TWI438935B - Led封裝製造方法 - Google Patents

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Description

LED封裝製造方法
本發明涉及一種LED封裝製造方法，尤其涉及一種混合螢光膠封裝用的LED封裝製造方法。
LED產業是近幾年最受矚目的產業之一，發展至今，LED產品已具有節能、省電、高效率、反應時間快、壽命週期時間長、且不含汞、具有環保效益等優點。然而由於LED的封裝製造方法中，為了讓LED的白光出光更具有演色性，會使用混合摻雜有不同螢光粉的混合螢光膠封裝層覆蓋LED晶片。例如，以發出藍光的該LED晶片，配合封裝混合螢光膠中激發為紅色以及綠色的螢光粉，經激發後混光形成白色的出光。但是由於不同螢光粉的受光激發效率並不相同，這樣激發出不同效果的顏色光會造成LED封裝體出光的顏色不均勻。也就是說，封裝混合螢光膠中受光激發為紅色螢光粉與受光激發為綠色螢光粉的激發效率不同，相較之下受光激發為紅色螢光粉的激發效率差，因此封裝混合螢光膠中受光激發的顏色效果會不同(紅色光較弱)，最後造成混光不均勻，進而影響LED封裝體的發光品質。
有鑒於此，有必要提供一種封裝混合膠受光激發後混光均勻的LED封裝製造方法。
一種LED封裝製造方法，其包括以下的步驟，提供一基板，該基板具有兩電極以及一反射杯，該反射杯在該基板的頂面形成一凹槽；設置一LED晶片，在該基板頂面的凹槽內，並與該兩電極電性連接；設置一第一螢光膠，覆蓋該LED晶片；採用離心方式，使該第一螢光膠具有的第一螢光粉沉積在該反射杯的底部；及設置一第二螢光膠，在該第一螢光膠上。
上述的LED封裝製造方法中，由於實施離心方式使該第一螢光膠以及第二螢光膠的螢光粉可區隔在不同的位置，以對應該LED晶片的發光效能，使不同激發效率的螢光紛產生相同的激發效果，讓混光均勻有效提高發光品質。
12‧‧‧基板
122‧‧‧頂面
1220‧‧‧凹槽
124‧‧‧底面
14‧‧‧電極
16‧‧‧反射杯
18‧‧‧LED晶片
182‧‧‧導電線
22‧‧‧第一螢光膠
222‧‧‧第一螢光粉
224‧‧‧透明膠體
24‧‧‧第二螢光膠
圖1是本發明LED封裝製造方法的步驟流程圖。
圖2是對應圖1提供一基板步驟的基板剖視圖。
圖3是對應圖1設置一第一螢光膠步驟的基板剖視圖。
圖4是對應圖1採用離心方式步驟的基板剖視圖。
圖5是對應圖1設置一第二螢光膠步驟的LED產品結構剖視圖。
圖6是對應圖1設置一第一螢光膠步驟的第一實施例基板剖視圖。
圖7是對應圖1設置一第一螢光膠步驟的第二實施例基板剖視圖。
下面將結合附圖對本發明作一具體介紹。
請參閱圖1，所示為本發明LED封裝製造方法的步驟流程圖，其包括以下的步驟：S11提供一基板，該基板具有兩電極以及一反射杯，該反射杯在該基板的頂面形成一凹槽；S12設置一LED晶片，在該基板頂面的凹槽內，並與該兩電極電性連接；S13設置一第一螢光膠，覆蓋該LED晶片；S14採用離心方式，使該第一螢光膠具有的第一螢光粉沉積在該反射杯的底部；及S15設置一第二螢光膠，在該第一螢光膠上。
該步驟S11提供一基板12，該基板12具有兩電極14以及一反射杯16，該反射杯16在該基板12的頂面122形成一凹槽1220，請參閱圖2所示，該頂面122的相對面是為該基板12的底面124，該電極14具有正、負電極之分，並自該頂面122延伸至該底面124，該反射杯16環繞在該基板12的頂面122周緣。
接著該步驟S12設置一LED晶片18，在該基板12頂面122的凹槽1220內，並與該兩電級14電性連接，該LED晶片18發出藍光或是紫外光(UV)，通過導電線182分別與該頂面122上的該正、負兩電級14電性連接。
然後，該步驟S13設置一第一螢光膠22，覆蓋所述LED晶片18(如 圖3所示)，該第一螢光膠22為包含有第一螢光粉222以及透明膠體224的混合膠體，設置在該凹槽1220內覆蓋該LED晶片18，該第一螢光膠22的第一螢光粉222是為綠色螢光粉，該第一螢光粉222的材料為氮氧化物，例如，矽鋁氮氧化物(SiAlON)、硫化物或矽酸鹽。
緊接著該步驟S14採用離心方式，使該第一螢光膠22具有的第一螢光粉222沉積在該反射杯16的底部，該第一螢光膠22尚未固化前，該第一螢光粉222在第一螢光膠22的內部為游離狀態，在離心力作用下該第一螢光粉222將會沉積在該反射杯16的底部，並且會延伸至該反射杯16的凹槽1220內緣面上形成一弧形面，如圖4所示，該第一螢光膠22的中央部位僅存透明膠體224。
最後，該步驟S15設置一第二螢光膠24，在該第一螢光膠22上(如圖5所示)，該第二螢光膠24與該第一螢光膠22相同，為包含有第二螢光粉(圖中未標示)以及透明膠體224的混合膠體，該第二螢光粉的受光激發效率低於該第一螢光粉222的受光激發效率，該第二螢光粉是為紅色螢光粉，該第二螢光粉的材料為氮化物，例如，氮化物(SrCaAlSiN3)、硫化物或矽酸鹽。
上述LED封裝製造方法的步驟中，使第一螢光膠22的該第一螢光粉222在離心力作用下沉積在該反射杯16的底部，並以該弧形面延伸至該凹槽1220的內緣面上，而避開該LED晶片18，讓該LED晶片18由第一螢光膠22的該透明膠體224覆蓋。該LED晶片18正上方發射出較強的正向光，可直接穿透該透明膠體224而照射該第二螢光膠24膠體內的第二螢光粉。該第二螢光粉為受光激發效率低的紅色螢光粉，在該LED晶片18較強的正向光照設之下，產生紅 色的激發效果將會與受光激發效率較高的該第一螢光粉222所產生綠色的激發效果相同。該第一螢光膠22與該第二螢光膠24產生相同的紅色及綠色激發效果，配合該LED晶片18發射出的藍色光，就可使混光所產生的白色出光的顏色更加均勻，因此可以有效解決目前LED封裝體為提升出光顏色的演色性而產生混光顏色不均勻的問題。
請再參閱圖6所示，該步驟S13設置一第一螢光膠22，覆蓋該LED晶片18，為了配合緊接著的該步驟S14採用離心方式，使該第一螢光膠22包含的該第一螢光粉222能迅速地沉積在該反射杯16的底部，並以該弧形面延伸至該凹槽1220的內緣面上，而避開該LED晶片18，在該第一螢光膠22層的設置上，可以如第一實施例，使該第一螢光膠22分成兩堆，每一堆該第一螢光膠22分別覆蓋該LED晶片18與該電級14電性連接的導電線182。該第一螢光膠22分成兩堆後，在離心力作用下該第一螢光粉222很容易沉積在該反射杯16的底部以及該凹槽1220的內緣面上形成該弧形面，避開該LED晶片18的正上方。另外，也可以如第二實施例(如圖7所示)，該第一螢光膠22分成兩堆，該兩堆第一螢光膠22再覆蓋一透明膠體224。即，該第一實施例的該第一螢光膠22設置後，再加上一透明膠體224覆蓋該兩堆第一螢光膠22。
綜上，本發明LED封裝製造方法，將含有不同螢光粉的該第一螢光膠22與該第二螢光膠24分隔設置，並以離心方式使下層該第一螢光膠22的該第一螢光粉222沉積在該反射杯16的底部，從而該LED晶片18發射出較強的正向光，可直接照射上層該第二螢光膠24受光激發效率低的第二螢光粉，提升該第二螢光粉的激發效果 ，進而使不同受光激發效率的螢光粉產生相同的激發效果，讓LED封裝體混光顏色更加均勻。
應該指出，上述實施例僅為本發明的較佳實施方式，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化。這些依據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。
代表圖為流程圖，無元件符號。

Claims (10)

  1. 一種LED封裝製造方法，其包括以下的步驟：提供一基板，該基板具有兩電極以及一反射杯，該反射杯在該基板的頂面形成一凹槽；設置一LED晶片，在該基板頂面的凹槽內，並與該兩電極電性連接；設置一第一螢光膠，覆蓋該LED晶片；採用離心方式，使該第一螢光膠具有的第一螢光粉沉積在該反射杯的底部；及設置一第二螢光膠，在該第一螢光膠上；其中，該設置一第一螢光膠步驟的該第一螢光膠，分成兩堆，每一堆該第一螢光膠分別覆蓋該LED晶片與該電級電性連接的導電線，該設置一第一螢光膠步驟分成兩堆的該第一螢光膠，再覆蓋一透明膠體，覆蓋該兩堆第一螢光膠。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝製造方法，其中，該提供一基板步驟的該兩電極，是具有正、負電極之分，並自該基板的頂面延伸至其相對的底面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝製造方法，其中，該設置一LED晶片步驟的該LED晶片，發出藍光或是紫外光，通過導電線分別與該電級電性連接。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝製造方法，其中，該設置一第一螢光膠步驟的該第一螢光膠，是包含有第一螢光粉以及透明膠體的混合膠體。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的LED封裝製造方法，其中，該第一螢光粉是為綠色螢光粉。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的LED封裝製造方法，其中，該第一螢光粉材料，為氮氧化物，例如，矽鋁氮氧化物(SiAlON)、硫化物或矽酸鹽。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝製造方法，其中，該採用離心方式步驟的第一螢光粉，在離心力作用下會延伸至該反射杯的凹槽內緣面上形成一弧形面，使該第一螢光膠中央部位僅存透明膠體。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的LED封裝製造方法，其中，該設置一第二螢光膠步驟的該第二螢光膠，為包含有第二螢光粉以及透明膠體的混合膠體，該第二螢光粉的受光激發效率低於該第一螢光粉的受光激發效率。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的LED封裝製造方法，其中，該第二螢光粉是為紅色螢光粉。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的LED封裝製造方法，其中，該第二螢光粉材料，為氮化物，例如，氮化物(SrCaAlSiN3)、硫化物或矽酸鹽。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8946987B2 (en) * 2007-11-07 2015-02-03 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and fabricating method thereof
CN102646761B (zh) * 2011-02-21 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装制程
CN103681978A (zh) * 2012-09-13 2014-03-26 深圳市斯迈得光电子有限公司 白光led封装方法及采用该方法封装的白光led
CN103746060A (zh) * 2013-09-21 2014-04-23 吴震 波长转换装置的制造方法和发光装置
CN103489993A (zh) * 2013-10-10 2014-01-01 晶科电子（广州）有限公司 一种高可靠性倒装led光源及其led模组光源
CN103682042A (zh) * 2013-10-17 2014-03-26 吴震 发光装置的制造方法和光源
WO2015074551A1 (zh) * 2013-11-21 2015-05-28 何文铭 一种led模组结构及led模组的制造工艺
KR102222580B1 (ko) * 2014-07-30 2021-03-05 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치
CN107833876B (zh) * 2017-11-24 2024-03-15 广东晶科电子股份有限公司 一种色温可调的led光源及其制造方法
JP7137079B2 (ja) * 2018-11-22 2022-09-14 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7323763B2 (ja) * 2018-12-27 2023-08-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN110931625A (zh) * 2019-12-24 2020-03-27 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led封装方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3503131B2 (ja) * 1999-06-03 2004-03-02 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
US6759266B1 (en) * 2001-09-04 2004-07-06 Amkor Technology, Inc. Quick sealing glass-lidded package fabrication method
ATE421169T1 (de) * 2002-06-13 2009-01-15 Cree Inc Halbleiter-strahlungsquelle mit gesättigtem phosphor
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
KR100540848B1 (ko) * 2004-01-02 2006-01-11 주식회사 메디아나전자 이중 몰드로 구성된 백색 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
US7374807B2 (en) * 2004-01-15 2008-05-20 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
WO2006093011A1 (ja) * 2005-03-01 2006-09-08 Kabushiki Kaisha Toshiba 発光装置
WO2007127029A2 (en) * 2006-04-24 2007-11-08 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
EP2682446A3 (en) * 2006-06-27 2014-03-26 Mitsubishi Chemical Corporation Illuminating device
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US7910938B2 (en) * 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
US7968900B2 (en) * 2007-01-19 2011-06-28 Cree, Inc. High performance LED package
EP2191517B1 (en) 2007-08-31 2017-11-29 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US8167674B2 (en) * 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9041285B2 (en) * 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US7943719B2 (en) 2008-02-28 2011-05-17 The Regents of the University of California; Encapsulation resins
CN101752476A (zh) * 2008-12-12 2010-06-23 威力盟电子股份有限公司 离心沉淀方法及应用其的发光二极管与设备
JP2011171557A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Toshiba Corp 発光装置、その製造方法および発光装置製造装置
CN102447042A (zh) * 2010-10-15 2012-05-09 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构及制程
CN102646761B (zh) * 2011-02-21 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装制程
CN102683542B (zh) * 2011-03-15 2014-12-10 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构

Also Published As

Publication number Publication date
US20120214264A1 (en) 2012-08-23
CN102646761B (zh) 2014-10-15
TW201236209A (en) 2012-09-01
US8664018B2 (en) 2014-03-04
CN102646761A (zh) 2012-08-22

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