TWI442521B

TWI442521B - 一種構裝結構

Info

Publication number: TWI442521B
Application number: TW100102850A
Authority: TW
Inventors: Huan Hsiang Weng
Original assignee: Sitronix Technology Corp
Priority date: 2011-01-26
Filing date: 2011-01-26
Publication date: 2014-06-21
Also published as: TW201232716A

Description

一種構裝結構

本發明係有關於一種構裝結構，尤其是與包括微元件的構裝結構相關。

微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)為一個智慧型微小化的系統，用來執行感測、處理或致動的功能。由於微機電系統通常將兩個或多重領域的技術，如：電子、機械、光學、化學、生物或磁學等技術整合在單一或多個晶片中，使得其應用領域變得極為廣泛，囊括製造業、自動化、資訊與通訊、航太工業、交通運輸、土木營建、環境保護及農林漁牧等範疇。

與一般電子晶片相似的，微機電系統製造完成之後，亦需要經由封裝程序加以保護，並同時達到增加機械性強度、建構電源連接及訊號輸出/輸入連接通道、及維持良好散熱力等功能。為了在晶圓製造過程中即保護元件，傳統微機電系統1大多應用晶片鍵合(wafer bonding)技術進行晶圓級封裝(wafer level package)。舉例來說，請參考第1圖，首先將保護結構13，如：一片玻璃或矽晶圓以鍵合環(bonding ring) 15接合在另一片晶圓14之上，藉由上方保護結構13保護下方晶圓14上製作出的微機電元件17。接著，為了減少製作電源連接點及訊號輸出/輸入連接點所佔用的面積，應用直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via)封裝技術，蝕刻出穿過晶圓14的細長孔，並填入導電性質優異的材料，如：紅銅，以製作出垂直導通的電性通道。此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度與效能。之後，在每一直通矽晶穿孔18下方製作出一錫球(solder ball) 16，並經由晶圓切割(dicing)製程沿著切割道19切割出一顆顆晶粒(die)，即可完成微機電系統1的封裝程序，以供表面貼裝(surface mount)之用。從圖中可知，依照第1圖的方式封裝完成的微機電系統1的面積大小固定，約莫與晶粒大小相同。

然而，隨著微機電系統1的操作速度、複雜度及製程線寬逐漸精進，所需電源連接通道及訊號輸出/輸入連接通道數目逐漸增加，而微機電系統1的晶粒面積卻因製程及技術的進步而逐漸縮小。加上又受限於表面貼裝技術的製程能力，錫球16與錫球16之間需間隔一定距離才可維持良好表面貼裝(SMT)良率，使得微機電系統1底部可設置的錫球數目有限。若要設置過多的錫球16，則必須將晶粒尺寸加大才行，如此將造成晶粒成本大幅增加，仍無法享受應用晶圓級封裝所帶來的低晶粒成本的好處。

因此，如何應用晶圓級封裝降低晶粒成本並同時維持電源連接通道及訊號輸出/輸入連接通道數目實乃亟需研究之課題。

本發明之一目的係在提供一種構裝結構，透過晶圓級覆蓋結構接合保護含微元件的晶圓，製作導電通道，並在晶圓切割之後藉由導電通道、電導通件與承載元件的訊號接腳之間的電耦合關係，建構出所需數量的電源連接通道及訊號輸出/輸入連接通道。

依據本發明，提供一種構裝結構，包括：一承載元件、一構裝組件、複數個導電通道及複數個電導通件。承載元件包括複數個訊號接腳。構裝組件裝置於承載元件上，包括：一基板、一元件結構層及一覆蓋件。元件結構層位於基板之一側，包括一微元件；覆蓋件接合於微元件之同一側，且完全覆蓋微元件。導電通道配置於構裝組件之中，與微元件之訊號電耦合，且導電通道經由電導通件電耦合訊號接腳。

依據本發明，提供一種構裝結構，包括：一承載元件、一構裝組件、複數個直通矽晶穿孔及複數條接線。承載元件包括複數個訊號接腳。構裝組件裝置於承載元件上，包括：一基板、一元件結構層及一覆蓋件。元件結構層位於基板之一側，包括一微元件，覆蓋件接合於微元件之同一側，且覆蓋微元件。直通矽晶穿孔配置於構裝組件之中，與微元件之訊號電耦合，且直通矽晶穿孔經由接線電耦合訊號接腳。

本發明的構裝組件較佳是在元件結構層中製作完成微元件之後，透過晶圓級的覆蓋結構接合於元件結構層或基板之上，再經製作出導電通道之後，歷經切割而成。然而並不限於此處所提的製程方式與順序，可依需要彈性調動與變更，如：先製作出導電通道再經接合覆蓋結構。元件結構層之材質較佳為矽、氧化矽、金屬或其他材料，端視於微元件所需的機械或電性特性，並不限制於此。基板可由矽、玻璃、金屬或其他材料製成，較佳是一晶圓。基板輪廓可完全重合於覆蓋件的輪廓，以最佳化利用基板面積。覆蓋件為晶粒級的結構，較佳為晶圓級的覆蓋結構經晶圓切割(dicing)而成。覆蓋件的形狀與材質並無限制，其形狀可為玻璃、矽、金屬或其他材料製作的一平板或內側形成一凹槽的蓋體，端視於微元件的種類或其他需求，亦可在其上製作出鍵合環(bonding ring)等結構。然而，亦可在元件結構層中形成鍵合環之結構供平板形狀的覆蓋件結合。對於某些種類的微元件，凹槽可包圍微元件的一感測區卻無接觸於感測區。覆蓋件與元件結構層或基板之間的接合關係不以介質存在為必要條件，覆蓋件可透過與元件結構層或基板之間產生鍵結力，甚至是凡得瓦力(van der Waals' forces)而接合於元件結構層或基板，或者覆蓋件可經由一接合媒介接合於元件結構層或基板。接合媒介的種類不限，較佳是選自下列群組之任一：派熱克斯玻璃-7740、矽、二氧化矽、氮化矽、鋁、鍺、金、膠及環氧樹脂。

本發明的微元件的種類並無限制，可為感測元件、微機電元件及電子元件之任意組合，其中感測元件舉例來說可為溫度感測器、影像感測器或其他種類的感測元件，微機電元件可為微制動器、微電子機械、微加工結構或微感測器，如：加速度感測器、壓力感測器、氣體感測器、溫度感測器或其他種類的微機電元件，電子元件可為微處理器、控制晶片、驅動晶片或其他種類的電子元件。微元件較佳是具有機械、電子、光學或其他性質的結構，以供感測、訊號處理或其他功能之用，其中某些種類的微元件，供感測的結構集中於一感測區，然並不限於此。依據需求可在基板同一側上製作一積體電路，或者設置另一基板配置此積體電路並將此另一基板承載於承載元件，使積體電路與微元件電耦合，此積體電路較佳可處理輸入微元件或從微元件輸出的訊號。

在封裝製程中，構裝組件裝置於承載元件上以固定位置並獲得支撐，且構裝組件透過訊號接腳與外部傳輸訊號或獲得電源供應。承載元件較佳為一導線架(leadframe)或一封裝基板(substrate)，其材質可為金屬、陶瓷、矽等具有良好散熱性的材料，然而無須限制於此，可為其他任何提供良好穩定支撐、訊號傳輸及散熱效果之等效物件。

本發明所提的電耦合關係為兩物件之間，如：導電通道與微元件及訊號接腳之間，產生電性相應關係，在此無須被限制為某一特定形式，而可依據實際需求使用不同的材料或技術達成。舉例來說：導電通道經由不同材質或形式的電導通件，如：多條金屬或其他導電性良好材料，如：金、銅、鋁、錫或鉛等材料製作的接線(bonding wire)電耦合訊號接腳、導電通道可經由直接電連接於微元件上的電連接點而電耦合微元件之訊號。

在本發明中，導電通道供電源連接及微元件與訊號接腳之間的訊號輸出/輸入連接之用，較佳是應用直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via)封裝技術蝕刻出穿設於構裝組件中，如：基板中或覆蓋件中的細長孔，並填滿導電性質優異的金屬以製作出垂直導通微元件的電性通道，並在導電通道的一端形成一焊墊，外露於構裝組件。焊墊之間的距離較佳是小於300μm，更佳可達100μm以下，如：60μm。由於導電通道尚須與訊號接腳之間產生電耦合關係，為了製程方便，較佳是外露於構裝組件封裝時的上方位置。因此，在封裝製程中，是由構裝組件的覆蓋件接合於承載元件時，導電通道穿設於構裝組件之基板中，而外露於微元件的表面。相反地，若在封裝製程中，是由構裝組件的基板接合於承載元件時，導電通道穿設於構裝組件之覆蓋件，而外露於覆蓋件的表面。

為了達到更為優異的氧氣及水氣隔絕性，本發明可選擇性地設置一構裝體包覆承載元件、導電通道與構裝組件，較佳是包覆承載元件、導電通道與構裝組件上所有外露的對氧化或水氣侵蝕敏感的部份。構裝體的材質無須限制，較佳為擁有優異氣密性的樹脂類混合物。

是故，由上述中可以得知，本發明藉由晶圓級覆蓋結構接合製作出微元件的基板一側，有效利用基板面積以減少製程成本，並在切割之後，藉由結構微小且高密度的導電通道、電導通件與承載元件的訊號接腳之間的電耦合關係，建構出所需數量的電源連接通道及訊號輸出/輸入連接通道。

為進一步說明各實施例，本發明乃提供有圖式。此些圖式乃為本發明揭露內容之一部分，其主要係用以說明實施例，並可配合說明書之相關描述來解釋實施例的運作原理。配合參考這些內容，本領域具有通常知識者應能理解其他可能的實施方式以及本發明之優點。圖中的元件並未按比例繪製，而類似的元件符號通常用來表示類似的元件。

首先請一併參考第2圖、第3A圖及第3B圖，其中第2圖顯示依據本發明第一實施例製造之構裝組件之一狀態，第3A圖顯示依據本發明第一實施例之一構裝結構之結構剖面圖，第3B圖顯示依據本發明第一實施例之一構裝結構之透視示意圖。如圖中所示，構裝結構2包括一承載元件10、一構裝組件20、複數個導電通道30、複數個電導通件31及一構裝體40包覆承載元件10、構裝組件20、導電通道30及電導通件31。

承載元件10包括複數個訊號接腳102。承載元件10可為一導線架(leadframe)或一封裝基板(substrate)，其材質可為金屬、陶瓷、矽等具有良好散熱性的材料，然而無須限制於此，可為其他任何提供良好穩定支撐、訊號傳輸及散熱效果之等效物件，在本實施例中，承載元件10以金屬製作的導線架為例。訊號接腳102的數量可依據實際需要設置不同數量的訊號接腳102，且訊號接腳102的形狀亦可依據需求作不同變化，在此以供插入固定的L型接腳為例。

如第2圖所示，在本實施例中，構裝組件20是由多重晶圓級製程在晶圓級基板200上的元件結構層201中預先製作出以矩陣形式排列的微元件201A後，接續經歷接合晶圓級的覆蓋結構202及晶圓切割(dicing)製程而成。構裝組件20包括一基板204、位於基板204一側之元件結構層201及一覆蓋件203接合於基板204的一側。元件結構層201之材質較佳為矽、氧化矽、金屬或其他材料，端視於微元件所需的機械或電性特性，並不限制於此。元件結構層201包括微元件201A，舉例來說，是具感測功能的微元件201A，可供加速度感測、角速度感測、聲音感測、壓力感測、氧氣感測、溫度感測或其他性質的感測之用。在本實施例中，微元件201A示例性地為一懸臂樑結構，然而依據需求的不同，微元件201A之結構可有所變化，亦可為其他感測元件、微機電元件及電子元件之任意組合。其次，依據不同的需求，可在基板204同一側上製作一積體電路(圖中未示)或者在承載元件10配置製作有一積體電路(圖中未示)之另一基板(圖中未示)，使積體電路與微元件201A電耦合，此積體電路較佳可處理輸入微元件201A或從微元件201A輸出的訊號。覆蓋結構202在此示例為以玻璃、矽或其他材質製作的平板，其上形成複數個鍵合環(bonding ring)202A。當覆蓋結構202接合於微元件201A的同一側時，覆蓋結構202可與晶圓級基板200或元件結構層201之任一接觸，在此以鍵合環202A接合於晶圓級基板200為例，鍵合環202A並分別對應於一微元件201A外側以保護微元件201A的微小結構。其次，亦可依據需求或其他因素選擇不同的接合方式，如：陽極鍵合(Anodic Bonding)、直接鍵合法(Direct bonding)、共晶鍵合(Eutectic Bonding)、玻璃介質鍵合(Glass frit bonding)、黏著鍵合(Adhesive bonding)或其他方式，並不以介質存在為必要，使得覆蓋結構202與晶圓級基板200或微元件201A之間產生作用力，如：鍵結力、凡得瓦力(van der Waals' forces)或其他形式的原子間或分子間作用力。覆蓋結構202亦可經由一接合媒介(圖中未示)與晶圓級基板200或元件結構層201接合，接合媒介的種類不限，較佳是選自下列群組之任意組合：派熱克斯玻璃-7740、矽、二氧化矽、氮化矽、鋁、鍺、金、膠及環氧樹脂。之後再經製作出導電通道30及晶圓切割(dicing)製程，使得晶圓級基板200及覆蓋結構202得以被切割為一顆顆晶粒而成構裝組件20，然而並不限於此處所提的製程方式與順序，可依需要彈性調動與變更，如：先製作出導電通道30再經接合覆蓋結構202。從第3B圖中可知晶粒級的覆蓋件203之輪廓是與基板204完全重合，故可最佳化利用晶圓級基板201的面積。

導電通道30配置於構裝組件20中，例如：在第3A圖中以配置在構裝組件20之基板204中為例，以將電源供應至基板204以及在基板204與訊號接腳102之間輸出/輸入訊號之用。在此無須限制導電通道30的結構與製作方法，然而較佳是應用直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via)封裝技術蝕刻出穿設於構裝組件20的基板204的細長孔，並填滿導電性質優異的金屬以製作出垂直導通微元件201A的直通矽晶穿孔301，並在導電通道30的一端形成一焊墊302外露於構裝組件20。焊墊302之間的距離較佳是小於300μm，更佳可達100μm以下，在此是以60μm為例。由於導電通道30尚須與訊號接腳102之間產生電耦合關係，為了便利進行打線製程，較佳是外露於構裝組件20封裝時的上方位置。在本實施例中，構裝組件20是以基板204在上、覆蓋件203在下而由構裝組件20的覆蓋件203接合於承載元件10的方式裝置，因此在構裝組件20之基板204中製作出導電通道30，使其外露於基板204的表面，然而導電通道30的位置無須限制於此。導電通道30與微元件201A及訊號接腳102透過電導通件31產生電耦合，如：本實施例的電導通件31是以經由打線製程連接的接線(bonding wire)為例。因此，微元件201A及訊號接腳102之間可傳遞至少一訊號或接收外部電源輸入。

其後，以構裝體40包覆承載元件10、構裝組件20、導電通道30及電導通件31，以隔絕空氣或水氣。構裝體40的材質無須限制，較佳為擁有優異氣密性的樹脂類混合物。如此即完成本實施例的構裝結構2。

由於是使用晶圓級的覆蓋結構202接合於晶圓級基板200一側，不僅可有效利用晶圓級基板200面積，也可簡化製程以減少製程成本，並且在晶圓級基板200切割之後，藉由結構微小且高密度的導電通道30、電導通件31與承載元件10的訊號接腳102之間的電耦合關係，建構出可觀數量的電源連接通道及訊號輸出/輸入連接通道。

另請參考第4圖，其顯示依據本發明第二實施例之一構裝結構之結構剖面圖。為了清楚說明本實施例的內涵，在此主要描述本實施例與第一實施例的差異之處。如圖中所示，本實施例的構裝結構3中的構裝組件20包括內側形成一凹槽205A的覆蓋件205，為了製程方便，在此是在晶圓級的覆蓋結構(圖中未示)上製作出矩陣排列的凹槽205A一對一地對應晶圓級基板(圖中未示)上、元件結構層(圖中未示)中製作出的微元件(圖中未示)之一感測區201B。待經過切割製程之後，凹槽205A可包圍微元件的感測區201B卻無接觸於感測區201B，如此可符合某些種類的微元件的需求。在此，感測區201B為細微感測結構主要集中區域。其次，在本實施例中，使用封裝基板11將構裝組件20承載於封裝基板11上，由於構裝體40僅包圍封裝基板11的上方，使得封裝基板11下方可設有多個插針112，較佳是以矩陣形式排列，由導電通道30的直通矽晶穿孔301及焊墊302、電導通件31及插針112可提供更多數目的電源連接通道及訊號輸出/輸入連接通道。

另請參考第5圖，其顯示依據本發明第三實施例之一構裝結構之結構剖面圖。為了清楚說明本實施例的內涵，在此主要描述本實施例與第一實施例的差異之處。如圖中所示，本實施例的構裝結構4的構裝組件20在基板204上接合覆蓋件206以保護為細微感測結構主要集中分佈的感測區201B，並以覆蓋件206在上、基板204在下的方式，由構裝組件20的基板204接合於承載元件12的方式裝置。因此為了便於進行之後的打線製程，本實施例在構裝組件20之覆蓋件206的側壁206A中製作出包括直通矽晶穿孔301及焊墊302之導電通道30，使導電通道30穿過覆蓋件206並外露於覆蓋件206的表面。經打線製程之後，導電通道30與微元件的感測區201B及訊號接腳122透過電導通件31電耦合，以傳遞至少一訊號或接收外部電源輸入。本實施例的訊號接腳122示例性為J型接腳以供表面貼裝(surface mount)之用。

另請參考第6圖，其顯示依據本發明第四實施例之一構裝結構之結構剖面圖。為了清楚說明本實施例的內涵，在此主要描述本實施例與第一實施例的差異之處。如圖中所示，本實施例顯示覆蓋件207接合於元件結構層201之一示範性例子。如圖中所示，在元件結構層201中形成一微元件201A及一鍵合環(bonding ring) 201C與一平板形狀之覆蓋件207接合。較佳地，鍵合環201C是設置在微元件201A之外圍。

另請參考第7圖，其顯示依據本發明第五實施例之一構裝結構之結構剖面圖。為了清楚說明本實施例的內涵，在此主要描述本實施例與前一實施例的差異之處。本實施例中，微元件201A示例性地包括一懸臂樑及其他電性元件(圖中未示)，如：片狀壓電材料或電極板等，以產生電子訊號。如圖中所示，封裝基板11上除了裝置有經過接合及晶圓切割之後的構裝組件20之外，尚裝置有另一基板50，其上包括一積體電路(圖中未示)與微元件201A電耦合。積體電路與微元件201A之電耦合關係主要是透過焊墊51、電導通件31及建構出的導電通道30，與構裝組件20之微元件201A產生電性相應關係，然而不限於此些元件所產生之電性相應關係，亦可以其他數量或種類之元件使積體電路與微元件201A產生電性相應關係。封裝基板11下方可設有多個插針112，較佳是以矩陣形式排列，由導電通道30的直通矽晶穿孔301及焊墊302、電導通件31及插針112可提供更多數目的電源連接通道及訊號輸出/輸入連接通道。

是故，由上述中可以得知，本發明藉由晶圓級覆蓋結構接合製作出微元件的基板一側，有效利用晶圓級基板的面積以減少製程成本，並在切割之後，藉由結構微小且高密度的導電通道、電導通件與承載元件的訊號接腳之間的電耦合關係，建構出所需數量的電源連接通道及訊號輸出/輸入連接通道。

以上敍述依據本發明多個不同實施例，其中各項特徵可以單一或不同結合方式實施。因此，本發明實施方式之揭露為闡明本發明原則之具體實施例，應不拘限本發明於所揭示的實施例。進一步言之，先前敍述及其附圖僅為本發明示範之用，並不受其限囿。其他元件之變化或組合皆可能，且不悖于本發明之精神與範圍。

1．．．傳統微機電系統

2、3、4、5、6．．．構裝結構

10、12．．．承載元件

11．．．封裝基板

12．．．承載元件

13．．．保護結構

14．．．晶圓

15．．．鍵合環

16．．．錫球

17．．．微機電元件

18．．．直通矽晶穿孔

19．．．切割道

20．．．構裝組件

30．．．導電通道

31．．．電導通件

40．．．構裝體

102、122．．．訊號接腳

112．．．插針

200．．．晶圓級基板

201．．．元件結構層

202．．．覆蓋結構

203、205、206、207．．．覆蓋件

204、50．．．基板

301．．．直通矽晶穿孔

302、51．．．焊墊

201A．．．微元件

201B．．．感測區

201C、202A．．．鍵合環

205A．．．凹槽

206A．．．側壁

第1圖顯示傳統之微機電系統製造過程中之一狀態示意圖。

第2圖顯示依據本發明第一實施例製造之構裝組件之一狀態示意圖。

第3A圖顯示依據本發明第一實施例之一構裝結構之結構剖面圖。

第3B圖顯示依據本發明第一實施例之一構裝結構之透視示意圖。

第4圖顯示依據本發明第二實施例之一構裝結構之結構剖面圖。

第5圖顯示依據本發明第三實施例之一構裝結構之結構剖面圖。

第6圖顯示依據本發明第四實施例之一構裝結構之結構剖面圖。

第7圖顯示依據本發明第五實施例之一構裝結構之結構剖面圖。

2．．．構裝結構

10．．．承載元件

20．．．構裝組件

30．．．導電通道

31．．．電導通件

40．．．構裝體

102．．．訊號接腳

201．．．元件結構層

203．．．覆蓋件

204．．．基板

301．．．直通矽晶穿孔

302．．．焊墊

201A．．．微元件

202A．．．鍵合環

Claims

一種構裝結構，包括：一承載元件，包括複數個訊號接腳；一構裝組件，裝置於該承載元件上，包括：一基板；一元件結構層，位於該基板之一側，包括一微元件；及一覆蓋件，接合於該微元件之同一側，且覆蓋該微元件；複數個導電通道，配置於該構裝組件之該基板中，並與該微元件之訊號電耦合；及複數條電導通件，該些導電通道經由該些電導通件電耦合該些訊號接腳。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其中該些導電通道的一端形成一焊墊，外露於該構裝組件。
如申請專利範圍第2項之構裝結構，其中該些焊墊之間的距離小於300μm。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其中該些導電通道分別包括一直通矽晶穿孔。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其中該基板的輪廓完全重合於該覆蓋件的輪廓。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其中該覆蓋件內側形成一凹槽，包圍該微元件的一感測區。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其中該覆蓋件接合於該元件結構層或該基板。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其中該覆蓋件經由一接合媒介接合於該元件結構層或該基板。
如申請專利範圍第8項之構裝結構，其中該接合媒介係選自下列群組之任意組合：派熱克斯玻璃-7740、矽、二氧化矽、氮化矽、鋁、鍺、金、膠及環氧樹脂。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其中該承載元件為一導線架或一封裝基板。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其更包括一構裝體包覆該承載元件與該構裝組件。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其中該微元件係選自下列群組之任意組合：感測元件、微機電元件及電子元件。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其中該電導通件包括含有下列群組之任意組合：金、銅、鋁、錫及鉛之接線。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其中該覆蓋件係選自下列群組之任意組合：矽、玻璃及金屬。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其中該基板係選自下列群組之任意組合：矽、玻璃及金屬。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其中該元件結構層係選自下列群組之任意組合：矽、氧化矽及金屬。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其更包括一積體電路，位於該基板之同一側與該微元件電耦合。
如申請專利範圍第1項之構裝結構，其更包括另一基板裝置於該承載元件上，該另一基板包括一積體電路與該微元件電耦合。
一種構裝結構，包括：一承載元件，包括複數個訊號接腳；一構裝組件，裝置於該承載元件上，包括：一基板；一元件結構層，位於該基板之一側，包括一微元件；及一覆蓋件，接合於該微元件之同一側，且覆蓋該微元件；複數個直通矽晶穿孔，配置於該構裝組件之該基板中，並與該微元件之訊號電耦合；及複數條接線，該些直通矽晶穿孔經由該些接線電耦合該些訊號接腳。
如申請專利範圍第19項之構裝結構，其中該些直通矽晶穿孔的一端形成一焊墊，外露於該構裝組件。
如申請專利範圍第20項之構裝結構，其中該些焊墊之間的距離小於300μm。
如申請專利範圍第19項之構裝結構，其中該微元件係選自下列群組之任意組合：感測元件、微機電元件及電子元件。