TWI438629B - 記憶體系統以及其初始化方法 - Google Patents

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Description

記憶體系統以及其初始化方法
本發明是有關於包括記憶體(memories)的系統，且特別是有關於包括連接到主機處理機(host processor)的多個級聯連接式(cascade-connected)記憶體的記憶體系統以及初始化此記憶體系統的方法。
通常已知的是，記憶體系統中有多個記憶卡(memory cards)以級聯排列的方式(即，一個接一個地)連接到主機處理機。在記憶體系統的正常操作中，命令與資料以卡對卡(card-to-card)的方式被順序傳給主機處理機或從主機處理機傳來。然而，在正常操作之前，主機處理機必須先初始化此記憶體系統，以確定連接到此主機處理機的記憶卡的邏輯位置與類型。
依照本發明的一觀點，所提供的是一種初始化記憶體系統的方法，其中此記憶體系統包括主機處理機與多個記憶卡，且這些記憶卡是以級聯排列的方式相連接，且每個記憶卡包括相對卡位址(relative card address,RCA)暫存器(register)。此方法包括：預先儲存相同的預設相對卡位址在每個記憶卡的相對卡位址暫存器中；以及利用此預設相對卡位址從主機處理機發出命令序列，藉此來按順序分別儲存唯一的相對卡位址在記憶卡中
依照本發明的另一觀點，所提供的是一種記憶體系統，此記憶體系統包括主機處理機以及連接到此主機處理機的多個級聯連接式記憶卡，每個記憶卡儲存著相同的預設相對卡位址。主機處理機經配置以利用此預設相對卡位址來順序存取每個記憶卡，且在每次順序存取時將預設相對卡位址改成唯一的相對卡位址。
依照本發明的又一觀點，所提供的是一種電腦系統，此電腦系統包括主機處理機、以易操作方式耦接到此主機處理機的多個周邊元件以及以易操作方式耦接到此主機處理機的記憶體元件。此記憶體元件包括多個級聯連接式記憶卡，其中每個記憶卡包括相對卡位址暫存器，電腦系統被初始化之前，此相對卡位址暫存器儲存著相同的預設相對卡位址。電腦系統被初始化時，主機處理機經配置以利用預設相對卡位址來順序存取級聯連接式記憶卡。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式來作詳細說明如下。
下面將透過本發明的非限制性較佳實施例來詳細描述本發明。本說明書中所呈現的實施例被視為本發明的各種實施方式的示範，而不是要限制或明確界定本發明的總範圍。
為了便於理解以及避免多餘的描述，在整個圖式中，相同的元件符號代表相同的或相似的元件。而且，當圖中包含許多電路元件時，根據電路的本質容易理解的是，當提到一元件連接到另一元件時，此元件可直接連接到另一元件，也可存在著一個或多個中間元件。相反地，如果提到一元件“直接連接”到另一元件，則不存在中間元件。用來描述元件之間相互關係的其他詞也應當按照相同方式來翻譯(例如，“介於……之間”相對於“直接介於……之間”、“鄰接著”相對於“直接鄰接著”、“連接”相對於“直接連接”等)。
本發明所屬之領域中傳統的是，本發明之實施例可至少一部分按照功能方塊或單元來描述。容易理解的是，這些功能方塊或單元代表經配置(例如，透過專用與/或可程式化電路)以執行傳訊(signaling)與/或本說明書所述之計算操作的電子電路。而且，容易理解的是，在不脫離本發明之精神與範圍的前提下，一個或多個功能方塊可在實體上併入複合電路。
圖1繪示為依照本發明之一實施例的一種記憶體系統10。如圖1所示，此例中的記憶體系統10包括：主機單元500；一個或多個嵌入式(embedded)記憶卡100、200及300；以及移動式記憶卡400。此移動式記憶卡400是藉由卡座(card socket)421來以可移動方式而安裝在記憶體系統10上。
記憶卡100、200、300及400是以級聯方式連接到主機500。特別地，匯流排(bus)11連接在主機500與記憶卡100(CARD1)的各別實體層(physical layers)(PHY)520與110之間。匯流排12連接在記憶卡100(CARD1)與記憶卡200(CARD2)的各別實體層(PHY)120與210之間。匯流排13連接在記憶卡200(CARD2)與記憶卡300(CARD3)的各別實體層(PHY)220與310之間。匯流排14連接在記憶卡300(CARD3)與記憶卡400(CARD4)的各別實體層(PHY)320與410之間。
每個嵌入式記憶卡100、200及300分別包括記憶體160、260與360(MEMORY1、MEMORY2與MEMORY3)。記憶體160、260與360可配置成揮發性(volatile)記憶體、非揮發性(non-volatile)記憶體或其組合。揮發性記憶體的非限制性範例包括隨機存取記憶體(Random Access Memory,RAM)、靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory,SRAM)、動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM)、增強型資料輸出隨機存取記憶體(Enhanced Data Output Random Access Memory,EDORAM)、高速動態隨機存取記憶體(High-Speed DRAM)、同步動態隨機存取記憶體(Synchronous Dynamic Random Access Memory,SDRAM)以及雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,DDR-SDRAM)。非揮發性記憶體的非限制性範例包括唯讀記憶體(Read Only Memory,ROM)、電性可抹除的可程式化唯讀記憶體(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,EEPROM)、快閃記憶體(Flash Memory)、磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)、相變隨機存取記憶體(Phase-change Random Access Memory,PRAM)以及鐵電式隨機存取記憶體(Ferroelectric Random Access Memory,FRAM)。
移動式記憶卡400也包括一記憶體460(MEMORY4)，此記憶體460可以是諸如唯讀記憶體(ROM)、電性可抹除的可程式化唯讀記憶體(EEPROM)、快閃記憶體、磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、相變隨機存取記憶體(PRAM)與/或鐵電式隨機存取記憶體(FRAM)之類的非揮發性記憶體。
記憶卡100、200、300及400更分別裝有控制器140、240、340以及440。特別地，嵌入式記憶卡100(CARD1)的控制器140以易操作方式配置在記憶體160與實體層110、120之間。嵌入式記憶卡200(CARD2)的控制器240以易操作方式而配置在記憶體260與實體層210、220之間。嵌入式記憶卡300(CARD3)的控制器340以易操作方式配置在記憶體360與實體層310、320之間。移動式記憶卡400(CARD4)的控制器440以易操作方式配置在記憶體460與實體層410之間。
控制器140、240、340及440對主機500所產生的命令作出回應，且控制/管理各別記憶體160、260、360及460的讀寫操作。此外，每個控制器140、240、340及440裝有卡識別資訊(Card Identification,CID)暫存器與相對卡位址(Relative Card Address,RCA)暫存器。特別地，控制器140包括卡識別資訊暫存器142與相對卡位址暫存器144。控制器240包括卡識別資訊暫存器242與相對卡位址暫存器244。控制器340包括卡識別資訊暫存器342與相對卡位址暫存器344。控制器440包括卡識別資訊暫存器442與相對卡位址暫存器444。下文將詳細敍述的是，卡識別資訊包含與特定的記憶卡有關的資訊，諸如記憶體容量、製造商、序列號等，而相對卡位址是記憶卡製造商預先儲存的預設卡位址。
下面將參照圖2來詳細描述圖1所示之實體層(PHY)。也就是說，圖2繪示為圖1中的實體層(PHY)520、110、120及210。圖1中的剩餘實體層(PHY)220、310、320及410是按相似的方式來配置。
在圖2之範例中，每個實體層(PHY)都包括傳送器TX、接收器RX、時脈產生器(clock generator)Clock以及驅動電路。特別地，主機500的實體層520包括：傳送器TX 520，耦接到差動訊號驅動器522；接收器RX 523，耦接到差動訊號驅動器524；以及時脈產生器525，耦接到訊號驅動器526。記憶卡100的實體層110包括：傳送器TX 113，耦接到差動訊號驅動器114；接收器RX 111，耦接到差動訊號驅動器112；以及時脈產生器115，耦接到訊號驅動器116。如圖2所示，匯流排11包括：將差動訊號(DT1+與DT1-)從主機500之實體層520傳送至記憶卡100之實體層110的訊號線；將差動訊號(DT0+與DT0-)從記憶卡100之實體層110傳送至主機500之實體層520的訊號線；以及將時脈訊號CLK從主機500之實體層520傳送至記憶卡100之實體層110的訊號線。
圖2還顯示，記憶卡100之實體層120包括：傳送器TX 121，耦接到差動訊號驅動器122；接收器RX 123，耦接到差動訊號驅動器124；以及時脈產生器125，耦接到訊號驅動器126。記憶卡200之實體層210包括：傳送器TX 213，耦接到差動訊號驅動器214；接收器RX 211，耦接到差動訊號驅動器212；以及時脈產生器215，耦接到訊號驅動器216。匯流排12包括：將差動訊號從記憶卡100之實體層120傳送至記憶卡200之實體層210的訊號線；將差動訊號從記憶卡200之實體層210傳送至記憶卡100之實體層120的訊號線；以及將時脈訊號CLK從記憶卡100之實體層120傳送至記憶卡200之實體層210的訊號線。
使用差動訊號線來傳送資料能夠在較低電力與低電磁干擾(electromagnetic interference,EMI)下實現高速傳輸。
在圖2之範例中，時脈訊號CLK起初是用主機500來供應，然後在每個記憶卡100、200及300以級聯方式再生。圖3繪示為另一實施例，在此實施例中，時脈訊號CLK從主機500被平行供應給每個記憶卡100、200、300及400。在此情形下，實體層120a未安裝時脈產生器與對應的驅動器。同樣地，圖1中的實體層220與320也不會安裝時脈產生器與對應的驅動器。
下面將參照圖4中的流程圖來描述圖1所示之記憶體系統的操作。
特別地，圖4繪示為卡識別模式S120，此卡識別模式S120是在記憶體系統啟動(步驟S110)之後發生以回應於開機(power-on)狀態或回應於重設(reset)命令CMD0(步驟S105)。
在卡識別模式S120中，主機500發送卡識別命令至記憶卡100(步驟S122)。此卡識別命令包括卡位址，即，預設相對卡位址。
下文將詳細敍述的是，所有的記憶卡100、200、300及400的相對卡位址起初都被設定為相同的預設相對卡位址(例如，所儲存的邏輯值“111”)。
記憶卡100接收卡識別命令，且將其相對卡位址與儲存在相對卡位址暫存器144中的相對卡位址做比較。由於卡識別命令的相對卡位址與儲存在相對卡位址暫存器144中的相對卡位址都是相同的預設相對卡位址，所以發生位址匹配(match)，且記憶卡100發送卡識別資訊(儲存在卡識別資訊暫存器142中)至主機500。如此一來，記憶卡100的卡識別資訊被主機500接收(步驟S124)。
從記憶卡100接收卡識別資訊之後，主機500傳送包括預設相對卡位址的相對卡位址命令至記憶卡100(步驟S126)。記憶卡100接收此相對卡位址命令，且將其相對卡位址與儲存在相對卡位址暫存器144中的相對卡位址做比較。由於相對卡位址命令的相對卡位址與儲存在相對卡位址暫存器144中的相對卡位址都是相同的預設相對卡位址，所以發生位址匹配。如此一來，記憶卡100對相對卡位址命令作出回應以儲存新的相對卡位址(不同於預設相對卡位址)到相對卡位址暫存器144中。一旦新的相對卡位址被儲存到相對卡位址暫存器144中，記憶卡100就發送應答(acknowledgment)至主機500。
當接收到應答時，主機500再次傳送包含預設相對卡位址的卡識別命令至記憶卡100(步驟S122)。記憶卡100接收此卡識別命令，且將其相對卡位址與儲存在相對卡位址暫存器144中的相對卡位址做比較。但是，由於儲存在相對卡位址暫存器144中的相對卡位址已改變，所以發生位址不匹配(mis-match)，且記憶卡100傳送卡識別命令至記憶卡200。
記憶卡200接收此卡識別命令，且將其相對卡位址與儲存在相對卡位址暫存器244中的相對卡位址做比較。由於卡識別命令的相對卡位址與儲存在相對卡位址暫存器244中的相對卡位址都是相同的預設相對卡位址，所以發生位址匹配，且記憶卡200經由記憶卡100來發送卡識別資訊(儲存在卡識別資訊暫存器242中)至主機500。如此一來，記憶卡200的卡識別資訊被主機500接收(步驟S124)。
從記憶卡200接收到卡識別資訊之後，主機500傳送包含預設相對卡位址的相對卡位址命令至記憶卡100(步驟S126)。記憶卡100接收此相對卡位址命令，且將其相對卡位址與儲存在相對卡位址暫存器144中的相對卡位址做比較。因為發生位址不匹配，所以記憶卡100傳送相對卡位址命令至記憶卡200。
記憶卡200接收此相對卡位址命令，且將其相對卡位址與儲存在相對卡位址暫存器244中的相對卡位址做比較。因為此相對卡位址命令的相對卡位址與儲存在相對卡位址暫存器244中的相對卡位址都是相同的預設相對卡位址，所以發生位址匹配。如此一來，記憶卡200對相對卡位址命令作出回應以儲存新的相對卡位址(其不同於預設相對卡位址與記憶卡100中設定的相對卡位址)到相對卡位址暫存器244中。一旦新的相對卡位址被儲存到相對卡位址暫存器244中，記憶卡200就經由第一記憶卡100來發送應答至主機500。
然後，重複上述過程(S120)來設定(或重寫)分別儲存在記憶卡300、400之相對卡位址暫存器342、442中的相對卡位址。特別地，儲存在相對卡位址暫存器342中的預設相對卡位址被改成唯一的相對卡位址，然後，儲存相對卡位址暫存器442中的預設相對卡位址被改成另一個唯一的相對卡位址。
當包含預設相對卡位址的卡識別命令被傳送之後主機500未能接收到應答時，則視為卡識別模式S120已結束，執行正常的資料傳送模式，且最後記憶體系統被置於待命(standby)狀態(步驟S130)。
圖5繪示為結合圖5所述的操作所對應的命令圖。在循環-1，卡識別命令(CMD_CID)從主機被傳送至記憶卡100(CARD1)。在循環-2，由於記憶卡100(CARD1)包含預設相對卡位址，所以記憶卡100(CARD1)發送包含卡識別資訊的回應給主機。在循環-3，主機傳送第一相對卡位址命令(CMD_RCA1)。在循環-4，因為記憶卡100(CARD1)包含預設相對卡位址，所以記憶卡100(CARD1)用第一相對卡位址命令CMD_RCA1的新相對卡位址RCA1來改變儲存在卡識別資訊暫存器142中的預設相對卡位址，且發送應答至主機。此時，記憶卡100(CARD1)的識別結束。
在循環-5，主機再次傳送卡識別命令CMD_CID至記憶卡100(CARD1)。因為記憶卡100(CARD1)的相對卡位址1不同於預設相對卡位址，所以在圖5中的循環-6中卡識別命令CMD_CID被傳給記憶卡200(CARD2)。在循環-7，因為記憶卡200(CARD2)包含預設相對卡位址，所以記憶卡200(CARD2)經由記憶卡100(CARD1)來發送包含卡識別資訊的回應給主機(循環-8)。在循環-9，主機傳送第二相對卡位址命令(CMD_RCA2)至記憶卡100(CARD1)。因為記憶卡100(CARD1)的相對卡位址RCA1不同於預設相對卡位址，所以在循環-10中第二相對卡位址命令CMD_RCA2被傳給記憶卡200(CARD2)。在循環-11，因為記憶卡200(CARD2)包含預設相對卡位址，所以記憶卡200(CARD2)用第二相對卡位址命令CMD_RCA2的新相對卡位址RCA2來改變儲存在卡識別資訊暫存器242中的預設相對卡位址，且經由記憶卡100(CARD1)來發送應答至主機(循環-12)。此時，記憶卡200(CARD2)的識別結束。
然後重複執行結合圖5所述的過程來完成記憶卡300(CARD3)及記憶卡400(CARD4)的識別過程。
圖6、圖7及圖8分別繪示為可在圖1之記憶體系統中傳送的命令訊標(tokens)、回應訊標以及資料訊標的範例。命令訊標(64位元)是主機500所產生，回應訊標(32位元)是記憶卡100、200、300及400所產生，資料訊標是在主機500與記憶卡100、200、300及400所包含的記憶體之間傳輸。
如圖6、圖7及圖8所示，圖6所示之範例中的命令訊標包括1位元的起始位元(Start Bit)、1位元的傳輸(Transmission)節(section)、1位元的資料/命令(Data/Command)節、3位元的相對卡位址(RCA)節、9位元的命令(CMD)索引、32位元的引數(Argument)節、9位元的保留(Reserved)節、7位元的CRC7節以及1位元的結束位元(End Bit)。圖7之範例中的回應訊標包括1位元的起始位元、1位元的傳輸節、1位元的資料/回應節、3位元的相對卡位址(RCA)節、9位元的命令(CMD)索引、1位元的忙位元(Busy-Bit)、1位元的錯誤位元(Error Bit)、7位元的卡狀態錯誤(Card Status Error)節、7位元的CRC7節以及1位元的結束位元。圖8之範例中的資料訊標包括1位元的起始位元、1位元的傳輸節、1位元的資料/命令節、3位元的相對卡位址(RCA)節、22位元的封包資訊(Packet Information)節、512位元組的磁區(Sector)DATA節、16位元的CRC16節以及1位元的結束位元。
本領域中具有通常技藝者能理解圖6至圖8所示之訊標的每個資料節的用途。但是，值得注意的是，傳輸位元是用來規定資料傳輸的方向。例如，傳輸位元“1”可規定資料從主機向記憶卡傳輸，而傳輸位元“0”可規定資料從記憶卡向主機傳輸。此外，循環冗餘檢測碼(cyclic redundancy check,CRC)節是用於錯誤修正。
圖9繪示為可應用於本發明之一個或多個實施例的3位元相對卡位址的範例。如圖9所示，每個記憶卡中起初設定的預設相對卡位址是“111”。然後，執行結合圖4、圖5所述的過程，成功地將記憶卡的相對卡位址分別改成“000”、“001”、“010”及“011”。
如上所述，每個嵌入式記憶卡100、200及300以及移動式記憶卡400起初包含預設相對卡位址(例如，“111”)。主機500利用此預設相對卡位址來發出命令以讀取卡識別資訊，然後將預設相對卡位址相繼改成唯一的非預設相對卡位址。如此一來，即使記憶卡100、200及300中的一個或多個不存在，移動式記憶卡400的相對卡位址也可預為分配(assigned)。
下面將參照圖10來描述依照本發明之另一實施例的一種記憶體系統。如圖10所示，此例中的記憶體系統20包括：主機單元501；一個或多個嵌入式記憶卡101、201及301；以及移動式記憶卡401。移動式記憶卡401是透過卡座422來以可移動方式安裝在記憶體系統20上。
記憶卡101、201、301及401是以級聯方式連接到主機501。特別地，匯流排21連接在主機501與記憶卡101(CARD1)的各別實體層(PHY)521與111之間。匯流排22連接在記憶卡101(CARD1)與記憶卡201(CARD2)的各別實體層(PHY)121與211之間。匯流排23連接在記憶卡201(CARD2)與記憶卡301(CARD3)的各別實體層(PHY)221與311之間。匯流排24連接在記憶卡(CARD3)與記憶卡401(CARD4)的各別實體層(PHY)321與411之間。
每個嵌入式記憶卡101、201及301分別包括記憶體161、261與361(MEMORY1、MEMORY2與MEMORY3)。記憶體161、261及361可配置成揮發性記憶體、非揮發性記憶體或其組合。揮發性記憶體的非限制性範例包括隨機存取記憶體、靜態隨機存取記憶體、動態隨機存取記憶體、增強型資料輸出隨機存取記憶體、高速動態隨機存取記憶體、同步動態隨機存取記憶體以及雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體。非揮發性記憶體的非限制性範例包括唯讀記憶體、電性可抹除可程式化唯讀記憶體、快閃記憶體、磁阻式隨機存取記憶體、相變隨機存取記憶體以及鐵電式隨機存取記憶體。
移動式記憶卡401也包括一記憶體461(MEMORY4)，此記憶體461可以是諸如唯讀記憶體、電性可抹除的可程式化唯讀記憶體、快閃記憶體、磁阻式隨機存取記憶體、相變隨機存取記憶體與/或鐵電式隨機存取記憶體之類的非揮發性記憶體。
記憶卡101、201、301及401更分別裝有控制器141、241、341及441。特別地，嵌入式記憶卡101(CARD1)的控制器141以易操作方式而配置在記憶體161與實體層111、121之間。嵌入式記憶卡201(CARD2)的控制器241以易操作方式配置在記憶體261與實體層211、221之間。嵌入式記憶卡301(CARD3)的控制器341以易操作方式配置在記憶體361與實體層311、321之間。移動式記憶卡401(CARD4)的控制器441以易操作方式配置在記憶體461與實體層411之間。
控制器141、241、341及441對主機501所產生的命令作出回應，且控制/管理各別記憶體161、261、361及461的讀寫操作。此外，每個控制器141、241、341及441裝有卡識別/分區資訊(Card Identification/Partition)(CID/PI)暫存器與相對卡位址(RCA)暫存器。特別地，控制器141包括卡識別/分區資訊暫存器143與相對卡位址暫存器145。控制器241包括卡識別/分區資訊暫存器243與相對卡位址暫存器245。控制器341包括卡識別/分區資訊暫存器343與相對卡位址暫存器345。控制器441包括卡識別/分區資訊暫存器443與相對卡位址暫存器445。下文將詳細敍述的是，卡識別/分區資訊暫存器包含諸如記憶體容量、製造商、序列號等與特定記憶卡有關的卡識別資訊以及與對應之記憶卡之記憶體被分區的方式有關的分區(PI)資訊。像第一實施例一樣，相對卡位址起初是可由記憶卡製造商預先儲存的預設卡位址。
圖10中的實體層(PHY)可與先前結合圖2、圖3所述的實體層相同。
每個記憶體控制器的卡識別/分區資訊暫存器與相對卡位址暫存器分別繪示在圖11與圖12中。
如圖11所示，每個記憶體控制器的卡識別/分區資訊暫存器包括：卡識別位元，表示每個對應之記憶卡的卡識別資訊；以及分區位元，表示每個記憶卡之記憶體的分區資訊。也就是說，分區位元是由使用者來決定的軟體資訊，且用來告知主機501記憶卡被邏輯分區的方式。
相對卡位址暫存器包括：卡號(Card Number,CN)，表示記憶卡的位址；以及分區號(Partition Number,PN)，表示同一記憶卡內的分區位址。例如，預設相對卡位址可以是111111，而第一記憶卡之第二分區的非預設相對卡位址則可以是000001。下文將參照圖17來再討論此例。
圖13、圖14與圖15分別繪示為可在圖10之記憶體系統中傳輸的命令訊標、回應訊標以及資料訊標的範例。命令訊標(64位元)是主機501所產生，回應訊標(32位元)是記憶卡101、201、301及401所產生，資料訊標是在主機501與記憶卡101、201、301及401所包含的記憶體之間傳輸。
如上所示，圖13之範例中的命令訊標包括1位元的起始位元、1位元的傳輸節、1位元的資料/命令節、6位元的相對卡位址節、6位元的CMD索引、32位元的引數節、9位元的保留節、7位元的CRC7節以及1位元的結束位元。圖14之範例中的回應訊標包括1位元的起始位元、1位元的傳輸節、1位元的資料/回應節、6位元的相對卡位址節、6位元的CMD索引、1位元的忙位元、1位元的錯誤位元、7位元的卡狀態錯誤節、7位元的CRC7節以及1位元的結束位元。圖15之範例中的資料訊標包括1位元的起始位元、1位元的傳輸節、1位元的資料/命令節、6位元的相對卡位址節、22位元的封包資訊節、512位元組的磁區DATA節、16位元的CRC16節以及1位元的結束位元。
下面參照圖16來描述圖10之記憶體系統中的記憶卡的分區。在此例中，第一記憶卡101被分割成兩個分區162與164(步驟S210)。然後，對應的分區資訊(PI)被載入記憶卡101之卡識別/分區資訊暫存器143(步驟S220)，且相對卡位址暫存器145被重設為預設相對卡位址(步驟S230)。然後，主機501執行卡識別過程(步驟S240)，其範例將在下文參照圖18來描述。
圖17繪示為圖10之記憶體系統中的記憶卡(CARD1～CARD4)之相對卡位址暫存器中所儲存的相對卡位址資料的範例。在此例中，預設相對卡位址被設定為111111。非預設卡專用相對卡位址也包括六個位元，其中三個最高有效位元(most significant bits)代表記憶卡，而三個最低有效位元(least significant bits)代表記憶卡的分區(如果有分區的話)。在此例中，第一記憶卡被分區，且這些分區的相對卡位址分別是000000與000001。剩餘的未分區記憶卡的相對卡位址分別是001000、010000與011000。
下面將參照圖18之流程圖來描述圖10之記憶體系統的一種操作方法。特別地，圖18繪示為記憶體系統中的主機501識別記憶卡101、201、301及401的過程。
起初，主機501發送包含預設相對卡位址(例如，圖17所示之111111)的卡識別/分區命令(步驟S310)。若未接收到回應(步驟S320)，則卡識別過程結束。否則，第一記憶卡101將儲存在相對卡位址暫存器145中的相對卡位址與卡識別/分區命令的預設相對卡位址做比較(步驟S530)。若發生匹配，則第一記憶卡101傳送卡識別/分區資訊至主機501(步驟S340)，且主機501作出回應，發送對記憶卡(或記憶卡內的分區)而言唯一的非預設相對卡位址至記憶卡。若第一記憶卡101的儲存相對卡位址與卡識別/分區命令的預設相對卡位址不匹配，則此卡識別/分區命令被傳給第二記憶卡201(步驟S335)。然後對每個記憶卡201、301及401重複執行此過程，直到每個記憶卡(或分區)的非預設相對卡位址被儲存到每個記憶卡的相對卡位址暫存器中為止。
因此，圖10之實施例的操作與先前所描述的圖1相似。每個嵌入式記憶卡101、201及301以及移動式記憶卡401起初包含預設相對卡位址(例如，111111)。主機501利用此預設相對卡位址來發出命令以讀取卡識別/分區資訊，然後將預設相對卡位址相繼改成唯一的非預設相對卡位址。如此一來，即使記憶卡101、201及301中的一個或多個不存在，移動式記憶卡401的相對卡位址也容易分配。
下面將參照圖19來描述依照本發明之另一實施例的一種記憶體系統。如圖19所示，此例中的記憶體系統30包括：主機單元502；一個或多個嵌入式記憶卡102、202及302；以及移動式記憶卡402。移動式記憶卡402是經由卡座423來以可移動方式安裝在記憶體系統30上。
記憶卡102、202、302及402是以級聯方式連接到主機502。特別地，匯流排31連接在主機502與記憶卡102(CARD1)的各別實體層(PHY)522與112之間。匯流排32連接在記憶卡102(CARD1)與記憶卡202(CARD2)的各別實體層(PHY)122與212之間。匯流排33連接在記憶卡202(CARD2)與記憶卡302(CARD3)的各別實體層(PHY)222與312之間。匯流排34連接在記憶卡302(CARD3)與記憶卡402(CARD4)的各別實體層(PHY)322與412之間。
每個嵌入式記憶卡102、202及302分別包括記憶體162、262與362(MEMORY1、MEMORY2與MEMORY3)。記憶體162、262及362可配置成揮發性記憶體、非揮發性記憶體或其組合。揮發性記憶體的非限制性範例包括隨機存取記憶體、靜態隨機存取記憶體、動態隨機存取記憶體、增強型資料輸出隨機存取記憶體、高速動態隨機存取記憶體、同步動態隨機存取記憶體以及雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體。非揮發性記憶體的非限制性範例包括唯讀記憶體、電性可抹除可程式化唯讀記憶體、快閃記憶體、磁阻式隨機存取記憶體、相變隨機存取記憶體以及鐵電式隨機存取記憶體。
移動式記憶卡402也包括一記憶體462(MEMORY4)，此記憶體462可以是諸如唯讀記憶體、電性可抹除可程式化唯讀記憶體、快閃記憶體、磁阻式隨機存取記憶體、相變隨機存取記憶體與/或鐵電式隨機存取記憶體之類的非揮發性記憶體。
記憶卡102、202、302及402更分別裝有控制器150、250、350及450。特別地，嵌入式記憶卡102(CARD1)的控制器150以易操作方式配置在記憶體162與實體層112、122之間。嵌入式記憶卡202(CARD2)的控制器250以易操作方式配置在記憶體262與實體層212、222之間。嵌入式記憶卡302(CARD3)的控制器350以易操作方式配置在記憶體362與實體層312、322之間。移動式記憶卡402(CARD4)的控制器450以易操作方式配置在記憶體462與實體層412之間。
控制器150、250、350及450對主機502所產生的命令作出回應，且控制/管理各別記憶體162、262、362及462的讀寫操作。此外，每個控制器150、250、350及450裝有相對卡位址暫存器。特別地，控制器150包括相對卡位址暫存器145。控制器250包括相對卡位址暫存器245。控制器350包括相對卡位址暫存器345。控制器450包括相對卡位址暫存器445。
像第一實施例一樣，這些相對卡位址暫存器起初儲存著預設卡位址(預設相對卡位址)，此預設卡位址可由各別記憶卡的製造商預先儲存。
圖19中的實體層(PHY)可與先前結合圖2、圖3所述的實體層相同。
除了卡識別過程被省略之外，圖19之記憶體系統之操作與先前所述的圖1相似。不同的是，初始化時(開機或重設)，主機502依次將每個記憶卡預先儲存的預設相對卡位址改成每個記憶卡唯一的非預設相對卡位址。圖20之命令圖部分繪示了此過程。
請參照圖20，在循環-1，主機502發送包含預設相對卡位址的相對卡位址命令(CMD_RCA1)至第一記憶卡102。由於儲存在第一記憶卡102中的相對卡位址與相對卡位址命令中所包含的預設相對卡位址相同，所以第一記憶卡102對此相對卡位址命令作出回應以儲存新的相對卡位址在其暫存器145中，且在循環-2發送應答回主機502。在圖20之循環-3，主機502發送包含預設相對卡位址的相對卡位址命令(CMD_RCA2)至第一記憶卡102。由於儲存在第一記憶卡102中的相對卡位址不同於此相對卡位址命令所包含的預設相對卡位址，所以在循環-4第一記憶卡102將此相對卡位址命令傳給第二記憶卡202。由於儲存在第二記憶卡202中的相對卡位址與此相對卡位址命令所包含的預設相對卡位址相同，所以第二記憶卡202對此相對卡位址命令作出回應以儲存新的相對卡位址在其暫存器245中，且在循環-5發送應答回主機502。在圖20之循環-6，此應答經由第一記憶卡102而被中繼(relayed)回主機502。
圖21繪示為依照本發明之一實施例的一種記憶體系統40。如圖21所示，此例中的記憶體系統40包括：主機單元503；一個或多個嵌入式記憶卡103、203及303；以及移動式記憶卡403。移動式記憶卡403是經由卡座424來以可移動方式安裝在記憶體系統40上。
記憶卡103、203、303及403是以級聯方式連接到主機503。特別地，匯流排41連接在主機503與記憶卡103(CARD1)的各別實體層(PHY)523與113之間。匯流排42連接在記憶卡103(CARD1)與記憶卡203(CARD2)的各別實體層(PHY)123與213之間。匯流排43連接在記憶卡203(CARD2)與記憶卡303(CARD3)的各別實體層(PHY)223與313之間。匯流排44連接在記憶卡303(CARD3)與記憶卡403(CARD4)的各別實體層(PHY)323與413之間。
每個嵌入式記憶卡103、203及303分別包括記憶體163、263與363(MEMORY1、MEMORY2與MEMORY3)。記憶體163、263及363可配置成揮發性記憶體、非揮發性記憶體或其組合。揮發性記憶體的非限制性範例包括隨機存取記憶體、靜態隨機存取記憶體、動態隨機存取記憶體、增強型資料輸出隨機存取記憶體、高速動態隨機存取記憶體、同步動態隨機存取記憶體以及雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體。非揮發性記憶體的非限制性範例包括唯讀記憶體、電性可抹除的可程式化唯讀記憶體、快閃記憶體、磁阻式隨機存取記憶體、相變隨機存取記憶體以及鐵電式隨機存取記憶體。
移動式記憶卡403也包括一記憶體463(MEMORY4)，此記憶體463可以是諸如唯讀記憶體、電性可抹除的可程式化唯讀記憶體、快閃記憶體、磁阻式隨機存取記憶體、相變隨機存取記憶體與/或鐵電式隨機存取記憶體之類的非揮發性記憶體。
記憶卡103、203、303及403更分別裝有控制器151、251、351及451。特別地，嵌入式記憶卡103(CARD1)的控制器151是以易操作方式配置在記憶體163與實體層113、123之間。嵌入式記憶卡203(CARD2)的控制器251是以易操作方式配置在記憶體263與實體層213、223之間。嵌入式記憶卡303(CARD3)的控制器351是以易操作方式配置在記憶體363與實體層313、323之間。移動式記憶卡403(CARD4)的控制器451是以易操作方式配置在記憶體463與實體層413之間。
控制器151、251、351及451對主機503所產生的命令作出回應，且控制/管理各別記憶體163、263、363及463的讀寫操作。此外，每個控制器151、251、351及451還裝有分區識別(Partition Identification，PI)暫存器與相對卡位址(RCA)暫存器。特別地，控制器151包括分區識別(PI)暫存器153與相對卡位址(RCA)暫存器155。控制器251包括分區識別暫存器253與相對卡位址暫存器255。控制器351包括分區識別暫存器353與相對卡位址暫存器355。控制器451包括分區識別暫存器453與相對卡位址暫存器455。分區識別暫存器分別包含著與每個對應之記憶體163、263、363及463之分區(如果有分區的話)有關的資訊，這與上文結合圖10之實施例所討論的一樣。相對卡位址暫存器包含卡位址，而且像先前實施例一樣，每個相對卡位址暫存器起初包含預設卡位址，此預設卡位址是記憶卡製造商預先儲存的。
圖21中的實體層(PHY)可與先前結合圖2、圖3所述的實體層相同。
除了卡識別過程被省略之外，圖21之記憶體系統的操作與先前所述的圖10相似。圖22之命令圖部分繪示了此操作。
圖22繪示為與圖21之記憶體系統有關的命令圖。在循環-1，分區識別命令(CMD_PI)從主機503被傳送至記憶卡103(CARD1)。在循環-2，由於記憶卡103(CARD1)包含預設相對卡位址，所以此記憶卡103(CARD1)發送包含分區識別資訊的回應至主機。在循環-3，主機傳送第一相對卡位址命令(CMD_RCA1)。在循環-4，由於記憶卡103(CARD1)包含預設相對卡位址，所以此記憶卡103(CARD1)用第一相對卡位址命令(CMD_RCA1)的新相對卡位址RCA1來改變儲存在暫存器155中的預設相對卡位址，且發送應答至主機。此時，記憶卡103(CARD1)的識別結束。
在循環-5，主機再次傳送分區識別命令(CMD_PI)至記憶卡103(CARD1)。由於記憶卡103(CARD1)的相對卡位址RCA1不同於預設相對卡位址，所以在圖22的循環-6，分區識別命令(CMD_PI)被傳給記憶卡203(CARD2)。在循環-7，由於記憶卡203(CARD2)包含預設相對卡位址，所以此記憶卡203(CARD2)經由記憶卡103(CARD1)來發送包含分區識別資訊的回應至主機。在循環-9，主機傳送第二相對卡位址命令(CMD_RCA2)至記憶卡103(CARD1)。由於記憶卡103(CARD1)的相對卡位址RCA1不同於預設相對卡位址，所以在循環-10第二相對卡位址命令(CMD_RCA2)被傳給記憶卡203(CARD2)。在循環-11，由於記憶卡203(CARD2)包含預設相對卡位址，所以此記憶卡203(CARD2)用第二相對卡位址命令(CMD_RCA2)的新相對卡位址RCA2來改變儲存在暫存器255中的預設相對卡位址，且經由記憶卡103(CARD1)來發送應答給主機(循環-12)。此時，記憶卡203(CARD2)的識別結束。
然後，重複執行上文結合圖22所述的過程，以完成記憶卡303(CARD3)與記憶卡403(CARD4)的識別過程。
圖23是依照先前所述之圖1之實施例的一種記憶體系統的立體圖。這兩個圖中，相同的元件符號代表相同的元件，因此圖23之操作的詳細描述被省略以避免重複。但是值得注意的是，圖23之系統裝有偵測器(detector)425，此偵測器425是包含在卡座421內。當移動式記憶卡400插入卡座421時，偵測器425發送中斷訊號(interrupt signal)至主機500。主機500對此中斷訊號作出回應以啟動先前結合圖4所述的卡識別過程。
圖24繪示為包括本發明之一個或多個實施例之記憶體系統的一種電腦系統。此例中的電腦系統是一種移動通訊裝置，諸如行動電話(mobile telephone)與/或移動式個人資料助理(personal data assistant,PDA)。如圖24所示，此電腦系統包括主機50，此主機50具有多個實體層501、502、503及504，這些實體層分別連接到許多周邊元件。實體層501耦接到顯示器(液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD))元件60的實體層601。實體層502連接到數位多媒體廣播(digital multimedia broadcasting,DMB)元件70的實體層701。實體層503耦接到攝影機80的實體層801。實體層504耦接到記憶體90的實體層911。
記憶體90包括多個嵌入式記憶卡910、920及930以及至少一個移動式記憶卡940。這些記憶卡以級聯方式相連接，使得記憶卡910之實體層912連接到記憶卡920之實體層921，記憶卡920之實體層922連接到記憶卡930之實體層931，以及記憶卡930之實體層932連接到記憶卡940之實體層941。容易理解的是，記憶體90與主機80之間的交互作用是依照本發明之先前所述實施例中的任何一個或多個實施例。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10～40．．．記憶體系統
11～14、21～24、31～34、41～44．．．匯流排
50、500～503．．．主機單元
60．．．顯示器元件
70．．．數位多媒體廣播元件
80．．．攝影機
90、160～460、161～461、162～462、163～463、MEMORY1～MEMORY4．．．記憶體
100～400、101～401、102～402、103～403、910～940、CARD1～CARD4．．．記憶0
110～113、120～123、120a、210～213、220～223、310～313、320～323、410～413、501～504、510、520～523、601～801、911～941．．．實體層
111、123、211、523．．．接收器
112、114、116、122、124、126、212、214、216、522、524、526．．．訊號驅動器
113、121、213、520．．．傳送器
115、125、215、525、Clock．．．時脈產生器
140～440、141～441、150～450、151～451．．．控制器
142～442、143～443、144～444、145～445、152～452、153～453、155～455．．．暫存器
162、164．．．分區
421～424．．．卡座
425．．．偵測器
DT1+、DT1-、DT0+、DT-、CLK、CMD_CID、Response(CID)、CMD_RCA1、CMD_RCA2、ACK、CMD1、CMD_PI、Response(PI)．．．訊號
S105～S130、S210～S240、S310～S350．．．步驟
圖1繪示為依照本發明之一實施例的一種記憶體系統。
圖2繪示為依照本發明之一實施例的圖1之記憶體系統的實體層。
圖3繪示為依照本發明之另一實施例的圖1之記憶體系統的實體層。
圖4繪示為依照本發明之一實施例的圖1之記憶體系統的一種操作方法的流程圖。
圖5繪示為依照本發明之一實施例的圖1之記憶體系統的命令圖。
圖6繪示為依照本發明之一實施例的圖1之記憶體系統的命令訊標。
圖7繪示為依照本發明之一實施例的圖1之記憶體系統的回應訊標。
圖8繪示為依照本發明之一實施例的圖1之記憶體系統的資料訊標。
圖9繪示為依照本發明之一實施例的圖1之記憶體系統的卡位址。
圖10繪示為依照本發明之另一實施例的一種記憶體系統。
圖11繪示為依照本發明之一實施例的圖10之記憶體系統的資訊暫存器的資料結構。
圖12繪示為依照本發明之一實施例的圖10之記憶體系統的位址暫存器的資料結構。
圖13繪示為依照本發明之一實施例的圖10之記憶體系統的命令訊標。
圖14繪示為依照本發明之一實施例的圖10之記憶體系統的回應訊標。
圖15繪示為依照本發明之一實施例的圖10之記憶體系統的資料訊標。
圖16繪示為依照本發明之一實施例的用來描述圖10之記憶體系統之記憶卡之分區的流程圖。
圖17繪示為依照本發明之一實施例的圖10之記憶體系統的卡位址。
圖18繪示為依照本發明之一實施例的用來描述圖10之記憶體系統之一種操作方法的流程圖。
圖19繪示為依照本發明之另一實施例的一種記憶體系統。
圖20繪示為依照本發明之一實施例的圖19之記憶體系統的命令圖。
圖21繪示為依照本發明之另一實施例的一種記憶體系統。
圖22繪示為依照本發明之一實施例的圖21之記憶體系統的命令圖。
圖23繪示為依照本發明之一實施例的一種具有移動式卡座的記憶體系統。
圖24繪示為依照本發明之一個或多個實施例的一種包括記憶體系統的電腦系統。
10．．．記憶體系統
11～14．．．匯流排
100～400、CARD1～CARD4．．．記憶卡
110、120、210、220、310、320、410、520．．．實體層
140～440．．．控制器
142～442、144～444．．．暫存器
160～460、MEMORY1～MEMORY4．．．記憶體
421．．．卡座
500．．．主機單元

Claims (20)

  1. 一種初始化記憶體系統的方法，所述記憶體系統包括主機處理機與多個記憶卡，所述記憶卡是以級聯排列的方式相連接，且每個記憶卡包括相對卡位址暫存器，初始化記憶體系統的所述方法包括：預先儲存相同的預設相對卡位址在每個記憶卡的所述相對卡位址暫存器中；以及利用所述預設相對卡位址從所述主機處理機發出命令序列，藉此來按順序分別儲存唯一的相對卡位址至所述記憶卡中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之初始化記憶體系統的方法，其中所述主機處理機起初發出包含所述預設相對卡位址的第一命令，所述第一命令被多個所述記憶卡當中的第一記憶卡接收，其中，當所述第一記憶卡偵測出所述第一命令的所述預設相對卡位址與預先儲存在所述相對卡位址暫存器中的所述預設相對卡位址一致時，所述第一記憶卡產生回應給所述主機處理機。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之初始化記憶體系統的方法，其中所述回應包括所述第一記憶卡的卡識別資訊。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之初始化記憶體系統的方法，其中所述回應包括所述第一記憶卡的分區資訊。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之初始化記憶體系統的方法，更包括當所述第一記憶卡接收到所述第一命令之後，將唯一的相對卡位址儲存在所述第一記憶卡的所述相對卡位址暫存器中。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之初始化記憶體系統的方法，其中，當所述第一唯一的相對卡位址被儲存到所述第一記憶卡的所述相對卡位址暫存器之後，所述主機處理機發出包含所述預設相對卡位址的第二命令，所述第二命令被第一記憶卡接收，其中，當所述第一記憶卡偵測出所述第二命令的所述預設相對卡位址與儲存在所述第一記憶卡之所述相對卡位址暫存器中的所述第一唯一的相對卡位址不一致時，所述第一記憶卡將所述第二命令傳送至多個所述記憶卡當中的第二記憶卡，其中，當所述第二記憶卡偵測出所述第二命令的所述預設相對卡位址與預先儲存在所述第二記憶卡之所述相對卡位址暫存器中的所述預設相對卡位址一致時，所述第二記憶卡產生回應給所述主機處理機。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之初始化記憶體系統的方法，其中多個所述記憶卡的至少其中之一是移動式記憶卡。
  8. 一種記憶體系統，包括：主機處理機；以及多個級聯連接式記憶卡，連接到所述主機處理機，每個所述記憶卡儲存著相同的預設相對卡位址，其中所述主機處理機經配置以利用所述預設相對卡位址來順序存取每個記憶卡，且在每次順序存取時將所述預設相對卡位址改成唯一的相對卡位址。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之記憶體系統，其中每個所述記憶卡包括記憶體與記憶體控制器，以及其中所述記憶體控制器包括相對卡位址暫存器，在所述記憶體系統初始化之前，所述相對卡位址暫存器儲存著所述預設相對卡位址。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之記憶體系統，其中每個記憶卡的所述記憶體控制器更包括卡識別資訊暫存器。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之記憶體系統，其中所述主機處理機經配置以起初發出包含所述預設相對卡位址的第一卡識別命令，所述第一卡識別命令被多個所述記憶卡當中的第一記憶卡接收，以及其中，當所述第一記憶卡偵測出所述第一命令的所述預設相對卡位址與預先儲存在所述相對卡位址暫存器中的所述預設相對卡位址一致時，所述第一記憶卡產生卡識別回應給所述主機處理機。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之記憶體系統，其中所述主機處理機更經配置以在所述第一記憶卡產生所述卡識別回應之後，將第一唯一的相對卡位址儲存在所述第一記憶卡之所述相對卡位址暫存器中。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之記憶體系統，其中，當所述第一唯一的相對卡位址被儲存到所述第一記憶卡之所述相對卡位址暫存器之後，所述主機處理機經配置以發出包含所述預設相對卡位址的第二卡識別命令，所述第二卡識別命令被第一記憶卡接收，其中，當偵測出所述第二命令的所述預設相對卡位址與儲存在所述第一記憶卡之所述相對卡位址暫存器中的所述第一唯一的相對卡位址不一致時，所述第一記憶卡經配置以傳送所述第二卡識別命令給多個所述記憶卡當中的第二記憶卡，以及其中，當所述第二記憶卡偵測出所述第二命令的所述預設相對卡位址與預先儲存在所述第二記憶卡之所述相對卡位址暫存器中的所述預設相對卡位址一致時，所述第二記憶卡產生卡識別回應給所述主機處理機。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之記憶體系統，其中每個記憶卡的所述記憶體控制器更包括分區資訊暫存器。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之記憶體系統，其中所述主機處理機經配置以起初發出包含所述預設相對卡位址的第一分區資訊命令，所述第一分區資訊命令被多個所述記憶卡當中的第一記憶卡接收，以及其中，當所述第一記憶卡偵測出所述第一命令的所述預設相對卡位址與預先儲存在所述相對卡位址暫存器中的所述預設相對卡位址一致時，所述第一記憶卡產生分區資訊回應給所述主機處理機。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之記憶體系統，其中，當所述第一記憶卡產生所述分區資訊回應之後，所述主機處理機更經配置以將第一唯一的相對卡位址儲存在所述第一記憶卡之所述相對卡位址暫存器中。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之記憶體系統，其中，當所述第一唯一的相對卡位址被儲存到所述第一記憶卡之所述相對卡位址暫存器之後，所述主機處理機經配置以發出包含所述預設相對卡位址的第二分區資訊命令，所述第二分區資訊命令被第一記憶卡接收，其中，當所述第一記憶卡偵測出所述第二命令的所述預設相對卡位址與儲存在所述第一記憶卡之所述相對卡位址暫存器中的所述第一唯一的相對卡位址不一致時，所述第一記憶卡經配置以傳送所述第二分區資訊命令給多個所述記憶卡當中的第二記憶卡，以及其中，當所述第二記憶卡偵測出所述第二命令的所述預設相對卡位址與預先儲存在所述第二記憶卡之所述相對卡位址暫存器中的所述預設相對卡位址一致時，所述第二記憶卡產生分區資訊回應給所述主機處理機。
  18. 如申請專利範圍第8項所述之記憶體系統，其中多個所述記憶卡的至少其中之一是移動式記憶卡。
  19. 一種電腦系統，包括：主機處理機；多個周邊元件，以易操作方式而耦接到所述主機處理機；以及所述周邊元件的至少其中之一是以易操作方式耦接到所述主機處理機的記憶體元件，所述記憶體元件包括多個級聯連接式記憶卡，其中每個所述記憶卡包括相對卡位址暫存器，在所述電腦系統初始化之前，所述相對卡位址暫存器儲存著相同的預設相對卡位址，其中，所述電腦系統被初始化時，所述主機處理機經配置以利用所述預設相對卡位址來順序存取所述級聯連接式記憶卡。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之電腦系統，其中所述電腦系統是一種移動通訊裝置，以及其中所述周邊元件包括顯示器元件與數位多媒體廣播元件。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101412524B1 (ko) * 2008-01-31 2014-06-25 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 카드 시스템 및 그것의 카드 인식방법
TWI423033B (zh) * 2009-12-22 2014-01-11 Ind Tech Res Inst 可串接之序列匯流排卡裝置及其管理方法及串接方法
US8638622B2 (en) * 2011-07-06 2014-01-28 Arm Limited Apparatus and method for receiving a differential data strobe signal
TWI459289B (zh) * 2012-01-03 2014-11-01 Sk Hynix Inc Embedded memory card control system with no power sleep mode and its embedded memory card
CN103197750B (zh) * 2012-01-09 2015-10-28 爱思开海力士有限公司 内嵌式记忆卡控制系统及其内嵌式记忆卡
US9507639B2 (en) 2012-05-06 2016-11-29 Sandisk Technologies Llc Parallel computation with multiple storage devices
KR102528557B1 (ko) * 2016-01-12 2023-05-04 삼성전자주식회사 다중 연결 포트를 갖는 반도체 장치, 메모리 시스템의 동작 방법 및 스토리지 시스템의 통신 방법
KR102656189B1 (ko) 2016-07-19 2024-04-11 삼성전자주식회사 직렬로 연결되는 스토리지 장치들 중 직접 연결되지 않은 스토리지 장치를 제어하도록 구성되는 전자 장치, 그것에 포함되는 스토리지 장치, 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템, 및 스토리지 장치의 컨트롤러의 동작 방법
CN106761267A (zh) * 2016-08-31 2017-05-31 威海北洋光电信息技术股份公司 高频级联图书防盗门
KR20180032728A (ko) 2016-09-22 2018-04-02 삼성전자주식회사 저장 장치, 저장 장치를 포함하는 사용자 장치, 및 사용자 장치의 동작 방법
KR20180033368A (ko) 2016-09-23 2018-04-03 삼성전자주식회사 케스-케이드 연결 구조로 레퍼런스 클록을 전달하는 스토리지 장치들을 포함하는 전자 장치
KR20180034778A (ko) * 2016-09-27 2018-04-05 삼성전자주식회사 직렬로 연결되는 스토리지 장치들 중 직접 연결되지 않은 스토리지 장치로의 바이패스 경로를 제공하도록 구성되는 전자 장치, 그것에 포함되는 스토리지 장치, 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템, 및 그것을 이용하여 통신하는 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7137011B1 (en) * 1993-09-01 2006-11-14 Sandisk Corporation Removable mother/daughter peripheral card
JPH11272601A (ja) 1998-03-24 1999-10-08 Fuji Electric Co Ltd カスケード接続カード、このカードにより構成されるシステムにおけるｉｄ割付け方法、及び共通バスのバス使用権優先判定方法
US7130958B2 (en) * 2003-12-02 2006-10-31 Super Talent Electronics, Inc. Serial interface to flash-memory chip using PCI-express-like packets and packed data for partial-page writes
US20060075395A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-06 Lee Charles C Flash card system
US6820148B1 (en) 2000-08-17 2004-11-16 Sandisk Corporation Multiple removable non-volatile memory cards serially communicating with a host
JP3693587B2 (ja) 2001-04-02 2005-09-07 日本電信電話株式会社 Ｉｃカードのアクセス管理システム
JP2004192488A (ja) * 2002-12-13 2004-07-08 Renesas Technology Corp データプロセッサ及びメモリカード
US6973519B1 (en) * 2003-06-03 2005-12-06 Lexar Media, Inc. Card identification compatibility
US20050086413A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-21 Super Talent Electronics Inc. Capacity Expansion of Flash Memory Device with a Daisy-Chainable Structure and an Integrated Hub
JP4151644B2 (ja) 2004-11-29 2008-09-17 松下電器産業株式会社 メモリカードドライブ
US7650459B2 (en) * 2006-12-21 2010-01-19 Intel Corporation High speed interface for non-volatile memory
KR101412524B1 (ko) * 2008-01-31 2014-06-25 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 카드 시스템 및 그것의 카드 인식방법

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