TWI440699B - 液晶介質 - Google Patents
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Description
本發明係關於液晶介質,且係關於包含該介質之液晶顯示器,尤其為具有極短響應時間及良好陡度及角度依賴性之扭轉向列型(TN)及超扭轉向列型(STN)液晶顯示器。
TN顯示器(例如)自M.Schadt及W.Helfrich,Appl.Phys.Lett.,18,127(1971)中已知。STN顯示器(例如)自EP 0 131 216 B1;DE 34 23 993 A1;EP 0 098 070 A2;M.Schadt及F.Leenhouts,17th Freiburg Congress on Liquid Crystals(8.-10.04.87);K.Kawasaki等人,SID 87 Digest 391(20.6);M.Schadt及F.Leenhouts,SID 87 Digest 372(20.1);K.Katoh等人,Japanese Journal of Applied Physics,第26卷,第11期,L 1784-L 1786(1987);F.Leenhouts等人,Appl.Phys.Lett.50(21),1468(1987);H.A.van Sprang及H.G.Koopman,J.Appl.Phys.62(5),1734(1987);T.J.Scheffer及J.Nehring,Appl.Phys.Lett.45(10),1021(1984),M.Schadt及F.Leenhouts,Appl.Phys.Lett.50(5),236(1987)及E.P.Raynes,Mol.Cryst.Liq.Cryst.Letters第4卷(1),第1-8頁(1986)中已知;此處之術語STN覆蓋任何相對較高扭轉之具有介於160°與360°之間之扭轉角值之顯示器元件,諸如根據Waters等人之顯示器元件(C.M.Waters等人,Proc.Soc.Inf.Disp.(New York)(1985)(3rd Intern.Display Conference,Kobe,Japan)、STN-LCD(DE-A 35 03 259)、SBE-LCD(T.J.Scheffer及J.Nehring,Appl.Phys.Lett.45(1984)1021)、OMI-LCD(M.Schadt及F.Leenhouts,Appl.Phys.Lett.50(1987),236)、DST-LCD(EP-A 0 246 842)或BW-STN-LCD(K.Kawasaki等人,SID 87 Digest 391(20.6)))。
STN顯示器與標準TN顯示器相比,以顯著較好之電光學特徵線陡度及與之相關的較好之對比度值,及以顯著較低之對比度角度依賴性而卓越。
尤其受關注的是具有極短響應時間之TN及STN顯示器,尤其亦在相對較低溫度下。為獲得短響應時間,迄今主要使用具有相對較高蒸氣壓之單變添加劑(monotropic additive)來使液晶混合物之旋轉黏度最佳。然而,所獲得之響應時間並不適用於每一應用。
為在本發明之顯示器中獲得較陡的電光學特徵線,液晶混合物應的彈性常數之間的比率K33
/K11
應具有相對較大值且△ε/ε⊥
具有相對較小值,其中△ε係介電各向異性,且ε⊥
係垂直於縱向分子軸之介電常數。
除了使對比度及響應時間最佳化,其他重要要求係此類型之混合物:1.寬d/p窗口2.高長期化學穩定性3.高電阻4.低的頻率及溫度依賴性之臨限電壓。
所獲得之參數組合仍尤其不適合於高多路傳輸STN顯示器(具有約1/400範圍內之多路傳輸速率),且不適合於中等及低多路傳輸STN顯示器(分別具有約1/64及1/16範圍內之多路傳輸速率)及TN顯示器。此部分可歸因於各種要求以相反方式受材料參數影響之事實。
因此,仍持續非常需要滿足上述要求之具有極短響應時間,同時具有較大的工作溫度範圍、高特徵線陡度、良好的對比度角度依賴性及低臨限電壓之TN及STN顯示器,尤其為中等及低多路傳輸STN顯示器。
此外,諸如電信等之現代應用需要具有高正值之介電各向異性△ε之液晶混合物以獲得必要之低臨限電壓。然而,降低之臨限電壓通常會導致響應時間之增加。因此,需要提供具有高正值之△ε且同時具有快速響應時間之液晶混合物。
本發明目的在於提供尤其用於TN及STN顯示器之新穎化合物及液晶介質,其無上述缺點或僅在較低程度上有該等缺點,且同時具有高的正△ε、低臨限電壓、短響應時間(尤其在低溫下)及極好之陡度。
目前已發現若使用本發明之液晶介質可實現該目的。
本發明係關於包含式I化合物之液晶介質
在本發明之TN及STN顯示器之混合物中使用式I化合物導致.較高之電光學特徵線陡度,.歸因於經改良之頻率依賴性之較低溫度依賴性的操作電壓,.較快之響應時間,尤其在低溫下。
式I化合物尤其顯著縮短TN及STN混合物之響應時間,而同時提高介電各向異性及陡度且降低臨限電壓之溫度依賴性。
此外,本發明之混合物以下列優點卓越:-其具有低黏度,-其具有低臨限電壓及操作電壓,及-其在低溫下在顯示器內實現長久存放期。
此外,本發明係關於液晶顯示器,其具有-兩塊外板,該等兩塊外板連同一框架形成一單元,-位於該單元內之正介電各向異性之向列型液晶混合物,-在外板內側上具有對準層之電極層,-外板表面之分子縱軸與外板之間的自0°至30°之傾角,及-單元內液晶混合物之自對準層至對準層之值介於22.5°與600°之間的扭轉角,-由以下各物組成之向列型液晶混合物a)15-75重量%之由一或多種介電各向異性高於+1.5之化合物組成之液晶組份A
;b)25-85重量%由一或多種介電各向異性介於-1.5與+1.5之間之化合物組成之液晶組份B
;c)0-20重量%之由一或多種介電各向異性低於-1.5之化合物組成之液晶組份D
,及d)若需要,量使得層厚度(外板之間隔)與對掌性向列型液晶混合物之固有間距之間的比率為自約0.2至1.3之光活性組份C,其特徵在於該向列型液晶混合物為如上及如下所述定義。
本發明亦係關於含有本發明之液晶混合物之TN及STN顯示器,尤其為中等及低多路傳輸STN顯示器。
式I化合物在本發明之液晶混合物之用途導致特別低之旋轉黏度值,且導致具有高陡度及快速響應時間(尤其低溫下)之TN及STN顯示器。
除了式I化合物,本發明之液晶混合物另外較佳包含一或多種式II烯基化合物:
其中A為1,4-伸苯基或反-1,4-伸環己基;a為0或1,R3
為具有自2至9個碳原子之烯基,及R4
為自1至12個碳原子之烷基,其未經取代,經CN或CF3
單取代或至少經鹵素單取代,其中該等基團中之一或多個CH2
基團亦可各自彼此獨立地以使O原子不彼此直接鍵聯之方式經-O-、-S-、-CH=CH-、-C≡C-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換。
式II之特佳化合物為彼等選自以下式之化合物:
其中R3a
及R4a
彼此獨立為H、CH3
、C2
H5
或正C3
H7
,且烷基為具有1至8個碳原子之烷基。
尤佳為式IIa化合物,尤其其中R3a
及R4a
為H或CH3
,且為式IIe、IIf、IIg、IIh及IIi化合物,尤其其中R3a
為H或CH3
。
具有自-1.5至+1.5之介電各向異性("介電中性")之式I及式II化合物為如以上所定義之組份B的一部分
。
除了式I及式II化合物,本發明之液晶混合物另外較佳包含一或多種具有正介電各向異性之式II*
烯基化合物,
其中R3
為具有2至7個碳原子之烯基,Q為CF2
、OCF2
、CFH、OCFH或單鍵,Y為F或Cl,及L1
及L2
彼此獨立為H或F。
尤佳為式II*
化合物,其中L1
及/或L2
為F且Q-Y為F或OCF3
。
進一步較佳為式II*
化合物,其中R3
為具有2至7,較佳2、3或4個碳原子之1E-烯基或3E-烯基。
極佳為式II*
a化合物:
其中R3a
為H、CH3
、C2
H5
或正C3
H7
,尤其為H或CH3
。
介電各向異性高於+1.5之式II*
極性化合物為如以上所定義之組份A的一部分
。
較佳液晶混合物包含一或多種組份A
化合物,較佳以自15%至75%,更佳自20%至65%之比例包含。該等化合物較佳具有△ε+3之介電各向異性,△ε+8之介電各向異性更佳且△ε+12之介電各向異性尤其最佳。
組份A
較佳包含一或多種選自以下式之氰基化合物
其中R為具有自1至12個碳原子之烷基、烷氧基或烯基,其中該等基團中之一或多個CH2
基團亦可各自彼此獨立地以使O原子不彼此直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換,及L1
、L2
、L3
及L4
彼此獨立地為H或F。
該等化合物中之R較佳為具有1至8個碳原子之烷基或烷氧基或具有2至7個碳原子之烯基。
極佳為包含一或多種選自式IIIb、IIIc、IIId及IIIe,此外IIIg化合物之混合物,尤其其中L1
及/或L2
為F。
進一步較佳為包含一或多種式IIIc及/或IIId化合物之混合物,其中R為具有2至7個碳原子之烯基,較佳為-烯基或3E-烯基,更佳為乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、3E-丁烯基或3E-戊烯基,最佳為1E-丁烯基。
進一步較佳為包含一或多種式IIId化合物之混合物,其中L3
及L4
為H。
較佳液晶混合物包含較佳自25%至85%之一或多種組份B之化合物。群組B之化合物(尤其)以其低旋轉黏度值γ1
而卓越。
此外組份B
較佳包含一或多種選自由以下式之二環化合物組成之群之化合物,
及/或一或多種選自由以下式之三環化合物組成之群之化合物,
及/或一或多種選自由以下式之四環化合物組成之群之化合物,
其中R1
及R2
彼此獨立為自1至12個碳原子之烷基,其未經取代,經CN或CF3
單取代或至少經鹵素單取代,其中該等基團中之一或多個CH2
基團亦可各自彼此獨立地以使O原子不直接鍵聯至彼此之方式經-O-、-S-、-CH=CH-、-C≡C-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換,及L為H或F。
且其中式IV10至IV19中及式IV23至IV33中之1,4-伸苯基視情況可經F單取代或多取代。
特佳提供式IV27至IV33化合物,其中R1
為烷基且R2
為烷基或烷氧基,尤其為烷氧基,各自具有自1至7個碳原子。此外較佳提供式IV27及IV33化合物,其中L為F。
尤佳為式IV12、IV27及IV32化合物。
式IV1至IV33化合物中之R1
及R2
尤佳為具有自1至12個碳原子之直鏈烷基或烷氧基。
尤佳提供包含一或多種式IV24化合物之本發明之混合物,其中R1
為具有2至7個碳原子之烯基較佳,式IV24化合物選自式IV24a及IV24b極佳,
其中R3a
係如以上所定義。
在另一較佳實施例中,該液晶混合物包含一或多種選自由式Ta至Ti組成之群之二苯乙炔化合物,
其中R1
及R2
係如以上式IV所定義,Z4
為-CO-O-、-CH2
CH2
-或單鍵,及L1
至L6
彼此獨立為H或F。
尤佳為式Ta、Tb及Tc化合物。
在另一較佳實施例中,本發明之液晶混合物之組份A另外較佳包含一或多種選自以下式之3,4,5-三氟苯基化合物,
及/或一或多種選自以下式之具有極性末端基之化合物,
其中R係如式III所定義且L3
及L4
彼此獨立為H或F。該等化合物中之R較佳為具有1至8個碳原子之烷基或烷氧基。
尤佳為式Va、Vb、Vc、Vd、Vm、Vn及VIm化合物,尤其為式Va、Vm、Vn及VIm化合物。
在另一較佳實施例中,該液晶混合物包含一或多種,特佳一種、兩種或三種式VIIa及/或VIIb之雜環化合物,
其中R6
及R7
定義為式III中所定義之R,且Y為F或Cl。
若需要,該等液晶混合物包含量使得層厚度(外板之間隔)與對掌性向列型液晶混合物之固有間距之間之比率高於0.2之光活性組份C
。熟習此項技術者可將多種對掌性摻雜劑用於該組份,其中一些市面上可購得,例如膽固醇壬酸酯、S-811、S-1011、S-2011、S-3011、S-4011或CB15(Merck KGaA,Darmstadt)。摻雜劑之選擇本身並不關鍵。
組份C之化合物之比例較佳為自0至10%,更佳為自0至5%且尤其自0至3%。
必要時,本發明之混合物亦可包含至多20%一或多種介電各向異性低於-2之化合物(組份D
)。
若該等混合物包含組份D
之化合物,則此等化合物較佳為一或多種含有結構單元2,3-二氟-1,4-伸苯基之化合物,例如如DE-A 38 07 801、38 07 861、38 07 863、38 07 864及38 07 908中所述之化合物。特佳提供含有此結構單元之二苯乙炔,如國際專利申請案WO 88/07514中所述。
其他已知之組份D之化合物為,例如,含有結構單元或之2,3-二氰基氫醌衍生物或環己烷衍生物,如DE-A 32 31 707及DE-A 34 07 013中所述。
本發明之液晶顯示器較佳不含有組份D
之化合物。
R及R1
至R7
之定義中,術語"烯基"覆蓋直鏈及支鏈烯基,尤其為直鏈基團。特佳烯基為C2
-C7
-1E-烯基、C4
-C7
-3E-烯基、C5
-C7
-4-烯基、C6
-C7
-5-烯基及C7
-6-烯基,尤其為C2
-C7
-1E-烯基、C4
-C7
-3E-烯基及C5
-C7
-4-烯基。
較佳烯基之實例為乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3E-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基及其類似物。具有至多5個碳原子之基團通常較佳。
在特佳實施例中,液晶混合物包含-一或多種選自式IIa至IIi及/或II*
之化合物,-一或多種選自式IIIa至IIIi之化合物,-一或多種式IV24化合物,-一或多種選自式Ta至Tc之化合物,-一或多種選自式IV12及/或IV27及/或IV32之化合物。
在另一特佳實施例中,液晶混合物包含-2%至30%,較佳4%至20%式I化合物,-0至30%,較佳3%至20%式IV24化合物,-8%至70%,較佳14%至60%式IIa至IIi及/或II*
化合物,-4%至50%,較佳5%至40%式Ta至Tc化合物,-5%至40%,較佳10%至30%式IIIa至IIIi化合物,-0至20%,較佳2%至10%式IV12及/或IV27及/或IV32化合物。
上述式及其子式之單個化合物及其他可用於本發明之混合物或TN及STN顯示器之化合物,為已知的或可類似於已知化合物製備。
本發明之混合物,尤其在用於高層厚度之TN及STN顯示器時,以極低的總響應時間(tsum
=ton
+toff
)而卓越。
用於本發明之TN及STN單元之液晶混合物較佳呈介電正性,△ε1。較佳提供△ε5之液晶混合物。
本發明之液晶混合物之清澈點較佳為80℃或更高,更佳為90℃或更高。
本發明之液晶混合物具有有利之臨限電壓值V10/0/20
及旋轉黏度值γ1
。若預先規定光程差值d.△n,則層厚度值d係由光學各向異性△n確定。尤其當d.△n值相對較高時,使用本發明之具有相對較高光學各向異性值之液晶混合物通常較佳,因為d值可隨後選定為相對較小,其導致更加有利之響應時間值。然而,本發明之含有本發明之具有較小△n值之液晶混合物之液晶顯示器,亦以有利的響應時間值為特徵。
本發明之液晶混合物較佳具有>0.12之雙折射率△n,極佳0.14。本發明之液晶混合物進一步較佳具有<0.25之雙折射率△n,極佳0.22。
此外,本發明之液晶混合物之特徵在於有利的電光學特徵線陡度值,且可以高多路傳輸速率運行,尤其在高於20℃之溫度下。此外,本發明之液晶混合物具有高穩定性及優良的電阻值及臨限電壓之頻率依賴性。本發明之液晶顯示器具有大的工作溫度範圍及良好的對比度角度依賴性。
本發明之經表面處理使得在各種情況下與其相鄰之液晶分子之優先對準(導向器)通常自一電極至另一電極以自160°至720°之值扭轉的偏光板、電極基板及電極之液晶顯示器元件的構造對應於此類型顯示器元件之常用結構。此處術語"常用結構"廣泛引出且亦覆蓋TN及STN單元之全部衍生物及改良型,尤其亦覆蓋矩陣顯示元件及含有其他磁體之顯示器元件。
兩塊外板之表面傾角可為相同或不同。相同之傾角較佳。較佳TN顯示器具有外板表面分子之縱軸與外板之間的自0°至7°之預傾角,較佳自0.01°至5°且尤其自0.1°至2°。STN顯示器中,預傾角為自1°至30°,較佳自1°至12°且尤其自3°至10°。
單元中TN混合物之扭轉角具有介於22.5°與170°之間之值,較佳介於45°與130°之間且尤其介於80°與115°之間。單元中STN混合物之自對準層至對準層之扭轉角具有介於100°與600°之值,較佳介於170°與300°之間且尤其介於180°與270°之間。
本發明之液晶混合物亦適用作液晶介質用於膽固醇液晶顯示器,尤其SSCT("表面穩定化膽固醇結構")及PSCT("聚合物穩定化膽固醇結構")顯示器,如例如WO 92/19695、US 5,384,067、US 5,453,863、US 6,172,720及US 5,661,533中所述。膽固醇液晶顯示器通常包含由向列型組份及光活性組份組成之膽固醇液晶介質,且與TN及STN顯示器相比,展現顯著較高之螺旋扭轉且展示圓偏振光之選擇反射。反射波長由膽固醇螺旋之間距及膽固醇液晶介質之平均折射率之乘積給出。
出於此目的,將一或多種對掌性摻雜劑添加至本發明之液晶混合物中,其中扭轉力及摻雜劑濃度經選定使得所得之液晶介質在室溫下具有膽固醇相,且具有較佳位於電磁波譜之可見光、UV或IR範圍內之反射波長,尤其在自400 nm至800 nm範圍內。
合適之對掌性摻雜劑為專家已知且可市面上購得,如例如膽固醇壬酸酯(CN)、CB15、R/S-811、R/S-1011、R/S-2011、R/S-3011、R/S-4011及R/S-5011(Merck KGaA,Darmstadt)。特別合適為具有高扭轉力之包含如WO 98/00428中所揭示之對掌性糖基,尤其山梨糖醇、甘露糖醇或艾杜糖醇之衍生物,極佳山梨糖醇衍生物之摻雜劑。進一步較佳為包含以下各物之摻雜劑,如GB 2,328,207中所述之二苯基乙二醇基團、如WO 02/94805中所述之對掌性聯萘基衍生物、如WO 02/34739中所述之對掌性聯萘酚縮醛衍生物、如WO 02/06265中所述之對掌性TADDOL衍生物,及如WO 02/06196及WO 02/06195中所述之具有至少一個氟化鍵聯基團及末端或中心對掌性基團之對掌性摻雜劑。
若使用兩種或兩種以上摻雜劑,則其可展現相同或相反之扭轉感應,及相同或相反之扭轉線性溫度係數符號(sign)。
包含作本發明之液晶混合物為向列型組份及一或多種對掌性摻雜劑作為光活性組份之膽固醇液晶介質係本發明之另一目的。本發明之另一目的為包含如上所述之膽固醇液晶介質之膽固醇液晶顯示器,尤其為SSCT及PSCT顯示器。
根據本發明可使用之液晶混合物以本身習知之方式製備,例如藉由使式I化合物與一或多種選自上述式之化合物混合,且視情況可與其他化合物或添加劑混合。通常,將所需量之以較低量使用之組份溶解於構成主成分之組份中,在高溫下有利。亦可能於有機溶劑中混合組份之溶液,例如於丙酮、氯仿或甲醇中,且例如藉由充分混合後之蒸餾再次移除該溶劑。製備該混合物之方法係本發明之另一態樣。
該等介電質亦可包含熟習此項技術者已知及描述於文獻中之其他添加劑。例如,可添加0-15%之多色性染料、奈米粒子、穩定劑或對掌性摻雜劑。合適之摻雜劑及穩定劑展示於下文表C及表D中。
在本申請案及下文之實例中,液晶化合物之結構藉助於縮寫字表明,根據表A及表B轉換成化學式。全部基團Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
為分別具有n及m個碳原子之直鏈烷基。該等烯基具有反式構型。表B中之編碼不言自明。表A中,僅母結構之縮寫字加以表明。在個案中,母結構之縮寫字以破折號,以於下表中表明之取代基R1
、R2
、L1
、L2
及L3
之編碼跟隨、分隔。
TN及STN顯示器較佳含有由一或多種來自表A及表B之化合物構成之液晶混合物。
表D
可添加至(例如)本發明之混合物之穩定劑展示如下:
應瞭解,本發明之上述實施例可進行改變而仍屬於本發明之範圍。說明書中所揭示之每一特徵,除非另有說明,否則可經具有相同、等效或類似目的之替代性特徵置換。因此,除非另有說明,否則所揭示之每一特徵僅為一般系列之等效或類似特徵之一實例。
該說明書中所揭示之全部特徵可組合為任何組合,除了至少某些特徵及/或步驟互斥的組合之外。尤其,本發明之較佳特徵適用於本發明之全部態樣且可以任何組合形式使用。同樣,描述於非需要之組合中之特徵可分別使用(不以組合形式)。
應瞭解如上所述之多種特徵,特別是該等較佳實施例中的多種特徵,本身具有創造性,且並非僅作為本發明之實施例之一部分。除了目前主張之任何發明或其替代,可為此等特徵尋求獨立保護。
使用下列縮寫:Clp. 清澈點(向列相-各向同性相轉變溫度),S-N 近晶相-向列相轉變溫度△n 光學各向異性(589 nm,20℃),△ε 介電各向異性(1 kHz,20℃),vT
流動黏度(mm2
.s-1
,T/℃),γ1
旋轉黏度(mPa.s,20℃)k1
彈性常數("斜展",pN,20℃),k"
彈性常數("扭轉",pN,20℃),k3
彈性常數("彎曲",pN,20℃),S 特徵線陡度=(1-V90
/V10
)*100,d 單元間隙(μm),P 膽固醇間距(μm,20℃),HTP S-811之螺旋扭轉力(μm-1
,20℃),V10
臨限電壓=於10%相對對比度下之特徵電壓,V50
中灰色電壓(mid-grey voltage)=於50%相對對比度下之特徵電壓,V90
飽和電壓=於90%相對對比度下之特徵電壓,τ V(τon
=τoff
)時之響應時間τon
+τoff
,τon
自0%至90%相對對比度之上升時間,τoff
自100%至10%相對對比度之下降時間M 多路傳輸比率及B 偏差比率。
上文及下文中,所有溫度以℃給出。百分比係重量百分比。除非另有說明,否則全部值係關於20℃。除非另有說明,否則該等顯示器具有240°之扭轉且以1/64之多路傳輸速率及1/7之偏差定址。除非另有說明,否則光陰滯為0.85 μm且d/P比率為0.52。
現將參考以下實例更詳細地描述本發明,該等實例僅為例示性的且並未限制本發明之範圍。
以下實例給出之液晶混合物係如此製備且研究。隨後製備且研究各自含有此等液晶混合物之一者之STN顯示器。各別組成及相應結果係如下所示。
ME2N.F 2.50% Clp.:+98.0℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1770 ME4N.F 6.00% V10
:2.01 V DU-2-N 7.00% S:7.7 K6 4.00% v20
:18 mm2
.s-1
CC-3-V 5.00% CC-3-V1 8.00% HTP:-9.90 μm-1
CCP-V-1 2.00% CCP-V2-1 12.50% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% BCH-32 3.00% PP-1-2V1 9.00% PTP-102 5.00% PTP-201 5.00% PTP-301 2.50% CPTP-301 5.00% CPTP-302 5.00% CPTP-303 5.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+95.0℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1732 ME4N.F 3.00% V10
:2.12 V PZU-V2-N 7.00% S:6.3 K6 2.00% CP-1V-N 4.00% HTP:-10.14 μm-1
CC-3-V 12.00% CC-3-V1 8.00% CCP-V-1 4.00% CVCP-V-1 4.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% BCH-32 4.00% PP-1-2V1 9.00% PTP-102 5.00% PTP-201 5.00% PTP-301 2.00% CPTP-301 5.00% CPTP-302 5.00% CPTP-303 5.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+95.0℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1780 ME4N.F 4.50% V10
:2.02 V PZU-V2-N 7.00% S:7.5 K6 4.50% CC-3-V 10.00% HTP:-10.29 μm-1
CC-3-V1 8.00% CCP-V-1 5.50% CVCP-V-1 4.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% BCH-32 4.00% PP-1-2V1 9.00% PTP-102 5.00% PTP-201 5.00% PTP-301 2.50% CPTP-301 5.00% CPTP-302 5.00% CPTP-303 5.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+92.0℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1786 ME4N.F 4.00% V10
:2.02 V PZU-V2-N 7.00% S:7.8 K6 4.50% CC-3-V 15.00% HTP:-10.29 μm-1
CC-3-V1 4.00% CCP-V2-1 3.50% CVCP-V-1 4.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% BCH-32 4.00% PP-1-2V1 9.00% PTP-102 5.00% PTP-201 5.00% PTP-301 4.00% CPTP-301 5.00% CPTP-302 5.00% CPTP-303 5.00%
DU-2-N 8.00% Clp.:+93.0℃ PCH-2N.F.F 10.50% △n:0.2043 CP-1V-N 10.00% V10
:1.81 V PP-1-2V1 8.00% S:8.9 CC-3-V1 2.50% CCG-V-F 10.00% HTP:-10.91 μm-1
CCP-V2-1 7.00% PTP-102 4.00% CPTP-301 5.00% PPTUI-3-2 16.00% PPTUI-3-4 15.00% CCPC-33 4.00%
DU-2-N 8.00% Clp.:+94.0℃ PCH-2N.F.F 9.50% △n:0.2037 CP-1V-N 10.50% V10
:1.86 V PP-1-2V1 8.00% S:8.3 CC-3-V1 3.00% CCG-V-F 10.00% HTP:-11.01 μm-1
CCP-V2-1 8.00% PTP-102 4.00% CPTP-301 5.00% PPTUI-3-2 15.50% PPTUI-3-4 15.00% CCPC-33 3.50%
ME2N.F 2.50% Clp.:+94.0℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1440 ME4N.F 4.50% V10
:2.27 V PCH-2N.F.F 7.00% S:7.6 CP-1V-N 5.50% PP-1-2V1 9.00% HTP:-9.69 μm-1
CC-4-V 13.00% CC-3-V1 8.00% CCP-V-1 13.00% CCP-V2-1 13.00% BCH-32 4.50% PTP-102 3.50% CPTP-301 5.00% CPTP-302 5.00% CPTP-303 3.50%
ME2N.F 2.50% Clp.:+94.0℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1430 ME4N.F 4.00% V10
:2.34 V PCH-2N.F.F 6.00% S:7.5 CP-1V-N 6.00%1
:106 mPa.s PP-1-2V1 9.50% △ε:+8.3 CC-4-V 13.50% k1
:14.5 pN CC-3-V1 8.00% K3
/k1
:1.25 CCP-V-1 13.00% CCP-V2-1 13.00% HTP:-9.60 μm-1 BCH-32 5.00% PTP-102 3.50% CPTP-301 5.00% CPTP-302 5.00% CPTP-303 2.50%
ME2N.F 2.50% Clp.:+93.0℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1442 ME4N.F 3.50% V10
:2.23 V DU-2-N 7.50% S:9.1 PP-1-2V1 8.50% CC-4-V 16.00% HTP:-9.04 μm-1
CC-3-V1 8.00% CCP-V-1 13.00% CCP-V2-1 13.00% BCH-32 5.50% PTP-102 5.00% PTP-201 2.00% CPTP-301 5.00% CPTP-302 5.00% CPTP-303 2.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+93.0℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1445 ME4N.F 4.00% V10
:2.39 V PCH-2N.F.F 6.00% S:7.8 CP-1V-N 4.00% PP-1-2V1 10.00% HTP:-9.38 μm-1
CC-4-V 14.00% CC-3-V1 8.00% CCP-V-1 13.00% CCP-V2-1 13.00% BCH-32 5.00% PTP-102 5.00% CPTP-301 5.00% CPTP-302 5.00% CPTP-303 2.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+100.0℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1778 ME4N.F 4.00% V10
:2.03 V PZU-V2-N 7.00% S:7.7 CP-1V-N 8.00% v20
:17 mm2
.s-1
CC-3-V 15.50% CCP-V-1 9.50% HTP:-9.83 μm-1
CVCP-1V-O1 5.00% BCH-32 4.00% PP-1-2V1 9.00% PTP-102 5.00% PTP-201 5.00% PTP-301 2.00% CPTP-301 5.00% CPTP-302 5.00% CPTP-303 5.00% CBC-33 3.00% CBC-53 2.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+100.0℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1787 ME4N.F 4.00% V10
:1.97 V PZU-V2-N 7.00% S:8.0 CP-1V-N 9.50% CC-3-V 14.00% HTP:-10.10 μm-1
CCP-V-1 9.50% CVCP-1V-O1 4.00% BCH-32 4.00% PP-1-2V1 11.00% PTP-102 5.00% PTP-201 5.00% CPTP-301 5.00% CPTP-302 5.00% CPTP-303 5.00% CBC-33 3.00% CBC-53 3.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+100.0℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1785 ME4N.F 5.50% V10
:2.03 V DU-2-N 6.00% S:7.2 CP-1V-N 8.50% v20
:18 CC-3-V 12.00% CCP-V-1 11.00% HTP:-9.92 μm-1
CVCP-1V-O1 3.00% BCH-32 4.00% PP-1-2V1 10.00% PTP-102 5.00% PTP-201 5.00% PTP-302 2.00% CPTP-301 5.00% CPTP-302 5.00% CPTP-303 5.00% CBC-33 3.50% CBC-53 3.50%
PCH-2N.F.F 5.00% Clp.:+92.0℃ ME2N.F 2.50% △n:0.1745 ME3N.F 3.50% V10
:1.87 V DU-2-N 7.50% S:6.6 CP-1V-N 10.00% CC-4-V 4.00% HTP:-10.65 μm-1
CC-3-V1 8.00% CCP-V-1 13.00% CCP-V2-1 5.50% CVCP-1V-O1 5.00% BCH-32 4.50% PP-1-2V1 6.50% PTP-102 5.00% CPTP-301 5.00% PPTUI-3-2 15.00%
PCH-2N.F.F 6.00% Clp.:+91.0℃ ME2N.F 2.50% △n:0.1720 ME3N.F 3.50% V10
:1.83 mm2
.s-1
DU-2-N 7.50% S:6.9 CP-1V-N 10.00% v20
:19 mm2
.s-1
CC-4-V 4.00% v-30
:1,631 mm2
.s-1
CC-3-V1 8.00% CCP-V-1 6.50% HTP:-10.86 μm-1 CCP-V2-1 8.00% CVCP-V-O1 3.00% CVCP-1V-O1 5.00 BCH-32 5.00% PP-1-2V1 7.50% PTP-102 3.50% CPTP-301 5.00% PPTUI-3-2 15.00%
PCH-2N.F.F 6.00% Clp.:+91.0℃ ME2N.F 2.50% △n:0.1720 ME3N.F 3.50% V10
:1.83 DU-2-N 7.50% S:7.1 CP-1V-N 10.00% CC-4-V 4.00% HTP:-10.75 μm-1
CC-3-V1 8.00% CCP-V-1 12.00% CCP-V2-1 8.00% CVCP-1V-O1 4.00% BCH-32 4.50% PP-1-2V1 5.00% PTP-102 5.00% CPTP-301 5.00% PPTUI-3-2 15.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+92.0℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1789 ME4N.F 4.00% V10
:2.00 V PZU-V2-N 7.00% S:7.6 K6 4.50% v20
:16 mm2
.s-1
CC-3-V 17.00% CCP-V-1 5.50% HTP:-10.29 μm-1
CVCP-V-1 4.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% BCH-32 4.00% PP-1-2V1 9.00% PTP-102 5.00% PTP-201 5.00% PTP-301 4.00% CPTP-301 5.00% CPTP-302 5.00% CPTP-303 5.00%
PZU-V2-N 4.00% Clp.:+89.0℃ CP-1V-N 10.00% △n:0.1531 K6 7.00% V10
:2.56 V CC-3-V 16.00% S:5.2 PP-1-2V1 10.00% PTP-102 4.00% HTP:-10.16 μm-1
PTP-201 4.00% PTP-301 4.00% CCP-V-1 8.00% CCP-V2-1 8.00% CVCP-V-1 5.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% BCH-32 5.00% BCH-52 5.00%
PZU-V2-N 3.00% Clp.:+90.0℃ CP-1V-N 11.00% △n:0.1530 K6 8.00% V10
:2.59 V CC-3-V1 8.00% S:3.7 PCH-201 10.00% PP-1-2V1 9.00% HTP:-10.71 μm-1
PTP-102 3.00% PTP-201 3.00% PTP-301 3.00% CCP-V-1 8.00% CCP-V2-1 9.00% CVCP-V-1 5.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% BCH-32 5.00% BCH-52 5.00%
PZU-V2-N 4.00% Clp.:+92.0℃ CP-1V-N 13.00% △n:0.1538 K6 8.00% V10
:2.42 V PCH-302 14.00% S:4.6 PP-1-2V1 10.00% PTP-102 3.00% HTP:-10.77 μm-1
PTP-201 3.00% CCP-V-1 10.00% CCP-V2-1 10.00% CVCP-V-1 5.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% BCH-32 5.00% BCH-52 5.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+109℃ DU-2-N 7.00% △n:0.1418 PCH-2N.F.F 4.50% V10
:2.19 V CP-1V-N 8.50% S:4.1 PP-1-2V1 5.50% CC-3-V1 8.00% M:240 CCG-V-F 8.50% B:16 CCP-V-1 13.00% τ:496 ms CCP-V2-1 13.00% BCH-32 5.00% HTP:-10.9 μm-1 CVCP-V-1 5.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% PPTUI-3-2 9.50%
ME2N.F 2.50% Clp.:+109℃ DU-2-N 7.00% △n:0.1407 PCH-2N.F.F 6.00% V10
:2.19 V CP-1V-N 5.00% S:4.6 PP-1-2V1 5.50% CC-3-V1 8.00% M:240 CCG-V-F 10.00% B:16 CCP-V-1 13.00% τ:494 ms CCP-V2-1 13.00% BCH-32 5.00% HTP:-10.7 μm-1
CVCP-V-1 5.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% PPTUI-3-2 10.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+110℃ DU-2-N 7.00% △n:0.1416 PCH-2N.F.F 3.50% . 9.5 CP-1V-N 9.50% V10
:2.22 V PP-1-2V1 6.00% S:4.2 CC-3-V1 8.00%1
:143 mPa.s CCG-V-F 8.50% M:240 CCP-V-1 13.00% B:16 CCP-V2-1 13.00% τ:496 ms BCH-32 5.00% CVCP-V-1 5.00% HTP:-10.9 μm-1
CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% PPTUI-3-2 9.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+108℃ DU-2-N 7.00% △n:0.1409 PCH-2N.F.F 3.00% V10
:2.20 V CP-1V-N 12.50% S:4.2 PP-1-2V1 3.50% CC-4-V 4.50% M:240 CC-3-V1 8.00% B:16 CCG-V-F 3.00% τ:475 ms CCP-V-1 13.00% CCP-V2-1 13.00% HTP:-10.8 μm-1
BCH-32 5.00% CVCP-V-1 5.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% PPTUI-3-2 10.00%
ME2N.F 3.00% Clp.:+92℃ ME3N.F 3.00% △n:0.1317 ME4N.F 5.50% V10
:1.82 V PZU-V2-N 7.00% S:5.9 CP-1V-N 16.00% CC-3-V1 8.00% CC-4-V 8.50% M:240 PP-1-2V1 5.00% B:16 CCP-V-1 11.50% τ:500 ms CCP-V2-1 11.00% BCH-32 5.00% HTP:-11.0 μm-1
CVCP-V-1 4.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% PTP-102 2.50%
ME2N.F 3.00% Clp.:+92℃ ME3N.F 3.00% △n:0.1302 ME4N.F 6.00% V10:1.78 V PZU-V2-N 7.00% S:5.6 CP-1V-N 16.00% CC-3-V1 8.00% M:240 CC-4-V 8.50% B:16 PP-1-2V1 5.00% τ:537 ms CCP-V-1 12.00% CCP-V2-1 11.00% HTP:-11.3 μm-1
BCH-32 5.00% CVCP-V-1 4.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% PTP-102 1.50%
ME2N.F 2.50% Clp.:+93℃ ME3N.F 3.00% △n:0.1308 ME4N.F 4.00% V10
:1.84 V PZU-V2-N 7.00% S:4.7 CP-1V-N 16.00% PCH-3 5.00% M:240 CC-3-V1 8.00% B:16 CC-4-V 6.50% τ:538 ms PP-1-2V1 5.00% CCP-V-1 13.00% HTP:-11.3 μm-1
CCP-V2-1 10.00% BCH-32 5.00% CVCP-V-1 4.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% PTP-102 1.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+90℃ ME3N.F 3.00% △n:0.1299 ME4N.F 4.00% V10
:1.82 V PZU-V2-N 7.00% S:4.7 CP-1V-N 16.50% PCH-3 3.50% M:240 CC-3-V1 8.00% B:16 CC-4-V 8.50% τ:540 ms PP-1-2V1 5.00% CCP-V-1 14.00% HTP:-11.7 μm-1
CCP-V2-1 7.50% BCH-32 5.00% CVCP-V-1 4.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% PTP-102 1.50%
ME2N.F 2.50% Clp.:+99℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1577 DU-2-N 6.00% V10
:2.25 V PCH-3N.F.F 2.00% S:6.8 K6 4.00% CC-3-V 16.00% M:64 CC-3-V1 8.00% B:9 CCP-V-1 13.00% τ:218 ms CCP-V2-1 13.00% CVCP-1V-O1 3.00% HTP:-9.6 μm-1
BCH-32 5.00% PP-1-2V1 2.00% PTP-102 5.00% CPTP-301 5.00% PPTUI-3-2 12.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+100℃ ME3N.F 3.00% △n:0.1574 DU-2-N 6.00% V10
:2.29 V PCH-3N.F.F 2.00% S:6.9 K6 4.00% CC-3-V 16.00% M:64 CC-3-V1 8.00% B:9 CCP-V-1 13.00% τ:215 ms CCP-V2-1 14.00% CVCP-1V-O1 2.50% HTP:-9.6 μm-1
BCH-32 5.00% PP-1-2V1 2.00% PTP-102 5.00% CPTP-301 5.00% PPTUI-3-2 12.00%
ME2N.F 2.00% Clp.:+92℃ ME3N.F 3.00% △n:0.1287 DU-2-N 5.50% V10
:1.74 V PZU-V2-N 7.00% S:4.9 CP-1V-N 16.00% PCH-3 4.50% M:240 CC-3-V1 8.00% B:16 CC-4-V 3.50% τ:494 ms PP-1-2V1 5.00% CCP-V-1 14.00% HTP:-11.3 CCP-V2-1 11.50% BCH-32 5.00% CVCP-V-1 4.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 5.00% PTP-102 1.00%
ME2N.F 2.00% Clp.:+91℃ ME3N.F 2.50% △n:0.1298 DU-2-N 4.50% V10
:1.79 V PZU-V2-N 7.00% S:4.5 CP-1V-N 16.00% PCH-3 5.00% M:240 CC-3-V1 8.00% B:16 CC-4-V 4.50% τ:525 ms PP-1-2V1 5.00% CCP-V-1 15.00% HTP:-11.4 μm-1
CCP-V2-1 10.00% BCH-32 5.00% CVCP-V-1 4.00% CVCP-V-O1 5.00% CVCP-1V-O1 4.50% PTP-102 2.00%
ME2N.F 2.50% Clp.:+95℃ ME3N.F 3.50% △n:0.1451 ME4N.F 4.00% V10
:2.34 V PCH-3N.F 9.50% S:7.8 K6 4.00% PP-1-2V1 8.00% M:64 CC-4-V 14.00% B:9 CC-3-V1 8.00% τ:181 ms CCP-V-1 13.00% CCP-V2-1 13.00% HTP:-9.5 μm-1
BCH-32 5.00% PTP-102 3.00% CPTP-301 5.00% CPTP-302 5.00% CPTP-303 2.50%
PCH-2N.F.F 5.50% Clp.:+91℃ ME2N.F 2.50% △n:0.1721 ME3N.F 3.50% V10
:1.83 V DU-2-N 7.50% S:6.6 CP-1V-N 10.00% CC-4-V 4.00% M:240 CC-3-V1 8.00% B:16 CCP-V-1 9.00% τ:267 ms CVCP-V-O1 4.00% CVCP-1V-O1 5.00% HTP:-10.5 μm-1
BCH-32 5.00% PP-1-2V1 8.00% PTP-102 5.00% PTP-201 2.00% CPTP-301 5.00% PPTUI-3-2 6.00% CPTP-32 10.00%
Claims (10)
- 一種液晶介質,其特徵在於其包含式I化合物:
- 如請求項1之液晶介質,其特徵在於其另外包含一或多種式II化合物:
- 如請求項1或2之液晶介質,其特徵在於其另外包含一或多種選自以下式之化合物:
- 如請求項1或2之液晶介質,其特徵在於其另外包含一或多種選自以下式之化合物:
- 如請求項1或2之液晶介質,其特徵在於其另外包含一或多種選自以下式之化合物
- 如請求項1或2之液晶介質,其特徵在於其包含- 2%至30%式I化合物,- 0至30%式IV24a及/或IV24b化合物,- 8%至70%式IIa至IIi及/或II*化合物,- 4%至50%式Ta至Tc化合物, - 5%至40%式IIIa至IIIi化合物,- 0至20%式IV12及/或IV27及/或IV32化合物。
- 一種如請求項1至6中任一項之液晶介質或化合物用於電光學目的之用途。
- 一種含有如請求項1至6中任一項之液晶介質的電光學液晶顯示器。
- 一種TN或STN液晶顯示器,其具有- 兩塊外板,其連同一框架形成一單元,- 位於該單元內之正介電各向異性之向列型液晶混合物,- 在該等外板內側上具有對準層之電極層,- 該等外板表面之分子縱軸與該等外板之間的自0°至30°之傾角,及- 該單元內之該液晶混合物之自對準層至對準層之具有介於22.5°與600°之間之值的扭轉角,- 由以下各物組成之向列型液晶混合物a)15-75重量%之由一或多種介電各向異性高於+1.5之化合物組成之液晶組份A ;b)25-85重量%之由一或多種介電各向異性介於-1.5與+1.5之間之化合物組成的液晶組份B ;c)0-20重量%之由一或多種介電各向異性低於-1.5之化合物組成的液晶組份D ,及d)若需要,其量使得層厚度(該等外板之間隔)與該對掌性向列型液晶混合物之固有間距之間的比率為自 約0.2至1.3之光活性組份C ,其特徵在於該向列型液晶混合物係如請求項1至6中任一項之介質。
- 一種製備如請求項1至6中任一項之液晶介質之方法,其係藉由使如請求項1之化合物與一種如請求項2至6中任一項之化合物或與一或多種其他化合物及/或添加劑混合而製備。
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