TWI439574B - And a method for producing the porous metal foil and a method for producing the same - Google Patents

And a method for producing the porous metal foil and a method for producing the same Download PDF

Info

Publication number
TWI439574B
TWI439574B TW101101247A TW101101247A TWI439574B TW I439574 B TWI439574 B TW I439574B TW 101101247 A TW101101247 A TW 101101247A TW 101101247 A TW101101247 A TW 101101247A TW I439574 B TWI439574 B TW I439574B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
metal foil
porous
porous metal
metal
peeling layer
Prior art date
Application number
TW101101247A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201307617A (zh
Inventor
Tetsuhiro Matsunaga
Joe Nishikawa
Hajime Watanabe
Original Assignee
Mitsui Mining & Smelting Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Mining & Smelting Co filed Critical Mitsui Mining & Smelting Co
Publication of TW201307617A publication Critical patent/TW201307617A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI439574B publication Critical patent/TWI439574B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/08—Perforated or foraminous objects, e.g. sieves
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/04—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/623—Porosity of the layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/625—Discontinuous layers, e.g. microcracked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/04—Hybrid capacitors
    • H01G11/06—Hybrid capacitors with one of the electrodes allowing ions to be reversibly doped thereinto, e.g. lithium ion capacitors [LIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
    • H01G11/28—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features arranged or disposed on a current collector; Layers or phases between electrodes and current collectors, e.g. adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/66—Current collectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/66—Current collectors
    • H01G11/70—Current collectors characterised by their structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
    • H01G11/86—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/052—Li-accumulators
    • H01M10/0525—Rocking-chair batteries, i.e. batteries with lithium insertion or intercalation in both electrodes; Lithium-ion batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/66—Selection of materials
    • H01M4/661—Metal or alloys, e.g. alloy coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
    • H01M4/72—Grids
    • H01M4/74—Meshes or woven material; Expanded metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
    • H01M4/80—Porous plates, e.g. sintered carriers
    • H01M4/806—Nonwoven fibrous fabric containing only fibres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/04—Electroplating: Baths therefor from solutions of chromium
    • C25D3/06—Electroplating: Baths therefor from solutions of chromium from solutions of trivalent chromium
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13—Energy storage using capacitors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
    • Y02T10/60—Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
    • Y02T10/70—Energy storage systems for electromobility, e.g. batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
    • Y10T428/12153—Interconnected void structure [e.g., permeable, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12361—All metal or with adjacent metals having aperture or cut
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)

Description

進行有補強之多孔質金屬箔及其製造方法
本發明，係有關於進行有補強之多孔質金屬箔及其製造方法。
近年來，作為行動電話或筆記型電腦等之攜帶電子機器和電力汽車以及油電混合車用之蓄電裝置，鋰離子二次電池或鋰離子電容器係受到矚目。作為此種蓄電裝置之負極集電體，係使用有多孔質金屬箔，或者是對於其之使用有所檢討。此係因為，藉由設為多孔質，係能夠得到下述之優點等：亦即是，係能夠減低體積或重量(藉由此，對於汽車而言，係能夠改善燃料耗費)，並且，藉由對於孔作了活用的定錨效果，係能夠提升活性物質之密著力，還有，係能夠利用孔來有效率地進行鋰離子之預摻雜(例如垂直預摻雜)。
作為此種多孔質金屬箔之週知的製造方法，係可列舉出：(1)在基材表面上藉由絕緣性被膜來預先以所期望之圖案而作遮蓋，並從其上來施加電解電鍍，藉由此來依據圖案而形成孔之方法、(2)在基材表面上預先賦予特定之表面粗度或者是表面性態，並從其上施加電解電鍍，藉由此來對於核之生成作控制的方法、(3)對於無孔質之金屬箔，藉由蝕刻或者是機械加工來穿孔之方法、(4)藉由對於發泡金屬或者是不織布之電鍍的手法，來形成 3維網眼構造之方法等。
特別是，針對上述(2)之方法，由於工程係較為簡單並適合於進行量產，因此係提案有各種之技術。例如，在專利文獻1中，係揭示有一種：藉由對於表面粗度Rz為0.8μm以下之陰極施加電解電鍍，而製造細微開孔之金屬箔的方法。在專利文獻2中，係揭示有一種：在由鈦或鈦合金所成之陰極體的表面上，藉由陽極氧化法來形成氧化被膜，並對於陰極體之表面而使銅作電析出並形成多孔質銅箔，再從陰極體而剝離之方法。在專利文獻3中，係揭示有一種：為了製造一種附有鋁合金載體之開孔金屬箔，而藉由對於鋁進行蝕刻，來形成均一之突出部，並將該突出部作為電析出之核，來逐漸地使金屬粒子成長並相連接之方法。又，作為上述(3)之方法的例子，在專利文獻4中，係揭示有一種：在長方形之金屬箔的除了長邊側之週邊部以外的部分處，而打孔加工有0.1~3mm之多數的孔之集電體。
然而，在此些之先前技術的製法中，一般而言，由於係需要多數的工程，因此，係有著製造成本為高的傾向，進而，在打孔等之機械加工中，會產生毛邊，在陽極氧化法中，對於核產生之控制係為困難，由於該些理由，現實上，要以低成本來製造安定之開孔率的箔一事，係並不容易。又，在長條品之製造上係為困難，在陽極氧化法中，若是連續性地作剝離，則氧化被膜係會被破壞，在多孔質箔之剝離性和開孔率之安定性上，係存在有課題。特別是 ，在鋰離子二次電池、鋰離子電容器等之蓄電裝置的負極集電體中，伴隨著高性能化，係要求有不存在毛邊且能夠將孔縮小之高開孔率的多孔質金屬箔。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開平10-195689號公報
〔專利文獻2〕日本專利第3262558號公報
〔專利文獻3〕日本特開2005-251429號公報
〔專利文獻4〕日本特開平11-67222號公報
本發明者們，此次係得到了下述之知識：亦即是，藉由在被形成有龜裂之某種類的剝離層上進行金屬電鍍，係能夠以適合於連續生產之高生產性來低價地得到具備有優良特性之多孔質金屬箔。並且，本發明者們，係亦得到了下述之知識：亦即是，藉由在金屬箔之析出前，先使接觸構件與被形成有龜裂之剝離層的一部份作接觸並作滑動，在接觸場所處係能夠得到孔為較多孔部更少或者是實質性為無孔質之補強部。
故而，本發明之目的，係在於：以適合於連續生產之高生產性來低價地得到具備有優良特性之進行有補強的多孔質金屬箔。
若依據本發明之其中一種形態，則提供一種進行有補強之多孔質金屬箔，其係具備有：多孔部，係以藉由金屬 纖維所構成之二維網眼構造所成；和補強部，係藉由前述構成金屬纖維之金屬來與前述多孔部相連續且一體性構成，並且孔為較前述多孔部更少或者是實質性為無孔質。
若依據本發明之其他形態，則係提供一種進行有補強之多孔質金屬箔之製造方法，其特徵為，包含有：準備具有在表面上產生有龜裂之剝離層的導電性基材之工程；和使接觸構件與前述剝離層之一部份作接觸並滑動之工程；和在前述剝離層上，電鍍能夠於前述龜裂處而優先性析出之金屬，並在並未被進行有與前述接觸構件間之接觸的區域處，沿著前述龜裂來使無數之金屬粒子成長而形成多孔部，並且，在進行有與前述接觸構件間之接觸的區域處，較前述多孔部而更密集地使無數之金屬粒子成長而形成補強部之工程。
 進行有補強之多孔質金屬箔
於圖1中，對於由本發明所得之進行有補強之多孔質金屬箔的其中一例之模式圖作展示。如圖1中所示一般，由本發明所得之進行有補強之多孔質金屬箔10，係具備有多孔部10a以及補強部10b而成。多孔部10a，係由以金屬纖維11所構成之二維網眼構造所成。補強部10b，係為藉由構成金屬纖維11之金屬來與多孔部10a連續性且一體性地構成並且孔為較多孔部10a更少或者是實質性為無孔質之部分。
多孔部10a，係由以金屬纖維11所構成之二維網眼構造所成。於圖2中，對於多孔部10a的其中一例之上面模式圖作展示。如圖2中所示一般，多孔部10a，係由以金屬纖維11所構成之二維網眼構造所成。此多孔部10a，係具備有較理想為3~80%、更理想為5~60%、又更理想為10~55%、再更理想為20~55%之開孔率。於此，開口率P(%)，係為使用在具備有與多孔質金屬箔同等之組成以及尺寸的無孔質金屬箔之理論重量Wn 中所佔據的多孔質金屬箔之重量Wp 的比例Wp /Wn ，而藉由P=100-〔(Wp /Wn )×100〕所定義者。此理論重量Wn 之計算，係可如同下述一般來進行：亦即是，先測定出所得到之多孔質金屬箔的尺寸，並根據所測定出之尺寸來計算出體積(亦即是理論上之無孔質金屬箔的體積)，再對於所得到之體積而乘上所製作出之多孔質金屬箔的材質之密度，而計算出來。
如此這般，在多孔部10a處，經由以二維網眼狀而作遍佈之無數的金屬纖維11，就算是開孔率為高，亦能夠確保充分之強度。故而，不需要擔心強度有所降低，而能夠將開孔率一直提高至於先前技術中所無法達成之水準。例如，多孔部10a，係可將藉由後述之測定方法所測定出的拉張強度，設為較理想為10N/10mm以上，更理想為15N/10mm以上，藉由此，係能夠有效地防止多孔質金屬箔之破斷。根本上，當以在多孔質金屬箔上附加有載體的狀態下而進行處理的情況時，就算是較上述範圍而更低之 拉張強度，也不會有問題。於此種情況，係能夠並不考慮拉張強度地而將開孔率提升至極限。
多孔質金屬箔10，係以具備有3~40μm之厚度為理想，更理想，係為3~30μm，又更理想，係為5~25μm，再更理想，係為10~20μm，最理想，係為10~15μm。若是落於此範圍內，則在高開孔率和高強度之間的平衡上係為優良。本發明之多孔質金屬箔，由於係為具備有藉由金屬纖維所構成之二維網眼構造所成者，因此，多孔質金屬箔之厚度係相當於金屬纖維之最大剖面高度。此種厚度，較理想，係藉由使用有較多孔質金屬箔之孔尺寸而更大的測定元件之市面販賣的膜厚測定裝置來進行測定。
金屬纖維11，係為金屬製之纖維，所使用之金屬，係只要因應於作為目的之用途來適宜決定即可，而並未被特別作限定。較理想之金屬，係包含有由銅、鋁、金、銀、鎳、鈷、錫所成之群中而選擇的至少一種所成。於此，所謂之「包含有」，係代表：只要是以上述所列舉出之金屬元素為主而作包含之金屬或者是合金即可，而亦容許作為殘部而包含有其他之金屬元素或者是不可避免之雜質，且更理想係為使金屬乃至於合金之50重量%以上為藉由上述所列舉出之金屬元素所構成者，作為典型例子，係可列舉出由上述所列舉之金屬元素以及不可避免之雜質所成者。此些之定義，針對以下之相關於金屬所記述的同種類之表現，係亦可同樣的作適用。在此些之金屬中，適於作為鋰離子二次電池、鋰離子電容器等之蓄電裝置的負極集電體 者，係為包含有由銅、銅合金、鎳、鈷以及錫所成之群中而選擇的至少一種所成者，更理想，係為銅。特別是，二維網眼構造，係以具備有起因於被形成在基材之表面上的龜裂而導致的不規則形狀所成者為理想。
金屬纖維11之線徑，係以5~80μm為理想，更理想，係為5~50μm，又更理想，係為8~30μm，最理想，係為10~20μm。另外，所謂「線徑」，係定義為當從正上方來觀察多孔質金屬箔的情況時之纖維11的寬幅(粗細)，並可使用光學顯微鏡電場輻射型掃描電子顯微鏡(FE-SEM)、掃描離子顯微鏡(SIM)等來作測定。若是落於此範圍內，則在高開孔率和高強度之間的平衡上係為優良。
若依據本發明之理想形態，則如圖2中所示一般，金屬纖維11係為分枝狀纖維，並藉由使分枝狀纖維不規則地作遍佈，而構成多孔部10a。纖維11，係為起因於後述之沿著剝離層之龜裂所進行的核生成，而使無數之金屬粒子作連結所形成者，但是，為了構成金屬纖維，由於係希望能夠經由粒子成長來使相鄰接之金屬粒子彼此作緊密結合，因此，構成金屬纖維之金屬粒子，就算是已經不具備有完全之粒子形狀亦無妨。又，如圖3中所示一般，構成金屬纖維11之金屬粒子，典型而言，係具備有包含球狀部11a和底部11b之半球狀的形態，全部之金屬粒子的底部11b，係位置在同一基底面上，全部之金屬粒子的球狀部11a，係以基底面作為基準而位於相同之側處。於此情 況，沿著基底面之底部11b的寬幅D，係成為線徑，球狀部11a之最大剖面高度H，係相當於多孔質金屬箔之厚度。此基底面以及位置於其上之底部11b，係為反映有在製造時所使用之剝離層的平面形狀者，當藉由其他之製法來作製造的情況時，係並不被限定於此形狀。若根據本發明者們的經驗，則在纖維11中，最大剖面高度H之相對於線徑D的平均比例，雖並未作特別限定，但是，典型而言，係為0.30~0.70，更典型而言，係為0.40~0.60，又更典型而言，係為0.45~0.55，最典型而言，係為0.50，此平均比例，係可藉由對於電鍍條件等作適宜變更，來進行調整。又，若根據本發明者們的經驗，則在多孔部10a處之孔的平均面積，雖並未特別限定，但是，典型而言，係為3~5000μm2 ，更典型而言，係為3~3000μm2 ，再更典型而言，係為3~2000μm2 。進而，若根據本發明者們之經驗，則在多孔部10a處，在孔之全部個數中所佔據的「具備有最大之孔面積的1/2以下之面積」的孔之個數的比例，雖並未特別限定，但是，典型而言，係為60%以上，更典型而言，係為70%以上，又更典型而言，係為80%以上。
補強部10b，係為藉由構成金屬纖維11之金屬來與多孔部10a連續性且一體性地構成並且孔為較多孔部10a更少或者是實質性為無孔質之部分。亦即是，補強部10b，係經由與多孔部10a相同之材料而一體性地形成，並具備有與多孔部10a相連續的形狀。此係代表，將多孔部10a 以及補強部10b分開作製造之後再進行結合的複合物，係並不被包含於本發明之進行有補強的多孔質金屬箔中。故而，多孔部10a以及補強部10b，係為應根據孔之多少或者是有無來作區別者，而並非為根據構成材料或者是孔以外之形狀(例如厚度)來作區別者。因此，典型而言，多孔部10a以及補強部10b，係具備有相同或者是相近之厚度，但是，亦可因應於需要，而藉由對於電流密度、電鍍液、電鍍液流量、遮罩等之條件作控制，來進行厚度之調整。藉由此種補強部10b之存在，由於多孔質金屬箔係成為難以破損，因此，係能夠使在使用有多孔質金屬箔之製造生產線中的搬送成為容易化。又，當將多孔質金屬箔作為集電體來使用在蓄電裝置中的情況時，係可將補強部作為薄導片(TAB LEAD)來使用，而能夠將薄導片連接之信賴性提升。
補強部10b，係以設置在金屬箔10之外緣的至少一部份處為理想。多孔質金屬箔之外緣，相較於無孔質金屬箔之外緣，由於係容易產生裂痕、扯拉等之破損，因此，藉由將此種部分藉由補強部來構成，係能夠對於外緣之破損有效地作抑制並使薄的多孔質金屬箔之製造成為容易化。例如，當金屬箔10為具備有長條形狀的情況時，較理想，係將沿著金屬箔10之長邊方向的外緣，藉由補強部10b來構成。
補強部10b，係亦可從沿著金屬箔10之長邊方向的外緣而分離並且與外緣相平行地來作設置。雖然能夠在此種 從外緣而分離的位置處，將金屬箔於長邊方向上(例如等間隔地)作細縫切斷而得到被作了分割的複數之金屬箔長片，但是，相較於無孔質金屬箔，多孔質金屬箔在進行細縫切斷時係容易產生切削屑或切削粉等之破片。因此，藉由將此細縫切斷部分以補強部來構成，係能夠對於細縫切斷時之切削屑、切削粉等的破片之產生作抑制。例如，較理想，係如同圖1中所示之金屬箔10一般，補強部10b，係被設置在沿著金屬箔10之長邊方向的外緣處，同時，亦被設置在從沿著金屬箔10之長邊方向的外緣而分離之與外緣相平行的線上。
從補強效率的觀點來看，補強部10b係以實質性為無孔質為理想，更理想，係為無孔質。於此，所謂「實質性」，係代表對於針孔等之在製造工程中所不可避免地產生之非意圖性的孔之存在亦有所容許。根本上，只要是能夠作為補強部而對於破損或破片之產生作抑制，則補強部只要是具備有較多孔部更少之孔便已足夠，而並不需要一定身為無孔質或者是實質性為無孔質。
製造方法
以下，針對由本發明所得之多孔質金屬箔之製造方法的其中一例作說明，但是，由本發明所得之多孔質金屬箔，係並不被限定於此製造方法，而亦包含有藉由相異之方法所製造者。
於圖4中，對於由本發明所得之進行有補強之多孔質 金屬箔的製造工程的流程作展示。在本發明之製造方法中，首先，作為用以製造多孔質金屬箔之支持體，係使用具備有在表面產生了龜裂之剝離層13的導電性基材12。應被形成剝離層13之導電性基材12，係只要為具備有能夠進行電鍍之程度的導電性之基材即可，而可使用無機材料、有機材料、層積體以及將表面設為金屬的材料中之任一者，但是，較理想，係為金屬。作為此種金屬之理想例，係可列舉出銅、鎳、鈷、鐵、鉻、錫、鋅、銦、銀、金、鋁以及鈦等之金屬、還有包含有此些之金屬元素之至少一種的合金，更理想，係為銅、銅合金、鎳、鎳合金、鈦、鈦合金、以及不鏽鋼。導電性基材之形態，亦並未被作限定，而可使用箔、板、筒等之各種形態的基材。當使用筒的情況時，係亦可在筒本體上捲繞導電性金屬板來作使用，於此情況之導電性金屬板的厚度，較理想係設為1~20mm。導電性基材，係對於被作製造之多孔質金屬箔，而在其之加工中、或者是直到其之要被使用之前，而將其作支持，以使多孔質金屬箔之處理性提升。特別是，將金屬箔作為導電性基材來使用一事，從能夠在多孔質金屬箔之製造後而將作為導電性基材之金屬箔直接進行再利用、或者是將其熔解並製箔而作循環使用之點上，係具備有優點，故為理想。於此情況，若是將金屬箔之厚度設為10μm~1mm，則能夠確保有在金屬箔之製造工程以及其後之加工、搬送工程中而不會發生扭曲等之情況的強度，故為理想。
依存於導電性基材之材質或粗度，在剝離層處之龜裂的形狀係會相異，並會起因於此而使多孔質金屬箔之開孔率等的特性改變。另一方面，當然的，依存於金屬電鍍之種類或電鍍條件，多孔質金屬箔之形狀亦會改變。只要對於此些條件作考慮，並以能夠得到所期望之多孔質金屬箔的方式，來因應於需要而事宜進行導電性基材之選擇、剝離層之形成條件以及/或者是電鍍條件之設定即可。
在導電性基材12上形成剝離層13，此時，在剝離層13處使龜裂13a產生。另外，較理想，係在剝離層13之形成前，先對於導電性基材12施加酸洗淨、脫脂等的前置處理，而預先對該表面進行清淨。剝離層13，係為用以使被形成於其之上的多孔質金屬箔10之剝離成為容易而設置之層，而使用具備有：能夠產生龜裂13a，並且龜裂13a處係容易被作電鍍而在不存在有龜裂之部分13b處則係難以被電鍍之性質的材料。亦即是，將能夠在所產生了的龜裂13a處而使某種類之金屬藉由電鍍來優先性地作析出之材料，作為剝離層13而使用。又，此剝離層，係亦可形成有多層，於此情況，係可設為僅有上層為被形成有龜裂者，亦可設為不僅是上層，就連較其更下方之層處亦係被形成有龜裂者。又，在剝離層之表面上，係亦可藉由陽極氧化法而形成有氧化被膜，或者是亦可存在有類鑽石碳(DLC)等。龜裂13a，較理想，係控制為經由剝離層13之應力而自然地產生，而並不需要與成膜同時地作形成，亦可為在成膜後之洗淨以及乾燥工程、機械加工等之中 而產生者。龜裂，通常係為並不期望其之產生者，但是，本發明之製造方法，卻反而對於此龜裂作了積極的活用，在此點上，係具備有特徵。特別是，龜裂，由於係有著通常會以如同使作了分枝的線以二維網眼狀來作遍佈的方式來作形成之特性，因此，藉由沿著此龜裂來形成金屬纖維，係能夠得到具備有高開孔率以及高強度之多孔質金屬箔。另外，關於龜裂，由於在通常之成膜製程中，係時常會對於龜裂之發生有所擔憂，因此，龜裂之發生條件，係已為從事成膜工程之當業者所經驗性熟知，並能夠在該經驗以及知識的範圍內來容易地作選擇。例如，係只要藉由對於電鍍浴等之組成控制、剝離層之厚度、電流密度之條件、浴溫度、攪拌條件、後續熱處理作仔細控制等來進行即可。
剝離層13，較理想，係包含有從鉻、鈦、鉭、鈮、鎳以及鎢所成之群中而選擇的至少一種所成，或者是為由有機物(例如樹脂類)所成，從連續剝離性、耐久性以及耐蝕性之觀點來看，更理想，係包含有由硬度為高之鉻、鈦以及鎳所成之群中而選擇的至少一種所成，再更理想，係包含有由鉻以及鈦所成之群中而選擇的至少一種所成，從能夠藉由鈍態之形成而成為容易剝離之觀點來看，係以由鉻、鉻合金或者是鉻氧化物所成為最理想。剝離層13之厚度，係以1nm~100μm為理想，更理想，係為0.1~50μm，又更理想，係為1~30μm，最理想，係為2~15μm。藉由設為此種組成以及厚度，係成為能夠產生龜裂，並 且，藉由相對於導電性基材而將剝離層設為高電阻，係成為能夠使被形成在層上之多孔質金屬箔10的成膜以及剝離成為容易。故而，作為剝離層，係希望能夠選擇相較於導電性基材而更高阻抗之素材。
剝離層13之形成方法，係並未被特別限定，而可採用電解電鍍、無電解電鍍、濺鍍法、物理氣相蒸鍍法(PVD)、化學氣相蒸鍍法(CVD)、凝膠溶膠法、離子噴鍍法等之各種的成膜方法。從製造效率等之觀點來看，較理想，係將剝離層13亦藉由電解電鍍來形成。在剝離層13處，於不脫離本發明之趣旨的範圍內，係亦可因應於需要而更進而施加熱處理以及/或者是研磨。另外，研磨，如果是對於表面進行洗淨的程度者，則係可容許，但是，當然的，係並不應該過度地進行到會使龜裂被消除的程度。較理想，對於如此這般所得到之剝離層13，係進行有由水等所致之洗淨、以及乾燥。
當進行鉻電解電鍍的情況時，作為理想之鉻電鍍液，係可列舉出沙金(SARGENT)浴以及硬質鉻電鍍浴，更理想，係為硬質鉻電鍍浴。作為市面販賣之硬質鉻電鍍浴的理想例，係可列舉出：MELTEX公司製之ANCHOR1127、ATOTECH公司製之HEEF-25、以及日本MacDermid公司製之Mac．1。此些之鉻電鍍液的浴組成以及電鑄條件，係如同下述一般，但是，只要是能夠得到所期望之多孔質金屬箔，則亦可從以下所示之範圍而脫出。
另外，安定之鉻電鍍浴，典型而言，係存在有少量之3價鉻，其之量係為2~6g/L程度。又，在硬質鉻電鍍浴中，係亦可添加有機磺酸等之觸媒。無水鉻酸之濃度，係可藉由波美度來作管理。進而，由於鐵、銅、氯化物離子等之雜質，係會對於電鍍之狀態造成影響，因此，係有必要對於雜質之溶解量的上限管理多加注意。作為在鉻電鍍中所使用之陽極，係適合使用在鈦上而將氧化鉛或者是Pb-Sn合金作了塗敷者，作為此種陽極之代表性的市面販賣品，係可列舉出SPF公司之Ti-Pb電極(Sn：5%)或者是日本CARLIT公司製之愛克賽羅德(音譯)LD。
接著，在金屬箔之析出前，先進行使接觸構件與被形成有龜裂之剝離層13的一部份作接觸並作滑動之前置處理。藉由此前置處理，在後續之電鍍工程中，於接觸場所處係能夠得到孔為較多孔部更少或者是實質性為無孔質之 補強部。亦即是，藉由對於想要設置補強部之場所施加前置處理，係能夠容易地在多孔質金屬箔之所期望的部分處形成補強部。關於在使接觸構件作了接觸的部分處會形成孔為較少之金屬箔的現象，係可考慮到各種的原因，但是，作為其中一個重要原因，可以想見，是因為藉由使鈍態被膜變薄，在接觸場所處之水接觸角會變小，而在後續之電鍍工程中之電鍍液的浸濕性係增大，而會並不依存於龜裂之形狀地來涵蓋全面而形成電鍍之故。但是，由於其他原因係可作為其中一種可能性來考慮，因此，本發明係並不被此理論所限定。
在前置處理中所使用之接觸構件，只要是不會對於剝離層造成非期望之污損者，則係可使用各種之能夠與剝離層作接觸的構件。基本上，為了適用於由旋轉筒等所致之連續生產中，係希望能夠將由於與接觸構件間之接觸所導致的剝離層之磨耗減少。因此，作為接觸構件，係以一般性的吸水性材料一般之不具備有研磨性或者是研磨性非常匱乏之構件、以及紋路細緻之耐水研磨紙一般的研磨性為低之構件為理想，更理想，係為一般性的吸水性材料一般之不具備有研磨性或者是研磨性非常匱乏之構件。接觸構件，係以身為包含有水或者是水性液體之狀態為特別理想。吸水性材料，係可採用能夠包含有水或者是水性液體之週知的各種材料。作為此種吸水性材料之例，係可列舉出海綿、拋光輪(buff)、海綿拋光輪、清淨拋光輪、布、織布、不織布、廢布(waste)、脫脂棉、以及此些之組 合，但是，較理想，係為清淨拋光輪。作為能夠包含在吸水性材料中之液體，係可為水，亦可為在不脫離本發明之趣旨的範圍內而使任意之成分溶解乃至於分散於水中之水溶液等的水性液體。此水性液體，係以並不包含研磨劑為理想。在吸水性材料中所包含之水或者是水性液體的量，係並未被作限定，只要是能夠得到所期望之效果，則吸水性材料係亦可並不包含有水以及水性液體。
在如此這般而進行了前置處理之剝離層13上，將能夠於龜裂13a處而優先性析出之金屬作電鍍，並在並未進行有與接觸構件間之接觸的區域(以下，稱作非接觸區域)處，沿著龜裂13a而使無數之金屬粒子成長，並形成多孔部10a，並且，在進行有與接觸構件間之接觸的區域(以下，稱作接觸區域)處，較多孔部而更密集地使無數之金屬粒子成長，並形成補強部10b。如同前述一般，剝離層13之非接觸區域，係具備有成為容易被作電鍍之性質的龜裂13a、和成為難以被作電鍍之性質的不存在有龜裂之表面部分13b。在龜裂13a處而容易被作電鍍的原因，係在於：因為相較於不存在有龜裂13a之部分13b，係以存在有龜裂13a之部分，更為容易流動電流，因此，會在龜裂13a處而優先性地發生核之生成以及成長之故。能夠在龜裂13a處而優先性析出之金屬，較理想，係為包含有從由銅、鋁、金、銀、鎳、鈷以及錫所成之群中而選擇的至少一種所成者，更理想，係為包含有從由銅、金、銀、鎳、鈷以及錫所成之群中而選擇的至少一種所成者，再更 理想，係為包含有從由銅、銀以及金所成之群中而選擇的至少一種所成者，最理想，係為銅。
多孔質金屬箔之形成方法，只要係為電鍍，則並未特別作限定，而可列舉出電解電鍍、無電解電鍍，但是，由於電解電鍍係能夠在龜裂13a處而有效率地使金屬析出，因此係為理想。電鍍之條件，只要依據週知之方法來進行即可，而並未特別被限定。例如，在進行銅電鍍的情況時，係以經由硫酸銅電鍍浴來進行為理想。在進行銅電鍍的情況時，較理想之電鍍浴的組成以及電著條件，係為五水硫酸銅濃度：120~350g/L、硫酸濃度：50~200g/L、陰極電流密度：10~80A/dm2 、浴溫：40~60℃，但是，係並不被限定於此。
在電鍍液中，係亦可將添加劑適宜作添加，以謀求金屬箔之特性的提升。例如，當銅箔的情況時，作為此種添加劑之理想例，係可列舉出膠、明膠、氯、硫脲等之含硫磺化合物、聚乙烯乙二醇等之合成系添加劑。藉由使用此些之理想的添加劑，係能夠對於金屬箔之力學性特性或者是表面狀態作控制。添加劑之濃度，雖並未特別限定，但是，通常係為1~300ppm。
最後，將進行有補強之多孔質金屬箔，從具備有剝離層之導電性基材而剝離，而能夠得到單體之進行有補強之多孔質金屬箔。在剝離後，係可轉印至附有接著層之薄膜等的其他基材上，亦可施加防鏽處理等之表面處理。基本上，此一剝離工程係並非為必須，亦可設為在隔著剝離層 而被附加有基材的狀態下，來直接作為多孔質金屬箔製品而處理，並且在使用時再將其剝離之構成，於此情況，不只是能夠使多孔質金屬箔之處理性提升，亦由於其係藉由基材而被作了支持，因此並不需要要求高強度，故而係成為能夠設為極高之開孔率或者是極薄之膜厚。
剝離層，由於其之表面係依然殘存有龜裂，因此，係亦能夠再度送至與接觸構件間之接觸工程處並作再利用。但是，隨著反覆進行此種再利用，在非接觸區域處之電鍍的龜裂選擇性係會逐漸降低，並會有成為難以得到所期望之多孔部的情形。因此，較理想，係進行將剝離層作乾燥之工程，以回復或者是維持電鍍之龜裂選擇性。亦即是，由於在剝離工程後之導電性基材的表面上，係殘存著產生有龜裂之剝離層，因此，具備有剝離層之導電性基材，係能夠在包含有接觸工程、電鍍工程、剝離工程之一連串的工程中作再利用，並且，伴隨著此再利用所產生之電鍍的龜裂選擇性之低下，係可藉由乾燥工程來有效地作防止。乾燥工程之條件，雖並未特別作限定，但是，係以在25~250℃之溫度下來進行為理想，又，亦可為自然乾燥。
若依據本發明之理想形態，則亦可設為下述之構成：亦即是，具備有剝離層之導電性基材係被構成為旋轉筒狀，接觸工程、電鍍工程、剝離工程以及乾燥工程，係經由導電性基材之旋轉而被依序反覆進行。於圖5中，對於此種旋轉筒式製箔裝置之其中一例的模式剖面圖作展示。圖5中所示之製箔裝置20，係具備有：由具有於表面上產生 有龜裂之剝離層(例如鉻電鍍層)的導電性基材所製之旋轉筒21(例如不鏽鋼製筒)、和使旋轉筒21之下方浸漬於電鍍液中之電解電鍍槽22、和以能夠與旋轉筒上之剝離層之一部份作接觸的方式而配置的吸水性材料23、和用以承接從吸水性材料所滴下之水的盛水盤24、以及用以將多孔質金屬箔10從旋轉筒剝離並作搬送之剝離滾輪25。在圖6中，係揭示有對於在圖5中而從吸水性材料23之側起來對於箭頭A方向作了觀察之旋轉筒21作模式性展示的正面圖。如圖6中所示一般，亦可將複數個的吸水性材料23以及被其所使用之盛水盤24，在旋轉筒21之旋轉軸方向上以等間隔來作配置。又，製箔裝置20，係亦可具備有用以對於吸水性材料23供給水W的水供給手段，且亦可設為使用預先包含有水之吸水性材料的構成。若是在此製箔裝置20中而使旋轉筒21旋轉，則如圖6以及圖7中所示一般，吸水性材料23係成為與旋轉筒21之表面(亦即是剝離層)作接觸並滑動的狀態，吸水性材料23所作了接觸的區域21b，係被形成為長條狀，經由該區域21b而作了製箔之部分，係形成補強部10b。另一方面，經由吸水性材料23並未作接觸之區域21a所製箔的部分，係形成多孔部10a。剝離後之旋轉筒，係依據要求而進行水洗，之後送至乾燥工程處。製箔裝置20，係為藉由自然乾燥來進行乾燥之構成，但是，係亦可另外設置加熱手段，並進行人為性之乾燥。不論如何，進行了乾燥工程後之旋轉筒，係經由旋轉而再度進行接觸工程，並接著進行電鍍 工程、剝離工程以及乾燥工程。若依據此種形態，則係成為能夠使用旋轉筒式製箔裝置來極為有效率地量產出筒狀之進行有補強的多孔質金屬箔。
用途
作為由本發明所得之多孔質金屬箔的代表性用途，係可列舉出鋰離子二次電池、鋰離子電容器等之蓄電裝置的負極集電體，除此之外，在細微粉分級用或者是固液分離處理用之過濾裝置、觸媒之擔持體、在微生物之保管用容器的氧供給口處所使用之濾網、清淨室用防塵濾網、液體抗菌濾網、液體改質用濾網、電磁波遮罩、磁性用材料、導電用材料、裝飾片等之各種用途中，亦可作使用。例如，藉由將多孔質金屬箔作為導電性材料等來使用在印刷基板之內層處，係能夠使起因於樹脂或溶劑等所產生的氣體從孔而逸散，藉由此，係能夠對於氣泡(膨脹)之產生作抑制。又，藉由將多孔質金屬箔作為導電性材料等而使用在電路之形成中，係能夠減低金屬使用量而謀求輕量化。
〔實施例〕
針對本發明，經由以下之實施例來更具體作說明。
例A1：進行有補強之多孔質金屬箔的製作
作為導電性基材，而準備了厚度1mm之不鏽鋼板(SUS316)。在此不鏽鋼板上，作為剝離層而藉由以下之處 理程序來進行了鉻電鍍。首先，作為前置處理，使用ENDOX114(MELTEX公司製之鹼性去鏽劑)，來以電流密度：10A/dm2 、電解時間：10分鐘、陽極：尺寸安定性電極(DSE)的條件，而進行鹼性電解脫脂，並藉由此而將電極表面作了洗淨。將進行了水洗後脫脂之不鏽鋼板，在50ml/L之硫酸中浸漬1分鐘，藉由此來作了酸活性化。將進行了水洗後酸活性化之不鏽鋼板，浸漬於溶解有250g/L之無水鉻酸、3g/L之硫酸、HEEF25C(ATOTECH公司製)22m/L之鉻電鍍浴(HEEF25，ATOTECH公司製)中，並以液溫：55℃、電流密度：30A/dm2 、電解時間：17分鐘的條件，來進行了鉻電鍍。此時，作為陽極，係使用了Ti-Pb電極(Pb-Sn5%，SPF公司製)。將被形成有鉻鍍敷之不鏽鋼板進行了水洗以及乾燥。在所得到之鉻鍍敷上，可以確認到係形成有可想見為由於電鍍應力所產生之無數的龜裂。
在此產生有龜裂之鉻鍍敷上的一部份處，使含浸有水之清淨拋光輪(角田刷子製作所製，製品名：NA清淨拋光輪，無砥粒拋光輪、聚丙烯不織布)作接觸，並在此狀態下而輕微地作滑動。在對於如此這般地進行了前置處理之鉻鍍敷表面上的水接觸角作了測定後，其結果，在使清淨拋光輪作了接觸的部分(以下，稱作接觸區域)處，係為25.8度，在並未使清淨拋光輪作接觸的部分(以下，稱作非接觸區域)處，係為69.3度。根據此，可以確認到，使清淨拋光輪作了接觸的部分，係被作了親水化。另 外，水接觸角，係作為在固體表面上之水滴的切線和固體表面間所成之角度θ而被定義者，並藉由使用接觸角測定器(協和界面科學股份有限公司製，接觸角計)來對於與滴下後10秒之水之間的接觸角作測定，而進行評價。
在此產生有龜裂並且局部性地被施加有前置處理之鉻鍍敷上，進行硫酸銅電鍍。此硫酸銅電鍍，係在溶解有250g/L之五水硫酸銅(銅濃度為約64g/L)以及硫酸80g/L之硫酸銅電鍍浴中，將被施加有鉻電鍍之不鏽鋼板作浸漬，並以電流密度：20A/dm2 、電鍍時間：150秒、陽極：DSE(尺寸安定性電極)、浴溫：40℃的條件而進行之。在對於剛開始進行銅電鍍之非接觸區域以及接觸區域而藉由光學顯微鏡(倍率：500倍)作了觀察後，其結果，係分別得到在圖8以及圖9中所示之畫像。如同由圖8而能夠得知一般，在非接觸區域處，相較於鉻鍍敷之最表面，由於係以龜裂部分處更為容易流動電流，因此，銅之粒子係以龜裂作為起點而進行了成長。另一方面，如同由圖9而能夠得知一般，在接觸區域處，係並未進行有在龜裂部分處之銅粒子的選擇性析出，而是涵蓋全面地來使銅粒子作了析出。其結果，係形成具備有起因於非接觸區域之由在鉻鍍敷上之以銅纖維所構成的二維網眼構造所成之多孔部和起因於接觸區域的無孔質之補強部的金屬箔。最後，將多孔質金屬箔從鉻鍍敷來作物理性剝離，而得到了進行有補強之多孔質金屬箔。又，所得到之銅箔的厚度，係為15μm，重量開孔率，係為34%。
例A2：進行有補強之多孔質金屬箔的觀察
對於在例A1中所得到之進行有補強之多孔質金屬箔，藉由光學顯微鏡(倍率：500倍)來作了觀察。首先，對於多孔質金屬箔之多孔部的並未與剝離層相接之面(以下，稱作成長面)來從正上方(傾斜角0度)而作了觀察，並得到圖10中所示之畫像。又，對於多孔質金屬箔之補強部的並未與剝離層相接之面(以下，稱作成長面)來從正上方(傾斜角0度)而作了觀察，並得到圖11中所示之畫像。如同由此些之圖而可明顯得知一般，在多孔部處，係觀察到有藉由金屬纖維所構成之二維網眼構造，相對於此，在補強部處，係並未觀察到任何之孔，而確認了無孔質之金屬箔部分。
例B1：多孔質金屬箔(多孔部)之製作
作為導電性基材，而準備了厚度35μm之銅箔。在此銅箔上，作為剝離層而藉由以下之處理程序來進行了鉻電鍍。首先，在添加水而調整為120ml/L之印刷配線板用酸性清潔劑(MURATA公司製，PAC-200)中，將銅箔以40℃而作了2分鐘的浸漬。將如此這般而進行了洗淨之銅箔，在50ml/L之硫酸中以室溫而浸漬1分鐘，藉由此來作了酸活性化。將進行了酸活性化之銅箔，浸漬於溶解有180g/L之愛克諾鉻300(音譯)(MELTEX公司製)以及1g/L之精製濃硫酸的鉻電鍍浴中，並以溫度：45℃、電流密度 ：20A/dm2 的條件，來進行了15分鐘之鉻電鍍。將被形 成有鉻鍍敷之銅箔進行了水洗以及乾燥。在對於所得到之鉻鍍敷之厚度藉由XRF(螢光X線分析)來作了測定後，其結果，係為約2μm，並可以確認到，在鉻鍍敷之表面上，係形成有可想見為由於電鍍應力所產生之無數的龜裂。
在此產生有龜裂之鉻鍍敷上，進行硫酸銅電鍍。此硫酸銅電鍍，係在溶解有250g/L之五水硫酸銅(銅濃度為約64g/L)以及硫酸80g/L之硫酸銅電鍍浴中，將被施加有鉻電鍍之銅箔作浸漬，並以電流密度：20A/dm2 、電鍍時間：150秒、陽極：DSE(尺寸安定性電極)、浴溫：40℃的條件而進行之。此時，相較於鉻鍍敷之最表面，由於係以龜裂部分處更為容易流動電流，因此，銅之粒子係以龜裂作為起點而進行了成長。其結果，在鉻鍍敷上，係作為多孔質金屬箔而形成有藉由銅纖維所構成之二維網眼構造。最後，將多孔質金屬箔從鉻鍍敷來作物理性剝離，而得到了作了分離之多孔質金屬箔(多孔部)。
例B2：多孔質金屬箔(多孔部)之觀察
對於在例B1中所得到之多孔質金屬箔，藉由電場輻射型掃描電子顯微鏡(FE-SEM)來從各種角度而作了觀察。首先，對於多孔質金屬箔之並未與剝離層相接之面(以下，稱作成長面)來從正上方(傾斜角0度)以及斜上方(傾斜角45度)而作了觀察，並分別得到圖12以及13中所示之畫像。又，將多孔質金屬箔翻轉，並對於多孔質 金屬箔之與剝離層作了相接之面(以下，稱作剝離面)來從正上方(傾斜角0度)以及斜上方(傾斜角45度)而作了觀察，並分別得到圖14以及15中所示之畫像。如同由此些之圖而可明顯得知一般，在成長面上，係觀察到起因於金屬粒子之球狀部所產生的念珠狀之凹凸，相對於此，在剝離面上，係觀察到起因於金屬粒子之底部所產生的平面以及沿著龜裂所形成之中心線。
進而，對於多孔質金屬箔之金屬纖維的剖面，使用集束離子束加工裝置(FIB)來作了加工，之後，使用掃描離子顯微鏡(SIM)來作了觀察，其結果，係得到圖16中所示之畫像。如同此圖中所示一般，金屬纖維之剖面組織，係以龜裂為起點而析出為輻射狀，金屬纖維之剖面形狀，係觀察到包含有球狀部和平面狀底面之半月狀。在根據此些之圖中所展示的尺度而計算出金屬纖維之線徑(粗細)後，其結果，係為30μm。在計算出於金屬纖維剖面處之最大剖面高度H的相對於線徑D之比例後，其結果，係為約0.50。又，每單位面積之孔的個數，係為約300個/mm2 。又，所觀察到之最大的孔面積，係為約4700μm2 ，在孔之全部個數中所佔據的具備有最大之孔的面積之1/2以下的面積(亦即是約2350μm2 以下)之孔的個數之比例，係為約90%。
例B3：開孔率之測定
對於在例B1中所得到之多孔質金屬箔的開孔率，藉 由重量法來如同下述一般地作了測定。首先，藉由數位測長機(DIGIMICRO MH-15M，NIKON公司製)來對於多孔質金屬箔之膜厚作了測定，其結果，係為14.7μm。此時，作為測定台，係使用MS-5C(NIKON公司製)，作為測定元件，係使用DIGIMICRO MH-15M之標準裝備測定元件。又，在對於100mm×100mm之單位重量作了測定後，其結果，係為0.94g。另一方面，在將銅之密度作為8.92g/cm3 而計算出膜厚14.7μm、100mm×100mm之無孔質銅箔的理論重量後，其結果，係為1.31g。使用此些之值，而如同下述一般地計算出多孔質金屬箔之開孔率，其結果，係為28%。
(開孔率)=100-[(樣本之單位重量)/(無孔質銅箔之理論重量)]×100=100-[(0.94)/(1.31)]×100=28%
例B4：拉張強度之測定
對於在例B1中所得到之多孔質金屬箔的拉張強度，藉由以JIS C6511-1992作為準據之方法來如同下述一般地作了測定。首先，從多孔質金屬箔而切出了10mm×100mm之試驗片。如圖17中所示一般，將此試驗片30之兩端，藉由拉張強度測定機(AUTOGRAPH，島津製作所製)之上下2個的固定治具31、31來以空出有50mm之間隔的方式而作了挾持固定，並以50mm/分中之拉張速度而進行拉張，藉由此而對於拉張強度作了測定。此時，在拉張 強度測定機處，係使用了1kN之荷重單元。其結果，拉張強度係為15N/10mm寬幅。又，此時之試驗片的伸張率，係為0.8%。根據此結果，可以想見，本發明之多孔質金屬箔，係具備有實用性之耐性強度。
例C1：多孔質金屬箔(多孔部)之製作
作為導電性基材，而準備了由SUS304所成之不鏽鋼板。在此不鏽鋼板上，作為剝離層而藉由以下之處理程序來進行了厚度2μm之鉻電鍍。首先，在添加水而調整為120ml/L之印刷配線板用酸性清潔劑(MURATA公司製，PAC-200)中，將不鏽鋼板以40℃而作了2分鐘的浸漬。將如此這般而進行了洗淨之不鏽鋼板，在50ml/L之硫酸中以室溫而浸漬1分鐘，藉由此來作了酸活性化。將作了酸活性化之不鏽鋼板，浸漬於市面販賣之硬質鉻電鍍浴(HEEF-25，AROTECH公司製)中，並以陰極電流密度：20A/dm2 、電解時間：400秒、浴溫：45℃、鉻量：8000C/dm2 、電極面積：1.2dm2 、電極間距離：90mm的條件，來進行了鉻電鍍。將被形成有鉻鍍敷之不鏽鋼板進行了水洗以及乾燥。在對於所得到之鉻鍍敷之厚度藉由XRF(螢光X線分析)來作了測定後，其結果，係為約2μm，並可以確認到，在鉻鍍敷之表面上，係形成有可想見為由於電鍍應力所產生之無數的龜裂。
在此產生有龜裂之鉻鍍敷上，進行了銀電鍍。此銀電鍍，係在溶解有25g/L之氰化鉀、氰化銀鉀(作為Ag而 為50g/L)以及磷酸鹽等之市面販賣的銀電鍍浴(瑟雷那布來特C(音譯)，日本高純度化學公司製)中，將被施加有鉻電鍍之不鏽鋼板作浸漬，並以陰極電流密度：1.0A/dm2 、電鍍時間：469秒、浴溫：40℃的條件而進行之。此時，相較於鉻鍍敷之最表面，由於係以龜裂部分處更為容易流動電流，因此，銀之粒子係以龜裂作為起點而進行了成長。其結果，在鉻鍍敷上，係作為多孔質金屬箔而形成有藉由銀纖維所構成之二維網眼構造。最後，將多孔質金屬箔從鉻鍍敷來作物理性剝離，而得到了作了分離之多孔質金屬箔(多孔部)。
例C2：多孔質金屬箔(多孔部)之觀察
對於在例C1中所得到之多孔質金屬箔，藉由電場輻射型掃描電子顯微鏡(FE-SEM)來從各種角度而作了觀察。首先，對於多孔質金屬箔之並未與剝離層相接之面(以下，稱作成長面)來從正上方(傾斜角0度)而作了觀察，並得到圖18中所示之畫像。又，將多孔質金屬箔作正反翻轉，而對於多孔質金屬箔的與剝離層作了相接之面(以下，稱作剝離面)來從正上方(傾斜角0度)而作了觀察，並得到圖19中所示之畫像。如同由此些之圖而可明顯得知一般，在成長面上，係觀察到起因於金屬粒子之球狀部所產生的念珠狀之凹凸，相對於此，在剝離面上，係觀察到起因於金屬粒子之底部所產生的平面以及沿著龜裂所形成之中心線。在根據此些之圖中所展示的尺度而計 算出金屬纖維之線徑(粗細)後，其結果，係為11μm。在計算出於金屬纖維剖面處之最大剖面高度H的相對於線徑D之比例後，其結果，係為約0.50。又，每單位面積之孔的個數，係為約2000個/mm2 。又，所觀察到之最大的孔面積，係為約462μm2 ，在孔之全部個數中所佔據的具備有最大之孔的面積之1/2以下的面積(亦即是約231μm2 以下)之孔的個數之比例，係為約97%。
例C3：開孔率之測定
對於在例C1中所得到之多孔質金屬箔的開孔率，藉由重量法來如同下述一般地作了測定。首先，藉由數位測長機(DIGIMICRO MH-15M，NIKON公司製)來對於多孔質金屬箔之膜厚作了測定，其結果，係為6.4μm。此時，作為測定台，係使用MS-5C(NIKON公司製)，作為測定元件，係使用DIGIMICRO MH-15M之標準裝備測定元件。又，在對於100mm×100mm之單位重量作了測定後，其結果，係為0.450g。另一方面，在將銀之密度作為10.49g/cm3 而計算出膜厚6.4μm、100mm×100mm之無孔質銀箔的理論重量後，其結果，係為0.672g。使用此些之值，而如同下述一般地計算出多孔質金屬箔之開孔率，其結果，係為33%。
(開孔率)=100-[(樣本之單位重量)/(無孔質銀箔之理論重量)]×100=100-[(0.450)/(0.672)]×100=33%
10‧‧‧多孔質金屬箔
10a‧‧‧多孔部
10b‧‧‧補強部
11‧‧‧金屬纖維
11a‧‧‧球狀部
11b‧‧‧底部
12‧‧‧導電性基材
13‧‧‧剝離層
13a‧‧‧龜裂
13b‧‧‧無龜裂之部分
20‧‧‧製箔裝置
21‧‧‧旋轉筒
21a‧‧‧吸水性材料未接觸之區域
21b‧‧‧吸水性材料作了接觸之區域
22‧‧‧電解電鍍槽
23‧‧‧吸水性材料
24‧‧‧承水盤
25‧‧‧剝離滾輪
30‧‧‧試驗片
31‧‧‧固定治具
W‧‧‧水
〔圖1〕由本發明所得之進行有補強之多孔質金屬箔的其中一例之上面模式圖。
〔圖2〕圖1中所示之進行有補強之多孔質金屬箔的多孔部之其中一例的上面模式圖。
〔圖3〕構成圖2中所示之多孔部的金屬纖維之模式剖面圖。
〔圖4〕對於由本發明所得之進行有補強之多孔質金屬箔的製造工程之流程作展示的圖。
〔圖5〕對於用以製造由本發明所得之進行有補強之多孔質金屬箔的旋轉筒式製箔裝置之其中一例作展示的模式剖面圖。
〔圖6〕對於在圖5中而從吸水性材料之側起來對於箭頭A方向作了觀察之旋轉筒作模式性展示的正面圖。
〔圖7〕對於使用圖6中所示之旋轉筒所製造出的由本發明所得之進行有補強之多孔質金屬箔筒作模式性展示的立體圖。
〔圖8〕在例A1中，於剛開始銅電鍍後而對於應成為多孔部之非接觸區域的表面來從正上方(傾斜角0度)而以光學顯微鏡(倍率：500倍)作了觀察之畫像。
〔圖9〕在例A1中，於剛開始銅電鍍後而對於應成為補強部之接觸區域的表面來從正上方(傾斜角0度)而以光學顯微鏡(倍率：500倍)作了觀察之畫像。
〔圖10〕在例A2中，對於由本發明所得之進行有補強之多孔質金屬箔的多孔部之並未與剝離層相接的面來從正上方(傾斜角0度)而以光學顯微鏡(倍率：500倍)作了觀察之畫像。
〔圖11〕在例A2中，對於由本發明所得之進行有補強之多孔質金屬箔的補強部之並未與剝離層相接的面來從正上方(傾斜角0度)而以光學顯微鏡(倍率：500倍)作了觀察之畫像。
〔圖12〕在例B2中，對於多孔質金屬箔(多孔部)之並未與剝離層相接的面來從正上方(傾斜角0度)而作了觀察之FE-SEM畫像。
〔圖13〕在例B2中，對於多孔質金屬箔(多孔部)之並未與剝離層相接的面來從斜上方(傾斜角45度)而作了觀察之FE-SEM畫像。
〔圖14〕在例B2中，對於多孔質金屬箔(多孔部)之與剝離層作了相接的面來從正上方(傾斜角0度)而作了觀察之FE-SEM畫像。
〔圖15〕在例B2中，對於多孔質金屬箔(多孔部)之與剝離層作了相接的面來從斜上方(傾斜角45度)而作了觀察之FE-SEM畫像。
〔圖16〕對於代表將構成在例B2中所得到之多孔質金屬箔(多孔部)的金屬纖維作了切斷的切斷面來以傾斜角60度而作了觀察之SIM畫像。
〔圖17〕對於在例B4處所進行之拉張強度試驗中的 多孔質金屬箔(多孔部)樣本之對於固定治具的固定作展示之模式圖。
〔圖18〕在例C2中，對於多孔質金屬箔(多孔部)之並未與剝離層相接的面來從正上方(傾斜角0度)而作了觀察之FE-SEM畫像。
〔圖19〕在例C2中，對於多孔質金屬箔(多孔部)之與剝離層作了相接的面來從正上方(傾斜角0度)而作了觀察之FE-SEM畫像。
10‧‧‧多孔質金屬箔
10a‧‧‧多孔部
10b‧‧‧補強部

Claims (19)

  1. 一種進行有補強之多孔質金屬箔，其特徵為，係具備有：多孔部，係以藉由金屬纖維所構成之二維網眼構造所成；和補強部，係藉由構成前述金屬纖維之金屬來與前述多孔部相連續且一體性構成，並且孔為較前述多孔部更少或者是實質性為無孔質。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之金屬箔，其中，前述補強部，係被設置在前述金屬箔之外緣的至少一部份處。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之金屬箔，其中，前述金屬箔係具有長條形狀，前述補強部，係被設置在沿著前述金屬箔之長條方向的外緣處。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之金屬箔，其中，前述金屬箔係具有長條形狀，前述補強部，係從沿著前述金屬箔之長條方向的外緣而分離並且與前述外緣相平行地設置所成。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之金屬箔，其中，前述補強部係實質性為無孔質。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之多孔質金屬箔，其中，前述多孔部，係具備有3~80%之開孔率，前述開孔率，係為使用在具備有與前述多孔部同等之組成以及尺寸的無孔質金屬箔之理論重量Wn 中所佔據的前述多孔部 之重量Wp 的比例Wp /Wn ，而藉由P=100-〔(Wp /Wn )×100〕所定義之開孔率P。
  7. 如申請專利範圍第1項所記載之多孔質金屬箔，其中，前述金屬纖維，係具備有5~80μm之線徑。
  8. 如申請專利範圍第1項所記載之多孔質金屬箔，其中，前述金屬纖維係為分枝狀纖維，該分枝狀纖維係不規則性地遍佈所成。
  9. 如申請專利範圍第1項所記載之多孔質金屬箔，其中，前述金屬纖維，係為由無數之金屬粒子連結所成者。
  10. 如申請專利範圍第1項所記載之多孔質金屬箔，其中，前述金屬粒子，係具備具有球狀部和底部之半球狀的形態，全部之前述金屬粒子的底部，係位置在同一基底面上，全部之前述金屬粒子的球狀部，係以前述基底面作為基準而位於相同之側。
  11. 如申請專利範圍第1項所記載之多孔質金屬箔，其中，係具備有3~40μm之厚度。
  12. 如申請專利範圍第1項所記載之多孔質金屬箔，其中，前述二維網眼構造，係具備有起因於被形成在基材之表面上的龜裂而導致的不規則形狀所成。
  13. 如申請專利範圍第1項所記載之多孔質金屬箔，其中，前述金屬纖維，係包含有由銅、鋁、金、銀、鎳、鈷、錫所成之群中而選擇的至少一種所成。
  14. 一種進行有補強之多孔質金屬箔之製造方法，其 特徵為，包含：準備具有在表面上產生有龜裂之剝離層的導電性基材之工程；使接觸構件與前述剝離層之一部份作接觸並滑動之工程；和在前述剝離層上，電鍍能夠於前述龜裂處而優先地析出之金屬，並在未被進行有與前述接觸構件間之接觸的區域處，沿著前述龜裂來使無數之金屬粒子成長而形成多孔部，並且，在進行有與前述接觸構件之接觸的區域處，較前述多孔部而更密集地使無數之金屬粒子成長而形成補強部之工程。
  15. 如申請專利範圍第14項所記載之方法，其中，前述接觸構件，係為包含有水或者是水性液體之吸水性材料。
  16. 如申請專利範圍第14項所記載之方法，其中，係更進而包含有：使前述多孔質金屬箔從前述剝離層而剝離之工程。
  17. 如申請專利範圍第16項所記載之方法，其中，係進而包含有：使前述剝離工程後之前述剝離層乾燥之工程，前述乾燥後之剝離層，係再度在前述接觸工程中被附加。
  18. 如申請專利範圍第17項所記載之方法，其中，具備有前述剝離層之導電性基材係構成為旋轉筒狀，前述接觸工程、前述電鍍工程、前述剝離工程以及前述乾燥工 程，係經由前述導電性基材之旋轉而依序反覆進行。
  19. 如申請專利範圍第14項所記載之方法，其中，前述剝離層，係由包含有由鉻以及鈦所成之群中而選擇的至少一種之金屬或合金所成，或者是由有機物所成。
TW101101247A 2011-01-13 2012-01-12 And a method for producing the porous metal foil and a method for producing the same TWI439574B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011005111A JP5636291B2 (ja) 2011-01-13 2011-01-13 補強された多孔質金属箔およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201307617A TW201307617A (zh) 2013-02-16
TWI439574B true TWI439574B (zh) 2014-06-01

Family

ID=46507133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101101247A TWI439574B (zh) 2011-01-13 2012-01-12 And a method for producing the porous metal foil and a method for producing the same

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9512527B2 (zh)
JP (1) JP5636291B2 (zh)
KR (1) KR101483574B1 (zh)
CN (1) CN103282552B (zh)
TW (1) TWI439574B (zh)
WO (1) WO2012096233A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101582376B1 (ko) * 2013-06-07 2016-01-04 주식회사 제낙스 전극, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전지
US9583277B2 (en) * 2013-09-30 2017-02-28 The Paper Battery Company, Inc. Ultra-capacitor structures and electronic systems with ultra-capacitor structures
WO2015118901A1 (ja) 2014-02-07 2015-08-13 株式会社村田製作所 コンデンサ
FR3029386A1 (fr) * 2014-11-28 2016-06-03 Commissariat Energie Atomique Blindage magnetique ameliore
JP2017001312A (ja) * 2015-06-11 2017-01-05 吉田　英夫 ワークの皮膜形成構造およびワークの皮膜形成方法
JP6432685B2 (ja) 2015-08-12 2018-12-05 株式会社村田製作所 コンデンサ
EP3385968B1 (en) * 2016-03-31 2021-07-14 Nippon Chemi-Con Corporation Electrode foil, winding capacitor, electrode foil manufacturing method, and winding capacitor manufacturing method
JP6978262B2 (ja) * 2017-09-22 2021-12-08 セーレン株式会社 通気性防水金属箔
JP2019173164A (ja) * 2018-03-28 2019-10-10 日立金属株式会社 アルミニウム箔の製造方法
CN108436100B (zh) * 2018-04-09 2021-06-04 哈尔滨工业大学（深圳） 一种超薄多孔纳米镍箔的制备方法
KR102378651B1 (ko) * 2019-03-29 2022-03-25 한양대학교 에리카산학협력단 이차전지용 물질막 및 그 제조 방법
CN117242603A (zh) * 2022-02-28 2023-12-15 宁德时代新能源科技股份有限公司 负极极片、电极组件、电池单体、电池、用电设备及负极极片的制造方法和设备

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5030233A (en) 1984-10-17 1991-07-09 Paul Ducheyne Porous flexible metal fiber material for surgical implantation
CA2131872A1 (en) * 1993-09-14 1995-03-15 Hirofumi Sugikawa Metallic porous sheet and method for manufacturing same
JPH10195689A (ja) 1996-12-27 1998-07-28 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd 微細孔明き金属箔の製造方法
JPH1167222A (ja) * 1997-08-22 1999-03-09 Kazuo Tagawa 電池用集電体およびこれを用いた電池
KR20010031571A (ko) 1998-09-14 2001-04-16 미야무라 심뻬이 다공질 동박(多孔質 銅箔) 및 그 용도와 그 제조방법
JP3474487B2 (ja) * 1999-05-18 2003-12-08 住友金属建材株式会社 多孔金属箔製造用の電着ドラム
JP4292436B2 (ja) * 1999-05-26 2009-07-08 住友電気工業株式会社 金属多孔質体とその製造方法およびそれを用いた電池用集電体
JP2001202968A (ja) * 2000-01-17 2001-07-27 Dainippon Printing Co Ltd 電池用集電体
NL1015535C2 (nl) * 2000-06-27 2001-12-28 Stork Screens Bv Elektroformeringsmatrijs, werkwijze voor het vervaardigen daarvan, alsmede toepassing daarvan en geÙlektroformeerd product.
NL1017213C2 (nl) * 2001-01-29 2002-07-30 Stork Screens Bv Werkwijzen voor het vervaardigen van elektrische geleiders, en toepassing van aldus vervaardigde geleiders.
CN2676421Y (zh) * 2003-11-05 2005-02-02 邝达辉 一种用于制造电极的折边金属扩张网带
JP2005251429A (ja) 2004-03-01 2005-09-15 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Ａｌ合金キャリア付孔開き金属箔及びその製造方法並びにＡｌ合金キャリア付孔開き金属箔から分離された該孔開き金属箔を含む二次電池用電極及び二次電池
CN102765218B (zh) * 2006-12-27 2015-06-17 日立化成株式会社 凹版和使用该凹版的带有导体层图形的基材
FR2936361B1 (fr) 2008-09-25 2011-04-01 Saint Gobain Procede de fabrication d'une grille submillimetrique electroconductrice, grille submillimetrique electroconductrice

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012096233A1 (ja) 2012-07-19
TW201307617A (zh) 2013-02-16
JP5636291B2 (ja) 2014-12-03
CN103282552A (zh) 2013-09-04
KR101483574B1 (ko) 2015-01-16
JP2012144790A (ja) 2012-08-02
CN103282552B (zh) 2016-04-27
US20130216849A1 (en) 2013-08-22
KR20130107327A (ko) 2013-10-01
US9512527B2 (en) 2016-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI439574B (zh) And a method for producing the porous metal foil and a method for producing the same
TWI441948B (zh) Porous metal foil and its manufacturing method
US9595719B2 (en) Composite metal foil and production method therefor
US8980438B2 (en) Porous metal foil and production method therefor
KR101818085B1 (ko) 고내식성을 갖는 금속 다공체 및 그의 제조 방법
JP2012144790A5 (zh)
JP2012176483A (ja) 固定砥粒ワイヤの製造方法
JP6148141B2 (ja) 金属多孔体及び金属多孔体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees