邊部以外之區域，形成由殘存之隔壁前驅體層所構成之隔壁部並取得 有機薄膜電晶體基板的第2步驟，和於上述下部電極上之隔壁部被圍住的區域中，依序形成發光層及發光元件用之上部電極並且形成發光元件的第3步驟。
此圖像顯示面板之製造方法為包含上述本發明之有機薄膜電晶體基板的製造方法。因此，可以有機薄膜電晶體之相同步驟形成隔壁部，並且於如此所得之有機薄膜電晶體基板，層合發光層及上部電極即可取得圖像顯示面板，故比先前可減少製造步驟，可在更簡便且更低費用下製造圖像顯示面板。
更且，本發明之圖像顯示面板為具有基板、和於此基板上之第1區域所形成的有機薄膜電晶體，和於鄰接基板上之第1區域的第2區域所形成的發光元件，和於基板上之第2區域周邊部以圍住發光元件般所形成之隔壁部的圖像顯示面板，其特徵為有機薄膜電晶體為至少具備閘極、閘極絕緣層、於此閘極絕緣層之閘極反側所形成的源極及汲極、及、連接於閘極絕緣層之閘極反側所形成的源極及汲極兩者之有機半導體層，隔壁部為包含由閘極絕緣層及有機半導體層中之至少一層相同材料所構成之層。具有此類構成的圖像顯示面板，可根據上述本發明之製造方法良好製造，可簡便且低費用下製造。
若根據本發明，則可根據具有有機薄膜電晶體作為電晶體元件之有機薄膜電晶體基板的製造方法，可在更少步 驟進行形成隔壁的製造方法。又，若根據本發明，可提供以此類製造方法所得之有機薄膜電晶體基板，使用此有機薄膜電晶體基板令製造步驟簡便化及低費用化之圖像顯示面板及其製造方法。
以下，參照圖面詳細說明本發明之較佳的實施形態。於圖面之說明中，對於同一要素加以同一符號，並且省略重複說明。又，說明中，上下左右等之位置關係均為根據圖面的位置關係。
[第1實施形態]
圖1～圖4為示出第1實施形態之圖像顯示面板的製造步驟圖。以下之說明中，進行說明關於形成基板側具有閘極之底部閘極型的有機薄膜電晶體、及形成有機電致發光(EL)元件作為發光元件之例。
首先，準備具有第1區域S1 及第2區域S2 之基板1，並於此基板1上之第2區域S2 形成發光元件30用之陽極(下部電極)31。具體而言，例如，於基板1上之第1區域S1 及第2區域S2 層合用以形成陽極31的導電膜31a後，於第2區域S2 之導電膜31a上形成光阻膜4a(圖1(a))。其次，以光阻膜4a作為光罩，將未形成此光阻膜4a之區域的導電膜31a由蝕刻等除去(圖1(b))。其後，除去光阻膜4a，令基板1上之第2區域S2 形成發 光元件30用之陽極31(圖1(c))。另外，基板1之第1區域S1 及第2區域S2 ，並非經由特定的邊界予以明確區隔的區域，而是為便於區別基板1上形成有機薄膜電晶體的區域和形成發光元件的區域而來。
此處，基板1以玻璃基板或塑膠基板為合適。塑膠基板可列舉例如，PEN(聚萘甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、TAC(三乙醯纖維素)、PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、PES(聚乙烯碸)等之公知材料所構成。另外，於形成頂部發射型之有機EL元件作為後述之發光元件30之情形中，基板1以不透光性者為佳，例如，可應用不鏽鋼基板、單結晶性半導體基板等。
圖示之基板1為由單一層所構成，但非限定於此，例如，亦可使用於上述材料所構成之基板上再形成絕緣性膜的基板。其可有效提高基板1與上方所形成元件之間的絕緣性，於作為底層之基板表面粗度大時可有效令平坦性良好，又，於步驟中有效保護基板1表面受到處理藥液和電漿氣體而變質。
此類絕緣膜可適當使用SiO2 、Si3 N4 、Ta2 O5 、Al2 O3 、氮化氧化矽、氮化氧化鋁、聚對二甲苯(poly-para-xylylene)、聚醯亞胺(PI)、PVP(聚-4-乙烯基酚)、聚乙烯醇(PVA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、苯并環丁烯(BCB)、氰乙基普魯蘭多糖、TEOS、SOG (Spin-on-Glass)等所構成之膜。
於基板上形成絕緣膜的方法可選擇使用電漿CVD法 、濺鍍法、對向標的濺鍍法、旋塗法、狹縫塗層法、Cat-CVD法、LPCVD法等公知方法。基板為金屬基板之情形中，令基板表面氧化或氮化形成絕緣膜亦可。更且，於基板上暫時形成金屬膜和單元素半導體膜後，令膜表面氧化或氮化形成絕緣膜亦可。氧化或氮化之方法，可例示將基板曝露於含有O元素或N元素的電漿氣體氛圍中，或以含有O元素或N元素的氛圍進行熱處理的方法。另外，絕緣膜並非必要為單層膜，亦可經由異種之膜所構成的多層層合膜。
陽極31為例如由導電度高的金屬氧化物、金屬硫化物或金屬之薄膜所構成。其中，以光穿透率高者為適當。具體而言，使用氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ITO、IZO或金、鉑、銀、銅等，且以ITO、氧化鋅、IZO為特佳。此類陽極31的成膜方法可應用電阻加熱蒸鍍法、EB蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、鍍敷法、CVD法等公知方法。又，陽極31亦可應用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等之有機的透明導電膜。陽極31的膜厚可考慮光的穿透性和導電度而適當選擇，例如為10nm~1μm為佳，以50nm~500nm為更佳。
於基板1上之第2區域形成陽極31時，根據公知的光微影法形成光阻膜4a，並以公知的蝕刻等將導電膜31a圖型化。例如，陽極31為ITO時，於ITO所構成之導電膜31a上形成光阻所構成的光阻膜4a後，以鹽酸和氯化鐵作為主成分的混合溶液予以蝕刻後，剝離光阻膜4a即 可。
於圖像顯示面板10的製造中，其次，於基板1上之第1區域S1 及第2區域S2 形成作為閘極21的導電膜21a後，於此導電膜21a上之所欲區域形成光阻膜4b(圖1(d))。接著，以光阻膜4b作為光罩並以蝕刻等除去導電膜21a(圖1(e))。其後，除去光阻膜4b，則可於基板1上的第1區域形成閘極21，並且形成用以進行陽極31與後述之汲極24b接續的端子21b(圖1(f))。此端子21b為以至少一個端部與陽極31重疊般在第1區域與第2區域的邊界附近形成。
閘極21及端子21b可列舉由導電度高之金屬、金屬氧化物、金屬硫化物等之薄膜所構成者。具體而言，以Cr、Mo、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Ti、Ta、Ni、W、Si、In、Ga之金屬或彼等作為主成分之合金等所構成者為適當。又，ITO、IZO、氧化鋅、氧化錫亦為適於使用。用以形成其之導電膜21a的成膜方法，可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、鍍敷法、CVD法等公知方法。又，閘極21及端子21b亦可由聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等之有機透明導電膜所構成。閘極21及端子21b的膜厚為考慮操作有機薄膜電晶體上所必要之導電度則可適當選擇。例如10nm~1μm為佳，且以50nm~500nm為更佳。
閘極21及端子21b的形成步驟亦可根據公知的光刻法及蝕刻法進行。例如，形成Cr膜作為閘極21時，於Cr 所構成的導電膜21a上形成光阻所構成的光阻膜4b後，以含有硝酸鈰銨和過氯鹽酸之混合溶液予以蝕刻，其後，剝離光阻膜4b。
其次，於基板1上之第1區域S1 及第2區域S2 ，以覆蓋閘極21、端子21b及陽極31般形成閘極絕緣層22(圖2(a))。閘極絕緣層22為例如由SiO2 、Si3 N4 、Ta2 O5 、Al2 O3 、氮化氧化矽、氮化氧化鋁、聚對二甲苯(poly-para-xylylene)、聚醯亞胺(PI)、PVP(聚-4-乙烯基酚)、聚乙烯醇(PVA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、苯并環丁烯(BCB)、氰乙基普魯蘭多糖、TEOS、SOG (Spin-on-Glass)等所構成。
此類閘極絕緣層22的成膜方法可由電漿CVD法、濺鍍法、對向標的濺鍍法、旋塗法、狹縫塗敷法、Cat-CVD法、LPCVD法等之公知方法中選取。又，閘極絕緣層22並非必要為單層膜，亦可為包含異種膜的多層層合膜。閘極絕緣層22的膜厚例如為50~1000nm，以100nm~500nm為佳。又，閘極絕緣層22以破壞絕緣電場為0.5MV/cm以上為佳，且以1.0MV/cm以上為更佳。若根據具有此類破壞絕緣電場的閘極絕緣層22，則不會短路並且可對後述之有機半導體層23外加強電場，並且於有機薄膜電晶體20中取得優良的移動度。
接著，令閘極絕緣層22之一部分，以露出端子21b般予以開口，形成接觸孔27(圖2(b))。另外，於一個畫素內形成多數之有機薄膜電晶體時(未予圖示)，為 了令此等有機薄膜電晶體彼此間電性接續，亦可於閘極絕緣層22形成複數的接觸孔27。
接觸孔27為例如，以光微影法形成光阻圖型，並以蝕刻除去接觸孔27部分的絕緣膜後，剝離光阻則可形成。蝕刻方法可適當選擇應用濕式蝕刻法及乾式蝕刻法兩者。又，亦可根據雷射切除法於閘極絕緣層22設置開口。更且，例如，於閘極絕緣層22之形成時，透過金屬罩進行成膜，令一部分具有開口(接觸孔27)亦可。
其次，於第1區域S1 之閘極絕緣層22上，形成源極24a及汲極24b。於此源極24a及汲極24b的形成中，例如，首先，於第1區域S1 及第2區域S2 之閘極絕緣層22上，形成用以形成此些電極的導電膜24c(圖2(c))。接著，於應形成第1區域S1 之源極24a及汲極24b的區域形成光阻膜4c(圖2(d))。其後，以此光阻膜4c作為光罩蝕刻導電膜24c(圖2(e))，除去光阻膜4c(圖2(f))。此時，汲極24b為形成至上述接觸孔27的內部為止，並且藉此令汲極24b與端子21b接續。
源極24a及汲極24b為由導電度高之金屬、金屬氧化物、金屬硫化物之薄膜等所構成。於源極24a及汲極24b，具體而言，可應用Cr、Mo、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Ti、Ta、Ni、W、Si、In、Ga之金屬和彼等作為主成分之合金等所構成者為適當。又，ITO、IZO、氧化鋅、氧化錫亦適當。導電膜24c的成膜方法可應用電阻加熱蒸鍍法、EB蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、鍍敷法、CVD法等公知方 法。又，源極24a及汲極24b亦可由聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等之有機透明導電膜所構成。源極24a及汲極24b的膜厚為考慮操作有機薄膜電晶體20上所必要之導電度並且適當選擇為佳。例如10nm~1μm為佳，且以50nm~500nm為更佳。
光阻膜4c的形成及導電膜24c的蝕刻可適用公知之光刻法及蝕刻法進行。例如，形成由Au所構成之源極24a及汲極24b時，於形成Au所構成之導電膜24c後，形成以光阻圖型化之光阻膜4c，其次，以含有碘化鉀和碘之混合溶液予以蝕刻。
另外，源極24a及汲極24b亦可根據雷射剝蝕法形成圖型而形成。又，成膜時透過金屬罩進行圖型形成等，於閘極絕緣層22上直接形成源極24a及汲極24b亦可。但，源極24a及汲極24b為對於閘極21微細地配合位置，並根據決定電晶體的通道長度和通道寬度，故必須以高精細度形成圖型。因此，於源極24a及汲極24b的形成上，使用可更加高精細度進行形成圖型的光刻法為佳。
於圖像顯示裝置之製造中，其次，於第1區域S1 及第2區域S2 之閘極絕緣層22上，以覆蓋源極24a及汲極24b般形成有機半導體層23(圖3(a))。有機半導體層23並無特別限制可應用低分子有機半導體材料和高分子有機半導體材料所構成者。例如，使用戊烯等之低分子有機半導體材料時，有機半導體層23根據電阻加熱蒸鍍法進行成膜則可形成。此時，於形成移動度高之有機半導體層 23上，令有機半導體材料配向為佳。例如，將閘極絕緣層22的表面以矽烷偶合劑等進行表面處理，則可令戊烯等之低分子有機半導體材料自我配向。
另一方面，使用聚-3-己基噻吩(P3HT)和芴二噻吩(F8T2)等之高分子有機半導體材料時，將其溶解於溶劑，並且進行旋塗法、澆鑄法、微照相凹版塗敷法、照相凹版塗敷法、棒塗法、輥塗法、網絲棒塗敷法、浸塗法、噴塗法、網版印刷法、可撓式印刷法、膠印印刷法、噴墨印刷法等之塗佈法則可形成有機半導體層23。由輕易進行圖型形成之觀點而言，以網版印刷法、可撓式印刷法、膠印印刷法、噴墨印刷法為佳。另外，即使低分子有機半導體材料，亦可作成可溶解於溶劑並且應用此等塗佈法。
其後，於第1區域S1 及第2區域S2 之有機半導體層23上，形成鈍化膜(保護層)25(圖3(b))。如此，於基板1上之第1區域S1 形成有機薄膜電晶體20，並且於第2區域S2 之陽極31上，形成層合閘極絕緣層22、有機半導體層23及鈍化膜25的隔壁前驅體層29。
鈍化膜25為由絕緣材料所構成。例如，SiO2 、Si3 N4 、Ta2 O5 、Al2 O3 、氮化氧化矽、氮化氧化鋁、聚對二甲苯(poly-para-xylylene)、聚醯亞胺(PI)、PVP(聚-4-乙烯基酚)、聚乙烯醇(PVA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、苯并環丁烯(BCB)、氰乙基普魯蘭多糖、TEOS、SOG (Spin-on-Glass)等所構成者為合適。
鈍化膜25為例如根據電漿CVD法、濺鍍法、對向標 的濺鍍法、旋塗法、狹縫塗敷法、Cat-CVD法、LPCVD法等之公知方法將上述材料層合則可形成。以鈍化膜25之膜厚為10~5000nm為佳，且以200nm~2000nm為更佳。
此鈍化膜25並非必要為單層膜，亦可為異種膜層合的多層膜。例如，有機膜與無機膜為交互層合的多層膜為合適。有機膜與無機膜交互層合時，首先，供給成膜室內之管嘴中加熱的單體，令室上方配置的基板蒸鍍單體後，對基板照射UV令單體變化成聚合物。如此令膜中的氣泡被掩埋，並提高氣密性。其次，以濺鍍法等將SiO2 或SiNx 成膜。藉此強化膜強度。重複進行此類步驟，則可形成機密性及膜強度優良之有機‧無機多層膜所構成的鈍化膜25。
如此處理形成鈍化膜25後，於其上指定之區域形成乾式蝕刻光罩(光罩層)28(圖3(c))。乾式蝕刻光罩28為在除去第1區域S1 、與第2區域S2 中用以形成發光元件30之區域的周邊部上形成。藉此，有機薄膜電晶體20之上方，及、隔壁部35之形成區域為被乾式蝕刻光罩28所覆蓋。乾式蝕刻光罩28為根據公知的光刻法令感光性樹脂膜圖型化則可形成。
接著，使用乾式蝕刻光罩28作為保護膜進行乾式蝕刻，除去乾式蝕刻光罩28未覆蓋區域的隔壁前驅體層29(圖3(d))。此乾式蝕刻進行直到第2區域S2 所形成的陽極31露出為止。藉此，除去陽極31上所形成之層合構造所構成的隔壁前驅體層29，並於第2區域S2 形成用 以形成發光元件30的區域，並且由蝕刻後殘存之周邊部的隔壁前驅體層29形成隔壁部35。其結果，於基板1上形成有機薄膜電晶體10及隔壁部35，並且得到具有用以形成發光元件30之區域的有機薄膜電晶體基板2。
乾式蝕刻可根據公知之ICP電漿蝕刻法、RIE蝕刻法、ECR蝕刻法、常壓電漿蝕刻法等進行。例如，於蝕刻有機物所構成之層時，以含氧之蝕刻氣體氛圍氣進行蝕刻為合適。又，於蝕刻無機物所構成之層時，根據層的構成材料改變蝕刻氣體條件為佳。例如，SiO2 膜之情形以CF4 氣體或CHF3 氣體為佳，於Al2 O3 膜之情形以含有CCl4 氣體或BCl3 氣體的蝕刻氣體為佳。又，隔壁前驅體層29為含有此兩者的多層膜時，可一邊切換蝕刻氣體或蝕刻條件，一邊連續蝕刻。
另外，於此乾式蝕刻中，雖未圖示，但為了令有機薄膜電晶體20之各電極(閘極21、源極24a及汲極24b)可與外部配線接觸，亦可進行除去此等接觸區域上所形成的各層。
於有機薄膜電晶體基板2中，隔壁部35為具有閘極絕緣層22、有機半導體層23、鈍化膜25及乾式蝕刻光罩28的四層構造。即，隔壁部35為具有有機薄膜電晶體20中所含四個層相同之層。另外，乾式蝕刻光罩28並非必定殘留於隔壁部35的最上層，亦可於乾式蝕刻後除去。
於具有上述構成之隔壁部35中，閘極絕緣層22、鈍化膜25及乾式蝕刻光罩28為本身具有優良之絕緣性。又 ，有機半導體層23由於未被外加電壓，故可維持良好的絕緣性。因此，隔壁部35可充分保持與鄰接畫素等之絕緣等，具有作為隔壁的優良特性。又，隔壁部35為具有如上之層合構造，即使一部分層中形成針孔，且一部分層間混入異物，亦可全體維持充分的絕緣性。若根據此類隔壁部35，則極少於鄰接畫素等之間發生漏電流等。
如此處理製造有機薄膜電晶體基板2後，於該基板2中用以形成發光元件的區域形成發光元件30。具體而言，首先，於有機薄膜電晶體基板2之基板1上形成的陽極31上，形成電洞注入層32(圖3(e))。此處，所謂電洞注入層32，係具有可提高來自陽極31之電洞注入效率之特性的層。
此類電洞注入層32，無特別限制可適用有機EL元件中具有同樣機能之層。可列舉例如，銅酞菁等之酞菁錯合物、4,4',4"-三(3-甲苯基苯胺基)三苯胺等之芳香族胺衍生物、腙衍生物、咔唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、具有胺基之二唑衍生物、聚噻吩、PEDOT/PSS等所構成之層。
由固體原料成膜電洞注入層32時，以電阻加熱蒸鍍、EB蒸鍍法、MOCVD法為適當，形成圖型時，可適用透過金屬罩之開口部進行穿透蒸鍍形成圖型的方法。又，由溶液原料成膜電洞注入層32時，其方法可使用旋塗法、澆鑄法、微照相凹版塗敷法、照相凹版塗敷法、棒塗法、輥塗法、網絲棒塗敷法、浸塗法、噴塗法、網版印刷法、 可撓式印刷法、膠印印刷法、噴墨印刷法等之塗佈法。
電洞注入層32的厚度為5~300nm左右為佳。此厚度若過薄，則恐成膜困難。又，若過厚，則外加至發光層33的電壓有時過大。
另外，本實施形態中，電洞注入層32雖僅形成一層，但例如，形成電洞輸送層代替此電洞注入層32亦可，且與電洞注入層32組合形成電洞輸送層亦可。此處，所謂電洞輸送層，係有利於由陽極和電洞注入層32往發光層33輸送電洞並且具有進一步改善電洞注入特性之層。設置電洞注入層和電洞輸送層兩者時，以鄰接陽極之層作為電洞注入層，並將其以外之層作為電洞輸送層為佳。
電洞輸送層並無特別限制，可適用例如，N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲苯基)4,4'-二胺基聯苯(TPD)、4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(NPB)等之芳香族胺衍生物等所構成者。電洞輸送層的較佳成膜方法或較佳厚度為與電洞注入層32相同。
其次，於電洞注入層32上，形成發光層33(圖4(a))。發光層33為被應用作為有機EL元件之發光層的公知層，於陽極31及陰極34間外加電壓或流過電流則可產生發光之層。發光層33的構成材料若為具有此類特性則無特別限制可應用。可列舉例如，二苯乙烯基聯苯系材料、二基硼基系材料、芪系材料、二吡咯基二氰基苯材料、苯并唑系材料、二苯乙烯基系材料、咔唑系材料、二苯并系材料、芳基胺系材料、經芘取代之低噻吩系材料 、PPV低聚物系材料、咔唑系材料、聚芴系材料等。
由溶液原料成膜發光層33時，其方法可使用旋塗法、澆鑄法、微照相凹版塗敷法、照相凹版塗敷法、棒塗法、輥塗法、網絲棒塗敷法、浸塗法、噴塗法、網版印刷法、可撓式印刷法、膠印印刷法、噴墨印刷法等之塗佈法。其中，由容易形成圖型和多色分塗方面，則以網版印刷法、可撓式印刷法、膠印印刷法、噴墨印刷法為佳。如此由溶液原料予以成膜之方法中，塗佈溶液後，僅經由乾燥除去溶劑即可，且即使於發光層33中混合電荷輸送材料時亦可應用同樣之手法，故於製造上為非常有利。發光層33亦可由固體原料成膜，此時，可應用電阻加熱蒸鍍法、EB蒸鍍法、MOCVD法。於形成圖型和進行多色分塗之情形中，透過金屬罩之開口部進行穿透蒸鍍形成圖型為佳。
發光層33的厚度並無特別限制，可根據目的之設計而適當變更。例如，10~200nm左右為佳。發光層33之厚度若過薄，則無法充分引起電子與電洞的再結合，恐無法取得充分的亮度，或者恐發生成膜困難等之不適。另一方面，若過厚，則外加的電壓過度變高，而有效率變差之傾向。
接著，以覆蓋第1區域S1 及第2區域S2 之全部區域般形成陰極34，完成圖像顯示面板10。如此形成陰極34，則於發光層33上配置陰極34，並且於第2區域S2 ，形成由基板1側具備陽極31、電洞注入層32、發光層33及陰極34的發光元件30。
陰極34為由功函數小之材料所構成的層為佳。此類材料可列舉例如，鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、銥、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等之金屬和含其中二種以上之合金、或、其中一種以上、與金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中一種以上之合、或、石墨和石墨層間化合物等。構成陰極34之合金例可列舉鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金等。
陰極34之膜厚為考慮導電度和耐久性而適當選擇。例如，10nm~10μm為佳，以20nm~1μm為更佳，以50nm~500nm為更佳。陰極34為將上述之材料，根據電阻加熱蒸鍍法、EB蒸鍍法、濺鍍法等予以成膜則可形成。另外，陰極34亦可具有二層以上之層合構造。
另外，於發光元件30中，於發光層33與陰極層34之間，亦可適當形成電子注入層(未予圖示)。電子注入層，係具有可提高由陰極34往發光層33注入電子效果之特性的層。電子注入層之構成材料可列舉例如Ba、Ca、CaF、LiF、Li、NaF等。又，電子注入層的厚度為3~50nm左右為佳。此厚度若過薄，則難控制膜厚且有難以安定製造之傾向。另一方面，若過厚，則外加至發光層33的電壓有變得過大之傾向。
根據此類製造方法，取得於基板1上之第1區域S1 形成有機薄膜電晶體20，且於第2區域S2 形成周圍以隔壁部35圍住之發光元件30的圖像顯示面板10。此圖像顯 示面板10為具有基板1上之各元件以覆蓋般封合的構造為佳(未予圖示)。此時，封合為於剛形成陰極34後立即進行為佳。
封合之方法可應用公知之方法。例如，於使用金屬蓋基板和玻璃蓋基板作為背面蓋基板的方法中，於基板1的元件側面塗佈密封接黏材料將此些基板貼合後，以UV照射和加熱令密封接黏材硬化。另外，於背面蓋基板上，為了於內部配置吸濕材，亦可使用中空構造的加工品。其加工法可列舉加工成型法、噴砂法、濕式蝕刻法等。
使用蒸鍍裝置形成陰極34時，期望令進行封合步驟的封合裝置與蒸鍍裝置一體化，使得基板1上的各元件不會曝露至大氣而進行封合。又，封合方法亦可列舉於基板1上之各元件上方形成薄膜進行封合的方法。此薄膜之封合方法，可列舉於元件上方成膜出有機膜、SiO2 或SiNx 等之無機多層膜、有機膜與無機膜之多層層合膜等作為阻氣層的方法。
以上，說明關於第1實施形態之圖像顯示面板的製造方法，但上述之步驟可在本發明之範圍中適當變更。例如，上述之製造方法中，於形成陽極31後，形成閘極21及端子21b，但並非限定於此，於形成閘極21及端子21b後形成陽極31亦可。此順序為對於其後形成之電極等之蝕刻，令先前形成的電極等為具有充分之耐性般選擇為佳。
又，上述中，陽極31與閘極21兩者，均可根據光刻法與濕式蝕刻法之組合進行形成圖型，但並非限定於此， 可應用公知的形成圖型方法。例如，亦可為光刻法與乾式蝕刻法之組合，且亦可根據雷射剝蝕法形成圖型。更且，此等成膜時透過金屬罩進行形成圖型等，形成具有指定圖型之層亦可。
又，閘極21與陽極31可為相同之構成材料及相同之膜厚。此時，因為閘極21與陽極31可以相同步驟形成，故可進一步削減步驟數。更且，閘極21及所形成的端子21b，於可直接接續汲極24b與陽極31之情形等，則不一定形成亦可。
更且，上述之實施形態中，形成鈍化膜25與乾式蝕刻光罩28兩者，但例如，令鈍化膜25由感光性丙烯酸樹脂等之可光刻的材料所構成，使得鈍化膜25兼具乾式蝕刻光罩28的機能亦可。
更且，於有機薄膜電晶體基板2的製造中，於上述鈍化膜25與乾式蝕刻光罩28之間亦可形成金屬層或金屬氧化物層。此時，例如，於第1及第2區域S1 、S2 的鈍化膜25上，成膜出金屬或金屬氧化物後，於其上形成乾式蝕刻光罩28圖型，並以其作為光罩，以公知的濕式蝕刻法等形成金屬層或金屬氧化物層圖型。如此處理所形成的金屬層和金屬氧化物層，可使用作為乾式蝕刻光罩28，及用以形成隔壁之乾式蝕刻光罩的一部分。
以感光性樹脂等所形成的乾式蝕刻光罩28，根據蝕刻條件而有受到損傷的可能性，但如此形成金屬層及金屬氧化物層，則可進一步確定保護有機薄膜電晶體20和形成 隔壁區域免受蝕刻。又，大氣中的水分、氧、光等透過鈍化膜25到達有機薄膜電晶體20時，其亦導到有機半導體層23等惡化並且引起特性降低的原因，但形成如上述之金屬層和金屬氧化物層，則可防止上述水分等之穿透。如此，形成金屬層和金屬氧化物層，則可製造信賴性更高之有機薄膜電晶體基板2及圖像顯示面板10。
金屬層和金屬氧化物層的構成材料可列舉例如，Ni、Au、Cr、Cu、Mo、W、Ti、Ta、Al、ITO、IZO、氧化鋅、氧化錫等。又，金屬層和金屬氧化物層的成膜方法可應用電阻加熱蒸鍍法、EB蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、鍍敷法、CVD等之方法。
[第2實施形態]
圖5～圖8為示出第2實施形態之圖像顯示面板之製造步驟圖。以下之說明中，進行說明關於形成上方具有閘極之頂部閘型之有機薄膜電晶體、及形成有機EL元件作為發光元件之例。另外，關於與上述第1實施形態相同之構成，可應用同樣之材料和製造方法，故於下省略說明。
首先，同第1實施形態，於具有第1區域S1 及第2區域S2 之基板1上的第2區域S2 ，形成發光元件30用之陽極31(圖5(a)~(c))。
其次，於基板1上之第1區域S1 及第2區域S2 ，成膜出作為源極24a及汲極24b的導電膜24c後，於應形成此源極24a及汲極24b的區域上形成光阻膜4c(圖5(d ))。其後，以光阻膜4c作為光罩將導電膜24c以蝕刻等除去(圖5(e))。其後，藉由除去光阻膜4c，於基板1上之第1區域S1 形成源極24a及汲極24b(圖5(f))。此時，汲極24b為以一個端部與陽極31重疊般形成，如此令汲極24b與陽極31為電性接續。
接著，於基板1上之第1區域S1 及第2區域S2 ，同上述第1實施形態處理，以覆蓋汲極24b及陽極31般形成有機半導體層23(圖6(a))。其次，於此有機半導體層23上形成閘極絕緣層22(6(b))。
如此形成閘極絕緣層22後，於第1區域S1 之閘極絕緣層22上形成閘極21。於此閘極21之形成中，首先，於含有第1區域S1 及第2區域S2 之區域的閘極絕緣層22上，形成作為閘極21的導電膜21a後，於應形成閘極21之區域中形成光阻膜4b(圖6(c))。其次，以光阻膜4b作為光罩以蝕刻等除去導電膜21a(圖6(d))。其後，藉由除去光阻膜4b，於第1區域之閘極絕緣層上形成閘極21(圖6(e))。
其後，於第1區域S1 及第2區域S2 之閘極絕緣層22上，以覆蓋閘極21般形成鈍化膜25(圖7(a))。藉此，於基板1上之第1區域S1 形成有機薄膜電晶體50，並且於第2區域S2 之陽極31上，形成層合閘極絕緣層22、有機半導體層23及鈍化膜25的隔壁前驅體層39。
接著，於此鈍化膜25上的指定區域形成乾式蝕刻光罩28(圖7(b))。乾式蝕刻光罩28為同上述之第1實 施形態，以覆蓋第1區域S1 、與第2區域S2 中除了用以形成發光元件30之區域的周邊部般形成。
其後，使用乾式蝕刻光罩28作為保護膜進行乾式蝕刻，除去乾式蝕刻光罩28未覆蓋區域的隔壁前驅體層39(圖7(c))。此乾式蝕刻為進行直到第2區域S2 所形成的陽極31露出為止。藉此，除去由陽極31上所形成之層合構造所構成的隔壁前驅體層39，於第2區域S2 形成用以形成發光元件30的區域，並且由蝕刻後殘存之周邊部的隔壁前驅體層29形成隔壁部36。其結果，取得於基板1上形成有機薄膜電晶體50及隔壁部36，並且具有用以形成發光元件30之區域的有機薄膜電晶體基板42。
於此有機薄膜電晶體基板42中，隔壁部36為具有有機半導體層23、閘極絕緣層22、鈍化膜25及乾式蝕刻光罩28之四層構造。即，隔壁部36為具有與有機薄膜電晶體50所含之四個層相同層。具有此類構成的隔壁部36為與上述第1實施形態同樣，可發揮優良的絕緣性，故具有作為隔壁之充分特性。
於有機薄膜電晶體基板42形成後，於該基板42中之第2區域S2 的陽極31上，依序形成電洞注入層32(圖7(d))及發光層33(圖8(a))後，以覆蓋第1區域S1 及第2區域S2 之全區域般形成陰極34(圖8(b))。藉此，於第2區域S2 中，形成由基板1側依序具備陽極31、電洞注入層32、發光層33及陰極34的發光元件30。其結果，於基板1上之第1區域S1 形成有機薄膜電晶體 50，且於第2區域S2 形成周圍被隔壁部36圍住之發光元件30的圖像顯示面板40。此類圖像顯示面板40亦與第1實施形態之圖像顯示面板10同樣地，以覆蓋各元件般進行封合為佳。
上述第2實施形態之圖像顯示面板40之製造步驟中的各步驟，亦與上述之第1實施形態同樣，可於本發明之範圍內變更。例如，由陽極31形成先前的源極24a及汲極24b亦可，於相同材料所構成時，亦可以同一步驟形成。又，鈍化膜25由感光性丙烯酸樹脂等之可光刻的材料所構成，兼具乾式蝕刻光罩28之機能亦可。
以上，關於本發明較佳之圖像顯示面板(有機薄膜電晶體基板)的製造方法，列舉第1及第2實施形態為例加以說明，但若根據此類製造方法，則可製造有機薄膜電晶體並且可形成隔壁部，故比先前另外形成隔壁部的情形，可在簡便且低費用下形成圖像顯示面板和有機薄膜電晶體基板。如此處理所形成的隔壁部由於具有充分的絕緣性，故具有作為隔壁的充分特性。又，隔壁部為如上述實施形態般由多數層所構成時，即使於一部分層中發生針孔和混入異物，亦可全體維持充分的絕緣性等，亦可達到具有優良之耐久性的效果。
另外，本發明之圖像顯示面板和有機薄膜電晶體基板的製造方法並非限定於上述之第1及第2實施形態，在不超脫本發明主旨的範圍下可進行適當變更。例如，上述之實施形態中，雖形成有機EL元件作為發光元件，但並非 限定於此，有機薄膜電晶體及所使用之其他的發光元件可無特別限制應用。又，雖然於上述分別說明底部閘型及頂部閘型的有機薄膜電晶體例，但亦可應用具有其他形態的有機薄膜電晶體。
更且，上述實施形態中，雖然進行說明關於圖像顯示面板中一個畫素區域的製造步驟，但，通常，圖像顯示面板為配置多數畫素所構成。因此，於實際之圖像顯示面板的製造中，以基板上之多數處平行進行上述一畫素區域的步驟亦可。因此，於圖像顯示面板的製造中，例如，亦有令進行畫素彼此間之接續等，在畫素間設置特定構造的步驟為加至上述實施形態之步驟進一步進行。
1‧‧‧基板
10‧‧‧圖像顯示面板
31a‧‧‧導電膜
4a、Ab、4c‧‧‧光阻膜
20‧‧‧有機薄膜電晶體
21‧‧‧閘極
21b‧‧‧端子
22‧‧‧閘極絕緣層
23‧‧‧有機半導體層
24a‧‧‧源極
24b‧‧‧汲極
24c‧‧‧導電膜
25‧‧‧鈍化膜
27‧‧‧接觸孔
28‧‧‧乾式蝕刻光罩
29‧‧‧隔壁前驅體層
30‧‧‧發光元件
31‧‧‧陽極
32‧‧‧電洞注入層
33‧‧‧發光層
34‧‧‧陰極
35‧‧‧隔壁部
36‧‧‧隔壁部
39‧‧‧隔壁前驅體層
40‧‧‧圖像顯示面板
50‧‧‧有機薄膜電晶體
圖1為示出第1實施形態之圖像顯示面板之製造步驟圖。
圖2為示出第1實施形態之圖像顯示面板之製造步驟圖。
圖3為示出第1實施形態之圖像顯示面板之製造步驟圖。
圖4為示出第1實施形態之圖像顯示面板之製造步驟圖。
圖5為示出第2實施形態之圖像顯示面板之製造步驟圖。
圖6為示出第2實施形態之圖像顯示面板之製造步驟 圖。
圖7為示出第2實施形態之圖像顯示面板之製造步驟圖。
圖8為示出第2實施形態之圖像顯示面板之製造步驟圖。
1‧‧‧基板
2‧‧‧有機薄膜電晶體基板
20‧‧‧有機薄膜電晶體
21‧‧‧閘極
21b‧‧‧端子
22‧‧‧閘極絕緣層
23‧‧‧有機半導體層
24a‧‧‧源極
24b‧‧‧汲極
25‧‧‧鈍化膜
28‧‧‧乾式蝕刻光罩
29‧‧‧隔壁前驅體層
31‧‧‧陽極
32‧‧‧電洞注入層
35‧‧‧隔壁部
S1 ‧‧‧第1區域
S2 ‧‧‧第2區域

Claims (12)

  1. 一種有機薄膜電晶體基板之製造方法，其為於基板上之第1區域形成有機薄膜電晶體，且具有鄰接該第1區域用以形成發光元件的第2區域，於該第2區域的周邊部形成隔壁部之有機薄膜電晶體基板的製造方法，其特徵為具有於該基板上之該第1區域，形成至少具備閘極、閘極絕緣層、相對於該閘極絕緣層之該閘極反側所形成的源極及汲極、及形成於相對於該閘極絕緣層之該閘極反側且連接至該源極及該汲極兩者之有機半導體層的有機薄膜電晶體，並且令該閘極絕緣層及該有機半導體層中之至少一者形成直到該第2區域為止，而於該第2區域形成由該區域上所形成之層合構造所構成之隔壁前驅體層的第1步驟，和選擇性除去該隔壁前驅體層中該周邊部以外之區域，形成由殘存之該隔壁前驅體層所構成之該隔壁部的第2步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機薄膜電晶體基板之製造方法，其中，於該第1步驟中，於該基板上之該第1區域形成閘極，於該基板上2該第1區域及該第2區域以覆蓋該閘極的方式形成閘極絕緣層，於該第1區域之該閘極絕緣層上形成源極及汲極，於該第1及第2區域之該閘極絕緣層上，以覆蓋該源極及該汲極的方式形成有機半導體層， 於包含該第1區域、和該第2區域之該周邊部之區域的該有機半導體層上形成光罩層，於該第2步驟中，藉由進行蝕刻選擇性除去該光罩層未覆蓋區域之該隔壁前驅體層。
  3. 如申請專利範圍第2項之有機薄膜電晶體基板之製造方法，其中，於該第1步驟中，至少於形成該閘極絕緣層前，於該基板上之該第2區域形成該發光元件用之下部電極，形成該閘極絕緣層後，於該閘極絕緣層的一部分設置開口，於該汲極形成時或形成後，經由該開口令該汲極與該下部電極接續，於該第2步驟中，選擇性除去該第2區域之該下部電極上所形成的該隔壁前驅體層。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項之有機薄膜電晶體之製造方法，其中，於該第1步驟中，於該有機半導體層與該光罩層之間形成保護層。
  5. 如申請專利範圍第1項之有機薄膜電晶體基板之製造方法，其中，於該第1步驟中，於該基板上之該第1區域形成該源極及該汲極，於該基板上之該第1及第2區域，以覆蓋該源極及該汲極的方式形成該有機半導體層，於該第1及第2區域之該有機半導體層上形成該閘極 絕緣層，於該第1區域之該閘極絕緣層上形成該閘極，於包含該第1區域、和該第2區域之該周邊部之區域的該閘極絕緣層上，以覆蓋該閘極的方式形成光罩層，於該第2步驟中，藉由進行蝕刻選擇性除去該光罩層未覆蓋區域之該隔壁前驅體層。
  6. 如申請專利範圍第5項之有機薄膜電晶體基板之製造方法，其中，於該第1步驟中，至少於形成該有機半導體層前，於該基板上之該第2區域形成該發光元件用之下部電極，於該汲極形成時或形成後，令該汲極與該下部電極接續，於該第2步驟中，選擇性除去該第2區域之該下部電極上所形成的該隔壁前驅體層。
  7. 如申請專利範圍第5項或第6項之有機薄膜電晶體基板之製造方法，其中，於該第1步驟中，於該閘極絕緣層與該光罩層之間形成保護層。
  8. 一種有機薄膜電晶體基板，其為於基板上之第1區域形成有機薄膜電晶體，且具有鄰接該第1區域用以形成發光元件的第2區域，於該第2區域的周邊部形成隔壁部之有機薄膜電晶體基板，其特徵為該有機薄膜電晶體為至少具備閘極、閘極絕緣層、相 對於該閘極絕緣層之該閘極反側所形成之源極及汲極、及形成於相對於該閘極絕緣層之該閘極反側且連接至該源極及該汲極兩者之有機半導體層，該隔壁部為包含由與該閘極絕緣層及該有機半導體層中之至少一層相同材料所構成之層。
  9. 如申請專利範圍第8項之有機薄膜電晶體基板，其中，該隔壁部為包含由與該閘極絕緣層相同材料所構成之層、及由與該有機半導體層相同材料所構成之層兩者。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項之有機薄膜電晶體基板，其中，於該基板上之該第2區域中，形成該發光元件用之下部電極。
  11. 一種圖像顯示面板之製造方法，其為具有基板、該基板上之第1區域所形成之有機薄膜電晶體、鄰接該基板上之該第1區域之第2區域所形成之發光元件、和該基板上之該第2區域之周邊部以圍住該發光元件的方式所形成之隔壁部之圖像顯示面板的製造方法，其特徵為具有於該基板上之該第1區域，形成至少具備閘極、閘極絕緣層、相對於該閘極絕緣層之該閘極反側所形成的源極及汲極、及形成於相對於該閘極絕緣層之該閘極反側且連接至該源極及該汲極兩者之有機半導體層的有機薄膜電晶體，並且於該基板上之該第2區域形成該發光元件用之下部電極後，令該閘極絕緣層及該有機半導體層之至少一層形成直到該第2區域為止，而形成於該第2區域之該下部電極上所形成之層合構造所構成之隔壁前驅體層的第1步 驟，和選擇性除去該隔壁前驅體層中該周邊部以外的區域，形成由殘存之該隔壁前驅體層所構成之該隔壁部並取得有機薄膜電晶體基板的第2步驟，和於該下部電極上之該隔壁部所圍住之區域，至少依序形成發光層及該發光元件用之上部電極而形成該發光元件的第3步驟。
  12. 一種圖像顯示面板，其為具有基板、該基板上之第1區域所形成之有機薄膜電晶體、鄰接該基板上之該第1區域之第2區域所形成之發光元件、和該基板上之該第2區域之周邊部以圍住該發光元件的方式所形成之隔壁部的圖像顯示面板，其特徵為該有機薄膜電晶體為至少具備閘極、閘極絕緣層、相對於該閘極絕緣層之該閘極反側所形成的源極及汲極、及形成於相對於該閘極絕緣層之該閘極反側且連接至該源極及該汲極兩者之有機半導體層，該隔壁部為包含由與該閘極絕緣層及該有機半導體層中之至少一層相同材料所構成之層。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4953166B2 (ja) * 2007-11-29 2012-06-13 カシオ計算機株式会社 表示パネルの製造方法
US8617920B2 (en) * 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101084192B1 (ko) * 2010-02-16 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2011132425A1 (ja) 2010-04-22 2011-10-27 出光興産株式会社 有機薄膜トランジスタ
KR101839930B1 (ko) * 2010-12-29 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
DE102011086689B4 (de) 2011-11-21 2017-02-16 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Herstellen eines opto-elektronischen Bauelements
US9012259B2 (en) 2013-01-17 2015-04-21 Stmicroelectronics S.R.L. Thin film transistors formed by organic semiconductors using a hybrid patterning regime
CN103560211B (zh) * 2013-11-13 2017-04-05 深圳市华星光电技术有限公司 有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件
CN105742311B (zh) * 2014-12-11 2018-11-13 昆山国显光电有限公司 一种显示装置及其制备方法
US11417862B2 (en) * 2018-03-02 2022-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device including lead wiring lines covered by first and second organic films, and production method therefor
JP7138673B2 (ja) * 2020-03-31 2022-09-16 キヤノントッキ株式会社 電子デバイスの製造方法、測定方法、及び、成膜装置
TWI787720B (zh) 2021-01-25 2022-12-21 友達光電股份有限公司 有機半導體基板

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6403524B2 (en) 1996-09-10 2002-06-11 Imperial Chemical Industries Plc Fluorination catalyst and process
CN100517424C (zh) * 1997-08-21 2009-07-22 精工爱普生株式会社 显示装置
US6661180B2 (en) * 2001-03-22 2003-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus
JP2004171861A (ja) 2002-11-19 2004-06-17 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置、並びに電子機器
KR100603349B1 (ko) 2004-06-17 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 제조한 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치
KR100659061B1 (ko) * 2004-09-20 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치
US7985677B2 (en) * 2004-11-30 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP4845491B2 (ja) * 2004-11-30 2011-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR100683766B1 (ko) * 2005-03-30 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
US7737629B2 (en) * 2005-03-31 2010-06-15 Seiko Epson Corporation Light emitting device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2006310289A (ja) * 2005-03-31 2006-11-09 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
JP2006294484A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2007019014A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Samsung Sdi Co Ltd 平板表示装置及びその製造方法
KR100626082B1 (ko) 2005-07-06 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치

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